特許 6805655出願番号 特願 2016-175099
半導体装置
公報発行日 2020年12月23
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
高濃度のｎ型領域を設けたＩＧＢＴ等の半導体装置において、ターンオンｄｉ／ｄｔを大きくしすぎずに各特性を改善する。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一つ態様においては、半導体装置を提供する。半導体装置は、第１導電型のドリフト領域を有する半導体基板備えてよい。半導体装置は、半導体基板の内部においてドリフト領域の上方に設けられ、ドリフト領域よりも不純物濃度の高い第１導電型のエミッタ領域を備えてよい。半導体装置は、半導体基板の内部においてエミッタ領域とドリフト領域の間に設けられた第２導電型のベース領域を備えてよい。半導体装置は、半導体・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】本発明の半導体装置１００の上面を部分的に示す図である。
【図2】図１におけるａ−ａ'断面の一例を示す図である。
【図3】図２に示すｂ−ｂ断面の深さ方向における不純物濃度分布を示す図である。
【図4】深さ方向における不純物濃度分布の他の例を示す図である。
【図5】蓄積領域１６の平坦領域における、深さ方向の不純物濃度分布の一例を示す図である。
【図6】半導体装置１００におけるオン電圧Ｖｏｎと、ターンオフ損失Ｅｏｆｆとの関係を示す図である。
【図7】半導体装置１００における内蔵ダイオードの順方向電圧Ｖｆと、ターンオン損失Ｅｏｆｆとの関係を示す図である。
【図8】半導体装置１００におけるターンオン損失Ｅｏｎと、ターンオフｄｉ／ｄｔとの関係を示す図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
１０・・・半導体基板、１１・・・ウェル領域、１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１５・・・コンタクト領域、１６・・・蓄積領域、１８・・・ドリフト領域、２０・・・バッファ領域、２１・・・接続部、２２・・・コレクタ領域、２４・・・コレクタ電極、２５・・・接続部、３０・・・ダミートレンチ部、３２・・・ダミー絶縁膜、３４・・・ダミー導電部、３８・・・層間絶縁膜、４０・・・ゲートトレンチ部、４２・・・ゲート絶縁膜、４４・・・ゲート導電部、４８・・・ゲート配線、４９・・・コンタクトホール、５０・・・ゲート電極、５２・・・エミッタ電極、５４・・・コンタクトホール、５６、５８・・・コンタクトホール、７０・・・トランジスタ部、８０・・・ダイオード部、８２・・・カソード領域、１００・・・半導体装置
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