(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0012】
図1は、本発明の実施形態に係るレーザ加工装置を示す構成図である。図中、レーザ光の光軸を実線で示し、熱放射を粗い破線で示し、制御線及び測定結果の出力線を細かい破線で示す。
【0013】
本実施形態のレーザ加工装置1は、半導体素子材料のウェハを加工対象物41として、加工対象物41にアニール処理を行うレーザアニール装置である。アニール処理は、加工対象物41の表面部に設定された二次元の領域に渡ってレーザ光を走査させ、加工対象物41の表面部を高温に加熱する処理である。
【0014】
レーザ加工装置1は、制御部10、レーザ光源21、走査光学系22、ダイクロイックミラー23、レンズ24、25、熱輻射測定部26及びステージ31を備える。走査光学系22は、本発明に係る走査部の一例に相当する。
【0015】
レーザ光源21は、例えばYAGレーザ等の固体レーザ又はCO
2レーザ等のガスレーザであり、加工対象物41に照射されて加工対象物41の被加工位置P0を高温に加熱するレーザ光を出力する。レーザ光源21はレーザ発振器と呼んでもよい。
【0016】
走査光学系22は、例えばガルバノミラーを含み、レーザ光の照射位置すなわち被加工位置P0を例えばステージ31の上面に沿った2方向へ変化させることができる。
【0017】
ダイクロイックミラー23は、レーザ光源21の出力波長の光を反射し、熱輻射を含む赤外領域の光を透過する。
【0018】
レンズ24は、例えばFθレンズであり、被加工位置へレーザ光を収束させる。また、レンズ24は、加工対象物の被加工位置P0から熱輻射を集光する。
【0019】
レンズ25は、レンズ24により集光され、ダイクロイックミラー23を透過した熱輻射を熱輻射測定部26へ収束させる。
【0020】
熱輻射測定部26は、例えば赤外線センサであり受光部に入力された熱輻射の強度を測定する。
【0021】
ステージ31は、加工対象物41を保持する台である。ステージ31は、レーザ光の光軸と交差する2方向へ移動可能なように構成されていてもよい。
【0022】
制御部10は、プログラムが格納された記憶装置、プログラムを実行するCPU(Central Processing Unit)、作業用のメモリ、ならびに、制御信号及び検出信号の入出力を行うI/Oなどを有するコンピュータである。制御部10は、レーザ光源21の駆動制御と、走査光学系22の駆動制御とを行い、熱輻射測定部26の測定結果を入力する。制御部10は、さらに、表示部12と、CPUがプログラムを実行して機能する機能モジュールとして、判定部11を備える。
【0023】
判定部11は、制御部10に取り込まれた熱輻射の強度のデータに基づき、加工対象物41に含まれる異常箇所の判定を行う。
【0024】
表示部12は、警告灯又は画像表示が可能なティスプレイであり、加工対象物41に異常箇所があると判定された場合に、異常を報知する表示を行う。表示部12は、さらに、制御部10に取り込まれて二次元画像に加工された熱輻射の強度のデータ(
図4を参照)を表示出力する。
【0025】
<加工処理>
図2は、制御部により実行される加工処理の手順を示すフローチャートである。
【0026】
図2の加工処理は、加工対象物41にアニール処理を行いながら、加工対象物41の異常の有無及び異常箇所を検出する処理である。加工処理は、ステージ31に加工対象物41が配置された状態で開始される。
【0027】
加工処理が開始されると、制御部10は、レーザ光源21を駆動し、レーザ光を加工対象物41の表面部に渡って走査する走査処理を開始する(ステップS1)。ここで、レーザ光源21から出力されたレーザ光は、走査光学系22、ダイクロイックミラー23及びレンズ24を経て、加工対象物41の被加工位置P0に照射され、この箇所が高温に加熱される。さらに、高温に加熱された被加工位置P0から熱輻射が放射され、レンズ24、ダイクロイックミラー23及びレンズ25を経て、熱輻射が熱輻射測定部26の受光部に集光される。熱輻射測定部26は受光した熱輻射の強度に応じた測定結果(例えば電圧)を出力する。
【0028】
走査が開始されると、制御部10は、ステップS2〜S5のループ処理へ処理を移行する。ループ処理では、先ず、制御部10は、レーザ光の出力を継続しつつ、走査光学系22を制御して、レーザ光の照射位置を予め設定された経路に沿った次の位置へ変更する(ステップS2)。これにより、走査経路中の次の位置を被加工位置P0として、この位置にレーザ光が照射され、この位置から熱輻射が放射される。そして、熱輻射測定部26が熱輻射の強度を測定し、制御部10がこの測定値を入力する(ステップS3)。次に、制御部10は、入力した熱輻射の測定値と走査位置とを対応づけて記憶する(ステップS4)。続いて、制御部10は、予め設定された領域の走査が完了したか判別し(ステップS5)、未完了であれば処理をステップS2に戻すが、完了であればループ処理を抜けて処理を次に進める。
【0029】
上記のステップS2〜S5のループ処理が繰り返し行われることで、予め設定された二次元の領域に渡って順次レーザ光が照射され、加工対象物41の設定された領域のアニール処理が完了する。加えて、加工対象物41の各走査位置にレーザ光が照射されたときの熱輻射の強度の測定値が制御部10に取り込まれる。
【0030】
ループ処理を抜けると、制御部10は、取り込まれた熱輻射の強度の測定値に基づいて、加工対象物41の異常の有無を判定する。続いて、4つの異常判定処理を採用した例を示す。
【0031】
第1の異常判定処理(ステップS6)では、制御部10は、各走査位置における熱輻射の測定値と異常を識別する上限の閾値及び下限の閾値の一方又は両方とを比較する。そして、制御部10は、上限の閾値を超えた測定値を有する走査位置、又は下限の閾値を下回った測定値を有する走査位置を異常箇所と判定する。ウェハなどの加工対象物41においては、クラック又は異物の混入があると、レーザ光の照射により生じた高熱がクラック又は異物の箇所で通常と異なる態様で伝達されるので、この箇所の周囲で熱輻射の測定値が高くなったり低くなったりする。従って、第1の異常判定処理により、これらの異常の箇所を判定することができる。
【0032】
図3(A)及び
図3(B)は、
図2のステップS2〜S5のループ処理により取得された熱輻射のデータの一例を示すグラフである。
【0033】
第2の異常判定処理(ステップS7)では、制御部10は、
図3(A)又は
図3(B)のグラフに示すように、熱輻射の測定値のデータのうち、取り込まれた順に沿って、各走査位置の測定値と前段の位置の測定値及び後段の位置の測定値とを比較する。ここで、「各走査位置の測定値」は、本発明に係る「第1の位置にレーザ光が照射されたときの熱輻射の強度」に相当する。「前段の位置の測定値及び後段の位置の測定値」は、本発明に係る「第1の位置の近傍にレーザ光が照射されたときの熱輻射の強度」に相当する。比較の際、制御部10は、各走査位置の測定値の移動平均を計算し、移動平均の値を比較するなど、測定値を統計処理した値を用いて比較を行ってもよい。そして、制御部10は、測定値の急激な変化のある走査位置(例えば
図3(B)の箇所D1、D2)を異常箇所と判定する。上述したように、ウェハなどの加工対象物41においては、クラック又は異物の混入がある場合に、レーザ光の照射により生じた高熱がクラック又は異物の箇所で通常と異なる態様で伝達される。このため、この箇所の周囲で熱輻射の測定値に急激な変化が生じやすい。異常が無ければ、
図3(A)に示すように、測定値の急激な変化は現れない。従って、第2の異常判定処理により、これらの異常の箇所を判定することができる。
【0034】
図4(A)及び
図4(B)は、
図2のステップS8により二次元配列された熱輻射のデータの一例を示す。
図4(A)及び
図4(B)は、レーザ光をX軸方向に走査し、且つ、このような走査をY軸方向に位置をずらしながら複数回行って、各走査位置の熱輻射の強度を測定したときのデータを示している。
図4(A)及び
図4(B)において、熱輻射の強度は色の濃淡により示される。
【0035】
第3の異常判定処理(ステップS8、S9)では、制御部10は、先ず、一連の熱輻射の測定値のデータを、走査位置に合わせて二次元配列する(ステップS8)。これにより、
図4(A)又は
図4(B)に示すように、時系列で取り込まれた一連の熱輻射の測定値が、加工対象物41の表面部が射影されたX−Y座標の位置に関連づけられて表わされる。
【0036】
次に、制御部10は、X−Y座標の位置が対応づけられた熱輻射の測定値のデータから、各走査位置の測定値とその近傍の位置の測定値とを比較する(ステップS9)。比較の際、制御部10は、各走査位置の測定値の移動平均を計算し、移動平均の値を比較するなど、測定値を統計処理した値を用いて比較を行ってもよい。ステップS9において制御部10は、レーザ光の走査方向(X軸方向)だけでなく、これに交差する方向(Y軸方向)についても、熱輻射の強度が急激に変化している箇所がないか判定する。そして、制御部10は、X−Yの二次元座標上で測定値の急激な変化のある走査位置(例えば
図4(B)の箇所D3、D4)を異常箇所と判定する。上述したように、ウェハなどの加工対象物41では、クラック又は異物の混入がある場合に、この箇所の周囲で熱輻射の測定値が急激に変化しやすい。例えば箇所D3はウェハに傷がある箇所であり、箇所D4は異物がある箇所である。異常が無ければ、
図4(B)に示すように、熱輻射の測定値が急激に変化する箇所が生じない。第3の異常判定処理により、このような異常の箇所が、レーザ光が走査される経路の途中、又は、隣接する走査経路の間にあった場合に、これらの異常の箇所を判定することができる。
【0037】
第4の異常判定処理(ステップS10)では、先ず、制御部10は、X−Y座標上に展開された熱輻射の測定値のデータから、X−Y座標上における測定値の分布を解析する。そして、測定値の分布に所定の特徴がないか解析し、この解析の結果に基づいて加工対象物の反りのパターン、反りの位置、又は反りの大小を判定する。解析の処理においては、制御部10が、幾つかのパターンで反りを有する複数の加工対象物の熱輻射の測定値の分布データを基準データとして記憶しておき、これらの基準データと熱輻射の測定値の分布との共通度を計算して、分布の解析を行ってもよい。ウェハに反りがあると、レーザ光の照射位置が反りのパターンに従って高さ方向に変化するため、反りのパターンが熱輻射の測定値の分布のパターンに現れる。従って、第4の異常判定処理により、加工対象物41の反りについての異常を判定することができる。
【0038】
異常判定処理を終えたら、制御部10は、判定の結果が異常有りであったか判別し、異常有りであれば、例えばデータ出力、表示出力又は印字出力等により、異常の種類と異常箇所とを出力する(ステップS12)。出力の際、異常箇所は画像により示されてもよい。
【0039】
なお、加工対象物41がパターン付きのウェハである場合、パターンの境界など、正常な箇所であっても熱輻射の強度が急激に変化することがある。このような場合、画像により異常箇所が示されることで、作業者は、画像とウェハのパターンとを比較することにより、本来の異常箇所とパターン境界などの正常な箇所とを区別することが可能となる。あるいは、パターンの境界など異常が無いのに熱輻射の強度が急激に変化する位置が既知である場合、これらの情報を制御部10に記憶しておいてもよい。そして、制御部10は、これらの情報に基づいて、異常が無いのに熱輻射の強度が急激に変わる箇所を、異常の判定箇所から除外する構成としてもよい。
【0040】
制御部10は、ステップS12で異常の出力を行うか、あるいは、ステップS11で異常が無しと判定されたら、
図2の加工処理を終了する。
【0041】
以上のように、本実施形態のレーザ加工装置1によれば、加工対象物41にレーザ光を走査させて加工処理を行うことができることに加えて、加工処理の際、加工対象物41に異常箇所がないか判定することができる。従って、検査だけのために時間を費やす必要がなく、加工処理と並行して、加工対象物41の異常箇所を発見することができる。これにより、異常のある加工対象物を製造プロセスから取り除いたりして、最終的な製品の歩留まりを向上できる。
【0042】
また、第2の異常判定処理(ステップS7)と第3の異常判定処理(ステップS8)によれば、各走査位置の熱輻射の測定値と、その近傍の熱輻射の測定値とが比較されて、異常箇所が判定される。従って、加工対象物の種類又は厚さなどよって熱輻射の測定値が全体的に高くなったり低くなったりして、異常を識別できる測定値の閾値が定まらない場合でも、加工対象物の異常箇所を判定することができる。
【0043】
以上、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は上記の実施形態に限られない。例えば、上記実施形態では、アニール処理と並行して加工対象物41の異常箇所を判定する構成を例にとって説明した。しかし、レーザ光を加工対象物41の表面部に走査させて行う加工処理であればアニール処理以外の処理と並行して異常箇所を判定する処理を行ってもよい。また、上記実施形態では、本発明に係る走査部として、レーザ光の照射位置を変化させる走査光学系22を示した。しかし、本発明に係る走査部は、加工対象物41を動かすことでレーザ光が照射される加工対象物41の位置を変化させる構成であってもよい。その他、上記実施形態では、加工対象物として半導体素子材料のウェハを示し、異常としてウェハのクラック、混入異物、又は反りを示した。しかし、加工対象物としては、電子基板など種々の構成を適用できる。また、検出する異常としては、例えば加工対象物の表面に付着された異物など、種々の異常を適用してもよい。その他、実施形態で示した細部は、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。