特許 6818514 表示装置および表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6818514

(24)【登録日】2021年1月5日

(45)【発行日】2021年1月20日

(54)【発明の名称】表示装置および表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/04 20060101AFI20210107BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20210107BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20210107BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20210107BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20210107BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/04

   H05B33/14 A

   H05B33/10

   H01L27/32

   G09F9/30 365

【請求項の数】13

【全頁数】15

(21)【出願番号】特願2016-214570(P2016-214570)

(22)【出願日】2016年11月1日

(65)【公開番号】特開2018-73710(P2018-73710A)

(43)【公開日】2018年5月10日

【審査請求日】2019年10月23日

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000408

【氏名又は名称】特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 勇輔

【審査官】 藤岡 善行

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１０−１６０９０６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２００４／０００４７７７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２０１６／１６３２１５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１６−０１２４２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−２７３２７４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｂ ３３／０４

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

Ｈ０１Ｌ ５１／５０

Ｈ０５Ｂ ３３／１０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示部を覆う第１無機絶縁層と、
前記第１無機絶縁層上の第１有機絶縁層と、
前記第１有機絶縁層を覆う第２有機絶縁層と、
前記第２有機絶縁層を覆い、前記第１無機絶縁層と接触する領域を有する第２無機絶縁層と、を含み、
前記第１有機絶縁層の端部と前記第２有機絶縁層の端部とは、それぞれテーパー形状を有し、
前記第１有機絶縁層は、前記第１有機絶縁層の前記端部に位置する第１側面と、前記第１有機絶縁層の下層に位置する層と直に接する第１下面と、を有し、
前記第２有機絶縁層は、前記第２有機絶縁層の前記端部に位置する第２側面と、前記第２有機絶縁層の下層に位置する層と直に接する第２下面と、を有し、
前記第２側面と前記第２下面とがなす角は、前記第１側面と前記第１下面とがなす角よりも小さく、
前記第２有機絶縁層は、水または酸素と反応する化合物を含むこと、を特徴とする、表示装置。

【請求項2】

前記第２有機絶縁層の前記端部は、前記第１有機絶縁層の前記端部よりも外側であること、
を特徴とする、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第２有機絶縁層の膜厚は、前記第１有機絶縁層の膜厚よりも小さいこと、
を特徴とする、請求項１または請求項２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記化合物は、フェノールフタレイン、または炭酸ナトリウムであること、
を特徴とする、請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

前記表示部は、複数の表示素子を有し、
前記表示素子は、発光層を含む有機ＥＬ素子であり、
前記第１無機絶縁層、前記第１有機絶縁層、前記第２有機絶縁層、及び前記第２無機絶縁層は、前記複数の表示素子を覆うこと、
を特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の表示装置。

【請求項6】

前記第１無機絶縁層と接触する前記領域は、前記表示部の外側に位置すると共に、前記第１有機絶縁層の前記端部の前記表示部とは反対の側、且つ前記第２有機絶縁層の前記端部の前記表示部とは反対の側に位置すること、
を特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の表示装置。

【請求項7】

表示部を覆うように第１無機絶縁層を形成し、
前記第１無機絶縁層上に第１有機材料を用いて第１有機絶縁層をインクジェット法により形成し、
前記第１有機絶縁層上に、前記第１有機絶縁層を覆うように、前記第１有機材料よりも粘性の低い第２有機材料を用いて第２有機絶縁層を真空蒸着法により形成し、
前記第２有機絶縁層を覆うように第２無機絶縁層を形成することを特徴とする、表示装置の製造方法。

【請求項8】

前記第１有機材料の粘度は、１０ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ未満であって、
前記第２有機材料の粘度は、１ｍＰａ・ｓ以上１０ｍＰａ・ｓ未満であること、
を特徴とする、請求項７に記載の表示装置の製造方法。

【請求項9】

前記第２有機絶縁層形成時の温度は、前記第１有機絶縁層形成時の温度に比べて高いこと、
を特徴とする、請求項７または請求項８に記載の表示装置の製造方法。

【請求項10】

前記第２有機絶縁層形成前に、前記第１有機絶縁層は硬化されること、
を特徴とする、請求項７乃至請求項９のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。

【請求項11】

前記第２有機絶縁層形成前に、前記第１有機絶縁層表面にプラズマ処理を行うこと、
を特徴とする、請求項７乃至請求項１０のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。

【請求項12】

前記第１有機材料と、前記第２有機材料とは、同一であること、
を特徴とする、請求項７乃至請求項１１のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。

【請求項13】

前記第１有機材料と、前記第２有機材料とは、異なること、
を特徴とする、請求項７乃至請求項１１のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の一実施形態は、表示装置、及び表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

電気器具及び電子機器に用いられる表示装置として、液晶の電気光学効果を利用した液晶表示装置や、有機エレクトロルミネセンス（有機ＥＬ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬ表示装置が開発されている。特に、表示素子として有機ＥＬ素子を用いた場合、高い視野角と高精細な表示が可能である。

【0003】

一方で、表示素子として有機ＥＬ素子を用いた場合、有機ＥＬ層が水分によって劣化してしまうことが知られている。劣化した有機ＥＬ層を用いて表示素子を駆動させると、輝度の低下や表示不良が起こる恐れがある。このため、有機ＥＬ層に水分が混入しないように封止層が設けられている。特許文献１には、無機絶縁層、有機絶縁層、無機絶縁層が積層された封止層が公開されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１５−６５０２５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

当該封止層における有機絶縁層は、平坦化膜としての機能も有し、厚く形成される。有機絶縁層が塗布形成される際に、材料が塗布されない領域を有する場合がある。または、有機絶縁層が塗布形成される際に、過剰に材料が塗布される領域を有する場合がある。上記有機絶縁層の形成不良により凹凸が生じるので、表示部に外観不良が生じる可能性がある。あるいは、当該有機絶縁上の無機絶縁層に欠陥を生じる可能性がある。

【0006】

このような課題に鑑み、本発明の一実施形態は、封止層の平坦性の向上と、表示素子への水分侵入を防止する高い封止性能とを、共に有する表示装置を提供することを目的の一つとする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一実施形態によれば、表示部を覆う第１無機絶縁層と、第１無機絶縁層上の第１有機絶縁層と、第１有機絶縁層を覆う第２有機絶縁層と、第２有機絶縁層を覆い、第１無機絶縁層と接触する領域を有する第２無機絶縁層と、を含み、第１有機絶縁層の端部と第２有機絶縁層の端部とは、それぞれテーパー形状を有し、第１有機絶縁層は、第１有機絶縁層の端部に位置する第１側面と、第１有機絶縁層の下層に位置する層と直に接する第１下面と、を有し、第２有機絶縁層は、第２有機絶縁層の端部に位置する第２側面と、第２有機絶縁層の下層に位置する層と直に接する第２下面と、を有し、第２側面と第２下面とがなす角は、第１側面と第１下面とがなす角よりも小さいことを特徴とする、表示装置が、提供される。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す上面図である。

【図2】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。

【図3】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。

【図4】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。

【図5】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。

【図6】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。

【図7】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する上面図である。

【図8】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。

【図9】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する上面図である。

【図10】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する上面図である。

【図11】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。

【図12】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。

【図13】本発明の一実施形態に係る表示装置を説明する断面図である。

【図14】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する上面図である。

【図15】本発明の一実施形態に係る表示装置を説明する断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

【0010】

また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。

【0011】

また、本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、第１基板に対して表示素子が配置される側を「上」又は「表面」といい、その逆を「下」又は「裏面」として説明する。

【0012】

＜第１実施形態＞
（１−１．表示装置の構成）
図１に、本発明の一実施形態に係る表示装置１０の上面図を示す。図１において、表示装置１０は、基板１００と、複数の表示素子１３０を有する表示部１０３と、周縁部１０４と、ソースドライバとしての機能を有する駆動回路１０６と、ゲートドライバとしての機能を有する駆動回路１０７と、フレキシブルプリント基板１０８とを有する。表示装置１０において、表示部１０３と、駆動回路１０６、駆動回路１０７、およびフレキシブルプリント基板１０８は、それぞれ電気的に接続される。駆動回路１０６および駆動回路１０７は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｌａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の集積回路で構成される。表示装置１０は、フレキシブルプリント基板１０８を介して外部からの映像信号を入力することにより駆動回路１０６、駆動回路１０７が画素１０２を駆動し、表示部１０３において静止画および動画を表示することができる。

【0013】

次に、表示装置１０のＡ１−Ａ２間の断面図を図２に示す。Ａ１−Ａ２間には、表示部１０３および、周縁部１０４が含まれる。図２に示すように、表示装置１０は、第１基板１００、絶縁層１４１、トランジスタ１１０、容量素子１２０、容量素子１２２、表示素子１３０、絶縁層１５０、隔壁１５７、封止層１６１、充填材１７４、および第２基板１０１を含む。

【0014】

（１−２．封止層の構成）
表示装置１０において、封止層１６１には、第１無機絶縁層１６２、第１有機絶縁層１６４、第２有機絶縁層１６６、第２無機絶縁層１６８が含まれる。以下に各層について説明する。

【0015】

第１無機絶縁層１６２は、表示部１０３を覆う。第１無機絶縁層１６２は、表示素子１３０への水の侵入を防止する機能を有する。第１無機絶縁層１６２には、無機絶縁材料が用いられる。無機絶縁材料としては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコンから選ばれた一種又は複数種が用いられる。また、無機絶縁層１６２の膜厚は、数十ｎｍ以上５μｍ未満としてもよい。

【0016】

第１有機絶縁層１６４は、第１無機絶縁層１６２上に設けられる。第１有機絶縁層１６４にはアクリル、エポキシ、ポリイミド等の有機絶縁材料が用いられる。第１有機絶縁層１６４の膜厚は、５μｍ以上２０μｍ未満であってもよい。第１有機絶縁層１６４の端部は、周縁部１０４に設けられる。

【0017】

第２有機絶縁層１６６は、第１有機絶縁層１６４を覆う。第２有機絶縁層１６６には、第１有機絶縁層１６４と同様に、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド等の有機絶縁材料が用いられる。第２有機絶縁層１６６の膜厚は、第１有機絶縁層１６４の膜厚よりも小さくてもよい。例えば、第２有機絶縁層１６６の膜厚は、１μｍ以上、５μｍ未満であってもよい。また、第２有機絶縁層１６６の端部は、第１有機絶縁層１６４の端部よりも外側に設けられる。また、第２有機絶縁層１６６の端部は、下面Ｄ２と側面Ｓ２とによりテーパー形状を有する。上記テーパー形状のテーパー角Ｔ２（第２有機絶縁層１６６の端部に位置する側面Ｓ２と、第２有機絶縁層１６６の下層に位置する第１無機絶縁層１６２と直に接する下面Ｄ２とがなす角）は、第１有機絶縁層１６４の端部において下面Ｄ１と側面Ｓ１とにより設けられたテーパー角Ｔ１（第１有機絶縁層１６４の端部に位置する側面Ｓ１と、第１有機絶縁層１６４の下層に位置する第１無機絶縁層１６２と直に接する下面Ｄ１とがなす角）よりも小さい。

【0018】

また、第２有機絶縁層１６６は、水または酸素と反応する化合物を含んでもよい。水分と反応して発色する色素としては、フェノールフタレイン、チモールフタレイン、炭酸ナトリウムなどが用いられる。酸素と反応して発色する化合物としては、例えばインジゴガーミン、またはメチレンブルーなどが用いられる。上記化合物を有することにより、封止層１６１に存在する欠陥を容易に発見することができる。なお、水分と反応する材料には、色素以外にアルカリ金属、アルカリ土類金属などが設けられてもよい。

【0019】

第２無機絶縁層１６８は、第２有機絶縁層１６６を覆う。また、第２無機絶縁層１６８は、第１無機絶縁層１６２と接触される。第２無機絶縁層１６８には、第１無機絶縁層１６２と同様の材料が用いられてもよい。

【0020】

なお、第２無機絶縁層１６８は、第１無機絶縁層１６２と接触されるように設けられることにより、水分の遮断効果は高められる。また、上述の通り、第２有機絶縁層１６６の端部のテーパー角Ｔ２が小さいことにより、第２無機絶縁層１６８の被覆率が高められる。これにより、第２無機絶縁層１６８の欠陥の発生が抑えられ、水分の遮断効果がさらに高められる。したがって、表示装置１０は、表示素子１３０への水分侵入を防止する十分な封止性能を有しているということができる。

【0021】

（１−３．表示装置のその他の構成）
以下に、表示装置１０のその他の構成について説明する。第１基板１００、第２基板１０１は、ガラス基板又は有機樹脂基板が用いられる。有機樹脂基板には、例えば、ポリイミド基板が用いられる。なお、第１基板１００、第２基板１０１の第２面（断面を見た際の、基板外側の面）にカバーガラス、保護フィルムなどを設けられてもよい。

【0022】

絶縁層１４１は、下地膜としての機能を有する。絶縁層１４１は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどが用いられる。絶縁層１４１は、単層であっても、積層であってもよい。

【0023】

トランジスタ１１０は、半導体層１４２、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極層１４５、ソース・ドレイン電極層１４７等を有する。トランジスタ１１０は、ｎチャネルおよびｐチャネル両方を有している場合は、ＣＭＯＳ構造を有してもよい。

【0024】

半導体層１４２は、シリコン、シリコンゲルマニウム、酸化物半導体、有機物半導体などが用いられる。例えば、シリコンには、アモルファスシリコン、多結晶シリコンが用いられる。酸化物半導体には、例えばインジウム、ガリウム、亜鉛を有する酸化物（ＩＧＺＯ）が用いられる。

【0025】

ゲート絶縁層１４３には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコンなどの高誘電材料が用いられる。

【0026】

絶縁層１４９、絶縁層１５４は、絶縁層１４１またはゲート絶縁層１４３と同様の材料が用いられる。また、絶縁層１４９、絶縁層１５４は、単層としてもよいし、上記材料の積層構造としてもよい。

【0027】

ゲート電極層１４５には、タングステン、アルミニウム、クロム、銅、チタン、タンタル、モリブデン、タングステン、から選ばれた金属元素、または上記金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等が用いられる。ゲート電極層１４５は、窒素、酸素、水素などを有してもよい。また、ゲート電極層１４５は、上記材料の積層としてもよい。ソース・ドレイン電極層１４７には、ゲート電極層１４５と同様の材料が用いられる。

【0028】

絶縁層１５０は、平坦化膜としての機能を有する。絶縁層１５０には有機絶縁材料、無機絶縁材料、または有機材料と無機材料の積層された絶縁材料が用いられる。絶縁層１５０は、周縁部１０４において側面部を有してもよい。

【0029】

導電層１５３は、ゲート電極層１４５またはソース・ドレイン電極層１４７と同様の材料が用いられる。

【0030】

容量素子１２０は、ゲート絶縁層１４３を誘電体層として、半導体層１４２のソースまたはドレイン領域と、ゲート電極層１４５と同層に設けられた導電層１４６とが重畳する領域に設けられる。また、容量素子１２２は、絶縁層１５４を誘電体として、導電層１５３および導電層１５５を用いて構成される。

【0031】

表示素子１３０は、有機ＥＬ素子であってもよい。表示素子１３０には、導電層１５５、有機ＥＬ層１５９、および導電層１６０が用いられる。表示素子１３０は、有機ＥＬ層１５９で発光した光を導電層１６０側に放射する、いわゆるトップエミッション型の構造を有する。

【0032】

導電層１５５は、画素電極としての機能を有し、さらに光を反射させる性質を有することが好ましい。例えば導電層１５５には、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、等の光反射性の金属材料が用いられてもよい。また、導電層１５５は、正孔注入性に優れるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウムスズ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウム亜鉛）による透明導電層と、光反射性の金属層とが積層された構造を有してもよい。

【0033】

有機ＥＬ層１５９は、有機エレクトロルミネセンス材料などの発光材料が用いられる。有機ＥＬ層１５９は、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。また、図示を省略するが、有機ＥＬ層１５９は、発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むように正孔注入層や電子注入層、さらに正孔輸送層や電子輸送層等含んで構成されてもよい。

【0034】

導電層１６０は、有機ＥＬ層１５９で発光した光を透過させるため、透光性を有し、かつ導電性を有する材料が用いられる。導電層１６０には銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との合金の薄膜が用いられる。また、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電膜が用いられてもよい。

【0035】

隔壁１５７は、導電層１５５の周縁部を覆うと共に、導電層１５５の端部で滑らかな段差を形成するために設けられる。隔壁１５７には、有機樹脂材料を用いることができる。例えば、隔壁１５７として、アクリルやポリイミドなどが用いられる。隔壁１５７は、周縁部１０４において、側面部を有してもよい。隔壁１５７の側面は、第１無機絶縁層１６２により覆われる。

【0036】

充填材１７４には、無機材料、有機材料、または、有機材料と無機材料の複合材料が用いられる。例えば、充填材１７４には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などが用いられる。

【0037】

（１−４．表示装置の製造方法）
以下、表示装置１０の製造方法について、図３乃至図１２を用いて説明する。

【0038】

まず、図３に示すように、第１基板１００の第１面（断面方向から見た場合の上面）に、絶縁層１４１、トランジスタ１１０（半導体層１４２、ゲート絶縁層１４３及びゲート電極層１４５により構成される）及び容量素子１２０（導電層１４６、ゲート絶縁層１４３、半導体層１４２のソース・ドレイン領域により構成される）、ソース・ドレイン電極層１４７、絶縁層１４９、絶縁層１５０を形成する。

【0039】

半導体層１４２、ゲート電極層１４５、及びソース・ドレイン電極層１４７は、化学気相堆積（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法、スパッタリング法、真空蒸着法などにより形成される。半導体層１４２、ゲート電極層１４５、及びソース・ドレイン電極層１４７は、適宜フォトリソグラフィ法、ナノインプリンティング法、インクジェット法、エッチング法などを用いて、所定の形状に加工される。

【0040】

絶縁層１４１、ゲート絶縁層１４３、および絶縁層１４９は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、真空蒸着法、スピンコーティング法などにより形成される。

【0041】

絶縁層１５０は、スピンコーティング法、インクジェット法、ラミネート法、ディップコーティング法等により形成される。絶縁層１５０は、周縁部１０４において、側面部を有するように加工される。

【0042】

次に、図４に示すように、絶縁層１５０上に、容量素子１２２（導電層１５３、絶縁層１５４、導電層１５５により構成される）、表示素子１３０（導電層１５５、有機ＥＬ層１５９、導電層１６０で形成される）、隔壁１５７を形成する。各層は、適宜フォトリソグラフィ法、ナノインプリンティング法、インクジェット法、エッチング法などにより、所定の形状に加工される。

【0043】

導電層１５３、導電層１５５および導電層１６０は、スパッタリング法、真空蒸着法、メッキ法などにより形成される。

【0044】

絶縁層１５４は、ＣＶＤ法（プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法）、スピンコーティング法、印刷法などにより形成される。

【0045】

隔壁１５７は、有機ＥＬ層１５９の上面を露出するように開口部が形成される。隔壁１５７の開口部の端部は、なだらかなテーパー形状となるように形成されてもよい。また、隔壁１５７は、周縁部１０４において、側面部を有するように加工される。

【0046】

有機ＥＬ層１５９は、少なくとも導電層１５５と重なるように形成される。例えば、有機ＥＬ層１５９は、真空蒸着法、印刷法、スピンコーティング法などにより形成される。有機ＥＬ層１５９を真空蒸着法により形成する場合、シャドーマスクを用い、成膜されない領域を設けてもよい。有機ＥＬ層１５９は、隣接する画素と異なる材料を用いて形成されてもよいし、全ての画素において同一の有機ＥＬ層１５９を用いて形成されてもよい。

【0047】

次に、図５に示すように、導電層１６０上に、第１無機絶縁層１６２を形成する。このとき、第１無機絶縁層１６２は表示部１０３を覆うように形成される。第１無機絶縁層１６２は、ＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法などにより形成される。また、第１無機絶縁層１６２には、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコンなどが用いられる。例えば、第１無機絶縁層１６２には、プラズマＣＶＤ法により形成した窒化シリコン膜が用いられる。

【0048】

次に、図６に示すように、第１無機絶縁層１６２上に、第１有機絶縁層１６４を形成する。第１有機絶縁層１６４は、スクリーン印刷法またはインクジェット法により形成されてもよい。例えば、インクジェット法により第１有機絶縁層１６４を形成する場合、図７に示すように、吐出位置Ｐ１に対して第１有機絶縁層１６４に相当する第１有機材料（インク１６４ａ）が吐出される。インク１６４ａには、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂が用いられる。吐出されたインク１６４ａは、濡れ広がることにより、表示部１０３を覆うように形成される。なお、インク１６４ａの吐出量は、数ピコリットルから数十ピコリットルとして適宜設定すればよい。例えば、インク１６４ａの吐出量は、１４ピコリットルとしてもよい。

【0049】

次に、図８に示すように、第１有機絶縁層１６４上に第２有機絶縁層１６６を形成する。第２有機絶縁層１６６は、インクジェット法により形成されてもよい。第２有機絶縁層１６６には、第１有機絶縁層１６４と同じ材料が用いられてもよいし、異なる材料が用いられてもよい。例えば、インクジェット法により第１有機絶縁層１６４を形成する場合、図９に示すように、インク１６４ａの吐出位置Ｐ１と異なる吐出位置Ｐ２に対して第２有機絶縁層１６６に相当するインク第２有機材料（インク１６６ａ）が吐出される。インク１６６ａには、インク１６４ａと同一の材料が用いられてもよいし、異なる材料が用いられてもよい。例えば、インク１６６ａには、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂が用いられる。吐出されたインク１６６ａは、濡れ広がることにより、第１有機絶縁層１６４を覆うように形成される。なお、インク１６６ａの吐出量は、数ピコリットルから数十ピコリットルとして適宜設定すればよい。例えば、インク１６６ａの吐出量は、１４ピコリットルとしてもよい。

【0050】

ここで、インク１６６ａは、インク１６４ａに比べて粘性が低い。例えば、第１有機絶縁層１６４形成時のインク１６４ａの粘度は、１０ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ未満であって、第２有機絶縁層１６６形成時のインク１６６ａの粘度は、１ｍＰａ・ｓ以上１０ｍＰａ・ｓ未満であってもよい。これにより、インク１６６ａは、インク１６４ａに比べて濡れ広がりやすくなる。例えば、図１０に示すように、吐出位置Ｐ１’にインク１６４ａが吐出されず、凹凸が発生してしまっても、インク１６６ａにより凹凸が埋まりやすい。したがって、封止層１６１の平坦性が向上する。

【0051】

また、第２有機絶縁層１６６形成時の基板１００またはインク１６６ａの温度は、第１有機絶縁層１６４形成時の基板１００またはインク１６４ａの温度よりも高くてもよい。これにより、インク１６６ａの粘度がさらに下がり、インク１６６ａがさらに濡れ広がりやすくなる。したがって、第２有機絶縁層１６６が凹凸をさらに埋めやすくなる。これにより、封止層１６１の平坦性がさらに向上する。

【0052】

また、第２有機絶縁層１６６形成前に、第１有機絶縁層１６４は硬化されてもよい。また、第２有機絶縁層１６６形成前に、第１有機絶縁層１６６表面にプラズマ処理を行ってもよい。これらにより、第１有機絶縁層１６４の表面が改質され、インク１６６ａの接触角が下がる。したがって、インク１６６ａはさらに濡れ広がりやすくなり、第２有機絶縁層１６６が凹凸をさらに埋めやすくなる。

【0053】

次に、図１１に示すように、第２有機絶縁層１６６を覆うように第２無機絶縁層１６８を形成する。第２無機絶縁層１６８は、第１無機絶縁層１６２と同様の材料および方法を用いて形成される。例えば、第２無機絶縁層１６８には、プラズマＣＶＤ法により形成された酸化シリコンと、窒化シリコンとの積層膜が用いられる。なお、第２有機絶縁層１６６により凹凸が緩和されているので、第２無機絶縁層１６８形成時の欠陥の発生が抑制される。

【0054】

また、第２無機絶縁層１６８は、第１無機絶縁層１６２と接触するように形成される。これにより、周縁部１０４において、第１有機絶縁層１６４および第２有機絶縁層１６６は、第１無機絶縁層１６２および第２無機絶縁層１６８によって、挟み込まれた状態となる。そのため、封止層１６１は、水分をより遮断しやすい構造を有している。上記領域は水分遮断領域として機能させることができ、その構造を「水分遮断構造」という場合がある。この構造を有することにより、表示素子１３０への水分の侵入防止が可能となる。したがって、封止層１６１は高い封止性能を有することができる。

【0055】

最後に、図１２に示すように、第１基板１００と、第２基板１０１とを、充填材１７４を介して貼り合わせる。充填材１７４には、光硬化性の光硬化型接着剤を用いた場合、材料の硬化速度が速く、作業時間を短縮することが可能である。

【0056】

上記製造方法を用いることにより、封止層１６１の平坦性の向上と、表示素子１３０への水分侵入を防止する高い封止性能とを、ともに有する表示装置１０を製造することができる。

【0057】

＜第２実施形態＞
以下に、第１実施形態と異なる構造を有する表示装置について説明する。なお、第１実施形態において示した構造、材料、および方法については、その説明を援用する。

【0058】

図１３に、表示装置１０１０の断面図を示す。図１３に示すように、表示装置１０１０は、表示装置１０と同様に、第１基板１００、絶縁層１４１、トランジスタ１１０、容量素子１２０、容量素子１２２、表示素子１３０、絶縁層１５０、隔壁１５７、封止層１６１、充填材１７４、および第２基板１０１を備える。表示装置１０１０の封止層１６１には、第１無機絶縁層１６２、第１有機絶縁層１６４、第２有機絶縁層１６６、第２無機絶縁層１６８の他に、第３有機絶縁層１７０および第４有機絶縁層１７２が含まれる。表示装置１０１０は、第３有機絶縁層１７０および第４有機絶縁層１７２を有することにより、封止層１６１の平坦性がさらに向上する。これにより、第２無機絶縁層１６８の欠陥の発生がさらに抑えられる。また、第２無機絶縁層１６８の欠陥がなくなることにより、表示素子１３０への水分侵入がさらに防止される。したがって、封止層１６１の平坦性のさらなる向上と、表示素子１３０への水分侵入を防止するより高い封止性能とが両立した表示装置１０が提供される。

【0059】

（変形例）
本実施形態においては、有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動表示素子等を有する電子ペーパー型表示装置、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。

【0060】

また、本実施形態においては、インクジェット法により第２有機絶縁層１６６を形成する例を示したが、第２有機絶縁層１６６はスクリーン印刷法、または蒸着法により形成されてもよい。第２有機絶縁層１６６が蒸着法により形成される場合、図１４に示すように、表示部１０３にのみ形成されるようにマスク１６６ｂなどが用いられてもよい。

【0061】

また、本実施形態においては、封止層１６１の第２有機絶縁層１６６の端部が周縁部１０４に設けられた例を示したが、駆動回路１０７上に設けられてもよい。駆動回路１０７には、トランジスタ１１１、容量素子１２１などが設けられる。周縁部１０４に形成される凹凸は、第２有機絶縁層１６６により埋められる。これにより、第２無機絶縁層１６８形成時に欠陥が発生しにくい。したがって、封止層１６１の封止性能が高められる。

【0062】

なお、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0063】

１０・・・表示装置、１００・・・第１基板、１０１・・・第２基板、１０３・・・表示部、１０４・・・周縁部、１０６・・・駆動回路、１０７・・・駆動回路、１０８・・・フレキシブルプリント基板、１１０・・・トランジスタ、１２０・・・容量素子、１２２・・・容量素子、１３０・・・表示素子、１４１・・・絶縁層、１４２・・・半導体層、１４３・・・ゲート絶縁層、１４５・・・ゲート電極層、１４６・・・導電層、１４７・・・ソース・ドレイン電極層、１４９・・・絶縁層、１５０・・・絶縁層、１５３・・・導電層、１５４・・・絶縁層、１５５・・・導電層、１５７・・・隔壁、１５９・・・有機ＥＬ層、１６０・・・導電層、１６１・・・封止層、１６２・・・第１無機絶縁層、１６４・・・第１有機絶縁層、１６４ａ・・・インク、１６６・・・第２有機絶縁層、１６６ａ・・・インク、１６６ｂ・・・マスク、１６８・・・第２無機絶縁層、１７０・・・第３有機絶縁層、１７２・・・第４有機絶縁層、１７４・・・充填材

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】