特許6805776IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

半導体装置に関する。 従来、半導体素子の上面電極に、リードフレーム等の金属配線板を接続した構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。金属配線板は、上面電極に接続される板状の接合部と、接合部の端部から上方に延伸して設けられた立上り部とを有する。
特許文献１ 特開２００３−１１５５１２号公報

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

半導体素子および金属配線板は、樹脂により封止される。金属配線板の温度が変動すると、金属配線板の立上り部は上下方向に伸縮しようとする。立上り部の上側は封止樹脂により押さえられるので、立上り部は半導体素子の上面電極を押圧する。このため、立上り部近傍の上面電極の領域は、他の上面電極の領域よりもひずみが大きくなる。 半導体素子の上面電極の上面は、ニッケル等でめっきされる。めっき膜は、ポリイミド等の絶縁膜で被覆されたゲートランナーにより複数の領域に分割される。このため、めっき膜とゲートランナーとの境界部分は、アルミニウム等の上面電極、めっき膜、ゲートランナーの３つの部材が集まる三重点となる。 ゲートランナーの絶縁膜の収縮等により、めっき膜とゲートランナーとの境界に隙間が生じると、当該隙間にはんだが侵入してしまう。この状態で、三重点近傍のひずみが大きくなると、アルミニウム等の上面電極にクラックが発生する場合がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の第１の態様においては、半導体装置を提供する。半導体装置は、半導体素子と、上面電極と、めっき層と、１つ以上のゲートランナーと、金属配線板とを備えてよい。上面電極は、半導体素子の上面に設けられてよい。めっき層は、上面電極の上面に設けられてよい。１つ以上のゲートランナーは、めっき層を貫通し、且つ、半導体素子の上面において予め定められた方向に延伸して設けられてよい。金属配線板は、めっき層の上・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】第１半導体装置１００の上面を示す図である。

【図2】図１におけるＡ‐Ａ'断面を示す図である。

【図3】半導体素子３０の上面の一例を示す図である。

【図4】図３におけるＢ‐Ｂ'断面を示す図である。

【図5】図３におけるＣ‐Ｃ'断面を示す図である。

【図6】ゲートトレンチ部４０を示す図である。

【図7】半導体素子３０の上面と平行な面内において、金属配線板６０により生じるひずみが大きい領域６１を示す模式図である。

【図8】三重点９０を説明する第１比較例である。

【図9】三重点９０を説明する第２比較例である。

【図10】第２実施形態における半導体素子３０の上面の一例を示す図である。

【図11】第３実施形態における半導体素子３０の上面の一例を示す図である。

【図12】第４実施形態における金属配線板６０の上面を示す図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

１０・・冷却部、１２・・ケース、１４・・はんだ部、１６・・絶縁基板、１８・・回路部、２０・・回路部、２２・・封止樹脂、２４・・はんだ部、２５・・はんだ部、２６・・金属板、３０・・半導体素子、３２・・ゲートランナー、３３・・センス領域、３４・・ガードリング、３６・・パッド、３８・・めっき層、４０・・ゲートトレンチ部、４２・・第１延伸部、４４・・第２延伸部、４６・・ゲート接続部、５１・・ゲート導電部、５２・・第１絶縁膜、５３・・第２絶縁膜、５４・・第３絶縁膜、５５・・センサ用の配線、５６・・第１配線、５７・・プラグ、５８・・第２配線、６０・・金属配線板、６１・・領域、６２・・接合部、６３・・立上り部、６４・・接続部、６５・・立上り部、６６・・接合部、６７・・曲部、６８・・曲部、７１・・第１端部、７２・・第１側端部、７３・・第２端部、７４・・第２側端部、７６・・狭窄部、７７・・第１側端部、７８・・第２側端部、８０・・はんだ部、８２・・上面電極、９０・・三重点、１００・・半導体装置

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