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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6817857
(24)【登録日】2021年1月4日
(45)【発行日】2021年1月20日
(54)【発明の名称】発光装置
(51)【国際特許分類】
H05B 33/26 20060101AFI20210107BHJP
H01L 51/50 20060101ALI20210107BHJP
H05B 33/06 20060101ALI20210107BHJP
【ＦＩ】
H05B33/26 Z
H05B33/14 A
H05B33/06
【請求項の数】8
【全頁数】16
(21)【出願番号】特願2017-45777(P2017-45777)
(22)【出願日】2017年3月10日
(65)【公開番号】特開2018-152169(P2018-152169A)
(43)【公開日】2018年9月27日
【審査請求日】2020年2月6日
(73)【特許権者】
【識別番号】000005016
【氏名又は名称】パイオニア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100110928
【弁理士】
【氏名又は名称】速水 進治
(74)【代理人】
【識別番号】100127236
【弁理士】
【氏名又は名称】天城 聡
(72)【発明者】
【氏名】越智 英夫
【審査官】
藤岡 善行
(56)【参考文献】
【文献】
特表２０１５−５０３８２１（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００２−３１８５５６（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｈ０１Ｌ２７／３２；Ｈ０５Ｂ３３／００−３３／２８
Ｈ０１Ｌ５１／５０−５１／５６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板上に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む発光素子と、
前記発光素子を囲み、前記第１電極の材料より低抵抗の材料を含み、前記第１電極に接続した第１導電部と、
を備え、
前記第２電極は、前記発光素子の縁の第１部分から電位を供給され、
前記第１部分は、前記発光素子の面積をそれぞれ二等分する複数の仮想線の交点から最も近くの位置又は前記位置から前記発光素子の縁に沿って前記発光素子の縁の全周の５％の範囲内の位置にある発光装置。
前記基板上に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む発光素子と、
前記発光素子を囲み、前記第１電極の材料より低抵抗の材料を含み、前記第１電極に接続した第１導電部と、
を備え、
前記第２電極は、前記発光素子の縁の第１部分から電位を供給され、
前記第１部分は、前記発光素子の面積をそれぞれ二等分する複数の仮想線の交点から最も近くの位置又は前記位置から前記発光素子の縁に沿って前記発光素子の縁の全周の５％の範囲内の位置にある発光装置。
【請求項2】
請求項１に記載の発光装置において、
前記発光素子の周囲に位置し、前記第２電極に接続した第２導電部を備え、
前記第２電極は、前記第２導電部を介して電位を供給される発光装置。
前記発光素子の周囲に位置し、前記第２電極に接続した第２導電部を備え、
前記第２電極は、前記第２導電部を介して電位を供給される発光装置。
【請求項3】
請求項２に記載の発光装置において、
前記第１導電部は、前記第２導電部の位置する部分で分断されている発光装置。
前記第１導電部は、前記第２導電部の位置する部分で分断されている発光装置。
【請求項4】
請求項２に記載の発光装置において、
前記第２導電部は、前記第１導電部によって囲まれた領域の外側に位置している発光装置。
前記第２導電部は、前記第１導電部によって囲まれた領域の外側に位置している発光装置。
【請求項5】
請求項１から４までのいずれか一項に記載の発光装置において、
前記発光素子の縁は、第２部分、第３部分及び第４部分を含み、
前記第２部分は、前記第１部分を通過して前記発光素子の面積を二等分する第１仮想線と重なり、
前記第１電極は、前記第３部分及び前記第４部分から電位を供給され、
前記第３部分は、前記第１仮想線によって二等分された前記発光素子の一方に位置し、
前記第４部分は、前記第１仮想線によって二等分された前記発光素子のもう一方に位置し、
前記第３部分は、前記発光素子の縁に沿う方向において前記第１部分から前記第２部分までの長さを二等分する位置又は前記位置から前記発光素子の縁に沿って前記発光素子の縁の全周の１０％の範囲内の位置にあり、
前記第４部分は、前記発光素子の縁に沿う方向において前記第１部分から前記第２部分までの長さを二等分する位置又は前記位置から前記発光素子の縁に沿って前記発光素子の縁の全周の１０％の範囲内の位置にある発光装置。
前記発光素子の縁は、第２部分、第３部分及び第４部分を含み、
前記第２部分は、前記第１部分を通過して前記発光素子の面積を二等分する第１仮想線と重なり、
前記第１電極は、前記第３部分及び前記第４部分から電位を供給され、
前記第３部分は、前記第１仮想線によって二等分された前記発光素子の一方に位置し、
前記第４部分は、前記第１仮想線によって二等分された前記発光素子のもう一方に位置し、
前記第３部分は、前記発光素子の縁に沿う方向において前記第１部分から前記第２部分までの長さを二等分する位置又は前記位置から前記発光素子の縁に沿って前記発光素子の縁の全周の１０％の範囲内の位置にあり、
前記第４部分は、前記発光素子の縁に沿う方向において前記第１部分から前記第２部分までの長さを二等分する位置又は前記位置から前記発光素子の縁に沿って前記発光素子の縁の全周の１０％の範囲内の位置にある発光装置。
【請求項6】
請求項５に記載の発光装置において、
前記発光素子の前記縁の全周の長さと、前記交点から前記第１部分までの長さとの積が８０００ｍｍ２以下である発光装置。
前記発光素子の前記縁の全周の長さと、前記交点から前記第１部分までの長さとの積が８０００ｍｍ２以下である発光装置。
【請求項7】
請求項１から６までのいずれか一項に記載の発光装置において、
前記交点の位置は、前記発光素子の幾何学的重心の位置と重なる発光装置。
前記交点の位置は、前記発光素子の幾何学的重心の位置と重なる発光装置。
【請求項8】
請求項１から７までのいずれか一項に記載の発光装置において、
前記基板、前記発光素子の発光する発光領域または前記発光素子の縁の全周のうちの少なくとも１つは非矩形である発光装置。
前記基板、前記発光素子の発光する発光領域または前記発光素子の縁の全周のうちの少なくとも１つは非矩形である発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、発光装置として、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。ＯＬＥＤは、第１電極、有機層及び第２電極を有している。有機層は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）により光を発することができる。有機層から発せられた光は、第１電極を経由して出力させることができる。この場合、第１電極は、透光性及び導電性を有する材料（例えば、酸化物半導体）を含むようにすることができる。一方で、このような材料のシート抵抗は高く、これにより、電圧降下による第１電極内での電位分布のばらつき、特に、ＯＬＥＤの発光領域の輝度分布のばらつきが引き起こされ得る。
【0003】
特許文献１には、第１電極の高シート抵抗による輝度分布のばらつきを抑える方法について記載されている。具体的には、特許文献１のＯＬＥＤは、格子状の導電部を有している。この導電部は、第１電極の材料より低抵抗の材料を含んでいる。第１電極は、導電部と重ねられている。このような構成においては、低抵抗の補助電極、すなわち、上述した導電部が第１電極の表面に沿って格子状に延びている。したがって、第１電極内での電位分布のばらつきを抑えることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００２−１５６６３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献１は格子状の導電部を発光領域に有しているがこの導電部（第１電極に対しての補助電極の役割）は透明ではない。そのため、発光領域内に明暗が発生してしまう。本発明の主たる課題は、発光領域内の格子状の導電部を使用しない状態で、輝度分布のばらつきを低減することである。特に、本発明者は、非矩形状の発光領域を有するＯＬＥＤについて検討した。このようなＯＬＥＤは、第１電極、有機層及び第２電極を有しており、第１電極は、高抵抗材料（例えば、酸化物半導体）を含んでいる。本発明者は、第１電極に接続する低抵抗の導電部によって発光領域を囲むことを検討した。さらに、本発明者は、発光領域の外側から第２電極に電圧（例えば、接地電位）を与えることを検討し、特に、発光領域の輝度のばらつきを抑えることについて検討した。
【0006】
本発明が解決しようとする課題としては、発光領域の輝度のばらつきを抑えることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【0007】
請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板上に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む発光素子と、
前記発光素子を囲み、前記第１電極の材料より低抵抗の材料を含み、前記第１電極に接続した第１導電部と、
を備え、
前記第２電極は、前記発光素子の縁の第１部分から電位を供給され、
前記第１部分は、前記発光素子の面積をそれぞれ二等分する複数の仮想線の交点から最も近くの位置又は前記位置から前記発光素子の縁に沿って前記発光素子の縁の全周の５％の範囲内の位置にある発光装置である。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】実施形態に係る発光装置を示す平面図である。
【図8】発光装置の詳細の一例を示す平面図である。
【図9】実施例１のシミュレーションに係る発光装置を示す図である。
【図10】実施例２のシミュレーションに係る発光装置を示す図である。
【図11】実施例３のシミュレーションに係る発光装置を示す図である。
【図15】第１部分の位置のずれと輝度のばらつきＶの関係を示すグラフである。
【図16】第３部分及び第４部分の位置のずれと輝度のばらつきＶの関係を示すグラフである。
【図19】発光領域の縁の全周の長さと、交点Ｐから第１部分Ｐ１までの長さと、の積に対する輝度のばらつきＶを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【0010】
図１は、実施形態に係る発光装置１０を示す平面図である。図２は、図１のうちの第１部分Ｐ１及びその周辺を拡大した図である。図３は、図２のＡ−Ａ断面図である。図４は、図２のＢ−Ｂ断面図である。
【0011】
まず、図１を用いて、発光装置１０の概要について説明する。発光装置１０は、基板１００、発光素子１４０、第１導電部２１０及び第２導電部２３０を備えている。発光素子１４０は、基板１００上に位置しており、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。第１導電部２１０は、発光素子１４０を囲んでいる。第１導電部２１０は、第１電極１１０の材料より低抵抗の材料を含んでおり、第１電極１１０に接続している。第２導電部２３０は、発光素子１４０の周囲に位置しており、第２電極１３０に接続している。
【0012】
図１に示す例において、第２電極１３０は、発光素子１４０の縁Ｅの第１部分Ｐ１から電位を供給されている。第１部分Ｐ１は、発光素子１４０（発光領域１４２）の面積をそれぞれ二等分する複数の仮想線ＩＬの交点Ｐから最も近くの位置にある。詳細を後述するように、本発明者は、第２電極１３０が第１部分Ｐ１から電位を供給されることで、発光領域１４２の輝度のばらつきが抑えられることを見出した。
【0013】
なお、第１部分Ｐ１は、厳密に、交点Ｐから最も近くの位置にある必要はない。すなわち、第１部分Ｐ１は、交点Ｐから最も近くの位置から発光素子１４０の縁Ｅに沿って僅かだけずれた位置にあってもよい。一例において、第２電極１３０は、交点Ｐから最も近くの位置から発光素子１４０の縁Ｅに沿って発光素子１４０の縁Ｅの全周（Ｌａ１＋Ｌａ２＋Ｌｂ１＋Ｌｂ２）の５％の範囲内の部分から電位を供給されてもよい。
【0014】
図１に示す例において、第１導電部２１０は、第２導電部２３０の位置する部分で分断されている。つまり、第１導電部２１０及び第２導電部２３０は、いずれも、発光領域１４２の周囲に沿って配置されている。したがって、発光領域１４２の外側に向かう方向において、第１導電部２１０及び第２導電部２３０を互いにずらして配置する必要がない。したがって、発光領域１４２の外側から発光素子１４０に電位を与えるための構造（すなわち、第１導電部２１０及び第２導電部２３０）の占める領域を小さくすることができる。ひいては発光装置１０に対する発光領域１４２の割合を大きくすることができる。
【0015】
次に、図１及び図２を用いて、発光装置１０の平面レイアウトの詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、発光素子１４０、第１導電部２１０、第２導電部２３０及び封止層３００を備えている。
【0016】
図１に示す例において、基板１００の形状は、非矩形状である。特に図１に示す例では、基板１００の縁は、発光領域１４２の縁Ｅに沿っている。ただし、基板１００の形状は、図１に示す例に限定されるものではない。他の例において、基板１００の形状は、発光領域１４２の形状に沿わずに矩形であってもよい。つまり、この例においては、基板１００及び発光領域１４２のうち発光領域１４２のみが非矩形状の形状を有するようになる。
【0017】
発光素子１４０は、単一の発光領域１４２を含んでおり、発光領域１４２は、基板１００上で面状に延びている。したがって、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０も、基板１００上で面状に延びている。
【0018】
発光領域１４２の形状は、非矩形状である。特に図１に示す例では、発光領域１４２の縁Ｅは、第１辺ＳＤ１及び第２辺ＳＤ２を有しており、第２辺ＳＤ２は第１辺ＳＤ１に交わっており、第１辺ＳＤ１と第２辺ＳＤ２のなす内角αは、１８０°超である。このような特徴は、通常の矩形及び通常の多角形にはないものである。さらに、他の例において、発光領域１４２の縁Ｅは、３０°以下の内角を形成するように互いに交わる２辺を有していてもよいし、又は曲線状の部分を含んでいてもよい。
【0019】
第１導電部２１０は、発光領域１４２を囲んでおり、発光領域１４２と重なっていない。第１導電部２１０が発光領域１４２と重なっていないことで、発光領域１４２の光沢が第１導電部２１０によって損なわれることを抑えることができる。
【0020】
図１に示す例では、第１導電部２１０は、発光領域１４２の縁Ｅに沿って延伸している。したがって、第１導電部２１０の外縁も、発光領域１４２の縁Ｅに沿うようになっている。ただし、他の例において、第１導電部２１０は、発光領域１４２の縁に沿って延伸する必要はなく、発光領域１４２の縁に沿わずに発光領域１４２を囲むように延伸していてもよい。
【0021】
第１電極１１０は、発光領域１４２の縁Ｅのうちの第３部分Ｐ３及び第４部分Ｐ４から電位を供給されている。具体的には、発光素子１４０（発光領域１４２）の縁Ｅは、第２部分Ｐ２、第３部分Ｐ３及び第４部分Ｐ４を含んでいる。第２部分Ｐ２は、複数の仮想線ＩＬのうちの第１仮想線ＩＬ１と重なっており、第１仮想線ＩＬ１は、第１部分Ｐ１を通過して発光素子１４０（発光領域１４２）の面積を二等分している。第３部分Ｐ３は、第１仮想線ＩＬ１によって二等分された発光素子１４０の一方に位置しており、第４部分Ｐ４は、第１仮想線ＩＬ１によって二等分された発光素子１４０のもう一方に位置している。さらに、第３部分Ｐ３は、発光素子１４０（発光領域１４２）の縁Ｅに沿う方向において、第１部分Ｐ１から第２部分Ｐ２までの長さ（Ｌａ１＋Ｌａ２）を二等分する位置にあり（つまり、Ｌａ１＝Ｌａ２）、第４部分Ｐ４は、発光素子１４０（発光領域１４２）の縁Ｅに沿う方向において、第１部分Ｐ１から第２部分Ｐ２までの長さ（Ｌｂ１＋Ｌｂ２）を二等分する位置にある（つまり、Ｌｂ１＝Ｌｂ２）。詳細を後述するように、本発明者は、第１電極１１０が第３部分Ｐ３及び第４部分Ｐ４から電位を供給されることで、発光領域１４２の輝度のばらつきが抑えられることを見出した。
【0022】
なお、第３部分Ｐ３は、厳密に、第１部分Ｐ１から第２部分Ｐ２までの長さを二等分する位置にある必要はない。すなわち、第３部分Ｐ３は、第１部分Ｐ１から第２部分Ｐ２までの長さを二等分する位置から発光素子１４０の縁Ｅに沿って僅かだけずれた位置にあってもよい。一例において、第１電極１１０は、第１部分Ｐ１から第２部分Ｐ２までの長さを二等分する位置から発光素子１４０の縁Ｅに沿って発光素子１４０の縁Ｅの全周（Ｌａ１＋Ｌａ２＋Ｌｂ１＋Ｌｂ２）の１０％以下の範囲内の部分から電位を供給されてもよい。
【0023】
同様にして、第４部分Ｐ４は、厳密に、第１部分Ｐ１から第２部分Ｐ２までの長さを二等分する位置にある必要はない。すなわち、第４部分Ｐ４は、第１部分Ｐ１から第２部分Ｐ２までの長さを二等分する位置から発光素子１４０の縁Ｅに沿って僅かだけずれた位置にあってもよい。一例において、第１電極１１０は、第１部分Ｐ１から第２部分Ｐ２までの長さを二等分する位置から発光素子１４０の縁Ｅに沿って発光素子１４０の縁Ｅの全周（Ｌａ１＋Ｌａ２＋Ｌｂ１＋Ｌｂ２）の１０％以下の範囲内の部分から電位を供給されてもよい。
【0024】
第１導電部２１０における電圧降下を考慮すると、距離Ｌａ１、Ｌａ２、Ｌｂ１及びＬｂ２は、ある程度短いことが好ましい。特に、縁Ｅの全周の長さ（Ｌａ１＋Ｌａ２＋Ｌｂ１＋Ｌｂ２）と、交点Ｐから第１部分Ｐ１までの長さとの積が、輝度のばらつきの大きさと相関しているからである（詳細は、図１９を用いて後述する。）一例において、線Ｅの全周の長さと、交点Ｐから第１部分Ｐ１までの長さの積が８０００ｍｍ２を超えると、輝度のばらつき（輝度のばらつきの定義は、図１２を用いて後述する。）が５０％を超える。このため、当該積は、８０００ｍｍ２以下、さらに好ましくは５０００ｍｍ２以下であればよい。
【0025】
第２電極１３０は、第１部分Ｐ１から電位を供給されている。上述したように、第１部分Ｐ１は、発光素子１４０（発光領域１４２）の面積をそれぞれ二等分する複数の仮想線ＩＬの交点Ｐから最も近くの位置にある。なお、図１に示す例において、交点Ｐの位置は、発光領域１４２（発光領域１４２）の幾何学的重心の位置と重なっている。
【0026】
第２導電部２３０は、発光領域１４２の縁Ｅの第１部分Ｐ１の近傍に位置している。したがって、第２電極１３０は、第２導電部２３０を介して第１部分Ｐ１から電位（例えば、接地電位）を供給されることができる。特に図１に示す例では、基板１００上の第２導電部２３０の数は１つのみである。
【0027】
封止層３００は、第１部分Ｐ１の近傍で第２導電部２３０を、第３部分Ｐ３の近傍で第１導電部２１０を、及び第４部分Ｐ４の近傍で第１導電部２１０を露出しながら、発光領域１４２及び第１導電部２１０を覆っている。したがって、発光領域１４２の外側の領域から例えばワイヤ（不図示）を介して第２導電部２３０に電位を与えることができ、発光領域１４２の外側の領域から例えばワイヤ（不図示）を介して第３部分Ｐ３の近傍において第１導電部２１０に電位を与えることができ、発光領域１４２の外側の領域から例えばワイヤ（不図示）を介して第４部分Ｐ４の近傍において第１導電部２１０に電位を与えることができる。さらに、発光領域１４２の外側の領域から発光素子１４０（特に、有機層１２０）を封止することができる。
【0028】
次に、図３及び図４を用いて、発光装置１０の断面構造の詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、第１導電部２１０、第２導電部２３０及び封止層３００を備えている。
【0029】
基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、第１導電部２１０、第２導電部２３０及び封止層３００は、基板１００の第１面１０２側に位置している。特に、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０及び封止層３００は、基板１００の第１面１０２から順に並んでいる。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。
【0030】
基板１００は、透光性を有している。一例において、基板１００は、ガラス又は樹脂を含んでいる。
【0031】
第１電極１１０は、透光性及び導電性を有している。したがって、第１電極１１０は、シート抵抗が例えば１０Ω／□以上５０Ω／□以下の高抵抗材料を含んでおり、一例において、酸化物半導体、より具体的には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）を含んでいる。
【0032】
有機層１２０は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）により発光することができる。一例において、有機層１２０は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を含んでいる。この例においては、第１電極１１０からＨＩＬ及びＨＴＬを介してＥＭＬに正孔が注入され、第２電極１３０からＥＩＬ及びＥＴＬを介してＥＭＬに電子が注入され、ＥＭＬでは正孔及び電子が再結合して、光が発せられる。
【0033】
第２電極１３０は、遮光性及び導電性を有しており、具体的には、第１電極１１０に含まれる材料より低抵抗の材料を含んでいる。したがって、第２電極１３０は、シート抵抗が例えば０．５Ω／□の低抵抗材料を含んでおり、一例において、金属、より具体的には、Ａｌ又はＡｇを含んでいる。
【0034】
第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、発光素子１４０を構成している。特に図３及び図４に示す例では、発光素子１４０は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含む積層体として規定されている。
【0035】
図３及び図４に示す例において、発光装置１０は、ボトムエミッションとして機能している。具体的には、有機層１２０から発せられた光は、第２電極１３０をほとんど透過することなく、第１電極１１０及び基板１００を透過して基板１００の第２面１０４から出射される。なお、他の例において、発光装置１０は、トップエミッションとして機能してもよい。この例においては、発光素子１４０は、基板１００の第１面１０２から第２電極１３０、有機層１２０及び第１電極１１０の順の積層体を含むようになる。有機層１２０から発せられた光は、第２電極１３０をほとんど透過することなく、第１電極１１０を透過して基板１００の第１面１０２側から出射される。
【0036】
図３に示すように、第１導電部２１０は、発光領域１４２の外側で第１電極１１０に接続している。特に図３に示す例では、第１電極１１０は、発光領域１４２の外側まで延びており、第１導電部２１０は、発光領域１４２の外側で第１電極１１０と重なっている。
【0037】
第１導電部２１０は、遮光性及び導電性を有しており、具体的には、第１電極１１０に含まれる材料より低抵抗の材料を含んでいる。つまり、第１導電部２１０は、第１電極１１０の補助電極として機能することができる。したがって、第２電極１３０は、シート抵抗が例えば１Ω／□以上２Ω／□以下の材料を含んでおり、一例において、金属、より具体的には、Ａｌ、Ｍｏ又はＣｒを含んでいる。
【0038】
図４に示すように、第２導電部２３０は、発光領域１４２の外側で第２電極１３０に接続している。特に図４に示す例では、第２電極１３０は、発光領域１４２の外側まで延びており、発光領域１４２の外側で第２導電部２３０に接している。
【0039】
第２導電部２３０は、遮光性及び導電性を有している。第２導電部２３０に含まれる材料のシート抵抗は、第２電極１３０に含まれる材料のシート抵抗より高くてもよいし、又は低くてもよい。第２導電部２３０は、シート抵抗が例えば１Ω／□以上２Ω／□以下の材料を含んでおり、一例において、金属、より具体的には、Ａｌ、Ｍｏ又はＣｒを含んでいる。
【0040】
第２導電部２３０は、第１導電部２１０と同一のプロセスで形成されてもよいし、又は第１導電部２１０と異なるプロセスで形成されてもよい。第２導電部２３０が第１導電部２１０と同一プロセスで形成される場合、第２導電部２３０は、第１導電部２１０に含まれる材料と同一の材料を含むようになり、かつ、第２導電部２３０の厚さは、第１導電部２１０の厚さと実質的に等しくなる。
【0041】
封止層３００は、第２導電部２３０を露出しながら、発光領域１４２及び第１導電部２１０を覆っている。封止層３００は、水蒸気透過率及び酸素透過率の低い材料を含んでおり、一例において、無機層、より具体的には、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯｘ、Ａｌ２Ｏ３、又はＴｉＯ２を含んでいる。したがって、水蒸気及び酸素が有機層１２０に入り込むことを抑えることができる。
【0042】
次に、図１を用いて、発光領域１４２の輝度のばらつきが抑えられる理由について説明する。
【0043】
本発明者は、発光領域１４２内における第１電極１１０と第２電極１３０の間の電位差分布を可能な限り一様にするための構造について検討した。具体的には、発光領域１４２の輝度のばらつきは、第１電極１１０と第２電極１３０の間の電位差分布に起因して生じる。したがって、発光領域１４２の輝度のばらつきを抑えるためには、第１電極１１０と第２電極１３０の間の電位差分布が可能な限り一様であることが望ましい。
【0044】
本発明者は、発光領域１４２内における第１電極１１０と第２電極１３０の間の電位差分布を可能な限り一様にするため、高抵抗材料を含む電極、すなわち、第１電極１１０内の電位分布を一様にするための構造について検討した。第１電極１１０のシート抵抗は高い。したがって、発光領域１４２の外側から第１電極１１０に電圧を印加しても、第１電極１１０の電位は、電圧降下によって、発光領域１４２の内側部分において、発光領域１４２の縁Ｅの近傍部分よりも低くなる。本発明者は、このような電位分布を抑えるため、低抵抗材料を含む導電部、すなわち、第１導電部２１０によって発光領域１４２の周囲を囲むことで、第１電極１１０内の電位分布を一様にすることを試みた。
【0045】
本発明者は、第１導電部２１０によって発光領域１４２の周囲を囲んでも、第１電極１１０の電位が交点Ｐにおいて低くなることを見出した。交点Ｐは、発光素子１４０の縁Ｅのいずれの部分からもある程度離れた位置にある。このことが、第１電極１１０の電位が交点Ｐにおいて低くなることの原因になっている可能性がある。
【0046】
本発明者は、交点Ｐにおける第１電極１１０の電位が低くても、第１電極１１０と第２電極１３０の間の電位差分布を可能な限り一様にすることが可能な構造について検討した。その結果、本発明者は、交点Ｐの近傍における第２電極１３０の電位を可能な限り低くすること、すなわち、第２電極１３０が第１部分Ｐ１から電位を供給されるようにすることを想起した。第１部分Ｐ１は、発光素子１４０（発光領域１４２）の縁Ｅの中で、交点Ｐから最も近くの位置にある。したがって、第２電極１３０が第１部分Ｐ１から電位を供給されるようにすることで、交点Ｐにおける第２電極１３０の電位を低くすることができる。したがって、交点Ｐにおける第１電極１１０の電位が低くても、発光領域１４２内における第１電極１１０と第２電極１３０の間の電位差分布を一様にすることができる。
【0047】
本発明者は、発光領域１４２内における第１電極１１０と第２電極１３０の間の電位差分布をさらに一様にするための構造について検討した。その結果、本発明者は、第１電極１１０がいずれの位置から電位を供給されるべきかを最適化することの必要性を想起した。具体的には、第１導電部２１０のシート抵抗は、第１電極１１０のシート抵抗より低いものの、ゼロではない。したがって、第１導電部２１０の延伸方向に沿う方向において電圧降下が生じている。したがって、第１電極１１０がいずれの位置から電位を供給されるべきか、すなわち、第１導電部２１０のいずれの位置に電位を供給すべきかを最適化する必要がある。
【0048】
本発明者は、交点Ｐ及びその周辺における第１電極１１０と第２電極１３０の間の電位差が小さくなるように、第１電極１１０に電位を供給する必要があることを見出した。具体的には、第２電極１３０は、第１部分Ｐ１から電位を供給されている。つまり、交点Ｐ及びその周辺における第２電極１３０の電位は低くなっている。したがって、第１電極１１０に電位を供給する方法を最適化することで、交点Ｐ及びその周辺における第１電極１１０と第２電極１３０の間の電位差が小さくする必要がある。
【0049】
本発明者は、交点Ｐ及びその周辺における第１電極１１０と第２電極１３０の間の電位差を小さくすることが可能な構造について検討した。その結果、本発明者は、第１電極１１０が第３部分Ｐ３及び第４部分Ｐ４から電位を供給されるようにすることを想起した。具体的には、第３部分Ｐ３は、第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２のいずれからもある程度離れた位置にある。したがって、第３部分Ｐ３から第１電極１１０が電位を供給されると、第１導電部２１０の電圧降下によって第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２のそれぞれにおける第１電極１１０の電位は低くなる。同様にして、第４部分Ｐ４は、第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２のいずれからもある程度離れた位置にある。したがって、第４部分Ｐ４から第１電極１１０が電位を供給されると、第１導電部２１０の電圧降下によって第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２のそれぞれにおける電位は低くなる。したがって、交点Ｐ及びその周辺における第１電極１１０と第２電極１３０の間の電位差が小さくなる。
【0052】
図６に示す例において、第１導電部２１０は、絶縁層４００によって覆われている。第２電極１３０は、第１導電部２１０上で絶縁層４００を覆って第１導電部２１０の外側まで延びており、第１導電部２１０の外側で第２導電部２３０に接続している。つまり、第１導電部２１０と第２電極１３０の短絡が絶縁層４００によって防止されている。
【0055】
図７に示す例では、発光領域１４２の縁Ｅに沿って第１部分Ｐ１から距離Ｇの範囲内に第１導電部２１０が位置していない。したがって、第１部分Ｐ１の周辺における第１電極１１０の電位を低くすることができる。図１７を用いて後述するように、第１部分Ｐ１の近傍における第１電極１１０の電位が高いと、第１部分Ｐ１の近傍の輝度が高くなって発光領域１４２の輝度の一様性が損なわれることがある。このような場合、図７に示すように、発光領域１４２の縁Ｅに沿って第１部分Ｐ１から距離Ｇの範囲内に第１導電部２１０を設けていないことによって、第１部分Ｐ１の近傍における第１電極１１０の電位を低くすることができる。
【0056】
さらに、図７に示す例では、発光領域１４２の縁Ｅに沿って第１導電部２１０と第２導電部２３０の間にダミー導電部２１２が位置している。ダミー導電部２１２は、第１導電部２１０と第２導電部２３０の間の隙間が目立つことを防ぐために設けられている。特に、ダミー導電部２１２は、第１電極１１０及び第２電極１３０のいずれにも接続していない。つまり、ダミー導電部２１２は、発光素子１４０に電位を与えるための導電部として機能していない。
【0057】
ダミー導電部２１２は、第１導電部２１０の材料及び第２導電部２３０の材料と同じ材料を含むようにすることができる。この場合、ダミー導電部２１２が第１導電部２１０及び第２導電部２３０に対して目立つことを防ぐことができる。
【0059】
図８に示す例において、発光装置１０の発光領域１４２は、アルファベットの「Ｇ」の形状を有している。したがって、発光素子１４０（発光領域１４２）の幾何学的重心Ｃは、発光素子１４０（発光領域１４２）が設けられていない領域に位置するようになる。
【0060】
図８に示す例において、複数の仮想線ＩＬの交点Ｐは、図１から図４に示した例と同様にして決定することができる。ただし、図８に示す例では、交点Ｐの位置は、発光素子１４０（発光領域１４２）の幾何学的重心Ｃの位置と重なっていない。これは、上述したように、アルファベットの「Ｇ」の形状における幾何学的重心Ｃは発光素子１４０（発光領域１４２）が設けられていない領域に位置するためである。つまり、交点Ｐの位置が発光素子１４０（発光領域１４２）の幾何学重心の位置と重なるか否かは、発光素子１４０（発光領域１４２）の形状に依存している。
【0061】
図８に示す例においても、第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２、第３部分Ｐ３及び第４部分Ｐ４は、図１から図４を用いて説明した例と同様の方法で決定することができる。図８に示す例においても、図１から図４に示した例と同様にして、発光素子１４０の輝度のばらつきを抑えることができる。
【0062】
以上、本実施形態によれば、発光素子１４０の輝度のばらつきを抑えることができる。
【実施例】
【0063】
図９は、実施例１のシミュレーションに係る発光装置１０を示す図である。図１０は、実施例２のシミュレーションに係る発光装置１０を示す図である。図１１は、実施例３のシミュレーションに係る発光装置１０を示す図である。
【0064】
図９に示すように、実施例１に係る発光素子１４０（発光領域１４２）は、アルファベットの「Ｇ」の形状を有している。
【0065】
図１０に示すように、実施例２に係る発光素子１４０（発光領域１４２）は、ハートの形状を有している。
【0066】
図１１に示すように、実施例３に係る発光素子１４０（発光領域１４２）は、星の形状を有している。
【0067】
図９から図１１までのいずれにおいても、発光素子１４０（発光領域１４２）の形状は、８０ｍｍ×８０ｍｍの矩形に収まるようになっている。
【0068】
図９から図１１までのいずれにおいても、第１部分Ｐ１、第３部分Ｐ３及び第４部分Ｐ４は、図１から図４を用いて説明した例と同様の方法で決定した。
【0069】
図１２は、実施例１に係る発光装置１０（図９）の発光領域１４２の輝度分布のシミュレーション結果を示す図である。図１３は、実施例２に係る発光装置１０（図１０）の発光領域１４２の輝度分布のシミュレーション結果を示す図である。図１４は、実施例３に係る発光装置１０（図１１）の発光領域１４２の輝度分布のシミュレーション結果を示す図である。
【0070】
図１２においては、第１部分Ｐ１（図９）の近傍における輝度が高かった。図１３及び図１４においては、第１部分Ｐ１（図１０及び図１１）の近傍における輝度だけでなく、第３部分Ｐ３（図１０及び図１１）の近傍及び第４部分Ｐ４（図１０及び図１１）の近傍における輝度も高かった。
【0071】
図１２から図１４に示す例において、以下の式で定義される輝度のばらつきＶ（％）を算出した。Ｖ＝（Ｌｍａｘ−Ｌｍｉｎ）／Ｌｍｅａｎ×１００
ただし、Ｌｍａｘは、輝度の最大値を示し、Ｌｍｉｎは、輝度の最小値を示し、Ｌｍｅａｎは、輝度の平均値を示す。図１２、図１３及び図１４のそれぞれにおけるばらつきＶは、それぞれ、４２．５２％、３４．５２％及び１７．０８％であった。
【0072】
図１５は、第１部分Ｐ１の位置のずれと輝度のばらつきＶの関係を示すグラフである。
【0073】
図１５に示すグラフにおいて、横軸のずれは、第１部分Ｐ１が、交点Ｐから最も近くの位置から発光素子１４０の縁Ｅに沿ってどれだけの距離ずれたかを示す。つまり、横軸のゼロは、第１部分Ｐ１が交点Ｐから最も近くの位置にあることを示す。
【0074】
図１５に示すように、実施例１、実施例２及び実施例３のいずれにおいても、輝度のばらつきＶは、横軸がゼロにおいて最小となっており、横軸のずれが大きくなるほど増加している。この結果は、輝度のばらつきＶを抑えるための最適な第１部分Ｐ１の位置は、交点Ｐから最も近くの位置であることを示唆している。
【0075】
図１６は、第３部分Ｐ３及び第４部分Ｐ４の位置のずれと輝度のばらつきＶの関係を示すグラフである。
【0076】
図１６に示すグラフにおいて、横軸のずれは、第３部分Ｐ３及び第４部分Ｐ４が、発光領域１４２の縁Ｅに沿う方向において第１部分Ｐ１から第２部分Ｐ２までの長さを二等分する位置から発光素子１４０の縁Ｅに沿ってどれだけの距離ずれたかを示す。つまり、横軸のゼロは、第３部分Ｐ３及び第４部分Ｐ４が、第１部分Ｐ１から第２部分Ｐ２までの長さを二等分する位置にあることを示す。
【0077】
図１６に示すように、実施例１、実施例２及び実施例３のいずれにおいても、輝度のばらつきＶは、横軸がゼロにおいて最小となっており、横軸のずれが大きくなるほど増加している。この結果は、輝度のばらつきＶを抑えるための最適な第３部分Ｐ３及び第４部分Ｐ４の位置は、発光領域１４２の縁Ｅに沿う方向において第１部分Ｐ１から第２部分Ｐ２までの長さを二等分する位置であることを示唆している。
【0078】
図１７は、図７に示した距離Ｇと輝度のばらつきＶの関係を示すグラフである。図１８は、図１７における実施例１について距離Ｇが１５ｍｍの場合の発光領域１４２の輝度分布のシミュレーション結果を示す図である。
【0079】
図１７に示すように、実施例１においては、輝度のばらつきＶは、距離Ｇにつき１５ｍｍ以下の範囲において、距離Ｇが大きくなるにつれて減少した。特に距離Ｇが１５ｍｍ（図１８）のとき、実施例１の発光領域１４２の輝度のばらつきＶは、２３．４２％であった。実施例２においては、輝度のばらつきＶは、距離Ｇにつき５ｍｍ以下の範囲において、距離Ｇが大きくなるにつれて増加した。実施例３においては、輝度のばらつきＶは、距離Ｇにつき１０ｍｍ以下の範囲において、距離Ｇの大きさにかかわらずほとんど一定であった。
【0080】
図１７に示す結果は、第１部分Ｐ１の近傍における第１電極１１０の電位が高いことによって第１部分Ｐ１の近傍の輝度が高い場合は、距離Ｇを増加させることで輝度のばらつきＶを有効に抑えることができることを示唆している。具体的には、図９及び図１２に示すように、実施例１においては、発光領域１４２の輝度分布は、第１部分Ｐ１の近傍において最大となっている。この結果は、第１部分Ｐ１の近傍における第１電極１１０の電位が高いことを示唆している。これに対して、図１０及び図１３に示すように、実施例２においては、第１部分Ｐ１の近傍における輝度は、第３部分Ｐ３及び第４部分Ｐ４の近傍における輝度より低くなっている。この結果は、第１部分Ｐ１の近傍における第１電極１１０の電位がある程度抑えられていることを示唆している。これらの結果より、第１部分Ｐ１の近傍における第１電極１１０の電位が高いことによって第１部分Ｐ１の近傍の輝度が高い場合は、距離Ｇを増加させることで輝度のばらつきＶを有効に抑えることができるといえる。
【0081】
図１９は、発光領域１４２の縁Ｅの全周の長さと、交点Ｐから第１部分Ｐ１までの長さと、の積に対する輝度のばらつきＶを示すグラフである。
【0082】
実施例１及び実施例２において、上記積が８０００ｍｍ２を超えると、輝度のばらつきＶが５０％を超えている。実施例１及び実施例２のこの結果は、当該積が８０００ｍｍ２以下であることが好ましいことを示唆している。
【0083】
実施例１及び実施例３において、上記積が５０００ｍｍ２以下となると、輝度のばらつきＶが３０％を下回る。実施例１及び実施例３のこの結果は、当該積が５０００ｍｍ２以下であることがさらに好ましいことを示唆している。
【0084】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【0085】
１０ 発光装置１００ 基板
１０２ 第１面
１０４ 第２面
１１０ 第１電極
１２０ 有機層
１３０ 第２電極
１４０ 発光素子
１４２ 発光領域
２１０ 第１導電部
２１２ ダミー導電部
２３０ 第２導電部
３００ 封止層
４００ 絶縁層