特許 6863836 ナノインプリント用テンプレート及び集積回路装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6863836

(24)【登録日】2021年4月5日

(45)【発行日】2021年4月21日

(54)【発明の名称】ナノインプリント用テンプレート及び集積回路装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20210412BHJP

   B29C 33/38 20060101ALI20210412BHJP

   B29C 59/02 20060101ALI20210412BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/30 502D

   B29C33/38

   B29C59/02 B

【請求項の数】2

【全頁数】23

(21)【出願番号】特願2017-126493(P2017-126493)

(22)【出願日】2017年6月28日

(65)【公開番号】特開2019-9384(P2019-9384A)

(43)【公開日】2019年1月17日

【審査請求日】2019年11月26日

(73)【特許権者】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100108062

【弁理士】

【氏名又は名称】日向寺 雅彦

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 隆

(72)【発明者】

【氏名】須藤 武

(72)【発明者】

【氏名】三木 聡

【審査官】 冨士 健太

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１６−０２７３２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１０−０６４７９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−２１３４９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−００６５２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１５−０１８９０４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−２２１８２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１１／０７２８９７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 韓国登録特許第１０−０７４０９９２（ＫＲ，Ｂ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｇ０３Ｆ ７／２０ − ７／２４

９／００ − ９／０２

Ｂ２９Ｃ ３３／３８ 、５９／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１方向に延び、前記第１方向に対して交差する第２方向に沿って周期的に配列された複数の第１パターンと、
前記複数の第１パターンの前記第２方向両側に配置され、前記第１方向に延び、前記第２方向における長さが前記第１パターンの前記第２方向における長さよりも短い第２パターンと、
前記複数の第１パターンの前記第１方向両側に配置され、前記第２方向に延び、前記第１方向における長さが前記第１パターンの前記第２方向における長さよりも短い第３パターンと、
を備えたナノインプリント用テンプレート。

【請求項2】

複数の第１パターンが第１方向に沿って周期的に配列された被加工材上にレジスト膜を形成する工程と、
複数の第２パターン、第３パターン及び第４パターンが形成されたテンプレートを、前記レジスト膜に押し付けることにより、前記レジスト膜を変形させる工程と、
前記第１パターン、並びに、前記第２パターン、前記第３パターン及び前記第４パターンに光を照射することにより、前記被加工材に対する前記テンプレートの位置を決定する工程と、
変形した前記レジスト膜を硬化させる工程と、
前記テンプレートを前記レジスト膜から剥離させる工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記被加工材を加工する工程と、
を備え、
前記テンプレートにおいて、前記複数の第２パターンは、前記第１方向に沿って周期的に配列され、前記第１方向に対して交差する第２方向に延び、前記第３パターンは、前記複数の第２パターンの前記第１方向両側に配置され、前記第２方向に延び、前記第３パターンの前記第１方向における長さは前記第１パターンの前記第１方向における長さよりも短く、前記第４パターンは、前記複数の第２パターンの前記第２方向両側に配置され、前記第１方向に延び、前記第４パターンの前記第２方向における長さは前記第２パターンの前記第１方向における長さよりも短い集積回路装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

実施形態は、ナノインプリント用テンプレート及び集積回路装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来より、微細なパターンを形成する方法として、ナノインプリント法が提案されている。ナノインプリント法においては、被加工材上にレジスト膜を塗布し、石英板に微細なパターンが形成されたテンプレートをレジスト膜に押し付けて変形させ、テンプレート越しに紫外線を照射してレジスト膜を硬化させる。その後、テンプレートを剥離して、パターニングされたレジスト膜をマスクとして、被加工材をエッチングする。

【0003】

ナノインプリント法を用いて半導体装置等の集積回路装置を製造する際には、通常、１枚のウェーハに対して複数回のナノインプリントを繰り返すことにより、積層構造を形成する。この場合、既にパターンが形成されたウェーハに対して、テンプレートの位置を精密に制御する必要がある。このため、ウェーハ及びテンプレートには、位置合わせ用のマークを形成する。近年、半導体装置の微細化に伴い、ウェーハとテンプレートの位置合わせをより高精度で行うことが要求されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００５−２８６０６２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

実施形態の目的は、被加工材に対して精密に位置合わせ可能なナノインプリント用テンプレート及び集積回路装置の製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

実施形態に係るナノインプリント用テンプレートは、第１方向に延び、前記第１方向に対して交差する第２方向に沿って周期的に配列された複数の第１パターンと、前記複数の第１パターンの前記第２方向両側に配置され、前記第１方向に延び、前記第２方向における長さが前記第１パターンの前記第２方向における長さよりも短い第２パターンと、前記複数の第１パターンの前記第１方向両側に配置され、前記第２方向に延び、前記第１方向における長さが前記第１パターンの前記第２方向における長さよりも短い第３パターンと、を備える。

【0007】

実施形態に係る集積回路装置の製造方法は、複数の第１パターンが第１方向に沿って周期的に配列された被加工材上にレジスト膜を形成する工程と、複数の第２パターン、第３パターン及び第４パターンが形成されたテンプレートを、前記レジスト膜に押し付けることにより、前記レジスト膜を変形させる工程と、前記第１パターン、並びに、前記第２パターン、前記第３パターン及び前記第４パターンに光を照射することにより、前記被加工材に対する前記テンプレートの位置を決定する工程と、変形した前記レジスト膜を硬化させる工程と、前記テンプレートを前記レジスト膜から剥離させる工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記被加工材を加工する工程と、を備える。前記テンプレートにおいて、前記複数の第２パターンは、前記第１方向に沿って周期的に配列され、前記第１方向に対して交差する第２方向に延びる。前記第３パターンは、前記複数の第２パターンの前記第１方向両側に配置され、前記第２方向に延びる。前記第３パターンの前記第１方向における長さは前記第１パターンの前記第１方向における長さよりも短い。前記第４パターンは、前記複数の第２パターンの前記第２方向両側に配置され、前記第１方向に延びる。前記第４パターンの前記第２方向における長さは前記第２パターンの前記第１方向における長さよりも短い。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１の実施形態に係るナノインプリント用テンプレートを示す平面図である。

【図2】第１の実施形態に係るナノインプリント用テンプレートのアライメント領域を示す平面図である。

【図3】第１の実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの孤立パターンを示す平面図であり、（ｂ）は断面図である。

【図4】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法において使用する光学系を示す図である。

【図5】（ａ）は、第１の実施形態のウェーハを示す平面図であり、（ｂ）はウェーハのアライメント領域を示す平面図である。

【図6】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャート図である。

【図7】横軸にサンプルをとり、縦軸に光強度をとって、第１の実施形態の第１の試験例の結果を示すグラフ図である。

【図8】横軸に補助パターンの幅をとり、縦軸に孤立パターン領域の光強度をとって、第１の実施形態の第２の試験例の結果を示すグラフ図である。

【図9】（ａ）は第２の実施形態に係るテンプレートのアライメント領域を示す平面図であり、（ｂ）は第２の実施形態のウェーハのアライメント領域を示す平面図であり、（ｃ）はテンプレート及びウェーハのアライメント領域を示す断面図である。

【図10】（ａ）は第３の実施形態に係るテンプレートのアライメント領域を示す平面図であり、（ｂ）は第３の実施形態において使用するウェーハのアライメント領域を示す平面図である。

【図11】（ａ）はテンプレートのアライメント領域とウェーハのアライメント領域を重ねた状態を示す平面図であり、（ｂ）は横軸にＸ方向における位置をとり縦軸に光強度をとって、テンプレートとウェーハを重ねた場合の光強度分布を示すグラフ図である。

【図12】（ａ）は第４の実施形態に係るテンプレートのアライメント領域を示す平面図であり、（ｂ）は第４の実施形態のウェーハのアライメント領域を示す平面図である。

【図13】横軸に変数をとり、縦軸に関数の値をとって、テューキーの窓関数を示すグラフ図である。

【図14】横軸に位置をとり、縦軸に光強度をとって、テンプレートとウェーハを重ねた場合の光強度分布を示すグラフ図である。

【図15】（ａ）は第４の実施形態の変形例に係るテンプレートのアライメント領域を示す平面図であり、（ｂ）は第４の実施形態の変形例のウェーハのアライメント領域を示す平面図である。

【図16】横軸に変数をとり、縦軸に関数の値をとって、ブラックマン・ハリスの窓関数を示すグラフ図である。

【図17】横軸に位置をとり、縦軸に光強度をとって、テンプレートとウェーハを重ねた場合の光強度分布を示すグラフ図である。

【図18】（ａ）は第５の実施形態に係るテンプレートのアライメント領域を示す平面図であり、（ｂ）は第５の実施形態のウェーハのアライメント領域を示す平面図である。

【図19】横軸に位置をとり、縦軸に光強度をとって、テンプレートとウェーハを重ねた場合の光強度分布を示すグラフ図である。

【図20】（ａ）〜（ｃ）は、第６の実施形態に係るナノインプリント法におけるＸ方向の位置合わせ方法を示す図であり、（ａ）は照明の配置を示し、（ｂ）はテンプレートのＸ軸位置合わせ用周期パターン領域を示し、（ｃ）はウェーハの周期パターン領域を示す。

【図21】（ａ）〜（ｃ）は、第６の実施形態に係るナノインプリント法におけるＹ方向の位置合わせ方法を示す図であり、（ａ）は照明の配置を示し、（ｂ）はテンプレートのＹ軸位置合わせ用周期パターン領域を示し、（ｃ）はウェーハの周期パターン領域を示す。

【発明を実施するための形態】

【0009】

（第１の実施形態）
以下、第１の実施形態について説明する。
先ず、本実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの構成について説明する。
図１は、本実施形態に係るナノインプリント用テンプレートを示す平面図である。
図２は、本実施形態に係るナノインプリント用テンプレートのアライメント領域を示す平面図である。
図３（ａ）は、本実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの孤立パターンを示す平面図であり、（ｂ）は断面図である。

【0010】

図１に示すように、本実施形態に係るナノインプリント用テンプレート１（以下、単に「テンプレート１」ともいう）は、可視光線及び紫外線を透過させる透明材料、例えば、石英からなり、その形状は矩形の板状である。テンプレート１の上面及び下面は、例えば、一辺の長さが約１５０ｍｍの正方形である。テンプレート１の下面の中央部には、円形の掘込１０が形成されている。掘込１０の底面には、例えば矩形のデバイスパターン領域１１が設定されており、その周囲、例えば、デバイスパターン領域１１の４つの角部付近には、アライメント領域１２が設定されている。なお、アライメント領域１２は、デバイスパターン領域１１内に配置されていてもよい。

【0011】

デバイスパターン領域１１においては、被加工材であるウェーハ１０１（図５（ａ）参照）に形成しようとするデバイスパターンが形成されている。なお、テンプレート１の「パターン」とは、テンプレート１の原板である石英板に形成された凹部又は凸部をいう。アライメント領域１２においては、ウェーハ１０１とテンプレート１の位置合わせに用いるアライメントパターンが形成されている。アライメントパターンは例えば石英板の凹部によって構成されており、凹部の底面には遮光膜、例えば、クロム膜が形成されている。以下、「パターンの形状」というときは、上方又は下方から見た平面形状をいうものとする。

【0012】

図２に示すように、アライメント領域１２においては、孤立パターン領域２１、Ｘ軸位置合わせ用周期パターン領域２２、Ｙ軸位置合わせ用周期パターン領域２３が設定されている。

【0013】

図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、孤立パターン領域２１においては、１つの主パターン３１が設けられている。主パターン３１の形状は例えば正方形であり、主パターン３１の各辺はＸ方向及びＹ方向に延びている。主パターン３１の一辺の長さは、位置合わせに用いる光（以下、「照明光」という）の波長λよりも大きい。照明光の波長λは、ナノインプリント法で用いるレジスト材料を硬化させないために、５００ｎｍ（ナノメートル）以上であることが好ましい。一方、波長λが長すぎると、照明光がシリコンからなるウェーハ１０１を透過してしまい、位置合わせの精度が低下するため、波長λは８００ｎｍ以下であることが好ましい。本実施形態においては、照明光の波長λは５００ｎｍとする。また、主パターン３１の一辺の長さは、例えば３μｍ（ミクロン）である。

【0014】

主パターン３１のＸ方向両側及びＹ方向両側には、補助パターン３２が設けられている。主パターン３１のＸ方向両側に設けられた補助パターン３２の形状は、Ｙ方向を長手方向とする長方形である。主パターン３１のＹ方向両側に設けられた補助パターン３２の形状は、Ｘ方向を長手方向とする長方形である。主パターン３１のＸ方向両側及びＹ方向両側のそれぞれにおいて、補助パターン３２は少なくとも１本設けられていれば効果が得られるが、２本以上設けられていることが好ましく、３本以上設けられていることがより好ましい。本実施形態においては、補助パターン３２は、主パターン３１のＸ方向両側及びＹ方向両側にそれぞれ３本設けられている。主パターン３１及び補助パターン３２の凹部の底面には、例えば、クロム膜３６が形成されている。後述する他のアライメントパターンについても同様である。

【0015】

主パターン３１のＸ方向両側及びＹ方向両側のそれぞれにおいて、補助パターン３２は周期的に配列されている。補助パターン３２の配列周期Ｐ１は、照明光の波長λの３倍以下とする。すなわち、Ｐ１≦３×λとする。なお、補助パターン３２が１本のみ設けられている場合は、主パターン３１と補助パターン３２との距離と、補助パターン３２の幅との合計長さを、配列周期Ｐ１とする。例えば、配列周期Ｐ１は１０００ｎｍであり、補助パターン３２の幅は５００ｎｍであり、補助パターン３２の長さは３μｍである。

【0016】

一方、図２に示すように、Ｘ軸位置合わせ用周期パターン領域２２においては、Ｙ方向に延びるラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）状のパターン３５が形成されている。パターン３５はＸ方向に沿って周期的に配列されている。Ｙ軸位置合わせ用周期パターン領域２３においては、Ｘ方向に延びるＬ／Ｓ状のパターン３５が形成されている。パターン３５はＹ方向に沿って周期的に配列されている。領域２２及び２３において、パターン３５の配列周期は、例えば、約２μｍである。

【0017】

次に、本実施形態に係るテンプレートの使用方法、すなわち、集積回路装置の製造方法について説明する。
図４は、本実施形態に係る集積回路装置の製造方法において使用する光学系を示す図である。

【0018】

先ず、本実施形態において使用するアライメント装置について説明する。
図４に示すように、本実施形態において使用するアライメント装置２００においては、位置合わせ用顕微鏡２０１が設けられており、位置合わせ用顕微鏡２０１のＸ方向両側及びＹ方向両側に、合計４つの照明２０２が設けられている。そして、位置合わせ用顕微鏡２０１の直下にテンプレート１を配置し、その直下にウェーハ１０１を配置する。位置合わせ用顕微鏡２０１は、透明なテンプレート１を介して、ウェーハ１０１を観察可能である。

【0019】

照明２０２を点灯させることにより、照明２０２から出射した照明光の一部が、テンプレート１内を通過し、テンプレート１の下面に形成されたアライメントパターンに到達して、回折する。この回折光のうち、０次光を除く回折光のいずれかが、位置合わせ用顕微鏡２０１に入射する。また、照明光の他の一部は、テンプレート１を透過し、ウェーハ１０１に形成されたアライメントパターンに到達し、回折する。この回折光のうち、０次光を除く回折光のいずれかが、位置合わせ用顕微鏡２０１に入射する。これにより、位置合わせ用顕微鏡２０１は、各アライメントパターンの暗視野像を取得することができる。この暗視野像に基づいて、ウェーハ１０１とテンプレート１との位置合わせを行う。

【0020】

次に、本実施形態において加工するウェーハについて説明する。
図５（ａ）は、本実施形態のウェーハを示す平面図であり、（ｂ）はウェーハのアライメント領域を示す平面図である。

【0021】

図５（ａ）に示すように、本実施形態において加工するウェーハ１０１は、既にいくつかの工程を経たものである。ウェーハ１０１においては、シリコンウェーハ上に１枚以上の絶縁膜及び１枚以上の導電膜が形成されている。絶縁膜及び導電膜はそれぞれパターニングされている。ウェーハ１０１においては、後の工程でダイシングされて各チップとなるデバイス領域１１１が設定されており、デバイス領域１１１の周囲にはアライメント領域１１２が設定されている。なお、アライメント領域１１２はデバイス領域１１１の内部に配置されていてもよい。

【0022】

図５（ｂ）に示すように、アライメント領域１１２においては、孤立パターン領域１２１及び周期パターン領域１２２が設定されている。孤立パターン領域１２１においては、パターン１３１が形成されている。パターン１３１の形状は、テンプレート１の主パターン３１の形状と同様である。

【0023】

周期パターン領域１２２においては、複数の長方形のパターン１３２が、Ｘ方向及びＹ方向に沿って市松模様状に配列されている。「市松模様状の配列」とは、隣り合うパターン１３２の辺同士は接触しておらず、角同士が接触しており、パターン１３２の全ての角は他の１つのパターン１３２の角と接触した配列である。各パターン１３２におけるＸ方向の長さは例えば約２μｍであり、Ｙ方向の長さは例えば４．５μｍである。但し、パターン１３２の配列周期は、テンプレート１のパターン３５の配列周期、その整数倍の長さ、又は、その整数分の１の長さに対して、数％程度異なっている。

【0024】

次に、本実施形態に係るテンプレートを用いたナノインプリント法によるウェーハ１０１の加工方法を説明する。
図６は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャート図である。

【0025】

先ず、図６のステップＳ１に示すように、ウェーハ１０１上にレジスト材料を塗布して、レジスト膜を形成する。この段階では、レジスト材料は半固体である。

【0026】

次に、図６のステップＳ２に示すように、ラフアライメントを行い、ウェーハ１０１とテンプレート１とを概略的に位置合わせする。具体的には、ウェーハ１０１上にテンプレート１を配置する。そして、アライメント装置２００の４つの照明２０２を全て点灯させ、位置合わせ用顕微鏡２０１によって暗視野像を取得しつつ、ウェーハ１０１の孤立パターン領域１２１のパターン１３１に、テンプレート１の孤立パターン領域２１の主パターン３１が重なるように、テンプレート１の位置をウェーハ１０１に対して調整する。これにより、ウェーハ１０１に対するテンプレート１の位置のずれが、パターン３５の２分の１周期（半周期）未満となる。

【0027】

このとき、照明２０２から出射した照明光が、パターン１３１及び主パターン３１によって回折し、０次光以外の回折光が位置合わせ用顕微鏡２０１に入射する。図３（ａ）に示すように、テンプレート１の孤立パターン領域２１においては、１つの主パターン３１の周囲に補助パターン３２が設けられているため、主パターン３１のエッジから高次回折光が出射することを抑制できる。

【0028】

次に、図６のステップＳ３に示すように、テンプレート１をウェーハ１０１上のレジスト膜に押し付ける。これにより、レジスト膜が変形して、テンプレート１のデバイスパターンが転写される。この結果、レジスト膜がレジストパターンに加工される。

【0029】

次に、図６のステップＳ４に示すように、ファインアライメントを行い、ウェーハ１０１とテンプレート１とを精密に位置合わせする。具体的には、アライメント装置２００の４つの照明２０２を全て点灯させた状態で、ウェーハ１０１の周期パターン領域１２２における市松模様状に配列されたパターン１３２に、テンプレート１のＸ軸位置合わせ用周期パターン領域２２におけるＬ／Ｓ状のパターン３５を重ねる。このとき、ウェーハ１０１のパターン１３２の周期は、テンプレート１のＬ／Ｓ状のパターン３５の周期、その整数倍の長さ、又はその整数分の１の長さから僅かに異なっているため、モアレが発生する。このモアレの明暗縞の位置は、ウェーハ１０１に対するテンプレート１の位置のずれを拡大して反映する。すなわち、ウェーハ１０１に対してテンプレート１が僅かに動くと、モアレの明暗縞の位置が大きく動く。従って、このモアレの明暗縞の位置を利用して、テンプレート１のＸ方向における位置を、ウェーハ１０１に対して精密に調整することができる。

【0030】

なお、本実施形態におけるモアレを利用した位置合わせでは、テンプレート１がウェーハ１０１に対してパターン３５の２分の１周期分以上ずれていても、それを検出することはできない。しかしながら、ステップＳ２に示すラフアライメントにおいて、ウェーハ１０１に対するテンプレート１の位置のずれはパターン３５の２分の１周期未満とされているため、モアレを利用したファインアライメントでは、ずれが２分の１周期以上である可能性を考慮する必要はない。

【0031】

同様に、ウェーハ１０１のパターン１３２に、テンプレート１のＹ軸位置合わせ用周期パターン領域２３に形成されたＬ／Ｓ状のパターン３５を重ねる。そして、モアレの明暗縞の位置を利用して、テンプレート１のＹ方向における位置を、ウェーハ１０１に対して精密に調整する。

【0032】

次に、図６のステップＳ５に示すように、テンプレート１を介して、レジストパターンに対して紫外線を照射する。これにより、レジストパターンが硬化する。
次に、図６のステップＳ６に示すように、テンプレート１をウェーハ１０１及びレジストパターンから剥離する。
次に、図６のステップＳ７に示すように、レジストパターンをマスクとして、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）等のエッチングを施すことにより、ウェーハ１０１を加工する。このような工程を繰り返すことにより、集積回路装置が製造される。

【0033】

なお、ステップＳ３に示すテンプレート１の押圧と、ステップＳ４に示すファインアライメントは、順番を入れ替えてもよい。すなわち、ファインアライメントの後、テンプレート１をレジスト膜に押し付けてもよい。

【0034】

次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態に係るテンプレート１においては、孤立パターン領域２１において、主パターン３１の周囲に補助パターン３２が設けられているため、主パターン３１のエッジから高次回折光が発生しにくい。特に、補助パターン３２の配列周期Ｐ１が照明光の波長λの３倍以下であると、３次光以上の回折光を効果的に抑制できる。このため、図６のステップＳ４に示すファインアライメントにおいて、ウェーハ１０１の周期パターン領域１２２とテンプレート１のＸ軸位置合わせ用周期パターン領域２２を重ねてモアレを観察するとき、及び、ウェーハ１０１の周期パターン領域１２２とＹ軸位置合わせ用周期パターン領域２３を重ねてモアレを観察するときに、主パターン３１のエッジの明るさを抑え、モアレの明暗縞を容易に観察できる。この結果、ウェーハ１０１とテンプレート１の位置合わせの精度が向上する。

【0035】

これに対して、仮に、主パターン３１の周囲に補助パターン３２が設けられていないと、例えば、ウェーハ１０１の周期パターン領域１２２とテンプレート１のＸ軸位置合わせ用周期パターン領域２２を重ねてモアレを観察するときに、主パターン３１のエッジから高次回折光が多量に出射する。このため、主パターン３１のエッジが明るすぎて、モアレの観察が困難になる。この結果、モアレの明暗縞の計測精度が低下し、ファインアライメントの精度が低下する。

【0036】

以下、本実施形態の効果を示す第１の試験例について説明する。
図７は、横軸にサンプルをとり、縦軸に光強度をとって、本試験例の結果を示すグラフ図である。

【0037】

本試験例においては、照明光の波長λを５００ｎｍとして、
＜１＞位置合わせ用顕微鏡２０１に到達するモアレの光強度、
＜２＞補助パターン３２を設けない場合の孤立パターン領域２１の光強度、
＜３＞主パターン３１のＸ方向両側及びＹ方向両側に各３本の補助パターン３２を設け、配列周期Ｐ１を２０００ｎｍとした場合の孤立パターン領域２１の光強度、
＜４＞主パターン３１のＸ方向両側及びＹ方向両側に各３本の補助パターン３２を設け、配列周期Ｐ１を１０００ｎｍとした場合の孤立パターン領域２１の光強度、
を測定した。

【0038】

図７に示すように、補助パターン３２を設けない場合は、孤立パターン領域２１から出射する光強度が、モアレの光強度の約２倍となった。補助パターン３２を設けても、補助パターン３２の配列周期Ｐ１を２０００ｎｍとした場合には、孤立パターン領域２１から出射される光強度は、補助パターン３２を設けない場合と略同じであった。一方、補助パターン３２を設け、配列周期Ｐ１を１０００ｎｍとした場合には、孤立パターン領域２１から出射される光強度は、補助パターン３２を設けない場合と比較して、明らかに低下した。

【0039】

次に、本実施形態の効果を示す第２の試験例について説明する。
図８は、横軸に補助パターンの幅をとり、縦軸に孤立パターン領域の光強度をとって、本試験例の結果を示すグラフ図である。
本試験例においては、補助パターン３２の配列周期Ｐ１を相互に異ならせると共に、補助パターン３２の幅を相互に異ならせた複数のサンプルを作製した。補助パターン３２の配列周期Ｐ１は、６００ｎｍ、８００ｎｍ、１０００ｎｍとした。また、補助パターン３２の幅は、１００ｎｍ、３００ｎｍ、５００ｎｍとした。そして、これらのサンプルを用いて、孤立パターン領域２１の光強度を測定した。

【0040】

図８に示すように、配列周期Ｐ１が６００ｎｍ、８００ｎｍ、１０００ｎｍのサンプル間においては、配列周期Ｐ１が１０００ｎｍであるサンプルの光強度が最も低く、次いで、配列周期Ｐ１が８００ｎｍであるサンプルの光強度が低く、配列周期Ｐ１が６００ｎｍであるサンプルの光強度が最も高かった。また、配列周期Ｐ１が同じである場合には、補助パターン３２の幅が１００ｎｍのサンプルの光強度が最も低く、次いで、補助パターン３２の幅が３００ｎｍのサンプルの光強度が低く、補助パターン３２の幅が５００ｎｍのサンプルの光強度が最も高かった。

【0041】

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。
図９（ａ）は本実施形態に係るテンプレートのアライメント領域を示す平面図であり、（ｂ）は本実施形態のウェーハのアライメント領域を示す平面図であり、（ｃ）はテンプレート及びウェーハのアライメント領域を示す断面図である。

【0042】

図９（ａ）に示すように、本実施形態に係るナノインプリント用テンプレート２のＸ軸位置合わせ用周期パターン領域２２においては、Ｙ方向に延びるＬ／Ｓ状のパターン３５が形成されている。Ｘ方向におけるパターン３５の配列周期は、例えば、１０３０ｎｍである。

【0043】

図９（ｂ）に示すように、本実施形態のウェーハ１０２の周期パターン領域１２２においては、長方形のパターン１３２が市松模様状に配列されている。各パターン１３２におけるＸ方向の長さは例えば１０００ｎｍであり、Ｙ方向の長さは例えば２２５０ｎｍである。

【0044】

そして、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、テンプレート２のパターン３５は、ウェーハ１０２におけるパターン１３２が配列された領域に対応する領域、例えば、周期パターン領域１２２の直上域に対して、Ｘ方向両側に１周期分ずつ多く配置されている。図９（ａ）及び（ｃ）においては、この追加されたパターン３５を「パターン３５ａ」として示す。なお、追加のパターン３５ａは、パターン１３２が配列された領域に対応する領域のＸ方向両側に、２周期分ずつ配置されていることが好ましい。

【0045】

テンプレート２における上記以外の構成は、第１の実施形態に係るテンプレート１（図１〜図３（ｂ）参照）と同様である。但し、補助パターン３２は設けられていなくてもよい。また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、図６に示すとおりである。但し、本実施形態においては、ナノインプリント用テンプレートとして、上述のテンプレート２を使用する。

【0046】

次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態によれば、テンプレート２のパターン３５が、ウェーハ１０２におけるパターン１３２が配列された領域よりも、Ｘ方向両側に１周期分ずつ多く配置されているため、パターン１３２によって回折された光を、パターン３５によって効率よく利用することができる。これにより、パターン１３２とパターン３５の相互作用によって生じるモアレの光強度が高くなり、位置合わせが容易になる。この結果、ウェーハ１０２とテンプレート２との間で、精度が高い位置合わせが可能となる。なお、テンプレート２はウェーハ１０２と比較してスペースの制約が緩いため、追加のパターン３５を設けることによる不利益は、ほとんど生じない。

【0047】

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。
図１０（ａ）は本実施形態に係るテンプレートのアライメント領域を示す平面図であり、（ｂ）は本実施形態において使用するウェーハのアライメント領域を示す平面図である。
図１１（ａ）はテンプレートのアライメント領域とウェーハのアライメント領域を重ねた状態を示す平面図であり、（ｂ）は横軸にＸ方向における位置をとり縦軸に光強度をとって、テンプレートとウェーハを重ねた場合の光強度分布を示すグラフ図である。

【0048】

図１０（ａ）に示すように、本実施形態に係るナノインプリント用テンプレート３においては、アライメント領域１２のＸ軸位置合わせ用周期パターン領域２２において、Ｙ方向に延びるＬ／Ｓ状のパターン３５が形成された領域のＸ方向両側に、Ｙ方向に延びる補助パターン３８が形成されている。また、パターン３５が形成された領域のＹ方向両側に、Ｘ方向に延びる補助パターン３９が形成されている。Ｙ軸位置合わせ用周期パターン領域２３においても同様に、補助パターン３８及び３９が形成されている。

【0049】

補助パターン３８及び３９の大きさは、位置合わせ用顕微鏡２０１の解像力以下であるが、ウェーハ１０３には転写されるような大きさとする。補助パターン３８及び３９の幅は、パターン３５の幅よりも細くする。

【0050】

例えば、図１０（ａ）に示すテンプレート３のＸ軸位置合わせ用周期パターン領域２２において、Ｘ方向におけるパターン３５の配列周期を２１２０ｎｍとし、パターン３５の幅を配列周期の半分、すなわち、１０６０ｎｍとし、図１０（ｂ）に示すウェーハ１０３の周期パターン領域１２２において、パターン１３２のＸ方向における配列周期を２０００ｎｍとし、Ｙ方向における配列周期を４５００ｎｍとする。このとき、補助パターン３８の幅は５００ｎｍとし、補助パターン３８と、これに最も近いパターン３５との距離を１２００ｎｍとする。また、補助パターン３９の幅、すなわち、Ｙ方向の長さは３００ｎｍとし、補助パターン３９とパターン３５との距離を３００ｎｍとする。

【0051】

図１１（ａ）に示すように、図１０（ａ）に示すテンプレート３のＸ軸位置合わせ用周期パターン領域２２と、図１０（ｂ）に示すウェーハ１０３の周期パターン領域１２２を重ねると、モアレが発生する。このとき、補助パターン３８を設けないと、図１１（ｂ）に破線で示すように、Ｘ軸位置合わせ用周期パターン領域２２のＸ方向両端部において、光強度が強くなる。これは、領域２２の端部は周期性が非対称となるため、高次の回折光が発生するためと推定される。これにより、相対的にモアレが暗くなり、明暗縞の観察が困難になる。一方、補助パターン３８を設けることにより、図１１（ｂ）に実線で示すように、領域２２のＸ方向両端部における光強度が低下する。

【0052】

同様に、補助パターン３９を設けないと、領域２２のＹ方向端部において光強度が強くなる。一方、補助パターン３９を設けることにより、領域２２のＹ方向両端部における光強度が低下する。従って、補助パターン３８及び３９を設けることにより、領域２２の端部における光強度を抑え、モアレの観察が容易になる。なお、補助パターン３８及び３９は、領域２２の片側に複数本ずつ設けてもよい。

【0053】

Ｙ軸位置合わせ用周期パターン領域２３についても同様であり、パターン３５を囲むように補助パターン３８及び３９を設けることにより、領域２３の端部の光強度を抑え、モアレの観察を容易にすることができる。この結果、ウェーハ１０３に対してテンプレート３を精度良く位置合わせすることができる。
本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。但し、補助パターン３２は設けられていなくてもよい。また、本実施形態に係る集積回路装置の製造方法においては、被加工材としてウェーハ１０３を使用し、ナノインプリント用テンプレートとして、上述のテンプレート３を使用する。

【0054】

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態について説明する。
図１２（ａ）は本実施形態に係るテンプレートのアライメント領域を示す平面図であり、（ｂ）は本実施形態のウェーハのアライメント領域を示す平面図である。
なお、図１２（ａ）及び（ｂ）は、Ｙ方向においては１周期分の長さのみを示している。

【0055】

図１２（ａ）に示すように、本実施形態においては、テンプレート４のＸ軸位置合わせ用周期パターン領域２２におけるパターン３５の幅、すなわち、Ｘ方向の長さを、Ｘ方向の位置を変数とした窓関数に基づいて決定する。なお、パターン３５の中心は周期的に配置する。

【0056】

また、図１２（ｂ）に示すように、ウェーハ１０４の周期パターン領域１２２において、パターン１３２のＸ方向の長さを、Ｘ方向の位置を変数とした窓関数に基づいて決定する。パターン１３２の中心は周期的に配置する。

【0057】

同様に、テンプレート４のＹ軸位置合わせ用周期パターン領域２３におけるパターン３５の幅、すなわち、Ｙ方向の長さを、Ｙ方向の位置を変数とした窓関数に基づいて決定する。また、ウェーハ１０４の周期パターン領域１２２において、パターン１３２のＹ方向の長さを、Ｙ方向の位置を変数とした窓関数に基づいて決定する。なお、図１２（ａ）及び（ｂ）においては、Ｘ軸位置合わせ用周期パターン領域２２のみを図示している。

【0058】

窓関数とは、通信技術において信号を一定期間サンプリングしてデジタル化する際に、サンプリング期間の始期と終期において信号強度を調整することにより、不要なノイズを抑制するための関数であり、信号強度に乗じて用いられる。窓関数は、一定範囲の内部では正の値をとり、この範囲の外部ではゼロとなり、この範囲の中央部から端部に向かって連続的に減少する。但し、減少の態様は窓関数の種類によって異なる。

【0059】

一般に、窓関数は連続関数であるが、本実施形態においては、パターンの幅の基準値に、そのパターンの位置に応じた窓関数を乗じて、そのパターンの幅とする。パターンの位置は不連続な値をとるため、窓関数も不連続な値となり、パターンの幅も不連続な値となる。

【0060】

本実施形態においては、窓関数として、例えばテューキー（Ｔｕｋｅｙ)の窓関数を使用する。テューキーの窓関数は、下記数式１によって表される。但し、ｘはパターンのＸ方向における位置であり、Ｗ（ｘ）はパターンの幅の基準値に乗じる係数である。なお、窓の幅は１に規格化している。また、（ｒ／２）は窓の端部の幅を規定する変数であり、本実施形態においては、例えば、位置合わせ用顕微鏡２０１の解像度程度の値とし、例えば、５μｍとする。

【0061】

【数1】

【0062】

図１３は、横軸に変数をとり、縦軸に関数の値をとって、テューキーの窓関数を示すグラフ図である。
図１３に示すように、テューキーの窓関数は、所定の範囲（０≦ｘ≦１）の中央部（ｒ／２≦ｘ≦１−ｒ／２）においては、一定の値、例えば１をとり、中央部から両端部に向かって連続的に減少する。

【0063】

図１４は、横軸に位置をとり、縦軸に光強度をとって、テンプレートとウェーハを重ねた場合の光強度分布を示すグラフ図である。
図１４に破線で示すように、パターンの幅に窓関数を適用しない場合は、領域２２の両端部において、光強度が著しく高くなり、領域２２の中央部において、モアレの観察が困難になる。一方、図１４に実線で示すように、パターンの幅に窓関数を適用した場合は、領域２２の両端部において光強度が抑制され、窓関数を適用しない場合の約３０分の１程度になる。これにより、中央部においてモアレの観察が容易になる。

【0064】

次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態によれば、周期的に配列されたパターン３５及び１３２の幅を窓関数に応じて変化させることにより、領域２２のＸ方向両端部及び領域２３のＹ方向両端部における光強度が抑制され、モアレの観察が容易になる。これにより、ウェーハ１０４に対するテンプレート４の精密な位置合わせが可能となる。

【0065】

本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。但し、補助パターン３２は設けられていなくてもよい。
なお、本実施形態においては、ウェーハ及びテンプレートの双方に窓関数を適用する例を示したが、いずれか一方のみに適用しても、一定の効果を得ることができる。

【0066】

（第４の実施形態の変形例）
次に、第４の実施形態の変形例について説明する。
本変形例においては、窓関数としてブラックマン・ハリスの窓関数を使用する。
図１５（ａ）は本変形例に係るテンプレートのアライメント領域を示す平面図であり、（ｂ）は本変形例のウェーハのアライメント領域を示す平面図である。
図１６は、横軸に変数をとり、縦軸に関数の値をとって、ブラックマン・ハリスの窓関数を示すグラフ図である。
図１７は、横軸に位置をとり、縦軸に光強度をとって、テンプレートとウェーハを重ねた場合の光強度分布を示すグラフ図である。
ブラックマン・ハリスの窓関数は、下記数式２によって表される。

【0067】

【数2】

【0068】

図１５（ａ）に示すように、本実施形態に係るテンプレート４ａにおいては、パターン３５の幅がブラックマン・ハリスの窓関数に従って決定されている。すなわち、Ｘ軸位置合わせ用周期パターン領域２２のＸ方向中央部に配置されたパターン３５の幅が最も広く、Ｘ方向両端部に向かうにつれて狭くなっている。同様に、図１５（ｂ）に示すように、本実施形態のウェーハ１０４ａにおいても、パターン１３２の幅がブラックマン・ハリスの窓関数に従って決定されている。

【0069】

図１６に示すように、ブラックマン・ハリスの窓関数は、変数ｎの中央値において関数Ｗ（ｎ）が最大値をとり、変数ｎが中央値から離れるにつれて、関数Ｗ（ｎ）の値が小さくなる。
図１７に示すように、本変形例によれば、領域２２の端部において、ノイズを１００分の１程度まで低減することができる。また、ブラックマン・ハリスの窓関数を用いた場合は、パターンが形成された領域のＸ方向中央部が特に強調されるため、中央部の１本のモアレで位置合わせを行うことができる。

【0070】

本変形例における上記以外の構成、製造方法及び効果は、前述の第４の実施形態と同様である。
なお、第４の実施形態及び本変形例においては、テンプレート及びウェーハにおいて、同じ窓関数を適用する例を示したが、これには限定されず、相互に異なる窓関数を適用してもよい。また、テンプレート及びウェーハの少なくとも一方に適用する関数は、例えばＸ軸位置合わせ用周期パターン領域２２において、Ｘ方向中央部のパターン３５に対してＸ方向周辺部のパターン３５が相対的に細くなるような関数であればよく、上述のテューキーの窓関数及びブラックマン・ハリスの窓関数には限定されない。

【0071】

（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態について説明する。
図１８（ａ）は本実施形態に係るテンプレートのアライメント領域を示す平面図であり、（ｂ）は本実施形態のウェーハのアライメント領域を示す平面図である。
図１９は、横軸に位置をとり、縦軸に光強度をとって、テンプレートとウェーハを重ねた場合の光強度分布を示すグラフ図である。
図１９の横軸は、パターン３５及び１３２の長手方向における位置を表している。

【0072】

図１８（ａ）に示すように、本実施形態に係るテンプレート５においては、Ｘ軸位置合わせ用周期パターン領域２２において、Ｙ方向に延びるパターン３５が複数の部分に分かれている。１本のパターン３５を構成する複数の部分は、Ｙ方向に沿って配列されている。そして、各部分の幅は、その部分のＹ方向における位置を変数とした窓関数の値に基づいている。同様に、Ｙ軸位置合わせ用周期パターン領域２３においては、Ｘ方向に延びるパターン３５が複数の部分に分かれている。１本のパターン３５を構成する複数の部分は、Ｘ方向に沿って配列されている。そして、各部分の幅は、その部分のＸ方向における位置を変数とした窓関数の値に基づいている。すなわち、テンプレート５においては、各パターン３５の幅が、パターン３５の長手方向の位置によって不連続的に異なる。

【0073】

図１８（ｂ）に示すように、本実施形態のウェーハ１０５においては、周期パターン領域１２２において、パターン１３２の幅、すなわち、Ｘ方向の長さに、パターン１３２の長手方向における位置を変数とした窓関数を適用している。

【0074】

これにより、図１９に示すように、パターン３５及び１３２の長手方向両端部において、高次回折光を抑制し、光強度を低減することができる。なお、図１９は、モアレの明暗縞の暗部の光強度を示している。明部の光強度は、図１９の縦軸に示す単位で２程度である。

【0075】

本実施形態によれば、パターン３５及び１３２の長手方向両端部の光強度を抑え、モアレの観察を容易にすることができる。これにより、ウェーハ１０５に対するテンプレート５の位置合わせの精度が向上する。

【0076】

また、本実施形態によれば、パターン３５の幅を不連続的に変化させている。これにより、パターン３５を長方形を組合せて作成することができ、テンプレート５の原版となるマスクを作製する際に、パターンデータを低減することができる。

【0077】

なお、テンプレート５の原版となるマスクを作製する際に、大量のパターンデータを扱える場合は、パターン３５の幅を連続的に変化させてもよい。この場合、パターン３５の端縁は、少なくとも一方が曲線となる。

【0078】

また、本実施形態においては、パターン３５の幅方向の中心は、Ｙ方向における位置に依存して変位しているが、Ｙ方向の両端部は位置合わせには使用しないため、実質的な問題は生じない。なお、パターン３５の幅方向の中心が、Ｙ方向に延びる直線上に位置するようにしてもよい。

【0079】

更に、本実施形態は、前述の第４の実施形態と組み合わせて実施してもよい。すなわち、パターン３５及び１３２の幅を、Ｘ方向における位置を変数とした窓関数、及び、Ｙ方向における位置を変数とした窓関数の双方に基づいて決定してもよい。

【0080】

（第６の実施形態）
次に、第６の実施形態について説明する。
図２０（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係るナノインプリント法におけるＸ方向の位置合わせ方法を示す図であり、（ａ）は照明の配置を示し、（ｂ）はテンプレートのＸ軸位置合わせ用周期パターン領域を示し、（ｃ）はウェーハの周期パターン領域を示す。
図２１（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係るナノインプリント法におけるＹ方向の位置合わせ方法を示す図であり、（ａ）は照明の配置を示し、（ｂ）はテンプレートのＹ軸位置合わせ用周期パターン領域を示し、（ｃ）はウェーハの周期パターン領域を示す。

【0081】

本実施形態に係る集積回路装置の製造方法においては、図６のステップＳ４に示すファインアライメントにおいて、位置を調整する方向からは光を照射せずに、位置を調整する方向に対して交差、例えば、直交する方向から光を照射する。これにより、周期パターン領域の端部が光ることを抑制できる。

【0082】

以下、具体的に説明する。
図２０（ａ）〜（ｃ）に示すように、ウェーハ１０６とテンプレート６とを、Ｘ方向において位置合わせするときには、アライメント装置２００において、位置合わせ用顕微鏡２０１のＸ方向両側に配置された照明２０２ｘを消灯し、位置合わせ用顕微鏡２０１のＹ方向両側に配置された照明２０２ｙのみを点灯する。これにより、テンプレート１のＸ軸位置合わせ用周期パターン領域２２において、パターン３５の配列方向（Ｘ方向）を含む平面（ＸＺ平面）に沿っては照明光が入射せず、パターン３５が延びる方向（Ｙ方向）を含む平面（ＹＺ平面）に沿ってのみ照明光が入射する。これにより、領域２２のＸ方向両端部から高次回折光が出射することを抑制できる。この結果、モアレを利用したＸ方向の位置合わせを、高い精度で行うことができる。

【0083】

また、図２１（ａ）〜（ｃ）に示すように、ウェーハ１０６とテンプレート６とを、Ｙ方向において位置合わせするときには、アライメント装置２００において、照明２０２ｘのみを点灯し、照明２０２ｙを消灯する。これにより、テンプレート１のＹ軸位置合わせ用周期パターン領域２３において、パターン３５の配列方向（Ｙ方向）を含む平面（ＹＺ平面）に沿っては照明光が入射せず、パターン３５が延びる方向（Ｘ方向）を含む平面（ＸＺ平面）に沿ってのみ照明光が入射する。これにより、領域２３のＹ方向両端部から高次回折光が出射することを抑制できる。この結果、モアレを利用したＹ方向の位置合わせを、高い精度で行うことができる。

【0084】

このように、本実施形態によれば、パターン３５の配列方向からは照明光を入射させずに、パターン３５が延びる方向からのみ照明光を入射させることにより、パターン３５が配列された領域の配列方向における両端部が光り、モアレの観察を阻害することを抑制できる。
本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。但し、補助パターン３２は設けられていなくてもよい。

【0085】

以上説明した実施形態によれば、被加工材に対して精密に位置合わせ可能なナノインプリント用テンプレート及び集積回路装置の製造方法を実現することができる。

【0086】

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。また、前述の実施形態は、相互に組み合わせて実施することもできる。

【0087】

本発明は、以下の態様を含む。

【0088】

（付記１）（第１の実施形態）
第１パターン（３１）と、
第１方向（Ｘ）における長さが前記第１パターンよりも短い１以上の第２パターン（３２）と、
前記第１方向における長さが前記第１パターンよりも短い１以上の第３パターン（３２）と、
を備え、
前記第１方向において、前記第１パターンは、前記１以上の第２パターンと前記１以上の第３パターンとの間に配置されたナノインプリント用テンプレート。
（付記２）
前記第１方向において、前記１以上の第２パターンの配列周期（Ｐ１）、及び、前記１以上の第３パターンの配列周期（Ｐ１）は、位置合わせ用の照明光の波長（λ）の３倍以下である付記１記載のナノインプリント用テンプレート。
（付記３）
前記第１方向に対して交差した第２方向（Ｙ）における長さが前記第１パターンよりも短い１以上の第４パターン（３２）と、
前記第２方向における長さが前記第１パターンよりも短い１以上の第５パターン（３２）と、
をさらに備え、
前記第２方向において、前記第１パターンは、前記１以上の第４パターンと前記１以上の第５パターンとの間に配置された付記１または２に記載のナノインプリント用テンプレート。
（付記４）
前記第２方向において、前記第４パターンの配列周期（Ｐ１）、及び、前記第５パターンの配列周期（Ｐ１）は、前記照明光の波長（λ）の３倍以下である付記３記載のナノインプリント用テンプレート。
（付記５）
前記第１方向に沿って周期的に配列された複数のパターン（３５）をさらに備えた付記１〜４のいずれか１つに記載のナノインプリント用テンプレート。
（付記６）（第３の実施形態）
第１方向（Ｙ）に延び、前記第１方向に対して交差する第２方向（Ｘ）に沿って周期的に配列された複数の第１パターン（３５）と、
前記複数の第１パターンの前記第２方向両側に配置され、前記第１方向に延び、前記第２方向における長さが前記第１パターンの前記第２方向における長さよりも短い第２パターン（３８）と、
を備えたナノインプリント用テンプレート。
（付記７）
前記複数の第１パターンの前記第１方向両側に配置され、前記第２方向に延び、前記第１方向における長さが前記第１パターンの前記第２方向における長さよりも短い第３パターン（３９）をさらに備えた付記６記載のナノインプリント用テンプレート。
（付記８）（第４の実施形態）
第１方向（Ｙ）に延び、前記第１方向に対して交差する第２方向（Ｘ）に沿って周期的に配列された複数の第１パターン（３５）を備え、
前記複数の第１パターンのうち、前記第２方向における最外部に配置された前記第１パターンの幅は、前記第２方向における中央部に配置された前記第１パターンの幅よりも小さいナノインプリント用テンプレート。
（付記９）
前記第１パターンの幅は、前記第２方向における前記第１パターンの位置を変数とした窓関数の値に基づいている付記８記載のナノインプリント用テンプレート。
（付記１０）（第５の実施形態）
第１方向（Ｙ）に延び、前記第１方向に対して交差する第２方向（Ｘ）に沿って周期的に配列された複数の第１パターン（３５）を備え、
前記第１パターンの前記第１方向両端部の幅は、前記第１パターンの前記第１方向中央部の幅よりも小さいナノインプリント用テンプレート。
（付記１１）
各前記第１パターンは、前記第１方向に沿って配列された複数の部分を有し、前記部分の幅は、前記第１方向における前記部分の位置を変数とした窓関数の値に基づいている付記１０記載のナノインプリント用テンプレート。
（付記１２）（第２の実施形態）
複数の第１パターン（１３２）が第１方向（Ｘ）に沿って周期的に配列された被加工材（１０２）上にレジスト膜を形成する工程と（Ｓ１）、
複数の第２パターン（３５）が前記第１方向に沿って周期的に配列されたテンプレート（２）を前記レジスト膜に押し付けることにより、前記レジスト膜を変形させる工程と（Ｓ３）、
前記第１パターン及び前記第２パターンに光を照射することにより、前記被加工材に対する前記テンプレートの位置を決定する工程と（Ｓ４）、
変形した前記レジスト膜を硬化させる工程と（Ｓ５）、
前記テンプレートを前記レジスト膜から剥離させる工程と（Ｓ６）、
前記レジスト膜をマスクとして前記被加工材を加工する工程と（Ｓ７）、
を備え、
前記被加工材に対する前記テンプレートの位置を決定した後、前記第２パターンは、前記第１パターンが形成された領域に対応する領域の前記第１方向両側にも配置される集積回路装置の製造方法。
（付記１３）（第６の実施形態）
複数の第１パターン（１３２）が第１方向（Ｘ）に沿って周期的に配列された被加工材（１０６）上にレジスト膜を形成する工程と（Ｓ１）、
前記第１方向に対して交差した第２方向（Ｙ）に延びる複数の第２パターン（３５）が前記第１方向に沿って周期的に配列されたテンプレート（６）を前記レジスト膜に押し付けることにより、前記レジスト膜を変形させる工程と（Ｓ３）、
前記第１パターン及び前記第２パターンに対して、前記第２方向とのなす角度が前記第１方向とのなす角度よりも小さくなるような方向から光を照射することにより、前記被加工材に対する前記テンプレートの前記第１方向における位置を決定する工程と（Ｓ４）、
変形した前記レジスト膜を硬化させる工程と（Ｓ５）、
前記テンプレートを前記レジスト膜から剥離させる工程と（Ｓ６）、
前記レジスト膜をマスクとして前記被加工材を加工する工程と（Ｓ７）、
を備えた集積回路装置の製造方法。
（付記１４）
前記第１パターンは前記第２方向に沿っても周期的に配列されており、
前記テンプレートには、前記第１方向に延びる複数の第３パターン（３５）が前記第２方向に沿って周期的に配列されており、
前記第３パターン及び前記第２パターンに対して、前記第１方向とのなす角度が前記第２方向とのなす角度よりも小さくなるような方向から光を照射することにより、前記被加工材に対する前記テンプレートの前記第２方向における位置を決定する工程をさらに備えた付記１３記載の集積回路装置の製造方法。

【符号の説明】

【0089】

１、２、３、４、４ａ、５、６：ナノインプリント用テンプレート、１０：掘込、１１：デバイスパターン領域、１２：アライメント領域、２１：孤立パターン領域、２２：Ｘ軸位置合わせ用周期パターン領域、２３：Ｙ軸位置合わせ用周期パターン領域、３１：主パターン、３２：補助パターン、３５、３５ａ：パターン、３６：クロム膜、３８、３９：補助パターン、１０１、１０２、１０３、１０４、１０４ａ、１０５、１０６：ウェーハ、１１１：デバイス領域、１１２：アライメント領域、１２１：孤立パターン領域、１２２：周期パターン領域、１３１、１３２：パターン、２００：アライメント装置、２０１：位置合わせ用顕微鏡、２０２、２０２ｘ、２０２ｙ：照明、Ｐ１：配列周期

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】