(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための形態】
【0035】
以下、上記の目的を具体的に実現できる本発明の実施例を、添付の図面を参照して説明する。
【0036】
本発明に係る実施例の説明において、各構成要素(element)の「上(上部)又は下(下部)(on or under)」に形成されると記載される場合において、上(上部)又は下(下部)は、2つの構成要素が互いに直接(directly)接触したり、1つ以上の他の構成要素が前記2つの構成要素の間に配置されて(indirectly)形成されることを全て含む。また、「上(上部)又は下(下部)」と表現される場合、一つの構成要素を基準として上側方向のみならず、下側方向の意味も含むことができる。
【0037】
図2A及び
図2Bは、発光素子の一実施例の断面図である。
【0038】
図2A及び
図2Bは、一つの発光素子200の異なる方向での断面図を示している。
【0039】
図2Aに示された発光素子200は、基板210、発光構造物220、第1電流遮断層232、第2電流遮断層236、透光性導電層240、絶縁層250、第1電極260及び第2電極270を含んでなる。
【0040】
基板210は、半導体物質の成長に適した物質又はキャリアウエハで形成することができ、熱伝導性に優れた物質で形成することができ、伝導性基板又は絶縁性基板を含むことができる。例えば、サファイア(Al
2O
3)、SiO
2、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP、Ge、Ga
2O
3のうちの少なくとも1つを使用することができる。
【0041】
サファイアなどで基板210を形成し、基板210上にGaNやAlGaNなどを含む発光構造物220が配置されるとき、GaNやAlGaNとサファイアとの間の格子不整合(lattice mismatch)が非常に大きく、これらの間の熱膨張係数の差も非常に大きいため、結晶性を悪化させる転位(dislocation)、メルトバック(melt−back)、クラック(crack)、ピット(pit)、表面モルフォロジー(surface morphology)不良などが発生し得るため、AlNなどでバッファ層(図示せず)を形成することができる。
【0042】
基板210の表面には、図示のようにパターンが形成されて、発光構造物220から放出されて基板210に進む光を屈折させてもよい。
【0043】
発光構造物220は、第1導電型半導体層222、活性層224及び第2導電型半導体層226を含むことができる。
【0044】
第1導電型半導体層222は、III−V族、II−VI族などの化合物半導体物質で具現することができ、第1導電型ドーパントがドープされてもよい。第1導電型半導体層222は、Al
xIn
yGa
(1−x−y)N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体物質、AlGaN、GaN、InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPのいずれか1つ以上で形成されてもよい。
【0045】
第1導電型半導体層222がn型半導体層である場合、第1導電型ドーパントは、Si、Ge、Sn、Se、Teなどのようなn型ドーパントを含むことができる。第1導電型半導体層222は、単層または多層構造で形成されてもよいが、これに限定されない。
【0046】
活性層224は、第1導電型半導体層222と第2導電型半導体層226との間に配置され、単一井戸構造、多重井戸構造、単一量子井戸構造、多重量子井戸(MQW:Multi Quantum Well)構造、量子点構造または量子線構造のいずれか1つを含むことができる。
【0047】
活性層224は、III−V族元素の化合物半導体材料を用いて井戸層と障壁層、例えば、AlGaN/AlGaN、InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs、GaP(InGaP)/AlGaPのいずれか1つ以上のペア構造で形成されてもよいが、これに限定されない。
【0048】
井戸層は、障壁層のエネルギーバンドギャップよりも小さいエネルギーバンドギャップを有する物質で形成することができる。
【0049】
第2導電型半導体層226は半導体化合物で形成することができる。第2導電型半導体層226は、III−V族、II−VI族などの化合物半導体物質で具現することができ、第2導電型ドーパントがドープされてもよい。第2導電型半導体層226は、例えば、In
xAl
yGa
1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体物質、AlGaN、GaNAlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPのいずれか1つ以上で形成されてもよく、例えば、第2導電型半導体層226がAl
xGa
(1−x)Nからなることができる。
【0050】
第2導電型半導体層226がp型半導体層である場合、第2導電型ドーパントは、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどのようなp型ドーパントであってもよい。第2導電型半導体層226は、単層または多層構造で形成されてもよいが、これに限定されない。
【0051】
図示していないが、活性層224と第2導電型半導体層226との間には電子遮断層(Electron blocking layer)を配置することができる。電子遮断層は、超格子(superlattice)構造からなることができ、超格子は、例えば、第2導電型ドーパントでドープされたAlGaNが配置されてもよく、アルミニウムの組成比を異ならせたGaNが層(layer)をなして、複数個が互いに交互に配置されてもよい。
【0052】
第2導電型半導体層226上には、第1電流遮断層232と第2電流遮断層236が互いに離隔して配置され、第1電流遮断層232と第2電流遮断層236は、第2導電型半導体層226の一部の領域に選択的に配置され、絶縁性物質からなることができる。
【0053】
第2導電型半導体層226と第1電流遮断層232及び第2電流遮断層236の上には透光性導電層240を配置することができ、透光性導電層240はITO(Indium−Tin−Oxide)からなることができ、第2導電型半導体層226の電流スプレッディング(spreading)特性が良くないので、透光性導電層240が第2電極270から電流の供給を受けることができる。
【0054】
透光性導電層240は、一定の厚さt
1を有することができ、したがって、第1電流遮断層232と第2電流遮断層236に対応する領域での透光性導電層240の高さが、他の領域よりも高くなり得る。
【0055】
透光性導電層240上には絶縁層250を配置することができ、このとき、第2電流遮断層236の上部領域において透光性導電層240が露出するように、絶縁層250の一部がオープン(open)され得る。絶縁層250は酸化物や窒化物からなることができ、より詳細には、シリコン酸化物(SiO
2)層、酸化窒化物層、酸化アルミニウム層からなることができる。
【0056】
そして、絶縁層250は、上述したオープン領域以外では一定の厚さt
2に形成されて、第1電流遮断層232と対応する領域での絶縁層250の高さが、他の領域よりも高くなり得る。
【0057】
絶縁層250上には第1電極260と第2電極270が互いに離隔して配置され、第1電極260と第2電極270は、それぞれ第1電流遮断層232と第2電流遮断層236に対応する領域に配置され得る。
【0058】
第1電極260と透光性導電層240との間には絶縁層250が配置されるが、第2電極270と透光性導電層240は、上述した絶縁層250のオープン領域で直接接触することができる。
【0059】
図2Aは、発光素子200のA−A’方向の断面図であり、
図2Bは、発光素子200のB−B’方向の断面図である。
【0060】
基板210及び発光構造物220の構造は、
図2Aの発光素子200と同一であるが、B−B’方向には第1電流遮断層232が配置されていない点で異なる。
【0061】
第2導電型半導体層226上には第2電流遮断層236を配置し、第2導電型半導体層226及び第2電流遮断層236の上には透光性導電層240を配置することができる。
【0062】
透光性導電層240は、一定の厚さt
1を有することができ、したがって、第2電流遮断層236と対応する領域での透光性導電層240の高さが、他の領域よりも高くなり得る。
【0063】
透光性導電層240上には絶縁層250を配置することができ、絶縁層250は、一定の厚さt
2を有することができる。したがって、第2電流遮断層236と垂直方向に対応する領域での絶縁層250の高さが、他の領域よりも高くなり得る。
【0064】
そして、絶縁層250上には第2電極270が配置され、第2電極270は、第2電流遮断層236に垂直方向に対応して配置され得る。そして、
図2Aとは異なり、透光性導電層240と第2電極270は直接接触しない。
【0065】
そして、
図2Bにおいて、第1電極260の下部方向に貫通孔が形成されている。貫通孔は、絶縁層250から透過性導電層240、第2導電型半導体層226及び活性層224を貫通して第1導電型半導体層222の一部にまで形成され得る。
【0066】
そして、貫通孔の内部側壁には、絶縁層250が延びて配置され得る。貫通孔の上部には第1電極260が形成され、第1電極260は貫通孔の内部にまで延びて配置されて、貫通孔の底面で第1導電型半導体層222と第1電極260とが電気的に直接接触することができる。ここで、第1電極260における前記貫通孔の内部に配置された部分を貫通電極ということができる。
【0067】
図3A乃至
図3Pは、発光素子の製造方法の一実施例を示す図である。
【0068】
図3Aに示したように、基板210上に第1発光構造物220を成長させる。
【0069】
基板210は、上述したサファイアなどを使用することができ、図示していないが、発光構造物220の成長の前に、上述したバッファ層(図示せず)を成長させることができる。
【0070】
第1導電型半導体層222は、化学蒸着方法(CVD)、分子線エピタキシー(MBE)、スパッタリング、または水酸化物蒸気相エピタキシー(HVPE)などの方法で成長させることができる。第1導電型半導体層222の組成は、上述したものと同一であり、約1000℃の温度で、チャンバーにトリメチルガリウムガス(TMGa)、アンモニアガス(NH
3)、窒素ガス(N
2)、及びマグネシウム(Mg)のようなp型不純物を含むビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム(EtCp
2Mg){Mg(C
2H
5C
5H
4)
2}が注入されてp型GaN層が形成されてもよいが、これに限定されるものではない。
【0071】
そして、第1導電型半導体層222上に活性層224を成長させる。活性層224は、約700℃〜800℃の温度で、例えば、前記トリメチルガリウムガス(TMGa)、アンモニアガス(NH
3)、窒素ガス(N
2)、及びトリメチルインジウムガス(TMIn)が注入されて多重量子井戸構造が形成されてもよいが、これに限定されるものではない。
【0072】
そして、活性層224上に第2導電型半導体層226を成長させ、第2導電型半導体層226などの組成は、上述したものと同一であり得る。
【0073】
第2導電型半導体層226は、約500℃の温度でZnとO
2を供給して成長させるものの、n型ドーパントをドープすることができ、例えば、Si、Ge、Sn、Se、Teなどをドープすることができる。第2導電型半導体層226は、MOCVD法、PECVD法、またはスパッタリング法などで形成することができ、Al、Fe及びGaなどが添加されてもよい。
【0074】
そして、
図3B及び
図3Cに示したように、第2導電型半導体層226上に第1電流遮断層232及び第2電流遮断層236を成長させる。
【0075】
第1電流遮断層232及び第2電流遮断層236は絶縁性物質からなることができ、詳細には、DBR(distributed Bragg reflector)またはODR(omni−directional reflector)であってもよく、具体的な構成は後述する。
【0076】
第1電流遮断層232と第2電流遮断層236は、マスクを用いて選択的に形成されてもよく、または第2導電型半導体層226の全面積上に一つの電流遮断層が形成された後、選択的に除去されて第1電流遮断層232及び第2電流遮断層236が形成されてもよい。
【0077】
図3Bで第1電流遮断層232及び第2電流遮断層236の断面が示されており、第1電流遮断層232の幅d
1と第2電流遮断層236の幅d
2は互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。そして、第1電流遮断層232はパターンをなして形成され得、パターンをなす第1電流遮断層232の一つの部分(portion)の長さd
3は、それぞれの第1電流遮断層232の部分(portion)の間の離隔長さd
4よりも大きくてもよいが、必ずしもこれに限定されるものではない。ここで、それぞれの第1電流遮断層232の部分(portion)の間の離隔長さd
4は、貫通孔乃至貫通電極の長さであり得る。
【0078】
図3Cでは、
図3BのA−A’方向の断面が示されており、第1電流遮断層232の幅w
1と第2電流遮断層236の幅w
2は同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
【0079】
そして、
図3D乃至
図3Fに示したように、第1電流遮断層232及び第2電流遮断層236が形成された第2導電型半導体層226上に透光性導電層240を形成することができる。
【0081】
図3Eにおいて、第1電流遮断層232及び第2電流遮断層236の上に透光性導電層240が一定の厚さt
1で配置されて、第1電流遮断層232と第2電流遮断層236に対応する領域での透光性導電層240の高さが、他の領域での高さよりも高い。
【0082】
第2電流遮断層236は、互いに接続されて配置されるが、第1電流遮断層232は、
図3B及び
図3Dなどに示されたように、一定間隔離隔した複数個の部分(portion)からなることができる。そして、
図3Fに示したように、
図3DのB−B’方向の断面では、第2導電型半導体層226上に第2電流遮断層236が形成され、第1電流遮断層232は形成されていない。
【0083】
そして、
図3G及び
図3Hに示したように、透光性導電層240から第2導電型半導体層226と活性層224を貫通して第1導電型半導体層222の一部にまで貫通孔(through hole)を形成することができる。
【0084】
図3Gにおいて、貫通孔は、第1電流遮断層232の間の領域に形成され得る。
図3GのB−B’方向の断面図が
図3Hに示されており、このとき、
図3GのA−A’方向の断面図は、貫通孔が形成されないので、
図3Eと同一であり得る。
【0085】
そして、
図3I乃至
図3Kに示したように、透光性導電層240上に絶縁層250を形成することができる。
【0086】
図3Iにおいて、絶縁層250は、透光性導電層240上に一定の厚さに形成され得る。
図3Jに
図3IのA−A’方向の断面が示されており、透光性導電層240上に絶縁層250が一定の厚さt
2に形成されて、第1電流遮断層232と第2電流遮断層236に対応する領域での絶縁層250の高さが、他の領域よりも高くなり得る。
【0087】
図3Kに
図3IのB−B’方向の断面が示されており、貫通孔の内部側面に絶縁層250が延びて配置されるものの、貫通孔の底面で第1導電型半導体層222が露出している。
【0088】
図3J及び
図3Kから、貫通孔は、第1電流遮断層232と垂直方向には重ならず、水平方向には貫通孔と第1電流遮断層232が一直線方向に配置されて、貫通孔と第1電流遮断層232の水平方向の形状は、
図3Nの第1電極260の形状と似ていることがわかる。
【0089】
そして、
図3L及び
図3Mに示したように、第2電流遮断層236上で絶縁層250にオープン領域(open region)を形成する。ここで、上述したオープン領域は、
図3Lに示したように、貫通孔または貫通電極と水平方向に対向せずに互い違いに配置され得る。
【0090】
図3L及び後述する
図3Nなどにおいて、説明の便宜のため、オープン領域に対応して第2電流遮断層236を示していないが、実際にオープン領域の下部には透光性導電層240及び第2電流遮断層236が配置され得る。
【0091】
図3Lにおいて、一つのオープン領域の長さd
6と、それぞれのオープン領域の間で第2電流遮断層236が露出した長さd
5とは互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【0092】
図3Mは、
図3LのA−A’方向の断面図であり、第2電流遮断層236と垂直方向に対応する領域で絶縁層250がエッチングなどの方法で除去され、透光性導電層240が露出し得る。
図3LのB−B’方向の断面図は
図3Kと同一であり得る。
【0093】
そして、
図3Nに示したように、第1電極260と第2電極270を蒸着などの方法で配置する。第1電極260と第2電極270は、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、金(Au)のうちの少なくとも1つを含んで単層または多層構造で形成されてもよい。
【0094】
第1電極260は、第1ボンディングパッド262及び第1枝電極266からなることができ、第2電極270は、第2ボンディングパッド272及び第2枝電極276からなることができる。
【0095】
第1ボンディングパッド262と第2ボンディングパッド272は、それぞれ発光素子の第1縁領域と第2縁領域に配置されてワイヤがボンディングされてもよく、第1縁領域と第2縁領域は、
図3Nなどにおいて、互いに対向する角部上の領域であり得る。
【0096】
そして、
図3Nにおいて、第1枝電極266は、上述した貫通孔(貫通電極)及び第1電流遮断層232と垂直方向に重なる領域に配置され得る。
【0097】
第1電極260及び第2電極270は、上述した材料を用いて蒸着などの方法で形成することができ、第1電流遮断層232及び第2電流遮断層236にそれぞれ対応させて蒸着することができる。
【0098】
図3Nにおいて、第2枝電極276の一部は、第2電流遮断層236と垂直方向に重なるように配置することができる。
【0099】
図3O、
図3P及び
図3Qに、完成された発光素子のA−A’方向の断面図、B−B’方向の断面図及びC−C’方向の断面図がそれぞれ示されており、
図3Oと
図3Pは、
図2A及び
図2Bに示された発光素子200と同一である。
【0100】
実施例に係る発光素子200は、第2導電型半導体層226と第2電極270との間に、第2電流遮断層236と透光性導電層240と絶縁層250が配置され得、透光性導電層240がオープンされた領域では、第2導電型半導体層226と第2電極270との間に、第2電流遮断層236と透光性導電層240が配置され得る。
【0101】
そして、第1導電型半導体層222に対応する領域に形成された貫通孔を介して、第1電極260が第1導電型半導体層222と電気的に直接接触することができる。そして、貫通孔が形成されていない領域において、第1電流遮断層232上に透光性導電層240と絶縁層250と第1電極260が配置され得る。
【0102】
図3Qには、発光素子のC−C’方向の断面図が示されている。
図3Qで第1電極260の隣接領域の断面は
図3Pと似ており、第2電極270の隣接領域の断面は
図3Oと似ている。
【0103】
図4A乃至
図4Hは、発光素子の製造方法の他の実施例を示す図である。以下で本実施例に係る発光素子の製造方法を、上述した実施例と異なる点を中心に説明する。
【0104】
第1電流遮断層232と第2電流遮断層236が形成された第2導電型半導体層226上に透光性導電層240を形成することができ、
図4Aでは、A−A’方向の断面が示されており、
図4Bでは、B−B’方向の断面が示されている。
【0105】
図4Aにおいて、第1電流遮断層232及び第2電流遮断層236の上に透光性導電層240が厚さt
3で配置され、ここでの厚さt
3は、
図3Eでの厚さt
1と同一であってもよく、異なっていてもよい。そして、上述した実施例とは異なり、透光性導電層240の上部面が平坦に形成されることで、透光性導電層240の厚さが一定でなくてもよい。したがって、上述した厚さt
3は、透光性導電層240において第1電流遮断層232及び第2電流遮断層236が配置されていない領域での厚さであり得る。
【0106】
そして、透光性導電層240の厚さは、第1電流遮断層232及び第2電流遮断層236にそれぞれ垂直方向に対応する領域において最も薄くなり得る。
【0107】
そして、
図4Cに示したように、透光性導電層240から第2導電型半導体層226と活性層224を貫通して第1導電型半導体層222の一部にまで貫通孔を形成することができる。
【0108】
図4Cには、発光素子のB−B’方向の断面図が示されており、このとき、発光素子のA−A’方向の断面図には貫通孔が形成されていない。
【0109】
そして、
図4D及び
図4Eに示したように、透光性導電層240上に絶縁層250を形成することができる。
【0110】
図4Dには、発光素子のA−A’方向の断面が示されており、絶縁層250は、透光性導電層240上に一定の厚さt
4に形成することができ、ここでの厚さt
4は、上述した実施例における絶縁層250の厚さt
2と同一であってもよく、異なっていてもよい。
【0111】
図4Eには、発光素子のB−B’方向の断面が示されており、貫通孔の内部側面に絶縁層250が延びて配置されるものの、貫通孔の底面で第1導電型半導体層222が露出している。
【0112】
そして、
図4Fに示したように、第2電流遮断層236と対応する領域で絶縁層250にオープン領域を形成する。ここで、上述したオープン領域は、貫通孔または貫通電極と水平方向に対向せずに互い違いに配置され得る(
図3Lなど参照)。
【0113】
図4G及び
図4Hには、完成された発光素子のA−A’方向の断面図とB−B’方向の断面図がそれぞれ示されている。
【0114】
図4Gにおいて、絶縁層250の上述したオープン領域上に第2電極270が配置されて、第2電極270の底面は透光性導電層240と接触し、側面の一部は絶縁層250と接触することができ、第1電極260は、絶縁層250の表面に配置されて透光性導電層240と電気的に分離されている。
【0115】
図4Hにおいて、第2電極270は、絶縁層250の表面に配置されて透光性導電層240と電気的に分離されており、第1電極260は、貫通孔を介して第1導電型半導体層222と電気的に直接接触することができる。
【0116】
図5A及び
図5Bは、発光素子の電流遮断層の一実施例を示す図である。
【0117】
電流遮断層300aは、上述した第1電流遮断層232または第2電流遮断層236のうちの少なくとも1つであってもよい。電流遮断層300aは、DBR(distributed Bragg reflector)またはODR(omni−directional reflector)であってもよく、複数個の絶縁層が交互に配置されるとき、DBRであり得、絶縁層と導電層が交互に配置されるとき、ODRであり得る。ここで、上述した導電層は金属からなることができる。
【0118】
図5Aにおいて、電流遮断層300aは第1層310と第2層320が交互に配置され得る。第1層310と第2層320は絶縁性物質をそれぞれ含むことができ、一例として、それぞれTiO
2、SiO
2などを含むことができる。
【0119】
例えば、第1層310として、屈折率が2.4〜3.0であるTiO
2が使用され、第2層320として、屈折率が1.4〜1.45であるSiO
2が使用されてもよい。
【0120】
第1層310と第2層320は、上述した組み合わせ以外に、SiO
2、Si
xO
y、AlAs、GaAs、Al
xIn
yP、Ga
xIn
yPなどを含んで配置されてもよい。
【0121】
図5Bにおいて、電流遮断層300aは、第1層310、第2層320及び第3層330が交互に配置され得る。第1層310、第2層320及び第3層330は、GaN、GaP、SiO
2、RuO
2、Agなどを含むことができる。例えば、第1層310としてGaPが使用され、第2層320としてSiO
2が使用され、第3層330としてAgが使用されてもよく、このとき、電流遮断層300aはODRとして作用できる。
【0122】
上述した発光素子は、第1電流遮断層と第2電流遮断層がDBR又はODRなどの反射層として形成されることで、活性層から放出されて第1電極又は第2電極に進む光を反射することができ、したがって、上述した光が第1電極や第2電極で吸収されることを防止することができる。
【0123】
そして、
図2Aなどにおいて、発光素子のA−A’方向の断面で第1電流遮断層上に絶縁層が配置され、B−B’方向の断面で第2電流遮断層上に絶縁層が配置されており、このような構造は、特定の波長領域で光出力が減少することを防止することができる。
【0124】
図6A及び
図6Bは、実施例に係る発光素子の波長領域別光出力を示したシミュレーション結果及び測定結果を示す。
【0125】
図6A及び
図6Bにおいて、濃い線で表示された従来の発光素子は、約450nmの波長領域で光出力が急激に減少するが、淡い線で表示された発光素子はそうでないことがわかる。
【0126】
実施例に係る発光素子は、第1電極と第2電極が第1導電型半導体層と透光性導電層にそれぞれ貫通孔とオープン領域で接触するポイントコンタクト構造であり得、電流遮断層として、DBRまたはODRを使用している。貫通孔とオープン領域を除いた領域に絶縁層が配置されるので、上述したDBRまたはODRで反射された光、特に青色波長領域の光が絶縁層で吸収される程度が、従来よりも減少することができる。
【0127】
図7A及び
図7Bは、実施例に係る発光素子及び従来の発光素子から放出された光の波長分布と光出力をそれぞれ示した図である。
【0128】
図7Aにおいて、左側半円領域は、シリコン酸化物(SiO
2)で電流遮断層を形成した発光素子の波長分布を示した図であり、右側半円領域は、実施例に係るDBRで電流遮断層を形成した発光素子の波長分布を示した図である。
【0129】
図7Aの左側半円領域の発光素子の波長分布の平均は450.9nmであり、
図7Aの右側半円領域の発光素子の波長分布の平均は450.4nmであり、実施例に係る発光素子から放出される光の波長分布が、従来とあまり差がないことがわかる。
【0130】
図7Bにおいて、左側半円領域は、シリコン酸化物(SiO
2)で電流遮断層を形成した発光素子の光出力を示した図であり、右側半円領域は、実施例に係るDBRで電流遮断層を形成した発光素子の光出力を示した図である。
【0131】
図7Bの左側半円領域の発光素子の光出力は122.3mWであり、
図7Bの右側半円領域の発光素子の光出力は124.5mWであり、実施例に係る発光素子の光出力が、従来に比べて向上したことがわかる。
【0132】
図8は、上述した発光素子が配置された発光素子パッケージの一実施例を示す図である。
【0133】
実施例に係る発光素子パッケージ400は、キャビティを含むボディー410と、前記ボディー410に設置された第1リードフレーム(Lead Frame)421及び第2リードフレーム422と、前記ボディー410に設置され、前記第1リードフレーム421及び第2リードフレーム422と電気的に接続される上述した実施例に係る発光素子200と、前記キャビティに形成されたモールディング部460とを含む。
【0134】
ボディー410は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されてもよい。前記ボディー410が金属材質などの導電性物質からなると、図示していないが、前記ボディー410の表面に絶縁層がコーティングされて、前記第1、2リードフレーム421,422間の電気的短絡を防止することができる。パッケージボディー410にはキャビティが形成され、キャビティの底面に発光素子200が配置され得る。
【0135】
第1リードフレーム421及び第2リードフレーム422は互いに電気的に分離され、前記発光素子200に電流を供給する。また、第1リードフレーム421及び第2リードフレーム422は、発光素子200から発生した光を反射させて光効率を増加させることができ、発光素子200から発生した熱を外部に排出させることもできる。
【0136】
発光素子200は、上述した実施例によるものであってもよく、第1リードフレーム421と第2リードフレーム422にワイヤ440を介して電気的に接続可能である。
【0137】
発光素子200は、パッケージボディー410の底面に導電性ペースト(図示せず)などで固定されてもよく、前記モールディング部460は、前記発光素子200を包囲して保護することができ、モールディング部460内には蛍光体470が含まれることで、発光素子200から放出された第1波長領域の光によって蛍光体470が励起されて第2波長領域の光を放出することができる。
【0138】
発光素子パッケージ400は、上述した実施例に係る発光素子のうちの1つまたは複数個を搭載することができ、これに限定されない。
【0139】
上述した発光素子乃至発光素子パッケージは、照明システムの光源として使用することができ、一例として、映像表示装置のバックライトユニットと照明装置などの発光装置に使用することができる。
【0140】
映像表示装置のバックライトユニットに使用されるとき、エッジタイプのバックライトユニットに使用されるか、または直下タイプのバックライトユニットに使用されてもよく、照明装置に使用されるとき、灯器具やバルブタイプの光源として使用されてもよい。
【0141】
以上、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上で例示していない様々な変形及び応用が可能であるということが理解されるであろう。例えば、実施例に具体的に示した各構成要素は変形実施が可能である。そして、このような変形及び応用に係る差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならない。