特許 6805620出願番号 特願 2016-157328
半導体装置
公報発行日 2020年12月23
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技術分野
半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
電流検出領域を、フィールドプレート等の耐圧構造で囲む場合がある。耐圧構造を有する装置において、本体領域と電流検出領域とに超接合構造を形成すると、超接合構造のｐ型およびｎ型の不純物のチャージバランスが崩れて耐圧が低下する場合がある。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一つの態様においては、半導体基板を備える半導体装置を提供する。半導体装置は、半導体基板の内部に形成された１以上の動作用セルを含む本体領域を備えてよい。半導体装置は、半導体基板の内部に形成された１以上の電流検出用セルを含む電流検出領域を備えてよい。半導体装置は、半導体基板の内部において本体領域と電流検出領域との間に設けられ、耐圧構造部を含む中間領域を備えてよい。本体領域、電流検出領域お・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】本発明の半導体装置１００の上面の模式図である。
【図2】図１におけるＡ−Ａ'断面の一例を示す図である。
【図3】図１におけるＡ−Ａ'断面の他の例を示す図である。
【図4】図１におけるＡ−Ａ'断面の他の例を示す図である。
【図5】図１における電流検出用電極１２の角部の近傍のＢ部を拡大した模式図である。
【図6】図１における電流検出用電極１２の角部の近傍のＢ部を拡大した模式図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
１１・・・ソース電極、１２・・・電流検出用電極、１３・・・ゲート電極、１４・・・ドレイン電極、２１・・・本体領域、２２・・・電流検出領域、２３・・・耐圧構造領域、２４・・・中間領域、２６・・・層間絶縁膜、３０・・・半導体基板、３２・・・ドリフト領域、３３・・・ドレイン領域、３４・・・ベース領域、３６・・・ｐ＋領域、３８・・・ソース領域、４０・・・トレンチ部、４２・・・ゲート絶縁膜、４４・・・電極部、５２・・・動作用セル、５４・・・電流検出用セル、５８・・・ダイオード部、６０・・・カラム、６２・・・カラム、７０・・・絶縁膜、７２・・・フィールドプレート、７４・・・層間絶縁膜、１００・・・半導体装置
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