(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
第1の基板上に第1の超電導層を有する第1の酸化物超電導線材からなる接続対象線材と、第2の基板上に第2の超電導層を有する第2の酸化物超電導線材からなる接続用超電導線材との間が、前記第1の超電導層と前記第2の超電導層とを対向させて接続され、
前記接続用超電導線材のうち少なくとも前記接続対象線材と対向する部分において、前記第2の超電導層は、前記第2の基板の長手方向に延びる非配向部を介して前記第2の基板の幅方向に複数の部分に分割され、前記非配向部は、前記第2の超電導層と同一の酸化物材料から構成されており、前記第1の超電導層と前記第2の超電導層とが接続されると共に、前記非配向部が前記第1の超電導層と接合されていることを特徴とする酸化物超電導線材の接続構造。
前記第2の超電導層は、前記酸化物材料が前記第2の基板上に配向して構成された酸化物超電導体からなる配向部を有し、前記非配向部は、前記配向部に比べて空孔を有することを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導線材の接続構造。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。なお、図面は模式図であり、各構成要素の寸法比率などは、実際と必ずしも同じではない。
図1に、実施形態の接続構造の斜視図を示す。また、
図2に、接続構造の長手方向に垂直な方向の断面図を示す。この接続構造40は、2本の接続対象線材10,20の間が、接続用超電導線材30を介して接続された構造からなる。
【0011】
接続対象線材10,20は、それぞれ、基板11,21上に超電導層13,23を有する酸化物超電導線材からなる。それぞれの接続対象線材10,20は、基板11,21の一方の主面上に、中間層12,22を介して超電導層13,23が形成された積層構造を有する。また、本実施形態の接続用超電導線材30は、基板31上に超電導層33を有する酸化物超電導線材からなる。この接続用超電導線材30は、基板31の一方の主面上に、中間層32を介して超電導層33が形成された積層構造を有する。接続対象線材10,20の周囲には、金属等からなる保護層14,24が形成されている。
【0012】
本実施形態の接続構造40では、接続対象線材10,20は、長手方向の端部を、長手方向に対向させるように配置されている。接続対象線材10,20の長手方向の端部同士が接触するように突き合わされてもよく、接続対象線材10,20の長手方向の端部の間に隙間を有してもよい。なお、基板11,21の主面上において、長手方向に交差する方向が、幅方向である。
【0013】
接続用超電導線材30は、その超電導層33が、接続対象線材10,20の超電導層13,23と対向して重なり合うように、配置されている。これにより、接続対象線材10,20が接続用超電導線材30を介して接続されている。接続対象線材10,20の超電導層13,23と、接続用超電導線材30の超電導層33との間は、超電導接続がなされるように、接触または一体化していることが好ましい。このため、接続対象線材10,20の超電導層13,23と、接続用超電導線材30の超電導層33との間に、半田など、超電導層13,23,33よりも電気抵抗が大きい材料が介在しないことが好ましい。
【0014】
接続用超電導線材30のうち少なくとも接続対象線材10,20と対向する部分において、接続用超電導線材30の超電導層33は、配向部34と非配向部35とを有する。超電導層33は、基板31の長手方向に延びる非配向部35を介して基板31の幅方向に複数の部分に分割されている。配向部34の超電導層33は、酸化物材料が例えば基板31の二軸に配向して構成された酸化物超電導体から構成されている。
【0015】
図2に示す例では、非配向部35は、中間層32に対応する層と超電導層33に対応する層とを含む。非配向部35は、基板31の表面で部分的に形成された配向阻害部(図示せず)上に中間層32および超電導層33を積層することで形成してもよい。また、中間層32を構成する少なくとも1層において部分的に形成された配向阻害部(図示せず)上に中間層32の残りの層または超電導層33を積層することで形成してもよい。非配向部35は、配向部34における中間層32および超電導層33の境界面に相当する界面を含んでもよい。非配向部35は、配向部34に比べて、空孔を有してもよい。非配向部35の超電導層33に対応する層は、配向部34の超電導層33と同一の酸化物材料から構成されていてもよい。超電導層33の配向部34だけでなく非配向部35も、接続対象線材10,20の超電導層13,23との接合に寄与するため、密着力が向上する。
【0016】
本実施形態の接続構造40においては、接続用超電導線材30の電流特性が、接続対象線材10,20の電流特性と同等以上であることが好ましい。これにより、接続構造40の電流特性が、接続用超電導線材30の電流特性に制限されることなく、接続対象線材10,20の電流特性と同等以上となる。電流特性としては、具体的には臨界電流(Ic)が挙げられる。
【0017】
接続用超電導線材30の配向部34が幅方向に2本以上並列して設けられている場合は、各配向部34の1本ずつの電流特性が、接続対象線材10,20の電流特性と同等以上でなくてもよく、2本以上の配向部34を合計した電流特性が、接続対象線材10,20の電流特性と同等以上であればよい。接続対象線材10,20の電流特性に差がある場合は、接続用超電導線材30の電流特性が、少なくとも、接続対象線材10,20のうち低い方の電流特性と同等以上であることが好ましい。接続用超電導線材30の電流特性が、接続対象線材10,20の平均の電流特性と同等以上でもよく、接続対象線材10,20のうち高い方の電流特性と同等以上でもよい。
【0018】
接続用超電導線材30の電流特性を高くする手法としては、例えば、次の(1)〜(3)、またはこれらのうち2以上の組み合わせが挙げられる。
(1)接続用超電導線材30の超電導層33が、接続対象線材10,20の超電導層13,23に比べて、結晶の配向性が良質な酸化物超電導体からなる。
(2)接続用超電導線材30の超電導層33の膜厚が、接続対象線材10,20の超電導層13,23の膜厚より厚い。
(3)接続用超電導線材30の超電導層33が、人工的な結晶欠陥を含む。
【0019】
なお、(3)の場合、接続対象線材10,20の超電導層13,23が人工的な結晶欠陥を含まない場合に限らず、含む場合もあり得る。接続用超電導線材30の超電導層33と、接続対象線材10,20の超電導層13,23との両方が人工的な結晶欠陥を含む場合には、人工的な結晶欠陥の種類や程度の差、あるいは上述の(1)または(2)等により、電流特性に差を設けることができる。
【0020】
接続用超電導線材30の超電導層33において、結晶の配向性が良質な酸化物超電導体としては、例えば接続用超電導線材30の中間層32の配向性を、接続対象線材10,20の中間層12,22の配向性よりも高くする方法等が挙げられる。接続用超電導線材30の超電導層33を構成する酸化物超電導体として、接続対象線材10,20の超電導層13,23を構成する酸化物超電導体よりも電流特性が高い材料を用いてもよい。接続対象線材10,20の超電導層13,23は長尺で安定的に形成できる材料が好ましく、接続用超電導線材30の超電導層33は短尺でも電流特性が高い材料が好ましい。
人工的な結晶欠陥としては、異種材料による人工ピンなどが挙げられる。超電導層に人工ピンを導入するために用いられる異種材料としては、例えば、BaSnO
3(BSO)、BaZrO
3(BZO)、BaHfO
3(BHO)、BaTiO
3(BTO)、SnO
2、TiO
2、ZrO
2、LaMnO
3、ZnO等の1種または2種以上が挙げられる。
【0021】
次に、接続対象線材10,20および接続用超電導線材30を構成する酸化物超電導線材について、説明する。
基板11,21,31は、テープ状の金属基板である。各基板は、厚さ方向の両側に、それぞれ主面を有する。各基板を構成する金属の具体例として、ハステロイ(登録商標)に代表されるニッケル合金、ステンレス鋼、ニッケル合金に集合組織を導入した配向Ni−W合金などが挙げられる。基板の厚さは、目的に応じて適宜調整すれば良く、例えば10〜1000μmの範囲である。
【0022】
中間層12,22,32は、基板11,21,31と超電導層13,23,33との間に設けられる。中間層は、多層構成でもよく、例えば基板側から超電導層側に向かう順で、拡散防止層、ベッド層、配向層、キャップ層等を有してもよい。これらの層は必ずしも1層ずつ設けられるとは限らず、一部の層を省略する場合や、同種の層を2以上繰り返し積層する場合もある。
【0023】
超電導層13,23,33は、酸化物超電導体から構成される。酸化物超電導体としては、例えば一般式REBa
2Cu
3O
7−x(RE123)等で表されるRE−Ba−Cu−O系酸化物超電導体が挙げられる。希土類元素REとしては、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luのうちの1種又は2種以上が挙げられる。酸化物超電導層の厚さは、例えば0.5〜5μm程度である。
【0024】
保護層14,24は、事故時に発生する過電流をバイパスしたり、超電導層13,23,33と保護層14,24の上に設けられる層との間で起こる化学反応を抑制したりする等の機能を有する。保護層14,24の材質としては、例えば銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、金と銀との合金、その他の銀合金、銅合金、金合金などが挙げられる。保護層14,24の厚さは、例えば1〜30μm程度であり、保護層14,24を薄くする場合は、10μm以下でもよい。
【0025】
保護層14,24を厚さ方向に2層以上積層することも可能である。例えば、酸素アニール前には、保護層14,24として高温条件下で酸素を透過可能な銀または銀合金を積層し、酸素アニール後に、銀または銀合金の上に銅等を積層してもよい。また、酸素アニール後には、接続構造40における接続対象線材10,20または接続用超電導線材30の周囲に、保護層14,24と同様な金属層を設け、超電導層13,23,33等を被覆してもよい。保護層14,24の上には、安定化層(図示せず)等を設けてもよい。安定化層としては、Cu,Ag,Al,Sn,Ti、合金等の金属のめっき層又は金属箔が挙げられる。安定化層は、2種以上を積層して構成されてもよい。
【0026】
接続構造40の作製方法としては、基板11,21上に中間層12,22及び超電導層13,23を有する接続対象線材10,20を作製し、少なくとも超電導層13,23上を含む接続対象線材10,20の周囲に保護層14,24を積層した後、接続対象線材10,20の超電導層13,23を、接続用超電導線材30の超電導層33を介して接続する方法が挙げられる。
【0027】
接続前の接続対象線材10,20において、接続用超電導線材30を重ね合わせる部分の超電導層13,23上に保護層14,24が形成されている場合は、その部分の保護層14,24の少なくとも一部を除去することが好ましい。接続対象線材10,20の超電導層13,23を、接続用超電導線材30の超電導層33と重ね合わせた後、界面の電気抵抗を抑制するために、超電導体を拡散接合したり、接続後に酸素アニールをして超電導層13,23,33の劣化を回復させたりしてもよい。拡散接合では、対向する超電導層に含まれる超電導体が同種または類似の材料であることが好ましい。また、酸素アニールにより、酸化物超電導体の金属元素に対する酸化物の比を最適化することができる。
【0028】
接続用超電導線材30の非配向部35に連続した空孔があると、接続後の酸素アニールの際に超電導層13,23,33に酸素を流通させることができる。接続後でも酸素の導入が妨げられず、酸素導入に多大な時間を要しない。接続対象線材10,20および接続用超電導線材30の酸素アニールは、接続対象線材10,20を接続用超電導線材30と接続した後に、少なくとも1回行うことが好ましい。超電導層が露出された線材を接続した後は、少なくとも露出されている超電導層の上に、超電導層が露出しないように、銀等の保護層を積層することが好ましい。
【0029】
接続対象線材10,20の長手方向の端部の間に間隙がある場合には、この間隙に充填物など(図示せず)を介在させることも可能である。充填物としては、金属や樹脂等が挙げられる。接続対象線材10,20の超電導層13,23と接続用超電導線材30の超電導層33との間が超電導接続されている場合、超電導層13,23,33の周囲に導体または電気絶縁体が存在しても、線材の超電導特性に影響しない。
【0030】
以上、本発明を好適な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。改変としては、各実施形態における構成要素の追加、置換、省略、その他の変更が挙げられる。また、2以上の実施形態に用いられた構成要素を適宜組み合わせることも可能である。
【0031】
接続部を介して長手方向に2本以上の酸化物超電導線材が接続された線材を得る場合、長尺の接続対象線材と短尺の接続用超電導線材を交互に繰り返し接続してもよい。または、長尺の接続対象線材の端部に対して、長尺の接続用超電導線材の端部を接続する際に、接続用超電導線材の端部に非配向部を設けてもよい。第1端に非配向部を有し、第2端に非配向部を有しない超電導線材を2本以上用意し、長手方向に隣り合う線材間で、非配向部を有する第1端と非配向部を有しない第2端とを対向させた接続構造を設けてもよい。
【0032】
酸化物超電導線材を使用して超電導コイルを作製するには、例えば線材を巻き枠の外周面に沿って必要な層数巻き付けてコイル形状の多層巻きコイルを構成した後、巻き付けた線材を覆うようにエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させて、線材を固定することができる。コイルは、軸方向に多数配置される場合がある。この場合、各コイルは線材の幅方向に隣接することから、接続用超電導線材の幅方向両端が、接続対象線材の幅方向両端から突出しないことが好ましい。
【実施例】
【0033】
以下、実施例をもって本発明を具体的に説明する。ここでは、4mm幅の超電導線材を接続対象線材とし、その端部間を接続用超電導線材で橋かけ(ブリッジ)状に接続する例を示す。なお、電気的特性は、線材が超電導状態になる液体窒素温度で測定した。
【0034】
1.実施例に用いる接続対象線材の作製
(1−1)基板として幅12mm、長さ5m、厚さ0.75mm(750μm)のハステロイ(登録商標)C−276からなる基板を用意し、平均粒径3μmのアルミナ(Al
2O
3)粒子を使用して、基板の主面上を研磨した。
(1−2)エタノールまたはアセトン等の有機溶媒で基板を脱脂、洗浄した。
(1−3)イオンビームスパッタ法により、基板の主面上に拡散防止層として厚さ100nmのAl
2O
3層を成膜した。
(1−4)イオンビームスパッタ法により、Al
2O
3層の表面上にベッド層として厚さ30nmのY
2O
3層を成膜した。
(1−5)イオンビームアシスト蒸着法により、Y
2O
3層の表面上に配向層として厚さ5〜10nmのMgO層を成膜した。
(1−6)パルスレーザ蒸着法により、MgO層の表面上にキャップ層として厚さ500nmのCeO
2層を成膜した。CeO
2層の結晶面内配向度(Δφ)は4.0°であった。
(1−7)パルスレーザ蒸着法により、CeO
2層の表面上に超電導層として厚さ2μmのGdBa
2Cu
3O
7−x層を成膜した。
(1−8)DCスパッタ法により、保護層として厚さ2μmのAg層を成膜した。
(1−9)酸素アニールを500℃で10時間行い、26時間炉冷した後、炉から線材を取り出した。
(1−10)赤外レーザにより長手方向に沿って線材を切断し、幅4mmで3本の接続対象線材を得た。そのうち2本の線材の電流特性を測定したところ、超電導状態を維持して通電可能な通電電流値(臨界電流値)は、2本とも200Aであった。
(1−11)電流特性を測定した2本の線材の片端部から長手方向に7cmの区間のAg層を溶解し、超電導層を露出させた後、端部同士を突き合わせた。
【0035】
2.実施例に用いる接続用超電導線材の作製
(2−1)〜(2−5)は、基板の長さを2mとする以外は、(1−1)〜(1−5)と同様に実施した。
(2−6)針状物によりMgO層の上から引っ掻き、長手方向に延びる傷を略平行に複数本形成した。傷は、深さが3〜5μm、幅が30〜50μm、粗さがRaで10〜30nm、隣り合う傷の間の幅方向の距離を760μmとした。
(2−7)パルスレーザ蒸着法により、MgO層の表面上にキャップ層として厚さ500nmのCeO
2層を成膜した。傷がない部分のCeO
2層の結晶面内配向度(Δφ)は4.0°であった。
(2−8)パルスレーザ蒸着法により、CeO
2層の表面上に超電導層として厚さ3.3μmのGdBa
2Cu
3O
7−x層を成膜した。
(2−9)DCスパッタ法により、保護層として厚さ2μmのAg層を成膜した。
(2−10)酸素アニールを500℃で10時間行い、26時間炉冷した後、炉から線材を取り出した。
(2−11)赤外レーザにより長手方向に沿って線材を切断し、幅4mmで3本の超電導線材を得た。そのうち1本の線材の電流特性を測定したところ、臨界電流値は230Aであった。
(2−12)電流特性を測定した1本の線材を5cm長に切り割りし、全長にわたりAg層を溶解し、超電導層を露出させ、接続用超電導線材を得た。走査イオン顕微鏡(SIM)または走査電子顕微鏡(SEM)の観察により、傷部は配向部に比べ空孔が多い非配向部になっていた。
【0036】
3.実施例による超電導線材の接続
(3−1)
図1に示すように接続対象線材10,20の超電導層13,23と、接続用超電導線材30の超電導層33とを対向させ、厚さ方向に加圧しつつ重ね合わせた。
(3−2)接続対象線材10,20と接続用超電導線材30との対向する部分を、3×10
−2Torrの減圧下に配置して、接続対象線材10,20の基板11,21側から赤外レーザを照射し、超電導層13,23,33を拡散接合した。レーザ照射条件は、波長が1064nm、エネルギー密度が3×10
5W/cm
2、照射時間が10秒とした。
(3−3)減圧下から線材を取り出した後、接続部の超電導層が露出した箇所と接続部にAgを1μm成膜した。
(3−4)接続部を含む線材の酸素アニールを500℃で10時間行い、26時間炉冷した後、炉から線材を取り出した。
(3−5)接続部を含む線材の通電電流値、接続抵抗、スタッドプル試験による密着力を測定した。接続部を含む線材の通電電流値は200Aであり、接続前の接続対象線材の通電電流値である200Aと同等であった。接続抵抗は1nΩ以下であり、超電導状態を示した。直径φ2.7mmのスタッドピンを用いたスタッドプル試験による密着力(MPa)は、5サンプルに対して、それぞれ31MPa,33MPa,43MPa,48MPa,55MPaであった。
【0037】
4.比較例による超電導線材の接続
(4−1)接続対象線材は、実施例の(1−1)〜(1−11)と同様に作製した。
(4−2)比較例の接続用超電導線材を準備するため、実施例の接続対象線材の(1−1)〜(1−10)と同様に線材を作製した後、線材を30cm長に切り割りして、端部から長手方向に12.5〜17.5cmとなる5cmの区間において基板上の超電導層を幅方向に4分割した。この4分割加工は、波長532nm、周波数500kHz、出力12W、パルス幅10ps、加工速度300mm/s、溝1本ごとにレーザ照射3回繰り返しの条件で、スクライブ加工により、基板が切断されないように3本の溝を作製する手順により実施した。それぞれの溝幅は30μmであった。溝加工後の線材の通電電流値は190Aであった。スクライブ加工した5cmの区間を赤外CWレーザにより切断した後、Ag層を溶解し、超電導層を露出させ、5cm長の接続用超電導線材を得た。
(4−3)5cm長でスクライブ加工した接続用超電導線材の両端部を、それぞれ接続対象線材の端部に対向させ、厚さ方向に加圧しつつ重ね合わせた。この対向する部分を、3×10
−2Torrの減圧下に配置して、接続対象線材の基板側から赤外レーザを照射し、超電導層を拡散接合した。レーザ照射条件は、波長が1064nm、エネルギー密度が3×10
5W/cm
2、照射時間が10秒とした。
(4−4)減圧下から線材を取り出した後、接続部の超電導層が露出した箇所と接続部にAgを1μm成膜した。
(4−5)接続部を含む線材の酸素アニールを500℃で10時間行い、26時間炉冷した後、炉から線材を取り出した。
(4−6)接続部を含む線材の通電電流値、接続抵抗、スタッドプル試験による密着力を測定した。接続部を含む線材の通電電流値は190Aであり、接続前の接続対象線材の通電電流値である200Aよりも低下した。接続抵抗は1nΩ以下であり、超電導状態を示した。直径φ2.7mmのスタッドピンを用いたスタッドプル試験による密着力(MPa)は、5サンプルに対して、それぞれ20MPa,25MPa,33MPa,38MPa,50MPaであった。
【0038】
以上のように、スタッドプル試験の結果に顕著な差異を生じ、実施例の密着性が優れていることが確認された。
実施例の密着力(MPa):31,33,43,48,55。
比較例の密着力(MPa):20,25,33,38,50。
【0039】
また、接続用超電導線材の電流特性が、接続対象線材の電流特性と同等以上であれば、接続部を含む線材の通電電流値が、接続前の接続対象線材の通電電流値と同等となった。また、接続用超電導線材の電流特性が、接続対象線材の電流特性より低ければ、接続部を含む線材の通電電流値が、接続前の接続対象線材の通電電流値より低くなった。