発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、パワー半導体デバイスの駆動回路がこのような電流制限回路と自己遮断回路とを組み合わせて搭載すると、電流制限回路によるゲートへの微小電流と、自己遮断回路によるゲート放電電流が平衡してしまうことがある。この場合、駆動回路は、自己遮断が不完全なままパワー半導体デバイスを動作させるので、当該パワー半導体デバイスをオフ状態に切り換えることができず、電流が流れ続けてしまう場合があった。したがって、過電流保護および自己遮断の機能を正確に実行できる点火用半導体装置が望まれていた。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の第1の態様においては、高電位側の第1端子および低電位側の第2端子の間に接続され、ゲート電位に応じてオンまたはオフに制御されるパワー半導体素子と、制御端子から入力するパワー半導体素子を制御する制御信号に応じて、パワー半導体素子のゲート電位を制御する第1ゲート制御部と、パワー半導体素子のゲートと基準電位の間に接続され、パワー半導体素子のゲートに充電された電荷を放電する放電回路と、パワー半・・・ 続きを
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】 本点火装置1000の構成例を示す。
【図2】 本半導体装置100の各部の動作波形の一例を示す。
【図3】 本点火装置2000の構成例を示す。
【図4】 本半導体装置200の各部の動作波形の一例を示す。
【図5】 本点火装置3000の構成例を示す。
【図6】 本半導体装置300の各部の動作波形の一例を示す。
【図7】 本点火装置4000の構成例を示す。
【図8】 本半導体装置400の各部の動作波形の一例を示す。
【図9】 本オフ電位供給部124の構成例を示す。
【図10】 本リセット部510の各部の動作波形の一例を示す。
10 制御信号発生部、20 点火プラグ、30 点火コイル、32 一次コイル、34 二次コイル、40 電源、100 半導体装置、102 制御端子、104 第1端子、106 第2端子、110 パワー半導体素子、120 第1ゲート制御部、122 第1スイッチ素子、124 オフ電位供給部、130 放電回路、200 半導体装置、210 第2ゲート制御部、212 第2スイッチ素子、214 検出部、216 抵抗、218 閾値出力部、222 比較部、224 第3スイッチ素子、230 帰還部、232 第1抵抗、234 第2抵抗、236 整流素子、300 半導体装置、400 半導体装置、410 電流遮断部、420 第1整流素子、510 リセット部、511 抵抗、512 抵抗、513 インバータ、514 インバータ、515 抵抗、516 キャパシタ、517 インバータ、520 遮断条件検出部、522 タイマ回路、524 温度検知回路、540 ラッチ部、542 第1NOR回路、544 第2NOR回路、546 第3NOR回路、548 第4NOR回路、1000 点火装置、2000 点火装置、3000 点火装置、4000 点火装置
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