特許 6804414 半導体装置用評価装置および半導体装置の評価方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6804414

(24)【登録日】2020年12月4日

(45)【発行日】2020年12月23日

(54)【発明の名称】半導体装置用評価装置および半導体装置の評価方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/66 20060101AFI20201214BHJP

   G01R 31/26 20200101ALI20201214BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/66 B

   G01R31/26 J

【請求項の数】11

【全頁数】20

(21)【出願番号】特願2017-177948(P2017-177948)

(22)【出願日】2017年9月15日

(65)【公開番号】特開2019-54134(P2019-54134A)

(43)【公開日】2019年4月4日

【審査請求日】2019年11月21日

(73)【特許権者】

【識別番号】000006013

【氏名又は名称】三菱電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088672

【弁理士】

【氏名又は名称】吉竹 英俊

(74)【代理人】

【識別番号】100088845

【弁理士】

【氏名又は名称】有田 貴弘

(72)【発明者】

【氏名】野口 貴也

(72)【発明者】

【氏名】竹迫 憲浩

(72)【発明者】

【氏名】岡田 章

【審査官】 小池 英敏

(56)【参考文献】

【文献】 特開平１１−３３０１７２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−０２３２２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１６−１３９６４６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／６６

Ｈ０１Ｌ ２１／６７

Ｇ０１Ｒ ３１／２６

Ｇ０１Ｒ ３１／２８

Ｇ０１Ｒ １／０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体素子の電気特性の評価を行う機能を有する半導体装置用評価装置であって、
複数の前記半導体素子を有する、板状の半導体装置を支持するステージと、
前記電気特性の評価を行うために使用される複数のプローブと、
少なくとも１つのカバーと、を備え、
前記複数のプローブは、前記半導体装置の上面に向かって移動するように構成されており、
前記カバーが前記半導体装置の周縁部の側面および上面を覆うように、当該カバーは構成されており、
前記カバーのうち、前記周縁部の側面と対向する部分には、柔軟性を有する絶縁部材が設けられている
半導体装置用評価装置。

【請求項2】

半導体素子の電気特性の評価を行う機能を有する半導体装置用評価装置であって、
複数の前記半導体素子を有する、板状の半導体装置を支持するステージと、
前記電気特性の評価を行うために使用される複数のプローブと、
少なくとも１つのカバーと、を備え、
前記複数のプローブは、前記半導体装置の上面に向かって移動するように構成されており、
前記カバーが前記半導体装置の周縁部の側面および上面を覆うように、当該カバーは構成されており、
前記半導体装置用評価装置は、複数の前記カバーを備える
半導体装置用評価装置。

【請求項3】

前記カバーは、前記周縁部の上面を覆う突起部を有し、
前記突起部の厚みは、前記半導体装置の厚みより小さい
請求項１または２に記載の半導体装置用評価装置。

【請求項4】

前記半導体装置用評価装置は、さらに、
前記カバーを、前記半導体装置の上面に沿った方向、および、当該上面と直交する方向に移動させる機能を有する移動機構を備える
請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置用評価装置。

【請求項5】

前記カバーのうち、前記周縁部の側面と対向する部分には、柔軟性を有する絶縁部材が設けられている
請求項２から４のいずれか１項に記載の半導体装置用評価装置。

【請求項6】

前記カバーは、絶縁材料で構成されている
請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置用評価装置。

【請求項7】

前記カバーは、第１金属で構成されている
請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置用評価装置。

【請求項8】

前記カバーの上面は、前記第１金属の硬度より高い硬度を有する第２金属で覆われている
請求項７に記載の半導体装置用評価装置。

【請求項9】

前記カバーは、
前記半導体装置の前記周縁部の側面を覆う第１部材と、
前記第１部材上に載せられた第２部材とから構成され、
前記第２部材は、前記周縁部の上面を覆う
請求項１から８のいずれか１項に記載の半導体装置用評価装置。

【請求項10】

前記半導体装置用評価装置は、複数の前記カバーを備える
請求項１，３，４，５，６，７，８，９のいずれか１項に記載の半導体装置用評価装置。

【請求項11】

少なくとも１つのカバーを使用して、板状の半導体装置が有する半導体素子の電気特性の評価を行う、半導体装置の評価方法であって、
前記カバーが前記半導体装置の周縁部の側面および上面を覆うように、当該カバーは構成されており、
前記半導体装置をステージに載置する載置工程と、
前記カバーが前記半導体装置の周縁部の側面および上面を覆うように、当該カバーを当該半導体装置の周辺に配置する配置工程と、
複数のプローブを、前記半導体装置の上面に向かって移動させ、当該半導体装置の前記半導体素子の電気特性の評価を行う評価工程と、を含み、
前記半導体装置の評価方法では、複数の前記カバーが使用され、
前記配置工程は、前記複数のカバーが前記半導体装置の周縁部の側面および上面を覆うように、当該複数のカバーを、当該半導体装置の周辺に配置し、
前記半導体装置の評価方法は、さらに、
前記評価工程において前記評価が行われる際に、前記複数のカバーの少なくとも１つを移動させる移動工程を含む
半導体装置の評価方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体素子の電気特性の評価を行う半導体装置用評価装置および半導体装置の評価方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ウエハ等の板状の半導体装置に対して、様々な検査が行われる。当該検査では、例えば、半導体装置に形成されている複数の半導体素子の電気特性の評価が行われる。被測定物である各半導体素子の電気特性の評価を行うために、まず、真空吸着等により、半導体装置の一方の面が、チャックステージの表面に固定される。そして、半導体装置の他方の面にプローブが接触した状態で、各半導体素子の電気特性の評価が行われる。

【0003】

なお、以前から、電力用半導体装置については、一つの半導体素子に対し、多くのプローブを使用して、大電流の供給、高電圧の印加等が行われている。また、一つの半導体素子に対し多くのプローブを使用するのに加え、複数の半導体素子を同時に評価するために、複数のプローブがプローブカードに設けられている。

【0004】

なお、半導体装置の形状は、一般的に、円板状（板状）である。そのため、半導体装置の周縁部の形状は、リング状である。したがって、半導体装置の周縁部には、不完全の複数の半導体素子が存在する。そのため、不完全の複数の半導体素子には、プローブが適切に接触できない。この場合、プローブが、半導体装置の周辺、すなわち、チャックステージの表面に接する可能性がある。プローブが、チャックステージの表面に接した場合、当該チャックステージに傷がつくという問題がある。

【0005】

チャックステージに傷がついている場合、半導体装置とチャックステージとの密着性が低下する。また、チャックステージに傷がついている場合、半導体装置が破損する可能性もある。そのため、チャックステージに傷がついている状況は、半導体装置の評価の精度の低下、歩留まりの低下等の要因となる。

【0006】

特許文献１では、上記の問題を解決するために、リングを利用した構成（以下、「関連構成Ａ」ともいう）が開示されている。具体的には、関連構成Ａでは、固定台において、ウエハの周囲にリングが配置される。なお、当該リングは、ウエハの周囲を取り囲むように構成されている。また、関連構成Ａでは、ウエハに設けられたチップの電気特性を測定する際、複数のコンタクトピンのうち、ウエハの周囲に位置するコンタクトピンが、リングの上面と接触するように構成されている。これにより、コンタクトピンに大きな圧力が加わることが抑制される。なお、関連構成Ａは、低電圧で動作するチップの電気特性を評価するための構成である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２０１０−２８７６０２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

なお、関連構成Ａでは、リングの内径が半導体装置（ウエハ）の外径と同一である場合、リングが半導体装置の周縁部に接触する可能性が高い。そのため、関連構成Ａでは、リングの内径は、半導体装置（ウエハ）の外径より、少しだけ大きくする必要がある。したがって、関連構成Ａでは、半導体装置（ウエハ）とリングとの境界に隙間を設ける必要がある。しかしながら、隙間を設けた構成では、プローブの先端が、半導体装置（ウエハ）の周縁部の端に接触し、当該周縁部が破損する可能性がある。そこで、半導体装置の周縁部の上面が保護されることが要求される。

【0009】

本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、半導体装置の周縁部の上面を保護することが可能な半導体装置用評価装置等を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る半導体装置用評価装置は、半導体素子の電気特性の評価を行う機能を有する。前記半導体装置用評価装置は、複数の前記半導体素子を有する、板状の半導体装置を支持するステージと、前記電気特性の評価を行うために使用される複数のプローブと、少なくとも１つのカバーと、を備え、前記複数のプローブは、前記半導体装置の上面に向かって移動するように構成されており、前記カバーが前記半導体装置の周縁部の側面および上面を覆うように、当該カバーは構成されており、前記カバーのうち、前記周縁部の側面と対向する部分には、柔軟性を有する絶縁部材が設けられている。

【発明の効果】

【0011】

本発明によれば、半導体装置用評価装置は、複数のプローブと、カバーとを備える。前記複数のプローブは、前記半導体装置の上面に向かって移動するように構成されている。前記カバーが前記半導体装置の周縁部の側面および上面を覆うように、当該カバーは構成されている。これにより、半導体装置の周縁部の上面を保護することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本発明の実施の形態１に係る半導体装置用評価装置の構成を示す模式図である。

【図2】半導体装置を示す平面図である。

【図3】プローブを説明するための図である。

【図4】ステージの平面図である。

【図5】図４のＡ１−Ａ２線に沿った、ステージの一部の断面図である。

【図6】本発明の実施の形態１に係る半導体装置評価方法のフローチャートである。

【図7】プローブがカバーに接触している状態を示す図である。

【図8】本発明の変形例１に係る構成を説明するための図である。

【図9】本発明の変形例１に係る半導体装置評価方法のフローチャートである。

【図10】本発明の変形例１に係るカバーおよびその近傍の断面図である。

【図11】本発明の変形例２に係るカバーを説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の図面では、同一の各構成要素には同一の符号を付してある。同一の符号が付されている各構成要素の名称および機能は同じである。したがって、同一の符号が付されている各構成要素の一部についての詳細な説明を省略する場合がある。

【0014】

なお、実施の形態において例示される各構成要素の寸法、材質、形状、当該各構成要素の相対配置などは、本発明が適用される装置の構成、各種条件等により適宜変更されてもよい。また、各図における各構成要素の寸法は、実際の寸法と異なる場合がある。

【0015】

＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置用評価装置１００の構成を示す模式図である。なお、図１において、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向は、互いに直交する。

【0016】

以下の図に示されるＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向も、互いに直交する。以下においては、Ｘ方向と、当該Ｘ方向の反対の方向（−Ｘ方向）とを含む方向を「Ｘ軸方向」ともいう。また、以下においては、Ｙ方向と、当該Ｙ方向の反対の方向（−Ｙ方向）とを含む方向を「Ｙ軸方向」ともいう。また、以下においては、Ｚ方向と、当該Ｚ方向の反対の方向（−Ｚ方向）とを含む方向を「Ｚ軸方向」ともいう。

【0017】

また、以下においては、Ｘ軸方向およびＹ軸方向を含む平面を、「ＸＹ面」ともいう。また、以下においては、Ｘ軸方向およびＺ軸方向を含む平面を、「ＸＺ面」ともいう。また、以下においては、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を含む平面を、「ＹＺ面」ともいう。

【0018】

図１を参照して、半導体装置用評価装置１００は、ステージＳｔ１と、プローブ基体２０と、評価部４と、カバーＣｖ１と、移動機構１７とを備える。

【0019】

ステージＳｔ１は、チャックステージである。ステージＳｔ１は、主面Ｓｔ１ａを有する。主面Ｓｔ１ａは、半導体装置Ｗ１を載せるための面である。半導体装置Ｗ１は、半導体ウエハである。以下においては、半導体ウエハを、簡略化して、「ウエハ」ともいう。半導体装置Ｗ１の形状は、板状（円板状）である。半導体装置Ｗ１は、表面Ｗ１ａと、裏面Ｗ１ｂとを含む。

【0020】

本実施の形態の半導体装置Ｗ１は、縦型構造を有する。縦型構造とは、半導体装置Ｗ１の縦方向（厚み方向）に、大電流を流す構造である。大電流とは、１アンペア以上の電流である。なお、半導体装置Ｗ１は、横型構造を有してもよい。横型構造とは、半導体装置（ウエハ）の表面に沿った方向に、電流を流す構造である。

【0021】

図２は、半導体装置Ｗ１を示す平面図である。半導体装置Ｗ１は、チップとしての複数の半導体素子Ｃｐ１を有する。複数の半導体素子Ｃｐ１は、半導体装置Ｗ１において、平面的に配列されている。なお、半導体素子Ｃｐ１の構成を分かりやすくするために、図２に示される半導体素子Ｃｐ１の数は、実際の数より少なく示されている。また、図２では、後述のパッドＰｄ１は示していない。

【0022】

再び、図１を参照して、プローブ基体２０の一部である後述のベース板Ｂ１は、移動アーム９に保持される。移動アーム９は、任意の方向へ移動自在に構成されている。そのため、プローブ基体２０は、移動アーム９の移動に伴い、移動する。なお、図１では、１台の移動アーム９により、プローブ基体２０（ベース板Ｂ１）が保持されている状態を示しているが、これに限定されない。プローブ基体２０を保持する移動アーム９の数は、２以上であってもよい。なお、プローブ基体２０を移動させずに、半導体装置Ｗ１（ステージＳｔ１）を移動させてもよい。

【0023】

プローブ基体２０は、ベース板Ｂ１と、複数のプローブ１０と、接続部８ａとを含む。なお、図１では、各プローブ１０は簡略化して示されている。各プローブ１０は、詳細は後述するが、半導体素子Ｃｐ１の電気特性の評価を行うために使用される。また、各プローブ１０は、導電性を有する。各プローブ１０は、例えば、金属で構成される。当該金属は、例えば、銅、タングステン、レニウムタングステン等である。

【0024】

図３は、プローブ１０を説明するための図である。図３（ａ）は、プローブ１０の詳細な構成を示す図である。図３（ａ）を参照して、プローブ１０は、プランジャ部１２と、バレル部１４と、棒状端子１５とを含む。

【0025】

プランジャ部１２は、コンタクト部Ｃｔ１と、棒状部１３とを含む。コンタクト部Ｃｔ１は、棒状部１３の下端に接合されている。なお、コンタクト部Ｃｔ１の表面は、導電性向上、耐久性向上等のために、金、パラジウム、タンタル、プラチナ等で被覆されていてもよい。

【0026】

バレル部１４の形状は、筒状である。バレル部１４は、図１のベース板Ｂ１に固定されている。バレル部１４の内部には、スプリング等のばね部材（図示せず）が設けられている。バレル部１４のばね部材には、プランジャ部１２（棒状部１３の上端）が接合されている。バレル部１４の上端には、棒状端子１５が接合されている。棒状端子１５は、バレル部１４を介して、プランジャ部１２（コンタクト部Ｃｔ１）と電気的に接続されている。棒状端子１５は、外部への出力端子として機能する。

【0027】

再び、図１を参照して、ベース板Ｂ１には、複数のプローブ１０が所定の間隔をあけて固定されている。また、ベース板Ｂ１には、接続部８ａが設けられている。接続部８ａは、配線（図示せず）を介して、複数のプローブ１０と電気的に接続されている。また、接続部８ａは、信号線６ａを介して、評価部４に接続されている。なお、ステージＳｔ１の側面には、接続部８ｂが設けられている。接続部８ｂは、信号線６ｂを介して、評価部４に接続されている。

【0028】

以下においては、ステージＳｔ１の主面Ｓｔ１ａに、半導体装置Ｗ１が載置されている状態を、「状態Ｓｔ１」ともいう。なお、図１では、状態Ｓｔ１における半導体装置Ｗ１が示されている。

【0029】

カバーＣｖ１は、ステージＳｔ１（チャックステージ）を保護するためのカバーである。カバーＣｖ１は、詳細は後述するが、状態Ｓｔ１における半導体装置Ｗ１の少なくとも一部を覆うように構成されている。

【0030】

移動機構１７は、カバーＣｖ１を保持する機能、および、カバーＣｖ１を任意の方向に移動させる機能を有する。例えば、移動機構１７は、カバーＣｖ１を、半導体装置Ｗ１の上面（表面Ｗ１ａ）に沿った方向（水平方向）、および、当該上面（表面Ｗ１ａ）と直交する方向（Ｚ軸方向）に移動させる機能を有する。移動機構１７が、カバーＣｖ１をＺ軸方向（上下方向）に移動させる機能を有するため、例えば、厚みが異なる複数種類の半導体装置Ｗ１に対しても、カバーＣｖ１を適用させることができる。

【0031】

以下においては、カバーＣｖ１が、半導体装置Ｗ１の少なくとも一部を覆っている状態を、「状態Ｓｔ２」ともいう。なお、図１では、状態Ｓｔ２におけるカバーＣｖ１が示されている。

【0032】

図４は、状態Ｓｔ２におけるステージＳｔ１の平面図である。図５は、図４のＡ１−Ａ２線に沿った、ステージＳｔ１の一部の断面図である。なお、図５では、主要な部分の構成を分かりやすくするために、一部の構成は図示されていない。例えば、図５では、後述のパッドＰｄ１は示されていない。

【0033】

図４および図５を参照して、平面視（ＸＹ面）におけるカバーＣｖ１の形状は、リング状（閉ループ状）である。なお、カバーＣｖ１を半導体装置Ｗ１にかぶせることが可能なように、当該カバーＣｖ１は構成されている。そのため、カバーＣｖ１の内径は、半導体装置Ｗ１の外径より、少しだけ大きい。状態Ｓｔ２では、カバーＣｖ１と半導体装置Ｗ１との境界に、わずかな隙間が存在する。

【0034】

本実施の形態では、平面視（ＸＹ面）における半導体装置Ｗ１のサイズが、平面視（ＸＹ面）におけるステージＳｔ１（主面Ｓｔ１ａ）のサイズより小さい状態について説明する。また、本実施の形態では、平面視（ＸＹ面）において、カバーＣｖ１が、ステージＳｔ１の主面Ｓｔ１ａ内に配置されている状態について説明する。例えば、図５のように、カバーＣｖ１は、ステージＳｔ１の主面Ｓｔ１ａに載置されている。

【0035】

なお、図３（ａ）のように、各半導体素子Ｃｐ１上には、当該半導体素子Ｃｐ１と電気的に接続されているパッドＰｄ１が設けられている。すなわち、半導体装置Ｗ１の表面Ｗ１ａには、それぞれ、複数のパッドＰｄ１が設けられている。パッドＰｄ１は、導電性を有する。パッドＰｄ１は、プローブ１０のコンタクト部Ｃｔ１の接触対象となるパッドである。

【0036】

ステージＳｔ１は、半導体装置Ｗ１を支持する台座である。ステージＳｔ１の主面Ｓｔ１ａは、半導体装置Ｗ１の裏面Ｗ１ｂに接触する。ステージＳｔ１は、例えば、真空吸着を行う機能を有する。ステージＳｔ１は、真空吸着を行うことにより、ステージＳｔ１の主面Ｓｔ１ａに、半導体装置Ｗ１の裏面Ｗ１ｂを固定する。なお、ステージＳｔ１が半導体装置Ｗ１を固定する手段は、真空吸着に限定されず、例えば、静電吸着であってもよい。

【0037】

半導体装置用評価装置１００は、半導体装置Ｗ１の半導体素子Ｃｐ１の電気特性の評価を行う機能を有する。前述したように、本実施の形態の半導体装置Ｗ１は、縦型構造を有する。縦型構造の半導体装置Ｗ１の各半導体素子Ｃｐ１の評価を行う際には、外部に接続される２つの電極が使用される。当該２つの電極の一方は、半導体素子Ｃｐ１上に設けられたパッドＰｄ１に接触するためのプローブ１０（コンタクト部Ｃｔ１）である。当該２つの電極の他方は、半導体装置Ｗ１の裏面Ｗ１ｂと接触する、ステージＳｔ１の主面Ｓｔ１ａである。

【0038】

ステージＳｔ１の主面Ｓｔ１ａは、ステージＳｔ１の側面に設けられた接続部８ｂ、および、信号線６ｂを介して、評価部４に電気的に接続されている。なお、各半導体素子Ｃｐ１に大電流を供給するために、当該各半導体素子Ｃｐ１に、ｍ個のプローブ１０が接触するように、プローブ基体２０は構成される。「ｍ」は、２以上の整数である。

【0039】

また、好ましくは、各プローブ１０に流れる電流の密度が略一致する構成が望ましい。例えば、プローブ基体２０に含まれる複数のプローブ１０のいずれが使用された状態でも、ベース板Ｂ１に設けられた接続部８ａから、使用されたプローブ１０を経由した、接続部８ｂまでの電流の経路の長さが、略同一となるように、接続部８ａ，接続部８ｂが設けられることが好ましい。理想的には、接続部８ａが、プローブ１０を介して、接続部８ｂと対向するように、接続部８ａ，接続部８ｂが設けられることが好ましい。

【0040】

なお、半導体装置用評価装置１００では、複数の半導体素子Ｃｐ１を、一括して評価するために、プローブ基体２０は、ｍ個のプローブ１０をｎ組含む。「ｎ」は、２以上の整数である。すなわち、プローブ基体２０は、ｋ個のプローブ１０を含む。「ｋ」は、ｍ×ｎにより得られる整数である。

【0041】

各プローブ１０（棒状端子１５）は、ベース板Ｂ１に設けられた、導電性の配線（図示せず）により、接続部８ａと電気的に接続される。当該導電性の配線は、例えば、金属等で構成されている。

【0042】

なお、上記の導電性の配線がベース板Ｂ１上に設けられる場合、ベース板Ｂ１は、絶縁性を有することが望ましい。なお、当該導電性の配線が、絶縁性部材で被覆されている場合、ベース板Ｂ１は、絶縁性を有さない、金属等で構成されてもよい。

【0043】

次に、プローブ１０の動作について説明する。半導体素子Ｃｐ１の評価を行うための処理において、図３（ａ）のプローブ１０は、パッドＰｄ１に向かって、下方向（−Ｚ方向）へ移動する。これにより、図３（ｂ）のように、プローブ１０のコンタクト部Ｃｔ１は、パッドＰｄ１に接触する。図３（ｂ）の状態のプローブ１０が、さらに、下方向（−Ｚ方向）へ移動した場合、棒状部１３が、ばね部材（図示せず）を介して、バレル部１４の内部に、押し込まれる（図３（ｃ）参照）。すなわち、棒状部１３は、摺動する。これにより、コンタクト部Ｃｔ１が、パッドＰｄ１に確実に接触する。すなわち、コンタクト部Ｃｔ１は、物理的および電気的に、パッドＰｄ１に接触する。

【0044】

なお、プローブ１０の構成は、バレル部１４の内部にばね部材を設けた構成としたが、これに限定されない。例えば、プローブ１０の構成は、バレル部１４の外部にばね部材を設けた構成であったもよい。また、プローブ１０の構成は、ばね部材を利用したスプリング式に限定されない。プローブ１０の構成は、例えば、カンチレバー式であってもよい。また、プローブ１０は、積層プローブ、ワイヤープローブ等であってもよい。

【0045】

次に、カバーＣｖ１の詳細な構成について説明する。以下においては、半導体装置Ｗ１の周縁部を、「周縁部Ｗ１ｅ」ともいう。平面視（ＸＹ面）における半導体装置Ｗ１の形状が円板状である場合、平面視（ＸＹ面）における周縁部Ｗ１ｅの形状は、リング状（閉ループ）状である。以下においては、周縁部Ｗ１ｅの側面を、「側面Ｗ１ｅｓ」ともいう。また、以下においては、周縁部Ｗ１ｅの上面を、「上面Ｗ１ｅｕ」ともいう。上面Ｗ１ｅｕは、表面Ｗ１ａの一部である。本実施の形態では、平面視（ＸＹ面）において、カバーＣｖ１は、半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅ全体を取り囲む。

【0046】

図５のように、カバーＣｖ１が半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅの側面Ｗ１ｅｓおよび上面Ｗ１ｅｕを覆うように、当該カバーＣｖ１は構成されている。前述したように、平面視（ＸＹ面）におけるカバーＣｖ１の形状は、リング状（閉ループ）状である。なお、カバーＣｖ１は、側面Ｃｖ１ｓを有する。前述の状態Ｓｔ２において、側面Ｃｖ１ｓは、周縁部Ｗ１ｅの側面Ｗ１ｅｓと対向する。すなわち、側面Ｗ１ｅｓは、カバーＣｖ１のうち、周縁部Ｗ１ｅの側面Ｗ１ｅｓと対向する部分に相当する。側面Ｗ１ｅｓには、絶縁性のコーティングが施されている。具体的には、側面Ｗ１ｅｓには、柔軟性を有する絶縁部材５０が設けられている。すなわち、側面Ｗ１ｅｓは、柔軟性を有する絶縁部材５０で覆われる。側面Ｗ１ｅｓに設けられる絶縁部材５０は、例えば、フッ素樹脂、ＰＴＦＥ等である。なお、カバーＣｖ１の下面にも、柔軟性を有する絶縁部材５０が設けられてもよい。

【0047】

また、カバーＣｖ１は、基台Ｃｖ１ｂと、突起部Ｃｖ１ｘとを有する。平面視（ＸＹ面）における基台Ｃｖ１ｂの形状は、リング状（閉ループ）状である。突起部Ｃｖ１ｘは、基台Ｃｖ１ｂの上部から、水平方向に突出した部材である。平面視（ＸＹ面）において、突起部Ｃｖ１ｘは、半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅと重なる。

【0048】

基台Ｃｖ１ｂは、絶縁材料で構成されている。当該絶縁材料は、例えば、エンジニアリングプラスチック等の樹脂材である。好ましくは、基台Ｃｖ１ｂを構成する絶縁材料は、高硬度のＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂である。なお、基台Ｃｖ１ｂだけででなく、カバーＣｖ１全体が、上記の絶縁材料で構成されてもよい。

【0049】

平面視（ＸＹ面）においてカバーＣｖ１と半導体装置Ｗ１との間に隙間が生じないように、突起部Ｃｖ１ｘは構成されている。具体的には、状態Ｓｔ２では、図５のように、突起部Ｃｖ１ｘは、周縁部Ｗ１ｅの上面Ｗ１ｅｕを覆う。平面視（ＸＹ面）における突起部Ｃｖ１ｘの形状は、リング状（閉ループ）状である。なお、突起部Ｃｖ１ｘの厚みは、半導体装置Ｗ１の厚みより小さい。

【0050】

次に、半導体装置Ｗ１を評価するための方法（以下、「半導体装置評価方法Ｐｒ」ともいう）について説明する。半導体装置評価方法Ｐｒは、カバーＣｖ１を使用して、板状の半導体装置Ｗ１が有する半導体素子Ｃｐ１の電気特性の評価を行う処理である。

【0051】

図６は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置評価方法Ｐｒのフローチャートである。なお、図６では、半導体装置評価方法Ｐｒに含まれる主要な工程のみを示している。半導体装置評価方法Ｐｒが行われる前に、評価対象の半導体装置Ｗ１のサイズ、および、ステージＳｔ１の主面Ｓｔ１ａのサイズに対応する、適切なサイズのカバーＣｖ１が選定される。また、プローブ基体２０に設けられる複数のプローブ１０のコンタクト部Ｃｔ１の高さが揃えられる。

【0052】

半導体装置評価方法Ｐｒでは、まず、載置工程が行われる（ステップＳ１１０）。載置工程では、半導体装置Ｗ１を任意の方向へ移動させる機能を有する半導体装置移動機構部（図示せず）が使用される。載置工程では、半導体装置移動機構部が、半導体装置Ｗ１をステージＳｔ１に載置する。これにより、半導体装置Ｗ１が、ステージＳｔ１に固定される。

【0053】

次に、配置工程が行われる（ステップＳ１２０）。配置工程では、カバーＣｖ１を任意の方向へ移動させる機能を有する移動機構１７が使用される。配置工程では、移動機構１７が、カバーＣｖ１をステージＳｔ１に配置する。具体的には、カバーＣｖ１が半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅの側面Ｗ１ｅｓおよび上面Ｗ１ｅｕを覆うように、移動機構１７が、当該カバーＣｖ１を、当該半導体装置Ｗ１の周辺に配置する。

【0054】

次に、評価工程が行われる（ステップＳ１３０）。評価工程では、まず、プローブ移動処理が行われる。プローブ移動処理では、複数のプローブ１０の少なくとも一部が半導体装置Ｗ１の上面（表面Ｗ１ａ）に接触するように、移動アーム９が、複数のプローブ１０（プローブ基体２０）を、半導体装置Ｗ１の上面（表面Ｗ１ａ）に向かって移動させる。すなわち、複数のプローブ１０は、移動アーム９の動作に従って、半導体装置Ｗ１の上面（表面Ｗ１ａ）に向かって移動するように構成されている。

【0055】

以下においては、プローブ移動処理において、プローブ基体２０に含まれる複数のプローブ１０のうち、パッドＰｄ１と対向するプローブ１０を、「パッド対応プローブ」ともいう。また、以下においては、プローブ移動処理において、プローブ基体２０に含まれる複数のプローブ１０のうち、半導体装置Ｗ１と対向しないプローブ１０を、「装置外プローブ」または「プローブ１０ａ」ともいう。なお、装置外プローブは、プローブ移動処理において、半導体装置Ｗ１の周辺領域と対向する。

【0056】

プローブ移動処理における移動アーム９の上記の動作により、複数のパッド対応プローブ（コンタクト部Ｃｔ１）が、それぞれ、半導体装置Ｗ１の複数のパッドＰｄ１に接触する。なお、装置外プローブであるプローブ１０ａの先端部（コンタクト部Ｃｔ１）は、図７のように、カバーＣｖ１の上面に接触する。なお、図７では、主要な部分の構成を分かりやすくするために、一部の構成は簡略化されており、かつ、別の一部の構成は図示されていない。例えば、プローブ１０は簡略化して示されている。また、ベース板Ｂ１およびパッドＰｄ１は示されていない。

【0057】

このように、プローブ１０ａ（装置外プローブ）の先端部は、カバーＣｖ１の上面に接触する。そのため、プローブ１０ａにより、ステージＳｔ１の主面Ｓｔ１ａに傷がつくことはない。すなわち、カバーＣｖ１は、評価工程において、プローブ１０ａ（装置外プローブ）を、当該カバーＣｖ１の上面に接触させるための治具である。また、カバーＣｖ１により、プローブ１０ａがステージＳｔ１の主面Ｓｔ１ａ（表面）に近接することを防ぐことができるため、放電現象の発生を防止することができる。

【0058】

また、評価工程では、次に、特性評価処理が行われる。特性評価処理では、評価部４が、半導体装置Ｗ１の半導体素子Ｃｐ１の電気特性の評価を行う。なお、半導体素子Ｃｐ１の電気特性の評価のための処理は、周知な処理であるため、簡単に説明する。

【0059】

特性評価処理では、複数の半導体素子Ｃｐ１のパッドＰｄ１に、それぞれ、複数のパッド対応プローブが接触した状態で、各半導体素子Ｃｐ１に電流が流されることにより、各半導体素子Ｃｐ１の電気特性の評価が行われる。なお、必要に応じて、プローブ基体２０（パッド対応プローブ）は移動する。以上により、半導体素子Ｃｐ１の電気特性の評価が行われる。

【0060】

評価工程の終了後、複数のパッド対応プローブは、複数のパッドＰｄ１から離される。次に、移動機構１７が、カバーＣｖ１をステージＳｔ１から離す。以上により、半導体装置評価方法Ｐｒは終了する。

【0061】

なお、必要に応じて、評価が終わった半導体装置Ｗ１を、評価対象となる別の半導体装置Ｗ１に交換し、当該別の半導体装置Ｗ１に対し評価を行う処理が継続される。また、評価対象となる別の半導体装置Ｗ１の大きさおよび厚みによっては、カバーＣｖ１は、当該別の半導体装置Ｗ１のサイズに対応する別のカバーＣｖ１に変更される場合もある。

【0062】

以上説明したように、本実施の形態によれば、半導体装置用評価装置１００は、複数のプローブ１０と、カバーＣｖ１とを備える。複数のプローブ１０は、半導体装置Ｗ１の上面（表面Ｗ１ａ）に向かって移動するように構成されている。カバーＣｖ１が半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅの側面Ｗ１ｅｓおよび上面Ｗ１ｅｕを覆うように、当該カバーＣｖ１は構成されている。これにより、半導体装置Ｗ１の周縁部の上面を保護することができる。また、半導体装置Ｗ１とカバーＣｖ１との境界に隙間が存在する状態においても、当該隙間にプローブ１０が入ることを防ぐことができる。

【0063】

また、本実施の形態では、前述の評価工程において、特性評価処理が行われる。これにより、複数の半導体素子Ｃｐ１の評価を一括して行うことが可能である。そのため、評価工程に要する時間を短縮することが可能である。また、装置外プローブの存在を考慮することなく、評価する半導体素子Ｃｐ１の数を維持することができる。そのため、評価工程に要する時間が不必要に長くなることを抑制することができる。

【0064】

また、本実施の形態では、プローブ１０ａ（装置外プローブ）の先端部は、カバーＣｖ１の上面に接触する。そのため、プローブ１０ａの移動に伴う、半導体装置Ｗ１の周縁部の破損、ステージＳｔ１（チャックステージ）の主面Ｓｔ１ａにおける傷の発生等を防ぐことができる。また、プローブ１０ａが、ステージＳｔ１の主面Ｓｔ１ａ（表面）に近接することを防ぐことができるため、放電現象の発生を防止することができる。

【0065】

また、本実施の形態では、カバーＣｖ１（基台Ｃｖ１ｂ）は、絶縁材料で構成されている。そのため、プローブ１０ａ（装置外プローブ）がカバーＣｖ１に接触した場合でも、当該プローブ１０ａによる意図しない通電の発生を防ぐことができる。また、カバーＣｖ１（基台Ｃｖ１ｂ）を構成する絶縁材料は、高硬度のＰＰＳ樹脂である。そのため、カバーＣｖ１に傷がつくことを抑制することができる。

【0066】

また、本実施の形態では、カバーＣｖ１の側面Ｗ１ｅｓには、柔軟性を有する絶縁部材５０が設けられている。絶縁部材５０の存在により、半導体装置Ｗ１の周縁部における破損の発生を防ぐことができる。

【0067】

また、本実施の形態では、カバーＣｖ１の突起部Ｃｖ１ｘの厚みは、半導体装置Ｗ１の厚みより小さい。そのため、カバーＣｖ１および半導体装置Ｗ１における段差が小さい。したがって、プローブ１０として、押し込み量の小さいプローブを適用することができる。当該押し込み量の小さいプローブは、例えば、カンチ式プローブカード、ワイヤプローブ等である。

【0068】

なお、電気特性の評価工程において、高電圧が印加される、電力用の半導体装置では、プローブが、チャックステージの表面に接触していない状態において、当該プローブの先端が、当該チャックステージの表面に近接することで、放電が生じる可能性がある。放電が生じた場合、当該放電が生じた箇所の近傍の半導体装置に、破壊が生じる可能性があるという問題がある。そのため、放電の発生を抑制する必要がある。

【0069】

また、関連構成Ａでは、前述したように、半導体装置（ウエハ）とリングとの境界に隙間を設ける必要がある。しかしながら、隙間を設けた構成では、プローブの先端が半導体装置（ウエハ）の周縁部の端に接触し、当該周縁部が破損する可能性があるという問題がある。

【0070】

そこで、本実施の形態の半導体装置用評価装置１００は、上記のような構成を有する。そのため、本実施の形態の半導体装置用評価装置１００により、上記の各問題を解決することができる。また、上記のような構成を有する半導体装置用評価装置１００によれば、半導体装置（ウエハ）の製造過程において、寄生的に形成された未形成の半導体素子に対する、プローブの接触に伴う上記のような問題も解決することができる。

【0071】

なお、プローブ１０ａ（装置外プローブ）がカバーＣｖ１に接触した場合における意図しない通電は、半導体装置用評価装置１００により止めることが可能である。そのため、本実施の形態では、カバーＣｖ１（基台Ｃｖ１ｂ）は、絶縁材料で構成されるとしたが、これに限定されない。カバーＣｖ１の基台Ｃｖ１ｂは、加工が容易な金属（以下、「金属Ｍｔ１」ともいう）で構成されてもよい。また、カバーＣｖ１全体が、金属Ｍｔ１で構成されてもよい。金属Ｍｔ１は、例えば、鉄、銅、アルミニウム等である。

【0072】

カバーＣｖ１が金属で構成されることにより、カバーＣｖ１にプローブ１０ａが接触した場合でも、当該カバーＣｖ１に傷がつくことを抑制することができる。そのため、カバーＣｖ１に傷がつくことに伴う、くず（異物）等の発生も抑制することができる。

【0073】

また、カバーＣｖ１が金属Ｍｔ１で構成されている場合、当該カバーＣｖ１の上面は、高硬度な金属（以下、「金属Ｍｔ２」ともいう）で覆われていてもよい。金属Ｍｔ２は、例えば、金属Ｍｔ１の硬度より高い硬度を有する金属である。また、カバーＣｖ１が金属Ｍｔ１で構成されている場合、カバーＣｖ１の上面および下面の両方が、金属Ｍｔ２で覆われていてもよい。これにより、カバーＣｖ１に傷がつくことを、さらに抑制することができる。

【0074】

また、カバーＣｖ１が金属Ｍｔ１で構成されている場合、当該カバーＣｖ１の上面は、セラミック材で覆われていてもよい。

【0075】

また、本実施の形態では、平面視（ＸＹ面）におけるカバーＣｖ１の形状は、リング状（閉ループ状）に限定されない。例えば、半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅに存在する、評価対象となる全ての半導体素子Ｃｐ１を、突起部Ｃｖ１ｘが覆うように構成されていれば、平面視（ＸＹ面）におけるカバーＣｖ１の形状は、矩形等であってもよい。

【0076】

また、カバーＣｖ１の設置を容易にするために、当該カバーＣｖ１に持ち手が設けられてもよい。

【0077】

＜変形例１＞
以下においては、実施の形態１の構成を、「構成Ｃｔ１」ともいう。また、以下においては、本変形例の構成を「構成Ｃｔｍ１」ともいう。構成Ｃｔｍ１は、複数のカバーＣｖ１ｍを使用した構成である。構成Ｃｔｍ１は、構成Ｃｔ１（実施の形態１）に適用される。

【0078】

構成Ｃｔｍ１が適用された半導体装置用評価装置１００は、複数のカバーＣｖ１ｍを備える。以下に、一例として、４つのカバーＣｖ１ｍを使用した構成Ｃｔｍ１について説明する。

【0079】

図８は、本発明の変形例１に係る構成Ｃｔｍ１を説明するための図である。なお、図８では、各カバーＣｖ１ｍが、前述の移動機構１７により保持されている状態を示す。また、図８では、簡略化のため、移動機構１７のうち、カバーを保持する部分のみ示されている。

【0080】

各カバーＣｖ１ｍは、カバーＣｖ１と比較して、平面視（ＸＹ面）における形状のみが異なる。各カバーＣｖ１ｍのそれ以外の構成は、カバーＣｖ１と同様なので詳細な説明は繰り返さない。そのため、各カバーＣｖ１ｍは、カバーＣｖ１と同様に、基台Ｃｖ１ｂと、突起部Ｃｖ１ｘとを有する。また、各カバーＣｖ１ｍの断面の形状は、図５のカバーＣｖ１の形状と同じである。そのため、各カバーＣｖ１ｍは側面Ｗ１ｅｓを有する。また、各カバーＣｖ１ｍの側面Ｗ１ｅｓには、図５のカバーＣｖ１と同様、柔軟性を有する絶縁部材５０が設けられる。

【0081】

平面視（ＸＹ面）における、４つのカバーＣｖ１ｍの形状は、例えば、図８に示されるような形状である。４つのカバーＣｖ１ｍは、例えば、図８のように、当該４つのカバーＣｖ１ｍが半導体装置Ｗ１を取り囲むように、間隔をあけて配置される。すなわち、４つのカバーＣｖ１ｍは、必要な箇所のみに、配置される。また、４つのカバーＣｖ１ｍは、図５のカバーＣｖ１と同様、半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅの側面Ｗ１ｅｓおよび上面Ｗ１ｅｕを覆うように、半導体装置Ｗ１の周辺に配置される。

【0082】

なお、構成Ｃｔｍ１では、各カバーＣｖ１ｍが半導体装置Ｗ１の側面Ｗ１ｅｓに向かうように、各移動機構１７は、カバーＣｖ１ｍを水平方向に移動させる。なお、各移動機構１７は、カバーＣｖ１ｍの側面Ｗ１ｅｓ（絶縁部材５０）が、半導体装置Ｗ１の側面Ｗ１ｅｓに接触するように、カバーＣｖ１ｍを水平方向に移動させる。これにより、カバーＣｖ１ｍの位置決めを容易に行うことができる。

【0083】

また、移動機構１７は、前述したように、カバーＣｖ１ｍをＺ軸方向（上下方向）に移動させる機能を有する。そのため、例えば、厚みが異なる複数種類の半導体装置Ｗ１に対しても、カバーＣｖ１ｍを適用させることができる。

【0084】

なお、図８では、半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅの全てを、４つのカバーＣｖ１ｍが覆っていないがこれに限定されない。例えば、図４のように、４つのカバーＣｖ１ｍが半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅの全てを覆うように、当該４つのカバーＣｖ１ｍは構成されてもよい。例えば、４つのカバーＣｖ１ｍは、図４におけるリング状のカバーＣｖ１を４分割することにより、生成されたものであってもよい。

【0085】

また、構成Ｃｔｍ１におけるカバーＣｖ１ｍの数は、４に限定されず、１、２または５以上であってもよい。

【0086】

次に、構成Ｃｔｍ１において、半導体装置Ｗ１を評価するための方法（以下、「半導体装置評価方法Ｐｒａ」ともいう）について説明する。図９は、本発明の変形例１に係る半導体装置評価方法Ｐｒａのフローチャートである。なお、図９では、半導体装置評価方法Ｐｒａに含まれる主要な工程のみを示している。図９において、図６のステップ番号と同じステップ番号の処理は、実施の形態１で説明した処理と同様な処理が行われるので詳細な説明は繰り返さない。以下、実施の形態１と異なる点を中心に説明する。

【0087】

半導体装置評価方法Ｐｒａでは、実施の形態１と同様、載置工程が行われる（ステップＳ１１０）。次に、配置工程Ａが行われる（ステップＳ１２０Ａ）。配置工程Ａでは、複数のカバーＣｖ１ｍが半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅの側面Ｗ１ｅｓおよび上面Ｗ１ｅｕを覆うように、複数の移動機構１７が、当該複数のカバーＣｖ１ｍを、当該半導体装置Ｗ１の周辺に配置する。これにより、例えば、図８のように、４つのカバーＣｖ１ｍが配置される。

【0088】

次に、実施の形態１と同様、評価工程が行われる（ステップＳ１３０）。これにより、半導体装置Ｗ１における各半導体素子Ｃｐ１の電気特性の評価が、順次、行われる。

【0089】

次に、移動工程が行われる（ステップＳ１４０）。移動工程は、要約すれば、複数のカバーＣｖ１ｍの少なくとも１つを移動させる工程である。移動工程では、例えば、図８の各移動機構１７が、カバーＣｖ１ｍが半導体装置Ｗ１から離れるように、当該カバーＣｖ１ｍを移動させる。以上により、半導体装置評価方法Ｐｒａは終了する。

【0090】

なお、半導体装置評価方法Ｐｒａは、上記の処理に限定されない。例えば、半導体装置評価方法Ｐｒａにおいて、半導体装置Ｗ１に含まれる評価対象の半導体素子Ｃｐ１の位置に応じて、ｕ個のカバーＣｖ１ｍを移動させる構成（以下、「構成Ｃｔｍ１ａ」ともいう）としてもよい。「ｕ」は、１、または、２以上の整数である。

【0091】

以下においては、半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅのうち、評価対象の半導体素子Ｃｐ１の近傍の領域を、「評価対象近傍領域」ともいう。構成Ｃｔｍ１ａは、半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅにおける評価対象近傍領域に、カバーＣｖ１ｍを配置する構成でもある。

【0092】

構成Ｃｔｍ１ａにおける半導体装置評価方法Ｐｒａでは、載置工程（Ｓ１１０）、配置工程Ａ（Ｓ１２０Ａ）、評価工程（Ｓ１３０）、移動工程（Ｓ１４０）、評価工程（Ｓ１３０）が、順次、行われる。まず、実施の形態１と同様、載置工程（Ｓ１１０）が行われる。以下においては、図８の４つのカバーＣｖ１ｍを、それぞれ、カバーＣｖ１ｍａ，Ｃｖ１ｍｂ，Ｃｖ１ｍｃ，Ｃｖ１ｍｄともいう。

【0093】

ここで、構成Ｃｔｍ１ａにおける、１回目の評価工程に対応する評価対象近傍領域が、仮に、半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅのうち、図８のカバーＣｖ１ｍａ，Ｃｖ１ｍｂにより覆わている領域であると仮定する。

【0094】

この場合、配置工程Ａ（Ｓ１２０Ａ）では、２つの移動機構１７が、例えば、２個のカバーＣｖ１ｍを移動させて、図８のカバーＣｖ１ｍａ，Ｃｖ１ｍｂの位置に配置する。言い換えれば、配置工程Ａでは、２個のカバーＣｖ１ｍが半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅの側面Ｗ１ｅｓおよび上面Ｗ１ｅｕを覆うように、２つの移動機構１７が、当該２個のカバーＣｖ１ｍを、当該半導体装置Ｗ１の周辺に配置する。

【0095】

次に、１回目の評価工程（Ｓ１３０）において、実施の形態１と同様、評価対象の半導体素子Ｃｐ１の評価が行われる。次に、移動工程（Ｓ１４０）が行われる。構成Ｃｔｍ１ａにおける移動工程は、要約すれば、評価工程において評価が行われる際に、複数のカバーＣｖ１ｍの少なくとも１つを移動させる工程である。

【0096】

ここで、構成Ｃｔｍ１ａにおける、２回目の評価工程に対応する評価対象近傍領域が、仮に、半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅのうち、図８のカバーＣｖ１ｍｃ，Ｃｖ１ｍｄにより覆わている領域であると仮定する。

【0097】

この場合、構成Ｃｔｍ１ａにおける移動工程（Ｓ１４０）では、２つの移動機構１７が、前述の２個のカバーＣｖ１ｍを移動させて、図８のカバーＣｖ１ｍｃ，Ｃｖ１ｍｄの位置に配置する。そして、２回目の評価工程が行われる。以上により、構成Ｃｔｍ１ａにおける半導体装置評価方法Ｐｒａが終了する。

【0098】

次に、平面視（ＸＹ面）における半導体装置Ｗ１のサイズが、平面視（ＸＹ面）におけるステージＳｔ１（主面Ｓｔ１ａ）のサイズと同じ状態（以下、「同サイズ状態」ともいう）である構成について説明する。同サイズ状態では、図８の半導体装置Ｗ１の下部に、ステージＳｔ１が存在する。

【0099】

図１０は、同サイズ状態における図８のカバーＣｖ１ｍおよびその近傍の断面図である。同サイズ状態においても、前述と同様に、半導体装置評価方法Ｐｒａを行うことができる。なお、同サイズ状態における、半導体装置評価方法Ｐｒａの評価工程は、図１０のように、移動機構１７がカバーＣｖ１ｍを保持した状態で、行われる。

【0100】

以上説明したように、本変形例によれば、複数のカバーを使用する構成においても、実施の形態１と同じ効果が得られる。また、カバーＣｖ１ｍを水平方向に移動させることにより、当該カバーＣｖ１ｍの配置を行うことが可能である。そのため、カバーＣｖ１ｍの設置を迅速に行うことができ、カバーＣｖ１ｍの配置の工程を短縮することができる。

【0101】

また、本変形例では、複数のカバーＣｖ１ｍを使用するため、仮に、破損したカバーＣｖ１ｍが存在する場合、当該破損したカバーＣｖ１ｍのみを容易に交換することができる。

【0102】

また、本変形例では、複数のカバーＣｖ１ｍを使用するため、各カバーカバーＣｖ１ｍのサイズが小さく、各カバーＣｖ１ｍの取り扱いが容易である。また、既存の設備に、各カバーＣｖ１ｍを容易に対応させることができる。

【0103】

また、前述の構成Ｃｔｍ１ａにおける半導体装置評価方法Ｐｒａによれば、評価工程が行われる際に必要な、カバーＣｖ１ｍの数を少なくすることができる。

【0104】

＜変形例２＞
以下においては、本変形例の構成を「構成Ｃｔｍ２」ともいう。構成Ｃｔｍ２は、複数のカバーにより構成されたカバーを使用する構成である。構成Ｃｔｍ２は、構成Ｃｔ１（実施の形態１）および構成Ｃｔｍ１（変形例１）の全てまたは一部に適用される。

【0105】

一例として、構成Ｃｔｍ２が適用された構成Ｃｔｍ１（以下、「構成Ｃｔｍ１２」ともいう）を、以下に示す。構成Ｃｔｍ１２は、図８の構成に、構成Ｃｔｍ２が適用された構成である。

【0106】

構成Ｃｔｍ１２が適用された半導体装置用評価装置１００は、複数のカバーＣｖ２を備える。図１１は、本発明の変形例２に係るカバーＣｖ２を説明するための図である。なお、図１１は、一例として、前述の同サイズ状態におけるカバーＣｖ２の断面図である。また、図１１では、構成を分かりやすくするために、周縁部Ｗ１ｅのＸ軸方向のサイズを、図１０より大きく示している。

【0107】

図１１を参照して、カバーＣｖ２は、カバーＣｖ２ａ，Ｃｖ２ｂとから構成されている。カバーＣｖ２ａ，Ｃｖ２ｂの各々の形状は、板状である。平面視（ＸＹ面）におけるカバーＣｖ２ａ，Ｃｖ２ｂの各々の形状は、例えば、図８のカバーＣｖ１ｍの形状と同じである。

【0108】

カバーＣｖ２ａの形状は、一例として、カバーＣｖ２ｂの形状と同一である。なお、前述の同サイズ状態では、カバーＣｖ２ａ，Ｃｖ２ｂの各々は、移動機構１７により保持される。なお、カバーＣｖ２ａ，Ｃｖ２ｂは、２つの移動機構１７により、独立して移動可能である。２つの移動機構１７が、カバーＣｖ２ａ，Ｃｖ２ｂを、図１１のように配置することにより、カバーＣｖ２が構成される。

【0109】

カバーＣｖ２ａは、半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅの側面Ｗ１ｅｓを覆う部材である。カバーＣｖ２ａは、半導体装置Ｗ１の側面Ｗ１ｅｓと対向する側面Ｃｖ２ａｓを有する。そのため、カバーＣｖ２ａの側面Ｃｖ２ａｓは、半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅの側面Ｗ１ｅｓを覆う。

【0110】

カバーＣｖ２ｂは、カバーＣｖ２ａ上に載せられた部材である。カバーＣｖ２ｂは、半導体装置Ｗ１の周縁部Ｗ１ｅの上面Ｗ１ｅｕを覆う。すなわち、カバーＣｖ２ｂは、カバーＣｖ１の突起部Ｃｖ１ｘに相当する。

【0111】

カバーＣｖ２ｂは、例えば、絶縁材料で構成されている。当該絶縁材料は、例えば、当該絶縁材料にプローブ１０が少なくとも１回接触しても、破損しない材料である。当該絶縁材料は、例えば、ポリイミドフィルムである。また、カバーＣｖ２ｂは、前述のＰＰＳ樹脂で構成されてもよい。

【0112】

なお、カバーＣｖ２ｂは、前述の金属Ｍｔ１で構成されてもよい。また、カバーＣｖ２ｂが金属Ｍｔ１で構成されている場合、カバーＣｖ２ｂの上面は、前述の高硬度な金属Ｍｔ２で覆われていてもよい。

【0113】

なお、カバーＣｖ２ａは、カバーＣｖ２ｂを構成する材料と同一の材料で構成されてもよい。すなわち、カバーＣｖ２全体は、同一の材料で構成されてもよい。

【0114】

また、カバーＣｖ２ａのうち、半導体装置Ｗ１の側面Ｗ１ｅｓと対向する側面Ｃｖ２ａｓには、柔軟性を有する前述の絶縁部材５０が設けられてもよい。

【0115】

以上説明したように、本変形例によれば、実施の形態１および変形例１と同じ効果が得られる。なお、カバーＣｖ２ｂは、前述の評価工程が行われることにより、磨耗しやすい。そこで、本変形例によれば、カバーＣｖ２ｂのみを、新しい別のカバーＣｖ２ｂに交換することができる。

【0116】

なお、構成Ｃｔｍ２を、構成Ｃｔ１（実施の形態１）に適用した場合、平面視（ＸＹ面）におけるカバーＣｖ２ａ，Ｃｖ２ｂの各々の形状は、リング状（閉ループ状）である。以下においては、図８のカバーＣｖ１ｍから突起部Ｃｖ１ｘを除去したものを、「カバーＣｖ１ｍｎ」ともいう。カバーＣｖ１ｍｎは、カバーＣｖ１ｍの基台Ｃｖ１ｂのみで構成されている。

【0117】

なお、カバーＣｖ２ａの形状は、カバーＣｖ２ｂの形状と異なっていてもよい。これにより、図８の４つのカバーＣｖ１ｍと同様に配置された４つのカバーＣｖ１ｍｎ上に、リング状のカバーＣｖ２ｂを載せた構成も実現可能である。また、前述の突起部Ｃｖ１ｘに相当するカバーＣｖ２ｂの厚みは、半導体装置Ｗ１の厚みより小さくてもよい。

【0118】

なお、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態、各変形例を自由に組み合わせたり、実施の形態、各変形例を適宜、変形、省略することが可能である。

【符号の説明】

【0119】

１０，１０ａ プローブ、１７ 移動機構、１００ 半導体装置用評価装置、Ｃｖ１，Ｃｖ１ｍ，Ｃｖ１ｍｎ，Ｃｖ２，Ｃｖ２ａ，Ｃｖ２ｂ カバー、Ｃｖ１ｘ 突起部、Ｓｔ１ ステージ、Ｗ１ 半導体装置。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】