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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6853414
(24)【登録日】2021年3月15日
(45)【発行日】2021年3月31日
(54)【発明の名称】透明電極部材、積層透明電極部材および静電容量式センサ
(51)【国際特許分類】
G06F 3/044 20060101AFI20210322BHJP
G06F 3/041 20060101ALI20210322BHJP
【ＦＩ】
G06F3/044 122
G06F3/041 422
G06F3/041 490
G06F3/044 124
【請求項の数】10
【全頁数】45
(21)【出願番号】特願2020-507748(P2020-507748)
(86)(22)【出願日】2019年3月15日
(86)【国際出願番号】JP2019010788
(87)【国際公開番号】WO2019181772
(87)【国際公開日】20190926
【審査請求日】2020年3月9日
(31)【優先権主張番号】特願2018-55390(P2018-55390)
(32)【優先日】2018年3月22日
(33)【優先権主張国】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000010098
【氏名又は名称】アルプスアルパイン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100135183
【弁理士】
【氏名又は名称】大窪 克之
(74)【代理人】
【識別番号】100085453
【弁理士】
【氏名又は名称】野▲崎▼ 照夫
(74)【代理人】
【識別番号】100108006
【弁理士】
【氏名又は名称】松下 昌弘
(72)【発明者】
【氏名】高橋 亨
(72)【発明者】
【氏名】竹内 正宜
【審査官】
木内 康裕
(56)【参考文献】
【文献】
特開２０１０−１５７４００（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１０−１６５４６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００８−２８２９２４（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｇ０６Ｆ ３／０４４
Ｇ０６Ｆ ３／０４１
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
透光性を有する基材と、
前記基材の一つの面である第１面に複数配置され、透光性を有する透明電極と、
前記第１面の法線方向からみたときに、前記透明電極が配置された領域の周囲の少なくとも一部に位置する絶縁領域に配置された絶縁層と、
を備える透明電極部材であって、
前記透明電極は、絶縁材料からなるマトリックスと、前記マトリックス内に分散した導電性ナノワイヤと、を含む分散層を備え、
前記透明電極は、前記第１面の法線方向からみたときに、導電部からなる導電領域と光学調整部を有する光学調整領域とを有し、
前記導電部は、前記光学調整部よりも導電性が高く、
前記光学調整部は、前記分散層における前記導電性ナノワイヤの分散密度が前記導電部よりも低く、
前記光学調整領域は、前記第１面の法線方向からみたときに、前記第１面の面内に沿った格子の格子点となる位置に配置される複数の部分領域を有し、
前記絶縁層は、前記第１面の法線方向からみたときに、前記部分領域とは重ならず、前記格子点の複数を結ぶ線状に設けられ、
前記複数の格子点のうち互いに隣り合う４つの格子点を隅部として構成される第１方式の矩形領域、および前記複数の格子点のうち中心となる１つの格子点の周囲に位置して互いに隣り合う４つの格子点を隅部として構成される第２方式の矩形領域の少なくとも一方において、前記矩形領域内に含まれる前記導電部以外からなる領域がすべて前記部分領域であるものを第１矩形領域、前記矩形領域内に少なくとも前記絶縁層が含まれるものを第２矩形領域とした場合、前記第１矩形領域の前記導電部以外からなる領域の占有面積Ｓａと、前記第２矩形領域の前記導電部以外からなる領域の占有面積Ｓｂとは、下記式の関係を有することを特徴とする透明電極部材。
Ｓａ／Ｓｂ＝１±０．３
前記基材の一つの面である第１面に複数配置され、透光性を有する透明電極と、
前記第１面の法線方向からみたときに、前記透明電極が配置された領域の周囲の少なくとも一部に位置する絶縁領域に配置された絶縁層と、
を備える透明電極部材であって、
前記透明電極は、絶縁材料からなるマトリックスと、前記マトリックス内に分散した導電性ナノワイヤと、を含む分散層を備え、
前記透明電極は、前記第１面の法線方向からみたときに、導電部からなる導電領域と光学調整部を有する光学調整領域とを有し、
前記導電部は、前記光学調整部よりも導電性が高く、
前記光学調整部は、前記分散層における前記導電性ナノワイヤの分散密度が前記導電部よりも低く、
前記光学調整領域は、前記第１面の法線方向からみたときに、前記第１面の面内に沿った格子の格子点となる位置に配置される複数の部分領域を有し、
前記絶縁層は、前記第１面の法線方向からみたときに、前記部分領域とは重ならず、前記格子点の複数を結ぶ線状に設けられ、
前記複数の格子点のうち互いに隣り合う４つの格子点を隅部として構成される第１方式の矩形領域、および前記複数の格子点のうち中心となる１つの格子点の周囲に位置して互いに隣り合う４つの格子点を隅部として構成される第２方式の矩形領域の少なくとも一方において、前記矩形領域内に含まれる前記導電部以外からなる領域がすべて前記部分領域であるものを第１矩形領域、前記矩形領域内に少なくとも前記絶縁層が含まれるものを第２矩形領域とした場合、前記第１矩形領域の前記導電部以外からなる領域の占有面積Ｓａと、前記第２矩形領域の前記導電部以外からなる領域の占有面積Ｓｂとは、下記式の関係を有することを特徴とする透明電極部材。
Ｓａ／Ｓｂ＝１±０．３
【請求項2】
前記絶縁層は、前記第１面の法線方向からみたときに、延在方向に交差する長さの最小値が１０μｍ以上である、請求項１に記載の透明電極部材。
【請求項3】
前記複数の部分領域は、互いに３０μｍ以上離間している、請求項１または請求項２に記載の透明電極部材。
【請求項4】
前記透明電極における前記光学調整領域の面積割合は４０％以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載の透明電極部材。
【請求項5】
前記透明電極は、
前記第１面の面内方向の一つである第１方向に沿って並んで配置され、互いに電気的に接続された複数の第１透明電極と、
前記第１面の面内方向のうち前記第１方向とは異なる第２方向に沿って並んで配置され、互いに電気的に接続された複数の第２透明電極と、を有し、
前記第１方向に隣り合う２つの前記第１透明電極は、前記２つの前記第１透明電極の間に位置し前記導電領域からなる第１透明配線によって互いに電気的に接続され、
前記第２方向に隣り合う２つの前記第２透明電極は、第２透明配線によって電気的に接続され、
前記第１透明配線と前記第２透明配線とは、前記第１面の法線方向に絶縁物を介して重なる部分を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の透明電極部材。
前記第１面の面内方向の一つである第１方向に沿って並んで配置され、互いに電気的に接続された複数の第１透明電極と、
前記第１面の面内方向のうち前記第１方向とは異なる第２方向に沿って並んで配置され、互いに電気的に接続された複数の第２透明電極と、を有し、
前記第１方向に隣り合う２つの前記第１透明電極は、前記２つの前記第１透明電極の間に位置し前記導電領域からなる第１透明配線によって互いに電気的に接続され、
前記第２方向に隣り合う２つの前記第２透明電極は、第２透明配線によって電気的に接続され、
前記第１透明配線と前記第２透明配線とは、前記第１面の法線方向に絶縁物を介して重なる部分を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の透明電極部材。
【請求項6】
前記第２透明配線は、前記第２透明電極よりも抵抗が高い材料から構成される、請求項５に記載の透明電極部材。
【請求項7】
前記第２透明配線は前記第２透明電極に積層される部分を有し、前記第２透明電極における前記第２透明配線と接触する部分は前記導電領域からなる、請求項５または請求項６に記載の透明電極部材。
【請求項8】
前記基材はシート状であって、前記第１面は前記基材が有する２つの主面の一つであって、２つの前記主面の他の一つである第２面に、前記主面の面内方向の一つであって前記透明電極が並んで配置される方向である第１方向とは異なる第２方向に沿って並んで配置され、互いに電気的に接続された複数の第２透明電極を有する、請求項１から７のいずれか一項に記載の透明電極部材。
【請求項9】
請求項５から７のいずれか一項に記載の透明電極部材の２つが前記第１面の法線方向に積層された積層透明電極部材であって、
２つの前記透明電極部材の前記第１方向が互いに異なる方向となるように、２つの前記透明電極部材の前記第１透明電極のそれぞれは配置されること
を特徴とする積層透明電極部材。
２つの前記透明電極部材の前記第１方向が互いに異なる方向となるように、２つの前記透明電極部材の前記第１透明電極のそれぞれは配置されること
を特徴とする積層透明電極部材。
【請求項10】
請求項１から９のいずれか一項に記載される透明電極部材と、
操作者の指等の操作体と透明電極との間に生じる静電容量の変化を検知する検知部と、を備える、静電容量式センサ。
操作者の指等の操作体と透明電極との間に生じる静電容量の変化を検知する検知部と、を備える、静電容量式センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、透明電極部材、この透明電極部材の複数を備える積層透明電極部材および上記透明電極部材を用いる静電容量式センサに関する。【背景技術】
【0002】
静電容量式センサは、画面に表示される映像の視認性を低下させることなく操作体が接触した部分の位置を検知するために、透明電極を有する透明電極部材を備えている。この透明電極部材として、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）などの金属酸化物系の材料が一般的に使用されている。【0003】
近年、静電容量式センサを備える機器（例えばスマートフォン）の意匠性を高めることなどを目的として、静電容量式センサの可撓性を高める（曲げ耐性を高める）ことへの要請が高まっている。こうした要請に応えるために、従来使用されてきた金属酸化物系の材料に代えて、銀ナノワイヤなど導電性ナノワイヤをマトリックス樹脂に分散させた構成を有する透明電極部材が提案されている。【0004】
このような構成の透明電極部材において、透明電極が設けられたパターン部と透明電極が設けられていない非パターン部（絶縁部）とが存在する場合には、パターン部と非パターン部とが視覚的に区分される。そして、パターン部の反射率と非パターン部の反射率との間の差が大きくなると、パターン部と非パターン部との違いが視覚的に明らかになる。そうすると、映像を表示する表示素子としての外観の視認性が低下するという問題がある。【0005】
こうした外観の視認性低下の問題を克服する、すなわち、透明電極部材の不可視性を向上する観点から、特許文献１には、透光性の基材の表面に、オーバーコート層に銀ナノワイヤが埋設された導電層が形成されている透光性導電部材において、前記導電層が、導電領域と、前記導電領域よりも表面抵抗率の高い非導電領域とに区分され、前記非導電領域で、前記オーバーコート層に埋設されている銀ナノワイヤの少なくとも一部がヨウ化されており、前記非導電領域では、前記オーバーコート層の表面から銀ヨウ化物が露出していないか、または、前記非導電領域における前記オーバーコート層の表面に露出している銀ヨウ化物の量が、前記導電領域において前記オーバーコート層の表面に露出している銀ナノワイヤの量よりも少ないことを特徴とする透光性導電部材が記載されている。【0006】
特許文献２には、基体シートと、前記基体シート上に形成され、導電性ナノファイバーを含み、その導電性ナノファイバーを介して導通可能であり、目視により認識することができない大きさの複数の微小ピンホールを有する導電パターン層と、前記基体シート上の前記導電パターン層が形成されていない部分に形成され、前記導電性ナノファイバーを含み、前記導電パターン層から絶縁された絶縁パターン層とを備えた、導電性ナノファイバーシートが開示されている。特許文献２に記載された導電性ナノファイバーシートにおける前記絶縁パターン層は、目視により認識することができない幅の狭小溝を有し、その狭小溝により、前記導電パターン層から絶縁されると共に複数の島状に形成される。特許文献３にも、表面を有する基材と、上記表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部とを備え、上記透明絶縁部は、複数の島部からなる透明導電層であり、上記透明導電部および上記透明絶縁部の平均境界線長さが、２０ｍｍ／ｍｍ２以下である透明導電性素子について記載がある。【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】国際公開ＷＯ２０１５／０１９８０５号
【特許文献2】特開２０１０−１５７４００号公報
【特許文献3】特開２０１３−１５２５７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
上記のような微小ピンホールを有する導電パターン層と、導電パターン層から絶縁された絶縁パターン層とを備えた透明電極部材では、パターンの不可視性を十分に得ることはできない。すなわち、微小ピンホールおよび絶縁パターン層の占有面積の観点ではパターンの不可視性を高める効果を十分に達成することはできない。【0009】
本発明は、透明電極のパターンの不可視性を向上させることができる透明電極部材、この透明電極部材の複数を備える積層透明電極部材、および上記の透明電極部材を備える静電容量式センサを提供することを目的とする。【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の透明電極部材は、一態様において、透光性を有する基材と、前記基材の一つの面である第１面に複数配置され、透光性を有する透明電極と、前記第１面の法線方向からみたときに、前記透明電極が配置された領域の周囲の少なくとも一部に位置する絶縁領域に配置された絶縁層と、を備える透明電極部材であって、前記透明電極は、絶縁材料からなるマトリックスと、前記マトリックス内に分散した導電性ナノワイヤと、を含む分散層を備え、前記透明電極は、前記第１面の法線方向からみたときに、導電部からなる導電領域と光学調整部を有する光学調整領域とを有し、前記導電部は、前記光学調整部よりも導電性が高く、前記光学調整部は、前記分散層における前記導電性ナノワイヤの分散密度が前記導電部よりも低く、前記光学調整領域は、前記第１面の法線方向からみたときに、前記第１面の面内に沿った格子の格子点となる位置に配置される複数の部分領域を有し、前記絶縁層は、前記第１面の法線方向からみたときに、前記部分領域とは重ならず、前記格子点の複数を結ぶ線状に設けられ、前記複数の格子点のうち互いに隣り合う４つの格子点を隅部として構成される第１方式の矩形領域、および前記複数の格子点のうち中心となる１つの格子点の周囲に位置して互いに隣り合う４つの格子点を隅部として構成される第２方式の矩形領域の少なくとも一方において、前記矩形領域内に含まれる前記導電部以外からなる領域がすべて前記部分領域であるものを第１矩形領域、前記矩形領域内に少なくとも前記絶縁層が含まれるものを第２矩形領域とした場合、前記第１矩形領域の前記導電部以外からなる領域の占有面積Ｓａと、前記第２矩形領域の前記導電部以外からなる領域の占有面積Ｓｂとは、Ｓａ／Ｓｂ＝１±０．３の関係を有することを特徴とする透明電極部材である。【0011】
このような構成から成る透明電極部材では、光学調整領域の複数の部分領域が、第１面の面内に沿った格子の格子点となる位置に配置され、絶縁層が、部分領域とは重ならず、この格子点の複数を結ぶ線状に設けられているため、複数の部分領域の並びと絶縁層の延在する方向とが格子点の並びの方向と合致するようになる。このような配置において、矩形領域内に含まれる導電部以外からなる領域がすべて部分領域である第１矩形領域での導電部以外の領域の占有面積Ｓａと、少なくとも絶縁層が含まれる第２矩形領域での導電部以外の領域の占有面積Ｓｂとの関係が、Ｓａ／Ｓｂ＝１±０．３を満たしている。上記のような部分領域と絶縁層との配置関係と、占有面積ＳａおよびＳｂとの関係とを満たすことにより、規則的に並ぶ複数の部分領域の群の中に、見た目で部分領域の配置規則と同様な規則性によって絶縁層が配置されることになる。この結果、複数の部分領域と絶縁層との視覚的な区別が付きにくくなって、不可視性を向上させることができる。第１方式の矩形領域の場合には、Ｓａ／Ｓｂは、０．７５以上１．１５以下であることが好ましいことがあり、０．７８以上１．０以下であることがより好ましいことがある。第２方式の矩形領域の場合には、Ｓａ／Ｓｂは、０．８以上１．２以下であることが好ましいことがあり、０．９以上１．１以下であることがより好ましいことがある。Ｓａ／Ｓｂは、格子点の間隔（ピッチ）、部分領域の面積、絶縁層の延在方向に交差する長さの最小値（幅）などによって調整することが可能である。【0012】
上記の透明電極部材において、前記絶縁層は、前記第１面の法線方向からみたときに、延在方向に交差する長さの最小値が１０μｍ以上であることが、不可視性を高める上で好ましい。【0013】
上記の透明電極部材において、前記複数の部分領域は、互いに３０μｍ以上離間していることが好ましい場合がある。この離間距離は、すなわち、離散配置される光学調整領域の間に位置する導電領域の幅であるから、透明電極における個々の導電路の幅となる。この離間距離が３０μｍ以上であることにより、透明電極としての導電性が過度に低下することが安定的に抑制される。【0014】
上記の透明電極部材において、前記透明電極における前記光学調整領域の面積割合（以下、「調整率」ともいう。）は４０％以下であることが、透明電極部材の絶縁破壊耐性を高める観点から好ましい場合がある。【0015】
上記の透明電極部材において、前記透明電極は、前記第１面の面内方向の一つである第１方向に沿って並んで配置され、互いに電気的に接続された複数の第１透明電極と、前記第１面の面内方向の一つであって前記透明電極が並んで配置される方向である第１方向とは異なる第２方向に沿って並んで配置され、互いに電気的に接続された複数の第２透明電極と、を有し、前記第１方向に隣り合う２つの前記第１透明電極は、前記２つの前記第１透明電極の間に位置し前記導電領域からなる第１透明配線によって互いに電気的に接続され、前記第２方向に隣り合う２つの前記第２透明電極は、第２透明配線によって電気的に接続され、前記第１透明配線と前記第２透明配線とは、前記第１面の法線方向に絶縁物を介して重なる部分を有していてもよい。【0016】
上記の透明電極部材において、前記第２透明配線は、前記第２透明電極よりも抵抗が高い材料から構成されていれば、第２透明配線において絶縁破壊が生じる可能性が第１透明配線よりも低くなるため、好ましい。【0017】
上記の透明電極部材において、前記第２透明配線は前記第２透明電極に積層される部分を有し、前記第２透明電極における前記第２透明配線と接触する部分は前記導電領域からなることは、第２透明電極と第２透明配線との界面近傍で絶縁破壊が生じる可能性を低減させるため、好ましい。【0018】
上記の透明電極部材において、前記基材はシート状であってもよい。この場合において、前記第１面は前記基材が有する２つの主面の一つであって、２つの前記主面の他の一つである第２面に、前記主面の面内方向のうち前記第１方向とは異なる第２方向に沿って並んで配置され、互いに電気的に接続された複数の第２透明電極を有していてもよい。【0019】
本発明は、他の一態様として、上記の透明電極部材の２つが前記第１面の法線方向に積層された積層透明電極部材であって、２つの前記透明電極部材の前記第１方向が互いに異なる方向となるように、２つの前記透明電極部材の前記第１透明電極のそれぞれは配置されることを特徴とする積層透明電極部材を提供する。【0020】
本発明は、別の一態様として、上記の透明電極部材と、操作者の指等の操作体と透明電極との間に生じる静電容量の変化を検知する検知部と、を備える、静電容量式センサを提供する。かかる静電容量式センサでは、透明電極の不可視性が高いため、静電容量式センサを透過して使用者に観察される画像の視認性を高めることが可能であり、表示均一性を高めることも可能である。【発明の効果】
【0021】
本発明によれば、透明電極のパターンの不可視性を向上させることができる透明電極部材が提供される。また、この透明電極部材の複数を備える積層透明電極部材、および上記の透明電極部材を備える静電容量式センサも本発明により提供される。【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1】本発明の一実施形態に係る透明電極部材の構造を概念的に示す平面図である。
【図3】本発明の一実施形態に係る透明電極部材の透明電極の具体的な構造の一例を概念的に示す部分断面図である。
【図4】本発明の一実施形態に係る透明電極部材の透明電極の具体的な構造の他の一例を概念的に示す部分断面図である。
【図5】複数の透明電極を有する透明電極部材の一例の構成を概念的に示す平面図である。
【図6】複数の透明電極を有する透明電極部材の他の一例であって、本発明の一実施形態に係る透明電極部材の一例の構成を概念的に示す平面図である。
【図7】第１構成の透明電極部材の製造方法のフローチャートである。
【図8】第１積層体を用意した状態を概念的に示す断面図である。
【図9】レジスト層を第１積層体の上に配置した状態を概念的に示す断面図である。
【図10】ヨウ素液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。
【図11】チオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。
【図12】レジスト層を除去した状態を概念的に示す断面図である。
【図13】第２構成の透明電極部材の製造方法のフローチャートである。
【図14】第１積層体を用意した状態を概念的に示す断面図である。
【図15】第１レジスト層を第１積層体の上に配置した状態を概念的に示す断面図である。
【図16】ヨウ素液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。
【図17】チオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。
【図18】第１レジスト層を除去した状態を概念的に示す断面図である。
【図19】第２レジスト層を第１積層体の上に配置した状態を概念的に示す断面図である。
【図20】ヨウ素液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。
【図21】チオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。
【図22】第２レジスト層を除去した状態を概念的に示す断面図である。
【図23】本実施形態に係る静電容量式センサを表す平面図である。
【図27】本実施形態に係る静電容量式センサの変形例の第１透明電極および第２透明電極を表す平面図である。
【図28】調整率と配線抵抗との関係の一例を例示するグラフである。
【図29】ギャップ幅と調整率との関係の一例を例示するグラフである。
【図30】シート抵抗と導通性確保可能ライン幅との関係の一例を例示するグラフである。
【図31】本実施形態の間隙（ギャップ）の近傍に光学調整部が設けられたときの視認性を説明する平面図である。
【図32】光学調整部の直径を変化させたときの波長と反射率との関係の一例を例示するグラフである。
【図34】光学調整部の形状を変化させたときの波長と反射率との関係の一例を例示するグラフである。
【図36】（ａ）第１構成の透明電極部材の製造方法の変形例においてチオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を示す図、および（ｂ）第１レジスト層を除去して透明電極部材が得られた状態を概念的に示す断面図である。
【図37】（ａ）第２構成の透明電極部材の製造方法の変形例において絶縁層を形成するためのチオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を示す図、および（ｂ）第１レジスト層を除去して中間部材が得られた状態を概念的に示す断面図である。
【図38】（ａ）第２構成の透明電極部材の製造方法の変形例において光学調整部を形成するためのチオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を示す図、および（ｂ）第２レジスト層を除去して透明電極部材が得られた状態を概念的に示す断面図である。
【図39】本実施形態の透明電極部材の検出領域の一部を表す平面図である。
【図40】本実施形態の透明電極部材の検出領域の一部を表す拡大平面図である。
【図41】矩形領域について例示する平面図である。
【図42】（ａ）〜（ｃ）は、矩形領域の種類について例示する模式図である。
【図43】（ａ）〜（ｄ）は、矩形領域の種類について例示する模式図である。
【図44】円形の部分領域の直径を変化させた場合の透明電極部材の例を示す平面図である。
【図45】円形の部分領域の直径を変化させた場合の透明電極部材の例を示す平面図である。
【図46】円形の部分領域の直径を変化させた場合の透明電極部材の例を示す平面図である。
【図47】円形の部分領域の直径を変化させた場合の透明電極部材の例を示す平面図である。
【図48】円形の部分領域の直径を変化させた場合の透明電極部材の例を示す平面図である。
【図49】円形の部分領域の直径を変化させた場合の透明電極部材の例を示す平面図である。
【図50】円形の部分領域の直径を変化させた場合の透明電極部材の例を示す平面図である。
【図51】参考例に係る透明電極部材の例を示す平面図である。
【図52】他の矩形領域について例示する平面図である。
【図53】（ａ）および（ｂ）は、他の矩形領域の種類について例示する模式図である。
【図54】（ａ）および（ｂ）は、他の矩形領域の種類について例示する模式図である。
【図55】本発明の他の実施形態に係る静電容量式センサの構成を説明する図である。
【図56】本発明の別の実施形態に係る静電容量式センサの構成を説明する図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0023】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。【0024】
図１は、本発明の一実施形態に係る透明電極部材の構造を概念的に示す平面図である。図２は、図１のＶ１−Ｖ１断面図である。図３は、本発明の一実施形態に係る透明電極部材の透明電極の具体的な構造の一例を概念的に示す部分断面図である。図４は、本発明の一実施形態に係る透明電極部材の透明電極の具体的な構造の他の一例を概念的に示す部分断面図である。【0025】
図１および図２に示されるように、本発明の一実施形態に係る透明電極部材１００は、透光性を有する基材１０１を備える。本明細書において「透明」および「透光性」とは、可視光線透過率が５０％以上（好ましくは８０％以上）の状態を指す。更に、ヘイズ値が６％以下であることが好適である。本明細書において「遮光」および「遮光性」とは、可視光線透過率が５０％未満（好ましくは２０％未満）の状態を指す。基材１０１は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルム状の透明基材やガラス基材等で形成される。【0026】
透明電極部材１００は、基材１０１の一つの面である第１面Ｓ１に配置された、透光性を有する透明電極１１０と絶縁層１０２とを備える。【0027】
絶縁層１０２は、第１面Ｓ１の法線方向からみたときに、透明電極１１０が配置された領域の周囲の少なくとも一部に位置する絶縁領域ＩＲに配置される。【0028】
透明電極１１０は、図３および図４に示されるように、絶縁材料からなるマトリックスＭＸと、マトリックスＭＸ内に分散した導電性ナノワイヤＮＷと、を含む分散層ＤＬを備える。マトリックスＭＸを構成する絶縁材料の具体例として、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、およびポリウレタン樹脂などが挙げられる。導電性ナノワイヤＮＷとしては、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、および銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つが用いられる。導電性ナノワイヤＮＷの分散性は、マトリックスＭＸにより確保されている。複数の導電性ナノワイヤＮＷが少なくとも一部において互いに接触することにより、透明電極１１０の面内における導電性が保たれている。【0029】
透明電極１１０は、図１および図２に示されるように、第１面Ｓ１の法線方向からみたときに、導電部１１１からなる領域（導電領域）ＣＲと光学調整部１１２を有する領域（光学調整領域）ＡＲとを有する。導電部１１１は、光学調整部１１２よりも導電性が高く、光学調整部１１２は、分散層ＤＬにおける導電性ナノワイヤＮＷの分散密度が導電部１１１よりも低い。【0030】
かかる構造では、透明電極１１０が備える分散層ＤＬにおいて、導電性ナノワイヤＮＷがマトリックスＭＸ内で分散しつつ互いに連結することによって、他の透明導電性材料、特に酸化物系の導電性材料に比べて、高い導電性を達成することができる。その一方で、導電性ナノワイヤＮＷ自体は透光性を有していないため、分散層ＤＬにおける導電性ナノワイヤＮＷの分散密度が高いことによって、透明電極１１０の反射率が高くなる傾向がある。すなわち、分散層ＤＬを備える透明電極１１０では、導電性ナノワイヤＮＷの分散密度が導電性および反射率の双方に対して影響を及ぼすため、導電性を高めることと反射率を低下させることがトレードオフの関係にある。そこで、透明電極１１０を、相対的に導電性が高い導電領域ＣＲと、相対的に反射率が低い光学調整領域ＡＲと、を有する構成とすることにより、透明電極１１０の導電性を維持しつつ反射率を低減して、透明電極１１０の不可視性を高めることが実現される。【0031】
また、特許文献２や特許文献３に記載されるような、透明電極に貫通孔を有する場合に比べると、反射率以外の光学特性（例えば屈折率）を大きく相違させることなく、光学調整領域ＡＲの反射率を導電領域ＣＲの反射率よりも低くすることができる。したがって、例えば、透明電極部材１００を透過して視認される画像がある場合において、その画像の表示均一性を高めることができる。さらに、光学調整領域ＡＲの構成を適切に制御すれば、透明電極１１０に設けられた貫通孔に比べて光学調整領域ＡＲの導電性を高めることも可能である。この場合には、透明電極１１０全体としての導電性を高めることが可能であり、透明電極１１０における光学調整領域ＡＲの面積割合を高めることも可能である。したがって、光学調整領域ＡＲを設けることにより、透明電極１１０の導電性を高めることと不可視性を高めることとが、貫通孔を設けた場合に比べて、高次に実現されうる。【0032】
ここで、絶縁領域ＩＲの反射率は、導電領域ＣＲの反射率よりも低いことが好ましい。この場合には、光学調整領域ＡＲを有することにより、全体的な反射率が低下した透明電極１１０と絶縁領域ＩＲとにおける反射率の差が、光学調整部１１２を有しない場合よりも低くなる。したがって、透明電極１１０と絶縁領域ＩＲとの境界が視認されにくくなって、透明電極１１０の不可視性を高めることが実現される。【0033】
さらに、絶縁領域ＩＲに配置される絶縁層１０２が分散層ＤＬの構成要素の一つであるマトリックスＭＸを含有することが好ましい。この場合には、マトリックスＭＸを共通に含有することに起因して、光学調整部１１２の反射率以外の光学特性（例えば屈折率）と絶縁層１０２の光学特性とが近似する。このため、例えば、透明電極部材１００を透過して視認される画像がある場合において、その画像の表示均一性が高まりやすくなり、透明電極１１０の不可視性をより安定的に向上させることができる。【0034】
透明電極部材１００において、光学調整部１１２の分散層ＤＬでは、絶縁性を示す程度に、導電性ナノワイヤＮＷの分散密度が低減されていてもよい。図３はかかる構成（第１構成）の具体例であり、光学調整部１１２の分散層ＤＬには導電性ナノワイヤＮＷが実質的に存在せず、分散層ＤＬはマトリックスＭＸから構成される。この場合には、反射率を高める部材である導電性ナノワイヤＮＷが実質的に存在しないため、光学調整部１１２の反射率が特に低くなる。ここで、図３に示されるように、透明電極部材１００の絶縁領域ＩＲに配置される絶縁層１０２は、光学調整部１１２の分散層ＤＬと同様に、マトリックスＭＸから構成されている。この場合には、透明電極部材１００は、導電領域ＣＲの周囲に位置する反射率が低い領域（絶縁領域ＩＲおよび光学調整領域ＡＲ）に配置された部材が共通の材料（マトリックスＭＸ）からなる構成となる。かかる構成を備える場合には、透明電極１１０全体の反射率が特に低くなって、透明電極１１０の不可視性がより安定的に向上する。【0035】
なお、図３では、絶縁層１０２および光学調整部１１２はいずれも、導電性ナノワイヤＮＷが実質的に存在せず、マトリックスＭＸから構成される場合が示されているが、これに限定されない。絶縁層１０２および光学調整部１１２のいずれについても、この部分の導電性が適切に低下して非導電性となって、絶縁機能を発揮することができれば、導電性ナノワイヤＮＷまたはこれに基づく物質がマトリックスＭＸに依然として分散していてもよい。【0036】
透明電極部材１００において、光学調整部１１２は、絶縁層１０２よりも高い導電性を有してもよい。図４はかかる構成（第２構成）の具体例であり、光学調整部１１２の分散層ＤＬは、基材１０１に対して遠位な側（使用者に対向する側）では導電性ナノワイヤＮＷが分散密度が低く、基材１０１に近位な側（基材１０１に対向する側）では導電性ナノワイヤＮＷが分散密度が高くなっている。分散層ＤＬに分散する導電性ナノワイヤＮＷのうち、露出する導電性ナノワイヤＮＷが最も視認されやすいところ、光学調整部１１２の分散層ＤＬが図４に示される構造を有している場合には、光学調整部１１２の視認性を適切に低下させることができる。しかも、基材１０１に近位な側に位置する導電性ナノワイヤＮＷによって、導電部１１１の分散層ＤＬよりは低いものの、ある程度の導電性を確保することができる。したがって、光学調整部１１２の分散層ＤＬが図４に示される構造を有している場合には、透明電極１１０全体の導電性を高くすることができる。また、この場合には光学調整部１１２の分散層ＤＬにおける導電性ナノワイヤＮＷの分散密度と導電部１１１の分散層ＤＬにおける導電性ナノワイヤＮＷの分散密度との差が比較的少なくなるため、透明電極１１０において光学調整部１１２と導電部１１１とによって形成されるパターンが視認されにくくなる。【0037】
なお、図４では、光学調整部１１２は、第１面Ｓ１の法線方向に沿って、導電性ナノワイヤＮＷの分散密度が変化している場合が示されているが、これに限定されない。絶縁層１０２および光学調整部１１２のいずれについても、この部分の導電性が適切に低下して非導電性となって、絶縁機能を発揮することができれば、導電性ナノワイヤＮＷまたはこれに基づく物質がマトリックスＭＸに依然として分散していてもよい。【0038】
図１に示されるように、透明電極部材１００において、光学調整領域ＡＲは、導電領域ＣＲ内に位置する。かかる構成の場合には、光学調整領域ＡＲが絶縁領域ＩＲに直接的に接する部分を有しない。このため、導電領域ＣＲによって透明電極１１０に導電路を適切に形成することが可能となり、透明電極１１０としての導電性が低下することが抑制される。光学調整領域ＡＲが絶縁領域ＩＲに直接的に接する部分を有すると、透明電極１１０に形成される導電路が蛇行してしまう場合があり、この場合には透明電極１１０としての導電性が低下してしまう。また、後述するように、光学調整領域ＡＲが絶縁領域ＩＲに接続する部分を有することにより、不可視性が低下してしまう場合がある。【0039】
透明電極部材１００において、光学調整領域ＡＲの面積割合（調整率）は限定されない。後述するように、調整率は４０％以下であることが好ましい場合がある。光学調整部１１２では反射率を低下させることとのトレードオフとして導電性が相対的に低下する傾向があるが、本発明の一実施形態に係る透明電極部材１００では、調整率を４０％程度まで高めて、透明電極１１０の不可視性を向上させても、透明電極１１０として求められる導電性を確保することができる場合がある。【0040】
本発明の一実施形態に係る透明電極１１０では、光学調整領域ＡＲは、導電領域ＣＲ内に離散的に位置する複数の部分領域を有している。相対的に透光性が異なる光学調整領域ＡＲと導電領域ＣＲとが互いに大きなパターンを形成している場合には、そのパターン形状によっては、パターンの視認性が高くなってしまうことが懸念される。また、光学調整部１１２は相対的に導電性が低い領域であるから、これが透明電極１１０内でまとまって位置する場合には、透明電極１１０内を蛇行する導電路が形成されるおそれがあり、この場合には、透明電極１１０としての導電性が低下してしまう。したがって、上記のように、相対的に導電性の低い光学調整部１１２からなる部分領域（すなわち光学調整領域ＡＲ）を導電領域ＣＲ内に離散的に配置することによって、透明電極１１０内に視認されやすいパターンが形成されたり、実質的に導電性が低下したりすることが抑制される。また、後述するように、透明電極１１０が絶縁領域ＩＲを介して複数配置されている場合には、複数の透明電極１１０の間に位置する絶縁領域ＩＲの反射率が透明電極１１０の導電部１１１の反射率と相違することに起因して、絶縁領域ＩＲの視認性が高まってしまうこともある。このような場合であっても、透明電極１１０の導電領域ＣＲ内に光学調整領域ＡＲが離散的に配置されていることにより、絶縁領域に少なくとも一部が囲まれた状態にある透明電極１１０の不可視性を向上させることができる。【0041】
光学調整領域ＡＲを構成する部分領域は、互いに３０μｍ以上離間していることが好ましい場合がある。この離間距離ｓｄは、すなわち、離散配置される光学調整部１１２の間に位置する導電領域ＣＲの幅であるから、透明電極１１０における個々の導電路の幅となる。したがって、離間距離ｓｄが３０μｍ以上であることにより、透明電極１１０としての導電性が低下することが安定的に抑制される。【0042】
光学調整領域ＡＲが離散的に配置されている場合において、複数の部分領域（光学調整領域ＡＲ）のそれぞれの形状は円であり、円の直径は、１０μｍ以上、１００μｍ以下であってもよい。透明電極１１０の不可視性をより安定的に向上させる観点から、上記の複数の部分領域（光学調整領域ＡＲ）の形状は、透明電極１１０内で均一であることが好ましい。この部分領域（光学調整領域ＡＲ）の形状が円であって、その直径が上記の範囲である場合には、調整率を４０％以下としつつ、複数の部分領域（光学調整領域ＡＲ）の離間距離を３０μｍ以上とすることを容易に実現することができる。【0043】
上記の複数の部分領域（光学調整領域ＡＲ）のそれぞれの形状を、円に代えて、四角形としてもよい。この場合には、四角形の対角線のうちで最長の対角線の長さは、１０μｍ以上、１００μｍ以下であることが、上記の理由と同様の理由により、好ましい。【0044】
図１に示されるように、複数の部分領域（光学調整領域ＡＲ）が透明電極１１０の全体にわたって配置される場合には、透明電極１１０全体として反射率にばらつきが生じにくいため、透明電極１１０の不可視性が向上しやすく、好ましい。【0045】
図５は、複数の透明電極を有する透明電極部材の一例の構成を概念的に示す平面図である。図５に示される透明電極部材２００は、複数の透明電極１１０ａ〜１１０ｄを有する。これらの透明電極１１０ａ〜１１０ｄの周囲の少なくとも一部の領域には絶縁領域ＩＲが位置するため、透明電極１１０ａおよび透明電極１１０ｂと、透明電極１１０ｃと、透明電極１１０ｄとは、電気的に独立している。具体的には、透明電極１１０ａおよび透明電極１１０ｂと、透明電極１１０ｃとの間には、絶縁領域ＩＲが位置し、透明電極１１０ａおよび透明電極１１０ｂと、透明電極１１０ｄとの間にも、絶縁領域ＩＲが位置する。その一方で、透明電極１１０ａと透明電極１１０ｂとの間には、透光性を有する材料から構成された透明配線１３０が位置して、透明電極１１０ａと透明電極１１０ｂとを電気的に接続している。透明電極部材２００では、透明配線１３０は透明電極１１０ａおよび透明電極１１０ｂと同様に分散層ＤＬから形成され、導電領域ＣＲおよび光学調整領域ＡＲを有する。透明電極部材２００では、第１面Ｓ１上には、透明電極１１０ａ〜１１０ｄからなる領域、絶縁領域ＩＲおよび透明配線１３０からなる領域が存在することになる。このような場合であっても、透明電極１１０の透光性が適切に高められているため、これらの領域に基づくパターンが視認されにくい。なお、図５に示されるように透明配線１３０に光学調整領域ＡＲが設けられていない場合であっても、透明配線１３０の面積が適切に小さい場合には、視認性に与える影響を低下させることができる。具体的には、透明配線１３０の短軸方向の長さ（幅）を、これに接続される透明電極（透明電極１１０ａおよび透明電極１１０ｂ）のその方向の長さよりも狭くしておくことが好ましい。【0046】
図６は、複数の透明電極を有する透明電極部材の他の一例であって、本発明の一実施形態に係る透明電極部材の一例の構成を概念的に示す平面図である。図６に示されるように、透明電極部材３００の透明電極１１０ａ〜１１０ｄは、透明配線１３０の周囲に位置する領域に、光学調整部１１２が設けられていない無調整領域ＮＲを有する。透明配線１３０が配置されている領域の周囲の領域には、比較的密に絶縁領域ＩＲが位置しやすい。絶縁領域ＩＲに位置する絶縁層１０２はマトリックスＭＸから構成されるため、絶縁層１０２の反射率は導電部１１１の反射率に比べて低い。このため、透明配線１３０の周囲の領域に位置する透明電極１１０の一部を光学調整部１１２としてその領域の透明電極１１０の反射率を積極的に低下させなくても、その領域の反射率は他の領域に比べて低下した状態にある。したがって、透明配線１３０の周囲の領域に無調整領域ＮＲを有していてもよい。光学調整部１１２は相対的に導電性が低下するところ、透明配線１３０の周囲の領域は、使用時に電荷が集中する傾向がある。このため、無調整領域ＮＲを設けることによって、電荷集中による導電性ナノワイヤＮＷの溶断などの不具合が生じる可能性を低減させることができる。【0047】
本発明の一実施形態に係る透明電極部材の製造方法は限定されない。次に説明する製造方法を採用することにより、本発明の一実施形態に係る透明電極部材を効率的に製造することや、高品質の透明電極部材を製造することが可能となる場合がある。【0048】
本発明の一実施形態に係る透明電極部材の製造方法の一例は、上記の第１構成の透明電極部材１００の製造方法である。【0049】
図７は、第１構成の透明電極部材の製造方法のフローチャートである。図８は、第１積層体を用意した状態を概念的に示す断面図である。図９は、レジスト層を第１積層体の上に配置した状態を概念的に示す断面図である。図１０は、ヨウ素液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。図１１は、チオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。図１２は、レジスト層を除去した状態を概念的に示す断面図である。【0050】
まず、図８に示されるように、マトリックスＭＸに導電性ナノワイヤＮＷの一種である銀ナノワイヤＡｇＮＷが分散された層が分散層ＤＬとして基材１０１の第１面Ｓ１に積層された第１積層体１５０を用意する（Ｓ１０１）。この分散層ＤＬにおける銀ナノワイヤＡｇＮＷの分散密度は、全ての領域において、最終的に得られる透明電極部材１００の導電部１１１における銀ナノワイヤＡｇＮＷの分散密度に等しい。【0051】
次に、第１積層体１５０の分散層ＤＬの一部をレジスト層１６０で覆う（Ｓ１０２）。分散層ＤＬの上にポジ型、あるいは、ネガ型のフォトレジスト、または、フィルムレジストを形成する。フォトレジストはスピンコート法、ロールコート法などの各種方法により膜厚が１μｍ〜５μｍ前後となるように形成する。フィルムレジストを使用する場合は膜厚が２０μｍ前後のものが使用される。マスクと露光機を使用して、フォトレジストを部分的に露光する。その後の現像工程で露光された導電層をＴＭＡＨなどのアルカリ液で現像することで、図９に示されるように部分的なレジスト層１６０が残る。【0052】
続いて、分散層ＤＬにおけるレジスト層１６０により覆われていない第１領域Ｒ１をヨウ素液で処理する（Ｓ１０３）。この処理により、図１０に示されるように、第１領域Ｒ１に存在する銀ナノワイヤＡｇＮＷの少なくとも一部はヨウ化して銀ヨウ化物ＳＩとなり、第１領域Ｒ１に位置する分散層ＤＬは絶縁性となる。【0053】
この処理に使用されるヨウ素液はヨウ素ヨウ化塩溶液であり、例えばヨウ素ヨウ化カリウム溶液である。ヨウ素ヨウ化カリウム溶液は、ヨウ化カリウム溶液にヨウ素が溶解しているものであり、ヨウ素が０．０５〜１．０質量％、ヨウ化カリウムが０．１〜５．０質量％前後含まれた水溶液が使用される。【0054】
レジスト層１６０が形成された第１積層体１５０が、ヨウ素ヨウ化カリウム溶液に０．５〜１０分間程度浸漬されることで、レジスト層１６０で覆われていない領域で分散層ＤＬの内部に溶液が浸透し、少なくとも一部の銀ナノワイヤＡｇＮＷがヨウ化されて銀ヨウ化物ＳＩに形質変換される。【0055】
第１領域Ｒ１では銀ナノワイヤＡｇＮＷがヨウ化されることで、その領域の分散層ＤＬの面積抵抗率が高くなり、実質的に電気的な絶縁機能を発揮しうる状態となる。【0056】
ただし、ヨウ素ヨウ化カリウム溶液で処理が行われると、第１領域Ｒ１において、分散層ＤＬにおける銀ナノワイヤＡｇＮＷがヨウ化されて白濁しまたは白色化した金属化合物（銀ヨウ化物ＳＩを含む。）が生成される。【0057】
そこで、第１領域Ｒ１をチオ硫酸塩溶液で処理する（Ｓ１０４）。この処理により、図１１に示されるように、銀ヨウ化物ＳＩの少なくとも一部が第１領域Ｒ１から除去される。チオ硫酸塩溶液としては濃度が１．０〜２５質量％のチオ硫酸ナトリウム溶液が使用される。レジスト層１６０で覆われた第１積層体１５０をチオ硫酸ナトリウム溶液に１０〜６０秒間程度浸漬させることで、第１領域Ｒ１の分散層ＤＬに含有される銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物が除去される。その結果、第１領域Ｒ１に位置する分散層ＤＬの透光性が高まる。また、分散層ＤＬの表面に露出している銀ヨウ化物ＳＩは、長時間酸素に曝されると銀に戻ってしまうことがある。このように銀ヨウ化物ＳＩが銀に戻ってしまうと、光学調整部１１２の反射率が導電部１１１の反射率と同等になってしまい、光学調整部１１２が位置する光学調整領域ＡＲの光学調整機能が低下してしまう。さらに、上記のように銀ナノワイヤＡｇＮＷがヨウ化する際に白濁しまたは白色化すると、得られた銀ヨウ化物ＳＩは銀ナノワイヤＡｇＮＷとの対比で目立ちやすい。したがって、上記のような処理を行って、第１領域Ｒ１に位置する分散層ＤＬの表面側に位置する銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物を除去することが好ましい。【0058】
最後に、レジスト剥離液を用いてレジスト層１６０を除去する（Ｓ１０５）。その結果、図１２に示されるように、絶縁性の光学調整部１１２および絶縁層１０２を第１領域Ｒ１に備え、レジスト層１６０により覆われていた領域に導電部１１１を備える透明電極部材１００が得られる。【0059】
かかる製造方法を採用することにより、一回のレジストワークで絶縁層１０２と光学調整部１１２とを製造することができる。したがって、透明電極部材１００を効率的に製造することが可能である。また、第１構成の透明電極部材１００では、絶縁層１０２と光学調整部１１２との光学特性が等しくなる。このため、透明電極１１０と絶縁領域ＩＲとによって形成されるパターンが視認されにくくなる。したがって、上記の製造方法により製造することにより、不可視性が特に高い透明電極部材１００が得られる場合がある。【0060】
図３６（ａ）は、第１構成の透明電極部材の製造方法の変形例においてチオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を示す図である。図３６（ｂ）は、第１レジスト層を除去して透明電極部材が得られた状態を概念的に示す断面図である。ヨウ素液処理（Ｓ１０３）に続くチオ硫酸塩溶液処理（Ｓ１０４）において、図３６（ａ）に示されるように、第１領域Ｒ１に位置する分散層ＤＬのうち、基材１０１から遠位にある、すなわち分散層ＤＬの表面側の銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物を除去することが好ましい。チオ硫酸塩溶液による処理時間を相対的に短くする（一例として、５〜３０秒間）ことなどにより、このような表面側に位置する銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物の除去が可能である。その後、第１レジスト層１６０を除去すること（Ｓ１０５）により、図３６（ｂ）に示されるように、光学調整部１１２において、分散層ＤＬの表面側では銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物が除去されて分散層ＤＬが実質的にマトリックスＭＸからなり、基材１０１に近位な側に位置する銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物が残留する構造が得られる。【0061】
このように、分散層ＤＬの表面側（基材１０１に遠位側）では銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物を除去しつつ基材１０１に近位な側には銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物を残す構造とすることにより、光学調整部１１２と導電部１１１とが視覚的により識別されにくくなる。したがって、透明電極部材１００の不可視性が向上する。絶縁層１０２についても光学調整部１１２と同様の製造方法を実施して同様の構造とすれば、製造工程が簡素される観点から好ましく、また、絶縁層１０２が導電部１１１から視認されにくくなる（不可視性が向上する）観点からも好ましい。【0062】
本発明の一実施形態に係る透明電極部材の製造方法の他の一例は、上記の第２構成の透明電極部材１００の製造方法である。【0063】
図１３は、第２構成の透明電極部材の製造方法のフローチャートである。図１４は、第１積層体を用意した状態を概念的に示す断面図である。図１５は、第１レジスト層を第１積層体の上に配置した状態を概念的に示す断面図である。図１６は、ヨウ素液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。図１７は、チオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。図１８は、第１レジスト層を除去した状態を概念的に示す断面図である。図１９は、第２レジスト層を第１積層体の上に配置した状態を概念的に示す断面図である。図２０は、ヨウ素液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。図２１は、チオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。図２２は、第２レジスト層を除去した状態を概念的に示す断面図である。【0064】
まず、図１４に示されるように、マトリックスＭＸに導電性ナノワイヤＮＷの一種である銀ナノワイヤＡｇＮＷが分散された層が分散層ＤＬとして基材１０１の第１面Ｓ１に積層された第１積層体１５０を用意する（Ｓ２０１）。この分散層ＤＬにおける銀ナノワイヤＡｇＮＷの分散密度は、全ての領域において、最終的に得られる透明電極部材１００の導電部１１１における銀ナノワイヤＡｇＮＷの分散密度に等しい。【0065】
次に、図１５に示されるように、第１積層体１５０の分散層ＤＬの一部を第１レジスト層１６１で覆う（Ｓ２０２）。第１レジスト層１６１および後述する第２レジスト層１６２の詳細はレジスト層１６０と共通であるから、説明を省略する。【0066】
続いて、分散層ＤＬにおける第１レジスト層１６１により覆われていない第１領域Ｒ１をヨウ素液で処理する（Ｓ２０３）。この処理の詳細は、第１構成の透明電極部材１００の製造方法の場合と同様であるから、説明を省略する。この処理により、図１６に示されるように、第１領域Ｒ１に存在する銀ナノワイヤＡｇＮＷの少なくとも一部はヨウ化して銀ヨウ化物ＳＩとなり、第１領域Ｒ１に位置する分散層ＤＬは絶縁性となる。【0067】
さらに、第１領域Ｒ１をチオ硫酸塩溶液で処理する（Ｓ２０４）。この処理の詳細は、第１構成の透明電極部材１００の製造方法の場合と同様であるから、説明を省略する。この処理により、図１７に示されるように、銀ヨウ化物ＳＩの少なくとも一部が第１領域Ｒ１から除去される。その結果、第１領域Ｒ１に位置する分散層ＤＬの透光性が高まる。【0068】
そして、レジスト剥離液を用いて第１レジスト層１６１を除去する（Ｓ２０５）。その結果、第１領域Ｒ１に絶縁層１０２を備える中間部材１５１が得られる。【0069】
続いて、この中間部材１５１の出発部材として、透明電極部材１００を製造する。まず、図１９に示されるように、分散層ＤＬにおける第１レジスト層１６１により覆われていた領域の一部である第２領域Ｒ２を第２レジスト層１６２で覆う（Ｓ２０６）。【0070】
次に、第１レジスト層１６１により覆われていた領域であるが第２レジスト層１６２により覆われていない領域である第３領域Ｒ３をヨウ素液で処理する（Ｓ２０７）。この際、第１領域Ｒ１もヨウ素液で処理されるが、この領域に位置する分散層ＤＬからはすでに銀ナノワイヤＡｇＮＷは適切に除去されているため、このヨウ素液による処理は第１領域Ｒ１に対して影響を与えない。この処理により、図２０に示されるように、第３領域Ｒ３に存在する銀ナノワイヤＡｇＮＷの少なくとも一部をヨウ化して銀ヨウ化物ＳＩとし、第３領域Ｒ３の導電性を第２領域Ｒ２の導電性よりも低下させる。【0071】
続いて、第３領域Ｒ３をチオ硫酸塩溶液で処理する（Ｓ２０８）。この処理により、図２１に示されるように、銀ヨウ化物ＳＩの少なくとも一部が第３領域Ｒ３から除去される。その結果、第３領域Ｒ３に位置する分散層ＤＬの透光性が高まる。【0072】
最後に、第２レジスト層１６２を除去する（Ｓ２０９）。その結果、図２２に示されるように、第１領域Ｒ１に絶縁層１０２を備え、第２領域Ｒ２に導電部１１１を備え、絶縁層１０２よりも高く導電部１１１よりも低い導電性を有する光学調整部１１２を第３領域Ｒ３に備える透明電極部材１００が得られる。【0073】
かかる製造方法を採用することにより、ある程度の導電性を有する光学調整部１１２を製造することができる。したがって、導電性が高い透明電極１１０を備える透明電極部材１００を製造することが可能である。また、上記の製造方法を適切に実施すれば、分散層ＤＬにおいて基材１０１から遠位な側に位置する銀ナノワイヤＡｇＮＷを優先的に除去することができる。分散層ＤＬにおけるこの部分の銀ナノワイヤＡｇＮＷは視認性に最も影響を与えるため、反射率が低く導電性が高い光学調整部１１２を形成することも可能である。このような光学調整部１１２を形成した場合には、導電性がより高く、かつ不可視性がより高い透明電極部材１００が得られることがある。【0074】
図３７および図３８に示されるように、透明電極部材１００の不可視性をさらに高める観点から、絶縁層１０２や光学調整部１１２について、表面側（基材１０１に遠位な側）は銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物を除去して実質的にマトリックスＭＸからなり、その下層側（基材１０１に近位な側）は銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物がマトリックスＭＸに分散する構造とすることが好ましい。図３７（ａ）は、第２構成の透明電極部材の製造方法の変形例において絶縁層を形成するためのチオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を示す図である。図３７（ｂ）第１レジスト層を除去して中間部材が得られた状態を概念的に示す断面図である。図３８（ａ）は、第２構成の透明電極部材の製造方法の変形例において光学調整部を形成するためのチオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を示す図である。図３８（ｂ）は、第２レジスト層を除去して透明電極部材が得られた状態を概念的に示す断面図である。【0075】
絶縁層１０２を形成するためのヨウ素液処理（Ｓ２０３）の終了後、チオ硫酸塩溶液による処理（Ｓ２０４）の処理時間を短くすることなどによって、図３７（ａ）に示されるように、第１領域Ｒ１に位置する銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物（図１６参照）のうち表面側の金属化合物のみを除去する。その後、第１レジスト層１６１を除去（Ｓ２０５）すれば、図１８に代えて、図３７（ｂ）に示されるような、表面側にマトリックスＭＸからなる領域が位置し、その下層側（基材１０１に近位な側）に銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物が分散した領域が位置する絶縁層１０２を有する中間部材１５１を得ることができる。【0076】
この中間部材１５１に対してステップＳ２０６を行い、さらに光学調整部１１２を形成するためのヨウ素液処理（Ｓ２０７）を行った後、チオ硫酸塩溶液による処理（Ｓ２０８）の処理時間を短くすることなどによって、図３８（ａ）に示されるように、第３領域Ｒ３に位置する銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物（図２０参照）のうち表面側の金属化合物のみを除去する。最後に、第２レジスト層１６２を除去（Ｓ２０９）すれば、図２２に代えて、図３８（ｂ）に示されるような、表面側にマトリックスＭＸからなる領域が位置し、その下層側（基材１０１に近位な側）に銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物が分散した領域が位置し、さらにその下層側に銀ナノワイヤＡｇＮＷが分散した領域が位置する光学調整部１１２を得ることができる。透明電極部材１００をこのような構造とすることにより、絶縁層１０２および光学調整部１１２と導電部１１１とが視覚的に特に識別しにくくなる。したがって、透明電極部材１００の不可視性がさらに向上する。【0077】
上記の本発明の一実施形態に係る透明電極部材１００は、静電容量式センサなどのポジションセンサの構成要素として好適に用いることができる。以下、透明電極部材１００を備える静電容量式センサについて説明する。【0078】
図２３は、本実施形態に係る静電容量式センサを表す平面図である。図２４は、図２３に表した領域Ａ１を拡大した平面図である。図２５は、図２４に表した切断面Ｃ１−Ｃ１における断面図である。図２６は、図２４に表した切断面Ｃ２−Ｃ２における断面図である。なお、透明電極は透明なので本来は視認できないが、図２３および図２４では理解を容易にするため透明電極の外形を示している。【0079】
図２３から図２６に表したように、本実施形態に係る静電容量式センサ１は、基材２と、第１透明電極４と、第２透明電極５と、第２透明配線を構成するブリッジ配線部１０と、パネル３と、検知部および制御部（いずれも図示していない）と、を備える。ブリッジ配線部１０からみて基材２と反対側にパネル３が設けられている。基材２とパネル３との間には、光学透明粘着層（ＯＣＡ；Optical Clear Adhesive）３０が設けられている。基材２とブリッジ配線部１０との間には、絶縁物からなる絶縁部２０が設けられている。図２５に表したように、ブリッジ配線部１０が設けられた部分においては、光学透明粘着層３０は、ブリッジ配線部１０とパネル３との間に設けられている。【0080】
基材２は、透光性を有し、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルム状の透明基材やガラス基材等で形成される。基材２の一方の主面である第１面Ｓ１には、第１透明電極４および第２透明電極５が設けられている。この詳細については、後述する。図２５に表したように、パネル３は、ブリッジ配線部１０からみて基材２とは反対側に設けられ、透光性を有する。このパネル３側から操作者の指などの操作体が接触または近接されて透明電極部材への操作が行われる。パネル３の材料は、特には限定されないが、パネル３の材料としては、ガラス基材やプラスチック基材が好ましく適用される。パネル３は、基材２とパネル３との間に設けられた光学透明粘着層３０を介して基材２と接合されている。光学透明粘着層３０は、アクリル系粘着剤や両面粘着テープ等からなる。【0081】
図２３に表したように、静電容量式センサ１は、パネル３側の面の法線に沿った方向（Ｚ１−Ｚ２方向：図２５および図２６参照）からみて、検出領域１１と非検出領域２５とからなる。検出領域１１は、指などの操作体により操作を行うことができる領域であり、非検出領域２５は、検出領域１１の外周側に位置する額縁状の領域である。非検出領域２５は、図示しない加飾層によって遮光され、静電容量式センサ１におけるパネル３側の面から基材２側の面への光（外光が例示される。）および基材２側の面からパネル３側の面への光（静電容量式センサ１と組み合わせて使用される表示装置のバックライトからの光が例示される。）は、非検出領域２５を透過しにくくなっている。【0082】
図２３に表したように、静電容量式センサ１は、第１電極連結体８と第２電極連結体１２と基材２の一方の主面（第１面Ｓ１）に設けられた構成を有する透明電極部材４００を備える。第１電極連結体８は、検出領域１１に配置され、複数の第１透明電極４を有する。図２５および図２６に示すように、複数の第１透明電極４は、基材２におけるＺ１−Ｚ２方向に沿った方向を法線とする主面のうちＺ１側に位置する第１面Ｓ１に設けられている。各第１透明電極４は、細長い連結部７を介してＹ１−Ｙ２方向（第１の方向）に連結されている。そして、Ｙ１−Ｙ２方向に連結された複数の第１透明電極４を有する第１電極連結体８が、Ｘ１−Ｘ２方向に間隔を空けて配列されている。連結部７は第１透明配線を構成し、第１透明電極４に一体として形成されている。連結部７は、隣り合う２つの第１透明電極４を互いに電気的に接続している。第１電極連結体８および第２電極連結体１２の周囲には絶縁領域ＩＲが設けられている。【0083】
第１透明電極４および連結部７は、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む材料により形成される。導電性ナノワイヤを含む材料を用いることで、第１透明電極４の高い透光性とともに低電気抵抗化を図ることができる。また、導電性ナノワイヤを含む材料を用いることで、静電容量式センサ１の変形性能を向上させることができる。【0084】
図２４および図２６に表したように、第１透明電極４は複数の第１光学調整領域４１を有する。複数の第１光学調整領域４１は、第１透明電極４において互いに離れて配設されるが、第１透明電極４における連結部７の周囲に位置する無調整領域ＮＲには設けられておらず、第１透明電極４に連設される連結部７にも設けられていない。隣り合う複数の第１光学調整領域４１同士の間の距離（第１距離）Ｄ１は、一定であり、３０μｍ以上である。図２４に表した例では、第１光学調整領域４１の形状は、円である。第１光学調整領域４１の円の直径Ｄ１１は、１０μｍ以上、１００μｍ以下である。第１光学調整領域４１に関する寸法の詳細については、後述する。【0085】
第２電極連結体１２は、検出領域１１に配置され、複数の第２透明電極５を有する。図２５および図２６に示すように、複数の第２透明電極５は、基材２の第１面Ｓ１に設けられている。このように、第２透明電極５は、第１透明電極４と同じ面（基材２の第１面Ｓ１）に設けられている。各第２透明電極５は、細長いブリッジ配線部１０を介してＸ１−Ｘ２方向（第２の方向）に連結されている。そして、図２３に示すように、Ｘ１−Ｘ２方向に連結された複数の第２透明電極５を有する第２電極連結体１２が、Ｙ１−Ｙ２方向に間隔を空けて配列されている。ブリッジ配線部１０は、第２透明電極５とは別体として形成されている。なお、Ｘ１−Ｘ２方向は、Ｙ１−Ｙ２方向と交差している。例えば、Ｘ１−Ｘ２方向は、Ｙ１−Ｙ２方向と垂直に交わっている。【0086】
第２透明電極５は、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む材料により形成される。導電性ナノワイヤは、第１透明電極４の材料に関して前述した通りである。【0087】
図２４および図２５に表したように、第２透明電極５は複数の第２光学調整領域５１を有する。複数の第２光学調整領域５１は、第２透明電極５において互いに離れて配設されるが、ブリッジ配線部１０と重なる領域および無調整領域ＮＲには設けられていない。隣り合う複数の第２光学調整領域５１同士の間の距離（第２距離）Ｄ２は、一定であり、３０μｍ以上である。図２４に表した例では、第２光学調整領域５１の形状は、円である。第２光学調整領域５１の円の直径Ｄ１２は、１０μｍ以上、１００μｍ以下である。第２光学調整領域５１に関する寸法の詳細については、第１光学調整領域４１に関する寸法とともに後述する。【0088】
ブリッジ配線部１０は、透光性および導電性を有する酸化物系材料を含む材料により形成される。透光性および導電性を有する酸化物系材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＧＺＯ（Gallium-doped Zinc Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum-doped Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped Tin Oxide）よりなる群から選択された少なくとも１つが用いられる。【0089】
あるいは、ブリッジ配線部１０は、ＩＴＯ等の酸化物系材料を含む第１層と、第１層よりも低抵抗で透明な金属からなる第２層と、を有していてもよい。また、ブリッジ配線部１０は、ＩＴＯ等の酸化物系材料を含む第３層をさらに有していてもよい。ブリッジ配線部１０が第１層と第２層との積層構造、あるいは第１層と第２層と第３層との積層構造を有する場合には、ブリッジ配線部１０と、第１透明電極４および第２透明電極５と、の間においてエッチング選択性を有することが望ましい。【0090】
図２４から図２６に示すように、各第１透明電極４間を連結する連結部７の表面には、絶縁部２０が設けられている。図２５に示すように、絶縁部２０は、連結部７と第２透明電極５との間の空間を埋め、第２透明電極５の表面にも多少乗り上げている。絶縁部２０としては、例えばノボラック樹脂（レジスト）が用いられる。【0091】
図２５および図２６に示すように、ブリッジ配線部１０は、絶縁部２０の表面２０ａから絶縁部２０のＸ１−Ｘ２方向の両側に位置する各第２透明電極５の表面にかけて設けられている。ブリッジ配線部１０は、隣り合う２つの第２透明電極５を互いに電気的に接続している。【0092】
図２５および図２６に示すように、各第１透明電極４間を接続する連結部７の表面には絶縁部２０が設けられており、絶縁部２０の表面に各第２透明電極５間を接続するブリッジ配線部１０が設けられている。このように、連結部７とブリッジ配線部１０との間には絶縁部２０が介在し、第１透明電極４と第２透明電極５とは互いに電気的に絶縁された状態となっている。本実施形態では、第１透明電極４と第２透明電極５とが同じ面（基材２の第１面Ｓ１）に設けられているため、静電容量式センサ１の薄型化を実現できる。【0093】
図２４に表したように、第１透明電極４および第２透明電極５は、基材２の第１面Ｓ１において隣り合った状態で並んで配置されている。第１透明電極４および第２透明電極５は、図６における透明電極１１０ａ〜１１０ｄに対応する。第１透明電極４と第２透明電極５との間には、絶縁層２１が設けられている。絶縁層２１は、図６、図２３における絶縁領域ＩＲに対応する。これにより、第１透明電極４と第２透明電極５とは、互いに電気的に絶縁された状態となっている。絶縁層２１の幅Ｄ３は、例えば約１０μｍ以上、２０μｍ以下程度である。絶縁層２１の幅Ｄ３の詳細については、後述する。【0094】
なお、図２４から図２６に表した連結部７は、第１透明電極４に一体として形成され、Ｙ１−Ｙ２方向に延びている。また、図２４から図２６に表したブリッジ配線部１０は、連結部７を覆う絶縁部２０の表面２０ａに第２透明電極５とは別体として形成され、Ｘ１−Ｘ２方向に延びている。但し、連結部７およびブリッジ配線部１０の配置形態は、これだけには限定されない。例えば、連結部７は、第２透明電極５に一体として形成され、Ｘ１−Ｘ２方向に延びていてもよい。この場合には、連結部７は、隣り合う２つの第２透明電極５を互いに電気的に接続する。ブリッジ配線部１０は、連結部７を覆う絶縁部２０の表面２０ａに第１透明電極４とは別体として形成され、Ｙ１−Ｙ２方向に延びていてもよい。この場合には、ブリッジ配線部１０は、隣り合う２つの第１透明電極４を互いに電気的に接続する。本実施形態に係る静電容量式センサ１の説明では、ブリッジ配線部１０が、連結部７を覆う絶縁部２０の表面２０ａに第２透明電極５とは別体として形成され、Ｘ１−Ｘ２方向に延びた場合を例に挙げる。【0095】
図２３に示すように、非検出領域２５には、各第１電極連結体８および各第２電極連結体１２から引き出された複数本の配線部６が形成されている。第１電極連結体８および第２電極連結体１２のそれぞれは、接続配線１６を介して配線部６と電気的に接続されている。各配線部６は、図示しないフレキシブルプリント基板と電気的に接続される外部接続部２７に接続されている。すなわち、各配線部６は、第１電極連結体８および第２電極連結体１２と、外部接続部２７と、を電気的に接続している。外部接続部２７は、例えば導電ペースト、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＣｕＮｉ合金、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等の金属を有する材料を介して、図示しないフレキシブルプリント基板と電気的に接続されている。【0096】
そして、このフレキシブルプリント基板と接続されたプリント配線板（図示していない）には、操作体と透明電極（主に第１透明電極４および第２透明電極５）との間に生じる静電容量の変化を検知する検知部（図示していない）と、検知部からの信号に基づいて操作体の位置を算出する制御部が搭載されている。なお、詳細な説明は行わないが、検知部や制御部には、集積回路が用いられている。【0097】
各配線部６は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＣｕＮｉ合金、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等の金属を有する材料により形成される。接続配線１６は、ＩＴＯ、金属ナノワイヤ等の透明導電性材料で形成され、検出領域１１から非検出領域２５に延出している。配線部６は、接続配線１６の上に非検出領域２５内で積層され、接続配線１６と電気的に接続されている。また、第１透明電極４や第２透明電極５と同じ金属ナノワイヤ（具体例として銀ナノワイヤが挙げられる。）を有する分散層ＤＬが連続して非検出領域２５に延出して接続配線１６を構成し、非検出領域２５においてこの接続配線１６と配線部６を構成する金属層とが積層された積層配線構造を有していてもよい。【0098】
配線部６は、基材２の第１面Ｓ１における非検出領域２５に位置する部分に設けられている。外部接続部２７も、配線部６と同様に、基材２の第１面Ｓ１における非検出領域２５に位置する部分に設けられている。【0099】
図２３では、理解を容易にするために配線部６や外部接続部２７が視認されるように表示しているが、実際には、非検出領域２５に位置する部分には、遮光性を有する加飾層（図示せず）が設けられている。このため、静電容量式センサ１をパネル３側の面からみると、配線部６および外部接続部２７は加飾層によって隠蔽され、視認されない。加飾層を構成する材料は、遮光性を有する限り任意である。加飾層は絶縁性を有していてもよい。【0100】
本実施形態に係る静電容量式センサ１では、図２５に示すように例えばパネル３の面３ａ上に操作体の一例として指を接触させると、指と指に近い第１透明電極４との間、および指と指に近い第２透明電極５との間で静電容量が生じる。静電容量式センサ１は、このときの静電容量の変化を検知部により検知し、この静電容量変化に基づいて、指の接触位置を制御部によって算出することが可能である。つまり、静電容量式センサ１は、指と第１電極連結体８との間の静電容量変化に基づいて指の位置のＸ座標を検知し、指と第２電極連結体１２との間の静電容量変化に基づいて指の位置のＹ座標を検知する（自己容量検出型）。【0101】
あるいは、静電容量式センサ１は、相互容量検出型であってもよい。すなわち、静電容量式センサ１は、第１電極連結体８および第２電極連結体１２のいずれか一方の電極の一列に駆動電圧を印加し、第１電極連結体８および第２電極連結体１２のいずれか他方の電極と指との間の静電容量の変化を検知してもよい。これにより、静電容量式センサ１は、他方の電極により指の位置のＹ座標を検知し、一方の電極により指の位置のＸ座標を検知する。【0102】
ここで、導電性ナノワイヤを含む導電領域の反射率と、間隙を含む絶縁部の反射率と、の間の差が大きくなると、導電領域と絶縁部との違いが視覚的に明らかになる。そうすると、第１透明電極および第２透明電極がパターンとして視認されやすくなる。静電容量式センサが反射防止層や反射低減層などを備える場合には、導電領域の反射率と絶縁部の反射率との間の差を抑えることができる一方で、反射防止層や反射低減層を形成する設備の追加が必要になったり、静電容量式センサの製造工程が増加したりする。【0103】
これに対して、本実施形態に係る静電容量式センサ１では、第１透明電極４は互いに離れて配設された複数の第１光学調整領域４１を有する。また、第２透明電極５は互いに離れて配設された複数の第２光学調整領域５１を有する。そのため、第１透明電極４および第２透明電極５のうちには、導電性ナノワイヤを含む導電領域と、複数の第１光学調整領域４１および複数の第２光学調整領域５１により形成された複数の領域（光学調整領域）と、が存在する。そのため、第１透明電極４および第２透明電極５のうちには、導電領域と光学調整領域との間の複数の境界（内部境界）が存在する。一方で、第１透明電極４と絶縁層２１との間の境界（外部境界）、および第２透明電極と絶縁層２１との間の境界（外部境界）が存在する。なお、前述の無調整領域ＮＲは導電領域からなるため、無調整領域ＮＲには内部領域（導電領域と光学調整領域との間の境界）は存在せず、外部領域（第１透明電極４または第２透明電極５と絶縁層２１との間の境界）のみが存在する。【0104】
そのため、静電容量式センサ１の平面視において、内部境界および外部境界の両方が視認された場合であっても、外部境界だけが強調されることが抑えられる。そのため、第１透明電極４および第２透明電極５がパターンとして視認され難くなる。これにより、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性を向上させることができる。【0105】
また、第１光学調整領域４１は、第１透明電極４の無調整領域ＮＲ以外の領域に設けられ、第２光学調整領域５１は、第２透明電極５の無調整領域ＮＲ以外の領域に設けられている。これによれば、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１が設けられたことで第１透明電極４および第２透明電極５の電気抵抗が過度に低くなることを抑えることができる。また、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１が集中し、第１透明電極４および第２透明電極５がパターンとして視認され易くなることを抑えることができる。【0106】
また、隣り合う複数の第１光学調整領域４１同士の間の第１距離は一定であり、隣り合う複数の第２光学調整領域５１同士の間の第２距離は一定である。つまり、複数の第１光学調整領域４１は、第１透明電極４の無調整領域ＮＲ以外の領域において均一に設けられている。複数の第２光学調整領域５１は、第２透明電極５の無調整領域ＮＲ以外の領域において均一に設けられている。【0107】
また、第１透明電極４および第２透明電極５の材料に含まれる導電性ナノワイヤは、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、および銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つである。これによれば、第１透明電極４および第２透明電極５の材料として例えばＩＴＯなどの酸化物系材料が用いられた場合と比較して、第１光学調整領域４１を有する第１透明電極４および第２光学調整領域５１を有する第２透明電極５の電気抵抗を低い抵抗に抑えることができる。【0108】
図２７は、本実施形態の第１透明電極および第２透明電極の変形例（第１変形例）を表す平面図である。図２７は、図２３に表した領域Ａ１を拡大した平面図に相当する。【0109】
本変形例の第１透明電極４Ａは複数の第１光学調整領域４１Ａを有する。第１光学調整領域４１Ａの形状は、四角形である。四角形の第１光学調整領域４１Ａの対角線のうちで最長の対角線の長さＤ１３は、１０μｍ以上、１００μｍ以下である。第１光学調整領域４１Ａに関する寸法の詳細については、後述する。その他の第１透明電極４Ａの構造は、図２３から図２６に関して前述した第１透明電極４の構造と同様である。【0110】
本変形例の第２透明電極５Ａは複数の第２光学調整領域５１Ａを有する。第２光学調整領域５１Ａの形状は、四角形である。四角形の第２光学調整領域５１Ａの対角線のうちで最長の対角線の長さＤ１４は、１０μｍ以上、１００μｍ以下である。第２光学調整領域５１Ａに関する寸法の詳細については、第１光学調整領域４１Ａに関する寸法とともに後述する。その他の第２透明電極５Ａの構造は、図２３から図２６に関して前述した第２透明電極５の構造と同様である。【0111】
本変形例において例示したように、第１光学調整領域および第２光学調整領域のそれぞれの形状は、円だけには限定されず、四角形であってもよい。この場合であっても、本発明者の得た知見によれば、第１透明電極４Ａおよび第２透明電極５Ａのそれぞれの反射率などの光学特性は、図２３から図２６に関して前述した第１透明電極４および第２透明電極５のそれぞれの反射率などの光学特性と同様である。そのため、静電容量式センサ１の平面視において、内部境界および外部境界の両方が視認された場合であっても、外部境界だけが強調されることが抑えられる。そのため、第１透明電極４Ａおよび第２透明電極５Ａがパターンとして視認され難くなる。これにより、第１透明電極４Ａおよび第２透明電極５Ａのパターンの不可視性を向上させることができる。【0112】
図２８は、調整率と配線抵抗との関係の一例を例示するグラフである。図２８に表したグラフの横軸は、調整率（％）を表している。図２８に表したグラフの縦軸は、配線抵抗（ｋΩ）を表している。本明細書において「調整率」とは、単位面積あたりの光学調整領域の面積をいう。【0113】
図２８に表したグラフのように、調整率が相対的に高いと、配線抵抗は相対的に高い。ここで、本発明者の得た知見によれば、例えばスマートフォンなどの携帯端末のように、画面サイズが約４インチ以上、６インチ以下程度である場合において、静電容量式センサ１の性能を確保するためには、配線抵抗が２０ｋΩ以下であることが好ましい。図２８中に２０ｋΩを破線で示した。この場合には、図２８に表したグラフより、第１透明電極４における第１光学調整領域４１および第２透明電極５における第２光学調整領域５１のそれぞれの調整率は、４０％以下であることが好ましい。【0114】
第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１のそれぞれの調整率が４０％以下である場合には、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性を向上させつつ、第１透明電極４および第２透明電極５のそれぞれの電気抵抗の上昇を抑えることができ、静電容量式センサ１の性能を確保することができる。【0115】
なお、本実施形態に係る静電容量式センサ１が搭載される端末の画面サイズが約４インチ未満程度の場合において、静電容量式センサ１の性能を確保するためには、配線抵抗が３０ｋΩ以下であることが好ましい。この場合には、図２８に表したグラフより、第１透明電極４における第１光学調整領域４１および第２透明電極５における第２光学調整領域５１のそれぞれの調整率は、４５％以下であることが好ましい。【0116】
図２９は、ギャップ幅と調整率との関係の一例を例示するグラフである。図２９に表したグラフの横軸は、ギャップ幅（μｍ）を表している。図２９に表したグラフの縦軸は、調整率（％）を表している。図２９に表したギャップ幅は、図２４に関して前述した絶縁層２１の幅Ｄ３に相当する。
【0117】
本発明者は、ギャップ幅Ｄ３および調整率を変化させた場合において、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性について検討した。本検討において、発明者は、不可視性の判断を目視により行った。目視判断の条件は、以下の通りである。【0118】
すなわち、本検討では、光学調整部を有する透明電極が設けられたセンサフィルムに光学透明粘着層を介してガラス基板を貼合した試料が用いられた。試料に光を照射する光源は、３波長型昼光色蛍光灯である。光源の照度は、１３００ルクス（ｌｘ）である。試料と目視位置との間の距離（検査距離）は、３０ｃｍである。センサフィルムまたはガラス基板の表面に対して垂直な直線（法線）と、目線と、の間の角度は、０度以上、４５度以下である。試料からみて視点とは反対側（試料裏面側）には、黒板が配置されている。【0119】
検討結果の一例は、図２９に表した通りである。すなわち、ギャップ幅Ｄ３が１０μｍである場合には、調整率が１５％以上であると、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性が確保される。ギャップ幅Ｄ３が１５μｍである場合には、調整率が３０％以上であると、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性が確保される。ギャップ幅Ｄ３が２０μｍである場合には、調整率が３５％以上であると、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性が確保される。つまり、ギャップ幅Ｄ３が相対的に広いと、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性が確保されるためには、相対的に高い調整率が必要になる。【0120】
また、図２８に関して前述したように、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１のそれぞれの調整率は、４０％以下であることが好ましい。図２９に表したグラフより、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性と、配線抵抗の許容限界と、を考慮すると、ギャップ幅Ｄ３は、１０μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。つまり、図２９に表した領域Ａ２は、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性と、配線抵抗の許容限界と、の両方が満たされる領域である。図２９に表したように、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性と、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１のそれぞれの調整率と、の間には、相関関係があることが分かった。【0121】
図３０は、シート抵抗と導通性確保可能ライン幅との関係の一例を例示するグラフである。図３０に表したグラフの横軸は、シート抵抗（Ω／□）を表している。図３０に表したグラフの縦軸は、導通性確保可能ライン幅（μｍ）を表している。導通性確保可能ライン幅とは、導電体が断線することなく導電性を確保するために必要な導電体の幅をいう。図３０に表したように、シート抵抗が相対的に高いと、導電体が断線することなく導電性を確保するために必要な導電体の幅（導通性確保可能ライン幅）としては相対的に長い幅が必要になる。【0122】
図３０に表したグラフ中の上側の破線は、銀ナノワイヤを含む材料により形成された透明電極に関して、シート抵抗と導通性確保可能ライン幅との関係を例示している。【0123】
本発明者の得た知見によれば、銀ナノワイヤを含む材料により形成された透明電極のシート抵抗の下限値は、約３０〜５０Ω／□程度である。したがって、図３０に表したグラフより、銀ナノワイヤを含む材料により形成された透明電極に関して、導通性確保可能ライン幅は、３０μｍ以上であることが好ましい。【0124】
これにより、複数の第１光学調整領域４１を有する第１透明電極４の導電領域においては、３０μｍ以上の幅が確保されていることが好ましい。そのため、図２４に関して前述したように、隣り合う複数の第１光学調整領域４１同士の間の距離Ｄ１は、３０μｍ以上であることが好ましい。これは、第２透明電極５についても同様である。つまり、隣り合う複数の第２光学調整領域５１同士の間の距離Ｄ２は、３０μｍ以上であることが好ましい。【0125】
これによれば、複数の第１光学調整領域４１が導電性ナノワイヤを含む第１透明電極４に設けられ、複数の第２光学調整領域５１が導電性ナノワイヤを含む第２透明電極に設けられていても、導電領域の幅が狭いことで第１透明電極４および第２透明電極５が断線することを抑えることができる。【0126】
図３１は、本実施形態の絶縁層２１の近傍のみに光学調整部が設けられたときの視認性を説明する平面図である。図３１においては、説明の便宜上、第１透明電極４と第２透明電極５との間の２つの絶縁層２１が上下に並べて表示されている。２つの絶縁層２１の間には、第１透明電極４が配置されている。２つの絶縁層２１の両側には、第２透明電極５が配置されている。なお、図３０に表した透明電極の配置は、説明の便宜上の配置である。そのため、例えば、２つの絶縁層２１の間に第２透明電極５が設けられ、２つの絶縁層２１の両側に、第１透明電極４が配置されていてもよい。【0127】
上側の絶縁層２１の幅Ｄ３は、下側の絶縁層２１の幅Ｄ３と同じである。図３１に表した２つの絶縁層２１のうちで上側の絶縁層２１の近傍には、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１は、設けられていない。一方で、図３１に表した２つの絶縁層２１のうちで下側の絶縁層２１の近傍には、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１が設けられている。【0128】
図３１に表したように、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１が絶縁層２１の近傍のみに設けられている場合には、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１が絶縁層２１の近傍に設けられていない場合と比較すると、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１の存在により絶縁層２１が強調され目立つことが分かった。具体的には、本来円形である第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１が半円形状となってストライプ状の絶縁層２１と連続しているため、絶縁層２１と第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１とからなる領域による局所的な面積が増大している。その結果、第１透明電極４と第２透明電極との間に位置する絶縁層２１のパターンがむしろ強調されてしまっている。この傾向は、図３１に示されるように、光学調整領域（第１光学調整領域４１、第２光学調整領域５１）が絶縁層２１の近傍のみに設けられ、透明電極（第１透明電極４および第２透明電極５）における絶縁層２１から遠位な領域には光学調整領域が設けられていない場合に顕著となる。それゆえ、複数の第１光学調整領域４１は、絶縁層２１の近傍に集中することなく、第１透明電極４の無調整領域ＮＲを除く領域に均一に設けられていることが好ましい。また、複数の第２光学調整領域５１は、絶縁層２１の近傍に集中することなく、第２透明電極５の無調整領域ＮＲを除く領域に均一に設けられていることが好ましい。この点を別の表現で説明すれば、導電部が位置する領域である導電領域の内部に光学調整部が位置する領域である光学調整領域が位置して、絶縁層が位置する領域である絶縁領域と光学調整領域とは直接的に接していないことが好ましく、光学調整領域は透明電極の無調整領域ＮＲを除く領域に配置されていることも好ましい。【0129】
図３２は、光学調整部の直径を変化させたときの波長と反射率との関係の一例を例示するグラフである。図３３は、図３２に表したグラフ中の一部を拡大して表したグラフである。
図３３は、図３２に表したグラフ中において、波長が５００μｍ以上、６００μｍ以下の範囲を拡大して表したグラフである。
【0130】
本発明者は、丸形状（円形状）の光学調整部の直径を変化させた場合において、光の波長と反射率との関係について検討した。本検討において、発明者は、紫外可視（ＵＶ−ｖｉｓ）分光光度計を用いて透明電極における反射率を測定した。測定方法は、拡張反射である。測定波長は、２５０ｎｍ以上、８００ｎｍ以下である。試料としては、光学調整部を有する透明電極が設けられたセンサフィルムに光学透明粘着層を介してカバー材を貼合した試料が用いられた。カバー材は、０．５ｍｍの厚さを有するＣｏｒｎｉｎｇ社製のＥＡＧＬＥ ＸＧ（登録商標）である。【0131】
検討結果の一例は、図３２および図３３に表した通りである。すなわち、光学調整部の直径が相対的に大きいと、透明電極における反射率は、相対的に低い。図３２および図３３に表したグラフより、第１光学調整領域４１の直径Ｄ１１（図２４参照）および第２光学調整領域５１の直径Ｄ１２（図２４参照）は、１０μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましい。【0132】
一方で、本発明者の得た知見によれば、透明電極の光学調整部の直径が１００μｍよりも大きい場合には、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性が低下することが目視により確認された。目視判断の条件は、図２９に関して前述した通りである。これにより、第１光学調整領域４１の直径Ｄ１１および第２光学調整領域５１の直径Ｄ１２は、１００μｍ以下であることが好ましく、９０μｍ以下であることがより好ましい。【0133】
これによれば、第１光学調整領域４１の直径Ｄ１１および第２光学調整領域５１の直径Ｄ１２が小さすぎることで第１透明電極４および第２透明電極５における反射率が高くなることを抑え、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性を確保することができる。また、第１光学調整領域４１の直径Ｄ１１および第２光学調整領域の直径Ｄ１２が大きすぎることで内部境界が見えやすくなることを抑え、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性を確保することができる。【0134】
図３４は、光学調整部の形状を変化させたときの波長と反射率との関係の一例を例示するグラフである。図３５は、図３４に表したグラフ中の一部を拡大して表したグラフである。図３５は、図３４に表したグラフ中において、波長が５００μｍ以上、６００μｍ以下の範囲を拡大して表したグラフである。
【0135】
本発明者は、光学調整部の形状が丸形状（円形状）である場合と四角形状である場合とにおいて、光の波長と反射率との関係について検討した。反射率の測定方法は、図３２および図３３に関して前述した通りである。【0136】
検討結果の一例は、図３４および図３５に表した通りである。すなわち、光学調整部の形状が丸形状である場合の反射率は、光学調整部の形状が四角形状である場合の反射率と略同じである。これにより、図２７に関して前述したように、第１光学調整領域および第２光学調整領域のそれぞれの形状は、円だけには限定されず、四角形であってもよい。図３２および図３３に関して前述した直径の範囲と同様に、四角形の第１光学調整領域４１Ａの対角線のうちで最長の対角線の長さＤ１３（図２７参照）、および四角形の第２光学調整領域５１Ａの対角線のうちで最長の対角線の長さＤ１４（図２７参照）は、１０μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましい。また、対角線の長さＤ１３および対角線の長さＤ１４は、１００μｍ以下であることが好ましく、９０μｍ以下であることがより好ましい。【0137】
これによれば、第１光学調整領域４１Ａの対角線の長さＤ１３および第２光学調整領域５１Ａの対角線の長さＤ１４が短すぎることで第１透明電極４Ａおよび第２透明電極５Ａにおける反射率が高くなることを抑え、第１透明電極４Ａおよび第２透明電極５Ａのパターンの不可視性を確保することができる。また、第１光学調整領域４１Ａの対角線の長さＤ１３および第２光学調整領域５１Ａの対角線の長さＤ１４が長すぎることで内部境界が見えやすくなることを抑え、第１透明電極４Ａおよび第２透明電極５Ａのパターンの不可視性を確保することができる。【0138】
図３９は、本実施形態の透明電極部材の検出領域の一部を表す平面図である。図３９は、図２３に表した領域Ａ１に対応する領域を拡大した平面図である。図３９では、Ｙ１−Ｙ２方向に並ぶ２つの第１透明電極について、Ｙ１−Ｙ２方向Ｙ１側の第１透明電極を第１透明電極４Ｂ１、Ｙ１−Ｙ２方向Ｙ２側の第１透明電極を第１透明電極４Ｂ２として示している。図４０は、本実施形態の透明電極部材の検出領域の一部を表す拡大平面図である。図４０は、図３９に表した領域Ａ３に対応する領域を拡大した平面図である。
【0139】
本例の第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２が複数のほぼ円形の第１光学調整領域４１Ｂを有し、第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２が複数のほぼ円形の第２光学調整領域５１Ｂを有し、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２と第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２との間に絶縁層２１を有する点で、図２４に示した例と共通する。絶縁部２０とブリッジ配線部１０とは、説明の都合上、図示を省略している。【0140】
連結部７は、Ｙ１−Ｙ２方向（第１方向）で第１透明電極４Ｂ１と第１透明電極４Ｂ２との間に位置して、第１透明電極４Ｂ１と第１透明電極４Ｂ２とを電気的に接続する透明配線（第１透明配線）である。具体的には、図３９に示されるように、連結部７のＹ１−Ｙ２方向（第１方向）Ｙ１側には第１透明電極４Ｂ１が位置し、連結部７のＹ１−Ｙ２方向（第１方向）Ｙ２側には第１透明電極４Ｂ２が位置する。Ｚ１−Ｚ２方向（第１面Ｓ１の法線方向）からみたときに、第１透明電極４Ｂ１と連結部７とは第１境界線ＤＬ１において接する連続体であり、第１透明電極４Ｂ２と連結部７とは第２境界線ＤＬ２において接する連続体である。図示しないが、Ｚ１−Ｚ２方向（第１面Ｓ１の法線方向）からみたときに、第１透明電極４Ｂ１のＹ１−Ｙ２方向（第１方向）Ｙ１側には第２境界線ＤＬ２によって接する連続体として連結部７がさらに設けられている。また、Ｚ１−Ｚ２方向（第１面Ｓ１の法線方向）からみたときに、第１透明電極４Ｂ２のＹ１−Ｙ２方向（第１方向）Ｙ２側には第１境界線ＤＬ１によって接する連続体として連結部７がさらに設けられている。こうして、複数の第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２は複数の連結部７によって電気的に接続され、Ｙ１−Ｙ２方向（第１方向）に延びる第１電極連結体８が構成されている。【0141】
隣り合う第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２と第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２との間は、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２および第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２の双方から絶縁層２１により電気的に絶縁されたダミー領域ＩＦが、絶縁層２１に囲まれて設けられている。ダミー領域ＩＦは、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２および第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２の導電領域ＣＲと構造が共通する、すなわち、導電性ナノワイヤがマトリックスとなる絶縁材料に分散した構造を有するダミー導電領域ＣＲ１を有する。このようなダミー領域ＩＦを設けることにより、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２と第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２との間のＸＹ平面内での離間距離を不可視性への影響を抑えて変更することができる。これらの電極の離間距離を変更することにより、電極間の容量を調整することができる。【0142】
ダミー領域ＩＦには、ダミー領域ＩＦの視認性を低下させる観点から、第１光学調整領域４１Ｂおよび第２光学調整領域５１Ｂと同様に、ほぼ円形のダミー光学調整領域ＡＲ１の複数が、平面視で、ダミー導電領域ＣＲ１内に互いに離散して配置されている。ダミー光学調整領域ＡＲ１は、第１光学調整領域４１Ｂおよび第２光学調整領域５１Ｂと同様の方法（少なくとも表面部においてマトリックスとなる絶縁材料から導電性ナノワイヤを除去する方法）により形成されたものであり、第１光学調整領域４１Ｂおよび第２光学調整領域５１Ｂと構造が共通する。【0143】
Ｚ１−Ｚ２方向（第１面Ｓ１の法線方向）からみたときに、光学調整領域ＡＲ（第１光学調整領域４１Ｂおよび第２光学調整領域５１Ｂ）およびダミー光学調整領域ＡＲ１は、第１面Ｓ１の面内に沿った格子ＬＴの格子点ＬＰとなる位置に配置される複数の部分領域ＰＲを有する。すなわち、第１面Ｓ１の面内に沿った仮想的な格子ＬＴを設定した場合、格子ＬＴの格子点ＬＰの上に部分領域ＰＲが配置される。本実施形態では、格子ＬＴの格子線ＬＬの方向は、Ｘ１−Ｘ２方向およびＹ１−Ｙ２方向のそれぞれに対して４５度となっている。それぞれの部分領域ＰＲの不可視性を確保する観点から、部分領域ＰＲの円換算直径φ０は１００μｍ以下であることが好ましい。【0144】
また、絶縁領域ＩＲに配置された絶縁層２１（隣り合う第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２と第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２との間に位置する絶縁層２１、隣り合う第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２とダミー領域ＩＦとの間に位置する絶縁層２１、隣り合う第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２とダミー領域ＩＦとの間に位置する絶縁層２１）は、Ｚ１−Ｚ２方向（第１面Ｓ１の法線方向）からみたときに、部分領域ＰＲとは重ならず、格子点ＬＰの複数を結ぶ線状に設けられる。すなわち、絶縁層２１（絶縁領域ＩＲ）は、格子点ＬＰの複数を通る（繋ぐ）ように設けられる。図４０に示す例では、格子線ＬＬに沿って直線的に絶縁層２１が延在するように配置される。このような配置によって、複数の部分領域ＰＲの並びと絶縁層２１の延在する方向とが格子点ＬＰの並びの方向と合致するようになり、複数の部分領域ＰＲと絶縁層２１との視覚的な区別が付きにくくなる。絶縁層２１は、Ｚ１−Ｚ２方向（第１面Ｓ１の法線方向）からみたときに、折れ線形状を有していてもよい。この場合には、絶縁層２１は、通過する２つ格子点の間は直線状であって、格子点を屈曲点とする折れ線形状となる。あるいは、絶縁層２１は、Ｚ１−Ｚ２方向（第１面Ｓ１の法線方向）からみたときに、通過する２つの格子点の間に湾曲部を有していてもよい。【0145】
絶縁層２１は、Ｚ１−Ｚ２方向（第１面Ｓ１の法線方向）からみたときに、延在方向に交差する長さの最小値（幅ｗ）が１０μｍ以上であることが、隣り合う第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２と第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２との間の絶縁性を適切に維持する観点から好ましい。絶縁層２１の不可視性を確保する観点から、絶縁層２１の幅ｗは２０μｍ以下であることが好ましい。仮想的な格子ＬＴの間隔（格子間隔ｐ）は、部分領域ＰＲの円換算直径φ０、絶縁層２１の幅ｗも考慮して、次に説明するＳａ／Ｓｂが適切な範囲となるように設定される。【0146】
図４１は、第１方式により規定される矩形領域について例示する平面図である。図４１に示すように、矩形領域ＲＡは、複数の格子点ＬＰのうち互いに隣り合う４つの格子点ＬＰを隅部として構成される矩形の領域のことを言う。第１面Ｓ１の面内において想定される複数の矩形領域ＲＡのうち、矩形領域ＲＡ内に含まれる導電部１１１以外からなる領域がすべて部分領域ＰＲからなるものを第１矩形領域ＲＡ１とする。また、複数の矩形領域ＲＡのうち、矩形領域ＲＡ内に少なくとも絶縁層２１が含まれるものを第２矩形領域ＲＡ２とする。
【0147】
この場合において、本実施形態に係る透明電極部材１００では、第１矩形領域ＲＡ１における導電部１１１以外からなる領域の占有面積Ｓａと、第２矩形領域ＲＡ２における導電部１１１以外からなる領域の占有面積Ｓｂとが、Ｓａ／Ｓｂ＝１±０．３を満たしている。具体的には、導電部１１１以外からなる領域は、導電領域ＣＲ以外の領域であって、絶縁層２１からなる領域（絶縁領域ＩＲ）または部分領域ＰＲからなる。上記のような部分領域ＰＲと絶縁層２１との配置関係と、占有面積ＳａおよびＳｂとの関係とを満たすことにより、規則的に並ぶ複数の部分領域ＰＲの群の中に、見た目で部分領域ＰＲの配置規則と同様な規則性によって絶縁層２１が配置されることになる。この結果、複数の部分領域ＰＲと絶縁層２１との視覚的な区別が付きにくくなって、不可視性を向上させることができる。すなわち、絶縁層２１の線が部分領域ＰＲの規則的な配列の中に埋もれるようになり、透明電極１１０の広い範囲（例えば、全体）をみた場合には絶縁層２１の線が目立たず、不可視性が高まることになる。【0148】
図４２（ａ）〜図４３（ｄ）は、第１方式により規定される矩形領域の種類について例示する模式図である。第１方式により規定される矩形領域ＲＡは、複数の格子点ＬＰのうち互いに隣り合う４つの格子点ＬＰを隅部として構成される。図４２（ａ）に示す矩形領域ＲＡは、第１矩形領域ＲＡ１の例である。第１矩形領域ＲＡ１は、矩形領域ＲＡの隅部となる４つの格子点ＬＰの全ての上に部分領域ＰＲが配置される。部分領域ＰＲが円形であり、その面積をＳＰＲとした場合、第１矩形領域ＲＡ１における占有面積Ｓａは、（ＳＰＲ／４）×４となる。
【0149】
図４２（ｂ）〜図４３（ｄ）に示す矩形領域ＲＡは、第２矩形領域ＲＡ２の例である。図４２（ｂ）に示す第２矩形領域ＲＡ２は、４つの格子点ＬＰのうち格子線ＬＬに沿って隣り合う２つの格子点ＬＰを繋ぐように絶縁層２１が含まれ、残りの２つの格子点ＬＰ上にそれぞれ部分領域ＰＲが配置されている。図４２（ｂ）に示す第２矩形領域ＲＡ２のように、格子線ＬＬに沿って隣り合う２つの格子点ＬＰを繋ぐ絶縁層２１の第２矩形領域ＲＡ２内での占有面積をＳ２１ａとした場合、この第２矩形領域ＲＡ２における占有面積Ｓｂは、（ＳＰＲ／４）×２＋Ｓ２１ａとなる。【0150】
図４２（ｃ）に示す第２矩形領域ＲＡ２は、４つの格子点ＬＰのうち格子線ＬＬに沿った隣り合う２つの格子点ＬＰを繋ぐように、互いに平行に２つの絶縁層２１が配置されている。すなわち、図４２（ｃ）に示す第２矩形領域ＲＡ２には絶縁層２１のみが含まれる。この第２矩形領域ＲＡ２における占有面積Ｓｂは、Ｓ２１ａ×２となる。【0151】
図４３（ａ）に示す第２矩形領域ＲＡ２は、４つの格子点ＬＰのうち対向する２つの格子点ＬＰを繋ぐように絶縁層２１が配置され、他の対向する２つの格子点ＬＰ上にそれぞれ部分領域ＰＲが配置されている。図４３（ａ）に示す第２矩形領域ＲＡ２のように、４つの格子点ＬＰのうち対向する２つの格子点ＬＰを繋ぐように配置された絶縁層２１の第２矩形領域ＲＡ２内での占有面積をＳ２１ｂとした場合、この第２矩形領域ＲＡ２における占有面積Ｓｂは、（ＳＰＲ／４）×２＋Ｓ２１ｂとなる。【0152】
図４３（ｂ）に示す第２矩形領域ＲＡ２は、４つの格子点ＬＰのうち１つの格子点ＬＰを通過するように絶縁層２１が配置され、他の３つの格子点ＬＰ上にそれぞれ部分領域ＰＲが配置されている。図４３（ｂ）に示す第２矩形領域ＲＡ２のように、１つの格子点ＬＰを通過するように配置された絶縁層２１の第２矩形領域ＲＡ２内での占有面積をＳ２１ｃとした場合、この第２矩形領域ＲＡ２における占有面積Ｓｂは、（ＳＰＲ／４）×３＋Ｓ２１ｃとなる。【0153】
図４３（ｃ）に示す第２矩形領域ＲＡ２は、４つの格子点ＬＰのうち対向する２つの格子点ＬＰのそれぞれを通過するように絶縁層２１が配置され、他の対向する２つの格子点ＬＰ上にそれぞれ部分領域ＰＲが配置されている。この第２矩形領域ＲＡ２における占有面積Ｓｂは、（ＳＰＲ／４）×２＋（Ｓ２１ｃ×２）となる。【0154】
図４３（ｄ）に示す第２矩形領域ＲＡ２は、４つの格子点ＬＰのうち対向する２つの格子点ＬＰのそれぞれを通過するように絶縁層２１が配置され、他の対向する２つの格子点ＬＰを繋ぐように絶縁層２１が配置されている。すなわち、図４３（ｄ）に示す第２矩形領域ＲＡ２には絶縁層２１のみが含まれる。この第２矩形領域ＲＡ２における占有面積Ｓｂは、（Ｓ２１ｃ×２）＋Ｓ２１ｂとなる。【0155】
図４４〜図５０は、円形の部分領域の直径を変化させた場合の透明電極部材の例を示す平面図である。図５１は、参考例に係る透明電極部材の例を示す平面図である。
図４４から図５０に示される透明電極部材では、格子間隔ｐは６８μｍに固定されているため、複数の円形の部分領域ＰＲの配置および絶縁層２１の配置は同じである。また、絶縁層２１の幅ｗも１０μｍに固定されている。したがって、図４４から図５０に示される透明電極部材では、円形の部分領域ＰＲの直径φ（円換算直径φ０に等しい。）が変化することで、第１方式により規定される矩形領域に基づき算出されたＳａ／Ｓｂが変化していている。円形の部分領域ＰＲの直径φと第１方式により規定される矩形領域ＲＡに基づき算出されたＳａ／Ｓｂとの関係を表１に示す。
【0156】
【表1】
【0157】
図５１に示す参考例に係る透明電極部材１０００では、複数の部分領域ＰＲが格子点ＬＰの上に配置され、絶縁層２１が格子点ＬＰの複数を結ぶ線状に設けられているが、絶縁層２１と部分領域ＰＲとが重なって設けられている。図５１に示す参考例の透明電極部材においては、複数の部分領域ＰＲおよび絶縁層２１が格子点ＬＰの並びに合わせて配置されているものの、絶縁層２１と部分領域ＰＲとが重なっているため、絶縁層２１の線が見えやすく、十分な不可視性を得ることができない。【0158】
図４４〜図５０に示す例のように、複数の部分領域ＰＲおよび絶縁層２１が格子点ＬＰの並びに合わせて配置され、絶縁層２１と部分領域ＰＲとが重ならないように配置されている場合、Ｓａ／Ｓｂの値によって不可視性に相違が表れる。図４４〜図５０のようにＳａ／Ｓｂの値を変化させて不可視性を確認したところ、Ｓａ／Ｓｂ＝１±０．３を満たしていれば、参考例に比べて十分な不可視性を得ることができる、という結果を得た。【0159】
ここで、矩形領域ＲＡとしては、上記の第１方式により規定される矩形の領域、すなわち、互いに隣り合う４つの格子点ＬＰを隅部とした矩形の領域のほか、次に説明する第２方式により規定される矩形の領域であってもよい。第２方式により規定される矩形領域ＲＡは、複数の格子点ＬＰのうち中心となる１つの格子点ＬＰの周囲に位置して互いに隣り合う４つの格子点ＬＰを隅部として構成される。図５２は、第２方式により規定される矩形領域について例示する平面図である。
図５２に示す矩形領域ＲＡは、第２方式に基づき、１つの格子点ＬＰに対して隣り合う４つの格子点ＬＰを隅部とした矩形の領域である。
【0160】
図５３（ａ）〜図５４（ｂ）は、第２方式により規定される矩形領域の種類について例示する模式図である。図５３（ａ）に示す矩形領域ＲＡは、第１矩形領域ＲＡ１の例である。第１矩形領域ＲＡ１は、中心となる１つの格子点ＬＰと、隅部となる４つの格子点ＬＰの全ての上に部分領域ＰＲが配置される。この場合、第１矩形領域ＲＡ１における占有面積Ｓａは、（ＳＰＲ／４）×４＋ＳＰＲとなる。
図５３（ｂ）〜図５４（ｄ）に示す矩形領域ＲＡは、第２矩形領域ＲＡ２の例である。図５３（ｂ）に示す第２矩形領域ＲＡ２は、中心となる１つの格子点ＬＰの周囲に配置された４つの格子点ＬＰのうち隣り合う２つの格子点ＬＰを繋ぐように絶縁層２１が含まれ、残りの２つの格子点ＬＰおよび中心となる１つの格子点ＬＰ上にそれぞれ部分領域ＰＲが配置されている。この場合、第２矩形領域ＲＡ２における占有面積Ｓｂは、（ＳＰＲ／４）×２＋ＳＰＲ＋Ｓ２１ａとなる。
【0161】
図５４（ａ）に示す第２矩形領域ＲＡ２は、中心となる１つの格子点ＬＰと、４つの格子点ＬＰのうち対向する２つの格子点ＬＰとを繋ぐように絶縁層２１が配置され、他の対向する２つの格子点ＬＰ上にそれぞれ部分領域ＰＲが配置されている。この場合、第２矩形領域ＲＡ２における占有面積Ｓｂは、（ＳＰＲ／４）×２＋Ｓ２１ｂとなる。【0162】
図５４（ｂ）に示す第２矩形領域ＲＡ２は、中心となる１つの格子点ＬＰの周囲の４つの格子点ＬＰのうちの１つの格子点ＬＰを通過するように絶縁層２１が配置され、他の４つの格子点ＬＰ上にそれぞれ部分領域ＰＲが配置されている。この場合、第２矩形領域ＲＡ２における占有面積Ｓｂは、（ＳＰＲ／４）×３＋ＳＰＲ＋Ｓ２１ｃとなる。【0163】
なお、第２方式の矩形領域ＲＡのレイアウトの種類は、図５２（ａ）〜図５３（ｂ）に示すもの以外、以下のようなレイアウトもあり得る。（１）中心となる１つの格子点ＬＰ上に部分領域ＰＲが配置され、周辺４点の格子点ＬＰのうち隣り合う２つを繋ぐように２本の絶縁層２１が配置されるレイアウト。
（２）中心となる１つの格子点ＬＰ上を通過するように絶縁層２１が配置され、周辺４点の格子点ＬＰのうち隣り合う２つを繋ぐように１本の絶縁層２１が配置され、他の隣り合う２つの格子点ＬＰ上にそれぞれ部分領域ＰＲが配置されるレイアウト。
（３）中心となる１つの格子点ＬＰ上を通過するように絶縁層２１が配置され、周辺４点の格子点ＬＰのうち隣り合う２つを繋ぐように２本の絶縁層２１が配置されるレイアウト。
（４）中心となる１つの格子点ＬＰと、周辺４つの格子点ＬＰのうち対向する２つの格子点ＬＰとを繋ぐように絶縁層２１が配置され、他の対向する２つの格子点ＬＰのうち１つの格子点ＬＰ上を通過するように絶縁層２１が配置され、他の１つの格子点ＬＰ上に部分領域ＰＲが配置されるレイアウト。
（５）中心となる１つの格子点ＬＰ上と、周辺４つの格子点ＬＰのうち対向する２点の格子点ＬＰ上とにそれぞれ部分領域ＰＲが配置され、他の２点の格子点ＬＰのそれぞれを通過するように２本の絶縁層２１が配置されるレイアウト。
（６）中心となる１つの格子点ＬＰと、４つの格子点ＬＰのうち対向する２つの格子点ＬＰとを繋ぐように絶縁層２１が配置され、他の２点の格子点ＬＰのそれぞれを通過するように２本の絶縁層２１が配置されるレイアウト。
【0164】
図５２に示す第２方式の矩形領域ＲＡを用いて、図４４〜図５０に示すそれぞれの例のＳａ／Ｓｂを求めた結果を表２に示す。【0165】
【表2】
【0166】
表１および表２に示されるように、図４４および図５０に示される透明電極部材Ｓａ／Ｓｂは、第１方式に基づくと１±０．３の範囲内であるが、第２方式に基づくと１±０．３の範囲外となる。第１方式および第２方式のいずれかについてＳａ／Ｓｂ＝１±０．３を満たしていれば、不可視性を確保することができ、第１方式および第２方式の双方についてＳａ／Ｓｂ＝１±０．３を満たしていれば、不可視性をより安定的に確保することができる。第２方式に基づくＳａ／Ｓｂは、１±０．２を満たしていることがより好ましく、１±０．１を満たしていることが特に好ましい。【0167】
以上の内容を別の観点で説明すれば、本実施形態に係る透明電極部材は、第１面Ｓ１の法線方向からみて、第１面Ｓ１の面内に仮想的に設定された格子ＬＴの格子点に部分領域ＰＲを配置し、絶縁層２１を、部分領域ＰＲとは重ならず、格子点ＬＰの複数を結ぶ線状に設け、上記のＳａ／Ｓｂが１±０．３を満たすように、部分領域ＰＲの円換算直径φ０、絶縁層２１の幅ｗ、および格子間隔ｐを設定することを特徴とする製造方法により製造することができる。【0168】
図５５は本発明の他の実施形態に係る静電容量式センサの構成を説明する図である。図５５に示されるように、本発明の一実施形態に係る静電容量式センサ１Ａが備える透明電極部材５００は、シート状の基材２が有する２つの主面の一つである第１面Ｓ１に複数の第１透明電極４を備える第１電極連結体８が設けられ、２つの主面の他の一つである第２面Ｓ２に複数の第２透明電極５を備える第２電極連結体１２が設けられている。複数の第２透明電極は、第２面Ｓ２の面内方向のうち第１方向（Ｙ１−Ｙ２方向）とは異なる第２方向（具体的にはＸ１−Ｘ２方向）に沿って並んで配置され、互いに電気的に接続されている。【0169】
図５６は本発明の別の実施形態に係る静電容量式センサの構成を説明する図である。図５６に示されるように、本発明の一実施形態に係る静電容量式センサ１Ｂは、透明電極部材の２つ（透明電極部材４００ａ、透明電極部材４００ｂ）が第１面Ｓ１の法線方向（Ｚ１−Ｚ２方向）に積層された積層透明電極部材６００を備える。２つの透明電極部材（透明電極部材４００ａ、透明電極部材４００ｂ）の第１方向が互いに異なる方向となるように、透明電極部材４００ａの第１透明電極４と、透明電極部材４００ｂの第１透明電極４とが配置されている。具体的には、相対的にＺ１−Ｚ２方向Ｚ１側の透明電極部材４００ａでは、第１透明電極４はＹ１−Ｙ２方向に並ぶように配置され、相対的にＺ１−Ｚ２方向Ｚ２側の透明電極部材４００ｂでは、第１透明電極４はＸ１−Ｘ２方向に並ぶように配置されている。【符号の説明】
【0170】
１００，２００，３００，４００，５００，４００ａ，４００ｂ，１０００ 透明電極部材６００ 積層透明電極部材
１０１ 基材
Ｓ１ 第１面
Ｓ２ 第２面
１１０，１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄ 透明電極
１０２ 絶縁層
ＩＲ 絶縁領域
ＭＸ マトリックス
ＮＷ 導電性ナノワイヤ
ＤＬ 分散層
１１１ 導電部
ＣＲ 導電領域
１１２ 光学調整部
ＡＲ 光学調整領域
ＰＲ 部分領域
ｓｄ 離間距離
１３０ 透明配線
ＮＲ 無調整領域
１５０ 第１積層体
ＡｇＮＷ 銀ナノワイヤ
１６０ レジスト層
１６１ 第１レジスト層
１６２ 第２レジスト層
Ｒ１ 第１領域
Ｒ２ 第２領域
Ｒ３ 第３領域
ＳＩ 銀ヨウ化物
１５１ 中間部材
１，１Ａ，１Ｂ 静電容量式センサ
２ 基材
３ パネル
３ａ 面
４，４Ａ，４Ｂ１，４Ｂ２ 第１透明電極
５，５Ａ，５Ｂ１，５Ｂ２ 第２透明電極
６ 配線部
７ 連結部（第１透明配線）
８ 第１電極連結体
１０ ブリッジ配線部（第２透明配線）
１１ 検出領域
１２ 第２電極連結体
１６ 接続配線
２０ 絶縁部
２０ａ 表面
２１ 絶縁層
２５ 非検出領域
２７ 外部接続部
３０ 光学透明粘着層
４１，４１Ａ，４１Ｂ 第１光学調整領域
５１，５１Ａ，５１Ｂ 第２光学調整領域
ＩＦ ダミー領域
ＣＲ１ ダミー導電領域
ＡＲ１ ダミー光学調整領域
ＤＬ１ 第１境界線
ＤＬ２ 第２境界線
ＤＬ１ 第１境界線
ＤＬ２ 第２境界線
ＬＴ 格子
ＬＰ 格子点
ＬＬ 格子線
ｐ 格子間隔
ｗ 絶縁層の幅
φ 円形の部分領域の直径
φ０ 部分領域ＰＲの円換算直径
ＲＡ 矩形領域
ＲＡ１ 第１矩形領域
ＲＡ２ 第２矩形領域
Ａ１，Ａ２，Ａ３ 領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】