特許 6824058 タッチセンサ内蔵表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6824058

(24)【登録日】2021年1月14日

(45)【発行日】2021年2月3日

(54)【発明の名称】タッチセンサ内蔵表示装置

(51)【国際特許分類】

   G06F 3/041 20060101AFI20210121BHJP

   H05B 33/02 20060101ALI20210121BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20210121BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20210121BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20210121BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20210121BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20210121BHJP

【ＦＩ】

   G06F3/041 430

   H05B33/02

   H05B33/14 A

   H05B33/12 B

   G09F9/30 365

   G09F9/30 349Z

   G09F9/00 366A

   H01L27/32

【請求項の数】11

【全頁数】14

(21)【出願番号】特願2017-21187(P2017-21187)

(22)【出願日】2017年2月8日

(65)【公開番号】特開2018-128835(P2018-128835A)

(43)【公開日】2018年8月16日

【審査請求日】2020年2月5日

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】特許業務法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】多田 裕介

(72)【発明者】

【氏名】秋元 肇

【審査官】 円子 英紀

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１５−０５０２４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−０５４１１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−３０２７０７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−２８７６６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−２９４４０３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０６Ｆ ３／０４１

Ｇ０９Ｆ ９／００

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

Ｈ０１Ｌ ５１／５０

Ｈ０５Ｂ ３３／０２

Ｈ０５Ｂ ３３／１２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

発光素子を有する複数の画素が設けられた表示領域と、
有機絶縁材料で形成された１又は複数の有機絶縁膜であって、前記表示領域の外側に前記有機絶縁膜が分断された分断溝が形成された、有機絶縁膜と、
前記発光素子と前記有機絶縁膜と前記分断溝とを覆う、無機絶縁材料で形成された封止膜と、
前記封止膜上の前記表示領域に２次元的に配列された複数の第１電極であって、第１方向に隣り合う第１電極は第１接続線を介して接続され、前記第１方向と交差する第２方向に隣り合う第１電極は接続されない、複数の第１電極と、
前記第１電極と同層又は異層で２次元的に配列され、それぞれが平面視で前記第１電極に囲まれた複数の第２電極であって、前記第２方向に隣り合う第２電極は、前記第１接続線と平面視で交差する第２接続線を介して接続され、前記第１方向に隣り合う第２電極は接続されない、複数の第２電極と、
前記第１接続線と前記第２接続線との間に介在するとともに、前記封止膜に覆われた前記分断溝を埋める層間絶縁膜と、
前記第１電極又は前記第２電極に接続され、前記層間絶縁膜の前記分断溝を埋める部分上を通る引き出し配線と、
を備えるタッチセンサ内蔵表示装置。

【請求項2】

前記層間絶縁膜は、前記第１接続線と前記第２接続線との間に介在する部分と、前記分断溝を埋める部分とが連続して形成された膜である、
請求項１に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。

【請求項3】

前記層間絶縁膜は、前記第１接続線と前記第２接続線との間に介在する部分と、前記分断溝を埋める部分とが分離して形成された膜である、
請求項１に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。

【請求項4】

前記有機絶縁膜は、前記表示領域に配置された画素電極下に形成され、前記表示領域と前記表示領域の外側の周辺領域とを覆う下地絶縁膜を含む、
請求項１に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。

【請求項5】

前記有機絶縁膜は、前記表示領域に配置された画素電極上に形成され、前記画素電極を底とする開口が形成された画素分離膜を含む、
請求項１に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。

【請求項6】

前記表示領域に配置された画素電極上に形成され、前記画素電極を底とする開口が形成された画素分離膜を含み、
前記画素分離膜の外縁は、前記分断溝より内側に位置する、
請求項１に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。

【請求項7】

前記封止膜よりも下層に位置する、前記分断溝が形成された領域を跨ぐ膜は、有機材料を含まない、
請求項１に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。

【請求項8】

前記引き出し配線は、前記封止膜上から前記封止膜の外側に、前記封止膜の外縁を跨いで延在する、
請求項１に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。

【請求項9】

前記引き出し配線は、前記表示領域の外側の周辺領域に設けられた第１端子に接続される、
請求項１に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。

【請求項10】

前記周辺領域に設けられ、前記第１端子と電気的に接続された第２端子に接続されるフレキシブルプリント基板をさらに備える、
請求項９に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。

【請求項11】

前記フレキシブルプリント基板は、前記周辺領域に設けられ、前記表示領域に配置された画素電極に電気的に接続された第３端子にも接続される、
請求項１０に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、タッチセンサ内蔵表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、隣り合う本体部が接続部を介して接続されたＸ方向に延びる第１の電極と、隣り合う本体部が接続部を介して接続されたＹ方向に延びる第２の電極とが封止膜を挟んで配置された静電容量方式タッチセンサを内蔵する表示装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５−５０２４５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、本願の発明者らは、静電容量方式タッチセンサの電極に接続される引き出し配線のプロセスマージンを確保するため、表示装置を封止する封止膜の全体を覆う平坦化膜を電極下に設けることを検討している。しかしながら、その場合、工程数の増加を避けられず高コスト化を招くおそれがある。

【0005】

本発明の目的は、引き出し配線のプロセスマージンの確保と低コスト化との両立を図ることが可能なタッチセンサ内蔵表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明のタッチセンサ内蔵表示装置は、発光素子を有する複数の画素が設けられた表示領域と、有機絶縁材料で形成された１又は複数の有機絶縁膜であって、前記表示領域の外側に前記有機絶縁膜が分断された分断溝が形成された、有機絶縁膜と、前記発光素子と前記有機絶縁膜と前記分断溝とを覆う、無機絶縁材料で形成された封止膜と、前記封止膜上の前記表示領域に２次元的に配列された複数の第１電極であって、第１方向に隣り合う第１電極は第１接続線を介して接続され、前記第１方向と交差する第２方向に隣り合う第１電極は接続されない、複数の第１電極と、前記第１電極と同層又は異層で２次元的に配列され、それぞれが平面視で前記第１電極に囲まれた複数の第２電極であって、前記第２方向に隣り合う第２電極は、前記第１接続線と平面視で交差する第２接続線を介して接続され、前記第１方向に隣り合う第２電極は接続されない、複数の第２電極と、前記第１接続線と前記第２接続線との間に介在するとともに、前記封止膜に覆われた前記分断溝を埋める層間絶縁膜と、前記第１電極又は前記第２電極に接続され、前記層間絶縁膜の前記分断溝を埋める部分上を通る引き出し配線と、を備える。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の平面図である。

【図2】図１の要部を拡大した図である。

【図3】図１に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断したときの断面図である。

【図4】図３の要部を拡大した図である。

【図5】変形例を示す図である。

【図6】他の実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の断面図である。

【図7】図６の要部を拡大した図である。

【図8】実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の製造工程例を示す図である。

【図9】図８に続く図である。

【図10】図９に続く図である。

【図11】図１０に続く図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0009】

図１は、実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置（以下、単に表示装置ともいう）の平面図である。図２は、図１に示す一点鎖線の枠内を拡大した図である。表示装置の例として、有機ＥＬ表示装置を挙げる。表示装置１は、例えば赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせてフルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。

【0010】

表示装置１は、表示パネル１０と、表示パネル１０の表示領域１５上に形成されたタッチセンサ２０とを有している。表示パネル１０の表示領域１５の外側には周辺領域（額縁領域）１１が形成されており、周辺領域１１には画素を駆動するための集積回路チップ１２が搭載され、外部との電気的接続のためのＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）１３が接続されている。以下の説明においては、周辺領域１１のＦＰＣ１３が接続される辺に沿った方向をＸ方向とし、それと直交する方向をＹ方向とする。

【0011】

表示パネル１０の表示領域１５の外側には、水分の侵入を抑制するための水分遮断領域１７が設けられている。図１と図２では、水分遮断領域１７にハッチングを付している。水分遮断領域１７は、表示領域１５を囲むように枠状に形成されている。水分遮断領域１７は、途中で途切れていてもよい。水分遮断領域１７を囲む１以上の水分遮断領域がさらに設けられてもよい。水分遮断領域１７では、表示パネル１０に含まれる有機絶縁膜が分断されており、有機材料を含まない。水分遮断領域１７の詳細は後述する。

【0012】

図３は、図１に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断したときの断面図である。図４は、図３における水分遮断領域１７及びその周辺を拡大した図である。これらの図では、断面構造を見易くするため、基板３０、平坦化膜５１及び画素分離膜５５などの一部の層のハッチングを省略している。以下の説明では、積層方向を上方向とする。

【0013】

基板３０は、例えばガラス、又はポリイミド等の可撓性がある樹脂からなる。基板３０はアンダーコート層３１によって覆われている。アンダーコート層３１上には半導体層４１が形成されており、半導体層４１はゲート絶縁膜３３によって覆われている。ゲート絶縁膜３３上にはゲート電極４３が形成されており、ゲート電極４３はパシベーション膜３５によって覆われている。ドレイン電極４５及びソース電極４７は、ゲート絶縁膜３３とパシベーション膜３５とを貫通して半導体層４１に接続されている。半導体層４１、ゲート電極４３、ドレイン電極４５及びソース電極４７により薄膜トランジスタ４０が構成される。薄膜トランジスタ４０は、複数の単位画素のそれぞれに対応するように設けられている。アンダーコート層３１、ゲート絶縁膜３３及びパシベーション膜３５は、例えばＳｉＯ_２又はＳｉＮ等の無機絶縁材料で形成されている。

【0014】

パシベーション膜３５上には、ドレイン電極４５及びソース電極４７に加えて、周辺領域１１に引き出し配線４９が形成されている。図示の引き出し配線４９は、タッチセンサ２０とＦＰＣ１３とを電気的に接続するための配線である。ドレイン電極４５、ソース電極４７及び引き出し配線４９は平坦化膜５１によって覆われており、平坦化膜５１は層間絶縁膜５３によって覆われている。ドレイン電極４５、ソース電極４７及び引き出し配線４９は、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ等を含む導電性材料で形成されている。平坦化膜５１は、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成され、平坦な上面を有している。層間絶縁膜５３は、例えばＳｉＯ_２又はＳｉＮ等の無機絶縁材料で形成されている。

【0015】

平坦化膜５１は、下地絶縁膜の一例であり、表示領域１５と周辺領域１１とを覆っている。平坦化膜５１は、水分遮断領域１７において分断されている。すなわち、水分遮断領域１７には、平坦化膜５１が分断された分断溝５１ｄが形成されている。層間絶縁膜５３は、平坦化膜５１の分断溝５１ｄ内を覆っている。

【0016】

層間絶縁膜５３上には画素電極６１（例えば陽極）が形成されている。画素電極６１は、平坦化膜５１と層間絶縁膜５３とを貫通してソース電極４７に接続されている。画素電極６１は、複数の単位画素のそれぞれに対応するように個別に設けられている。本実施形態では、表示パネル１０はトップエミッション型であり、画素電極６１は反射電極として形成されている。また、周辺領域１１には端子６７，６８が形成されており、平坦化膜５１と層間絶縁膜５３とを貫通して引き出し配線４９の両方の端部にそれぞれ接続されている。画素電極６１及び端子６７，６８は、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ等を含む導電性材料で形成されている。

【0017】

画素電極６１は画素分離膜５５によって覆われている。画素分離膜５５はリブ又はバンクとも呼ばれる。画素分離膜５５には、画素電極６１が底に露出する開口５５ａが形成されている。開口５５ａを形成する画素分離膜５５の内縁部分は画素電極６１の周縁部分に載っており、画素分離膜５５は、断面視で底部から上方に向かうに従って幅が細くなる順テーパー形状を有している。なお、画素分離膜５５は、周辺領域１１のうちの表示領域１５との境界近傍に形成されるが、その他の部分には形成されない。画素分離膜５５は、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されている。

【0018】

画素分離膜５５は、水分遮断領域１７において分断されている。すなわち、水分遮断領域１７には、画素分離膜５５が分断された分断溝５５ｄが形成されている。画素分離膜５５の分断溝５５ｄは、平坦化膜５１の分断溝５１ｄと平面視で重なるように形成されている。

【0019】

画素分離膜５５の開口５５ａの底に露出した画素電極６１上には、発光層６３が互いに離れて個別に形成されている。発光層６３は、複数の単位画素のそれぞれに対応して例えば赤、緑及び青からなる複数色で発光する。発光層６３とともに、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子輸送層の少なくとも一層が形成されてもよい。発光層６３はマスクを用いて個別に蒸着形成される。発光層６３は、表示領域１５の全体に広がる一様な膜（いわゆるベタ膜）として蒸着形成されてもよく、その場合、発光層６３は単色で発光し、カラーフィルタや色変換層によって例えば赤、緑及び青からなる複数色のそれぞれの成分が取り出される。なお、発光層６３は蒸着形成に限らず、塗布形成されてもよい。

【0020】

発光層６３及び画素分離膜５５は対向電極６５（例えば陰極）によって覆われている。対向電極６５は、表示領域１５の全体に広がる一様な膜（いわゆるベタ膜）として形成されている。発光層６３並びに発光層６３を挟む画素電極６１及び対向電極６５によって発光素子６０が構成され、発光層６３は画素電極６１と対向電極６５との間を流れる電流によって発光する。対向電極６５は、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ等の透明導電材料又はＭｇＡｇ等の金属薄膜で形成される。

【0021】

画素分離膜５５及び対向電極６５は、封止膜（パシベーション膜）７０によって覆われることで封止され、水分から遮断される。封止膜７０は、例えば無機膜７１、有機膜７３及び無機膜７５を下からこの順に含む三層積層構造を有している。無機膜７１，７５は、例えばＳｉＯ_２又はＳｉＮ等の無機絶縁材料で形成されている。有機膜７３は、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されており、封止膜７０の上面を平坦化させる。

【0022】

封止膜７０の有機膜７３の外縁は、水分遮断領域１７よりも内側に位置している。無機膜７１，７５の外縁は、水分遮断領域１７よりも外側、さらには画素分離膜５５の外縁よりも外側に位置しており、層間絶縁膜５３に接している。

【0023】

無機膜７１，７５は、平坦化膜５１及び画素分離膜５５の分断溝５１ｄ，５５ｄ内を覆っている。具体的には、無機膜７１，７５は、平坦化膜５１の分断溝５１ｄ内を覆う層間絶縁膜５３を覆うとともに、画素分離膜５５の分断溝５５ｄ内を覆う。これにより、封止膜７０下においては、有機材料を含む膜は水分遮断領域１７を跨いでいない、言い換えると、水分遮断領域１７を跨ぐ膜は有機材料を含んでいない。

【0024】

表示装置１は、封止膜７０上にタッチセンサ２０を有している。封止膜７０上には、２次元的に配列された複数の第１電極２１と複数の第２電極２２とが形成されている。第１電極２１と第２電極２２とは、静電容量方式タッチセンサの駆動電極と検出電極とを構成する。本実施形態では、第１電極２１及び第２電極２２は層間絶縁膜８３によって覆われている。層間絶縁膜８３は、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料、又はＳｉＯ_２又はＳｉＮ等の無機絶縁材料で形成されている。ただし、詳しくは後述するが、当該層間絶縁膜８３により水分遮断領域１７に形成された分断溝５１ｄを埋め、平坦化する必要があるため、それに好適な材料が選択されるのが好ましい。

【0025】

図１及び図２に示されるように、第１電極２１と第２電極２２のそれぞれは、Ｘ方向（第１方向）とこれに交差（例えば直交）するＹ方向（第２方向）とを対角方向とする矩形状、いわゆる菱形状（ダイヤモンド形状）で形成されている。また、第１電極２１と第２電極２２のそれぞれは、例えばＩＴＯ等の透明導電材料で形成されている。これに限られず、第１電極２１と第２電極２２とは、金属等の導電性材料からなる網目状配線（メッシュ配線）で、導電性材料が平面的に見て発光素子６０の発光領域と重ならないように形成されてもよい。

【0026】

複数の第１電極２１はＸ方向とＹ方向とにそれぞれ並んで２次元的に配列されている。これらの第１電極２１のうち、Ｘ方向に隣り合う第１電極２１は第１接続線２３を介して接続されており、Ｙ方向に隣り合う第１電極２１は接続されていない。すなわち、複数の第１電極２１は、Ｘ方向に隣り合う第１電極２１が第１接続線２３を介して接続されることでＸ方向に延びる複数の電極列をそれぞれ形成しており、それぞれの電極列はＹ方向には電気的に分離されている。

【0027】

複数の第２電極２２もＸ方向とＹ方向とにそれぞれ並んで２次元的に配列されている。これらの第２電極２２のうち、Ｙ方向に隣り合う第２電極２２は第１接続線２３と平面視で交差する第２接続線２４を介して接続されており、Ｘ方向に隣り合う第２電極２２は接続されていない。すなわち、複数の第２電極２２は、Ｙ方向に隣り合う第２電極２２が第２接続線２４を介して接続されることでＹ方向に延びる複数の電極列を形成しており、それぞれの電極列はＸ方向には電気的に分離されている。

【0028】

それぞれの第２電極２２は、平面視で第１電極２１に囲まれるよう配置されている。例えば、それぞれの第２電極２２は、Ｘ方向とＹ方向の両方に交差する方向（例えば４５度又は−４５度の方向）に隣り合う第１電極２１の間に配置されており、４つの第１電極２１に囲まれている。第１電極２１と第２電極２２とは、互いに接触しないように間隔を空けることで電気的に分離されている。

【0029】

本実施形態では、複数の第１電極２１と複数の第２電極２２とは、封止膜７０と層間絶縁膜８３との間の同層に配置されているが、これに限られず、互いに異なる層に配置されてもよい。すなわち、第１電極２１と第２電極２２との一方が層間絶縁膜８３下に配置され、他方が層間絶縁膜８３上に配置されてもよい。また、第１電極２１と第２電極２２との両方が層間絶縁膜８３上に配置されてもよい。

【0030】

第１接続線２３と第２接続線２４とは平面視で交差している。平面視で交差する第１接続線２３と第２接続線２４との間には層間絶縁膜８３が介在しており、両者は電気的に分離されている。以下、層間絶縁膜８３のうち、第１接続線２３と第２接続線２４との間に介在する部分を「介在部８３１」という。

【0031】

本実施形態では、第１接続線２３が、層間絶縁膜８３上に配置されたいわゆるブリッジ配線である。第１接続線２３は、層間絶縁膜８３に形成されたスルーホールを通じて第１電極２１に接続されている。第１接続線２３は、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ等を含む導電性材料で形成されている。一方、第２接続線２４は、層間絶縁膜８３下で第２電極２２と連続的に形成されている。

【0032】

これに限られず、第２接続線２４が層間絶縁膜８３上にブリッジ配線として配置され、第１接続線２３が層間絶縁膜８３下で第１電極２１と連続的に形成されてもよい。また、第１接続線２３がブリッジ配線として第２接続線２４と交差する交差部と、第２接続線２４がブリッジ配線として第１接続線２３と交差する交差部とが混在していてもよい。

【0033】

本実施形態では、層間絶縁膜８３は、封止膜７０の無機膜７１，７５に覆われた分断溝５１ｄ，５５ｄを埋めている。以下、層間絶縁膜８３のうち、分断溝５１ｄ，５５ｄを埋める部分を「溝埋部８３３」という。このように溝埋部８３３が分断溝５１ｄ，５５ｄを埋めることにより、溝埋部８３３の上面は、無機膜７１，７５に覆われた分断溝５１ｄ，５５ｄの上面よりも平坦化される。

【0034】

また、本実施形態では、層間絶縁膜８３は、表示領域１５の全体に広がる一様な膜（いわゆるベタ膜）として形成されており、第１接続線２３と第２接続線２４との間に介在する介在部８３１と、分断溝５１ｄ，５５ｄを埋める溝埋部８３３とが連続して形成されている。層間絶縁膜８３の上面は、溝埋部８３３が設けられた周縁部においてなだらかに傾斜している。

【0035】

溝埋部８３３は、水分遮断領域１７の全体を含むように形成されている。層間絶縁膜８３の外縁は、水分遮断領域１７の外縁と揃えられてもよいし、水分遮断領域１７よりも外側かつ画素分離膜５５の外縁よりも内側に位置してもよい。また、溝埋部８３３は、画素分離膜５５の外縁よりも外側に位置してもよい。

【0036】

タッチセンサ２０は、表示領域１５の周縁部から周辺領域１１に引き出された複数の引き出し配線２５を有している。引き出し配線２５は、層間絶縁膜８３上の第１接続線２３と同時期に同材料で形成される。それぞれの引き出し配線２５は、層間絶縁膜８３に形成された開口８３ａを通じて第１電極２１又は第２電極２２に接続されており、層間絶縁膜８３の周縁部に設けられた溝埋部８３３上を通る。

【0037】

図２に示すように、第２電極２２に接続される引き出し配線２５は、水分遮断領域１７を横切るようにＹ方向に延びる。第１電極２１に接続される一部の引き出し配線２５は、水分遮断領域１７を横切るようにＸ方向に延びた後、Ｘ方向からＹ方向に折れ曲がってＹ方向に延びる。また、第１電極２１に接続される他の一部の引き出し配線２５は、水分遮断領域１７でＸ方向からＹ方向に折れ曲がってＹ方向に延びる。

【0038】

溝埋部８３３上を通った引き出し配線２５は、溝埋部８３３上から封止膜７０の無機膜７１，７５上に移り、さらに、無機膜７１，７５上からその外側に無機膜７１，７５の外縁を跨いで延びる。無機膜７１，７５の外側に延びた引き出し配線２５は、周辺領域１１に埋め込まれた引き出し配線４９に接続された２つの端子６７，６８のうち、表示領域１５に近い端子６７（第１端子）に接続されている。

【0039】

一方、表示領域１５から離れた端子６８（第２端子）には、異方導電部材１３９を介してＦＰＣ１３が接続されている。また、周辺領域１１には発光素子６０に電気的に接続された不図示の端子（第３端子）も設けられており、この不図示の端子にも異方導電部材１３９を介してＦＰＣ１３が接続されている。この不図示の端子は、例えば薄膜トランジスタ４０及び集積回路チップ１２等を介して発光素子６０に電気的に接続されている。

【0040】

以上に説明した実施形態では、無機膜７１，７５に覆われた分断溝５１ｄ，５５ｄを層間絶縁膜８３の一部（溝埋部８３３）で埋めて、その上に引き出し配線２５を形成している。このため、分断溝５１ｄ，５５ｄを溝埋部８３３で埋めない場合と比べて、引き出し配線２５のためのプロセスマージンを確保することが可能である。

【0041】

すなわち、分断溝５１ｄ，５５ｄを溝埋部８３３で埋めない場合、分断溝５１ｄ，５５ｄ内を通るように引き出し配線２５を形成する必要があるが、分断溝５１ｄ，５５ｄ内に引き出し配線２５を形成すると、膜残りが発生して良好に形成できないおそれがある。これに対し、本実施形態では、分断溝５１ｄ，５５ｄを溝埋部８３３で埋めることで、溝埋部８３３の上面を分断溝５１ｄ，５５ｄよりも平坦化しているので、引き出し配線２５のためのプロセスマージンを確保し、プロセス尤度を向上させることが可能である。

【0042】

また、本実施形態では、層間絶縁膜８３の一部（溝埋部８３３）を利用して無機膜７１，７５に覆われた分断溝５１ｄ，５５ｄを埋めている。このため、例えば第１及び第２電極２１，２２下に平坦化のための絶縁膜を別途形成する場合と比べて、低コスト化を実現することが可能であり、さらには外部量子効率を向上させることが可能である。

【0043】

すなわち、平坦化のための絶縁膜を別途形成する場合、工程数の増加を避けられず高コスト化を招くおそれがある上、絶縁膜によって透過率が低下するため外部量子効率が低下するおそれがある。これに対し、本実施形態では、層間絶縁膜８３を利用して分断溝５１ｄ，５５ｄを埋めており、平坦化のための絶縁膜を別途形成していないので、低コスト化を実現するとともに、外部量子効率を向上させることが可能である。

【0044】

さらに、本実施形態では、ＦＰＣ１３は、タッチセンサ２０に電気的に接続された端子６８（第２端子）と、発光素子６０に電気的に接続された不図示の端子（第３端子）との両方に接続されている。このため、１枚のＦＰＣ１３によってタッチセンサ２０と発光素子６０との両方に外部から信号を供給することが可能である。

【0045】

なお、本実施形態では、水分遮断領域１７において平坦化膜５１と画素分離膜５５との両方に分断溝５１ｄ，５５ｄが形成されていたが、これに限らず、図５に示すように画素分離膜５５を水分遮断領域１７より内側に形成することで、分断溝５５ｄの形成を省略してもよい。この場合、水分遮断領域１７において平坦化膜５１のみに分断溝５１ｄが形成され、画素分離膜５５の外縁は平坦化膜５１の分断溝５１ｄより内側に位置する。

【0046】

図６は、他の実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の断面図である。図７は、図６における水分遮断領域１７及びその周辺を拡大した図である。本実施形態では、層間絶縁膜８３は、第１接続線２３と第２接続線２４とが平面視で交差するそれぞれの位置に分離して形成されており、第１電極２１及び第２電極２２を覆っていない。すなわち、第１接続線２３と第２接続線２４とが平面視で交差するそれぞれの位置に介在部８３１が分離して形成されている。また、介在部８３１と溝埋部８３３とも分離して形成されている。

【0047】

溝埋部８３３が分断溝５１ｄ，５５ｄを埋めることにより、溝埋部８３３の上面は、分断溝５１ｄ，５５ｄの周囲の無機膜７１，７５の上面に近づき、全体として平坦化される。溝埋部８３３の上面は、分断溝５１ｄ，５５ｄの周囲の無機膜７１，７５の上面と揃えられてもよいし、それより低くても高くてもよい。また、溝埋部８３３は、分断溝５１ｄ，５５ｄの内側のみに形成されてもよいし、分断溝５１ｄ，５５ｄの外側に食み出るように形成されてもよい。

【0048】

引き出し配線２５は、主に無機膜７１，７５上に形成されており、水分遮断領域１７では溝埋部８３３上を通る。具体的には、引き出し配線２５は、第１電極２１又は第２電極２２上から無機膜７１，７５上に移り、無機膜７１，７５上から溝埋部８３３上に移り、溝埋部８３３上から再び無機膜７１，７５上に移る。そして、引き出し配線２５は、無機膜７１，７５上からその外側に無機膜７１，７５の外縁を跨いで延びて、端子６７（第１端子）に接続されている。

【0049】

以上に説明した実施形態においても、引き出し配線２５のためのプロセスマージンを確保することが可能であり、低コスト化を実現することが可能である。特に、層間絶縁膜８３の介在部８３１と溝埋部８３３とを分離して、溝埋部８３３を分断溝５１ｄ，５５ｄ内に限定的に形成することで、水分遮断領域１７及びその周辺の平坦度をより高めることが可能である。また、層間絶縁膜８３が１電極２１及び第２電極２２を覆わないことで、外部量子効率をより向上させることも可能である。

【0050】

図８〜図１１は、実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の製造工程例を示す図である。

【0051】

図８は、発光素子６０が完成した状態を示している。水分遮断領域１７には分断溝５１ｄ，５５ｄが形成されている。具体的には、平坦化膜５１に分断溝５１ｄが形成されており、この分断溝５１ｄ内は層間絶縁膜５３に覆われている。画素分離膜５５には、平坦化膜５１の分断溝５１ｄと重なるように分断溝５５ｄが形成されており、これにより、平坦化膜５１と画素分離膜５５との２層にわたる分断溝５１ｄ，５５ｄが形成されている。

【0052】

図９は、封止膜７０を形成する工程を示している。封止膜７０の有機膜７３は、水分遮断領域１７よりも内側に形成されている。封止膜７０の無機膜７１，７５は、水分遮断領域１７よりも外側、さらには画素分離膜５５の外縁よりも外側まで広がり、層間絶縁膜５３に接している。無機膜７１，７５は、水分遮断領域１７に形成された分断溝５１ｄ，５５ｄを覆っている。

【0053】

無機膜７１，７５は、例えばマスクを用いたＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)）により選択的に成長される。若しくは、無機膜７１，７５は、例えばＣＶＤによりを全面に形成された後、選択的に除去されてもよい。

【0054】

図１０は、タッチセンサ２０を形成する工程を示している。詳しくは、封止膜７０上に第１電極２１、第２電極２２及び第２接続線２４が形成され、その上に層間絶縁膜８３が形成され、その上に第１接続線２３及び引き出し配線２５が形成される。水分遮断領域１７に形成された分断溝５１ｄ，５５ｄは層間絶縁膜８３の一部である溝埋部８３３によって埋められ、引き出し配線２５は溝埋部８３３上を通るように形成される。

【0055】

図１１は、タッチセンサ２０を覆う保護膜８５等を形成する工程を示している。ここでは、タッチセンサ２０の全部、さらには引き出し配線２５及び端子６７を覆うように保護膜８５が形成される。保護膜８５は、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されている。保護膜８５上には円偏光フィルム８７が配置され、円偏光フィルム８７上にはカバーフィルム８９が配置される。また、保護膜８５に覆われない端子６８には、異方導電部材１３９を介してＦＰＣ１３が接続される。

【0056】

以上に説明した実施形態においては、タッチセンサ２０は、静電容量方式タッチセンサの駆動電極と検出電極とを構成する第１電極２１と第２電極２２とを備える場合を例示したが、タッチセンサ２０は、これらの電極に加えて、感圧機能を実現するための電極をさらに備えてもよい。

【0057】

本実施形態においては、開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。

【0058】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0059】

１ タッチセンサ内蔵表示装置、１０ 表示パネル、１１ 周辺領域、１２ 集積回路チップ、１３ ＦＰＣ、１５ 表示領域、１７ 水分遮断領域、２０ タッチセンサ、２１ 第１電極、２２ 第２電極、２３ 第１接続線、２４ 第２接続線、２５ 引き出し配線、３０ 基板、３１ アンダーコート層、３３ ゲート絶縁膜、３５ パシベーション膜、４０ 薄膜トランジスタ、４１ 半導体層、４３ ゲート電極、４５ ドレイン電極、４７ ソース電極、４９ 引き出し配線、５１ 平坦化膜、５１ｄ 分断溝、５３ 層間絶縁膜、５５ 画素分離膜、５５ｄ 分断溝、６０ 発光素子、６１ 画素電極、６３ 発光層、６５ 対向電極、６７，６８ 端子、７０ 封止膜、７１ 無機膜、７３ 有機膜、７５ 無機膜、８３ 層間絶縁膜、８３ａ 開口、８３１ 介在部、８３３ 溝埋部、８５ 保護膜、８７ 円偏光フィルム、８９ カバーフィルム、１３９ 異方導電部材。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】