特許6831814複数のイオン注入を用いた窒化ガリウム基板の製造方法

発明の名称　複数のイオン注入を用いた窒化ガリウム基板の製造方法

出願人　インダストリー−ユニバーシティー　コオペレーション　ファウンデーション　ハンヤン　ユニバーシティー　（識別番号 512268332）

　　　　特許公開件数ランキング 14110 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 11821 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6831814

公報発行日　2021年2月17

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6831814

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