公報発行日 2020年12月23
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【図1】図1は、本発明の一ガスセンサ素子の断面模式図である。
【図2】図2(a)は、本発明の一ガスセンサ素子において、触媒部の構成を説明するための断面概略模式図であり、図2(b)は、本発明の一ガスセンサ素子において、触媒部の構成を説明するための平面概略模式図である。
【図3】図3(a)は、触媒部において、触媒層がサーミスタ部の表面に接触せず、担体層と触媒層とが同程度の大きさを有していることを説明するための断面概略模式図であり、図3(b)は、触媒部において、触媒層がサーミスタ部の表面に接触していることを説明するための断面概略模式図である。
【図4】図4(a)〜(c)は、本発明の一ガスセンサ素子の製造方法において、触媒部を形成する方法を説明するための断面模式図である。
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