特許 6861784 高密度自己ルーチング金属−酸化物−金属キャパシタ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6861784

(24)【登録日】2021年4月1日

(45)【発行日】2021年4月21日

(54)【発明の名称】高密度自己ルーチング金属−酸化物−金属キャパシタ

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/822 20060101AFI20210412BHJP

   H01L 27/04 20060101ALI20210412BHJP

【ＦＩ】

   H01L27/04 C

【請求項の数】22

【外国語出願】

【全頁数】16

(21)【出願番号】特願2019-218742(P2019-218742)

(22)【出願日】2019年12月3日

(65)【公開番号】特開2020-92266(P2020-92266A)

(43)【公開日】2020年6月11日

【審査請求日】2019年12月5日

(31)【優先権主張番号】16/209,768

(32)【優先日】2018年12月4日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】503062253

【氏名又は名称】アナログ ディヴァイスィズ インク

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(74)【代理人】

【識別番号】100133400

【弁理士】

【氏名又は名称】阿部 達彦

(72)【発明者】

【氏名】バオゼン・チェン

(72)【発明者】

【氏名】ラリンダ・ディー・フェルナンド

(72)【発明者】

【氏名】マイカー・ガレッタ・オハロラン

(72)【発明者】

【氏名】アンドリュー・ウェイン・ショー

【審査官】 市川 武宜

(56)【参考文献】

【文献】 特表２０１３−５０３４８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−２３２８６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１３−５３９３０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１５−１５４０５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１７−０９２０８０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／８２２

Ｈ０１Ｌ ２７／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

集積回路用の自己ルーチングキャパシタであって、前記自己ルーチングキャパシタは、
第１の構造であって、
第１のベース領域および２つ以上のフィンガの第１の組を有する第１の電極と、
第２のベース領域および２つ以上のフィンガの第２の組を有する第２の電極であって、前記２つ以上のフィンガの第２の組が、前記２つ以上のフィンガの第１の組と相互嵌合する、第２の電極と、
第３のベース領域および２つ以上のフィンガの第３の組を有し、２つ以上のフィンガの第１の組のフィンガが、２つ以上のフィンガの第３の組のフィンガに連結される、第３の電極と、
前記第２のベース領域の第１の壁部に連結され、前記２つ以上のフィンガの第３の組と相互嵌合する、２つ以上のフィンガの第４の組と、を含む、第１の構造を含み、
前記自己ルーチングキャパシタのフィンガが、ビアを含まない、
自己ルーチングキャパシタ。

【請求項2】

前記２つ以上のフィンガの第１の組は第１の金属層に形成され、前記２つ以上のフィンガの前記第１の組のフィンガが、第２の金属層、ならびに前記第１および第３のベース領域を介して、前記２つ以上のフィンガの第３の組の前記フィンガに連結される、請求項１に記載の自己ルーチングキャパシタ。

【請求項3】

前記自己ルーチングキャパシタが、前記第１のベース領域、前記第２のベース領域、または前記第３のベース領域のうちの１つ以上を介して、前記集積回路の他の層に連結される、請求項１に記載の自己ルーチングキャパシタ。

【請求項4】

前記２つ以上のフィンガの第１の組が、第１の金属層において形成され、２つ以上のフィンガの前記第１の組における少なくとも１つのフィンガが、前記第１の金属層においてビアを有しないフィンガに対する最小サイズと等しい寸法を有する、請求項１に記載の自己ルーチングキャパシタ。

【請求項5】

前記自己ルーチングキャパシタが、
前記第１の構造の実体を含む第２の構造をさらに含み、前記第１の構造の前記第２の電極は、前記第２の構造の電極に連結される、請求項１に記載の自己ルーチングキャパシタ。

【請求項6】

前記第１の構造の前記第２の電極が、第１の金属層において形成され、前記第１の構造の前記第２の電極が、前記第１の金属層において前記第２の構造の前記電極に連結される、請求項５に記載の自己ルーチングキャパシタ。

【請求項7】

集積回路の金属層に自己ルーチングキャパシタを形成するための方法であって、
ボトムプレートおよびトッププレートを有するベースキャパシタ構造を形成することであって、
前記ボトムプレートが、第１のベース領域および２つ以上のフィンガの第１の組を有し、
前記トッププレートが、第２のベース領域および２つ以上のフィンガの第２の組を有し、前記２つ以上のフィンガの第２の組は、前記２つ以上のフィンガの第１の組と相互嵌合する、形成することと、
前記ベースキャパシタ構造および鏡像キャパシタ構造を含む、第１のユニットキャパシタ構造を形成することであって、
鏡像キャパシタ構造が、前記ベースキャパシタ構造の鏡像実体であり、
前記第２のベース領域が、前記ベースキャパシタ構造の前記トッププレートのベース領域に対応する前記鏡像キャパシタ構造のトッププレートの対応するベース領域に連結され、かつ
前記２つ以上のフィンガの第１の組のフィンガが、前記鏡像キャパシタ構造のボトムプレートの対応するフィンガに連結される、形成することと、を含み、
前記自己ルーチングキャパシタのフィンガが、ビアを含まない、方法。

【請求項8】

前記ベースキャパシタ構造を形成することが、前記金属層において、接触していないフィンガに許容される最小幅を有するように、前記２つ以上のフィンガの第１の組のフィンガまたは前記２つ以上のフィンガの第２の組のフィンガを形成することを含む、請求項７に記載の方法。

【請求項9】

前記ベースキャパシタ構造を形成することが、前記金属層において、接触していない電極に許容される最小ピッチを有するように、前記ベースキャパシタ構造の前記ボトムプレートおよび前記ベースキャパシタ構造の前記トッププレートの両方の相互嵌合するフィンガを形成することを含む、請求項７に記載の方法。

【請求項10】

前記第１のベース領域および前記鏡像キャパシタ構造のボトムプレートの対応するベース領域を介して、前記２つ以上のフィンガの第１の組のフィンガを、前記鏡像キャパシタ構造の前記ボトムプレートの対応するフィンガに連結することをさらに含む、請求項７に記載の方法。

【請求項11】

前記第２のベース領域を前記鏡像キャパシタ構造の前記トッププレートの対応するベース領域に連結することが、前記第２のベース領域および前記鏡像キャパシタ構造の前記トッププレートの対応するベース領域を少なくとも部分的に重複させることを含む、請求項７に記載の方法。

【請求項12】

前記第２のベース領域を前記鏡像キャパシタ構造の前記トッププレートの対応するベース領域に連結することが、
前記第２のベース領域を前記鏡像キャパシタ構造のトッププレートの対応するベース領域と当接させるように、前記鏡像キャパシタ構造を前記ベースキャパシタ構造に隣接して配置することを含む、請求項７に記載の方法。

【請求項13】

前記第１のベース領域を第２のユニットキャパシタ構造のボトムプレートの対応するベース領域と重複させることにより、前記第２のユニットキャパシタ構造を、前記第１のユニットキャパシタ構造に連結することによって、前記自己ルーチングキャパシタのサイズを拡張することをさらに含む、請求項７に記載の方法。

【請求項14】

前記第１のベース領域を第２のユニットキャパシタ構造のボトムプレートの対応するベース領域と当接させるように、前記第２のユニットキャパシタ構造を前記第１のユニットキャパシタ構造に隣接して配置することにより、前記第２のユニットキャパシタ構造を、前記第１のユニットキャパシタ構造に連結することによって、前記自己ルーチングキャパシタのサイズを拡張することをさらに含む、請求項７に記載の方法。

【請求項15】

集積回路の金属層内に形成されたキャパシタであって、
第１のベース領域から第１の方向に延在する、第１のベース領域および第１のフィンガを含む、第１の電極と、
第２のベース領域および第２のフィンガを含む第２の電極であって、前記第２のフィンガが、前記第２のベース領域の壁部から第２の方向に延在し、前記第２のフィンガが、前記第１のフィンガに連結されている、第２の電極と、
第３のベース領域および第３のフィンガを含む第３の電極であって、前記第３のフィンガが、前記第３のベース領域の第１の壁部から前記第２の方向に延在する、第３の電極と、
第４のベース領域および第４のフィンガを含む第４の電極であって、
前記第４のフィンガが、前記第４のベース領域の第２の壁部から前記第１の方向に延在する、第４の電極と、を含み、
前記第１の電極が、第１の方向に平行である軸に沿って、前記第３の電極と少なくとも部分的に重複しており、前記第２の電極が、前記軸に沿って前記第４の電極と重複しており、
前記キャパシタが、前記キャパシタの電極のベース領域を介して、他の金属層に連結されるだけであり、
前記キャパシタのフィンガが、ビアを含まず、
前記第２の方向は、前記第１の方向と平行であり、対向する、
キャパシタ。

【請求項16】

前記第１の電極および前記第２の電極が、第１の金属層に形成され、前記第１のフィンガが、前記第１のベース領域および前記第２のベース領域を使用して、第２の金属層において、前記第２のフィンガに連結される、請求項１５に記載のキャパシタ。

【請求項17】

第３のベース領域が、前記第１の方向に平行である軸に沿って、前記第４のベース領域と重複する、請求項１６に記載のキャパシタ。

【請求項18】

第３のベース領域が、前記第１の方向に垂直である軸に沿って、前記第４のベース領域と重複する、請求項１６に記載のキャパシタ。

【請求項19】

前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極、および前記２つ以上のフィンガの第４の組は、前記集積回路の第１の金属層に形成された、請求項１に記載の自己ルーチングキャパシタ。

【請求項20】

前記２つ以上のフィンガの第２の組は、第２のベース領域の第２の壁部上に形成され、
前記第２のベース領域の前記第２の壁部が、前記第２のベース領域の前記第１の壁部と対向する、請求項１に記載の自己ルーチングキャパシタ。

【請求項21】

前記ベースキャパシタ構造の前記鏡像実体は、前記第１のベース領域の長さに対して平行である軸にわたって鏡像にした、請求項７に記載の方法。

【請求項22】

２つ以上のフィンガの前記第２の組における各フィンガは、前記第２のベース領域の前記第１の壁部の対向する終端に形成される、請求項２０に記載の自己ルーチングキャパシタ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書は、概して、限定するものではないが、半導体デバイスに関するものであり、より具体的には、集積回路用の自己ルーチングキャパシタを構築するための技術に関するものである。

【背景技術】

【0002】

キャパシタは、電気信号を補足、処理、および貯蔵する、構築デバイスにおける役割のために、集積回路においてよく使用される。金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）キャパシタは、集積回路の設計に一般的に使用されているキャパシタ構造の例である。ＭＯＭキャパシタの静電容量、または電荷貯蔵能力は通常、集積回路の層において、プレーンの側方に配置される金属フィンガの、側壁の静電容量によって決定される。このＭＯＭキャパシタの構造により、集積回路のキャパシタプレート間および２層以上のキャパシタのスタック間のルーチングが容易になるなど、集積回路の設計に柔軟性が加わる。

【0003】

集積回路の設計者にとっての課題は、例えば、その構成要素のサイズを縮小すること、また、これらの構成要素を互いにより密にパッキングすることにより、これらの回路のサイズをたえず縮小することである。ＭＯＭキャパシタが使用する集積回路の面積は、これらのデバイスのフィンガ幅を縮小させることにより、またはこのようなフィンガ間の間隔を狭めることにより、低減することができる。ＭＯＭキャパシタのフィンガの幅、またはフィンガ間の間隔を低減する能力は、例えば、ＭＯＭキャパシタの電極またはプレートを他の回路構成要素へ連結させるために、これらの構造内に配置されるビアにより制限され得る。このようなビアにより、例えば、フィンガの壁部とビア端部との間の最小距離に制限がかかる場合がある。このような制限を無視すれば、回路設計が、集積回路製造に使用される工程の品質確保を意味する設計ルールから、回路設計が不合格となり得る。

【図面の簡単な説明】

【0004】

図面中、縮尺通りに描画される必要はないが、異なる図の同一構成要素には同一番号を記載する場合がある。同一構成要素の異なる実体には、異なる添え字を付けた同一番号により表現する場合がある。図面は、概して、本明細書において考察されるさまざまな実施形態を限定ではなく、例示のために示す。

【図1】本主題のさまざまな実施例に係る、自己ルーチングキャパシタの実施例を例示する。

【図2】本主題の実施例に係る、自己ルーチングキャパシタの要素を整合した実施例を例示する。

【図3】本主題の実施例に係る、拡張した自己ルーチングキャパシタの実施例を例示する。

【図4】本主題の実施例に係る、拡張した自己ルーチングキャパシタの実施例を例示する。

【図5】本主題の実施例に係る、自己ルーチングキャパシタの実施例を例示する。

【図6】本主題の実施例に係る、拡張した自己ルーチングキャパシタの実施例を例示する。

【図7】本主題の実施例に係る、自己ルーチングキャパシタを製造するための工程の実施例を例示する。

【発明を実施するための形態】

【0005】

本開示では、中でも、集積回路において使用するための、自己ルーチング金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）キャパシタ（以下、「自己ルーチングキャパシタ」）について記載する。本キャパシタ構造は、例えば、キャパシタのフィンガにビアを追加することなく各キャパシタプレートを接続することで、従来のフィンガの幅を集積回路のテクノロジーノード、またはプロセス技術まで縮小させることにより、従来のキャパシタが集積回路内に占めていた面積を低減させることができる。したがって、本自己ルーチングキャパシタにより、集積回路のサイズおよびコストが削減でき、また、より優れた機能性をこのような回路に組み込むことが可能となる。

【0006】

本発明で使用する場合、用語「幅」は、デバイス、回路構造、または回路要素の図において指定される最小の非ゼロ次元のことを指す。用語「長さ」は、デバイス、回路構造、または回路要素の図において指定される最大の非ゼロ次元のことを指す。

【0007】

本発明において、用語「トッププレート」および「ボトムプレート」は、本開示に記載する自己ルーチングキャパシタの特定の電極を指すのに使用するが、このような参照は例示目的のみに使用され、このようなキャパシタの電極構成の、特定の順序を表すものではない。したがって、用語「トッププレート」および「ボトムプレート」は、本開示の新規性、構造または実用性を損なうことなく、交換可能に使用することができる。

【0008】

図１に、本主題のさまざまな実施例に係る、自己ルーチングキャパシタ１００の実施例を示す。自己ルーチングキャパシタ１００は、第１の電極１０５、第２の電極１３５、および第３の電極１７０を含むことができる。自己ルーチングキャパシタ１００は、第１の電極１０５および第３の電極１７０に対応するボトムプレート、および第２の電極１３５に対応するトッププレートを有するＭＯＭキャパシタの実施例であってよい。自己ルーチングキャパシタ１００の各電極は、集積回路の指定された金属層内に形成してよい。集積回路のさまざまな製造技術にしたがって、指定誘電率を有する誘電体（図示せず）を電極間に配置してよく、電極の上方または下方に適切な遮蔽層または絶縁層（図示せず）を配置してよい。

【0009】

第１の電極１０５は、第１のベース領域１１０と、フィンガ１１５および１２５の第１の組（例えば、２つ以上）と、を含んでよい。第１のベース領域１１０は、例えば自己ルーチングキャパシタ１００を集積回路の１つ以上の層、または構成要素へ連結させるといった目的で、１つ以上のビア１４０を含んでよい。このような層または構成要素は、他のキャパシタ、または他の能動または受動電子部品を含んでよい。第１のベース領域は、ビア１４０から第１のベース領域の壁部までの最小距離Ｄ１またはＤ２についての設計ルールを確実に満たす、または合格するために必要な最低限の大きさにしなければならないといった理由から、第１のベース領域１１０の達成可能な最小サイズは、ビア１４０によって制限され得る。いくつかの実施例では、第１の設計領域１１０の幅Ｄ３は、距離Ｄ２およびビア１４０のサイズにより決定されてよい。幅Ｄ３は、指定プロセスノードにおけるビアを有しない電極が達成可能な最小の幅より大きくてよい。

【0010】

フィンガ１１５および１２５の第１の組は、第１のベース領域１１０の壁部１８５に連結、または物理的に接続されてよく、第１のベース領域からＹ軸と実質的に平行である方向に延在してよい。いくつかの実施例では、フィンガ１１５および１２５の第１の組の各フィンガは、第１のベース領域の対向する端部または終端において、第１のベース領域１１０の壁部１８５に連結されてよい。他の実施例において、フィンガ１１５および１２５の第１の組の１つ以上のフィンガは、第１のベース領域の端部から指定された距離において、ベース領域１１０の壁部１８５に連結されてよい。フィンガ１１５および１２５の第１の組の側壁（図示せず）は、自己ルーチングキャパシタ１００のボトムプレートの面積に寄与し得る。

【0011】

第２の電極１３５は、第２のベース領域１４５と、フィンガ１２０および１３０の第２の組と、を含んでよい。いくつかの実施例では、第２のベース領域１４５は、サイズ、形状、および構成材料の組成に関して、第１のベース領域１１０と実質的に同一であってよい。第２のベース領域１４５は、自己ルーチングキャパシタ１００を集積回路の１つ以上の層、または構成要素へ連結させる、といった目的で１つ以上のビア１４１を含んでよい。フィンガ１２０および１３０の第２の組は、例えば、自己ルーチングキャパシタ１００のトッププレートのフィンガを形成するために、第２のベース領域１４５の第１の壁部１９０に連結されてよい。このようなフィンガ１２０および１３０の第２の組は、第１の壁部１９０から、Ｙ軸と実質的に平行である線に沿って、電極１０５方向に向かって延在してよい。フィンガ１２０および１３０の第２の組は、フィンガ１１５および１２５の第１の組と相互嵌合してよい。フィンガ１１５、１２５の第１の組と同様に、フィンガ１２０および１３０の第２の組の側壁（図示せず）は、自己ルーチングキャパシタ１００のトッププレートの面積に寄与し得る。

【0012】

第３の電極１７０は、第３のベース領域１７５と、フィンガ１５０および１６０の第３の組と、を含んでよい。第３の電極１７０は、Ｘ軸に対して鏡像にしたもしくは反転した第１の電極１０５の実体、または実質的に同一の例であってよい。第３の電極１７０は第１の電極１０５と実質的に整合されてよい。いくつかの実施例では、このような実質的な整合は、Ｘ軸と実質的に平行である寸法において、フィンガの第３の組のフィンガを、対応するフィンガの第１の組のフィンガと少なくとも部分的に重複させることを含んでよい。例えば、第３の電極１７０を自己ルーチングキャパシタ１００のボトムプレートの面積にさらに寄与させるように、第１の電極１０５は、第３の電極１７０に連結されてよい。このような連結は、例えば、伝導体１８０の使用などによって、第１の電極１０５のフィンガ１１５を、第３の電極１７０のフィンガ１５０に接続することを含んでよい。いくつかの実施例では、伝導体１８０は、キャパシタ１００の電極が形成される金属層とは異なる金属層に形成されてよい。このような伝導体は、ベース領域１１０および１７５内の１つ以上のビアを介して、第１の電極１０５および第３の電極１７０に連結されてよい。特定の実施例では、伝導体１８０はキャパシタ１００の電極が形成される層と同一の金属層に形成されてよい。これらの実施例では、伝導体１８０は、例えば、伝導体１８０を第１の電極１０５の１つ以上のフィンガおよび第３の電極１７０の１つ以上のフィンガに連結させることによって、例えば、伝導体１８０をフィンガ１１５およびフィンガ１５０に連結させることによって、このような金属層の第１の電極１０５に、第３の電極１７０に連結してよい。いくつかの実施例では、共通または共有の電極または回路要素を介した第１のベース領域１１０と第３のベース領域１７５との接続により、第１の電極１０５を第３の電極１７０に連結してよい。

【0013】

いくつかの実施例では、自己ルーチングキャパシタ１００は、フィンガ１５５および１６５の第４のセットを含んでよい。このようなフィンガの第４の組は、第２のベース領域と実質的に重複する、またはその一部であるベース領域（図示せず）を有する第４の電極の一部であってよい。いくつかの実施例では、このような第４のベース領域は第２のベース領域１４５に当接することができる。いくつかの実施例では、伝導体１８０は、電極１０５のフィンガまたは電極１７０のフィンガと実質的に平行であり、Ｘ軸においてこのようなフィンガと重複し得る。フィンガ１５５および１６５の第４の組の各フィンガは、例えば、自己ルーチングキャパシタ１００のトッププレートの追加フィンガを形成するために、第２のベース領域１４５の第２の壁部１９５に連結されてよい。このようなフィンガは、フィンガ１５０および１６０の第３の組と相互嵌合してよい。

【0014】

いくつかの実施例では、例えば、このようなフィンガの幅Ｄ４を自己ルーチングキャパシタ１００の製造に使用されるプロセスノードにおける、ビアを有しないフィンガに許容される最小幅と実質的に同一にするため、自己ルーチングキャパシタ１００の１つ以上のフィンガはビアを有しなくてよい。いくつかの実施例では、例えば、このような２つのフィンガ間のピッチ（例えば、２つの隣接するフィンガの中心間の距離）Ｄ７を、プロセスノードにおけるビアを有しない２つの隣接するフィンガ間に許容される最小ピッチと実質的に同一にするため、自己ルーチングキャパシタ１００の２つ以上の隣接するフィンガは、ビアを有しなくてよい。

【0015】

図１において示すように、第１の電極１０５、第２の電極１３５、および第３の電極１７０のベース領域はそれぞれビア１４０、１４１、および１４２を含み得る。このようなビアの使用により、自己ルーチングキャパシタのフィンガ内にビアを使用することなく、自己ルーチングキャパシタ１００の各プレートを、集積回路の１つ以上の層または構成要素に連結することができる。

【0016】

図２に、本主題の実施例に係る、自己ルーチングキャパシタ２００の要素を整合した実施例を例示する。このような整合は、本開示に記載の任意の自己ルーチングキャパシタに適用することができる。自己ルーチングキャパシタ１００と同様、自己ルーチングキャパシタ２００は、ベース領域２１０ならびにフィンガ２１５および２２５の組を有する第１の電極２０５と、ベース領域２４５ならびにフィンガ２２０および２３０の組を有する第２の電極２３５と、ベース領域２７５、フィンガ２５０および２６０の組を有する第３の電極２７０と、を含むことができる。自己ルーチングキャパシタ２００は、ベース領域２８０、ならびにフィンガ２５５および２６５の組を有する、第４の電極２８５も含んでよい。

【0017】

本開示のいくつかの実施例では、自己ルーチングキャパシタ２００の電極の１つ以上のフィンガは、電極のベース領域の終端に形成されてよい。他の実施例では、電極の１つ以上のフィンガは、ベース領域の終端から限定された距離に形成されてよい。例えば、フィンガ２２５は、ベース領域２１０の終端から距離Ｄ８を形成してよく、Ｄ８は、ゼロナノメートル（ｎｍ）からベース領域２１０の長さに対する指定された割合または百分率までの任意の距離を含んでよい。

【0018】

本開示のいくつかの実施例では、自己ルーチングキャパシタ２００の電極の１つ以上のフィンガは、別の電極の対向するフィンガと実質的に整合されてよい。このような実質的な整合は、Ｙ軸などの軸に沿って、１つの電極のフィンガと別の電極のフィンガとの間の実質的な重複を含むことができる。電極２３５のフィンガ２２０は、例えば、電極２８５のフィンガ２５５と実質的に整合される。このような実質的な整合は、実質的に整合した２つのフィンガ間に、重複しない有限距離または範囲も含むことができる。一例として、電極２０５のフィンガ２１５は、電極２７０のフィンガ２５０と実質的に整合しているが、このような整合は、重複しない距離Ｄ１１を含む。Ｄ１１は、ベース領域２０５の長さに対する、ゼロから指定割合または百分率までの、またはベース領域２７５の長さに対する百分率の割合までの任意の距離であってよい。

【0019】

本開示のいくつかの例では、自己ルーチングキャパシタ２００の１つ以上の電極が、自己ルーチングキャパシタの別の電極と実質的に整合してよい。このような実質的な整合には、Ｘ軸やＹ軸などの軸に沿って２つの電極のベース領域が実質的に重複することが含まれてよい。電極２０５および２７０は、Ｘ軸でそれらが重複することにより、実質的に整合してよい。このような実質的な重複には、実質的に整合した２つの電極のベース領域間に、重複しない限定した距離または範囲が含まれてよい。電極２８５と２３５は実質的に整合しているが、このような整合には、ベース領域２４５と２８０間にＸ軸に沿った重複しない距離または範囲Ｄ９、およびベース領域２４５と２８０間にＹ軸に沿った重複しない距離または範囲Ｄ１０が含まれる。距離Ｄ９は、ベース領域２４５の長さに対する、ゼロから指定された百分率の割合までの、またはベース領域２８０の長さに対する、ゼロから百分率の割合までの任意の距離であってよい。距離Ｄ１０は、ベース領域２４５の幅に対するゼロから百分率の割合までの、またはベース領域２８０の幅に対する百分率の割合までの任意の距離であってよい。

【0020】

図３に、本主題の実施例に係る、拡張した自己ルーチングキャパシタ３００の実施例を示す。拡張した自己ルーチングキャパシタ３００は、第１の自己ルーチングキャパシタ３０５および第２の自己ルーチングキャパシタ３４０を含んでよい。図３において示すように、例えば自己ルーチングキャパシタ３０５および自己ルーチングキャパシタ３４０が同一の金属層に形成される場合、自己ルーチングキャパシタ３０５および自己ルーチングキャパシタ３４０は、拡張した自己ルーチングキャパシタ３００が単一プレート（例えばボトムプレート）を形成するよう、共通のベース領域３１５を共有してよい。いくつかの実施例では、例えば自己ルーチングキャパシタ３０５および自己ルーチングキャパシタ３４０が異なる金属層に形成される場合、ベース領域３１５は、異なる金属層の自己ルーチングキャパシタ３０５および自己ルーチングキャパシタ３４０の重複するベース領域に対応してよい。自己ルーチングキャパシタ３０５および自己ルーチングキャパシタ３４０が同一の金属層に形成されるいくつかの実施例では、自己ルーチングキャパシタ３０５のフィンガ３１０は、伝導体３２０などによって、同じ金属層内の自己ルーチングキャパシタ３４０のフィンガ３３５に連結されてよい。伝導体３２０は、フィンガ３１０の延長、またはフィンガ３３５の延長であってよい。

【0021】

いくつかの実施例では、拡張した自己ルーチングキャパシタ３００は、図２の考察において記載されたように、自己ルーチングキャパシタ３０５と自己ルーチングキャパシタ３４０が実質的に整合することにより形成されてよい。このような整合は、自己ルーチングキャパシタ３０５と自己ルーチングキャパシタ３４０を、自己ルーチングキャパシタ３０５のボトムプレートのベース領域を自己ルーチングキャパシタ３４０のボトムプレートのベース領域に当接させて構成することを含んでよい。

【0022】

図４に、本主題の実施例に係る、拡張した自己ルーチングキャパシタ４００の実施例を例示する。拡張した自己ルーチングキャパシタ４００は、第１の自己ルーチングキャパシタ４０５および第２の自己ルーチングキャパシタ４３０を含んでよく、それぞれが同一金属層に形成されても、異なる金属層に形成されてもよい。図４において示すように、自己ルーチングキャパシタ４０５および自己ルーチングキャパシタ４３０は、伝導体４１０などにより、ベース領域４３５および４４０において互いに連結されてよい。伝導体４１０は、ベース領域４３５の延長、またはベース領域４４０の延長であってよい。いくつかの実施例では、伝導体４１０は自己ルーチングキャパシタ４０５または自己ルーチングキャパシタ４３０が形成される金属層とは異なる金属層にある伝導体であってよい。自己ルーチングキャパシタ４０５および自己ルーチングキャパシタ４３０は、本明細書で記載されているように、実質的に整合してよい。加えて、自己ルーチングキャパシタ４０５および自己ルーチングキャパシタ４３０の他のベース領域が連結してもよい。

【0023】

図５に、本主題の実施例に係る、自己ルーチングキャパシタ５００の一例を例示する。自己ルーチングキャパシタ５００は、第１の電極５０５、第２の電極５６０、第３の電極５３０および第４の電極５６５を含んでよい。第１の電極５０５は、ベース領域５１５と、ベース領域５０５から第１の方向に向かって延在するフィンガ５２０と、を含んでよい。第２の電極５６０は、ベース領域５５５と、ベース領域５５５から第２の方向に向かって延在するフィンガ５４５と、を含んでよい。第３の電極５３０は、第３のベース領域５４０と、第３のベース領域５４０から第２の方向に向かって延在する第３のフィンガ５２５と、を含んでよい。第４の電極５６５は、第４のベース領域（図示せず）と、第４のベース領域に連結し、第４のベース領域から第１の方向に向かって延在する第４のフィンガ５５０と、を含んでよい。いくつかの実施例では、第４のフィンガ５５０は、第３の電極５３０の一部である第３のベース領域５４０に連結される。

【0024】

いくつかの実施例では、第３のベース領域５４０は、例えばＸ軸またはＹ軸に沿って、第４のベース領域と実質的に重複してよい。

【0025】

いくつかの実施例では、第１の電極５０５（例えば、フィンガ５２０）は、第３の電極５３０（例えば、フィンガ５２５）と、第１の方向に実質的に平行であるＹ軸に沿って、接触することなく実質的に重複してよく、第２の電極５６０（例えば、フィンガ５４５）は、第４の電極５６５（例えばフィンガ５５０）と、同じ軸に沿って、接触することなく実質的に重複してよい。

【0026】

自己ルーチングキャパシタ１００（図１）と同様に、自己ルーチングキャパシタのフィンガはビアを有しなくてよく、ビアを有しない金属層フィンガに示される最小幅Ｄ１２を有する。自己ルーチングキャパシタ５００は、本明細書に記載されているように、キャパシタ電極のベース領域にあるビアを介して集積回路の層または構成要素と電気的に連結されてよい。自己ルーチングキャパシタ５００は、キャパシタが形成されている金属層において金属層の接続を介して集積回路の層または構成要素と電気的に連結されてよい。

【0027】

いくつかの実施例では、フィンガ５２０は、例えば、自己ルーチングキャパシタ５００が形成されている同じ金属層において、フィンガ５４５に連結されてよい。

【0028】

図６は、本主題の実施例に係る、拡張した自己ルーチングキャパシタ６００の実施例を例示する。拡張した自己ルーチングキャパシタ６００は、第１の自己ルーチングキャパシタ６０５および第２の自己ルーチングキャパシタ６２０を含んでよい。いくつかの実施例では、自己ルーチングキャパシタ６０５のボトムプレートは、伝導体６１０または６３０を使用して、自己ルーチングキャパシタ６２０の対応するボトムプレートに連結されてよい。同様に、自己ルーチングキャパシタ６０５および自己ルーチングキャパシタ６２０の対応するトッププレートは、伝導体６２５を使用して、連結されてよい。このような伝導体は自己ルーチングキャパシタ６０５または自己ルーチングキャパシタ６２０が形成されている同一の金属層または異なる金属層に形成されてよい。

【0029】

図６では、Ｘ軸に沿って自己ルーチングキャパシタ６２０と横方向へ連結することで、拡張した自己ルーチングキャパシタ６００を形成する自己ルーチングキャパシタ６０５を示しているが、自己ルーチングキャパシタ６００は、自己ルーチングキャパシタの他の構成によって形成されてよい。いくつかの実施例では、拡張した自己ルーチングキャパシタ６００は、自己ルーチングキャパシタ６０５または自己ルーチングキャパシタ６２０の２つ以上の実体を、Ｙ軸またはＸ軸に沿って、本明細書に記載されているように実質的に整合することによって形成されてよい。

【0030】

図７に、本主題の実施例に係る、自己ルーチングキャパシタを製造するための工程７００の実施例を例示する。かかる自己ルーチングキャパシタは、図１〜６の考察において記載した１つ以上の自己ルーチングキャパシタの実施例であり得る。７０５において、ベースキャパシタ構造を形成してよい。ベースキャパシタ構造は、第１のベース領域および２つ以上のフィンガの第１の組を含む、ボトムプレートを有してよい。ベースキャパシタ構造はまた、第２のベース領域および２つ以上のフィンガの第２の組を含む、トッププレートも有してよい。２つ以上のフィンガの第２の組は、２つ以上のフィンガの第１の組と相互嵌合してよい。７１０において、ベースキャパシタ構造および鏡像キャパシタ構造を使用してユニットキャパシタ構造を形成してよい。鏡像キャパシタ構造は、ベースキャパシタ構造を第１のベース領域の長さに沿った軸に実質的に平行な軸に対して鏡像にした、または反転した実体またはコピーであってよい。ベースキャパシタ構造は、例えば第２のベース領域を、鏡像キャパシタ構造の対応するトッププレートのベース領域に連結することにより、ユニットキャパシタ構造に連結してよい。

【0031】

実施例では、ベースキャパシタ構造の形成は、金属層において、接触していないフィンガに許容される最小幅を有するように、２つ以上のフィンガの第１の組または２つ以上のフィンガの第２の組のフィンガを形成することを含んでよい。

【0032】

実施例では、ベースキャパシタ構造の形成は、金属層において、接触していないフィンガに許容される最小ピッチを有するように、ボトムプレートおよびトッププレートの両方の相互嵌合するフィンガを形成することを含んでよい。

【0033】

実施例では、第２のベース領域を鏡像キャパシタ構造のトッププレートの対応するベース領域に連結させることは、第２のベース領域が鏡像キャパシタ構造のトッププレートの対応するベース領域に当接するように、鏡像キャパシタ構造をベースキャパシタ構造に隣接して配置することを含む。

【0034】

実施例では、工程７００は、第１のベース領域を第２のユニットキャパシタ構造のボトムプレートの対応するベース領域と重複させることにより、第２のユニットキャパシタ構造をあらかじめ形成したユニットキャパシタ構造に連結することで、キャパシタサイズを拡張することを含んでよい。

【0035】

実施例では、工程７００は、第１の領域を第２のユニットキャパシタ構造のボトムプレートの対応するベース領域と当接させるように、第２のキャパシタ構造を第１のユニットキャパシタ構造に隣接して配置することにより、第２のユニットキャパシタ構造をあらかじめ形成したユニットキャパシタ構造に連結することで、キャパシタサイズを拡張することを含んでよい。

【0036】

実施例では、工程７００は、ユニットキャパシタ構造の１つ以上のベース領域で接触させること、または鏡像キャパシタ構造の１つ以上のベース領域で接触させることにより、キャパシタを集積回路の別の構成要素に連結することを含んでよい。

【0037】

さまざまな注意および例

【0038】

上記の発明を実施するための形態は、発明を実施するための形態の一部を成す添付図面を参照したものである。図面は、本発明が実施され得る特定の実施形態を例示として示す。これらの実施形態を本明細書においては、「実施例」としてもまた参照する。このような実施例は、図示または記載したもの以外の要素を含むことができる。しかしながら、本発明の発明者らは、図示または記載した要素のみが提供された実施例も企図している。本発明の発明者らは、本明細書に図示または記載した特定の実施例（またはそれらの１つ以上の態様）について、また他の実施例（またはそれらの１つ以上の態様）に対し、図示または記載したこれらの要素を任意に組み合わせた、または置換した実施例もさらに企図している。

【0039】

本明細書と、参照により組み込まれている明細書との間に矛盾した使用方法がある場合、本明細書の使用方法が優先される。

【0040】

本明細書では、特許明細書で通常使用されるように用語「ａ」または「ａｎ」を、１つまたは２つ以上を含むために使用しており、「少なくとも１つ」または「１つ以上」の他の場合または使用方法とは無関係である。本明細書では、用語「または」を非排他的に、または特に指示がない限り、「ＡまたはＢ」が「ＡであるがＢではない」、「ＢであるがＡではない」および「ＡおよびＢ」を含むように使用している。本明細書では、用語「ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ」および「ｉｎ ｗｈｉｃｈ」はそれぞれ、用語「ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ」「ｗｈｅｒｅｉｎ」と同等の平易な英語として使用している。また、「ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ」および「ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ」という用語は、オープンエンド形式であり、システム、デバイス、物品、組成物、配合物、または工程などの用語の後に加えて列挙される要素が、考察される主題の範囲内であるとみなされるものである。さらに、特許請求の範囲において使用され得るような「第１」「第２」および「第３」などという用語は、単に表示として使用するものであり、それらの対象に数値的要件を課すことを意図したものではない。

【0041】

本明細書に記載の方法実施例は、少なくとも部分的に機械またはコンピュータに実装されてよい。いくつかの実施例には、電子デバイスに上記実施例に記載される方法を実行させるよう構成可能な命令でエンコードされた、コンピュータ読み取り可能な媒体または機械読み取り可能な媒体を含むことができる。このような方法の実行には、マイクロコード、アセンブリ言語コード、高水準言語などのコードを含むことができる。このようなコードはさまざまな方法を実行させるためのコンピュータ読み取り可能な命令を含むことができる。コードは、コンピュータプログラム製品の一部を形成し得る。さらに一例では、コードは、例えば実行中または他の時間に、１つまたは複数の揮発性、非一時的、または不揮発性の有形のコンピュータ可読媒体に有形に格納できる。これらの有形のコンピュータ読み取り可能なメディアの例としては、ハードディスク、リムーバブル磁気ディスク、リムーバブル光学ディスク（コンパクトディスクやデジタルビデオディスクなど）、磁気カセット、メモリーカードまたはスティック、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）などを挙げることができるが、これらに限定されない。

【0042】

上記明細書は例示を意図したものであり、限定を意図したものではない。例えば、上述の実施例（またはそれらの１つ以上の態様）は互いに組み合わせて使用してもよい。他の実施形態は、当業者などが上記明細書を検討の上、使用することができる。要約は３７Ｃ．Ｆ．Ｒ．§１．７２（ｂ）に準拠しており、読者が本開示の技術の性質を迅速に把握できるよう提供される。要約は、請求項の範囲または意味を、解釈または制限するために使用されないという理解を前提として出願される。また、上記の発明を実施するための形態においては、本開示の合理化のため、さまざまな特徴を共にグループ化している場合がある。これは、請求項に記載されていない開示された特徴が、任意の請求項に不可欠であることを意図していると解釈されるべきではない。むしろ本発明の主題は、特定の開示された実施形態のすべての特徴よりも小さな特徴にある可能性がある。以下の態様は、実施例または実施形態として発明を実施するための形態に組み込まれ、各態様は別個の実施形態として独立しており、そのような実施形態は、さまざまな組み合わせまたは置換において互いに併用することができることが企図される。

【符号の説明】

【0043】

１００ キャパシタ
１０５ 電極
１１０ ベース領域
１１５〜１３０ フィンガ
１３５ 第２の電極
１４０ ビア
１４１ ビア
１４５ 第２のベース領域
１５０〜１６５ フィンガ
１７０ 第３の電極
１７５ 第３のベース領域
１８０ 伝導体
１８５ 壁部
１９０ 第１の壁部
１９５ 第２の壁部
２００ 自己ルーチングキャパシタ
２０５ 電極
２０５ ベース領域
２１０ ベース領域
２１５〜２３０ フィンガ
２３５ 電極
２４５ ベース領域
２５０〜２６５ フィンガ
２７０ 電極
２７５ ベース領域
２８０ ベース領域
２８５ 電極
３００ 自己ルーチングキャパシタ
３０５ 自己ルーチングキャパシタ
３１０ フィンガ
３１５ ベース領域
３２０ 伝導体
３３５ フィンガ
３４０ 自己ルーチングキャパシタ
４００ 自己ルーチングキャパシタ
４０５ 自己ルーチングキャパシタ
４１０ 伝導体
４３０ 自己ルーチングキャパシタ
４３５ ベース領域
４４０ ベース領域
５００ 自己ルーチングキャパシタ
５０５ 第１の電極
５０５ ベース領域
５１５ ベース領域
５２０、５２５ フィンガ
５３０ 第３の電極
５４０ 第３のベース領域
５４５ フィンガ
５５０ 第４のフィンガ
５５５ ベース領域
５６０ 第２の電極
５６５ 第４の電極
６００ 自己ルーチングキャパシタ
６０５ 自己ルーチングキャパシタ
６１０ 伝導体
６２０ 自己ルーチングキャパシタ
６２５ 伝導体
６３０ 伝導体

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】