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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6855839
(24)【登録日】2021年3月22日
(45)【発行日】2021年4月7日
(54)【発明の名称】反射型液晶表示素子の製造方法
(51)【国際特許分類】
G02F 1/13 20060101AFI20210329BHJP
G02F 1/1335 20060101ALI20210329BHJP
G02F 1/1368 20060101ALI20210329BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20210329BHJP
【ＦＩ】
G02F1/13 101
G02F1/1335 520
G02F1/1368
G03F7/20 501
【請求項の数】5
【全頁数】26
(21)【出願番号】特願2017-36045(P2017-36045)
(22)【出願日】2017年2月28日
(65)【公開番号】特開2018-141877(P2018-141877A)
(43)【公開日】2018年9月13日
【審査請求日】2019年10月31日
(73)【特許権者】
【識別番号】308036402
【氏名又は名称】株式会社ＪＶＣケンウッド
(74)【代理人】
【識別番号】100103894
【弁理士】
【氏名又は名称】家入 健
(72)【発明者】
【氏名】栗原 誠
【審査官】
小濱 健太
(56)【参考文献】
【文献】
特開２００７−２４９０１６（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１５−０２２２５３（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０００−１９９８１７（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｇ０２Ｆ １／１３
Ｇ０２Ｆ １／１３３５
Ｇ０２Ｆ １／１３６８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１アライメントマークをＩＣ(Integrated Circuit)用ウエハの表面に形成するステップと、
前記第１アライメントマークに対応する第２アライメントマークを原板ウエハの表面に形成するステップと、
前記原板ウエハとガラスウエハとを対向配置した状態で前記原板ウエハの表面に形成された前記第２アライメントマークを前記ガラスウエハの表面に転写することにより、前記第２アライメントマークを反転させた第３アライメントマークを前記ガラスウエハの表面に形成するステップと、
前記ＩＣ用ウエハ又はそれから切り出されたチップの表面と、前記ガラスウエハ又はそれから切り出されたチップの表面と、を前記第１アライメントマークと前記第３アライメントマークとが対向するようにして貼り合わせる、貼り合わせステップと、
を有し、
前記第１アライメントマークの形成に用いたものと同じ露光装置及びマスクパターンを用いて、前記第２アライメントマークを前記原板ウエハの表面に形成する、
反射型液晶表示素子の製造方法。
前記第１アライメントマークに対応する第２アライメントマークを原板ウエハの表面に形成するステップと、
前記原板ウエハとガラスウエハとを対向配置した状態で前記原板ウエハの表面に形成された前記第２アライメントマークを前記ガラスウエハの表面に転写することにより、前記第２アライメントマークを反転させた第３アライメントマークを前記ガラスウエハの表面に形成するステップと、
前記ＩＣ用ウエハ又はそれから切り出されたチップの表面と、前記ガラスウエハ又はそれから切り出されたチップの表面と、を前記第１アライメントマークと前記第３アライメントマークとが対向するようにして貼り合わせる、貼り合わせステップと、
を有し、
前記第１アライメントマークの形成に用いたものと同じ露光装置及びマスクパターンを用いて、前記第２アライメントマークを前記原板ウエハの表面に形成する、
反射型液晶表示素子の製造方法。
【請求項2】
前記貼り合わせステップでは、
前記第１アライメントマークを基準にして前記ＩＣ用ウエハ上に形成された第１貼り合わせ用アライメントマークと、前記第３アライメントマークを基準にして前記ガラスウエハ上に形成された第２貼り合わせ用アライメントマークと、が対向するようにして、前記ＩＣ用ウエハ又はそれから切り出されたチップの表面と、前記ガラスウエハ又はそれから切り出されたチップの表面と、を貼り合わせる、
請求項１に記載の反射型液晶表示素子の製造方法。
前記第１アライメントマークを基準にして前記ＩＣ用ウエハ上に形成された第１貼り合わせ用アライメントマークと、前記第３アライメントマークを基準にして前記ガラスウエハ上に形成された第２貼り合わせ用アライメントマークと、が対向するようにして、前記ＩＣ用ウエハ又はそれから切り出されたチップの表面と、前記ガラスウエハ又はそれから切り出されたチップの表面と、を貼り合わせる、
請求項１に記載の反射型液晶表示素子の製造方法。
【請求項3】
前記原板ウエハは、ガラス製の材料により構成され、
前記第２アライメントマークは、遮光性材料により構成され、
前記第３アライメントマークを前記ガラスウエハの表面に形成するステップでは、
前記原板ウエハをマスクに用いて露光処理を行うことにより、前記第２アライメントマークを反転させた前記第３アライメントマークを前記ガラスウエハの表面に形成する、
請求項１又は２に記載の反射型液晶表示素子の製造方法。
前記第２アライメントマークは、遮光性材料により構成され、
前記第３アライメントマークを前記ガラスウエハの表面に形成するステップでは、
前記原板ウエハをマスクに用いて露光処理を行うことにより、前記第２アライメントマークを反転させた前記第３アライメントマークを前記ガラスウエハの表面に形成する、
請求項１又は２に記載の反射型液晶表示素子の製造方法。
【請求項4】
前記貼り合わせステップでは、
前記ＩＣ用ウエハの表面と、前記ガラスウエハの表面と、を前記第１アライメントマークと前記第３アライメントマークとが対向するようにして貼り合わせ、
前記貼り合わせステップの後に、前記貼り合わされたウエハから反射型液晶表示素子サイズのチップを切り出すステップをさらに有する、
請求項１〜３の何れか一項に記載の反射型液晶表示素子の製造方法。
前記ＩＣ用ウエハの表面と、前記ガラスウエハの表面と、を前記第１アライメントマークと前記第３アライメントマークとが対向するようにして貼り合わせ、
前記貼り合わせステップの後に、前記貼り合わされたウエハから反射型液晶表示素子サイズのチップを切り出すステップをさらに有する、
請求項１〜３の何れか一項に記載の反射型液晶表示素子の製造方法。
【請求項5】
前記ＩＣ用ウエハ及び前記ガラスウエハからそれぞれ反射型液晶表示素子サイズのチップを切り出すステップをさらに有し、
前記貼り合わせステップでは、
前記ＩＣ用ウエハから切り出されたチップの表面と、前記ガラスウエハから切り出されたチップの表面と、を前記第１アライメントマークと前記第３アライメントマークとが対向するようにして貼り合わせる、
請求項１〜３の何れか一項に記載の反射型液晶表示素子の製造方法。
前記貼り合わせステップでは、
前記ＩＣ用ウエハから切り出されたチップの表面と、前記ガラスウエハから切り出されたチップの表面と、を前記第１アライメントマークと前記第３アライメントマークとが対向するようにして貼り合わせる、
請求項１〜３の何れか一項に記載の反射型液晶表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、反射型液晶表示素子の製造方法に関し、特に高品質な反射型液晶表示素子を製造することが可能な反射型液晶表示素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
カラー画像を表示する反射型液晶表示素子には、様々なタイプのものがある。例えば、３素子によって表示される３原色の画像を組み合わせることにより１画素当たりのカラー画像を表示するタイプ、１素子毎に表示される画像の色をフィールドシーケンシャル方式で切り替えることにより１画素当たりのカラー画像を表示するタイプ、及び、１素子毎に設けられた３原色分のカラーフィルタの組み合わせにより１画素当たりのカラー画像を表示するタイプ（特許文献１参照）などがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００−１３１６８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、３原色分のカラーフィルタの組み合わせにより１画素当たりのカラー画像を表示するタイプの反射型液晶表示素子は、例えば、カラーフィルタが形成されるガラス基板と、液晶を駆動する電子回路が形成されるシリコン基板と、を対向配置することにより構成される。
【0005】
このようなデバイス構造の反射型液晶表示素子を製造する場合には、ガラス基板とシリコン基板との間の位置関係にずれが生じないようにそれらを対向配置する必要がある。そのため、通常は、ガラス基板の表面及びシリコン基板の表面に貼り合わせ用アライメントマークをそれぞれ形成しておき、それを目印にして対向配置している。
【0006】
しかしながら、この製造方法では、シリコン基板のウエハ（シリコンウエハ）と、ガラス基板のウエハ（ガラスウエハ）と、が別々に作成されるため、シリコン基板及びガラス基板の何れかの貼り合わせ用アライメントマークの形成位置が所望位置から微妙にずれてしまう可能性がある。その結果、シリコン基板とガラス基板とを貼り合わせた場合に、シリコン基板とガラス基板との間の位置関係に許容範囲を超えるずれが生じてしまう可能性があった。即ち、従来の製造方法では、高品質な反射型液晶表示素子を製造することができないという問題があった。
【0007】
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、高品質な反射型液晶表示素子を製造することが可能な反射型液晶表示素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一態様にかかる反射型液晶表示素子の製造方法は、第１アライメントマークをＩＣ(Integrated Circuit)用ウエハの表面に形成するステップと、前記第１アライメントマークに対応する第２アライメントマークを原板ウエハの表面に形成するステップと、前記原板ウエハとガラスウエハとを対向配置した状態で前記原板ウエハの表面に形成された前記第２アライメントマークを前記ガラスウエハの表面に転写することにより、前記第２アライメントマークを反転させた第３アライメントマークを前記ガラスウエハの表面に形成するステップと、前記ＩＣ用ウエハ又はそれから切り出されたチップの表面と、前記ガラスウエハ又はそれから切り出されたチップの表面と、を前記第１アライメントマークと前記第３アライメントマークとが対向するようにして貼り合わせる、貼り合わせステップと、を有する。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、高品質な反射型液晶表示素子を製造することが可能な反射型液晶表示素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】実施の形態１に係る製造方法が適用される反射型液晶表示素子を示す断面模式図である。
【図2】実施の形態１に係る製造方法が適用される反射型液晶表示素子を示す平面模式図である。
【図8】実施の形態１にかかる反射型液晶表示素子の製造に用いられる縮小投影露光装置の概略を示す斜視図である。
【図10】実施の形態１にかかる反射型液晶表示素子の製造方法を示すフローチャートである。
【図11】ＩＣ用シリコンウエハの表面にアライメントマークを形成する製造工程を説明するための図である。
【図12】アライメントマークが形成されたＩＣ用シリコンウエハの概略平面図である。
【図13】原板用ガラスウエハの表面にアライメントマークを形成する製造工程を説明するための図である。
【図14】アライメントマークが形成された原板用ガラスウエハの概略平面図である。
【図15】カラーフィルタ用ガラスウエハの表面にアライメントマークを形成する製造工程を説明するための図である。
【図16】アライメントマークが形成されたカラーフィルタ用ガラスウエハの概略平面図である。
【図17】ＩＣ用シリコンウエハと、カラーフィルタ用ガラスウエハと、を貼り合わせる製造工程を説明するための図である。
【図18】カラーフィルタ用ガラスウエハの表面にアライメントマークを形成する第１の方法を説明するための図である。
【図20】カラーフィルタ用ガラスウエハの表面にアライメントマークを形成する第２の方法を説明するための図である。
【図22】カラーフィルタ用ガラスウエハの表面にアライメントマークを形成する第３の方法を説明するための図である。
【図24】カラーフィルタ用ガラスウエハの表面にアライメントマークを形成する第４の方法を説明するための図である。
【図25】実施の形態２にかかる反射型液晶表示素子の製造方法を示すフローチャートである。
【図26】ＩＣ用シリコンウエハから切り出されたチップと、カラーフィルタ用ガラスウエハから切り出されたチップと、を貼り合わせる製造工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
＜実施の形態に至る前の構想＞実施の形態１にかかる反射型液晶表示素子の製造方法について説明する前に、当該製造方法が適用される反射型液晶表示素子１００、及び、その基本的な製造方法について説明する。
【0012】
（反射型液晶表示素子１００の構造）まず、図１及び図２を参照しながら、反射型液晶表示素子１００の構造について説明する。図１は、反射型液晶表示素子１００を示す断面模式図である。図２は、反射型液晶表示素子１００を示す平面模式図である。
【0013】
図１に示すように、反射型液晶表示素子１００は、ガラス基板１０１と、コート層１０２と、貼り合わせ用アライメントマーク１０３と、緑、赤、青のカラーフィルタ１０４〜１０６と、透明電極１０７と、封止材１０８と、導電型スペーサ１０９と、電極１１０と、貼り合わせ用アライメントマーク１１１と、反射用メタル電極１１２と、液晶１１３と、非導電型スペーサ１１４と、絶縁層１１５と、メタル配線１１６と、基準アライメントマーク１２，３２と、トランジスタ１１９，１２０と、シリコン基板１２１と、を備える。なお、図示されていないが、液晶１１３の両面には、何れも、配向膜が設けられ、ガラス基板１０１には、偏光板が設けられている。
【0014】
シリコン基板１２１上には、複数のトランジスタ１１９，１２０及びメタル配線１１６からなる電子回路と、それを含む絶縁層１１５と、基準アライメントマーク１２と、が形成されている。なお、シリコン基板１２１上に形成される各構成要素の形成位置は、基準アライメントマーク１２の形成位置が基準となって決定されている。ここでは、シリコン基板１２１が設けられた場合について説明しているが、シリコン基板１２１の代わりにガラス基板が用いられてもよい。
【0015】
また、絶縁層１１５上には、チップの内部領域（液晶１１３が形成される領域）において、複数の反射用メタル電極１１２と、貼り合わせ用アライメントマーク１１１と、が形成され、チップの外周辺領域（封止材１０８が形成される領域）において、電極１１０が形成されている。図２を参照すると、貼り合わせ用アライメントマーク１１１は、平面視して矩形状のチップの対角線上に２つ形成されている。
【0016】
さらに、絶縁層１１５上には、チップの外周辺領域において、封止材１０８が形成されている。図２を参照すると、封止材１０８は、平面視して矩形状のチップの外周辺に沿って形成されている。封止材１０８の内部には、球体の複数のスペーサが形成されている。それにより、ガラス基板１０１とシリコン基板１２１との間には、均一なスペースが確保される。複数のスペーサのいくつかは、導電型スペーサ１０９であって、残りは、非導電型スペーサ１１４である。なお、導電型スペーサ１０９は、電極１１０に接触するように配置されている。
【0017】
ガラス基板１０１は、シリコン基板１２１と複数のスペーサを挟んで対向配置されている。ガラス基板１０１には、基準アライメントマーク３２が形成されている。なお、ガラス基板１０１上に形成される各構成要素の形成位置は、基準アライメントマーク３２の形成位置が基準となって決定される。
【0018】
また、ガラス基板１０１上には、チップの内部領域（液晶１１３が形成される領域）において、複数の反射用メタル電極１１２に対応する複数のカラーフィルタ１０４〜１０６と、貼り合わせ用アライメントマーク１０３と、が形成されている。図２を参照すると、貼り合わせ用アライメントマーク１０３は、貼り合わせ用アライメントマーク１１１に対向するようにして、平面視して矩形状のチップの対角線上に２つ形成されている。
【0019】
また、複数のカラーフィルタ１０４〜１０６を覆うようにして、コート層１０２が形成されている。コート層１０２により、ガラス基板１０１の表面が平坦化される。さらに、コート層１０２の表面には、透明電極１０７が形成されている。
【0020】
シリコン基板１２１と、ガラス基板１０１と、封止材１０８と、によって囲まれた空間領域には、液晶１１３が封入されている。
【0021】
ここで、導電型スペーサ１０９は、電極１１０だけでなく、透明電極１０７の端部にも接触している。これにより、例えばトランジスタ１２０がオンすることで出力された電力は、電極１１０及び導電型スペーサ１０９を介して透明電極１０７に供給され、その結果、液晶１１３が駆動される。
【0022】
反射型液晶表示素子１００では、外部からの光が、反射用メタル電極１１２で反射して、液晶１１３を通過し、カラーフィルタ１０４〜１０６により色づけされた後、画像としてモニタに表示される。
【0023】
（反射型液晶表示素子の製造方法）続いて、図３〜図７を参照しつつ、反射型液晶表示素子１００の基本的な製造方法について説明する。図３は、反射型液晶表示素子１００の基本的な製造方法を示すフローチャートである。図４〜図７は、反射型液晶表示素子１００の各製造工程を説明するための断面模式図である。
【0025】
図４に示すように、まず、シリコン基板１２１の表面に、基準アライメントマーク１２を形成する。その後、シリコン基板１２１上では、基準アライメントマーク１２を基準にして各構成要素の形成が行われる。
【0026】
基準アライメントマーク１２の形成後、基準アライメントマーク１２と同一層において複数のトランジスタ１１９及びトランジスタ１２０を形成する。なお、複数のトランジスタ１１９は、反射用メタル電極１１２に対して電力を供給するか否かを切り替えるトランジスタである。また、トランジスタ１２０は、電極１１０に対して電力を供給するか否かを切り替えるトランジスタである。
【0027】
その後、絶縁層１１５を介在させながら、トランジスタ形成層よりも上層にある複数の配線層に、複数のメタル配線１１６を形成する。その後、最上位層（絶縁層１１５の表面上）では、チップの外周辺領域（封止材１０８が形成される領域）において電極１１０を形成し、チップの内部領域（液晶１１３が形成される領域）において、複数の反射用メタル電極１１２及び貼り合わせ用アライメントマーク１１１を形成する。このようにして、シリコン基板１２１上において電子回路の形成が行われる。
【0028】
なお、貼り合わせ用アライメントマーク１１１は、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを貼り合わせる際の位置合わせに用いられる。図２を参照すると、反射型液晶表示素子１００には、一つのチップ当たり、対角線上に２つの貼り合わせ用アライメントマーク１１１が配置されている。
【0030】
図５に示すように、まず、ガラス基板１０１の表面に、基準アライメントマーク３２を形成する。その後、ガラス基板１０１上では、基準アライメントマーク３２を基準にして各構成要素の形成が行われる。
【0031】
基準アライメントマーク３２の形成後、ガラス基板１０１の表面において、カラーレジストのパターンを形成することによって緑、赤、青の３色分のカラーフィルタ１０４〜１０６を順に形成するとともに、貼り合わせ用アライメントマーク１０３を形成する。
【0032】
なお、貼り合わせ用アライメントマーク１０３は、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを貼り合わせる際の位置合わせに用いられる。図２を参照すると、反射型液晶表示素子１００には、一つのチップ当たり、対角線上に２つの貼り合わせ用アライメントマーク１０３が配置されている。
【0033】
その後、カラーフィルタ１０４〜１０６及び貼り合わせ用アライメントマーク１０３を覆うようにして、ガラス基板１０１の表面全体に渡ってコート層１０２を形成する。それにより、ガラス基板１０１の表面が平坦化される。
【0034】
その後、コート層１０２の表面に、透明電極１０７を形成する。より具体的には、コート層１０２の表面全体に透明電極１０７を形成した後、透明電極１０７の外周辺端部をエッチングにより除去する。それにより、透明電極１０７は、平面視上、チップよりも一回り小さい矩形状に形成される（図２参照）。換言すると、透明電極１０７は、チップの内部領域から外周辺領域の一部にまで張り出すようにして形成される。
【0036】
図６に示すように、まず、シリコン基板１２１の表面（より具体的には、シリコン基板１２１上に形成された絶縁層１１５の表面）上に、チップの外周辺に沿って、封止材１０８を配置する。封止材１０８の内部には、球体の複数のスペーサを配置する。複数のスペーサのいくつかは、導電型スペーサ１０９であって、残りは、非導電型スペーサ１１４である。なお、導電型スペーサ１０９は、電極１１０に接触するように配置される。
【0037】
その後、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを、貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３が対向するようにして貼り合わせる。換言すると、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを、平面視して貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３の位置が一致するように貼り合わせる。
【0038】
ここで、貼り合わせ用アライメントマーク１１１は、シリコン基板１２１の最上位層（より具体的には、シリコン基板１２１上に形成された絶縁層１１５の表面）に形成されている。それにより、貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３の距離を近づけた状態で、シリコン基板１２１とガラス基板１０１との間の位置関係を調整することができるため、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを正確に対向配置することができる。
【0039】
その後、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを貼り合わせた状態で、紫外線を照射することにより、封止材１０８を硬化させる。それにより、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とが結合する。なお、このとき、導電型スペーサ１０９は、電極１１０だけでなく、透明電極１０７の端部にも接触している。これにより、トランジスタ１２０がオンすることで出力された電力は、電極１１０及び導電型スペーサ１０９を介して透明電極１０７に供給されることになる。
【0040】
次に、液晶１１３の注入を行う（図３のステップＳ１０４）。具体的には、図７に示すように、シリコン基板１２１、ガラス基板１０１及び封止材１０８によって囲まれた空間領域に対し、真空状態で、液晶１１３を注入する。
【0042】
このように、反射型液晶表示素子１００及びその基本的な製造方法は、反射用メタル電極１１２の上層にカラーフィルタが形成される反射型液晶表示素子の場合と比較して、透明電極１０７と反射用メタル電極１１２とのギャップ（距離）を狭くすることができる。それにより、液晶１１３をより低電圧で駆動することが可能になるため、消費電力の増大を抑制することができる。即ち、反射型液晶表示素子の品質を向上させることができる。
【0043】
また、反射型液晶表示素子１００及びその基本的な製造方法では、複数のスペーサが、チップの外周辺に沿って配置された封止材１０８の内部に配置されており、平面視上、貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３とは異なる位置に配置されている。そのため、複数のスペーサによって視界を遮られることなく、貼り合わせ用アライメントマーク１１１、１０３を用いて、シリコン基板１２１とガラス基板１０１との間の位置関係を調整することができる。
【0044】
また、反射型液晶表示素子１００及びその基本的な製造方法では、透明電極１０７の端部が、チップの内部領域（液晶１１３の形成領域）に止まらずに、チップの外周辺領域（封止材１０８の形成領域）にまで延在している。そのため、液晶１１３は、透明電極１０７の端部に集中する電界の影響を受けなくて済む。
【0045】
また、反射型液晶表示素子１００及びその基本的な製造方法では、トランジスタ１２０がオンすることで出力された電力が、チップ内に設けられた電極１１０及び導電型スペーサ１０９を介して透明電極１０７に供給されており、配線等の電力供給経路がチップ外に形成されない。そのため、断線による故障等を防ぐことができる。
【0046】
また、反射型液晶表示素子１００及びその基本的な製造方法では、貼り合わせ用アライメントマーク１１１が、反射用メタル電極１１２とともに、シリコン基板１２１の最上位層（より具体的には、シリコン基板１２１上に形成された絶縁層１１５の表面）に形成されている。それにより、貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３の距離を近づけた状態で、シリコン基板１２１とガラス基板１０１との間の位置関係を調整することができるため、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを正確に対向配置することができる。
【0047】
さらに、反射型液晶表示素子１００及びその基本的な製造方法では、シリコン基板１２１上において、平面視してチップの対角線上に２つの貼り合わせ用アライメントマーク１１１が形成されるとともに、ガラス基板１０１上において、平面視してチップの対角線上に２つの貼り合わせ用アライメントマーク１０３が形成されている。そのため、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを対向配置する場合に、回転方向の位置のずれも抑制することができる。
【0048】
ここで、反射型液晶表示素子１００の製造では、シリコン基板１２１のウエハ（シリコンウエハ）と、ガラス基板１０１のウエハ（ガラスウエハ）と、が別々に形成されるため、シリコン基板１２１及びガラス基板１０１の何れかの貼り合わせ用アライメントマークの形成位置が所望位置から微妙にずれてしまう可能性がある。その結果、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを貼り合わせた場合に、シリコン基板１２１とガラス基板との間の位置関係に許容範囲を超えるずれが生じてしまう可能性があった。即ち、これまでの製造方法では、高品質な反射型液晶表示素子を製造することができないという問題があった。
【0049】
そこで、高品質な反射型液晶表示素子を製造することが可能な、実施の形態１にかかる反射型液晶表示素子の製造方法が見出された。以下、具体的に説明する。
【0051】
図８に示すように、縮小投影露光装置１は、光源２と、コンデンサレンズ３と、マスク４と、投影レンズ５と、ステージ６と、を備える。図８の例では、ステージ６上にウエハが配置されている。例えば、ウエハから反射型液晶表示素子サイズ（以下、素子サイズとも称す）の複数のチップが切り出される。
【0052】
コンデンサレンズ３は、光源２からの光（紫外線）を集光する。コンデンサレンズ３によって集光された光は、マスク４を介して、投影レンズ５に照射される。
【0053】
マスク４は、例えば、ガラス基板と、当該ガラス基板上に形成された遮光膜と、によって構成されている。遮光膜は、例えばクロムであって、ガラス基板上において、電子回路やアライメントマークの投影用パターンを形成している。なお、アライメントマークとは、位置合わせのために基板上に形成されるマークのことである。ここで、マスク４に照射された光は、遮光膜が形成された領域を通過せず、遮光膜が形成されていない領域を通過するため、平面視上、マスクパターン形状となって投影レンズ５に照射される。
【0054】
図９は、マスク４の概略を示す平面図である。図９に示すマスク４の例では、矩形状のガラス基板４１の表面に、遮光膜からなる３つの基準アライメントマーク４２の投影用パターンが形成されている。例えば、マスク４に照射された光は、基準アライメントマーク４２の投影用パターンが形成された領域を通過せず、それ以外の領域を通過する。
【0055】
図８に戻り、説明を続ける。投影レンズ５は、コンデンサレンズ３からマスク４を介して照射されたマスクパターン形状の光を縮小して、ステージ６上に配置されたウエハに投影する。それにより、ウエハにはマスクパターンが焼き付けられる。マスクパターンの焼き付けは、ウエハから切り出される複数のチップの各々に対して行われる。
【0056】
（実施の形態１に係る反射型液晶表示素子の製造方法）続いて、図１０〜図１７を参照しつつ、実施の形態１に係る反射型液晶表示素子の製造方法について説明する。図１０は、実施の形態１に係る反射型液晶表示素子の製造方法を示すフローチャートである。図１１〜図１７は、実施の形態１に係る反射型液晶表示素子の各製造工程を説明するための図である。
【0057】
上記したように、反射型液晶表示素子１００を製造する場合には、シリコン基板１２１とガラス基板１０１との間の位置関係にずれが生じないようにそれらを正確に対向配置する必要がある。そのため、通常は、シリコン基板１２１の表面及びガラス基板１０１の表面に貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３をそれぞれ形成し、それらを目印にして対向配置している。
【0058】
ここで、貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３を所望の位置に形成することは、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを正確に対向配置するために非常に重要なことであるが、容易ではない。そこで、本実施の形態に係る製造方法では、シリコン基板１２１に基準アライメントマーク１２を形成した場合と同じ露光装置及びマスクパターンを用いて、原板用ガラス基板に投影用アライメントマークを形成した後、その原板用ガラス基板をマスクに用いて、ガラス基板１０１に対して、基準アライメントマーク１２を反転させた基準アライメントマーク３２を形成する。そして、その後、これら基準アライメントマーク１２，３２を基準にして貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３を形成する。それにより、本実施の形態に係る製造方法では、貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３の形成位置のずれを抑制することができるため、高品質な反射型液晶表示素子の製造を実現することができる。以下、具体的に説明する。
【0059】
まず、縮小投影露光装置１を用いて、ＩＣ用のシリコン基板１２１のウエハ（ＩＣ用シリコンウエハ）１０に対して露光処理を行う（図１１参照）。その後、現像、エッチング等のパターン焼き付けのための所定の処理を行う。ここで、マスク４には、例えば、図９に示すような基準アライメントマーク４２の投影用パターンが書き込まれたものが用いられる。それにより、ＩＣ用シリコンウエハ１０の表面には、基準アライメントマーク４２の投影用パターンが縮小転写される。その結果、図１２の平面図に示すように、ウエハ１０から切り出されるチップ１１毎に、基準アライメントマーク（第１アライメントマーク）１２が形成される（図１０のステップＳ１０１）。
【0060】
その後、基準アライメントマーク１２を基準にして、シリコン基板１２１上の各構成要素（液晶駆動用の電子回路、反射用メタル電極１１２、貼り合わせ用アライメントマーク１１１等）の形成を行う。具体的な内容については、既に説明した通りであるため省略する。
【0061】
次に、縮小投影露光装置１を用いて、原板用ガラスウエハ２０に対して露光処理を行う（図１３参照）。その後、現像、エッチング等のパターン焼き付けのための所定の処理を行う。ここで、マスク４には、ＩＣ用シリコンウエハ１０の場合と同様に、図９に示すような基準アライメントマーク４２の投影用パターンが書き込まれたものが用いられる。それにより、原板用ガラスウエハ２０の表面には、基準アライメントマーク４２の投影用パターンが縮小転写される。その結果、図１４の平面図に示すように、ウエハ２０に形成されるチップ２１単位毎に、投影用アライメントマーク（第２アライメントマーク）２２が形成される（図１０のステップＳ１０２）。
【0062】
ここで、基準アライメントマーク１２及び投影用アライメントマーク２２は、同じ縮小投影露光装置１及び同じマスクパターンを用いて形成されているため、これらの形成位置の所望位置からのずれは同等程度となる。
【0063】
その後、例えば縮小投影露光装置１を用いて、カラーフィルタ用のガラス基板１０１のウエハ（カラーフィルタ用ガラスウエハ）３０に対して露光処理を行う（図１５参照）。その後、現像、エッチング等のパターン焼き付けのための所定の処理を行う。
【0064】
ここで、マスク４には、投影用アライメントマーク２２形成面を下向き（ｚ軸のマイナス方向）にして配置された原板用ガラスウエハ２０が用いられる。それにより、カラーフィルタ用ガラスウエハ３０の表面には、投影用アライメントマーク２２のパターンが転写される。その結果、図１６の平面図に示すように、ウエハ３０から切り出されるチップ３１毎に、投影用アライメントマーク２２を反転させた（換言すると、基準アライメントマーク１２を反転させた）基準アライメントマーク（第３アライメントマーク）３２が形成される（図１０のステップＳ１０３）。なお、このとき、カラーフィルタ用ガラスウエハ３０に投影する光を縮小する必要がない（即ち、縮小率が１倍となる）ため、投影レンズ５は用いられない。
【0065】
その後、基準アライメントマーク３２を基準にして、ガラス基板１０１上の各構成要素（カラーフィルタ、透明電極１０７、貼り合わせ用アライメントマーク１０３等）の形成を行う。具体的な内容については、既に説明した通りであるため省略する。
【0066】
その後、図１７に示すように、ＩＣ用シリコンウエハ１０の表面と、カラーフィルタ用ガラスウエハ３０の表面と、を基準アライメントマーク１２及び基準アライメントマーク３２が対向するようにして貼り合わせる（図１０のステップＳ１０５）。より具体的には、ＩＣ用シリコンウエハ１０の表面と、カラーフィルタ用ガラスウエハ３０の表面と、を基準アライメントマーク１２，３２を基準にして形成された貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３が対向するようにして貼り合わせる。
【0067】
ここで、上記したように、基準アライメントマーク１２及び投影用アライメントマーク２２は、同じ縮小投影露光装置１及び同じマスクパターンを用いて形成されたものである。また、基準アライメントマーク３２は、投影用アライメントマーク２２を反転転写することにより形成されたものである。そのため、基準アライメントマーク１２及び基準アライメントマーク３２を対向させた場合におけるこれらの形成位置の所望位置からのずれは同等程度となる。そのため、基準アライメントマーク１２及び基準アライメントマーク３２を対向させた場合におけるこれらのずれは相殺される。そのため、基準アライメントマーク１２，３２のそれぞれを基準にして形成された貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３の形成位置のずれも相殺される。そのため、本製造方法では、ＩＣ用シリコンウエハ１０とカラーフィルタ用ガラスウエハ３０と、を正確に対向配置させることができ、その結果、高品質な反射型液晶表示素子を製造することが可能となる。
【0068】
その後、貼り合わされたウエハから素子サイズのチップを切り出し、反射型液晶表示素子を形成する（図１０のステップＳ１０６）。
【0069】
このように、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子の製造方法では、ＩＣ用シリコンウエハに基準アライメントマークを形成した場合と同じ露光装置及びマスクパターンを用いて、原板用ガラスウエハに投影用アライメントマークを形成する。そして、原板用ガラスウエハとカラーフィルタ用ガラスウエハとを対向配置した状態で、原板用ガラスウエハの表面に形成された投影用アライメントマークをカラーフィルタ用ガラスウエハの表面に転写する。それにより、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子の製造方法では、対向させる基準アライメントマーク（換言すると、それらを基準にして形成された貼り合わせ用アライメントマーク）のずれを同等程度にして、これらのずれを相殺させることができるため、ＩＣ用シリコンウエハとカラーフィルタ用ガラスウエハとを正確に対向配置させることができる。その結果、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子の製造方法では、高品質な反射型液晶表示素子を製造することが可能となる。
【0070】
即ち、本製造方法を用いることにより、縮小投影露光装置のレンズ、ステージスケーリング、ステージ直行度等に起因したウエハ同士の重ね合わせずれを抑制することができる。
【0071】
本実施の形態では、反射型液晶表示素子の全ての製造工程で同一の露光装置が用いられた場合を例に説明したが、これに限られない。原板用ガラスウエハ２０に投影用アライメントマーク２２を形成する以外の露光処理工程では、別の露光装置が用いられてもよい。その場合、露光装置を変えたことによる位置ずれを無くすため、ウエハ上に別途層間の重ね合わせずれ測定マークを付与しておくことが好ましい。
【0072】
続いて、カラーフィルタ用ガラスウエハ３０の表面に対する基準アライメントマーク３２の形成方法の具体例について説明する。
【0074】
まず、アライメントマークのポジパターンが書き込まれたマスク４ａを用いて、遮光膜２０２及びフォトレジスト２０３が塗布された原板用ガラス基板２０１（原板用ガラスウエハ２０に相当）に対して露光処理を実施する（図１８の（ａ）参照）。
【0075】
露光処理後、原板用ガラス基板２０１の表面に対して現像処理を実施する。それにより、フォトレジスト２０３のうち、例えばアライメントマークのポジパターンを構成するフォトレジスト２０３ａ，２０３ｂ，２０３ｃのみが残る（図１８の（ｂ）参照）。
【0076】
現像処理後、原板用ガラス基板２０１の表面に対してエッチング処理を実施する。それにより、遮光膜２０２のうち、フォトレジスト２０３ａ，２０３ｂ，２０３ｃによってマスクされた領域（遮光膜２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃ）のみが残る（図１８の（ｃ）参照）。
【0077】
その後、フォトレジスト２０３ａ，２０３ｂ，２０３ｃは除去される。それにより、原板用ガラス基板２０１の表面には、投影用アライメントマーク２２のポジパターンを構成する遮光膜２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃのみが残る（図１８の（ｄ）参照）。
【0078】
その後、アライメントマーク形成面が下向きになるように配置された原板用ガラス基板２０１（原板用ガラスウエハ２０に相当）をマスクに用いて、遮光膜３０２及びポジ型レジスト３０３が塗布されたカラーフィルタ用ガラス基板３０１（カラーフィルタ用ガラスウエハ３０に相当）に対して露光処理を実施する（図１８の（ｅ）参照）。
【0079】
なお、原板用ガラス基板２０１とカラーフィルタ用ガラス基板３０１とをできるだけ近づけた状態で、又は、密着させた状態で露光処理を行うことが好ましい。それにより、原板用ガラス基板２０１に形成された投影用アライメントマーク２２のパターンをより正確にカラーフィルタ用ガラス基板３０１に転写することが可能となる。
【0080】
露光処理後、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面に対して現像処理を実施する。それにより、ポジ型レジスト３０３のうち、遮光膜２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃによってマスクされた領域（ポジ型レジスト３０３ａ，３０３ｂ，３０３ｃ）のみが残る（図１８の（ｆ）参照）。
【0081】
現像処理後、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面に対してエッチング処理を実施する。それにより、遮光膜３０２のうち、ポジ型レジスト３０３ａ，３０３ｂ，３０３ｃによってマスクされた領域（遮光膜３０２ａ，３０２ｂ，３０２ｃ）のみが残る（図１８の（ｇ）参照）。
【0082】
その後、ポジ型レジスト３０３ａ，３０３ｂ，３０３ｃは除去される。それにより、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面には、基準アライメントマーク３２のポジパターンを構成する遮光膜３０２ａ，３０２ｂ，３０２ｃのみが残る（図１８の（ｈ）参照）。換言すると、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面には、投影用アライメントマーク２２を反転させた基準アライメントマーク３２が形成される。
【0083】
（基準アライメントマーク３２の第１の形成方法の変形例）図１９は、図１８に示す基準アライメントマーク３２の第１の形成方法、の変形例を説明するための断面図である。図１９の例では、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面に塗布されるフォトレジストとして、ポジ型レジストの代わりにネガ型レジストが用いられる。以下、具体的に説明する。
【0084】
まず、アライメントマークのポジパターンを反転させたパターンが書き込まれたマスク４ｂを用いて、遮光膜２０２及びフォトレジスト２０３が塗布された原板用ガラス基板２０１に対して露光処理を実施する（図１９の（ａ）参照）。
【0085】
露光処理後、原板用ガラス基板２０１の表面に対して現像処理を実施する。それにより、フォトレジスト２０３のうち、例えばアライメントマークのポジパターンの反転パターンを構成するフォトレジストのみが残る。本例では、フォトレジスト２０３には、開口領域２０３ｄ，２０３ｅ，２０３ｆが形成される（図１９の（ｂ）参照）。
【0086】
現像処理後、原板用ガラス基板２０１の表面に対してエッチング処理を実施する。それにより、遮光膜２０２のうち、フォトレジスト２０３の開口領域２０３ｄ，２０３ｅ，２０３ｆを介して露出した領域は、腐食により開口して、開口領域２０２ｄ，２０２ｅ，２０２ｆを形成する（図１９の（ｃ）参照）。
【0087】
その後、残ったフォトレジスト２０３は除去される。それにより、原板用ガラス基板２０１の表面には、開口領域２０２ｄ，２０２ｅ，２０２ｆが形成された遮光膜２０２のみが残る。これら開口領域２０２ｄ，２０２ｅ，２０２ｆによって、投影用アライメントマーク２２のポジパターンの反転パターンが構成される（図１９の（ｄ）参照）。
【0088】
その後、アライメントマーク形成面が下向きになるように配置された原板用ガラス基板２０１をマスクに用いて、遮光膜３０２及びネガ型レジスト３０４が塗布されたカラーフィルタ用ガラス基板３０１に対して露光処理を実施する（図１９の（ｅ）参照）。
【0089】
なお、原板用ガラス基板２０１とカラーフィルタ用ガラス基板３０１とをできるだけ近づけた状態で、又は、密着させた状態で露光処理を行うことが好ましい。それにより、原板用ガラス基板２０１に形成された投影用アライメントマーク２２のパターンをより正確にカラーフィルタ用ガラス基板３０１に転写することが可能となる。
【0090】
露光処理後、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面に対して現像処理を実施する。それにより、ネガ型レジスト３０４のうち、遮光膜２０２の開口領域２０２ｄ，２０２ｅ，２０２ｆを介して光に照射された領域（ネガ型レジスト３０４ａ，３０４ｂ，３０４ｃ）のみが残る（図１９の（ｆ）参照）。
【0091】
現像処理後、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面に対してエッチング処理を実施する。それにより、遮光膜３０２のうち、ネガ型レジスト３０４ａ，３０４ｂ，３０４ｃによってマスクされた領域（遮光膜３０２ａ，３０２ｂ，３０２ｃ）のみが残る（図１９の（ｇ）参照）。
【0092】
その後、ネガ型レジスト３０４ａ，３０４ｂ，３０４ｃは除去される。それにより、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面には、基準アライメントマーク３２のポジパターンを構成する遮光膜３０２ａ，３０２ｂ，３０２ｃのみが残る（図１９の（ｈ）参照）。換言すると、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面には、投影用アライメントマーク２２を反転させた基準アライメントマーク３２が形成される。
【0094】
まず、アライメントマークのネガパターンが書き込まれたマスク４ｃを用いて、遮光膜２０２及びフォトレジスト２０３が塗布された原板用ガラス基板２０１に対して露光処理を実施する（図２０の（ａ）参照）。
【0095】
露光処理後、原板用ガラス基板２０１の表面に対して現像処理を実施する。それにより、フォトレジスト２０３のうち、例えばアライメントマークのネガパターンを構成するフォトレジスト２０３ｇ〜２０３ｊのみが残る（図２０の（ｂ）参照）。
【0096】
現像処理後、原板用ガラス基板２０１の表面に対してエッチング処理を実施する。それにより、遮光膜２０２のうち、フォトレジスト２０３ｇ〜２０３ｊによってマスクされた領域（遮光膜２０２ｇ〜２０２ｊ）のみが残る（図２０の（ｃ）参照）。
【0097】
その後、フォトレジスト２０３ｇ〜２０３ｊは除去される。それにより、原板用ガラス基板２０１の表面には、投影用アライメントマーク２２のネガパターンを構成する遮光膜２０２ｇ〜２０２ｊのみが残る（図２０の（ｄ）参照）。
【0098】
その後、アライメントマーク形成面が下向きになるように配置された原板用ガラス基板２０１をマスクに用いて、遮光膜３０２及びポジ型レジスト３０３が塗布されたカラーフィルタ用ガラス基板３０１に対して露光処理を実施する（図２０の（ｅ）参照）。
【0099】
なお、原板用ガラス基板２０１とカラーフィルタ用ガラス基板３０１とをできるだけ近づけた状態で、又は、密着させた状態で露光処理を行うことが好ましい。それにより、原板用ガラス基板２０１に形成された投影用アライメントマーク２２のパターンをより正確にカラーフィルタ用ガラス基板３０１に転写することが可能となる。
【0100】
露光処理後、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面に対して現像処理を実施する。それにより、ポジ型レジスト３０３のうち、遮光膜２０２ｇ〜２０２ｊによってマスクされた領域（ポジ型レジスト３０３ｇ〜３０３ｊ）のみが残る（図２０の（ｆ）参照）。
【0101】
現像処理後、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面に対してエッチング処理を実施する。それにより、遮光膜３０２のうち、ポジ型レジスト３０３ｇ〜３０３ｊによってマスクされた領域（遮光膜３０２ｇ〜３０２ｊ）のみが残る（図２０の（ｇ）参照）。
【0102】
その後、ポジ型レジスト３０３ｇ〜３０３ｊは除去される。それにより、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面には、基準アライメントマーク３２のネガパターンを構成する遮光膜３０２ｇ〜３０２ｊのみが残る（図２０の（ｈ）参照）。換言すると、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面には、投影用アライメントマーク２２を反転させた基準アライメントマーク３２が形成される。
【0103】
（基準アライメントマーク３２の第２の形成方法の変形例）図２１は、図２０に示す基準アライメントマーク３２の第２の形成方法、の変形例を説明するための断面図である。図２１の例では、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面に塗布されるフォトレジストとして、ポジ型レジストの代わりにネガ型レジストが用いられる。以下、具体的に説明する。
【0104】
まず、アライメントマークのネガパターンを反転させたパターンが書き込まれたマスク４ｄを用いて、遮光膜２０２及びフォトレジスト２０３が塗布された原板用ガラス基板２０１に対して露光処理を実施する（図２１の（ａ）参照）。
【0105】
露光処理後、原板用ガラス基板２０１の表面に対して現像処理を実施する。それにより、フォトレジスト２０３のうち、例えばアライメントマークのネガパターンの反転パターンを構成するフォトレジストのみが残る。本例では、フォトレジスト２０３には、開口領域２０３ｋ〜２０３ｎが形成される（図２１の（ｂ）参照）。
【0106】
現像処理後、原板用ガラス基板２０１の表面に対してエッチング処理を実施する。それにより、遮光膜２０２のうち、フォトレジスト２０３の開口領域２０３ｋ〜２０３ｎを介して露出した領域は、腐食により開口して、開口領域２０２ｋ〜２０２ｎを形成する（図２１の（ｃ）参照）。
【0107】
その後、残ったフォトレジスト２０３は除去される。それにより、原板用ガラス基板２０１の表面には、開口領域２０２ｋ〜２０２ｎが形成された遮光膜２０２のみが残る。これら開口領域２０２ｋ〜２０２ｎによって、投影用アライメントマーク２２のネガパターンの反転パターンが構成される（図２１の（ｄ）参照）。
【0108】
その後、アライメントマーク形成面が下向きになるように配置された原板用ガラス基板２０１をマスクに用いて、遮光膜３０２及びネガ型レジスト３０４が塗布されたカラーフィルタ用ガラス基板３０１に対して露光処理を実施する（図２１の（ｅ）参照）。
【0109】
なお、原板用ガラス基板２０１とカラーフィルタ用ガラス基板３０１とをできるだけ近づけた状態で、又は、密着させた状態で露光処理を行うことが好ましい。それにより、原板用ガラス基板２０１に形成された投影用アライメントマーク２２のパターンをより正確にカラーフィルタ用ガラス基板３０１に転写することが可能となる。
【0110】
露光処理後、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面に対して現像処理を実施する。それにより、ネガ型レジスト３０４のうち、遮光膜２０２の開口領域２０２ｋ〜２０２ｎを介して光に照射された領域（ネガ型レジスト３０４ｇ〜３０４ｊ）のみが残る（図２１の（ｆ）参照）。
【0111】
現像処理後、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面に対してエッチング処理を実施する。それにより、遮光膜３０２のうち、ネガ型レジスト３０４ｇ〜３０４ｊによってマスクされた部分（遮光膜３０２ｇ〜３０２ｊ）のみが残る（図２１の（ｇ）参照）。
【0112】
その後、ネガ型レジスト３０４ｇ〜３０４ｊは除去される。それにより、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面には、基準アライメントマーク３２のネガパターンを構成する遮光膜３０２ｇ〜３０２ｊのみが残る（図２１の（ｈ）参照）。換言すると、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面には、投影用アライメントマーク２２を反転させた基準アライメントマーク３２が形成される。
【0114】
まず、アライメントマークの凹型パターンが書き込まれたマスク４ｅを用いて、遮光膜２０２及びフォトレジスト２０３が塗布された原板用ガラス基板２０１に対して露光処理を実施する（図２２の（ａ）参照）。
【0115】
露光処理後、原板用ガラス基板２０１の表面に対して現像処理を実施する。それにより、フォトレジスト２０３のうち、アライメントマークの凹型パターンを構成する領域のみが残る。本例では、フォトレジスト２０３には、開口領域２０３ｏ，２０３ｐ，２０３ｑが形成される（図２２の（ｂ）参照）。
【0116】
現像処理後、原板用ガラス基板２０１の表面に対してエッチング処理を実施する。それにより、遮光膜２０２のうち、フォトレジスト２０３の開口領域２０３ｏ，２０３ｐ，２０３ｑを介して露出した領域は、腐食により開口して、開口領域２０２ｏ，２０２ｐ，２０２ｑを形成する（図２２の（ｃ）参照）。
【0117】
その後、残ったフォトレジスト２０３は除去される。それにより、原板用ガラス基板２０１の表面には、開口領域２０２ｏ，２０２ｐ，２０２ｑが形成された遮光膜２０２のみが残る。これら開口領域２０２ｏ，２０２ｐ，２０２ｑによって、投影用アライメントマーク２２の凹型パターンが構成される（図２２の（ｄ）参照）。
【0118】
その後、アライメントマーク形成面が下向きになるように配置された原板用ガラス基板２０１をマスクに用いて、ポジ型レジスト３０３が塗布されたカラーフィルタ用ガラス基板３０１に対して露光処理を実施する（図２２の（ｅ）参照）。
【0119】
なお、原板用ガラス基板２０１とカラーフィルタ用ガラス基板３０１とをできるだけ近づけた状態で、又は、密着させた状態で露光処理を行うことが好ましい。それにより、原板用ガラス基板２０１に形成された投影用アライメントマーク２２のパターンをより正確にカラーフィルタ用ガラス基板３０１に転写することが可能となる。
【0120】
露光処理後、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面に対して現像処理を実施する。それにより、ポジ型レジスト３０３のうち、遮光膜２０２の開口領域２０２ｏ，２０２ｐ，２０２ｑを介して光に照射された領域は、開口して、開口領域３０３ｏ，３０３ｐ，３０３ｑを形成する（図２２の（ｆ）参照）。
【0121】
現像処理後、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面に対してエッチング処理を実施する。それにより、カラーフィルタ用ガラス基板３０１のうち、ポジ型レジスト３０３の開口領域３０３ｏ，３０３ｐ，３０３ｑを介して露出した領域は、腐食により、凹部３０１ｏ，３０１ｐ，３０１ｑを形成する（図２２の（ｇ）参照）。
【0122】
その後、残ったポジ型レジスト３０３は除去される。それにより、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面には、基準アライメントマーク３２の凹型パターンを構成する凹部３０１ｏ，３０１ｐ，３０１ｑのみが残る（図２２の（ｈ）参照）。換言すると、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面には、投影用アライメントマーク２２を反転させた基準アライメントマーク３２が形成される。
【0123】
（基準アライメントマーク３２の第３の形成方法の変形例）図２３は、図２２に示す基準アライメントマーク３２の第３の形成方法、の変形例を説明するための断面図である。図２３の例では、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面に塗布されるフォトレジストとして、ポジ型レジストの代わりにネガ型レジストが用いられる。以下、具体的に説明する。
【0124】
まず、アライメントマークの凹型パターンを反転させたパターンが書き込まれたマスク４ｆを用いて、遮光膜２０２及びフォトレジスト２０３が塗布された原板用ガラス基板２０１に対して露光処理を実施する（図２３の（ａ）参照）。
【0125】
露光処理後、原板用ガラス基板２０１の表面に対して現像処理を実施する。それにより、フォトレジスト２０３のうち、例えばアライメントマークの凹型パターンの反転パターンを構成するフォトレジスト２０３ｒ，２０３ｓ，２０３ｔのみが残る（図２３の（ｂ）参照）。
【0126】
現像処理後、原板用ガラス基板２０１の表面に対してエッチング処理を実施する。それにより、遮光膜２０２のうち、フォトレジスト２０３ｒ，２０３ｓ，２０３ｔによってマスクされた領域（遮光膜２０２ｒ，２０２ｓ，２０２ｔ）のみが残る（図２３の（ｃ）参照）。
【0127】
その後、フォトレジスト２０３ｒ，２０３ｓ，２０３ｔは除去される。それにより、原板用ガラス基板２０１の表面には、投影用アライメントマーク２２の凹型パターンの反転パターンを構成する遮光膜２０２ｒ，２０２ｓ，２０２ｔのみが残る（図２３の（ｄ）参照）。
【0128】
その後、アライメントマーク形成面が下向きになるように配置された原板用ガラス基板２０１をマスクに用いて、遮光膜３０２及びネガ型レジスト３０４が塗布されたカラーフィルタ用ガラス基板３０１に対して露光処理を実施する（図２３の（ｅ）参照）。
【0129】
なお、原板用ガラス基板２０１とカラーフィルタ用ガラス基板３０１とをできるだけ近づけた状態で、又は、密着させた状態で露光処理を行うことが好ましい。それにより、原板用ガラス基板２０１に形成された投影用アライメントマーク２２のパターンをより正確にカラーフィルタ用ガラス基板３０１に転写することが可能となる。
【0130】
露光処理後、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面に対して現像処理を実施する。それにより、ネガ型レジスト３０４のうち、遮光膜２０２ｒ，２０２ｓ，２０２ｔによってマスクされた領域は、開口して、開口領域３０３ｏ，３０３ｐ，３０３ｑを形成する（図２３の（ｆ）参照）
【0131】
現像処理後、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面に対してエッチング処理を実施する。それにより、カラーフィルタ用ガラス基板３０１のうち、ポジ型レジスト３０３の開口領域３０３ｏ，３０３ｐ，３０３ｑを介して露出した領域は、腐食により、凹部３０１ｏ，３０１ｐ，３０１ｑを形成する（図２３の（ｇ）参照）。
【0132】
その後、残ったポジ型レジスト３０３は除去される。それにより、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面には、基準アライメントマーク３２の凹型パターンを構成する凹部３０１ｏ，３０１ｐ，３０１ｑのみが残る（図２３の（ｈ）参照）。換言すると、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面には、投影用アライメントマーク２２を反転させた基準アライメントマーク３２が形成される。
【0134】
まず、アライメントマークの凹型パターンが書き込まれたマスク４ｅを用いて、フォトレジスト２０３が塗布された原板用ガラス基板２０１に対して露光処理を実施する（図２４の（ａ）参照）。
【0135】
露光処理後、原板用ガラス基板２０１の表面に対して現像処理を実施する。それにより、フォトレジスト２０３のうち、アライメントマークの凹型パターンを構成する領域のみが残る。本例では、フォトレジスト２０３には、開口領域２０３ｏ，２０３ｐ，２０３ｑが形成される（図２４の（ｂ）参照）。
【0136】
現像処理後、原板用ガラス基板２０１の表面に対してエッチング処理を実施する。それにより、原板用ガラス基板２０１のうち、フォトレジスト２０３の開口領域２０３ｏ，２０３ｐ，２０３ｑを介して露出した領域は、腐食により、凹部２０１ｏ，２０１ｐ，２０１ｑを形成する（図２４の（ｃ）参照）。
【0137】
その後、残ったフォトレジスト２０３は除去される。それにより、原板用ガラス基板２０１の表面には、投影用アライメントマーク２２の凹型パターンを構成する凹部２０１ｏ，２０１ｐ，２０１ｑのみが残る（図２４の（ｄ）参照）。
【0138】
その後、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面にＵＶ硬化樹脂３０５をポッティングする（図２４の（ｅ）参照）。その後、カラーフィルタ用ガラス基板３０１の表面と、原板用ガラス基板２０１の表面と、をＵＶ硬化樹脂３０５と凹部２０１ｏ，２０１ｐ，２０１ｑとが対向するようにして貼り合わせる（図２４の（ｆ）参照）。
【0139】
それにより、ＵＶ硬化樹脂３０５では、凹部２０１ｏ，２０１ｐ，２０１ｑに対応して凸部３０５ｏ，３０５ｐ，３０５ｑが形成される。これら凸部３０５ｏ，３０５ｐ，３０５ｑによって、基準アライメントマーク３２の凸型パターンが構成される（図２４の（ｇ）参照）。
【0140】
＜実施の形態２＞図２５は、実施の形態２にかかる反射型液晶表示素子の製造方法を示すフローチャートである。図２６は、ＩＣ用シリコンウエハから切り出されたチップと、カラーフィルタ用ガラスウエハから切り出されたチップと、を貼り合わせる製造工程を説明するための図である。
【0141】
図２５に示すステップＳ２０１〜Ｓ２０４の製造工程については、図１０に示すステップＳ１０１〜Ｓ１０４の製造工程と同様であるため、その説明を省略する。ステップＳ２０４の工程終了後、各ウエハから素子サイズのチップを切り出す（ステップＳ２０５）。その後、図２６にも示すように、切り出されたＩＣ用チップ及びカラーフィルタ用チップを、基準アライメントマーク１２，３２が対向するようにして貼り合わせる（ステップＳ２０６）。より具体的には、切り出されたＩＣ用チップ及びカラーフィルタ用チップを、基準アライメントマーク１２，３２を基準にして形成された貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３が対向するようにして貼り合わせる。
【0142】
実施の形態１に係る反射型液晶表示素子の製造方法では、ＩＣ用シリコンウエハとカラーフィルタ用ガラスウエハとを貼り合わせた後に、貼り合わされたウエハから素子サイズのチップを切り出していた。それに対し、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子の製造方法では、各ウエハから素子サイズのチップを切り出した後、ＩＣ用チップとカラーフィルタ用チップとを貼り合わせる。本実施の形態に係る反射型液晶表示素子の製造方法でも、実施の形態１に係る製造方法と同等程度の効果を奏することができる。
【0143】
以上のように、上記実施の形態１，２に係る反射型液晶表示素子の製造方法では、ＩＣ用シリコンウエハに基準アライメントマークを形成した場合と同じ条件（露光装置及びマスクパターン）を用いて、原板用ガラスウエハに投影用アライメントマークを形成する。そして、原板用ガラスウエハとカラーフィルタ用ガラスウエハとを対向配置した状態で、原板用ガラスウエハの表面に形成された投影用アライメントマークをカラーフィルタ用ガラスウエハの表面に転写する。それにより、上記実施の形態１，２に係る反射型液晶表示素子の製造方法では、対向させる基準アライメントマーク（換言すると、それらを基準にして形成された貼り合わせ用アライメントマーク）のずれを同等程度にして、これらのずれを相殺させることができるため、ＩＣ用シリコンウエハ（又はそれから切り出されたチップ）とカラーフィルタ用ガラスウエハ（又はそれから切り出されたチップ）とを正確に対向配置させることができる。その結果、上記実施の形態１，２に係る反射型液晶表示素子の製造方法では、高品質な反射型液晶表示素子を製造することが可能となる。
【0144】
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、アライメントマークを目印に特定の方向に所定量だけずらして貼り合わせることもできる。これにより、配向方向及び液晶のプレチルトに依存するディスクリネーションによる混色を改善し、単色の明るさ、色域、コントラストを向上させることができる。
【符号の説明】
【0145】
１ 縮小投影露光装置２ 光源
３ コンデンサレンズ
４ マスク
４ａ〜４ｆ マスク
５ 投影レンズ
６ ステージ
１０ シリコンウエハ
１１ チップ
１２ アライメントマーク
２０ 原板用ガラスウエハ
２１ チップ
２２ アライメントマーク
３０ カラーフィルタ用ガラスウエハ
３１ チップ
３２ アライメントマーク
４１ ガラス基板
４２ アライメントマーク
１００ 反射型液晶表示素子
１０１ ガラス基板
１０２ コート層
１０３ 貼り合わせ用アライメントマーク
１０４ 緑のカラーフィルタ
１０５ 赤のカラーフィルタ
１０６ 青のカラーフィルタ
１０７ 透明電極
１０８ 封止材
１０９ 導電型スペーサ
１１０ 電極
１１１ 貼り合わせ用アライメントマーク
１１２ 反射用メタル電極
１１３ 液晶
１１４ 非導電型スペーサ
１１５ 絶縁層
１１６ メタル配線
１１９ トランジスタ
１２０ トランジスタ
１２１ シリコン基板
２０１ 原板用ガラス基板
２０１ｏ〜２０１ｑ 凹部
２０２ 遮光膜
２０２ａ〜２０２ｃ，２０２ｇ〜２０２ｊ，２０２ｒ〜２０２ｔ 遮光膜
２０２ｄ〜２０２ｆ，２０２ｋ〜２０２ｎ，２０２ｏ〜２０２ｑ 開口領域
２０３ フォトレジスト
２０３ａ〜２０３ｃ，２０３ｇ〜２０３ｊ，２０３ｒ〜２０３ｔ フォトレジスト
２０３ｄ〜２０３ｆ，２０３ｋ〜２０３ｎ，２０３ｏ〜２０３ｑ 開口領域
３０１ カラーフィルタ用ガラス基板
３０１ｏ〜３０１ｑ 凹部
３０２ 遮光膜
３０２ａ〜３０２ｃ 遮光膜
３０２ｇ〜３０２ｊ 遮光膜
３０３ ポジ型レジスト
３０３ａ〜３０３ｃ ポジ型レジスト
３０３ｇ〜３０３ｊ ポジ型レジスト
３０３ｏ〜３０３ｑ 開口領域
３０４ ネガ型レジスト
３０４ａ〜３０４ｃ ネガ型レジスト
３０４ｇ〜３０４ｊ ネガ型レジスト
３０５ ＵＶ硬化樹脂
３０５ｏ〜３０５ｑ 凸部