(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6852251
(24)【登録日】2021年3月15日
(45)【発行日】2021年3月31日
(54)【発明の名称】GOA回路の過電流保護システム及びその方法
(51)【国際特許分類】
G09G 3/36 20060101AFI20210322BHJP
G09G 3/20 20060101ALI20210322BHJP
G02F 1/133 20060101ALI20210322BHJP
H02H 3/087 20060101ALI20210322BHJP
H02H 7/20 20060101ALI20210322BHJP
【FI】
G09G3/36
G09G3/20 612G
G09G3/20 622A
G09G3/20 670M
G02F1/133 550
H02H3/087
H02H7/20 Z
【請求項の数】9
【全頁数】12
(21)【出願番号】特願2019-556798(P2019-556798)
(86)(22)【出願日】2017年7月13日
(65)【公表番号】特表2020-517991(P2020-517991A)
(43)【公表日】2020年6月18日
(86)【国際出願番号】CN2017092727
(87)【国際公開番号】WO2018209783
(87)【国際公開日】20181122
【審査請求日】2019年10月18日
(31)【優先権主張番号】201710348923.X
(32)【優先日】2017年5月17日
(33)【優先権主張国】CN
(73)【特許権者】
【識別番号】515203228
【氏名又は名称】ティーシーエル チャイナスター オプトエレクトロニクス テクノロジー カンパニー リミテッド
【氏名又は名称原語表記】TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd.
(74)【代理人】
【識別番号】100080089
【弁理士】
【氏名又は名称】牛木 護
(72)【発明者】
【氏名】李 文芳
(72)【発明者】
【氏名】張 先明
【審査官】
西島 篤宏
(56)【参考文献】
【文献】
特開2013−178524(JP,A)
【文献】
特開2001−318113(JP,A)
【文献】
特開2001−092417(JP,A)
【文献】
中国特許出願公開第105448260(CN,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
G09G 3/00 − 3/38
G02F 1/133
H02H 3/087
H02H 7/20
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
電源管理チップと、前記電源管理チップに電気的に接続されているレベルシフトチップとを含み、前記レベルシフトチップはGOA回路に電気的に接続されているGOA回路の過電流保護システムにおいて、
前記レベルシフトチップ内には過電流保護モジュールが設けられており; 前記過電流保護モジュールは、電流比較器と、ANDゲート回路と、立ち上がりエッジパルス遅延回路と、電源と、電圧比較器と、第1スイッチと、第2スイッチと、キャパシタとを含んでおり; 前記電流比較器の正の入力端子は前記GOA回路内のクロック信号の配線上の電流を取得し、前記電流比較器の負の入力端子は基準電流を取得し; 前記ANDゲート回路の第1入力端子は前記電流比較器の出力端子に電気的に接続されており、第2入力端子は前記立ち上がりエッジパルス遅延回路の出力端子に電気的に接続されており; 前記立ち上がりエッジパルス遅延回路の入力端子はクロック信号制御信号を受信し; 前記キャパシタの一方の端子は第1ノードに電気的に接続されており、他方の端子は接地されており; 前記第1スイッチの一方の端子は前記電源に電気的に接続されており、他方の端子は前記第1ノードに電気的に接続されており、制御端子は前記ANDゲート回路の出力端子に電気的に接続されており; 前記第2スイッチの一方の端子は前記第1ノードに電気的に接続されており、他方の端子は接地されており、制御端子は前記GOA回路の開始信号を受信し; 前記電圧比較器の負の入力端子は前記第1ノードに電気的に接続されており、正の入力端子は基準電圧を取得し、出力端子は前記電源管理チップに電気的に接続されており;
前記GOA回路内のクロック信号の配線上の電流が前記基準電流よりも大きいとき、前記電流比較器から前記ANDゲート回路の第1入力端子に高電位が出力され、前記GOA回路内のクロック信号の配線上の電流が前記基準電流よりも小さいとき、前記電流比較器から前記ANDゲート回路の第1入力端子に低電位が出力され、
前記ANDゲート回路の出力端子が高電位にあるとき、前記第1スイッチは閉じ、前記ANDゲート回路の出力端子が低電位にあるとき、前記第1スイッチは開放され、
前記GOA回路の開始信号が高電位にあるとき、前記第2スイッチは閉じ、前記GOA回路の開始信号が低電位にあるとき、前記第2スイッチは開放され、
前記クロック信号制御信号の電位の高低は前記GOA回路内のクロック信号の電位の高低に対応しており; 前記電源管理チップは前記レベルシフトチップを介して前記GOA回路に電力を供給するのに用いられ、前記第1ノードの電圧が前記基準電圧よりも高いとき、前記電圧比較器は過電流保護制御信号を前記電源管理チップに出力し、前記電源管理チップから前記GOA回路への電力供給を停止するように制御することで、前記GOA回路の過電流保護を実行することを特徴とするGOA回路の過電流保護システム。
【請求項2】
前記レベルシフトチップ内にはさらに、前記過電流保護モジュールと電気的に接続されたクロック信号制御信号生成モジュールが設けられており、前記クロック信号制御信号生成モジュールは、前記GOA回路及び前記過電流保護モジュールに前記クロック信号制御信号を供給するのに用いられることを特徴とする請求項1に記載のGOA回路の過電流保護システム。
【請求項3】
前記GOA回路の開始信号のパルス周期は、前記GOA回路の1フレームの走査期間に等しいことを特徴とする請求項1に記載のGOA回路の過電流保護システム。
【請求項4】
請求項1に記載のGOA回路の過電流保護システムに用いられ、
前記GOA回路が1フレームの走査を開始する際、前記第2スイッチは、前記GOA回路の開始信号の制御下で先に閉じ、次いで開放されることで、前記第1ノードの電位をリセットするステップ1と;
前記GOA回路の前記1フレームの走査期間内において、前記電流比較器は常に前記GOA回路中のクロック信号の配線上の電流と前記基準電流との大小を比較し、且つ、その比較結果に基づいて、前記ANDゲート回路の第1入力端子に相応の電位を有する第1制御信号を生成し; 前記立ち上がりエッジパルス遅延回路は、所定の遅延時間後に前記クロック信号制御信号を前記ANDゲート回路の第2入力端子に出力し;
前記GOA回路内のクロック信号の配線上の電流が前記基準電流よりも大きいとき、前記第1制御信号は高電位になり; 前記GOA回路内のクロック信号の配線上の電流が前記基準電流よりも小さいとき、前記第1制御信号は低電位になるステップ2と;
前記GOA回路の前記1フレームの走査期間内において、前記第1制御信号及び前記クロック信号制御信号がいずれも高電位にあるとき、前記ANDゲート回路は、前記第1スイッチを閉じ、前記電源が前記第1ノードの電圧を上げるために前記キャパシタを充電するように制御し; 前記第1制御信号又は前記クロック信号制御信号が低電位にあるとき、前記ANDゲート回路は、前記第1スイッチを開放し、前記第1ノードの電圧を維持し不変のものとするために、前記電源から前記キャパシタへの充電を停止するように制御するステップ3と;
前記GOA回路の前記1フレームの走査期間内において、前記電圧比較器は前記第1ノードの電圧と前記基準電圧とを比較し、且つ、前記第1ノードの電圧が前記基準電圧よりも高いとき、前記電源管理チップに前記過電流保護制御信号を出力し、前記電源管理チップから前記GOA回路への電力供給を停止するように制御することで、前記GOA回路の過電流保護を実行するステップ4と、
を含むことを特徴とするGOA回路の過電流保護方法。
【請求項5】
前記ステップ3において、前記ANDゲート回路が高電位を出力することで、前記第1スイッチを閉じさせ、低電位を出力することで、前記第1スイッチは開放されることを特徴とする請求項4に記載のGOA回路の過電流保護方法。
【請求項6】
前記ステップ1において、前記GOA回路の開始信号が高電位を供給するとき、前記第2スイッチは閉じ、前記GOA回路の開始信号が低電位を供給するとき、前記第2スイッチは開放されることを特徴とする請求項4に記載のGOA回路の過電流保護方法。
【請求項7】
前記GOA回路の開始信号のパルス周期は、前記GOA回路の1フレームの走査期間に等しいことを特徴とする請求項4に記載のGOA回路の過電流保護方法。
【請求項8】
電源管理チップと、前記電源管理チップに電気的に接続されているレベルシフトチップとを含み、前記レベルシフトチップはGOA回路に電気的に接続されているGOA回路の過電流保護システムにおいて、
前記レベルシフトチップ内には過電流保護モジュールが設けられており; 前記過電流保護モジュールは、電流比較器と、ANDゲート回路と、立ち上がりエッジパルス遅延回路と、電源と、電圧比較器と、第1スイッチと、第2スイッチと、キャパシタとを含んでおり; 前記電流比較器の正の入力端子は前記GOA回路内のクロック信号の配線上の電流を取得し、前記電流比較器の負の入力端子は基準電流を取得し; 前記ANDゲート回路の第1入力端子は前記電流比較器の出力端子に電気的に接続されており、第2入力端子は前記立ち上がりエッジパルス遅延回路の出力端子に電気的に接続されており; 前記立ち上がりエッジパルス遅延回路の入力端子はクロック信号制御信号を受信し; 前記キャパシタの一方の端子は第1ノードに電気的に接続されており、他方の端子は接地されており; 前記第1スイッチの一方の端子は前記電源に電気的に接続されており、他方の端子は前記第1ノードに電気的に接続されており、制御端子は前記ANDゲート回路の出力端子に電気的に接続されており; 前記第2スイッチの一方の端子は前記第1ノードに電気的に接続されており、他方の端子は接地されており、制御端子は前記GOA回路の開始信号を受信し; 前記電圧比較器の負の入力端子は前記第1ノードに電気的に接続されており、正の入力端子は基準電圧を取得し、出力端子は前記電源管理チップに電気的に接続されており;
前記GOA回路内のクロック信号の配線上の電流が前記基準電流よりも大きいとき、前記電流比較器から前記ANDゲート回路の第1入力端子に高電位が出力され、前記GOA回路内のクロック信号の配線上の電流が前記基準電流よりも小さいとき、前記電流比較器から前記ANDゲート回路の第1入力端子に低電位が出力され、
前記GOA回路の開始信号が高電位にあるとき、前記第2スイッチは閉じ、前記GOA回路の開始信号が低電位にあるとき、前記第2スイッチは開放され、
前記クロック信号制御信号の電位の高低は前記GOA回路内のクロック信号の電位の高低に対応しており; 前記電源管理チップは前記レベルシフトチップを介して前記GOA回路に電力を供給するのに用いられ、前記第1ノードの電圧が前記基準電圧よりも高いとき、前記電圧比較器は過電流保護制御信号を前記電源管理チップに出力し、前記電源管理チップから前記GOA回路への電力供給を停止するように制御することで、前記GOA回路の過電流保護を実行し;
前記ANDゲート回路の出力端子が高電位にあるとき、前記第1スイッチは閉じ、前記ANDゲート回路の出力端子が低電位にあるとき、前記第1スイッチは開放され;
前記GOA回路の開始信号のパルス周期は、前記GOA回路の1フレームの走査期間に等しいことを特徴とするGOA回路の過電流保護システム。
【請求項9】
前記レベルシフトチップ内にはさらに、前記過電流保護モジュールと電気的に接続されたクロック信号制御信号生成モジュールが設けられており、前記クロック信号制御信号生成モジュールは、前記GOA回路及び前記過電流保護モジュールに前記クロック信号制御信号を供給するのに用いられることを特徴とする請求項8に記載のGOA回路の過電流保護システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ディスプレイ技術の分野に関するものであり、特にGOA回路の過電流保護システム及びその方法に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶ディスプレイ(Liquid Crystal Display,LCD)は、本体薄型、省電力、輻射がない等多くの利点を有しているため、液晶テレビ、携帯電話、携帯情報端末(PDA)、デジタルカメラ、コンピューターのスクリーン又はノートパソコンのスクリーン等に広く用いられ、平面パネル型ディスプレイの分野では優位性を示している。
【0003】
アクティブマトリックス液晶ディスプレイ(Active Matrix Liquid Crystal Display,AMLCD)は現在最も一般的に使用されている液晶ディスプレイであり、複数のピクセルを有し、各ピクセルはそれぞれ一つの薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor,TFT)によって制御されており、当該TFTのゲート電極は水平方向に延伸する走査線に接続されており、ドレイン電極は垂直方向に延伸するデータ線に接続されており、ソース電極は対応するピクセル電極に接続されている。水平方向における特定の走査線に十分な正電圧を印加することで、当該走査線に接続された全てのTFTはオンとなり、データ線にロードされたデータ信号電圧をピクセル電極に書き込み、異なる液晶の透過度を制御することにより、色彩を制御する効果が得られる。
【0004】
アクティブマトリックス液晶ディスプレイにおける水平走査線の駆動(即ち、ゲート電極駆動)は当初、外付けの集積回路(Integrated Circuit,IC)によって遂行され、外付けのICは各レベルの水平走査線の段階的な充電及び放電を制御することができる。GOA技術(Gate Driver on Array)、即ち、アレイ基板行駆動技術は、液晶ディスプレイパネルのアレイ工程を利用して、水平走査線の駆動回路をディスプレイ区域周辺の基板上に製造することができ、外付けICに代わって水平走査線の駆動を遂行させることができる。GOA技術は、外付けICを溶接(Bonding)する工程を削減し、生産能力を高め、且つ生産コストを減少させることができる場合があり、加えて、液晶ディスプレイパネルをさらに狭額ベゼルのディスプレイ製品の生産に適したものとすることができる。
【0005】
GOA回路の内部におけるクロック信号(CK)等の高低電圧変換信号の配線は比較的多く、配列が密集しており、さらに、封止剤中の異物又は不純物粒子(Particle)の影響により、GOA回路の内部で短絡が起こるリスクが非常に高い。さらに、短絡が起きた際、隣接する配線間の電圧差と電流は非常に大きくなり、短絡点の電力も非常に大きくなるため、パネルの温度上昇を引き起こし、深刻な場合は画面焼けの現象が発生することもあり得る。このため、GOA電流に対して過電流保護(Over Current Protection)を実行する必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明の目的は、GOA回路の過電流保護システムを提供することであり、当該システムはGOA回路に対し過電流保護を行なうことで、GOA回路の短絡により引き起こされる画面焼けの現象を回避することができる。
【0007】
本発明の目的は、さらにGOA回路の過電流保護方法を提供することであり、当該方法はGOA回路に対し過電流保護を行なうことで、GOA回路の短絡により引き起こされる画面焼けの現象を回避することができる。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記の目的を達成するために、本発明はGOA回路の過電流保護システムを提供し、当該GOA回路の過電流保護システムは、
電源管理チップと、前記電源管理チップに電気的に接続されているレベルシフトチップとを含み、前記レベルシフトチップはGOA回路に電気的に接続されており;
前記レベルシフトチップ内には過電流保護モジュールが設けられており; 前記過電流保護モジュールは、電流比較器と、ANDゲート回路と、立ち上がりエッジパルス遅延回路と、電源と、電圧比較器と、第1スイッチと、第2スイッチと、キャパシタとを含んでおり; 前記電流比較器の正の入力端子は前記GOA回路内のクロック信号の配線上の電流を取得し、前記電流比較器の負の入力端子は基準電流を取得し; 前記ANDゲート回路の第1入力端子は前記電流比較器の出力端子に電気的に接続されており、第2入力端子は前記立ち上がりエッジパルス遅延回路の出力端子に電気的に接続されており; 前記立ち上がりエッジパルス遅延回路の入力端子はクロック信号制御信号を受信し; 前記キャパシタの一方の端子は第1ノードに電気的に接続されており、他方の端子は接地されており; 前記第1スイッチの一方の端子は前記電源に電気的に接続されており、他方の端子は前記第1ノードに電気的に接続されており、制御端子は前記ANDゲート回路の出力端子に電気的に接続されており; 前記第2スイッチの一方の端子は前記第1ノードに電気的に接続されており、他方の端子は接地されており、制御端子は前記GOA回路の開始信号を受信し; 前記電圧比較器の負の入力端子は前記第1ノードに電気的に接続されており、正の入力端子は基準電圧を取得し、出力端子は前記電源管理チップに電気的に接続されており;
前記GOA回路内のクロック信号の配線上の電流が前記基準電流よりも大きいとき、前記電流比較器から前記ANDゲート回路の第1入力端子に高電位が出力され、前記GOA回路内のクロック信号の配線上の電流が前記基準電流よりも小さいとき、前記電流比較器から前記ANDゲート回路の第1入力端子に低電位が出力され、
前記ANDゲート回路の出力端子が高電位にあるとき、前記第1スイッチは閉じ、前記ANDゲート回路の出力端子が低電位にあるとき、前記第1スイッチは開放され、
前記GOA回路の開始信号が高電位にあるとき、前記第2スイッチは閉じ、前記GOA回路の開始信号が低電位にあるとき、前記第2スイッチは開放され、
前記クロック信号制御信号の電位の高低は前記GOA回路内のクロック信号の電位の高低に対応しており; 前記電源管理チップは前記レベルシフトチップを介して前記GOA回路に電力を供給するのに用いられ、前記第1ノードの電圧が前記基準電圧よりも高いとき、前記電圧比較器は過電流保護制御信号を前記電源管理チップに出力し、前記電源管理チップから前記GOA回路への電力供給を停止するように制御することで、前記GOA回路の過電流保護を実行する。
【0009】
前記レベルシフトチップ内にはさらに、前記過電流保護モジュールと電気的に接続されたクロック信号制御信号生成モジュールが設けられており、前記クロック信号制御信号生成モジュールは、前記GOA回路及び前記過電流保護モジュールに前記クロック信号制御信号を供給するのに用いられる。
【0012】
前記GOA回路の開始信号のパルス周期は、前記GOA回路の1フレームの走査期間に等しい。
【0013】
本発明はさらにGOA回路の過電流保護方法を提供し、当該方法は上記のGOA回路の過電流保護システムに用いられるものである。前記GOA回路の過電流保護方法は、
前記GOA回路が1フレームの走査を開始する際、前記第
2スイッチは、前記GOA回路の開始信号STVの制御下で先に閉じ、次いで開放されることで、前記第1ノードの電位をリセットするステップ1と;
前記GOA回路の前記1フレームの走査期間内において、前記電流比較器は常に前記GOA回路中のクロック信号の配線上の電流と前記基準電流との大小を比較し、且つ、その比較結果に基づいて、前記ANDゲート回路の第1入力端子に相応の電位を有する第1制御信号を生成し; 前記立ち上がりエッジパルス遅延回路は、所定の遅延時間後に前記クロック信号制御信号を前記ANDゲート回路の第2入力端子に出力し;
ここで、前記GOA回路内のクロック信号の配線上の電流が前記基準電流よりも大きいとき、前記第1制御信号は高電位になり; 前記GOA回路内のクロック信号の配線上の電流が前記基準電流よりも小さいとき、前記第1制御信号は低電位にあるステップ2と;
前記GOA回路の前記1フレームの走査期間内において、前記第1制御信号及び前記クロック信号制御信号がいずれも高電位にあるとき、前記ANDゲート回路は、前記第
1スイッチを閉じ、前記電源が前記第1ノードの電圧を上げるために前記キャパシタを充電するように制御し、前記第1制御信号又は前記クロック信号制御信号が低電位にあるとき、前記ANDゲート回路は、前記第
1スイッチを開放し、前記第1ノードの電圧を維持し不変のものとするために、前記電源から前記キャパシタへの充電を停止するように制御するステップ3と;
前記GOA回路の前記1フレームの走査期間内において、前記電圧比較器は前記第1ノードの電圧と前記基準電圧とを比較し、且つ、前記第1ノードの電圧が前記基準電圧よりも高いとき、前記電源管理チップに前記過電流保護制御信号を出力し、前記電源管理チップから前記GOA回路への電力供給を停止するように制御することで、前記GOA回路の過電流保護を実行するステップ4と、を含む。
【0014】
前記ステップ3において、前記ANDゲート回路が高電位を出力することで、前記第1スイッチを閉じさせ、低電位を出力することで、前記第1スイッチは開放される。
【0015】
前記ステップ1において、前記GOA回路の開始信号が高電位を供給するとき、前記第2スイッチは閉じ、前記GOA回路の開始信号が低電位を供給するとき、前記第2スイッチは開放される。
【0016】
前記GOA回路の開始信号のパルス周期は、前記GOA回路の1フレームの走査期間に等しい。
【0017】
本発明はさらにGOA回路の過電流保護システムを提供し、当該GOA回路の過電流保護システムは、
電源管理チップと、前記電源管理チップに電気的に接続されているレベルシフトチップとを含み、前記レベルシフトチップはGOA回路に電気的に接続されており、
前記レベルシフトチップ内には過電流保護モジュールが設けられており; 前記過電流保護モジュールは、電流比較器と、ANDゲート回路と、立ち上がりエッジパルス遅延回路と、電源と、電圧比較器と、第1スイッチと、第2スイッチと、キャパシタとを含んでおり; 前記電流比較器の正の入力端子は前記GOA回路内のクロック信号の配線上の電流を取得し、負の入力端子は基準電流を取得し; 前記ANDゲート回路の第1入力端子は前記電流比較器の出力端子に電気的に接続されており、第2入力端子は前記立ち上がりエッジパルス遅延回路の出力端子に電気的に接続されており; 前記立ち上がりエッジパルス遅延回路の入力端子はクロック信号制御信号を受信し; 前記キャパシタの一方の端子は第1ノードに電気的に接続されており、他方の端子は接地されており; 前記第1スイッチの一方の端子は前記電源に電気的に接続されており、他方の端子は前記第1ノードに電気的に接続されており、制御端子は前記ANDゲート回路の出力端子に電気的に接続されており; 前記第2スイッチの一方の端子は前記第1ノードに電気的に接続されており、他方の端子は接地されており、制御端子は前記GOA回路の開始信号を受信し; 前記電圧比較器の負の入力端子は前記第1ノードに電気的に接続されており、正の入力端子は基準電圧を取得し、出力端子は前記電源管理チップに電気的に接続されており;
前記GOA回路内のクロック信号の配線上の電流が前記基準電流よりも大きいとき、前記電流比較器から前記ANDゲート回路の第1入力端子に高電位が出力され、前記GOA回路内のクロック信号の配線上の電流が前記基準電流よりも小さいとき、前記電流比較器から前記ANDゲート回路の第1入力端子に低電位が出力され、
前記GOA回路の開始信号が高電位にあるとき、前記第2スイッチは閉じ、前記GOA回路の開始信号が低電位にあるとき、前記第2スイッチは開放され、
前記クロック信号制御信号の電位の高低は前記GOA回路内のクロック信号の電位の高低に対応しており; 前記電源管理チップは前記レベルシフトチップを介して前記GOA回路に電力を供給するのに用いられ、前記第1ノードの電圧が前記基準電圧よりも高いとき、前記電圧比較器は過電流保護制御信号を前記電源管理チップに出力し、前記電源管理チップから前記GOA回路への電力供給を停止するように制御することで、前記GOA回路の過電流保護を実行し;
ここで、前記ANDゲート回路の出力端子が高電位にあるとき、前記第1スイッチは閉じ、前記ANDゲート回路の出力端子が低電位にあるとき、前記第1スイッチは開放され、
ここで、前記GOA回路の開始信号のパルス周期は、前記GOA回路の1フレームの走査期間に等しい。
【発明の効果】
【0018】
本発明の有益な効果は以下の通りである。本発明は、GOA回路の過電流保護システム及びその方法を提供するものである。当該GOA回路の過電流保護システムは、電源管理チップとレベルシフトチップとを含んでおり、前記レベルシフトチップ内には過電流保護モジュールが設けられている。前記過電流保護モジュールは、電流比較器と、ANDゲート回路と、立ち上がりエッジパルス遅延回路と、電源と、電圧比較器と、第1スイッチと、第2スイッチと、キャパシタとを含む。電流比較器でGOA回路内のクロック信号の配線上の電流を検出し、且つGOA回路内のクロック信号の配線上の電流が高すぎるとき、電源からキャパシタへの電力供給を制御する。電圧比較器でキャパシタの両端、すなわち、第1ノードの電圧を検出し、且つ第1ノードの電圧が高すぎるとき、電源管理チップに過電流保護制御信号を出力し、電源管理チップからGOA回路への電力供給を停止するように制御する。これにより、GOA回路の過電流保護を実行し、GOA回路の短絡によって引き起こされる画面焼けの現象を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
本発明の特徴及び技術内容をより理解するために、以下の本発明の詳細な説明及び添付の図面を参照されたい。ここで、添付の図面は単に参考及び説明に供するためのものであり、本発明を限定するためのものではない。添付の図面において、
【
図1】本発明におけるGOA回路の過電流保護システムの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
本発明で採用されている技術的手段及びその効果をさらに説明するために、以下において、本発明の好ましい実施形態及び添付の図面を組み合わせて詳述する。
【0021】
図1を参照すると、本発明はGOA回路の過電流保護システムを提供するものであり、当該システムは、電源管理チップ(Power ManageIC,PMIC)1と、前記電源管理チップ1に電気的に接続されているレベルシフトチップ(Level shift IC)2とを含んでおり、前記レベルシフトチップ2はGOA回路3に電気的に接続されている。
【0022】
前記レベルシフトチップ2内には、過電流保護モジュール21が設けられている。前記過電流保護モジュール21は、電流比較器10と、ANDゲート回路20と、立ち上がりエッジパルス遅延回路30と、電源40と、電圧比較器50と、第1スイッチK1と、第2スイッチK2と、キャパシタCとを含む。前記電流比較器10の正の入力端子は前記GOA回路3内のクロック信号の配線上の電流Isenseを取得し、負の入力端子は基準電流Irefを取得する。前記ANDゲート回路20の第1入力端子は電流比較器10の出力端子に電気的に接続されており、第2入力端子は立ち上がりエッジパルス遅延回路30の出力端子に電気的に接続されている。前記立ち上がりエッジパルス遅延回路30の入力端子は、クロック信号制御信号HSDRVを受信する。前記キャパシタCの一方の端子は第1ノードQに電気的に接続されており、他方の端子は接地されている。前記第1スイッチK1の一方の端子は電源40に電気的に接続されており、他方の端子は第1ノードQに電気的に接続されており、制御端子はANDゲート回路20の出力端子に電気的に接続される。前記第2スイッチK2の一方の端子は第1ノードQに電気的に接続されており、他方の端子は接地されており、制御端子はGOA回路3の開始信号STVを受信する。前記電圧比較器50の負の入力端子は第1ノードQに電気的に接続されており、正の入力端子は基準電圧Vrefを取得し、出力端子は電源管理チップ1に電気的に接続されている。
【0023】
ここで、前記クロック信号制御信号HSDRVは前記GOA回路内のクロック信号の電位制御信号であり、クロック信号制御信号の電位の高低は前記GOA回路内のクロック信号の電位の高低に対応している。すなわち、前記クロック信号制御信号HSDRVが高電位にあるときは、前記GOA回路内のクロック信号も高電位にあり;前記クロック信号制御信号HSDRVが低電位にあるときは、前記GOA回路内のクロック信号も低電位にある。
【0024】
前記電源管理チップ1は、前記レベルシフトチップ2を介して前記GOA回路3に電力を供給するのに用いられる。前記第1ノードQの電圧が前記基準電圧Vrefよりも高いとき、前記電圧比較器50は過電流保護制御信号OCFを前記電源管理チップ1に出力し、前記電源管理チップ1からGOA回路への電力供給を停止するように制御することでGOA回路の過電流保護を実行する。
【0025】
具体的には、前記レベルシフトチップ2内にはさらに、前記過電流保護モジュール21と電気的に接続されたクロック信号制御信号生成モジュール22が設けられている。前記クロック信号制御信号生成モジュール22は、前記GOA回路3及び過電流保護モジュール21にクロック信号制御信号HSDRVを供給するのに用いられる。
【0026】
具体的には、第1スイッチK1及び第2スイッチK2はいずれも常開型スイッチである。前記ANDゲート回路20の出力端子が高電位にあるとき、前記第1スイッチK1は閉じ;前記ANDゲート回路20の出力端子が低電位にあるとき、前記第1スイッチK1は開放される。前記GOA回路の開始信号STVが高電位にあるとき、前記第2スイッチK2は閉じ;前記GOA回路の開始信号STVが低電位にあるとき、前記第2スイッチK2は開放される。具体的には、前記GOA回路の開始信号STVのパルス周期は、GOA回路の1フレームの走査期間に等しい。
【0027】
ここで説明すべきこととして、本発明のGOA回路の過電流保護システムの動作工程は、以下の通りである。まず、GOA回路3の開始信号STVが高電位を供給し、GOA回路3が1フレームの走査を開始して、第2スイッチK2が閉じると、第1ノードQの電位はゼロにリセットされる。次に、GOA回路3の開始信号STVが低電位を供給して、第2スイッチK2は開放され、クロック信号制御信号HSDRVは高電位を立ち上がりエッジパルス遅延回路30に供給すると共に、GOA回路3内のクロック信号も低電位から高電位に切り替わる。その後、前記立ち上がりエッジパルス遅延回路30は所定の遅延時間後に、クロック信号制御信号HSDRVの立ち上がりエッジ(即ち、高電位)をANDゲート回路20の第2入力端子に供給すると共に、電流比較器10は所定の基準電流IrefとGOA回路3内のクロック信号の配線上の電流Isenseとの大小を比較し、GOA回路3内のクロック信号の配線上の電流Isenseが基準電流Irefよりも大きいとき、ANDゲート回路20の第1入力端子に高電位が出力される。これにより、ANDゲート回路20の第1入力端子及び第2入力端子をいずれも高電位とすることで、ANDゲート回路20の出力端子は第1スイッチK1の制御端子に高電位を出力して、第1スイッチK1を閉じさせ、電源40はキャパシタCを充電し、第1ノードQの電位は上昇し続ける。そして、第1ノードQの電位が上昇して基準電圧Vrefよりも高くなると、電圧比較器50は高電位の過電流保護制御信号OCFを出力し、電源管理チップ2から前記GOA回路3への電力供給を停止するように制御することで、GOA回路3に対して過電流保護を実行する。
【0028】
さらに、GOA回路の1フレームの走査期間内において、GOA回路3内のクロック信号の配線上の電流Isenseが常に基準電流Irefよりも小さい場合には、電流比較器10が常に低電位をANDゲート回路20の第1入力端子に出力し、同様に、ANDゲート回路20の出力端子も常に低電位を第1スイッチK1の制御端子に出力する。これにより、第1スイッチK1は常に開放状態を維持し、電源40は常にキャパシタCから切り離されて、第1ノードQの電位が常にゼロになり、過電流保護は常にオフとなるため、GOA回路は正常に機能し続けることができる。
【0029】
GOA回路の1フレームの走査期間内において、第1ノードQの電位が上昇して基準電圧Vrefよりも大きくなる前に、GOA回路3内のクロック信号の配線上の電流Isenseが再び下降して基準電流Irefより小さくなった場合、電源40はキャパシタCへの充電を停止し、次のフレームの走査開始時にGOA回路の開始信号STVが再び高電位を供給までは、第1ノードQの電位が不変の状態を維持し、そして第1ノードQの電位はリセットされる。ここで、次のフレームの走査開始前に、クロック信号制御信号HDSRVが高電位を供給し、且つGOA回路3内のクロック信号の配線上の電流Isenseが基準電流Irefよりも大きくなる状況が再び生じた場合、電源40は前回の充電を基に、そこからキャパシタCを充電し続けることで、第1ノードQの電位は基準電圧Vrefよりも大きくなるまで上昇し続けて、過電流保護を開始し、又はGOA回路の開始信号STVが再び高電位を供給するようになる。
【0030】
すなわち、GOA回路の1フレームの走査期間内において、クロック信号制御信号HSDRVが高電位を供給し、且つGOA回路3内のクロック信号の配線上の電流Isenseが基準電流Irefよりも大きくなる状況が発生する限り、第1ノードQの電位が基準電圧Vrefよりも大きくなるまで上昇し続けて、過電流保護を開始するまで、第1ノードQの電位を上昇させて、複数回の充電を累積できるように、電源40がキャパシタCを充電し、又はGOA回路の開始信号STVが再び高電位を供給して、第1ノードQの電位は次のフレームの走査期間にリセットされる。
【0031】
ここで言及すべき点として、クロック信号が低電位から高電位へと切り替わる瞬間に発生する電流は非常に大きく、当該電流は短絡によって引き起こされたものではないため、除外されるべきである。このため本発明では、立ち上がりエッジパルス遅延回路30が設けられており、当該立ち上がりエッジパルス遅延回路30が所定の遅延時間後にクロック信号制御信号HSDRVの立ち上がりエッジ(即ち、高電位)をANDゲート回路20の第2入力端子に出力することで、すなわちGOA回路3内のクロック信号の配線上の電流Isenseが定常状態に移行した後に、基準電流Irefを超えるGOA回路3内のクロック信号の配線上の電流Isenseを検出し及び累積させることで、過電流保護を実行する。
【0032】
上記GOA回路の過電流保護システムに基づいて、本発明はさらに、上記GOA回路の過電流保護システムに用いられる、GOA回路の過電流保護方法を提供する。当該方法は、以下のステップを含む。
【0033】
ステップ1:GOA回路3が1フレームの走査を開始する際、第
2スイッチK
2は、GOA回路3の開始信号STVの制御下で先に閉じ、次いで開放されることで、第1ノードQの電位をリセットする。
【0034】
具体的には、ステップ1において、GOA回路3が1フレームの走査を開始すると、前記GOA回路の開始信号STVはまず高電位を供給し、前記第2スイッチK2を閉じさせ、第1ノードQの電位をリセットする。その後、GOA回路の開始信号STVは低電位を供給し、前記第2スイッチK2は開放され、第1ノードQの電位をGOA回路3の走査プロセスの進行に従って変化させることができる。
【0035】
具体的には、前記GOA回路の開始信号STVのパルス周期は、GOA回路3の1フレームの走査期間に等しい。
【0036】
ステップ2:GOA回路3の当該1フレームの走査期間内において、前記電流比較器10は常に前記GOA回路3内のクロック信号の配線上の電流Isenseと基準電流Irefとの大小を比較し、且つ、その比較結果に基づいて、前記ANDゲート回路20の第1入力端子に相応の電位を有する第1制御信号TP1を生成する。前記立ち上がりエッジパルス遅延回路30は、所定の遅延時間後に前記クロック信号制御信号HSDRVをANDゲート回路2の第2入力端子に出力する。
【0037】
ここで、前記GOA回路3内のクロック信号の配線上の電流Isenseが基準電流Irefよりも大きいとき、前記第1制御信号TP1は高電位になる。前記GOA回路3内のクロック信号の配線上の電流Isenseが基準電流Irefよりも小さいとき、前記第1制御信号TP1は低電位になる。
【0038】
ステップ3:GOA回路3の当該1フレームの走査期間内において、前記第1制御信号TP1及びクロック信号制御信号HSDRVがいずれも高電位にあるとき、前記ANDゲート回路20は第
1スイッチK
1を閉じ、電源40が第1ノードQの電圧を上げるためにキャパシタCを充電するように制御する。前記第1制御信号TP1又はクロック信号制御信号HSDRVが低電位にあるとき、前記ANDゲート回路20は第
1スイッチK
1を開放し、第1ノードQの電圧を維持し不変のものとするために、電源40からキャパシタCへの充電を停止するように制御する。
【0039】
具体的には、ANDゲート回路の論理演算規則に従って、前記第1制御信号TP1及びクロック信号制御信号HSDRVがいずれも高電位にあるとき、すなわち、前記ANDゲート回路20の2つの入力端子がいずれも高電位にあるとき、前記ANDゲート回路20は高電位を出力し;前記ANDゲート回路20は、前記第1制御信号TP1又はクロック信号制御信号HSDRVが低電位にあるとき、すなわち、前記ANDゲート回路20の2つの入力端子のいずれかが低電位にあるとき、前記ANDゲート回路20は低電位を出力する。このため、当該ステップ3において、設置された前記ANDゲート回路20が高電位を出力することで、前記第1スイッチK1を閉じさせ、低電位を出力することで、前記第1スイッチK1を開放する。
【0040】
ステップ4:GOA回路3の当該1フレームの走査期間内において、前記電圧比較器50は第1ノードQの電圧と基準電圧Vrefとを比較し、且つ、前記第1ノードQの電圧が前記基準電圧Vrefよりも高いとき、前記電源管理チップ1に過電流保護制御信号OCFを出力し、前記電源管理チップ1からGOA回路への電力供給を停止するように制御することで、GOA回路の過電流保護を実行する。
【0041】
上述のように、本発明は、GOA回路の過電流保護システム及びその方法を提供するものである。当該GOA回路の過電流保護システムは電源管理チップとレベルシフトチップとを含んでおり、前記レベルシフトチップ内には過電流保護モジュールが設けられている。前記過電流保護モジュールは、電流比較器と、ANDゲート回路と、立ち上がりエッジパルス遅延回路と、電源と、電圧比較器と、第1スイッチと、第2スイッチと、キャパシタとを含む。電流比較器でGOA回路内のクロック信号の配線上の電流を検出し、且つGOA回路内のクロック信号の配線上の電流が高すぎるとき、電源からキャパシタへの電力供給を制御する。電圧比較器でキャパシタの両端、すなわち、第1ノードの電圧を検出し、且つ第1ノードの電圧が高すぎるとき、電源管理チップに過電流保護制御信号を出力し、電源管理チップからGOA回路への電力供給を停止するように制御する。これにより、GOA回路の過電流保護を実行し、GOA回路の短絡によって引き起こされる画面焼けの現象を回避することができる。
【0042】
以上のように、本分野における通常の技術者は、本発明の技術案及び技術思想に基づいてその他各種の対応する改変及び変形を施すことができ、これら全ての改変及び変形はいずれも本発明の特許請求の範囲で保護を求める範囲に属するものである。