特許 6865583 半導体デバイスのウェハーのスクライビング

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6865583

(24)【登録日】2021年4月8日

(45)【発行日】2021年4月28日

(54)【発明の名称】半導体デバイスのウェハーのスクライビング

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20210419BHJP

   B23K 26/364 20140101ALI20210419BHJP

   B23K 26/53 20140101ALI20210419BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/78 B

   B23K26/364

   B23K26/53

【請求項の数】5

【全頁数】9

(21)【出願番号】特願2016-527257(P2016-527257)

(86)(22)【出願日】2014年10月13日

(65)【公表番号】特表2016-541115(P2016-541115A)

(43)【公表日】2016年12月28日

(86)【国際出願番号】IB2014065251

(87)【国際公開番号】WO2015063633

(87)【国際公開日】20150507

【審査請求日】2017年10月12日

【審判番号】不服2019-7433(P2019-7433/J1)

【審判請求日】2019年6月5日

(31)【優先権主張番号】61/896,842

(32)【優先日】2013年10月29日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】517152128

【氏名又は名称】ルミレッズ ホールディング ベーフェー

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(74)【代理人】

【識別番号】100091214

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 進介

(72)【発明者】

【氏名】ペッダーダ，エス ラオ

(72)【発明者】

【氏名】ウェイ，フランク リリー

(72)【発明者】

【氏名】カサヘ，エンリコ

(72)【発明者】

【氏名】シャルマ，ラジャット

【合議体】

【審判長】 辻本 泰隆

【審判官】 恩田 春香

【審判官】 脇水 佳弘

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１２−１１４３２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−２４５０６２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−９８４６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−２６８７５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−２２７１８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−１７３４７５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

H01L21/301

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

成長基板と、該成長基板の上にエピタキシャル成長した材料と、該材料の上に形成されたデバイスとを含むウェハーを分離するための方法であって、
前記ウェハーの前側から、第１のスクライブラインをアブレーションスクライビングするステップであり、前記ウェハー内の２列のデバイスを分離するストリートに前記第１のスクライブラインが整合する、ステップ、
前記ウェハーの後側から、前記ストリートに整合する第２のスクライブラインをレーザーを用いてステルススクライビングすると同時に
前記後側から、前記レーザーのエネルギーを分離して前記第２のスクライブラインよりも浅い深さの場所にもレーザービームを収束させ、前記第２のスクライブラインをステルススクライビングする間に前記ストリートに整合する第３のスクライブラインをもステルススクライビングするステップ、
を含み、
前記第１のスクライブラインは、前記成長基板の上にエピタキシャル成長した前記材料の厚さを貫通して前記成長基板内にまで延びる深さであり、前記成長基板内部で延びる前記深さは、前記成長基板の上にエピタキシャル成長した前記材料の厚さ以上であり、前記材料の厚さの３倍以下である、
方法。

【請求項2】

前記成長基板は２００ミクロンよりも大きな厚さを有する、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記ストリートは、５０ミクロン未満の幅を有する、請求項１に記載の方法。

【請求項4】

前記後側で、前記ストリートに整合した第４のスクライブラインをスクライビングするステップをさらに含み、前記第４のスクライブラインは、前記成長基板内において前記第２及び第３のスクライブラインとは異なる深さにある、
請求項１に記載の方法。

【請求項5】

前記第１のスクライブラインをアブレーションスクライビングするステップの前に、エピタキシャル成長した材料を部分的にエッチ除去することにより、２つのデバイスを分離するストリートをもたらすステップ、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本出願は、２０１３年１０月２９日に出願された米国仮出願第６１／８９６８４２号に基づく優先権を主張して２０１４年１０月１３日に発明の名称を「半導体発光デバイスのウェハーのスクライビング」として出願された国際出願ＰＣＴ／ＩＢ２０１４／０６５２５１の国内移行出願である。国際出願ＰＣＴ／ＩＢ２０１４／０６５２５１及び米国仮出願第６１／８９６８４２号を参照して本明細書に引用する。
本発明は、透明基板上に形成した半導体発光デバイスのウェハーをスクライビングする技術に関する。

【背景技術】

【0002】

発光ダイオード(LEDs)、共振空洞発光ダイオード(RCLEDs)、垂直空洞レーザーダイオード(VCSELs)及び端面発光レーザー(edge emitting lasers)を含む半導体発光デバイスは、現在利用可能な最も高率がよい発光源の範疇に入る。可視スペクトルに亘って動作可能な高輝度発光デバイスの製造において現在興味のある材料システムは、III−V族半導体であり、特に、III族窒化物材料とも呼ばれる、ガリウム、アルミニウム、インジウム及び窒素の二元、三元及び四元合金を含む。典型的には、III族窒化物発光デバイスは、異なる組成及びドーパント濃度の半導体層のスタックを、サファイア、シリコンカーバイド、III族窒化物又は他の好適な基板上に、金属有機化学蒸着法(MOCVD)、分子ビームエピタクシー成長法(MBE)その他のエピタキシャル技術を用いて、エピタキシャル成長させることにより製造される。当該スタックは、しばしば、基板上に形成され、例えばシリコンでドープされた１層以上のｎ型層、ｎ型の単層又は複数層の上に形成された活性領域中の１層以上の発光層、及び上記活性領域の上に形成され、例えばマグネシウムでドープされた１層以上のｐ型層を含む。ｎ型及びｐ型領域上に電気的接触が形成される。

【0003】

ウェハーのデバイス行(rows of devices)とデバイス行との間のストリート(streets)に沿ってウェハーをスクライビング(scribing)しブレーキング(breaking)することにより、しばしば個々のデバイス又はデバイス群がウェハーから分離される。図１は、米国特許出願公開第２０１１／０１３２８８５号明細書に詳細に記載されており両面スクライビングとして知られている、ウェハーをスクライビングする一方法を示している。図１において、ＬＥＤ４０６がストリート４０８から分離されている。カメラ４３０及び４３４がウェハーの前側及び後側で用いられて、ストリート４０８に対してスクライブラインを整合させる。米国特許出願公開第２０１１／０１３２８８５号明細書のパラグラフ４５は、以下の記載がある。「本方法に従って、第１の浅い後側スクライブ４２３がウェハー４０２の後側４０５のアブレーションにより形成できる。次に、ウェハー４０２の基板４０４の内部にレーザービーム４２２を収束させて内部結晶損傷（例えば、ステルス又は擬ステルススクライビング(stealth or quasi-stealth scribing)）を作ることにより、ウェハー４０２の前側４０３から第２の前側スクライブ４２７を形成できる。」

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】米国特許出願公開第２０１１／０１３２８８５号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の一目的は、半導体発光デバイスのウェハーをスクライビングする技術を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の実施形態は、成長基板と、該成長基板上に形成され、少なくとも１つのストリートにより分離された複数の行内に配置された複数のデバイスとを含むウェハーを分離するための方法を含む。当該ウェハーは、複数のデバイスが形成される前側と、成長基板の表面である後側とを有する。当該方法は、前側で、ストリートに整合した第１のスクライブラインをスクライビングするステップと、後側で、ストリートに整合した第２のスクライブラインをスクライビングするステップと、後側で、ストリートに整合した第３のスクライブラインをスクライビングするステップとを含む。

【0007】

本発明の実施形態は、成長基板と、該成長基板上に形成され、少なくとも１つのストリートにより分離された複数の行内に配置された複数のデバイスとを含むウェハーを分離するための方法を含む。当該ウェハーは、複数のデバイスが形成される前側と、成長基板の表面である後側とを有する。当該方法は、前側で、ストリートに整合した第１のスクライブラインをスクライビングするステップと、後側で、ストリートに整合した第２のスクライブラインをスクライビングするステップとを含む。成長基板は、１００ミクロンを超える厚さを有する。ストリートは５０ミクロン未満の幅を有する。

【0008】

本発明の実施形態は、成長基板と、該成長基板上に形成され、少なくとも１つのストリートにより分離された複数の行内に配置された複数のデバイスとを含むウェハーを分離するための方法を含む。当該ウェハーは、複数のデバイスが形成される前側と、成長基板の表面である後側とを有する。当該方法は、ストリートに整合した第１のスクライブラインをスクライビングするステップと、ストリートに整合した第２のスクライブラインをスクライビングするステップとを含む。第１及び第２のスクライブラインの両方はウェハーの同じ側に形成される。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】半導体ウェハーのための従来のスクライビング技術を示す図である。

【図2】III族窒化物ＬＥＤの一例を示す図である。

【図3】デバイスのウェハーをスクライビングすることを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

図１に示す技術において、ウェハーの前側及び後側に浅いスクライブラインが形成される。スクライブラインが浅いために、この技術により許容できる歩留まり率でスクライビングしブレーキングできる基板の厚さが制限される。例えばサファイアなどの典型的な基板材料の硬度が硬いことがこの問題を悪化させる。図１に示す技術は、例えば９０μｍ未満の厚さの成長基板を伴うデバイスをスクライビングしブレーキングするのに用いることができる。

【0011】

ある発光デバイスにおいては、例えば、デバイスの発光層から離れた成長基板上に波長変換層その他の構造のスペースのために、発光デバイスが付いた厚い成長基板を残すことが望ましい。本発明の実施形態は、厚い成長基板を伴って発光デバイスのウェハーをスクライビングしてブレーキングするための技術に向けられている。

【0012】

以下の実施例を通じ、半導体発光デバイスは、青色光又は紫外光を発するIII族窒化物ＬＥＤ、レーザーダイオードなどのＬＥＤ以外の半導体発光デバイスであり、他のIII−V族材料、III−燐化物、III−ヒ化物、II−VI族材料、ZnO又はSi系材料などの他の材料システムから作られる半導体発光デバイスを用いることもできる。

【0013】

図２は、本発明の実施形態においてIII族窒化物ＬＥＤが用いられ得ることを示している。如何なる好適な半導体発光デバイスをも持ちいることができ、本発明の実施形態は、図２に示すデバイスに限定されない。図２のデバイスは、従来技術において知られているように、成長基板１０の上にIII族窒化物半導体構造１２を成長させることにより形成される。成長基板はしばしば、サファイアであるが、例えば、SiC, Si, GaN 又は複合基板などの如何なる好適な基板であってもよい。III族窒化物半導体構造を成長させる成長基板の表面は、成長前にパターン加工され(patterned)、粗面加工され(roughened)又は質感加工され(textured)てもよく、それらの加工がデバイスからの光取り出しを改良しうる。

【0014】

半導体構造１２は、ｎ型領域及びｐ型領域に挟まれた発光領域又は活性領域を含む。ｎ型領域１６が最初に成長されてよく、異なる組成及びドーパント濃度の多層を含んでよい。上記多層は、例えば、ｎ型の又は故意にドープしてはいなくてよいバッファ層又は核生成層(nucleation layers)などの製造層(preparation layers)、及び故意にドープしてはいない又はｎ型若しくはｐ型であり、効率的に発光するための発光領域に適した特定の光学的、材料的又は電気的な特性をねらって設計されたデバイス層を含む。発光領域又は活性領域１８が上記ｎ型領域の上に成長する。好適な発光領域の例として、単一の厚い若しくは薄い発光層、又はバリア層により分離された多重の薄い若しくは厚い発光層を含む多重量子井戸発光領域がある。ｐ型領域２０が次に、上記発光領域の上に成長してもよい。上記ｎ型領域と同様に、上記ｐ型領域も、故意にドープしてはいない又はｎ型の層を含む異なる組成、厚さ及びドーパント濃度の多層を含んでよい。

【0015】

成長後に、ｐ型領域の表面上にｐ型コンタクトが形成される。ｐ型コンタクト２１はしばしば、反射金属、及び反射金属のエレクトロマイグレーションを防止し又は減少させるガード金属などの多重導電層を含む。反射金属はしばしば、銀であるが、如何なる好適な単一の又は複数の材料であってよい。ｐ型コンタクト２１の形成後に、ｐ型コンタクト２１、ｐ型領域２０及び活性領域１８の一部が除去されて、ｎ型領域１６の一部を露出させる。露出したｎ型領域の上にｎ型コンタクト２２が形成される。ｎ型コンタクト２２及びｐ型コンタクト２１は、ギャップ２５によって互いに電気的に絶縁される。ギャップ２５は、シリコンの酸化物又は他の好適な材料などの誘電体で充填してもよい。多重のｎ型コンタクトビアを形成してもよく、ｎ型コンタクト２２及びｐ型コンタクト２１は、図２に示す構成に限定されない。従来技術で知られているように、誘電／金属スタックを伴う複数のボンドパッドを形成するために、ｎ型コンタクト及びｐ型コンタクトを再分配してもよい。

【0016】

ＬＥＤへの電気的接続を形成するために、１つ以上の相互接続体２６及び２８が、ｎ型コンタクト２２及びｐ型コンタクト２１の上に形成され或いはそれらに電気的に接続される。

【0017】

図２において、相互接続体２６はｎ型コンタクト２２に電気的に接続されている。相互接続体２８は、ｐ型コンタクト２１に電気的に接続されている。誘電層２４及びギャップ２７により、相互接続体２８及び２６はそれぞれ、ｎ型コンタクト２２及びｐ型コンタクト２１から電気的に絶縁されており、かつ、互いに電気的に絶縁されている。相互接続体２６及び２８は、例えば、ハンダ、スタッドバンプ、金層その他の好適な構造であってよい。

【0018】

多くの個々的なＬＥＤが単一のウェハー上に形成され、次に、後述するように、スクライビング及びブレーキングすることにより、ウェハーからダイシングされる。成長基板はしばしば、スクライビング及びブレーキングする前に薄層化される。成長基板は、エッチング技術、又は研削(grinding)、研磨(polishing)若しくはラップ磨き(lapping)などの機械的技術を含むあらゆる好適な技術により薄層化することができる。薄層化後の成長基板１０は、ある実施形態では少なくとも１００μｍ厚であってよく、ある実施形態では少なくとも１８０μｍ厚であってよく、ある実施形態では少なくとも２００μｍ厚であってよく、ある実施形態では３６０μｍ厚未満であってよく、ある実施形態では少なくとも２２０μｍ厚であってよく、ある実施形態では２６０μｍ厚未満であってもよい。薄層化後に、成長基板の成長表面とは反対側の表面（すなわち、フリップチップ構成において多くの光を通し取り出す表面）が、パターン加工、粗面加工又は質感加工されてもよく、それらの加工がデバイスからの光取り出しを改良しうる。

【0019】

図２に示すデバイスは、後述するようにウェハー上の個々のデバイス間のストリート３２においてスクライビングしブレーキングすることにより、ウェハーから分離される。図２に示すような、ある実施形態において、何らかのエピタキシャル成長した材料３３が、隣接するＬＥＤ１間のストリート３２内に残る（ＬＥＤ１の両側の各ストリート３２の一部のみが図２に示されている。）。例えば、ｎ型領域１６の大部分をエッチ除去することができ、故意にドープしてはおらず実質的に絶縁性の材料３３を露わにできる。ある実施形態において、スクライビング及びブレーキングに先立ち、ストリート３２において、半導体構造が完全に除去され、成長基板１０の表面を露出させる。個々のデバイス又はデバイス群を形成するためのスクライビング及びブレーキングの後に、波長変換層、レンズその他の光学構造などの１つ以上の構造体を、ＬＥＤ１とは反対側の成長基板の表面３０上に形成してもよい。

【0020】

エピタキシャル成長構造１２，ｎ型コンタクト２２及びｐ型コンタクト２１、並びに相互接続体２６および２８を含む個々のＬＥＤは、次の図面においてブロック１で表す。

【0021】

図３は、本発明の実施形態に従った方法により形成され、スクライビングされたウェハーの一部を示す。図３は、ストリート３２により分離された２つのＬＥＤ１を示す。図３に示すウェハーは、ＬＥＤ１が配置された前側４８と、成長基板１０の表面である後側５０を有する。ストリート３２が前側４８からスクライビングされ、少なくとも一本のスクライブライン４０を形成する。スクライブライン４０は、スクライビング技術の一つであるアブレーションスクライビングにより形成することができる。該技術は、スクライビングされたラインに沿って材料を除去し、スクライビングされたラインに沿ってノッチ又は開口を形成するものである。アブレーションスクライビングは、例えばドライエッチング、鋸又はダイヤモンドブレードを伴う機械的スクライビング、又はレーザースクライビングにより遂行可能である。レーザースクライビングは、例えば２６６ｎｍ又は３５５ｎｍのダイオードポンプ固体レーザーを用いて実行できる。レーザービームは、パルス化されても、連続ビームでもよい。レーザースクライビングツールは、当技術分野で知られており、市販されている。

【0022】

ウェハーの前側４８上に形成されるスクライブライン４０は、ＬＥＤ１を形成する半導体構造の一部としての成長基板上にエピタキシャル成長されストリート３２内に残る半導体材料３３の全厚さを貫通して、成長基板１０に達する。成長基板１０内のスクライブライン４０の深さは、ある実施形態において少なくとも材料３３の厚さであり、ある実施形態において材料３３の厚さの３倍以下である。エピタキシャル成長材料３３は、ある実施形態において１６μｍ厚以下であり、ある実施形態において８μｍ厚以下である。

【0023】

ストリート３２は後側５０からもスクライビングされ、少なくとも１本のスクライブラインを形成する。２本のスクライブライン４２および４４が図３に図示されている。ある実施形態において、ステルススクライビングによりスクライブライン４２及び４４を形成できる。ステルススクライビング(stealth scribing)は、例えばナノ秒赤外イットリウム・アルミニウム・ガーネット・レーザーを用いて実行できる。１つ以上のレンズを用いて、当該レーザービームを透明サファイヤ基板１０内部に収束する。レーザービームは、サファイヤ基板を変更して、欠陥領域を形成する。欠陥領域は、機械的負荷の下で、周囲の非欠陥サファイヤよりも容易にブレーキングされる。ステルススクライビングツールは、当技術分野で知られており、市販されている。ある実施形態において、ステルススクライビングツールで多数回パスする間に、すなわち当該ツールがウェハー上を多数回スキャンされる間に、スクライブライン４２及び４４などの多重ステルススクライブラインが形成される。ある実施形態においては、レーザーエネルギーを空間的に離れた２本以上のビームへと分離して異なる深さの２以上の欠陥領域を生じさせることによって、１回のパスの間に、すなわちツールがウェハー上を１回だけスキャンされる間に、多重ステルススクライブラインが形成される。

【0024】

第１の後側スクライブライン４２は、成長基板１０内部で、第２の後側スクライブライン４４とは異なる深さに位置される。欠陥領域４２及び４４は、ある実施形態において少なくとも１０μｍ幅であってよく、ある実施形態において５０μｍ幅以下であってよい。ある実施形態において、欠陥領域４２及び４４は、少なくとも２０μｍ長でよく、１２０μｍ長以下であってよい。ある実施形態において、浅い欠陥領域４４は、成長基板１０の表面３０から（の距離が）少なくとも２０μｍであってよく、５０μｍ以下であってよい。ある実施形態において、深い欠陥領域４２は、成長基板１０の表面３０から（の距離が）少なくとも４０μｍであってよく、１２０μｍ以下であってよい。表面３０に対するスクライブライン４２及び４４の深さは、市販のステルススクライビングツール上で光学素子を調節することにより選択可能である。

【0025】

ある実施形態において、浅い後側スクライブライン４４は擬ステルススクライビングにより形成できる。その擬ステルススクライビングでは、レーザースアブレーションクライビングにより、基板１０の表面３０に一部のスクライブラインが形成され、レーザービームを収束して欠陥領域を形成することにより、基板１０の内部に一部のスクライブラインを形成する。ある実施形態において、浅い後側スクライブライン４４はアブレーションスクライビングにより形成できる。アブレーションスクライブラインは、前側スクライブライン４０に関連して上述した。

【0026】

スクライビングしたライン４０，４２は、如何なる順序でも形成することができる。ある実施形態において、前側スクライブライン４０が最初に形成され、次にウェハーが反転されて、後側スクライブライン４２及び４４が形成される。ある実施形態において、後側スクライブライン４２及び４４が最初に形成され、次にウェハーが反転されて、前側スクライブライン４０が形成される。深い後側スクライブライン４２を浅いスクライブライン４４よりも前に形成してもよく、浅い後側スクライブライン４４を深いスクライブライン４２よりも前に形成してもよい。

【0027】

ある実施形態において、ブレーキング前に３本のスクライブラインを形成してもよい。より厚い基板のブレーキングを容易にするための必要性に応じて、追加的なスクライブラインを形成してもよい。ある実施形態において、異なる深さでステルススクライビングすることにより形成される１本以上の追加的な後側スクライブラインを追加してもよい。特に、後側からのステルススクライビングによって、第４及び第５のスクライブラインを形成することができる。

【0028】

少なくとも１本のスクライブライン４２を、図１で説明した浅いスクライブラインに比較して、成長基板内部にかなり深く形成する。したがって、図３に示す構造においては、ストリート３２はかなり正確にブレーキングされることができる。何故ならば、多重スクライブライン４０，４２及び４４に沿って信頼性をもって割れ目が伝搬することによる。ブレーキング中の割れ目の伝搬をかなりよく制御できることから、図３のデバイス内のストリート３２は、図１（単に２本の浅いスクライブラインが形成されている）の構成内の厚い基板をブレーキングするのに要するストリートよりも狭くすることができる。有る実施形態において、ストリート３２は、５０μｍ幅未満である。さらに、ブレーキングゾーン内の多重スクライブラインにより基板が脆弱化しているので、わずか１本又は２本のスクライブラインを有する動圧の基板に比較して、基板をブレーキングするのに要する力が小さくてよい。

【0029】

前側及び後側スクライブラインは全て、例えば当技術分野で知られた視覚整合(visual alignment)を用いて、実質的同一平面内に整合されている。

【0030】

ある実施形態において、前側スクライブライン４０が削除され、ウェハーの後側５０っから異なる深さの少なくとも２本のスクライブラインを形成した後にウェハーをブレーキングする。ある実施形態において、ウェハーの後側５０から、例えばステルススクライビングを用いて、第１、第２、第３のスクライブラインが形成される。第１、第２、第３のスクライブラインのうちの１本が基板１０の前側表面４８に近接した領域内に形成され、それにより、このスクライブラインは前側スクライブライン４０を効果的に代替する。ある実施形態において、基板１０の前側表面に最も近接したスクライブラインは、基板１０の前側表面から２０μｍ以内に形成されてもよい。

【0031】

ある実施形態において、ウェハーの前側４８から異なる深さに少なくとも２本のスクライブラインを形成した後に、ウェハーがブレーキングされる。後側スクライブラインは削除される。例えば、前側アブレーションスクライビングしたライン及び前側ステルススクライビングしたラインを形成した後に、ウェハーをブレーキングする。

【0032】

第１の例において、図３に示すような１本の前側スクライブラインと、２本の後側スクライブラインとを用いて、基板がスクライブされる。基板１０は、２４０ミクロン厚であり、前側スクライブライン４０が基板中へ６ミクロン延び、後側スクライブライン４２は、基板中の深さ１５ミクロンと３５ミクロンとの間にあり、後側スクライブライン４４は基板内の深さ４５ミクロンと７５ミクロンとの間にある。

【0033】

第２の例において、一本の前側スクライブライン及び４本の後側スクライブラインを用いて、基板がスクライビングされる。基板１０は、３５０ミクロン厚であり、前側スクライブラインが基板中へ６ミクロン延び、第１の後側スクライブライン（ウェハーの前側４８に最も近接する後側スクライブライン）は、基板中の深さ１５ミクロンと３５ミクロンとの間にあり、第２の後側スクライブラインは基板内の深さ４５ミクロンと７５ミクロンとの間にあり、第３の後側スクライブラインは基板内の深さ８０ミクロンと１１０ミクロンとの間にあり、第４の後側スクライブライン（ウェハーの後側５０に最も近接した後側スクライブライン）は基板内の深さ１１５ミクロンと１５０ミクロンとの間の深さにある。

【0034】

ウェハーを上述したようにスクライビングした後に、当技術分野において知られており市販されているギロチン状のダイブレイカーを用いて、ウェハーをスクライブラインに沿ってブレーキングすることができる。ウェハーが支持台上に位置される。支持台のギャップが、ブレーキングすべきスクライブラインに整合される。ウェハーは、当該ウェハーと支持台との間に位置されるカバーにより保護される。ブレーカーブレード(breaker blade）がブレーキングすべきスクライブラインに整合され、力がブレードに印加される。ブレード上の力が、スクライブライン間の割れ目伝搬を引き起こし、結果として分離が生じる。

【0035】

本発明の実施形態を詳細に説明してきたが、本開示から判断すると、ここで述べた本発明概念の範囲から外れることなく、実施形態への変更がなされうることを当業者は理解する。ゆえに、本発明の範囲は、ここで図示し説明した特定実施形態に限定されるものであると意図していない。

【図1】

【図2】

【図3】