１０ 制御信号発生部、２０ 点火プラグ、３０ 点火コイル、３２ 一次コイル、３４ 二次コイル、４０ 電源、１００ 半導体装置、１０２ 制御端子、１０４ 第１端子、１０６ 第２端子、１０８ 第３端子、１１０ パワー半導体素子、１１２ ゲート端子、１１４ エミッタ端子、１１６ コレクタ端子、１２０ 遮断部、１２２ 抵抗、１２３ ソース電極、１２４ ドレイン電極、１３０ 過電圧検出部、１４０ リセット部、１５０ ラッチ部、２００ 半導体装置、２０２ 制御端子、２０４ 第１端子、２０６ 第２端子、２１０ パワー半導体素子、２２０ 遮断部、２２２ 抵抗、２３０ 過電圧検出部、２３２ 電圧入力部、２３４ 電源入力部、２３６ 検出信号出力部、２３８ 基準電位入力部、２４０ リセット部、２４２ 制御信号入力部、２４４ リセット信号出力部、２４６ 基準電位入力部、２５０ ラッチ部、２５２ セット信号入力部、２５４ リセット信号入力部、２５６ 制御信号入力部、２５８ 遮断信号出力部、２５９ 基準電位入力部、３１２ 抵抗、３１４ 抵抗、３１６ インバータ、３１８ インバータ、３２０ ツェナーダイオード、３３０ バッファ、３４０ デプレッション型ＭＯＳＦＥＴ、３５０ ツェナーダイオード、４１１ 抵抗、４１２ 抵抗、４１３ インバータ、４１４ インバータ、４１５ 抵抗、４１６ キャパシタ、４１７ インバータ、５１２ インバータ、５１４ 第１ＮＡＮＤ回路、５１６ 第２ＮＡＮＤ回路、５１８ 第３ＮＡＮＤ回路、７００ 基板、７１０ ｐ＋層領域、７２０ ｎ層領域、７２２ 第１ウェル領域、７２４ 第２ウェル領域、７２６ 第３ウェル領域、７２７ 第４ウェル領域、７２８ 第５ウェル領域、７３０ 第１絶縁膜、７４０ 第２絶縁膜、７５０ 半導体膜、７６０ ゲート電極、７６２ ゲート絶縁膜、７７０ 第３絶縁膜、７８０ エミッタ電極、７８４ 電極部、１０００ 点火装置、２０００ 点火装置