特許第6827558号(P6827558)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6827558
(24)【登録日】2021年1月21日
(45)【発行日】2021年2月10日
(54)【発明の名称】磁気弾性型センサーアセンブリ
(51)【国際特許分類】
   G01L 5/13 20060101AFI20210128BHJP
   G01L 5/169 20200101ALI20210128BHJP
   G01L 1/12 20060101ALI20210128BHJP
【FI】
   G01L5/13
   G01L5/169
   G01L1/12
【請求項の数】14
【全頁数】28
(21)【出願番号】特願2019-552126(P2019-552126)
(86)(22)【出願日】2018年3月22日
(65)【公表番号】特表2020-511664(P2020-511664A)
(43)【公表日】2020年4月16日
(86)【国際出願番号】EP2018000105
(87)【国際公開番号】WO2018171937
(87)【国際公開日】20180927
【審査請求日】2019年11月15日
(31)【優先権主張番号】17162429.9
(32)【優先日】2017年3月22日
(33)【優先権主張国】EP
(73)【特許権者】
【識別番号】502173523
【氏名又は名称】メソッド・エレクトロニクス・マルタ・リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100067828
【弁理士】
【氏名又は名称】小谷 悦司
(74)【代理人】
【識別番号】100115381
【弁理士】
【氏名又は名称】小谷 昌崇
(74)【代理人】
【識別番号】100137143
【弁理士】
【氏名又は名称】玉串 幸久
(72)【発明者】
【氏名】ギーシブル ヨハネス
【審査官】 公文代 康祐
(56)【参考文献】
【文献】 特開平06−261603(JP,A)
【文献】 特開2014−206531(JP,A)
【文献】 実開昭57−168033(JP,U)
【文献】 米国特許出願公開第2010/0332049(US,A1)
【文献】 中国特許出願公開第101846566(CN,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
G01L 5/13
G01L 5/16−5/173
G01L 1/12
B60D 1/24
B60D 1/58
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
力検知用のセンサーアセンブリ(1)であって、第1及び第2貫通孔(3,4)を有する第1部分(2)と、第3及び第4貫通孔(6,7)を有する第2部分(5)を備え、前記第3及び第4貫通孔(6,7)は、前記第1及び第2貫通孔(3,4)に対応して配置され、前記センサーアセンブリ(1)は、第1ピン(8)と第2ピン(9)とをさらに備え、前記第1部分(2)を前記第2部分(5)に結合するように、前記第1ピン(8)は、前記第1及び第3貫通孔(3,6)を貫通するように配置されているとともに、前記第2ピン(9)は、前記第2及び第4貫通孔(4,7)を貫通するように配置され、前記第1及び第2のピン(8,9)が、前記ピンに作用する機械的応力が磁気弾性活性領域(10)に伝わるように、前記ピン(8,9)に直接または間接的に取り付けられるか、または前記ピン(8,9)の一部を形成する少なくとも1つの磁気弾性活性領域を含み、前記磁気弾性活性領域、作用する応力が増加するにつれて、分極領域の分極が次第に螺旋的に大きくなるように形成された磁気分極領域を含み、前記第1及び第2のピンは、前記磁気分極領域から発せられる応力誘発磁束に対応する信号を出力するための前記少なくとも1つの磁気弾性活性領域(10)の近くに配置された磁界センサー手段を備え、前記磁界センサー手段は、少なくとも1つの方向感知性磁界センサー(L)を備え、この磁界センサーは、少なくとも1つの方向のせん断力を決定するように構成され、前記少なくとも1つの方向感知性磁界センサー(L)は、前記第1部分(2)及び前記第2部分(5)により前記ピン(8,9)に伝わったせん断力の力成分を検出するように構成されており、前記少なくとも1つの方向感知性磁界センサー(L)、前記ピン(8,9)との間に所定の固定された空間的な協調を有するように配置され、前記少なくとも1つの方向感知性磁界センサー(L)を備えた前記ピン(8,9)少なくとも部分的に中空であり、前記少なくとも1つの方向感知性磁界センサー(L)前記ピンの内部に配置され
前記第1及び第2ピン(8,9)のうちの少なくとも1つは、前記第2部分(5)の長手方向によって規定された長手方向Xの力成分Fx1を検出するように構成された少なくとも1つのX方向感知性磁界センサー(L)及び前記長手方向Xに実質的に垂直で前記第1及び第2ピン(8,9)の少なくとも1つにおいて長手方向の横方向Yに垂直な垂直方向Zの力成分Fz1を検出するように構成された少なくとも1つのZ方向感知性磁界センサー(L)を備えている力検知用のセンサーアセンブリ(1)
【請求項2】
前記第1貫通孔(3)及び前記第3貫通孔(6)は、それらが前記第1ピン(8)にポジティブフィットした状態で前記第1ピンを囲むように構成される、請求項1に記載のセンサーアセンブリ。
【請求項3】
前記第2ピン(9)は、ポジティブフィットした状態で前記第2貫通孔(4)によって取り囲まれ、前記第4貫通孔(7)は、前記第2ピン(9)が前記第4貫通孔(7)の中で1つの追加的な移動の自由度を有するように構成される、請求項1又は2に記載のセンサーアセンブリ。
【請求項4】
前記少なくとも1つの追加的な自由度が、前記長手方向Xに延びる並進自由度を含む、請求項に記載のセンサーアセンブリ。
【請求項5】
前記第1及び/又は第2ピン(8,9)は、第1磁気弾性活性領域(21)と第2磁気弾性活性領域(22)とを含み、これら領域は、機械的応力が磁気弾性活性領域に伝わるように、前記ピン(8,9)に直接または間接的に取り付けられるか、又は前記ピン(8,9)の一部を形成し、各磁気弾性活性領域は磁気分極領域を備え、前記第1磁気弾性活性領域の磁気分極と前記第2磁気弾性活性領域の磁気分極は実質的に互いに反対であり、前記磁界センサー手段は、第1磁気分極領域から発せられる応力誘発磁束に対応する第1信号を出力するための前記第1磁気弾性活性領域(21)の近くに配置された少なくとも1つの方向感知性磁界センサー(Lx1,Lz1)を含み、前記磁センサー手段は、第2磁気分極領域から発せられる応力誘発磁束に対応する第2信号を出力するための前記第2磁気弾性活性領域(22)の近くに配置された少なくとも1つの第2の方向感知性磁界センサー(Lx2,Lz2)を備える、請求項1乃至4の何れか1項に記載のセンサーアセンブリ。
【請求項6】
前記第1及び/又は第2ピン(8,9)は
前記第1磁気弾性活性領域での長手方向Xにおける力成分Fx1を検出するように構成された少なくとも1つの第1のX方向感知性磁界センサー(Lx11,Lx12)、及び/又は、
前記第2磁気弾性活性領域での長手方向Xにおける力成分Fx2を検出するように構成された少なくとも1つの第2のX方向感知性磁界センサー(Lx21,Lx22)、及び/又は、
前記第1磁気弾性活性領域での垂直方向Zにおける力成分Fz1を検出する少なくとも1つの第1のZ方向感知性磁界センサー(Lz11,Lz12)、及び/又は、
前記第2磁気弾性活性領域での垂直方向Zにおける力成分Fz2を検出するように構成された少なくとも1つの第2のZ方向感知性磁界センサー(Lz21,Lz22)を備える、請求項に記載のセンサーアセンブリ。
【請求項7】
前記第1ピン(8)が、前記少なくとも1つの第1のZ方向感知性磁界センサー(Lz11)と前記少なくとも1つの第2のZ方向感知性磁界センサー(Lz21)とを備える、請求項に記載のセンサーアセンブリ。
【請求項8】
前記第1ピン(8)が、前記少なくとも1つの第1のX方向感知性磁界センサー(Lx11)と、前記少なくとも1つの第2のX方向感知性磁界センサー(Lx21)、を備え、前記第2ピン(9)が、前記少なくとも1つの第1のZ方向感知性磁界センサー(Lz12)と前記少なくとも1つの第2のZ方向感知性磁界センサー(Lz22)と、を備える、請求項7に記載のセンサーアセンブリ。
【請求項9】
記第2ピン(9)が、前記少なくとも1つの第1のX方向感知性磁界センサー(Lx12)と、前記少なくとも1つの第2のX方向感知性磁界センサー(Lx22)、を備える、請求項に記載のセンサーアセンブリ。
【請求項10】
前記第2部分(5)が、前記長手方向X及び前記垂直方向Zに延びる中央壁(13)を備え、前記第3及び第4貫通孔(6,7)が、前記中央壁(13)を貫通する、請求項1乃至9の何れか1項に記載のセンサーアセンブリ。
【請求項11】
前記第1及び/又は第2ピン(8,9)が、所定の位置で前記第1部分(2)に固定的に取り付けられている、請求項1乃至10の何れか1項に記載のセンサーアセンブリ。
【請求項12】
前記第1部分(2)は、支持ヨークであり前記支持ヨークは、2つ又は4つのヨーク脚部(11)を有し、これらのヨーク脚部(11)は、前記第1及び第2貫通孔(3,4)を備え、前記第2部分(5)が管状の形状を有し、前記第2部分(5)の側壁が前記第3及び第4貫通孔(6,7)を備えている、請求項1乃至11の何れか1項に記載のセンサーアセンブリ。
【請求項13】
記第1部分(2)は、支持ヨークであり前記支持ヨークは、2つ又は4つのヨーク脚部(11)を有し、これらのヨーク脚部(11)は、前記第1及び第2貫通孔(3,4)を備え、前記中央壁(13)は、前記第3及び第4貫通孔(6,7)を備え、前記第2部分(5)の側(14)は、前記第3及び第4貫通孔(6,7)よりも大きな貫通孔を含み、前記ヨーク脚部(11)の前記第1及び第2貫通孔(3,4)の当接面と前記中央壁の前記第3及び第4貫通孔(6,7)の当接面とによってせん断力が前記ピン(8,9)に導入される、請求項1に記載のセンサーアセンブリ。
【請求項14】
求項1乃至13の何れか1項に記載のセンサーアセンブリ(1)を備える牽引カップリング(100)であって、前記第1部分が、車のシャーシ(101)に取り付けられるように構成されたヒッチアセンブリであり、前記第2部分(5)が、前記牽引カップリングの牽引バー(102)を受け入れるように構成された牽引フックまたは受け入れチューブである、牽引カップリング(100)
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、一般に、負荷を測定するための磁界センサーの使用を含むシステムおよび方法に関する。特に、本発明は、磁気弾性型センサーアセンブリ、すなわち、磁気弾性活性領域を備えたセンサーアセンブリと、このセンサーアセンブリを組み込んだ牽引カップリングとに関する。さらに、本発明は、荷重ベクトルの方向を決定する方法に関する。
【背景技術】
【0002】
多くの使用ケースにおいて、負荷の検知にひずみゲージが使用される。しかしながら、ひずみゲージでは、負荷伝達要素を構造的に弱めることが必要になることがよくある。多くの場合、構造の安定性を損なうことなく荷重を測定する必要がある。
【0003】
これは、特に牽引カップリングに当てはまる。さらに、積載重量ゲージ(牽引カップリングの舌荷重の測定)、牽引積載重量シフト警告、危険なトレーラー負荷配分の警告、車両制限通知、自動トレーラーブレーキ制御(閉ループ)、トレーラータイヤパンク通知、チェックトレーラーブレーキ通知、閉ループブレーキ制御、車両シフト制御、エンジン制御、安定性制御等の、高性能な牽引カップリングに対する強い需要がある。上記の機能では、牽引カップリングの牽引荷重および/または舌荷重の測定が必要となる。
【0004】
牽引カップリング用の従来技術の荷重測定装置には、重大な欠点がある。例えば、測定および制御装置の複雑さ、センサーアセンブリのコストである。
【0005】
広く使用されているひずみゲージの代替として、磁気弾性効果を利用した非接触型センサーが開発された。これらは、さまざまな機械システムの回転シャフトでのトルク測定に頻繁に適用されている。米国特許第9347845号明細書は、そのような磁気弾性センサーを開示している。米国特許第9347845号明細書は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】米国特許第9347845号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明の目的は、機械的負荷を受ける部分を有するシステムにおける応力および歪みを効果的に測定するための改良された磁気弾性型センサーアセンブリを提供することである。本発明はまた、磁気弾性型センサーアセンブリに作用する負荷ベクトルの方向を決定する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0008】
一態様によれば、力検知のためのセンサーアセンブリは、第1及び第2貫通孔を有する第1部分を備えることができる。センサーアセンブリは、第3及び第4貫通孔を有する第2部分をさらに備えることができる。第3及び第4貫通孔は、第1及び第2貫通孔に対応して配置することができる。センサーアセンブリは、第1ピンと第2ピンをさらに備えることができる。第1部分を第2部分に結合するように、第1ピンは、第1及び第3貫通孔を貫通するように配置することができ、第2ピンは、第2及び第4貫通孔を貫通するように配置することができる。第1及び第2ピンのうちの少なくとも1つは、ピンへの機械的応力が磁気弾性活性領域に伝わるように、ピンに直接または間接的に取り付けられる又はピンの一部を形成することができる少なくとも1つの磁気弾性活性領域を含むことができる。磁気弾性活性領域は、加わる応力が増加するにつれて、磁気分極領域の分極が次第に大きくなる螺旋状に形成された、少なくとも1つの磁気分極領域を含むことができる。センサーアセンブリは、少なくとも1つの磁気弾性活性領域の近くに配置され得る磁界センサー手段をさらに備えることができる。磁界センサー手段は、磁気分極領域から発せられ得る応力誘発磁束に対応する信号を出力するように構成されてもよい。磁界センサー手段は、少なくとも1つの方向のせん断力を決定するように構成され得る少なくとも1つの方向感知性磁界センサーを備え得る。少なくとも1つの方向感知性磁界センサーは、特に、ピンとの間に所定の固定された空間的な協調を有するように配置されてもよく、このピンは少なくとも部分的に中空であってもよい。少なくとも1つの方向感知性磁界センサーは、このピンの内部に配置されてもよい。センサーアセンブリにより、機械的負荷によってピンに作用する応力が効果的に測定できる。本発明の態様によるセンサーアセンブリは、従来技術の解決策の欠点を克服する。特に、センサーアセンブリは、測定値に対してずれる傾向がなく、エラーが発生しにくい。
【0009】
別の態様によれば、センサーアセンブリの第1及び第2ピンのうちの少なくとも1つは、長手方向Xの力成分Fx1を検出するように構成され得る少なくとも1つのX方向感知性磁界センサー、及び/又は垂直方向Zの力成分Fz1を検出するように構成され得る少なくとも1つのZ方向感知性磁界センサーを備えることができる。長手方向Xは、第2部分の長手方向の延在方向によって定義することができる。垂直方向Zは、長手方向Xに実質的に垂直であり、かつ、少なくとも1つのピンの長手方向延在の横方向Yに実質的に垂直であり得る。
【0010】
別の態様によれば、センサーアセンブリの第1貫通孔及び第3貫通孔は、それらがポジティブフィットした状態で第1ピンを包囲するように構成することができる。ポジティブフィット方式の嵌合により、ピンが、第1及び第3貫通孔によって第1部分及び第2部分に実質的に固く固定されることが可能になる。これは、ピンが第1及び第3貫通孔内でほとんど遊びがなく、第1及び第3貫通孔内で遊びがある構成と比較して、力測定の精度が有利に向上することを意味している。
【0011】
別の態様によれば、センサーアセンブリの第2ピンは、ポジティブフィット方式で第2貫通孔に取り囲まれてもよく、第4貫通孔は、第2ピンが内部で1つの追加的な移動自由度を有するように構成されてもよい。追加的な移動自由度により、第2ピンは、追加的な動きの自由度の方向に作用するせん断力に対して鈍感になる。これは、せん断効果が第1ピンに排他的に発生するため、この方向に沿ったせん断力の決定を有利に簡素化できることを意味する。
【0012】
別の態様によれば、追加的な移動自由度は長手方向Xに沿って延在してもよい。追加的な移動自由度が長手方向Xに一致するため、この方向に沿ったせん断力の決定を有利に簡素化することができる。
【0013】
別の態様によれば、センサーアセンブリの第1及び/又は第2ピンは、第1磁気弾性活性領域及び第2磁気弾性活性領域を含むことができる。第1及び第2磁気弾性活性領域は、機械的応力が磁気弾性活性領域に伝わるように、ピンに直接または間接的に取り付けられるか、ピンの一部を形成してもよい。各磁気弾性活性領域は、磁気分極領域を含むことができる。特に、第1磁気弾性活性領域の磁気分極と第2磁気弾性活性領域の磁気分極は、互いに実質的に反対であり得る。磁界センサー手段は、第1磁気弾性活性領域の近くに配置され得る少なくとも1つの第1の方向感知性磁界センサーを備えることができる。磁界センサー手段は、第1磁気弾性活性領域から発せられ得る応力誘発磁束に対応する第1信号を出力するように構成され得る。磁界センサー手段は、第2磁気弾性活性領域の近くに配置され得る少なくとも1つの第2の方向感知性磁界センサーを備え得る。磁界センサー手段は、第2磁気弾性活性領域から発せられ得る応力誘発磁束に対応する第2信号を出力するように構成され得る。このようにして、せん断力は、2つの反対方向において有利に決定され、それにより、せん断力の決定の質が改善される。磁界センサーのこの「逆の」構成により、せん断方向を磁気弾性活性領域によって決定することができる。例えば、第1の方向感知性磁界センサー及び第2の方向感知性磁界センサーから取得される測定データが差分処理される場合には、方向は区別可能であり得る。
【0014】
信号の差分評価は、有利には信号を2倍にし、これは作用する応力に相関する。第1及び第2磁気弾性活性領域の分極は互いに反対であるため、理論的に可能な外部場が補償され得る。この実施形態によるセンサーアセンブリは、より感度が高く、エラーの影響を受けにくいかもしれない。
【0015】
別の態様によれば、センサーアセンブリの第1及び/又は第2ピンは、少なくとも1つの第1のX方向感知性磁界センサー及び/又は少なくとも1つの第2のX方向感知性磁界センサー及び/又は少なくとも1つのZ方向感知性磁界センサー及び/又は少なくとも1つの第2のZ方向感知性磁界センサーを含むことができる。少なくとも1つのX方向感知性磁界センサーは、第1磁気弾性活性領域での第2部分の長手方向Xにおける力成分Fx1を検出するように構成されてもよい。少なくとも1つの第2のX方向感知性磁界センサーは、第2磁気弾性活性領域での第2部分の長手方向Xにおける力成分Fx2を検出するように構成されてもよい。少なくとも1つのZ方向感知性磁界センサーは、第1磁気弾性活性領域での垂直方向Zにおける力成分Fz1を検出するように構成されてもよい。少なくとも1つの第2のZ方向感知性磁界センサーは、第2磁気弾性活性領域での垂直方向Zにおける力成分Fz2を検出するように構成されてもよい。有利には、せん断力は、互いに対して垂直に整列された異なる方向で決定され得る。
【0016】
別の態様によれば、センサーアセンブリの第1ピンは、少なくとも1つのZ方向感知性磁界センサーと少なくとも1つの第2のZ方向感知性磁界センサーとを備えてもよい。有利には、第1のピンは、Z方向に沿って作用するせん断力にのみ反応するように構成することができる。
【0017】
別の態様によれば、センサーアセンブリの第1ピンは、少なくとも1つの第2のX方向感知性磁界センサーと、少なくとも1つの第2のX方向感知性磁界センサーと、少なくとも1つの第1のZ方向感知性磁界センサーと、少なくとも1つの第2のZ方向感知性磁界センサーと、を備えることができ、センサーアセンブリの第2ピンは、少なくとも1つのZ方向感知性磁界センサーと、少なくとも1つの第2のZ方向磁界センサーとを備えることができる。有利には、第1ピンは、X方向に沿ったせん断効果のみに反応してせん断力評価を単純化するように構成することができ、垂直Z方向に沿ったせん断力は両方のピンに作用する。
【0018】
別の態様によれば、センサーアセンブリの第1ピンは、少なくとも1つの第1のX方向感知性磁界センサーと、少なくとも1つの第2のX方向感知性磁界センサーと、少なくとも1つの第1のZ方向感知性磁界センサーと、少なくとも1つの第2のZ方向感知性磁界センサーとを備えることができ、センサーアセンブリの第2ピンは、少なくとも1つの第1のX方向感知性磁界センサーと、少なくとも1つの第2のX方向感知性磁界センサーと、少なくとも1つの第1のZ方向感知性磁界センサーと、少なくとも1つの第2のZ方向感知性磁界センサーと、を備えることができる。このように、両方のピンは、長手方向Xに沿うせん断力だけでなく垂直方向Zにも沿ったせん断力にも敏感となる。第1及び第2ピンは、有利には、システムの異なる位置でせん断力の異なる成分を検出することができる。
【0019】
磁界センサー手段は、ピンに加えられる負荷の第1成分及び第2成分を決定するように構成されてもよい。特に、少なくとも1つの第1のX方向感知性磁界センサーと少なくとも1つの第2のX方向感知性磁界センサーは、センサーの第1のグループを形成し、少なくとも1つの第1のZ方向感知性磁界センサーと少なくとも1つの第2のZ方向感知性磁界センサーは、センサーの第2のグループを形成することができる。第1のグループのセンサーは、X軸に沿った方向の荷重成分の決定に適する。第2のグループのセンサーは、Z方向に沿って第1成分に実質的に垂直な荷重成分を検知する。結果として、ピンに加えられる応力又は力の方向および値は、この座標系の上記成分から決定され得る。
【0020】
別の態様によれば、センサーアセンブリの第2部分は、長手方向X及び垂直方向Zに延び得る中央壁を備えることができる。第3及び第4貫通孔も中央壁を貫通することができる。有利には、中央壁は、追加の作用点におけるせん断力を第1部分に効果的に影響させることを可能にする。
【0021】
別の態様によれば、センサーアセンブリの第1及び/又は第2ピンは、所定の方法で第1部分に固定的に取り付けられてもよい。第1及び/又は第2ピンは、有利には、6つの自由度すべてにおいて固定的に取り付けることができる。このように、ピンには第1部分の貫通孔の内側において遊びがないため、せん断力の決定が効果的に可能になる。
【0022】
別の態様によれば、センサーアセンブリの第1部分は、ヨーク状の形状を有することができる。第1部分のヨーク脚部は、第1及び第2貫通孔を備えることができる。センサーアセンブリの第2部分は、管状の形状を有することができる。第2部分の側壁は、第3及び第4貫通孔を備えることができる。方向感知性磁界センサーは、第1部分及び第2部分によってピンに導入されるせん断力の力成分を検出するように構成されてもよい。有利には、第1部分のヨーク状の形状と第2部分の管状の形状により、センサーアセンブリを2つの物体の細長いジョイント接続に実装することができる一方で、ピンが貫通孔内に配置されて両方の物体を接続する。
【0023】
別の態様によれば、センサーアセンブリの第1部分は、ヨーク状の形状を有することができる。第1部分のヨーク脚部は、第1及び第2貫通孔を備え得る。中央壁は、第3及び第4貫通孔を備え得る。方向感知性磁界センサーは、第1部分及び第2部分によってピンに導入されるせん断力の力成分を検出するように構成されてもよい。特に、第2部分の側壁は、第3及び第4貫通孔よりも大きい貫通孔を備えることができ、その結果、せん断力は、ヨーク脚部の第1及び第2貫通孔の当接面と中央壁の第3及び第4貫通孔の当接面とによってピンに導入され得る。当接面により、第1部分と第2部分との間の動力の伝達が有利な方法で行われることが可能になる。
【0024】
別の態様によれば、牽引カップリングは前記センサーアセンブリを備えることができ、第1部分は、車のシャーシに取り付けられるように構成され得るヒッチアセンブリであり、第2部分は、牽引カップリングの連結バーあるいはヒッチバーまたはボールマウントを受け入れるように構成され得る受け入れチューブであり得る。有利には、センサーアセンブリは、陸上を走るオンロード車両又はオフロード車両の一部であり得る自動車の牽引カップリングの力を検出するように構成される。
【0025】
別の態様によれば、センサーアセンブリの第1部分は、2つのヨーク脚部を有する支持ヨークであってもよい。ヨーク脚部は、互いに対応して整列し第1部分の第1及び第2貫通孔を代表する凹部を備えてもよい。
【0026】
別の態様によれば、センサーアセンブリの第1部分は、2つまたは4つのヨーク脚部を有する支持ヨークであってもよい。ヨーク脚部は、互いに対応して整列し第1部分の第1及び第2貫通孔を代表する凹部を備えてもよい。
【0027】
別の態様によれば、センサーアセンブリは、磁界センサー手段と第2部分との間の機械的連結又は接続を不要にする。これにより、この接続の機械的誤差に起因するエラーの原因が排除される。センサーアセンブリは、極端な動作条件下でも信頼できるように動作する。長期間での測定における測定値のずれが減少する。本発明の態様によるセンサーアセンブリは、例えば陸、海、鉄道又は空の輸送車両における油圧ユニットの一部であり得るほぼすべての管状部分に適用または統合され得るという点で汎用性がある。
【0028】
別の態様によれば、センサーアセンブリによって検出可能な力は、せん断応力に起因するせん断力に限定されず、センサーアセンブリの第1ピン及び/又は第2ピンの磁気弾性活性領域に作用する引張応力又は圧縮応力に起因してもよい。言い換えれば、せん断応力と垂直応力の両方が、磁気弾性活性領域から生じる磁気分極領域の分極の変化を引き起こし得る。この分極は、作用する力を決定するように構成された分極方向感知性の磁界センサーに向けて、応力誘発磁束に対応する信号を出力する磁界センサー手段によって検出可能であってもよい。その結果、磁気弾性活性領域は、すべての応力タイプに敏感になり得る。ピンが単一のタイプの応力のみにさらされる場合には、実施形態は特に適切であり得る。
【0029】
別の態様によれば、方向感知性磁界センサーは、ホール効果、磁気抵抗、磁気トランジスタ、磁気ダイオード、MAGFETフィールドセンサーまたはフラックスゲート磁力計のうちの1つであり得る。これらの態様は、本発明のすべての実施形態に有利に適用される。
【0030】
別の態様によれば、油圧ピストン、クレーン用途、自動車、およびせん断力を加えることができるボルト及びピンを組み込む他の様々な用途に、本発明の態様によるセンサーアセンブリを装備することができる。従来、ひずみゲージを使用したせん断力センサーは、適用される荷重を測定できるように十分な変形が生じるように意図的に弱くなるように設計されている。しかしながら、センサーアセンブリの磁気弾性活性領域は、弱い場所を有しないボルトを設計することを可能とし、大幅に高い過負荷能力を提供する。磁気弾性活性領域が一体化された荷重ピンは、ピン、ネジ、ボルトなどのせん断力を検出する可能性を提供する。
【0031】
別の態様によれば、負荷ベクトルの方向を決定する方法が提供される。前記方法内において、本発明の態様によるセンサーアセンブリが準備される。言い換えれば、第1及び第2貫通孔を有する第1部分を備え得るセンサーアセンブリが準備される。センサーアセンブリは、第3及び第4貫通孔を有する第2部分をさらに備え得る。第3及び第4貫通孔は、第1及び第2貫通孔に対応して配置することができる。センサーアセンブリは、第1ピンと第2ピンをさらに備え得る。第1部分を第2部分に結合するように、第1ピンは、第1及び第3貫通孔を貫通するように配置し、第2ピンは、第2及び第4貫通孔を貫通するように配置することができる。第1及び第2のピンのうちの少なくとも1つは、ピンへの機械的応力が磁気弾性活性領域に伝わるように、ピンに直接または間接的に取り付けられる又はピンの一部を形成する、少なくとも1つの磁気弾性活性領域を含むことができる。磁気弾性活性領域は、加えられた応力が増加するにつれて磁気分極領域の分極が次第に大きくなる螺旋状に形成された、少なくとも1つの磁気分極領域を含むことができる。センサーアセンブリは、少なくとも1つの磁気弾性活性領域の近くに配置され得る磁界センサー手段をさらに備えることができる。磁界センサー手段は、磁気分極領域から発せられ得る応力誘発磁束に対応する信号を出力するように構成されてもよい。磁界センサー手段は、少なくとも1つの方向のせん断力を決定するように構成され得る少なくとも1つの方向感知性磁界センサーを備え得る。少なくとも1つの方向感知性磁界センサーは、特に、ピンとの間に所定の固定された空間的協調を有するように配置されてもよく、このピンは少なくとも部分的に中空であってもよい。少なくとも1つの方向感知性磁界センサーは、このピンの内部に配置されてもよい。
【0032】
さらに、別の態様による方法内で、第1ピン及び第2ピンは負荷にさらされてもよい。少なくとも1つの方向感知性磁界センサーの測定データは、第2部分及び第1部分によって第1及び/又は第2ピン8、9に加えられるせん断応力及び/又は引張応力又は圧縮応力を決定するように処理されてもよい。
【0033】
特に、力Fの方向は、一方では測定データと、方向感知性磁界センサーと第1ピンと第2ピンと荷重点との間の所定の既知の空間的な協調から決定されてもよい。
【0034】
力Fは、第2部分5を介してセンサーアセンブリに加えられる。
【0035】
本発明の態様による磁気弾性活性領域を含むセンサーアセンブリに関して既に述べた同じまたは類似の利点は、負荷ベクトルの方向を決定する方法と同じ又は類似の方法に適用され、繰り返して説明しない。
【図面の簡単な説明】
【0036】
本発明のさらなる態様および特徴は、添付の図面を参照した本発明の好ましい実施形態の以下の説明から生じる。
図1】力検出用のセンサーアセンブリを含む牽引カップリングの簡略斜視図である。
図2】牽引カップリングの簡略化された分解図である。
図3】第2部分の簡略化された分解斜視図である。
図4】センサーアセンブリの簡略化された断面図である。
図5a】ピンの簡略化された断面図である。
図5b】ピンの別の簡略化された断面図である。
図6】力検出のためのセンサーアセンブリの簡略化された断面図である。
図7】センサーアセンブリの別の簡略化された断面図である。
図8】力検出のためのセンサーアセンブリの簡略化された断面図である。
図9】簡略化された第1荷重ケースを検出するセンサーアセンブリの簡略化された側面図である。
図10】簡略化された第2荷重ケースを検出するセンサーアセンブリの簡略化された上面図である。
図11】簡略化された第3荷重ケースを検出するセンサーアセンブリの簡略化された上面図である。
図12】荷重Fの垂直荷重成分Fzを検出するように構成されたセンサーアセンブリの簡略化された断面図である。
図13】荷重Fの垂直荷重成分Fz、横荷重成分Fy、および縦荷重成分Fxを検出するように構成されたセンサーアセンブリの簡略化された断面図である。
図14】荷重Fの垂直荷重成分Fz、横荷重成分Fy、および縦荷重成分Fxを検出するように構成されたセンサーアセンブリの簡略化された断面図である。
図15】荷重Fの垂直荷重成分Fz、横荷重成分Fy、および縦荷重成分Fxを検出するように構成されたセンサーアセンブリの簡略化された断面図である。
図16】荷重Fの垂直荷重成分Fz、横荷重成分Fy、および縦荷重成分Fxを検出するように構成されたセンサーアセンブリの簡略化された断面図である。
図17】力を検知するためのセンサーアセンブリを備えた牽引カップリングの簡略化された斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0037】
図1は、本発明の態様による力検知のためのセンサーアセンブリ1を備えた牽引カップリングの簡略化された斜視図である。図2は、牽引カップリングの簡略化された分解図である。
【0038】
力検知用のセンサーアセンブリ1は、第1貫通孔3及び第2貫通孔4を有する第1部分2(支持ヨーク)と、第3貫通孔6及び第4貫通孔7を有する第2部分5(受け入れチューブ)とを備えている。第3及び第4貫通孔6、7は、第1及び第2貫通孔3、4に対応して配置される。
【0039】
第2部分は、長手方向X、横方向Y及び垂直方向Zを有するデカルト座標系を規定する。長手方向Xは、第2部分の長手に延びる方向に延びる。横方向Yは、長手方向Xに垂直な方向で且つ水平面内に延びる。垂直方向Zは、長手方向Xおよび横方向Yに垂直な方向に延びる。
【0040】
センサーアセンブリ1は、第1ピン8及び第2ピン9をさらに備える。第1ピン8は、第1及び第3貫通孔3、6を貫通するように配置される。第2ピン9は、第2及び第4貫通孔4、7を貫通するように配置される。第1部分2は、第1及び第2ピン8、9を介して第2部分5に結合される。
【0041】
第1及び第2ピン8、9のうちの少なくとも1つは、ピン8、9の機械的応力が磁気弾性活性領域に伝わるように、ピン8、9に直接または間接的に取り付けられる又はピン8、9の一部を形成する、少なくとも1つの磁気弾性活性領域10(図4参照)を含む。
【0042】
磁気弾性活性領域10は、分極領域の分極が、印加された応力が増加するにつれて次第に大きくなる螺旋形状に形成された、少なくとも1つの磁気的に分極した領域を含む。
【0043】
少なくとも1つのピン8、9は、磁気分極領域から発せられる応力誘導磁束に対応する信号を出力するための、少なくとも1つの磁気弾性活性領域10の近くに配置された磁界センサー手段をさらに備える。
【0044】
磁界センサー手段は、少なくとも1つの方向感知性磁界センサーLを備える。少なくとも1つの方向感知性磁界センサーは、少なくとも1つの方向におけるせん断力の決定のために構成される。
【0045】
少なくとも1つの方向感知性磁界センサーLは、特に、それぞれのピン8、9との間に所定の固定された空間協調を有するように配置される。
【0046】
ピン8、9は、少なくとも部分的に中空である少なくとも1つの前記方向感知性磁界センサーLを備える。少なくとも1つの方向感知性磁界センサーLは、ピン8、9の内部に配置されている。
【0047】
第1貫通孔3及び第3貫通孔6は、これらがポジティブフィットした状態で第1ピン8を取り囲むように構成されている。言い換えると、第1ピン8は、第1及び第3貫通孔3,6を貫通しており、第1ピン8は、貫通孔の表面に当接することにより、少なくとも2つの回転自由度および少なくとも2つの並進自由度で支持される。
【0048】
第2ピン9は、ポジティブフィットした状態で第2貫通孔4に取り囲まれている。言い換えると、第2ピン9は第2貫通孔4を貫通しており、第2ピン9は、第2貫通孔4の表面に当接することにより、少なくとも2つの回転自由度及び少なくとも2つの並進自由度で支持されている。
【0049】
第4貫通孔7は、第2ピン9が第4貫通孔7内で(第3貫通孔6の第1ピン8と比較して)追加の移動自由度を有するように構成される。言い換えると、第2ピン9は、第4貫通孔7を貫通し、第2ピン9は、貫通孔の表面に当接することにより、少なくとも2つの回転自由度及び少なくとも1つの並進自由度で支持される。第4貫通孔7における第2ピン9の並進自由度の数は、第3貫通孔6における第1ピン8の並進自由度の数よりも1つ多い。
【0050】
追加の自由度は、長手方向Xに延びる並進自由度である。
【0051】
第1部分2は、ヨーク状の形状を有し、第1部分のヨーク脚部11は、第1貫通孔3及び第2貫通孔4を備える。
【0052】
第2部分5は、管状形状を有し、第2部分5の側壁及び/又は中央壁は、第3貫通孔6及び第4貫通孔7を備える。
【0053】
方向感知性磁界センサー(または複数の方向感知性磁界センサー)は、第1部分2と第2部分5とによってピン8,9に生じさせるせん断力の力成分を検出するように構成されている。
【0054】
第1及び/又は第2ピン8、9は、(6つの自由度すべてにおいて所定の方法で)第1部分2に固定的に取り付けられる。ボルト12は、ピン8、9を(ピンの取り付けフランジを介して)第1部分2のヨーク脚部11にねじ込ませる。
【0055】
第2部分5は、長手方向Xおよび垂直方向Zに延びる中央壁13を備え、第3貫通孔6及び第4貫通孔7は、中央壁13を貫通する。
【0056】
第1部分2はヨーク状の形状を有し、第1部分2のヨーク脚部11は第1及び第2貫通孔3、4を備え、中央壁は第3及び第4貫通孔6、7を備える。
【0057】
方向感知性磁界センサーLは、第1部分2及び第2部分5によってピン8、9に導入されるせん断力の力成分を検出するように構成される。
【0058】
第2部分5の側壁14は、第3及び第4貫通孔6、7よりも大きい貫通孔を側壁に備え、その結果、せん断力は、ヨーク脚部11の第1及び第2貫通孔3、4の当接面及び中央壁13の第3及び第4貫通孔6、7の当接面によってピン8、9に導入される。
【0059】
牽引カップリング100は、センサーアセンブリ1を備えている。第1部分2は、自動車のシャーシ101に取り付けられたヒッチアセンブリである。
【0060】
第2部分5は、牽引カップリング100の牽引用バー102(ヒッチバー、ボールマウント)を受け入れるように構成された受け入れチューブである。連結バー102は、部分的に第2部分5に挿入することができる。ピン103は、連結バー102を第2部分に固定する。
【0061】
図3は、第2部分の簡略化された分解図である。第2部分5は、長手方向Xに沿って延びる垂直中央壁を備えた管状(押出し)形状である。
【0062】
中央壁13は、第3貫通孔6と第4貫通孔7とを備えている。
【0063】
中央壁13は、第2部分5における対応するスリットに溶接することができる。これにより、中央壁14は第2部分5の一部を形成する。
【0064】
第2部分5は、連結バーのバリア99をさらに備える。連結バーのバリアは、中央壁13の当接面によって形成され得る。代替的に、連結バーのバリアは、管状の第2部分の内側に(実質的に半径方向に)延在する当接縁またはボルト/ピンによって形成され得る。連結バーのバリア99は、連結バーが第1及び第2ピン8、9に接触するのを防止する。
【0065】
図4は、センサーアセンブリの簡略化された断面図である。第1及び第2ピン8、9は、第1部分2の第1貫通孔3及び第2貫通孔4と、第2部分5の第3貫通孔6及び第4貫通孔7とを貫通する。
【0066】
第1及び/又は第2ピン8、9は、少なくとも部分的に中空のピンである。中空ピンは、前部カバー15と後部カバー17とによって封止される。後部カバー17は、ケーブルブッシュを備えており、供給および/または信号線17へのアクセスを可能にしている。
【0067】
ピン8、9は、複数の方向感知フィールドセンサーLを含む。プリント回路基板18は、方向感知フィールドセンサーLを支持する。
【0068】
ピン8、9は、(ピン8、9の中空シャフトと比較して)比較的低い透磁率の1つ以上のカラー19を含むことができる。1つ以上のカラー19の位置は、第1及び/又は第2部分における貫通孔3、4、6、7の位置に実質的に対応している。
【0069】
あるいは、1つ以上の貫通孔3、4、6、7は、(ピン8、9の中空シャフトと比較して)比較的低い透磁率のカラー/ブッシュ19を備えることができる。
【0070】
第1部分2と第2部分5は、第1部分2と第2部分5の間に隙間を設けるように構成することができる。この隙間は、(ピン8、9の中空シャフトと比較して)低い透磁率の材料を備えることができる。
【0071】
図5a、5bは、第1及び/又は第2のピン8、9の簡略化された断面の簡略図である。
【0072】
第1及び/又は第2ピン8、9は、第1磁気弾性活性領域21および第2磁気弾性活性領域22を備える。
【0073】
第1磁気弾性活性領域21は、ピン8、9に加えられる機械的(せん断)応力が少なくとも部分的に第1磁気弾性活性領域21に伝わるように、ピン8、9に直接または間接的に取り付けられるか、ピン8、9の一部を形成する。
【0074】
第2磁気弾性活性領域22は、ピン8、9に加えられる機械的(せん断)応力が少なくとも部分的に第2磁気弾性活性領域22に伝わるように、ピン8、9に直接または間接的に取り付けられるか、ピン8、9の一部を形成する。
【0075】
各磁気弾性活性領域は、磁気分極領域を含む。
【0076】
第1磁気弾性活性領域21の磁気分極と第2磁気弾性活性領域22の磁気分極は、互いに実質的に反対であり得る。
【0077】
磁界センサー手段は、第1磁気分極領域21から発せられる応力誘発磁束に対応する第1信号を出力するための、第1磁気弾性活性領域21の近くに配置された、少なくとも1つの第1方向感知性磁界センサーLx1、Lz1を備える。
【0078】
磁気センサー手段は、第2磁気分極領域22から発せられる応力誘発磁束に対応する第2信号を出力するための、第2磁気弾性活性領域22の近くに配置された、少なくとも1つの第2方向感知磁界センサーLx2、Lz2を備える。
【0079】
第1及び第2ピン8、9のうちの少なくとも1つは、少なくとも1つのX方向感知性磁界センサーLxを備え、X方向感応磁界センサーLxは、第2部分5の長手方向である長手方向Xの力の成分Fx1を検出するように構成される。
【0080】
第1及び第2ピン8、9のうちの少なくとも1つは、第1及び第2ピン8、9のうちの少なくとも1つにおいて長手方向の横方向Y及び長手方向Xに実質的に垂直である垂直方向Zの力成分Fz1を検出するように構成された少なくとも1つのZ方向感知性磁界センサーLzを備える。
【0081】
有利には、第1及び/又は第2ピン8、9は、第1磁気弾性活性領域21および第2磁気弾性活性領域22を含み、これら領域は、ピン8、9に作用する機械的応力が磁気弾性活性領域に伝わるように、それぞれのピン8、9に直接または間接的に取り付けられるか、またはその一部を形成する。
【0082】
各磁気弾性活性領域21、22は、磁気分極領域を含む。
【0083】
第1磁気弾性活性領域21の磁気分極と第2磁気弾性活性領域22の磁気分極は、実質的に互いに反対であり得る。
【0084】
磁界センサー手段は、第1磁気分極領域21から発せられる応力誘発磁束に対応する第1信号を出力するための、第1磁気弾性活性領域の近くに配置された、少なくとも1つの第1の方向感知性磁界センサーL1を備える。
【0085】
磁気センサー手段は、第2磁気分極領域22から発せられる応力誘発磁束に対応する第2信号を出力するための、第2磁気弾性活性領域22の近くに配置された、少なくとも1つの第2の方向感知性磁界センサーL2を備える。
【0086】
第1及び/又は第2ピン8、9は、第1磁気弾性活性領域21での長手方向Xにおける力成分Fx1を検出するように構成された、少なくとも1つのそれぞれの第1のX方向感知性磁界センサーLx11、Lx12を備える。
【0087】
第1及び/又は第2ピン8、9は、第2磁気弾性活性領域22での長手方向Xにおける力成分Fx2を検出するように構成された、少なくとも1つのそれぞれの第2のX方向感知性磁界センサーLx21、Lx22を備える。
【0088】
第1及び/又は第2ピン8、9は、第1磁気弾性活性領域21での垂直方向Zにおける力成分Fz1を検出するように構成された、少なくとも1つのそれぞれの第1のZ方向感知性磁界センサーLz11、Lz12を備える。
【0089】
第1及び/又は第2のピン8、9は、第2磁気弾性活性領域での垂直方向Zにおける力成分Fz2を検出するように構成された、少なくとも1つの第2のZ方向感知性磁界センサーLz21、Lz22を備える。
【0090】
センサー手段は、第1から第4の検知方向を有する少なくとも4つの磁界センサーLを備え、検知方向Sおよびシャフト軸A(図6および7を比較)は、少なくとも実質的に平行である。第1から第4の磁界センサーは、円周方向に互いの間に実質的に等しい距離を有するピンの円周に沿って配置される。
【0091】
少なくとも1つの磁気弾性活性領域は、それぞれのピンの円周に沿って突出し、前記領域は、磁気分極領域の磁区磁化が部材の円周方向となるように磁化されている。
【0092】
図6は、本発明の一実施形態によるセンサーアセンブリ1の簡略断面図である。センサーアセンブリ1は、ピン8、9を介して第2部分5に結合される第1部分2を備える。第1部分2は、左を向く第1せん断力FS1を受ける。第2部分5は、右向きの第2の反対せん断力FS2にさらされる。ピン8、9は、第1部分2と第2部分5との間の移行部に配置された磁気弾性活性領域21を含む。その結果、活性領域21は、せん断力FS1、FS2が増加すると、前記活性領域21の磁気分極領域から発せられる磁束を次第に大きくさせる螺旋形状のせん断力を受ける。ピン8、9のセンサー手段は、ピン8、9の内周に沿って配置された4つの方向感知性磁界センサーLx1、Lx2、Lz1、Lz2を含む。
【0093】
方向感知性磁界センサーLx1、Lx2、Lz1、Lz2の構成は、図7に示されるセンサーアセンブリ1の簡略化された断面を参照することにより、より詳細に説明される。断面は、シャフト軸Aに実質的に垂直になるように配置される。第1方向感知性センサーLx1及び第3方向感知性センサーLx2は、磁界センサーの第1グループを形成する。センサーの第2グループは、第2方向感知性センサーLz1と第4方向感知性センサーLz2とで構成される。第1センサーLx1の検知方向Sx1は、第3センサーLx2の第3検知方向Sx2とは180°反対である。これは、従来の記号を使用して図に示されている。第1検知方向Sx1は紙面の外側を向き、第3検知方向Sx2は紙面奥側を向く。センサーLx1、Lx2の第1グループと同様に、第2検知方向Sz1と第4検知方向Sz2は互いに180°反対である。第2及び第4センサーLz1、Lz2はそれに従って配置される。一般に知られている方向記号を使用して示されるように、第2感知方向Sz1は紙面外側を向き、第4感知方向Sz2は紙面奥側に向けられている。
【0094】
(第2検知方向Sz1を有する)第2センサーLz1及び(第4検知方向Sz2を有する)第4センサーLz2は、図7の簡略化された断面に示されている。第1センサーLx1及び第1検知方向Sx1は、単にセンサーの構成を明確にするために図7の簡略化された断面に追加されている。当然、第1センサーLx1は、図7の断面に示されるように、第2及び第4センサーSz1、Sz2と共通の平面に配置されていない。
【0095】
ピン8、9が第1及び第2せん断応力FS1、FS2にさらされると、第1センサーグループ(第1及び第2センサーLx1、Lx2を含む)の信号が分析され、それぞれのせん断応力FS1、FS2を誘発する力Fの第1成分を決定する。デカルト座標系では、この第1成分は、加えられた力FのX成分Fxで識別される。第2グループのセンサー(すなわち、第2センサーLz1及び第4センサーLz2)の測定値の評価は、力Fの第2成分の値となる。同じ直交座標系内において、この第2力は力FのZ成分すなわち力成分Fzで識別される。
【0096】
図8は、本発明の別の実施形態による磁気弾性センサーアセンブリ2の断面図である。第1部分2は、力Fにさらされる第2部分5を取り囲んでいる。ピン8、9は、シャフト軸Aに沿って第1及び第2部分2、5と交差する。ピン8、9は、第1磁気弾性活性領域261及び第2磁気弾性活性領域262を備えている。本発明の他の実施形態と同様に、これらは、機械的応力が活性領域261、262に伝わるように、ピン8、9に直接または間接的に取り付けられるか、ピン8、9の一部を形成する。活性領域261、262は、反対方向に磁気分極されている。これは、第1活性領域261の第1分極P61及び第2活性領域262の第2分極P62によって示されている。磁気分極P61、P62は、互いに実質的に180°反対である。さらに、それらはシャフト軸Aに実質的に垂直である。
【0097】
第1センサーL1及び第2センサーL2を含む第1磁界センサー対は、ピン8、9の内側に配置され、このセンサー対は第1活性領域261と協働する。同様に、第1及び第2センサーL1*、L2*を備える第2磁界センサー対は、ピン8、9の内側に配置されて、第2活性領域262と相互作用する。第1対のセンサーL1、L2および第2対のセンサーL1*、L2*は、それぞれ、第1及びび第2磁気弾性活性領域261、262の近くに配置される。第1センサー対L1、L2は、第1信号Sを出力し、第1信号Sは、図8の左下において、負荷された力Fと共に変化する電圧Vとして示されている。信号Sは、第1磁気分極領域261から発する応力誘発磁束に対応する。
【0098】
同様に、第2磁気センサー対L1*、L2*は、第2磁気分極領域262から発する応力誘発磁束に対応する第2信号S*を出力する。信号S*は、やはり負荷されたFによって変化する電圧V*でもある(図8の右下を参照)。しかしながら、第2信号S*の勾配は、第1信号Sの勾配とは反対向きである。磁気弾性センサーアセンブリの制御ユニット(図示せず)は、ピン8、9において応力を誘発する力Fを決定するように構成されている。制御ユニットは、第1対のセンサーL1、L2及び第2対のセンサーL1*、L2*の信号S及びS*の差分評価を実行する。この差分評価は、加えられた応力と相関する信号の感度を有利に2倍にする。第1及び第2磁気活性領域261、262の分極261、262が互いに反対であるため、理論的に可能な外部場が補償される。この実施形態による磁気弾性センサーアセンブリは、より感度が高く、エラーの影響を受けにくい。
【0099】
有利なことに、本発明のすべての実施形態は、別個の反対に分極された活性領域261、262および2つの対応するセットすなわちセンサーL1、L2及びL1*、L2*の対を有する図8のセンサー構成を備えることができる。
【0100】
さらに、図8の実施形態は、図6および図7の荷重ピンから知られているセンサー構成を備えることができる。言い換えれば、センサー対L1、L2及びL1*、L2*は、図5に示されているように、4つのセンサー対Lx11/Lx12、Lx21/Lx22、Lz11/Lz12、Lz21/Lz22を有するセンサー構成に置き換えることができる。本発明のこの特定の実施形態によれば、追加の力ベクトルを決定することができる。
【0101】
図9は、簡略化された第1荷重を検出する場合のセンサーアセンブリ1の簡略化された側面図である。力Fは、垂直方向Zに垂直力成分Fzを有する。力Fは、第2部分5を介して、より正確には連結バー102のボールカップリング104を介してセンサーアセンブリに負荷される。
【0102】
力成分Fzを決定するには、次の方程式を解く必要がある。
(1)Fz*d1=Fz1*d2
(2)Fz*d3=Fz2*d2
(3)Fz=Fz1+Fz2
(4)d1=Fz1*d2/(Fz1+Fz2)
(5)d3=Fz2*d2/(Fz1+Fz2)
【0103】
F1は第1ピン8の反力であり、F2は第2ピン9の反力である。D2は、第1及び第2ピン8、9(の軸)との間の距離である。D1は、荷重点(ボールカップリング)と第2ピン(の軸)との間の距離である。D3は、荷重点と第1ピン(の軸)との間の距離である。
【0104】
図10は、簡略化された第2荷重を検出する場合のセンサーアセンブリの簡略化された上面図である。力は、第2部分5を介して、より正確には連結バー102のボールカップリング104を介して、センサーアセンブリ1に負荷される横方向Yにおける横力成分Fyを有する。
【0105】
第4貫通孔7は、長手方向Xにおける自由度を提供している。
【0106】
横方向の力成分Fyは、第1ピン8の第1磁気弾性活性領域21において長手方向Xに作用する第1反力Fx2と、第1ピン8の第2磁気弾性活性領域22において長手方向Xに作用する第2反力Fx1と、を生成する。
【0107】
力成分Fyを決定するには、次の方程式のセットを解く必要がある。
(6)Fy*d3=Fx1*d2
(7)Fy*d3=Fx2*d2
(8)Fx1=−Fx2
【0108】
図11は、簡略化された第3荷重を検出する場合のセンサーアセンブリの簡略化された上面図である。力は、第2部分5を介して、より正確には連結バー102のボールカップリング104を介して、センサーアセンブリ1に負荷される長手方向Xの長手方向力成分Fxを有する。
【0109】
第4貫通孔7は、長手方向Xにおける自由度を提供する。
【0110】
長手方向の力成分Fxは、第1ピン8の第1磁気弾性活性領域21において長手方向Xに作用する第1反力Fx2と、第1ピン8の第2磁気弾性活性領域22において長手方向Xに作用する第2反力Fx1と、を生成する。
【0111】
力成分Fxを決定するには、次の方程式を解く必要がある。
(9)Fx=Fx1+Fx2
【0112】
図12は、荷重Fの垂直荷重成分Fzを検出するように構成されたセンサーアセンブリの簡略断面図である。
【0113】
第1ピン8は、第1磁気弾性活性領域21および第2磁気弾性活性領域22を含む。これらの領域は、第1ピン8に加えられる機械的応力が磁気弾性活性領域21、22に伝わるように、第1ピン8に直接または間接的に取り付けられるか、第1ピン8の一部を形成する。
【0114】
各磁気弾性活性領域21、22は、磁気分極領域を含む。
【0115】
第1磁気弾性活性領域21の磁気分極と第2磁気弾性活性領域22の磁気分極は、実質的に互いに反対であり得る。
【0116】
磁界センサー手段は、第1磁気分極領域21から発せられる応力誘発磁束に対応する第1信号を出力するための、第1磁気弾性活性領域の近くに配置された少なくとも1つの第1の方向感知性磁界センサーLz11を備える。
【0117】
磁気センサー手段は、第2磁気分極領域22から発せられる応力誘発磁束に対応する第2信号を出力するための、第2磁気弾性活性領域22の近くに配置された少なくとも1つの第2の方向感知性磁界センサーLz21をさらに備える。
【0118】
第1ピン8は、第1磁気弾性活性領域21での垂直方向Zにおける力成分Fz1を検出するように構成された第1及び第3のZ方向感知性磁界センサーLz11、Lz12を備える。
【0119】
第1ピン8は、第2磁気弾性活性領域での垂直方向Zにおける力成分Fz2を検出するように構成された第2及び第4のZ方向感知性磁界センサーLz21、Lz22をさらに備える。
【0120】
第2ピン9は、裸のピンである。すなわち、第2ピンは、磁気弾性的に活性な領域も方向感知性磁界センサーも含まない。
【0121】
別の言い方をすれば、第1ピン8は、少なくとも1つの第1のZ方向感知性磁界センサーLz11と、少なくとも1つの第2のZ方向感知性磁界センサーLz21とを備える。
【0122】
第1及び第2ピン8、9は、第1部分2の第1及び第2貫通孔3、4内にしっかりと固定されている。
【0123】
第3及び第4貫通孔6、7は、第2部分5の当接面と第1及び第2ピン8、9との間に最小の隙間を提供することができる。
【0124】
図13は、荷重Fの垂直荷重成分Fz、横荷重成分Fy及び長手方向荷重成分Fxを検出するように構成されたセンサーアセンブリの簡略化された断面図である。
【0125】
第1ピン8は、第1磁気弾性活性領域21と第2磁気弾性活性領域22を含む。これらの磁気弾性活性領域は、第1ピン8に作用する機械的応力が磁気弾性活性領域21,22に伝わるように、第1ピン8に直接または間接的に取り付けられるか、又は第1ピンの一部を形成する。
【0126】
各磁気弾性活性領域21、22は、磁気分極領域を含む。
【0127】
第1磁気弾性活性領域21の磁気分極と第2磁気弾性活性領域22の磁気分極は、実質的に互いに反対であり得る。
【0128】
磁界センサー手段は、第1磁気分極領域21から発せられた応力誘発磁束に対応する第1信号及び第3信号を出力するための、第1磁気弾性活性領域に近接して配置された、少なくとも1つの第1及び第3の方向感知性磁界センサーLx11、Lz11を備える。
【0129】
磁気センサー手段は、第2磁気分極領域22から発せられた応力誘発磁束に対応する第2信号及び第4信号を出力するための、第2磁気弾性活性領域22の近くに配置された、少なくとも1つの第2及び第4の方向感知性磁界センサーLx21、Lz21をさらに備える。
【0130】
第1ピン8は、第1磁気弾性活性領域21での垂直方向Zにおける垂直力成分Fz11を検出するように構成された第1及び第3のZ方向感知性磁界センサーLz11、Lz12を備える。
【0131】
第1ピン8は、第2磁気弾性活性領域での垂直方向Zにおける垂直力成分Fz12を検出するように構成された第2及び第4のZ方向感知性磁界センサーLz21、Lz22をさらに備える。
【0132】
第1ピン8は、第1磁気弾性活性領域21での長手方向Xにおける長手方向力成分Fx2を検出するように構成された第1及び第3のX方向感知性磁界センサーLx11、L12を備える。
【0133】
第1ピン8は、第2磁気弾性活性領域での長手方向Xにおける長手方向力成分Fx1を検出するように構成された第2及び第4のX方向感知性磁界センサーLx21、Lx22をさらに備える。
【0134】
第2ピン9は、第1磁気弾性活性領域21での垂直方向Zにおける垂直力成分Fz21を検出するように構成された第1及び第3のZ方向感知性磁界センサーLz11、Lz12を備える。
【0135】
第2ピン9は、第2磁気弾性活性領域での垂直方向Zにおける垂直力成分Fz22を検出するように構成された第2及び第4のZ方向感知性磁界センサーLz21、Lz22をさらに備える。
【0136】
言い換えると、第1ピン8は、少なくとも1つの第1のX方向感知性磁界センサーLx11と、少なくとも1つの第2のX方向感知性磁界センサーLx21と、少なくとも1つの第1のZ方向感知性磁界センサーLz11と、少なくとも1つの第2のZ方向感知性磁界センサーLz21と、を備えている。第2ピン9は、少なくとも1つの第1のZ方向感知性磁界センサーLz11と、少なくとも1つの第2のZ方向感知性磁界センサーLz21と、を備えている。
【0137】
第1及び第2ピン8、9は、第1部分2の第1及び第2貫通孔3、4内にしっかりと固定されている。
【0138】
第3及び第4貫通孔6、7は、第2部分5の当接面と第1及び第2ピン8、9との間に最小の隙間を提供することができる。
【0139】
図14は、荷重Fの垂直荷重成分Fz、横荷重成分Fyおよび長手方向荷重成分Fxを検出するように構成されたセンサーアセンブリの簡略化された断面図である。
【0140】
第1ピン8は、第1磁気弾性活性領域21及び第2磁気弾性活性領域22を備え、これらの領域は、第1ピン8に作用する機械的応力が磁気弾性活性領域21、22に伝わるように、第1ピン8に直接または間接的に取り付けられるか、または第1ピン8の一部を形成する。
【0141】
各磁気弾性活性領域21、22は、磁気分極領域を含む。
【0142】
第1磁気弾性活性領域21の磁気分極と第2磁気弾性活性領域22の磁気分極は、実質的に互いに反対であり得る。
【0143】
磁界センサー手段は、第1磁気分極領域21から発せられた応力誘発磁束に対応する第1信号及び第3信号を出力するための、第1磁気弾性活性領域に近接して配置された、少なくとも1つの第1及び第3の方向感知性磁界センサーLx11、Lz11を備える。
【0144】
磁気センサー手段は、第2磁気分極領域22から発せられた応力誘発磁束に対応する第2信号及び第4信号を出力するための、第2磁気弾性活性領域22の近くに配置された、少なくとも1つの第2及び第4の方向感知性磁界センサーLx21、Lz21をさらに備える。
【0145】
第1ピン8は、第1磁気弾性活性領域21での垂直方向Zにおける垂直力成分Fz11を検出するように構成された第1及び第3のZ方向感知性磁界センサーLz11、Lz12を備える。
【0146】
第1ピン8は、第2磁気弾性活性領域での垂直方向Zにおける垂直力成分Fz12を検出するように構成された第2及び第4のZ方向感知性磁界センサーLz21、Lz22をさらに備える。
【0147】
第1ピン8は、第1磁気弾性活性領域21での長手方向Xにおける長手方向力成分Fx2を検出するように構成された第1及び第3のX方向感知性磁界センサーLx11、L12を備える。
【0148】
第1ピン8は、第2磁気弾性活性領域での長手方向Xにおける長手方向力成分Fx1を検出するように構成された第2及び第4のX方向感知性磁界センサーLx21、Lx22をさらに備える。
【0149】
第2ピン9は、第1磁気弾性活性領域21での垂直方向Zにおける垂直力成分Fz21を検出するように構成された第1及び第3のZ方向感知性磁界センサーLz11、Lz12を備える。
【0150】
第2ピン9は、第2の磁気弾性活性領域22での垂直方向Zにおける垂直力成分Fz22を検出するように構成された第2及び第4のZ方向感知性磁界センサーLz21、Lz22をさらに備える。
【0151】
第2ピン9は、第1磁気弾性活性領域21での長手方向Xにおける長手方向力成分Fx10を検出するように構成された第1及び第3のX方向感知性磁界センサーLx11、L12を備える。
【0152】
第2ピン9は、第2磁気弾性活性領域22での長手方向Xにおける長手方向力成分Fx20を検出するように構成された第2及び第4のX方向感知性磁界センサーLx21、Lx22をさらに備える。
【0153】
したがって、第2ピン9の構成は、第1ピン8の構成と実質的に同様である。
【0154】
言い換えると、第1ピン8は、少なくとも1つの第1のX方向感知性磁界センサーLx11と、少なくとも1つの第2のX方向感知性磁界センサーLx21と、少なくとも1つの第1のZ方向磁界センサーLz11と、少なくとも1つの第2のZ方向磁界センサーLz21と、を備える。第2ピンは、少なくとも1つの第1のX方向感知性磁界センサーLx11と、少なくとも1つの第2のX方向感知性磁界センサーLx21と、少なくとも1つの第1のZ方向磁界センサーLz11と、少なくとも1つの第2のZ方向磁界センサーLz21と、を備える。
【0155】
しかしながら、第1及び第2長手方向力成分Fx10、Fx20は比較的小さく(例えば、第4貫通孔7の当接面と第2ピン9との間の摩擦に起因する)または実質的にゼロである。これは、長手方向Xでの追加された並進自由度の直接的な結果であり、この自由度は、第2部分5の第4貫通孔7によって提供される。
【0156】
第1及びび第2ピン8、9は、第1部分2の第1及び第2貫通孔3、4内にしっかりと固定されている。
【0157】
第3及び第4貫通孔6、7は、第2部分5と第1及び第2ピン8、9の当接面との間に最小の隙間を提供することができる。
【0158】
図15は、荷重Fの垂直荷重成分Fz、横荷重成分Fy及び長手方向荷重成分Fxを検出するように構成されたセンサーアセンブリの簡略化された断面図である。
【0159】
第1ピン8は、第1磁気弾性活性領域21及び第2磁気弾性活性領域22を備え、これらの領域は、第1ピン8に作用する機械的応力が磁気弾性活性領域21、22に伝わるように第1ピン8に直接または間接的に取り付けられるか、又は第1ピン8の一部を形成する。
【0160】
各磁気弾性活性領域21、22は、磁気分極領域を含む。
【0161】
第1磁気弾性活性領域21の磁気分極と第2磁気弾性活性領域22の磁気分極は、実質的に互いに反対であり得る。
【0162】
磁界センサー手段は、第1磁気分極領域21から発せられた応力誘発磁束に対応する第1信号及び第3信号を出力するための、第1磁気弾性活性領域の近くに配置された、少なくとも1つの第1及び第3の方向感知性磁界センサーLx11、Lz11を備える。
【0163】
磁気センサー手段は、第2磁気分極領域22から発せられた応力誘発磁束に対応する第2信号及び第4信号を出力するための、第2磁気弾性活性領域22の近くに配置された、少なくとも1つの第2及び第4の方向感知性磁界センサーLx21、Lz21をさらに備える。
【0164】
第1ピン8は、第1磁気弾性活性領域21での垂直方向Zにおける垂直力成分Fz11を検出するように構成された第1及び第3のZ方向感知性磁界センサーLz11、Lz12を備える。
【0165】
第1ピン8は、第2磁気弾性活性領域での垂直方向Zにおける垂直力成分Fz12を検出するように構成された第2及び第4のZ方向感知性磁界センサーLz21、Lz22をさらに備える。
【0166】
第1ピン8は、第1磁気弾性活性領域21での長手方向Xにおける長手方向力成分Fx2を検出するように構成された第1及び第3のX方向感知性磁界センサーLx11、L12を備える。
【0167】
第1ピン8は、第2磁気弾性活性領域での長手方向Xにおける長手方向力成分Fx1を検出するように構成された第2及び第4のX方向感知性磁界センサーLx21、Lx22を備える。
【0168】
第2ピン9は、第1磁気弾性活性領域21での垂直方向Zにおける垂直力成分Fz21を検出するように構成された第1及び第3のZ方向感知性磁界センサーLz11、Lz12を備える。
【0169】
第2ピン9は、第2磁気弾性活性領域22での垂直方向Zにおける垂直力成分Fz22を検出するように構成された第2及び第4のZ方向感知性磁界センサーLz21、Lz22を備える。
【0170】
第2ピン9は、第1磁気弾性活性領域21での長手方向Xにおける長手方向力成分Fx22を検出するように構成された第1及び第3のX方向感知性磁界センサーLx11、L12を備える。
【0171】
第2ピン9は、第2磁気弾性活性領域22での長手方向Xにおける長手方向力成分Fx21を検出するように構成された第2及び第4のX方向感知性磁界センサーLx21、Lx22をさらに備える。
【0172】
したがって、第1ピン8の一般的な構成は、図14に示される第1ピンの構成と実質的に同様である。
【0173】
第2ピン9の一般的な構成は、第1ピン8の構成と実質的に同様である。
【0174】
第1及び第2ピン8、9は、第1部分2の第1及び第2貫通孔3、4内にしっかりと固定されている。
【0175】
第3及び第4貫通孔6、7は、第2部分5の当接面と第1及び第2ピン8、9との間に最小の隙間を提供することができる。オプションとして、第4貫通孔7は、第2ピン9が第3及び第4貫通孔7内にしっかりと固定されるように、最小の隙間を提供できないようにしてもよい。
【0176】
図16は、第1荷重ケース、第2荷重ケース及び第3荷重ケースを検出するように構成されたセンサーアセンブリの簡略化された断面図である。
【0177】
第1ピン8は、第1磁気弾性活性領域21及び第2磁気弾性活性領域22を含み、これら領域は、第1ピン8に作用する機械的応力が磁気弾性活性領域21、22に伝わるように、第1ピン8に直接または間接的に取り付けられ、または第1ピンの一部を形成する。
【0178】
各磁気弾性活性領域21、22は、磁気分極領域を含む。
【0179】
第1磁気弾性活性領域21の磁気分極と第2磁気弾性活性領域22の磁気分極とは、実質的に互いに反対であり得る。
【0180】
磁界センサー手段は、第1磁気分極領域21から発せられる応力誘発磁束に対応する第1信号を出力するための、第1磁気弾性活性領域の近くに配置された、少なくとも1つの第1の方向感知性磁界センサーLz11を備える。
【0181】
磁気センサー手段は、第2磁気分極領域22から発せられる応力誘発磁束に対応する第2信号及び第4信号を出力するための、第2磁気分極活性領域22の近くに配置された、少なくとも1つの第2の方向感知性磁界センサーLz21をさらに備える。
【0182】
第1ピン8は、第1ピン8の第1磁気弾性活性領域21での垂直方向Zにおける垂直力成分Fz11を検出するように構成された第1及び第3のZ方向感知性磁界センサーLz11、Lz12を備える。
【0183】
第1ピン8は、第1ピン8の第2磁気弾性活性領域での垂直方向Zにおける垂直力成分Fz12を検出するように構成された第2及びび第4のZ方向感知性磁界センサーLz21、Lz22をさらに備える。
【0184】
第1のピン8は、X方向感知性磁界センサーを備えていない。
【0185】
したがって、第1ピン8の一般的な構成は、図12に示す第1ピン8の一般的な構成と実質的に同様である。
【0186】
第2ピン9は、第1磁気弾性活性領域21での垂直方向Zにおける垂直力成分Fz21を検出するように構成された第1及び第3のZ方向感知性磁界センサーLz11、Lz12を備える。
【0187】
第2ピン9は、第2磁気弾性活性領域22での垂直方向Zにおける垂直力成分Fz22を検出するように構成された第2及び第4のZ方向感知性磁界センサーLz21、Lz22をさらに備える。
【0188】
第2ピン9は、第1磁気弾性活性領域21での長手方向Xにおける長手方向力成分Fx22を検出するように構成された第1及び第3のX方向感知性磁界センサーLx11、L12を備える。
【0189】
第2ピン9は、第2磁気弾性活性領域22での長手方向Xにおける長手方向力成分Fx21を検出するように構成された第2及び第4のX方向感知性磁界センサーLx21、Lx22をさらに備える。
【0190】
したがって、第2ピン9は、図15に示される第2ピン9の一般的な構成と実質的に同様の構成を一般的に有する。
【0191】
第1及び第2ピン8、9は、第1部分2の第1及び第2貫通孔3、4内にしっかりと固定されている。
【0192】
第3及び第4貫通孔6、7は、第2部分5の当接面と第1及び第2ピン8、9と間に最小の隙間を提供することができる。オプションとして、第4貫通孔7は、第2ピン9が第3及び第4貫通孔7内にしっかりと固定されるように、最小の隙間を提供しないようにすることができる。
【0193】
図17は、力Fを検知する(構成要素)センサーアセンブリを備える牽引カップリングの簡略斜視図である。力Fを検知するためのセンサーアセンブリ1は、第1及び第2貫通孔3、4を有する第1部分2(連結アセンブリ、支持ヨーク)を備える。
【0194】
センサーアセンブリ1は、第3及びび第4貫通孔6、7を有する第2部分5(トレーラーヒッチ、牽引フック)をさらに備える。第3及び第4貫通孔6、7は、第1及び第2貫通孔3、4に対応して配置される。
【0195】
センサーアセンブリ1は、第1ピン8及び第2ピン9をさらに備える。第1ピン8は、第1及び第3貫通孔3、6を貫通するように配置される。第2ピン9は、第2及び第4貫通孔4、7を貫通するように配置される。
【0196】
第1部分2は、第1及び第2ピン8、9を介して第2部分5に結合される。
【0197】
第1及び第2ピン8、9の少なくとも1つは、ピン8、9の機械的応力が磁気弾性活性領域に伝わるように、ピン8、9に直接または間接的に取り付けられる、またはピン8,9の一部を形成する、少なくとも1つの磁気弾性活性領域10を含む。
【0198】
磁気弾性活性領域10は、作用した応力が増加するにつれて、分極領域の分極が次第に大きくなる螺旋状に形状された、少なくとも1つの磁気分極領域を含む。
【0199】
少なくとも1つのピン8、9は、磁気分極領域から発せられる応力誘発磁束に対応する信号を出力するための、少なくとも1つの磁気弾性活性領域10の近くに配置された磁界センサー手段をさらに含む。
【0200】
磁界センサー手段は、少なくとも1つの方向のせん断力を決定するように構成された少なくとも1つの方向感知性磁界センサーLを備える。少なくとも1つの方向感知性磁界センサーLは、ピン8、9との間に所定の固定された空間的な協調を有するように配置される。
【0201】
少なくとも1つの方向感知性磁界センサーLを含むピン8、9は、少なくとも部分的に中空である。
【0202】
少なくとも1つの方向感知性磁界センサーLは、ピン8、9の内部に配置されている。
【0203】
第1及び第2ピン8、9は、実質的に垂直方向Zに沿って配置されている。ピン8、9は、横方向Yに延びている。長手方向は、垂直方向Zおよび横方向Yに垂直であり、デカルト座標系を規定する。それぞれの負荷成分を決定するために解かなければならない方程式系は、それに応じて変更する必要がある。
【0204】
(先行する実施形態に関して説明されている)本発明のさらなる特徴および態様は、この実施形態に適用され得る。
【0205】
センサーアセンブリ1は、牽引カップリング100の一部である。第1部分2は、自動車のシャーシに取り付けられるように構成されている。第2部分5は、トレーラーに結合するように構成されたボールヘッド104が設けられている。
【0206】
方向感知性のセンサーLはベクトルセンサーであってもよい。特に、ホール効果、磁気抵抗、磁気トランジスタ、磁気ダイオード、MAGFETフィールドセンサー又はフラックスゲート磁力計センサーを適用できる。これは、本発明のすべての実施形態に有利に適用される。
【0207】
本発明の態様による力感知用のセンサーアセンブリは、有利には、荷重検出牽引用カップリング、農業機器における荷重検出、及び/又は建設機器における荷重検出に適用可能である。
【0208】
開示された発明の特定の好ましい実施形態が本明細書に具体的に記載されているが、本発明が属する当業者には、本明細書に示され記載された様々な実施形態の変形および修正が本発明の精神および範囲から逸脱することなく付随され得ることが明らかであろう。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲および適用可能な法の規則によって要求される範囲に制限されることが意図されている。
図1
図2
図3
図4
図5a
図5b
図6
図7
図8
図9
図10
図11
図12
図13
図14
図15
図16
図17