特許6805852IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

ガスセンサ素子およびガスセンサ素子の製造方法に関する。特に、触媒を有するガスセンサ素子およびその製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、特許文献1のように、触媒に、担体材料および触媒材料以外の材料を含有させると、触媒反応には不要な材料が触媒に含まれることになり、ガス検知特性に悪影響を及ぼす可能性がある。 本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、触媒反応に不要な材料を触媒に含有させることなく、触媒と当該触媒が形成される面との密着性を向上できるガスセンサ素子およびガスセンサ素子の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

目的を達成するため、本発明のガスセンサ素子は、 [1]ガス検知部と触媒部とを有するガスセンサ素子であって、 触媒部が、触媒材料が担持されていない担体材料からなる担体層と、担体層上に形成され、触媒材料が担持された担体材料からなる触媒層と、を有し、 担体層は、バインダを有する担体層の塗布体を熱処理して、バインダの一部が担体層の塗布体内部に残存するように形成され、触媒層は、熱処理後・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明によれば、触媒反応に不要な材料を触媒に含有させることなく、触媒と当該触媒が形成される面との密着性を向上できるガスセンサ素子およびガスセンサ素子の製造方法を提供することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】図1は、本発明の一ガスセンサ素子の断面模式図である。

【図2】図2(a)は、本発明の一ガスセンサ素子において、触媒部の構成を説明するための断面概略模式図であり、図2(b)は、本発明の一ガスセンサ素子において、触媒部の構成を説明するための平面概略模式図である。

【図3】図3(a)は、触媒部において、触媒層がサーミスタ部の表面に接触せず、担体層と触媒層とが同程度の大きさを有していることを説明するための断面概略模式図であり、図3(b)は、触媒部において、触媒層がサーミスタ部の表面に接触していることを説明するための断面概略模式図である。

【図4】図4(a)〜(c)は、本発明の一ガスセンサ素子の製造方法において、触媒部を形成する方法を説明するための断面模式図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

1… ガスセンサ素子   10… 触媒部   11… 担体層   111… 接触部分   112… 周縁部分   11a… 担体層の塗布体   12… 触媒層   12a… 触媒層の塗布体   20… ガス検知部(サーミスタ部)   21… ガス検知材(サーミスタ)   22… ガス検知電極(サーミスタ電極)   23… ガス検知材保護膜(サーミスタ保護膜)   30… ヒータ部   31… ヒータ   32… ヒータ保護膜   40… 基板部   41… 支持基板   42… 絶縁膜   43… 空洞部   50… 引出電極

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