特許第6834093号(P6834093)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6834093
(24)【登録日】2021年2月8日
(45)【発行日】2021年2月24日
(54)【発明の名称】高周波電力増幅器及び無線通信装置
(51)【国際特許分類】
   H03F 3/24 20060101AFI20210215BHJP
   H03F 1/32 20060101ALI20210215BHJP
   H03F 1/02 20060101ALI20210215BHJP
   H04B 1/04 20060101ALN20210215BHJP
【FI】
   H03F3/24
   H03F1/32
   H03F1/02
   !H04B1/04 R
【請求項の数】6
【全頁数】13
(21)【出願番号】特願2016-196641(P2016-196641)
(22)【出願日】2016年10月4日
(65)【公開番号】特開2018-61120(P2018-61120A)
(43)【公開日】2018年4月12日
【審査請求日】2019年10月2日
(73)【特許権者】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド.
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】龍華国際特許業務法人
(72)【発明者】
【氏名】村上 忠正
【審査官】 渡井 高広
(56)【参考文献】
【文献】 特開2016−111400(JP,A)
【文献】 特開2015−046858(JP,A)
【文献】 特開2005−026761(JP,A)
【文献】 特開2008−124559(JP,A)
【文献】 特開2005−101893(JP,A)
【文献】 国際公開第2001/059927(WO,A1)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H03F 3/24
H03F 1/02
H03F 1/32
H04B 1/04
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
所定の周波数の信号を増幅する第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタの出力を増幅する第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタの出力と前記第2のトランジスタの入力との間の接続点において一端がグランドに接続されるインダクタと、
前記接続点において一端がグランドに接続される第1の容量と、
前記第1のトランジスタの出力と前記接続点との間に設けられる第2の容量と、
を備え、
前記インダクタと前記第2の容量との組み合わせは、前記第1のトランジスタの出力に対して前記所定の周波数帯を含んだ第1の帯域を通過させて前記第2のトランジスタへ出力するハイパスフィルタとして作用し
前記インダクタと前記第1の容量との組み合わせは、前記第1のトランジスタの出力に対して前記所定の周波数帯を含んだ前記第1の帯域より低い帯域である第2の帯域を通過させて前記第2のトランジスタへ出力するローパスフィルタとして作用する、高周波電力増幅器。
【請求項2】
前記インダクタと前記第1の容量とは、前記周波数の2倍波周波数において共振する、請求項に記載の高周波電力増幅器。
【請求項3】
前記インダクタと前記第1の容量との間に追加の容量が備えられない、請求項またはに記載の高周波電力増幅器。
【請求項4】
前記第1のトランジスタは、GaAs基板上のヘテロ接合バイポーラトランジスタである、請求項1〜のいずれか一項に記載の高周波電力増幅器。
【請求項5】
前記第2のトランジスタは、GaAs基板上のヘテロ接合バイポーラトランジスタである、請求項1〜のいずれか一項に記載の高周波電力増幅器。
【請求項6】
請求項1〜のいずれか一項に記載の高周波電力増幅器を備える、無線通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、高周波電力増幅器及び無線通信装置に関する。
【背景技術】
【0002】
携帯電話やスマートフォン(Smartphone)、タブレット(Tablet)端末等に代表される携帯型の通信装置は、通信装置間で無線通信を実行する際に、中継装置となる基地局との間で定常的に通信を実行する。通常、通信装置は、基地局との距離に応じて高周波信号の送信電力及び受信感度を調整しながら通信を行う。
【0003】
そして、携帯型の通信装置の飛躍的な普及に伴って、マイクロ波(microwave)帯の高周波電力増幅器への需要が高まっている。このような高周波電力増幅器への需要の高まりに伴って、高周波電力増幅器に対する低電圧動作化、高効率化、小型・軽量化の要望が一段と強くなっている。低電圧動作化、高効率化、小型・軽量化の実現を目的とした技術としては、例えば非特許文献1がある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0004】
【非特許文献1】Esko A. JGvinen and Marko J. Alanen, GaAs HBT Class-E Amplifiers for 2-GHz Mobile Applications, 2005 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, Pages: 421-424
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
携帯型の通信装置に用いられる高周波電力増幅器は、回路を小型化するともに、内蔵電池の使用時間をより長くするために高い電力効率が求められる。しかし、非特許文献1で記載された技術を高周波電力増幅器に適用すると、回路の大型化が避けられなかったり、電力効率や線形性が劣化したりするという問題があった。
【0006】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、回路を小型化するともに電力効率や線形性を向上させることが可能な、新規かつ改良された高周波電力増幅器及び無線通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、所定の周波数の信号を増幅する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタの出力を増幅する第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタの出力に対して前記所定の周波数帯を含んだ第1の帯域を通過させて前記第2のトランジスタへ出力するハイパスフィルタと、前記第1のトランジスタの出力に対して前記所定の周波数帯を含んだ前記第1の帯域より低い帯域である第2の帯域を通過させて前記第2のトランジスタへ出力するローパスフィルタと、を備えることを特徴とする、高周波電力増幅器が提供される。
【0008】
前記ローパスフィルタは、前記第1のトランジスタの出力と前記第2のトランジスタの入力との間の接続点において一端がグランドに接続されるインダクタと、前記接続点において一端がグランドに接続される第1の容量と、を備えていてもよい。
【0009】
前記インダクタと前記第1の容量とは、前記周波数の2倍波周波数において共振してもよい。
【0010】
前記ハイパスフィルタは、前記インダクタと、前記第1のトランジスタの出力と前記接続点との間に設けられる第2の容量と、を備えていてもよい。
【0011】
前記第1のトランジスタは、GaAs基板上のヘテロ接合バイポーラトランジスタであってもよい。
【0012】
前記第2のトランジスタは、GaAs基板上のヘテロ接合バイポーラトランジスタであってもよい。
【0013】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、上記高周波電力増幅器を備える、無線通信装置が提供される。
【発明の効果】
【0014】
以上説明したように本発明によれば、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、回路を小型化するともに電力効率や線形性を向上させることが可能な、新規かつ改良された高周波電力増幅器及び無線通信装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
図1】スイッチングPAの回路構成例を示す説明図である。
図2A】ドライバアンプを設けた高周波電力増幅器の例を示す説明図である。
図2B】ドライバアンプを設けた高周波電力増幅器の例を示す説明図である。
図3】本発明の実施の形態に係る高周波電力増幅器100の構成例を示す説明図である。
図4】バイポーラトランジスタQ1のスイッチング動作を説明する説明図である。
図5】バイポーラトランジスタQ1のコレクタに流れる電流と、キャパシタC1に流れる電流との時間変化を示す説明図である。
図6】出力ICoutに発生する電圧波形を示す説明図である。
図7】バイポーラトランジスタQ1のベース電圧波形が変形する様子を示す説明図である。
図8】キャパシタCaddがある場合と、無い場合における、バイポーラトランジスタQ1のベース電圧波形と、バイポーラトランジスタQ1の電流波形と、出力ICoutの電圧波形を示す説明図である。
図9】キャパシタCaddがある場合と無い場合とにおける電力効率の比較例を示す説明図である。
図10】キャパシタCaddがある場合と無い場合とにおける隣接チャネル漏洩電力比(ACLR)の比較例を示す説明図である。
図11】キャパシタCaddの容量値を横軸に、キャパシタCaddがある場合と無い場合とにおけるPAEの差を縦軸にとったグラフを示す説明図である。
図12】本発明の一実施形態に係る高周波電力増幅器100を備える無線通信装置1000の構成例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0017】
<1.概要>
まず、本発明の実施の形態について説明する前に、本発明の実施の形態の概要について説明する。
【0018】
携帯型の通信装置の飛躍的な普及に伴って、マイクロ波)帯の高周波電力増幅器への需要が高まっている。そして、携帯型の通信装置に用いられる高周波電力増幅器は、回路を小型化するともに、内蔵電池の使用時間をより長くするために高い電力効率が求められる。
【0019】
高効率化を目的とした電力増幅器の開発が数多く行われており、その高効率化の実現手法の一つとして、電力増幅器に用いられるトランジスタをスイッチに見立てて動作させるスイッチングパワーアンプ(スイッチングPA)がある。スイッチングPAを実現した回路の具体例として例えば非特許文献1で開示されているものがある。
【0020】
図1は、スイッチングPAの回路構成例を示す説明図である。図1に示したスイッチングPAは、スイッチとなるバイポーラトランジスタQ1の出力コレクタ部とグランドとの間に、適切に容量値が調整されたキャパシタC1が接続されている。また、インダクタLx、L0、L2、及びキャパシタC0、C2で構成された出力回路では、インダクタL0及びキャパシタC0によって動作基本周波数で電流が共振するとともに、インダクタL2とキャパシタC2によって、通常50Ωから、バイポーラトランジスタQ1にとっての最適な実数抵抗値Rへの変換機能を有するよう、各定数が調整されている。
【0021】
また、インダクタLrfcは、バイポーラトランジスタQ1にバイアス電圧Vccを与えるチョークインダクタである。またキャパシタC1は、バイポーラトランジスタQ1のスイッチング動作に対して電荷を充放電する。キャパシタC1は、バイポーラトランジスタQ1のコレクタ部の寄生容量が付かないようにする。またキャパシタC1は、集積回路上のMIM(Metal−Insulator−Metal)で形成され、キャパシタC1とバイポーラトランジスタQ1との接続において直列のインダクタンス成分ができる限り付かないようにしている。
【0022】
なお、モノリシックマイクロ波集積回路(Monolithic Microwave Integrated Circuit;MMIC)でスイッチングPAを実現する場合、インダクタLrfc、Lx、L0、L2、及びキャパシタC0、C2は、集積回路上の素子、または、プリント回路上のパターン、SMD(Surface Mount Device)もしくはボンディングワイヤで構成される。
【0023】
また、MMICでスイッチングPAを構成する場合、併せてドライバアンプ(DA)を搭載することが多い。図2A、2Bは、ドライバアンプを設けた高周波電力増幅器の例を示す説明図である。図2Aは、ドライバアンプQ0と、バイポーラトランジスタQ1とをハイパスフィルタで接続した高周波電力増幅器を示し、図2Bは、ドライバアンプQ0と、バイポーラトランジスタQ1とをローパスフィルタで接続した高周波電力増幅器を示している。
【0024】
構成する素子は、図2A図2Bとも同じである。図2Aでは、キャパシタCisが信号に直列に、インダクタLisが対地に配置されており、この2つの素子でハイパスフィルタを構成している。一方、図2Bでは、キャパシタCisが対地に、インダクタLisが信号に直列に配置されており、この2つの素子でローパスフィルタを構成している。
【0025】
一般的に、1W程度、1GHz程度の周波数を出力するPAのバイポーラトランジスタQ1のエミッタサイズは数千umと大きく、その入力インピーダンスは数Ω以下と非常に小さい。そのため、バイポーラトランジスタQ1の入力部でインピーダンス整合をするためには、図2Aに示した構成では、キャパシタCisの容量は数pF、インダクタLisのインダクタンスは数百pHであり、インダクタLisはボンディングワイヤ等で形成できるために高いQ値でスイッチングPAを構成できる。一方、図2Bの構成では、キャパシタCisの容量は数pF、インダクタLisのインダクタンスは数nHとなり、IC上でインダクタLisを構成するには、スパイラルインダクタといった大面積を必要とする素子が必要となり、またQ値も図2Aの構成と比較して低くなる。
【0026】
従って、ドライバアンプQ0と、バイポーラトランジスタQ1とを接続する際には、図2Aに示したハイパスフィルタの構成を用いられることが多い。
【0027】
しかしながら、図2Aに示したハイパスフィルタの構成を採用した場合、主にドライバアンプQ0から発生した高調波が、ハイパスフィルタをそのまま通過してしまい、除去されないままバイポーラトランジスタQ1に出力されてしまう。従って、その高調波がスイッチング動作をしているPAの電力効率や線形性を劣化させる原因となる。
【0028】
そこで本件発明者は、上述した点に鑑み、回路を小型化するともに電力効率や線形性を向上させることが可能な高周波電力増幅器について鋭意検討を行った。その結果、本件発明者は、以下で説明するように、回路を小型化するともに電力効率や線形性を向上させることが可能な高周波電力増幅器を考案するに至った。
【0029】
以上、本発明の実施の形態の概要について説明した。
【0030】
<2.構成例>
続いて、本発明の実施の形態に係る高周波電力増幅器の構成例を説明する。図3は、本発明の実施の形態に係る高周波電力増幅器100の構成例を示す説明図である。
【0031】
図3に示したように、本発明の実施の形態に係る高周波電力増幅器100は、ドライバアンプQ0と、スイッチとなるバイポーラトランジスタQ1と、インダクタLrfc、L0、L2、Lc1、Lisと、キャパシタC0、C1、C2、Cis、Cb2、Caddと、を含んで構成される。
【0032】
図3に示した高周波電力増幅器100は、例えば、周波数が700MHzから950MHzまで、または1200MHzから3800MHzの範囲で動作する高周波電力増幅器である。ドライバアンプQ0と、スイッチとなるバイポーラトランジスタQ1とは、例えばGaAs基板上ヘテロ接合バイポーラトランジスタであり、それぞれのエミッタサイズは、例えば1500umから5000umの範囲であってもよい。
【0033】
図3に示した高周波電力増幅器100は、図1、2に示した高周波電力増幅器に、キャパシタCaddが加わった構成を有する。キャパシタCaddは、ドライバアンプQ0とバイポーラトランジスタQ1との間の接続点とグランドとの間に設けられており、インダクタLisと組み合わせてローパスフィルタとなりうる。
【0034】
ここで基本的なスイッチングPA(E級)の動作について説明する。図4は、バイポーラトランジスタQ1のスイッチング動作を説明する説明図である。スイッチングPAのスイッチとなりうるバイポーラトランジスタQ1は、図4に示すように、ベース電圧信号がしきい値電圧Vthを上回る場合には抵抗が0Ωのスイッチオンの状態となり、逆に下回る場合には、抵抗が無限大のスイッチオフの状態とみなされる。このバイポーラトランジスタQ1のオンとオフの状態が、信号の基本波周波数の周期で繰り返される。
【0035】
一方、バイポーラトランジスタQ1の出力においては、そのベース電圧信号によって電流が出力されるが、基本波周波数において共振するように設定されたインダクタL0とキャパシタC0により、図3に示した出力ICoutにおいては、基本波周波数の正弦波電流のみが流れる。
【0036】
以上の条件において、バイポーラトランジスタQ1のコレクタに流れる電流と、キャパシタC1に流れる電流を検討する。図5は、バイポーラトランジスタQ1のコレクタに流れる電流と、キャパシタC1に流れる電流との時間変化を示す説明図である。図5には、横軸を時間として、バイポーラトランジスタQ1のコレクタに流れる電流と、キャパシタC1に流れる電流を縦軸に記したグラフが示されている。出力ICoutを流れる出力電流は前述の通り、信号の基本波周波数の正弦波となっている。この正弦波電流は、バイポーラトランジスタQ1がスイッチオンしているときは、バイポーラトランジスタQ1に電流が流れ、バイポーラトランジスタQ1がスイッチオフしているときはキャパシタC1にその正弦波電流が流れる。
【0037】
次に出力ICoutに発生する電圧波形を説明する。図6は、出力ICoutに発生する電圧波形を示す説明図である。図6に示したように、バイポーラトランジスタQ1がスイッチオンしている時間では、接地と同状態のため電圧は0となる。一方、バイポーラトランジスタQ1がスイッチオフしている時間では、キャパシタC1に流れる電流を積分したものがその電圧となり、図6に示すようにバイポーラトランジスタQ1がスイッチオフした瞬間から電圧が上昇し、バイポーラトランジスタQ1がスイッチオンする直前に0Vとなる波形である。
【0038】
図6を見ると、Q1電流の波形と電圧の波形の積は常に0であるため、ドライバアンプQ0で消費するエネルギーは0となり、理想的なスイッチであれば電力効率は100%となる。
【0039】
しかしながら、実際の動作においては、バイポーラトランジスタQ1とドライバアンプQ0との接続に、図2Aに示したようなハイパスフィルタの構成を用いた場合、図4に示したような正弦波に近いQ1のベース電圧信号は得られずに、入力信号電力が増加すると線形動作から飽和動作に移行するドライバアンプQ0から発生する高調波、またはバイポーラトランジスタQ1の入力の非線形性によってベース電圧波形が変形する。
【0040】
図7は、ドライバアンプQ0から発生する高調波、またはバイポーラトランジスタQ1の入力の非線形性によって、バイポーラトランジスタQ1のベース電圧波形が変形する様子を示す説明図である。バイポーラトランジスタQ1とドライバアンプQ0との接続に、図2Aに示したようなハイパスフィルタの構成を用いた場合、例えば、図7に示したように、高調波として3倍波を含んだベース電圧波形となる。
【0041】
図7を用いて、ベース電圧が基本波のみの場合と3倍波を含む場合で出力波形がどのように変化するかを説明する。バイポーラトランジスタQ1のベース電圧波形が基本波のみの場合、図6で説明したように、出力電圧と出力電流の積が常に0となり、バイポーラトランジスタQ1で消費される電力は0となる。
【0042】
一方、バイポーラトランジスタQ1のベース電圧波形が、例えば図7のように3倍波を含むような場合、出力電流は信号の基本波周波数の周期を保つ一方で、図7の時間t1〜t2の時間領域においては、ベース電圧がしきい値電圧Vthを上回るため、スパイク状の電流(スパイク電流)が発生する。また、この時間t1〜t2の時間領域においてはICoutの電圧も0Vではないため、バイポーラトランジスタQ1において電力を大きく消費してしまい、電力効率を劣化させる。従って、図7のようなバイポーラトランジスタQ1のベース電圧波形における高調波を除去することが望まれる。
【0043】
そこで、このバイポーラトランジスタQ1のベース電圧波形における高調波による電力効率が劣化する問題に対して、本実施形態に係る高周波電力増幅器100は、図3で示すように、集積回路上のキャパシタCaddを追加している。高周波電力増幅器100は、キャパシタCaddを追加することによって、バイポーラトランジスタQ1とドライバアンプQ0との接続がローパスフィルタの特性を持つ。従って、ローパスフィルタによってバイポーラトランジスタQ1のベース電圧波形から高調波が除去され、基本波周波数の正弦波に近い波形になる。本実施形態に係る高周波電力増幅器100は、バイポーラトランジスタQ1のベース電圧波形から高調波が除去されることで、バイポーラトランジスタQ1における電力の消費が抑えられ、高い電力効率を保つことができる。
【0044】
また、本実施形態に係る高周波電力増幅器100は、キャパシタCaddを備えていることにより、バイポーラトランジスタQ1のベース電圧波形において高調波が除去できるため、バイポーラトランジスタQ1の動作が線形動作に近い動作になる。本実施形態に係る高周波電力増幅器100は、バイポーラトランジスタQ1の動作が線形動作に近い動作となることで、全体として出力の線形特性(例えば、ACLR、EVM等)が向上するという利点もある。
【0045】
ここで、実際のMMIC上のバイポーラトランジスタとMIM等のモデルを用いて、図3に示した高周波電力増幅器100を組み、キャパシタCaddがある場合と無い場合のそれぞれについて回路シミュレーションで比較を行った。このときの回路定数として、キャパシタCaddは5.8pF、インダクタLc1は1.0nH、インダクタLisは0.2nH、キャパシタCisは5.8pF、キャパシタCb2は24pF、ドライバアンプQ0のエミッタ面積は3000um2、バイポーラトランジスタQ1のエミッタ面積は400um2、キャパシタC1は4pF、信号周波数は1950MHzを用いた。
【0046】
図8は、キャパシタCaddがある場合と、無い場合における、バイポーラトランジスタQ1のベース電圧波形と、バイポーラトランジスタQ1の電流波形と、出力ICoutの電圧波形を示す説明図である。図8では、出力電力が32dBm程度の時で、キャパシタCaddがある場合と、無い場合とを比較している。
【0047】
まず、バイポーラトランジスタQ1のベース電圧波形を見ると、キャパシタCaddが無い場合では電圧の立ち上がりにおいて急峻に立ち上がっているのに対して、キャパシタCaddがある場合は、無い場合に比べて立ち上がりが緩やかであり、正弦波に近い三角波に近い形状になっている。これは、バイポーラトランジスタQ1のベース電圧波形において、キャパシタCaddがあることにより高調波成分が除去されているためである。
【0048】
そして、キャパシタCaddが無い場合では、バイポーラトランジスタQ1の電流波形を見るとスパイク電流が発生しているが、キャパシタCaddがある場合には、そのスパイク電流は見られない。従ってキャパシタCaddがある場合では、スパイク電流が発生していない分だけ、バイポーラトランジスタQ1での電力消費が抑えられていることになる。
【0049】
図9は、キャパシタCaddがある場合と無い場合とにおける電力効率の比較例を示す説明図である。上述したように、キャパシタCaddがある場合ではスパイク電流が発生しないことにより、キャパシタCaddが無い場合に比べて電力効率が数%上回っている。すなわち、本実施形態に係る高周波電力増幅器100は、キャパシタCaddがあることにより、キャパシタCaddが無い場合と比べて電力効率が向上していることがわかる。
【0050】
図10は、キャパシタCaddがある場合と無い場合とにおける、10MHz/50RB/QPSKのLTE信号を入力したときの隣接チャネル漏洩電力比(ACLR)の比較例を示す説明図である。図10に示したように、キャパシタCaddがある場合の方が、無い場合に比べてACLRが良好である。従って、本実施形態に係る高周波電力増幅器100は、キャパシタCaddがあることにより、ドライバアンプQ0とバイポーラトランジスタQ1との間の高調波成分が除去され、線形性も向上していることがわかる。
【0051】
キャパシタCaddは、ドライバアンプQ0とバイポーラトランジスタQ1との間の高調波成分を除去するために適切な容量を有するものを選択することが出来る。一例として、キャパシタCaddは、入力される信号の周波数の2倍波周波数において共振するような容量を有していても良い。
【0052】
図11は、キャパシタCaddの容量値を横軸に、キャパシタCaddがある場合と無い場合とにおけるPAEの差を縦軸にとったグラフを示す説明図である。回路定数や入力信号の周波数は上述したものと同様である。
【0053】
キャパシタCaddの容量を0から増加させると、徐々に高調波の除去機能が働き、キャパシタCaddの容量が6pF程度で、そのPAEの差が最大2%程度となった。この容量6pFは、図3のインダクタLisとの共振周波数が、2倍波周波数(3.9GHz)程度となるような容量値である。また、キャパシタCaddの容量が6pFより大きくなると、高調波だけでなく入力信号も除去するように働くため、PAEの差は小さくなっていく。
【0054】
続いて、本発明の一実施形態に係る高周波電力増幅器100を備える無線通信装置の構成例について説明する。図12は、本発明の一実施形態に係る高周波電力増幅器100を備える無線通信装置1000の構成例を示す説明図である。
【0055】
図12に示した無線通信装置1000は、シンセサイザ1010と、変調回路1020と、高周波増幅器1030、1070と、フィルタ1040、1080と、アイソレータ1050と、デュプレクサ1060と、復調回路1090と、アンテナ1100と、を含んで構成される。
【0056】
シンセサイザ1010は、変調回路1020での送信信号の変調や、復調回路1090での受信信号の復調に用いられる信号を出力する。変調回路は、供給される送信信号を所定の送信周波数の送信信号に変換する。高周波増幅器1030は、変調回路1020の出力信号を増幅する。フィルタ1040は、例えばバンドパスフィルタで構成され、高周波増幅器1030で増幅された高周波信号から、送信波帯域の信号を抽出する。アイソレータ1050は、フィルタ1040の出力信号をデュプレクサ1060へ一方向で供給する。
【0057】
デュプレクサ1060は、アイソレータ1050の出力端子に接続される端子、高周波増幅器1070の入力端子に接続される端子、アンテナ1100に接続される端子の3端子を有する。
【0058】
高周波増幅器1070は、アンテナ1100で受信され、デュプレクサ1060から出力される信号を増幅する。フィルタ1080は、例えばバンドパスフィルタで構成され、高周波増幅器1070の出力信号から送信波帯域の信号を抽出する。復調回路1090は、フィルタ1080で抽出された信号と、シンセサイザ1010から供給される局部発振信号と、を混合することで信号を復調する。
【0059】
本発明の一実施形態に係る高周波電力増幅器100を備える無線通信装置は係る例に限定されるものではない。マイクロ波帯の信号を増幅する高周波電力増幅器が用いられるものであれば図12に示したもの以外にも適用が可能である。本発明の一実施形態に係る高周波電力増幅器100を備える無線通信装置は、低電圧動作化、高効率化、小型・軽量化を図ることが可能となる。
【0060】
<2.まとめ>
以上説明したように本発明の一実施形態によれば、ドライバアンプとバイポーラトランジスタとの間をハイパスフィルタで接続するとともに、ドライバアンプとバイポーラトランジスタとの間でローパスフィルタの特性を有する構成を備えることで、回路を小型化するともに電力効率や線形性を向上させることが可能な高周波電力増幅器が提供される。
【0061】
本発明の一実施形態に係る高周波電力増幅器は、ドライバアンプとバイポーラトランジスタとの間をハイパスフィルタで接続しただけの構成に比べて、高調波成分のバイポーラトランジスタへの流入を防ぐことが出来る。これにより、本発明の一実施形態に係る高周波電力増幅器は、ドライバアンプとバイポーラトランジスタとの間をハイパスフィルタで接続しただけの構成に比べて、電力効率を上昇させることが出来ると共に、線形性も向上させることが出来る。従って、本発明の一実施形態に係る高周波電力増幅器は、低電圧動作化、高効率化、小型・軽量化といった要望に応えられるものである。
【0062】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【0063】
100 高周波電力増幅器
1000 無線通信装置
図1
図2A
図2B
図3
図4
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図6
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図10
図11
図12