特許6805295IP Force 特許公報全文掲載

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酸化物半導体を用いる半導体装置及びその作製方法に関する。 なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

酸化物半導体にチャネル形成領域を設ける薄膜トランジスタは、アモルファスシリコンを
用いた薄膜トランジスタよりも高い電界効果移動度が得られている。 このような酸化物半導体を用いてガラス基板、プラスチック基板等に薄膜トランジスタを
形成し、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネセンスディスプレイ又は電子ペーパー等の
表示装置への応用が期待されている。 アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気
特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。特に、薄膜トランジスタ
の電気特性のうち、しきい値電圧(Vth)が重要である。電界効果移動度が高くともし
きい値電圧値が高い、或いはしきい値電圧値がマイナスであると、回路として制御するこ
とが困難である。しきい値電圧値が高く、しきい値電圧の絶対値が大きい薄膜トランジス
タの場合には、駆動電圧が低い状態ではTFTとしてのスイッチング機能を果たすことが
できず、負荷となる恐れがある。また、しきい値電圧がマイナスであると、ゲート電圧が
0Vでもソース電極とドレイン電極の間に電流が流れる、所謂ノーマリーオンとなりやす
い。 nチャネル型の薄膜トランジスタの場合、ゲート電圧に正の電圧を印加してはじめてチャ
ネルが形成されて、ドレイン電流が流れ出すトランジスタが望ましい。駆動電圧を高くし
ないとチャネルが形成されないトランジスタや、負の電圧状態でもチャネルが形成されて
ドレイン電流が流れるトランジスタは、回路に用いる薄膜トランジスタとしては不向きで
ある。 また、半導体装置において回路を構成するトランジスタの特性変動幅(変化量)が大きい
場合、そのしきい値電圧の変動に起因する動作不良が発生する恐れがある。 特に、液晶表示装置においては、個々の素子間での変動幅が大きい場合、そのしきい値電
圧の変動に起因する表示むらなどの動作不良が発生する恐れがある。 発光素子を有する表示装置においても、画素電極に一定の電流が流れるように配置された
TFT(駆動回路または画素に配置される発光素子に電流を供給するTFT)のオン電流
(Ion)のバラツキが大きい場合、表示画面において輝度のバラツキなどの動作不良が
発生する恐れがある。 そこで、本発明の一形態は、長期間安定して動作する薄膜トランジスタ及びそれを用いた
半導体装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本明細書で開示する本発明の一態様は、絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極層を有し 、ゲート電極層上にゲート絶縁層を有し、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を有し、酸化 物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を有し、ゲート絶縁層、酸化物半導体 層、ソース電極層及びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接する絶縁層を有する ことを特徴とする半導体装置である。
【発明の効果】
しきい値の変動幅が小さく、長期間安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを作製し
、提供することができる。よって、電気特性が良好で信頼性のよい薄膜トランジスタを有
する半導体装置を提供することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】半導体装置の作製工程を説明する図。

【図2】半導体装置を説明する図。

【図3】半導体装置を説明する図。

【図4】酸化物半導体層中の水素濃度を示す図。

【図5】酸化物半導体層中のHOイオン強度及びH2Oイオン強度を示す図。

【図6】酸化物半導体から水分子が脱離する機構を解析した結果を示す図。

【図7】半導体装置のブロック図を説明する図。

【図8】信号線駆動回路の回路図およびタイミングチャート。

【図9】シフトレジスタの構成を示す回路図。

【図10】シフトレジスタの回路図およびタイミングチャート。

【図11】半導体装置を説明する図。

【図12】半導体装置を説明する図。

【図13】半導体装置を説明する図。

【図14】半導体装置の画素等価回路を説明する図。

【図15】半導体装置を説明する図。

【図16】半導体装置を説明する図。

【図17】半導体装置を説明する図。

【図18】半導体装置を説明する図。

【図19】半導体装置を説明する図。

【図20】半導体装置の構成を示す回路図。

【図21】半導体装置を説明する図。

【図22】半導体装置を説明する図。

【図23】半導体装置を説明する図。

【図24】半導体装置の構成を示す回路図。

【図25】電子書籍の例を示す図。

【図26】テレビジョン装置およびデジタルフォトフレームの例を示す図。

【図27】遊技機の例を示す図。

【図28】携帯型のコンピュータ及び携帯電話機の例を示す図。

【図29】Vthの定義を示す図。

【図30】実施例1の薄膜トランジスタのBT試験結果を示す図。

【図31】従来の薄膜トランジスタのBT試験結果を示す図。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

10 パルス出力回路   11 配線   12 配線   13 配線   14 配線   15 配線   21 入力端子   22 入力端子   23 入力端子   24 入力端子   25 入力端子   26 出力端子   27 出力端子   28 薄膜トランジスタ   31 トランジスタ   32 トランジスタ   33 トランジスタ   34 トランジスタ   35 トランジスタ   36 トランジスタ   37 トランジスタ   38 トランジスタ   39 トランジスタ   40 トランジスタ   41 トランジスタ   42 トランジスタ   43 トランジスタ   51 電源線   52 電源線   53 電源線   61 期間   62 期間   100 基板   101 ゲート電極層   102 ゲート絶縁層   103 酸化物半導体層   107 絶縁層   110 チャネル保護層   130 酸化物半導体層   150 薄膜トランジスタ   160 薄膜トランジスタ   170 薄膜トランジスタ   180 薄膜トランジスタ   311 初期特性   312 +BT   321 初期特性   322 −BT   331 初期特性   332 +BT   341 初期特性   342 −BT   400 ガラス基板   401 酸化窒化絶縁層   402 In−Ga−Zn−O系酸化物半導体層   403 分析方向   407 保護絶縁層   411 酸素イオン強度プロファイル   412 水素濃度プロファイル   413 水素濃度プロファイル   460 薄膜トランジスタ   461 薄膜トランジスタ   481 薄膜トランジスタ   501 曲線   504 接線   505 ゲート電圧軸切片   580 基板   581 薄膜トランジスタ   583 絶縁層   585 絶縁層   587 電極層   588 電極層   589 球形粒子   594 キャビティ   595 充填材   596 基板   600 基板   601 対向基板   602 ゲート配線   603 ゲート配線   604 容量配線   605 容量配線   606 ゲート絶縁層   616 配線   617 容量配線   618 配線   619 配線   620 絶縁層   622 絶縁層   623 コンタクトホール   624 画素電極   625 スリット   626 画素電極   627 コンタクトホール   628 TFT   629 TFT   630 保持容量部   631 保持容量部   636 着色層   637 平坦化層   640 対向電極   641 スリット   644 突起   646 配向膜   648 配向膜   650 液晶層   651 液晶素子   652 液晶素子   690 容量配線   701 OH基   702 OH基   705 O分子   710 O分子   711 エネルギー   712 エネルギー   713 エネルギー   714 エネルギー   2600 TFT基板   2601 対向基板   2602 シール材   2603 画素部   2604 表示素子   2605 着色層   2606 偏光板   2607 偏光板   2608 配線回路部   2609 フレキシブル配線基板   2610 冷陰極管   2611 反射板   2612 回路基板   2613 拡散板   2700 電子書籍   2701 筐体   2703 筐体   2705 表示部   2707 表示部   2711 軸部   2721 電源   2723 操作キー   2725 スピーカ   4001 基板   4002 画素部   4003 信号線駆動回路   4004 走査線駆動回路   4005 シール材   4006 基板   4008 液晶層   4010 薄膜トランジスタ   4011 薄膜トランジスタ   4013 液晶素子   4015 接続端子電極   4016 端子電極   4018 FPC   4019 異方性導電層   4020 絶縁層   4021 絶縁層   4030 画素電極層   4031 対向電極層   4032 絶縁層   4040 導電層   4501 基板   4502 画素部   4505 シール材   4506 基板   4507 充填材   4509 薄膜トランジスタ   4510 薄膜トランジスタ   4511 発光素子   4512 電界発光層   4513 電極層   4515 接続端子電極   4516 端子電極   4517 電極層   4519 異方性導電層   4520 隔壁   4540 導電層   4541 絶縁層   4543 保護絶縁層   4544 絶縁層   5300 基板   5301 画素部   5302 走査線駆動回路   5303 走査線駆動回路   5304 信号線駆動回路   5305 タイミング制御回路   5601 シフトレジスタ   5602 スイッチング回路   5603 薄膜トランジスタ   5604 配線   5605 配線   6400 画素   6401 スイッチング用トランジスタ   6402 駆動用トランジスタ   6403 容量素子   6404 発光素子   6405 信号線   6406 走査線   6407 電源線   6408 共通電極   7001 TFT   7002 発光素子   7003 陰極   7004 EL層   7005 陽極   7008 陰極   7009 隔壁   7011 TFT   7012 発光素子   7013 陰極   7014 EL層   7015 陽極   7016 遮蔽膜   7017 導電層   7019 隔壁   7021 TFT   7022 発光素子   7023 陰極   7024 EL層   7025 陽極   7026 陽極   7027 導電層   7029 隔壁   7030 ドレイン電極層   7031 酸化物絶縁層   7033 カラーフィルタ層   7034 オーバーコート層   7035 保護絶縁層   7040 ドレイン電極層   7041 酸化物絶縁層   7043 カラーフィルタ層   7044 オーバーコート層   7045 保護絶縁層   7050 ドレイン電極層   7051 酸化物絶縁層   7053 平坦化絶縁層   7055 絶縁層   9201 表示部   9202 表示ボタン   9203 操作スイッチ   9205 調節部   9206 カメラ部   9207 スピーカ   9208 マイク   9301 上部筐体   9302 下部筐体   9303 表示部   9304 キーボード   9305 外部接続ポート   9306 ポインティングデバイス   9307 表示部   9600 テレビジョン装置   9601 筐体   9603 表示部   9605 スタンド   9607 表示部   9609 操作キー   9610 リモコン操作機   9700 デジタルフォトフレーム   9701 筐体   9703 表示部   9881 筐体   9882 表示部   9883 表示部   9884 スピーカ部   9885 操作キー   9886 記録媒体挿入部   9887 接続端子   9888 センサ   9889 マイクロフォン   9890 LEDランプ   9891 筐体   9893 連結部   9900 スロットマシン   9901 筐体   9903 表示部   105a ソース電極層   105b ドレイン電極層   4503a 信号線駆動回路   4504a 走査線駆動回路   4518a FPC   590a 黒色領域   590b 白色領域

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