特許6848869化合物、樹脂、レジスト組成物又は感放射線性組成物、レジストパターン形成方法、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、回路パターンの形成方法、及び、精製方法

発明の名称　化合物、樹脂、レジスト組成物又は感放射線性組成物、レジストパターン形成方法、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、回路パターンの形成方法、及び、精製方法

出願人　三菱瓦斯化学株式会社　（識別番号 4466）

　　　　特許公開件数ランキング 495 位（56件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 191 位（145件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6848869

公報発行日　2021年3月24

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6848869

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