特許6860871抵抗変化素子、半導体装置、及び半導体装置の製造方法

発明の名称　抵抗変化素子、半導体装置、及び半導体装置の製造方法

出願人　ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社　（識別番号 520041932）

　　　　特許公開件数ランキング 6922 位（3件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 24615 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6860871

公報発行日　2021年4月21

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6860871

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