特許 6873034 結晶性有機半導体材料の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6873034

(24)【登録日】2021年4月22日

(45)【発行日】2021年5月19日

(54)【発明の名称】結晶性有機半導体材料の製造方法

(51)【国際特許分類】

   C07D 471/04 20060101AFI20210510BHJP

   C07D 495/04 20060101ALI20210510BHJP

   C07D 495/14 20060101ALI20210510BHJP

   C09K 11/06 20060101ALI20210510BHJP

   H01L 51/05 20060101ALI20210510BHJP

   H01L 51/30 20060101ALI20210510BHJP

   H01L 51/40 20060101ALI20210510BHJP

   H01L 21/336 20060101ALI20210510BHJP

   H01L 29/786 20060101ALI20210510BHJP

   H01L 51/46 20060101ALI20210510BHJP

   H01L 51/48 20060101ALI20210510BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20210510BHJP

【ＦＩ】

   C07D471/04 112Z

   C07D495/04 101

   C07D495/14 A

   C09K11/06 635

   C09K11/06 645

   H01L29/28 100A

   H01L29/28 250H

   H01L29/28 310J

   H01L29/78 618A

   H01L29/78 618B

   H01L31/04 154C

   H01L31/04 154D

   H01L31/04 182A

   H05B33/14 B

   H05B33/22 B

   H05B33/22 D

【請求項の数】19

【全頁数】112

(21)【出願番号】特願2017-509704(P2017-509704)

(86)(22)【出願日】2015年8月17日

(65)【公表番号】特表2017-528447(P2017-528447A)

(43)【公表日】2017年9月28日

(86)【国際出願番号】IB2015056249

(87)【国際公開番号】WO2016027218

(87)【国際公開日】20160225

【審査請求日】2018年8月8日

【審判番号】不服2020-9828(P2020-9828/J1)

【審判請求日】2020年7月14日

(31)【優先権主張番号】14181269.3

(32)【優先日】2014年8月18日

(33)【優先権主張国】EP

(73)【特許権者】

【識別番号】520139099

【氏名又は名称】クラップ カンパニー リミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＣＬＡＰ ＣＯ．， ＬＴＤ．

(74)【代理人】

【識別番号】100114890

【弁理士】

【氏名又は名称】アインゼル・フェリックス＝ラインハルト

(74)【代理人】

【識別番号】100098501

【弁理士】

【氏名又は名称】森田 拓

(74)【代理人】

【識別番号】100116403

【弁理士】

【氏名又は名称】前川 純一

(74)【代理人】

【識別番号】100134315

【弁理士】

【氏名又は名称】永島 秀郎

(74)【代理人】

【識別番号】100135633

【弁理士】

【氏名又は名称】二宮 浩康

(74)【代理人】

【識別番号】100162880

【弁理士】

【氏名又は名称】上島 類

(72)【発明者】

【氏名】トーマス ヴァイツ

(72)【発明者】

【氏名】イリヤ ウラディミロフ

(72)【発明者】

【氏名】ティツィアナ キオード

(72)【発明者】

【氏名】トーマス ザイフリート

【合議体】

【審判長】 加藤 浩一

【審判官】 小川 将之

【審判官】 小田 浩

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００９−７８９６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１１−５１４８８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１１−５２２０９７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

H01L 21/368

H01L 27/28

H01L 51/00

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

結晶性有機半導体材料を製造する方法であって、
（ａ）少なくとも１種の溶媒（Ｌ１）と、（Ｌ１）とは異なる少なくとも１種の溶媒（Ｌ２）とを含有する溶媒混合物に少なくとも１種の有機半導体Ａ）を入れた溶液を用意する工程、ここで溶媒（Ｌ１）は、
・１０１３．２５ｍｂａｒで少なくとも１４０℃という沸点、
・２３℃で少なくとも１．２ｍＰａｓという粘度、及び
・２０℃で少なくとも３１．５ｍＮ／ｍという表面張力
を示し、
（ｂ）工程（ａ）で用意した溶液を基板表面に適用して、溶媒混合物を蒸発させ、有機半導体Ａ）を結晶化させる工程
を有し、前記少なくとも１種の有機半導体Ａ）が、
一般式（ＩＩ．ａ）のリレン化合物：

【化1】

上記式中、
ｎは、１、２、３、又は４であり、
Ｒ^a、及びＲ^bは相互に独立して、水素、非置換又は置換されたアルキル、非置換又は置換されたアルケニル、非置換又は置換されたアルカジエニル、非置換又は置換されたアルキニル、非置換又は置換されたシクロアルキル、非置換又は置換されたビシクロアルキル、非置換又は置換されたシクロアルケニル、及び非置換又は置換されたヘテロシクロアルキルから選択され、
基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³、及びＲⁿ⁴は、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ及びＣＮから選択され、
溶媒（Ｌ１）が、以下のもの：
Ｌ１．１）式（Ｉ．１）の化合物：

【化2】

から選択される、２０℃、及び１０１３ｍｂａｒで液状の化合物少なくとも１種、
上記式中、
Ｘ¹及びＸ²は、_*−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−であり、ここで_*は、芳香族の炭素環に対する結合点であり、かつ、
Ｒ^c、及びＲ^dは、独立して、非分枝状、及び分枝鎖状のＣ₁〜Ｃ₁₂アルキル、及びＣ₂〜Ｃ₁₂アルケニルから選択され、
Ｌ１．３）ヒドロキシ安息香酸エステル、
及びこれらの化合物の混合物
から選択され、
溶媒（Ｌ２）が、
・脂環式環を含む多環式炭化水素とは異なる脂肪族、脂環式、及び芳香族の炭化水素、
・芳香族エーテル、
・開鎖脂肪族エーテル、ポリエーテル、エーテルアルコール、及び環状エーテル、
・芳香族脂肪族ケトンとは異なるケトン、
・安息香酸アルキル、ヒドロキシ安息香酸エステル、およびアルキレンカーボナートとは異なるエステル、
・脂肪族、及び脂環式アルコール、
・ベンゼン系アルコール、
・ハロゲン化芳香族化合物、
・チオフェノール、及びアルキルチオ置換されたベンゼン、
・５員環、６員環、又は７員環のシクロヘテロアルキル基に縮合されたフェニル基を有する、芳香族化合物、
・５員環のヘテロアリール化合物、及びベンゾ縮合した５員環のヘテロアリール化合物、
・芳香族カルボン酸、
・芳香族アルデヒド、
・トリフルオロメチル置換されたベンゼン化合物、
・シアノ置換、又はイソシアノ置換されたベンゼン化合物、
・ニトロ置換されたベンゼン化合物、
・フェニルスルホン、
・６員環のヘテロアリール化合物、及びベンゾ縮合された６員環のヘテロアリール化合物、
・ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）およびＮ−メチルピロリドンとは異なる非プロトン性極性溶媒、及び
・これらの化合物の混合物
から選択される、前記方法。

【請求項2】

有機半導体Ａ）の結晶化が、気液界面から進行する、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

溶媒（Ｌ１）と、（Ｌ１）とは異なる少なくとも１種の溶媒（Ｌ２）とを含有する溶媒混合物に有機半導体Ａ）を入れた溶液を用意した後、有機半導体Ａ）の結晶化を起こすために、前記溶液にさらなる成分を添加しない、請求項１又は２に記載の方法。

【請求項4】

得られた結晶性有機半導体材料が、１０×１０μｍ²より大きい面積を有し、ここで平均厚さは最大０．１μｍ、より好ましくは最大０．０５μｍ、特に最大０．０１μｍである、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。

【請求項5】

工程ａ）で用いられる溶媒（Ｌ１）と、（Ｌ１）とは異なる少なくとも１種の溶媒（Ｌ２）とを含有する溶媒混合物は、１０１３．２５ｍｂａｒで少なくとも１５０℃の沸点を有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。

【請求項6】

溶媒（Ｌ１）が、２３℃で１．３〜１０００ｍＰａｓの範囲の粘度を示す、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。

【請求項7】

溶媒（Ｌ１）が、２０℃で３２〜６５ｍＮ／ｍの範囲、好ましくは３２〜４４ｍＮ／ｍの範囲にある表面張力を示す、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。

【請求項8】

有機半導体Ａ）が、工程ａ）で用いられる溶媒（Ｌ１）と、（Ｌ１）とは異なる少なくとも１種の溶媒（Ｌ２）とを含有する溶媒混合物中で、２０℃で少なくとも０．０１ｍｇ／ｍｌ、好ましくは少なくとも０．０５ｍｇ／ｍｌの溶解度を示す、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。

【請求項9】

前記溶媒混合物中の溶媒（Ｌ１）の量が、該溶媒混合物の全質量に対して１〜９９質量％の範囲、好ましくは２〜９８質量％の範囲、より好ましくは５〜９５質量％の範囲にある、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。

【請求項10】

式（Ｉ．１）の化合物において、Ｒ^c及びＲ^dが独立して、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、イソブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、ｎ−ノニル、イソノニル、イソデシル、２−プロピルヘプチル、ｎ−ウンデシル、及びイソウンデシルから選択される、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。

【請求項11】

溶媒（Ｌ１）が、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジ（ｎ−プロピル）フタレート、ジ（ｎ−ブチル）フタレート、ジアリルフタレート、エチルサリチレート及びこれらの化合物の混合物から選択される、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。

【請求項12】

請求項１〜１１のいずれかに記載の方法において、
一般式（ＩＩ．ａ）のリレン化合物における、Ｒ^a及びＲ^bは相互に独立して、水素、直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル、ペルフルオロＣ₁〜Ｃ₃₀アルキル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ₂〜Ｃ₃₀アルキル、及び１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキルから選択される、
前記方法。

【請求項13】

請求項１２に記載の方法において、
Ｒ^a、及びＲ^bは、一般式（ＩＩＩ．１）、（ＩＩＩ．２）、及び（ＩＩＩ．３）の基から選択され：

【化3】

上記式中、
＃は結合箇所であり、
式（ＩＩＩ．１）においてＲ^e及びＲ^fは独立して、Ｃ₁〜Ｃ₂₇アルキルから選択され、ここで基Ｒ^e及びＲ^fの炭素原子の合計は、２〜２８の整数であり、
式（ＩＩＩ．２）においてＲ^g及びＲ^hは独立して、Ｃ₁〜Ｃ₂₈アルキルから選択され、ここでＲ^g及びＲ^hの炭素原子の合計は、２〜２９の整数であり、
式（ＩＩＩ．３）においてＲⁱ、Ｒ^k、及びＲ^lは独立して、Ｃ₁〜Ｃ₂₇アルキルから選択され、ここで基Ｒⁱ、Ｒ^k、及びＲ^lの炭素原子の合計は、３〜２９の整数である、
前記方法。

【請求項14】

Ｒ^a、及びＲ^bが同じである、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。

【請求項15】

請求項１〜１４のいずれかに記載の方法において、成分Ａ）が、一般式（ＩＩ．ａ１）の化合物：

【化4】

から選択され、
上記式中、
Ｒ^a、及びＲ^bは請求項１又は１２〜１４のいずれかで規定した通りであり、
Ｒ¹²、及びＲ²³は独立して、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＣＮから選択され、かつ
Ｒ¹¹、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ²¹、Ｒ²²、及びＲ²⁴は水素である、
前記方法。

【請求項16】

請求項１から１５までのいずれか１項で規定した方法によって得られる有機半導体結晶の使用であって、半導体材料、好ましくは有機エレクトロニクスにおける、又は有機光電池における半導体材料を製造するための、前記使用。

【請求項17】

電子デバイス、光学デバイス、光電子デバイス、又はセンサの製造方法であって、
（ａ）溶媒（Ｌ１）と、（Ｌ１）とは異なる少なくとも１種の溶媒（Ｌ２）とを含有する溶媒混合物に少なくとも１種の有機半導体Ａ）を入れた溶液を用意する工程、ここで溶媒（Ｌ１）は、
・１０１３．２５ｍｂａｒで少なくとも１４０℃という沸点、
・２３℃で少なくとも１．２ｍＰａｓという粘度、及び
・２０℃で少なくとも３１．５ｍＮ／ｍという表面張力
を示し、
（ｂ）工程（ａ）で用意した溶液を、基板表面に適用して、溶媒混合物を蒸発させ、有機半導体Ａ）を結晶化させる工程、
を含み、
ここで工程ｂ）で用意した基板は、電子デバイス、光学デバイス、又は光電子デバイスの基板であるか、又は工程ｂ）で形成された結晶は、電子デバイス、光学デバイス、光電子デバイス、又はセンサに移行され、
前記少なくとも１種の有機半導体Ａ）が、
一般式（ＩＩ．ａ）のリレン化合物：

【化5】

上記式中、
ｎは、１、２、３、又は４であり、
Ｒ^a、及びＲ^bは、相互に独立して、水素、非置換又は置換されたアルキル、非置換又は置換されたアルケニル、非置換又は置換されたアルカジエニル、非置換又は置換されたアルキニル、非置換又は置換されたシクロアルキル、非置換又は置換されたビシクロアルキル、非置換又は置換されたシクロアルケニル、及び非置換又は置換されたヘテロシクロアルキルから選択され、
基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³、及びＲⁿ⁴は、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ及びＣＮから選択され、
溶媒（Ｌ１）が、以下のもの：
Ｌ１．１）式（Ｉ．１）の化合物：

【化6】

から選択される、２０℃、及び１０１３ｍｂａｒで液状の化合物少なくとも１種、
上記式中、
Ｘ¹及びＸ²は、_*−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−であり、ここで_*は、芳香族の炭素環に対する結合点であり、かつ、
Ｒ^c、及びＲ^dは、独立して、非分枝状、及び分枝鎖状のＣ₁〜Ｃ₁₂アルキル、及びＣ₂〜Ｃ₁₂アルケニルから選択され、
Ｌ１．３）ヒドロキシ安息香酸エステル、
及びこれらの化合物の混合物
から選択され、
溶媒（Ｌ２）が、
・脂環式環を含む多環式炭化水素とは異なる脂肪族、脂環式、及び芳香族の炭化水素、
・芳香族エーテル、
・開鎖脂肪族エーテル、ポリエーテル、エーテルアルコール、及び環状エーテル、
・芳香族脂肪族ケトンとは異なるケトン、
・安息香酸アルキル、ヒドロキシ安息香酸エステル、およびアルキレンカーボナートとは異なるエステル、
・脂肪族、及び脂環式アルコール、
・ベンゼン系アルコール、
・ハロゲン化芳香族化合物、
・チオフェノール、及びアルキルチオ置換されたベンゼン、
・５員環、６員環、又は７員環のシクロヘテロアルキル基に縮合されたフェニル基を有する、芳香族化合物、
・５員環のヘテロアリール化合物、及びベンゾ縮合した５員環のヘテロアリール化合物、
・芳香族カルボン酸、
・芳香族アルデヒド、
・トリフルオロメチル置換されたベンゼン化合物、
・シアノ置換、又はイソシアノ置換されたベンゼン化合物、
・ニトロ置換されたベンゼン化合物、
・フェニルスルホン、
・６員環のヘテロアリール化合物、及びベンゾ縮合された６員環のヘテロアリール化合物、
・ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）およびＮ−メチルピロリドンとは異なる非プロトン性極性溶媒、及び
・これらの化合物の混合物
から選択される、
前記製造方法。

【請求項18】

工程（ｂ）において、基板表面の少なくとも一部への、工程（ａ）で用意した組成物の適用を、印刷によって行う、請求項１７に記載の製造方法。

【請求項19】

前記デバイスが、有機電界効果トランジスタ、エレクトロルミネッセンス装置、有機太陽電池、及び光検出器から選択される、請求項１７又は１８に記載の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、結晶化の条件により、有利な半導体特性を有する、気液界面での結晶の形成につながる結晶性有機半導体材料の新規製造方法に関する。本発明はまた、前記製造方法により得られる結晶性有機半導体材料、及び有機半導体デバイス、特に有機電界効果トランジスタ及び有機太陽電池を製造するための、前記結晶性有機半導体材料の使用に関する。

【0002】

低分子量分子又はポリマー材料に基づく有機半導体は、既に電子産業の多くの分野で使用されている。多くの場合、これらの有機半導体は、従来の無機半導体に比べて、例えばより良好な基板適合性、及びこのような有機材料に基づく半導体部材のより良好な加工性という利点を有する。これらの材料により、可撓性基板上での加工が可能になり、その軌道エネルギーを分子モデリング法により、特定の適用範囲に厳密に調整することができる。このような部材のコストが著しく削減されたことによって、有機エレクトロニクスの調査分野が急増した。

【0003】

有機エレクトロニクスは原則的に、新規材料の開発、及び有機半導体層に基づく電子部材を製造するための製造方法に関わる。これには特に、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、及び有機エレクトロルミネッセンスデバイス（以下、「ＥＬ」デバイスと省略）が含まれる。開発の大きな可能性は、有機電界効果トランジスタ、例えば記憶素子、バックプレイン、及び集積型光電子デバイスに起因する。有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、電界効果が適用された時に、蛍光材料が、アノードから注入された正孔と、カソードから注入された電子との再結合エネルギーによって光を放射するという原理を利用した自己放射性デバイスである。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の形態のＥＬデバイスは、陰極線管に代わるものとして、また平坦な視覚的ディスプレイユニットを製造するための液晶ディスプレイとして、特に興味深い。デザインが非常にコンパクトで、本来的に電力消費が少ないため、ＯＬＥＤを有するデバイスは、モバイル適用、例えば携帯電話、ラップトップ型パソコンなどにおける適用に特に適している。

【0004】

有機光電池は原則的に、有機太陽電池用の新規材料の開発と関連している。開発のための大きな可能性は、最大の輸送幅、及び光により誘発された励起状態のための高い移動度（高い励起子拡散長）を有する材料に起因し、このためこの材料は、いわゆる励起子太陽電池における活性材料として使用するために、有利に適している。これは一般的に、このような材料に基づく太陽電池によって可能であり、良好な量子収率が得られる。

【0005】

様々な種類の化学センサが知られており、それは特に電子伝導性センサ、水晶発振子微量天秤を利用した質量感知センサ、表面弾性波センサ、及び光学センサである。充分な結晶サイズを有する有機半導体は、ガスセンサのための有望な候補である。これらは例えば、反応性ガスに対して化学的に敏感であり、酸化又は還元され得る。ガスセンサは、様々な技術分野において幅広い適用が見出されており、例えば作業安全、及び環境保護の分野で、毒性若しくは刺激性の気体、又は蒸気（例えばＣＯ及びＮＯ₂）を検知するために、並びに自動車、航空機、家屋などにおける空調において、また呼気分析用アルコール検知器に適用される。

【0006】

良好な性能特性を有し、かつ大規模で標準的な製造方法により製造可能な有機電子デバイス、有機太陽電池、及び光電子デバイス（例えば有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）、ＯＬＥＤ、印刷可能な回路、キャパシタ、センサなど）を提供することは、今もなお挑戦である。特に、良好な適用特性（例えば高い電荷担体移動度）を有し、かつ周囲条件下で安定的な有機半導体を含有する活性成分の製造を可能にする、コスト効率の良い湿潤処理技術に対する需要がある。

【0007】

溶液処理半導体膜に基づく公知のデバイス製造法には、幾つかの欠点がある。そこで多くの場合、こうして得られた適用特性（例えば電荷担体移動度）は、なお改善しなければならない。さらに、このような処理で用いられる溶媒は、有機半導体との適合性が限定的であるか、又は環境にとって有害である。

【0008】

米国特許出願第２０１４０４２３６９号明細書（US 2014042369 A1）は、液状媒体中に有機半導体を含有する有機半導体調製物を記載しており、ここでこの液状媒体は、第一の液体、及び任意で第二の液体を含有し、第一の液体は、有機半導体化合物の電子構造に対して相補的な電子特性を有する芳香族化合物であり、第二の液体は、有機半導体が、少なくとも約０．１ｍｇ／ｍＬという溶解度を示す溶媒又は溶媒混合物である。この文献は、多数の異なる半導体材料及び溶媒を挙げているものの、実施例で使用される半導体は、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−エチルヘキシル）−（１，７、及び１，６）−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）のみである。試験された溶媒は、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ニトロベンゼン、２−メチルアニソール、キシレン、ジクロロベンゼン、及びベンゾニトリルである。

【0009】

Valery A. Postnikovらは、Cryst. Growth Des.（２０１４年）の14、p.1726〜1737において、気液界面で成長させたチオフェン−フェニレンコオリゴマー（ＴＰＣＯ）の分子的に平滑な単結晶膜の形成を記載している。気体・溶液界面における単結晶成長のために適切な技術は、溶媒・逆溶媒結晶化（ＳＡＣ）、等温緩慢式溶媒蒸発（ＩＳＳＥ）、及び定容式冷却（ＩＣ）である。ＳＡＣのためには、溶媒としてトルエンが使用され、エタノール、イソプロパノール、又はこれらの混合物が、逆溶媒として使用された。ＩＳＳＥ、及びＩＣのためには、トルエン、ヘキサン、及びクロロベンゼンが用いられた。これまで、この文献によると最も好ましい方法は、ＳＡＣである。よって１７３５頁の右側のコラムには、注目すべきこととして、同じＴＰＣＯについて使用された他の溶液結晶成長法に比べて、ＳＡＣにより、横方向の成長速度が高くなることが言及されている。ＩＳＳＥよりもＳＡＣにおいて、横方向の成長速度が高いことは、逆溶媒の使用により、気体・溶液界面における結晶化推進力が強化されたことによって説明できる。第一に、近傍表面層における飽和は、逆溶媒の縮合により、ＳＡＣでは容易になる。第二に、逆溶媒表面エネルギーが、溶媒の表面エネルギーよりも小さいからである。従って当業者であれば、ＳＡＣ以外の気液界面結晶化技術を用いることを考慮しなかったであろう。

【0010】

H. Minemawariらは、Nature, vol. 475（２０１１年７月２１日）のp.364〜367で、逆溶媒結晶化の技術と、インクジェット印刷とを組み合わせて、結晶性が高い有機半導体薄膜を製造する方法を記載している。特に、逆溶媒の微細な液滴と、活性半導体成分の溶液とを非晶質基材上の限られた領域内で混合することにより、液体・空気界面で成長する均一な単結晶又は多結晶の薄膜を制御しながら形成することができる。全ての実施例において、１，２−ジクロロベンゼンが溶媒として使用され、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが、逆溶媒として使用される。

【0011】

公知の結晶化法によって得られる、結晶性有機半導体材料に基づく半導体デバイスの適用特性は、なお改善する必要がある。多くの場合、こうして得られる結晶の特性は、良好な結晶のみが良好な半導体特性につながるため、充分ではない。意図する使用にとって充分に大きい単結晶を得ることができない場合、できるだけ欠陥が少ない多結晶材料を用いる必要がある。良好な結晶は一般的に、結晶の横方向のサイズに比べて、相対的に薄い結晶層によって特徴付けられる。結晶材料を提供するための良好な方法はまた、結晶欠陥の数を上昇させることなく、より大きな結晶を形成することによって特徴付けられる。

【0012】

従って、大規模で標準的なプロセスにより良好な適用特性を有する半導体デバイスの製造を可能にする、結晶性有機半導体材料を提供するための改善された方法に対する需要がある。

【0013】

意外なことに、多数の様々な有機半導体の結晶化は、１０１３．２５ｍｂａｒで少なくとも１４０℃という沸点、２３℃で少なくとも１．２ｍＰａｓという粘度、及び２０℃で少なくとも３１．５ｍＮ／ｍという表面張力を示す有機溶媒、又はこのような有機溶媒を含有する溶媒混合物からの結晶化によって有利に行うことができると判明した。相応する有機溶媒は、数多くの様々な有機半導体と良好な適合性を示し、生じる液状の有機半導体調製物は、良好な適用特性を有する、様々な結晶性有機半導体材料の製造に適している。上記溶媒又は溶媒混合物を用いることにより、様々な電界効果デバイスにおいて優れた適用特性を示す結晶性薄膜を形成することができる。本発明による方法は特に、周囲条件下、湿潤処理技術による有機薄膜トランジスタ（ＯＦＥＴ）の形成に適している。本発明による液状組成物から得られる半導体層は、良好な固体特性、例えば良好な結晶性によって特徴付けられる。結果として、半導体組成物により作製された電界効果デバイス（例えば薄膜トランジスタ）は通常、周囲条件下で高い性能を示し、例えば１つ以上の以下の特性によって特徴付けられる：高い電荷移動度、低い閾値電圧、及び高い電流オン／オフ比。

【0014】

発明の概要
本発明の最初の対象は、以下の工程（ａ）及び（ｂ）を含む結晶性有機半導体材料を製造する方法に関する：
（ａ）溶媒（Ｌ１）に、又は少なくとも１種の溶媒（Ｌ１）を含有する溶媒混合物に少なくとも１種の有機半導体Ａ）を入れた溶液を用意する工程、ここで溶媒（Ｌ１）は、
・１０１３．２５ｍｂａｒで少なくとも１４０℃という沸点、
・２３℃で少なくとも１．２ｍＰａｓという粘度、及び
・２０℃で少なくとも３１．５ｍＮ／ｍという表面張力
を示し、
（ｂ）工程（ａ）で用意した溶液を、基板表面に適用して、溶媒又は溶媒混合物を蒸発させ、有機半導体Ａ）を結晶化させる工程。

【0015】

本発明による方法の特別な特徴は、有機半導体Ａ）の結晶化が、気液界面から進行することである。

【0016】

本発明のさらなる対象は、先に、また以下で規定する方法によって得られる結晶性有機半導体材料である。

【0017】

本発明のさらなる対象は、半導体材料、好ましくは有機エレクトロニクスにおける、又は有機光電池における半導体材料を製造するための、先に、また以下で規定する方法によって得られる有機半導体結晶の使用である。

【0018】

本発明のさらなる対象は、以下の工程（ａ）及び（ｂ）を含む、電子デバイス、光学デバイス、又は光電子デバイスの製造方法である：
（ａ）溶媒（Ｌ１）に、又は溶媒（Ｌ１）を含有する溶媒混合物に少なくとも１種の有機半導体Ａ）を入れた溶液を用意する工程、ここで溶媒（Ｌ１）は、
・１０１３．２５ｍｂａｒで少なくとも１４０℃という沸点、
・２３℃で少なくとも１．２ｍＰａｓという粘度、及び
・２０℃で少なくとも３１．５ｍＮ／ｍという表面張力
を示し、
（ｂ）工程（ａ）で用意した溶液を、基板表面に適用して、溶媒又は溶媒混合物を蒸発させ、有機半導体Ａ）を結晶化させる工程、
ここで工程ｂ）で用意した基板は、電子デバイス、光学デバイス、又は光電子デバイスの基板であるか、又は工程ｂ）で形成された結晶は、電子デバイス、光学デバイス、又は光電子デバイスに移行される。

【0019】

発明の詳細な説明
良い溶媒と、悪い溶媒を区別するための方法は、得られる結晶サイズによる。本発明の意味合いにおいて良好な結晶は、結晶の横方向のサイズに比べて、相対的に薄い結晶層によって特徴付けられる。よって、得られた結晶性有機半導体材料は、１０×１０μｍ²超という面積を有するのが望ましく、ここで平均厚さは、最大０．１μｍである。良好な溶媒はまた、結晶欠陥の数を上昇させることなく、より大きな結晶を形成することによって特徴付けられる。

【0020】

何らかの特定の理論に結びつけるつもりはないが、液状成分Ｂ）が、結晶性有機半導体Ａ）の形成に、また基板上への堆積に有利なため、本発明による組成物から製造される有機半導体成分を含有するデバイスは、改善された特性を示すことができると考えられる。成分Ｂ）は特に、半導体Ａ）に関して充分な可溶性と、充分に低い揮発性との理想的なバランスを示す。結果として、成分Ｂ）により、優れた特性を有する結晶性半導体層が形成される。これにより、有利な固体特性（例えばより大きな結晶子の形成、及び粒界数の低減）につながる。結晶粒度の増大、及び本発明による組成物から堆積される半導体層の結晶性ドメインの増大は、光学顕微鏡によって検知できる（例えば図４ａ、及び４ｂ参照）。より大きな結晶子は、少なくとも部分的に、電荷輸送の改善に貢献することができるが、それは電荷捕捉箇所として働く粒界数の減少によるものかもしれない。

【0021】

以上より、本発明による教示は、例えば所定の有機半導体とのオーダーメードの適合性、良好な結晶性材料の製造、低温加工性、及び加工の多大な融通性といった特性を示す結晶性有機半導体を提供する方法をもたらす。結果として、周囲条件下で高い性能を備え、例えば大きな電荷移動度、低い閾値電圧、及び高い電流オン／オフ比のうち１つ以上を示す、電界効果デバイス（例えば薄膜トランジスタ）につながる結晶性有機半導体が得られる。

【0022】

本発明による方法は特に、以下の利点のうち少なくとも１つを有する：
・特別な溶媒を用いる本発明による方法によって、気液界面（すなわち、主に溶液液滴の上部で）で起こる結晶成長を誘発することができる。
・結晶化は、接触線から基板へと液滴を貫通しないため、また有機半導体は主に基板上では結晶化しないため、基板の性質は、得られる結晶の形状に直接的な影響を与えない。基板の性質はもちろん、上述のように基板表面での結晶の堆積に影響を与え、また電子デバイスの電気特性に影響を与える。
・本発明の方法において核形成箇所は、例えば溶液の注型又は印刷によって、溶液を基板に塗布した直後に形成されている。核からの結晶成長は、液・空気界面で起こる。
・この方法により、面積の大きい薄膜結晶材料（すなわち、半導体材料の結晶膜）の溶液成長が可能になる。
・意外なことに、溶媒（Ｌ１）について、溶液の乾燥時間は、結晶の性質に対して影響を与えないようである。溶媒（Ｌ１）を用いると、厚さが薄く、面積が大きい良好な結晶が得られる。その一方で、別の溶媒を用いると、乾燥時間をそれより長くしても、溶媒（Ｌ１）から得られるような高品質の結晶につながらない。
・有利なことに、粘度調整添加剤（例えば誘電性ポリマー、又は半導体ポリマー）を使用しても、得られる結晶性半導体材料の品質には、否定的な影響を与えない。さらに、意外なことに、粘度調整添加剤を、本発明の意味合いにおける溶媒（Ｌ１）ではない溶媒と組み合わせて、又は溶媒（Ｌ１）を含有しない溶媒混合物と組み合わせて使用しても、得られる結晶性半導体材料は、改善されないことが判明した。
・本発明による方法により、溶液処理法（スピンコート及び様々な印刷技術を含む）によって、半導体Ａ）から様々な物品、構造、又はデバイスを製造することが可能になる。
・ＯＦＥＴ、特に本発明による方法によって半導体組成物から製造されるＯＦＥＴは、以下の特性のうち少なくとも１つを特徴とする：高い電荷輸送移動度、高いオン／オフ比、低い閾値電圧、及び空気安定性。
・こうして得られる有機半導体は、有利な固体特性（例えばより大きな結晶子の形成、粒界数の減少、よって改善された電荷輸送）を有する。
・ＯＦＥＴ、特に本発明による方法によって得られる半導体から製造されるＯＦＥＴは、有機電子デバイスのチャネル領域内において得られる膜の大きな連続性を特徴とする。

【0023】

本発明の文脈において、溶媒（Ｌ１）若しくは（Ｌ２）又は溶媒混合物の沸点、粘度、及び表面張力は、単独の純粋な溶媒、又は純粋な溶媒の混合物に関連する。本発明の意味合いにおいて一般的に、純粋な溶媒は、９５％以上、多くの場合９８％以上の純度を有する。

【0024】

本発明による方法によって得られる結晶性有機半導体材料は、単結晶、多結晶、液晶、又はこれらの組み合わせを含有するか、又はこれらから成っていてよい。

【0025】

単結晶又はモノクリスタルの材料において、半導体材料全体の結晶格子は連続的であり、試料の端部まで破壊されておらず、粒界は無い。多結晶材料は、不規則に配向した結晶性領域（いわゆる結晶子）から構成されている。本発明による多結晶性材料は、結晶欠陥がほとんど無いことを特徴とする。液晶において重要なのは、慣用の液体の特性と、固体結晶の特性との間の特性を有する状態である。特に、本発明の方法によって、液・気界面で成長する均一な単結晶又は多結晶の薄膜が、制御しながら形成される。１つの特別な実施形態において、結晶性有機半導体材料の少なくとも一部は、連続する大きな結晶領域から成る。

【0026】

本発明の方法において結晶成長は、気液界面から進行する。有利なことに、得られる大量の結晶性有機半導体材料は、気液界面における結晶化から生じる。

【0027】

溶媒（Ｌ１）に、又は少なくとも１種の溶媒（Ｌ１）を含有する溶媒混合物に少なくとも１種の有機半導体Ａ）を入れた溶液を用いることにより、気液界面で成長する結晶性半導体材料の形成が促進されることが判明した。意外なことに、厚さが小さく、面積が大きい結晶性半導体材料は、逆溶媒を使用せずに得ることができる。

【0028】

特に、溶媒（Ｌ１）に、又は溶媒（Ｌ１）を含有する溶媒混合物に有機半導体Ａ）を入れた溶液を用意した後、有機半導体Ａ）を結晶化させるために、さらなる成分は溶液に添加しない。

【0029】

特に、溶媒（Ｌ１）に、又は溶媒（Ｌ１）を含有する溶媒混合物に有機半導体Ａ）を入れた溶液を用意した後、溶媒は溶液に添加せず、ここで有機半導体Ａ）は２０℃で、０．０１ｍｇ／ｍｌ未満の溶解度を示す。

【0030】

結晶性半導体材料の表面は、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）によって試験することができる。特に、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、又は走査フォース顕微鏡（ＳＦＭ）により、半導体材料の厚さとの関連で、半導体材料の特定の領域を分析することができる。こうして、気液界面における結晶化により得られる結晶性領域を同定することができる。ＳＰＭデータ分析は、公知のソフトウェア、例えばGwyddionにより行うことができる。

【0031】

好ましくは、得られた結晶性有機半導体材料は、１０×１０μｍ²超という面積を有し、ここで平均厚さは、最大０．１μｍ、より好ましくは最大０．０５μｍ、特に最大０．０１μｍである。多くの場合、本発明の方法により、１００×１００μｍ²超という面積を有する結晶性有機半導体材料の形成が可能になり、ここで平均厚さは最大０．１μｍ、好ましくは最大０．０５μｍである。

【0032】

最も純粋な溶媒の溶媒パラメータは、科学の参考文献から入手できる：例えばKnovel Critical Tables (2nd Edition 2008)、electronic ISBN: 978-1 -59124-550-6、又はHandbook of Chemistry and Physics、CRC Press, Inc.（米国フロリダ州、Boca Raton在）。特定の温度及び圧力における溶媒の沸点、粘度、又は表面張力の特定は、当業者にとって標準的な作業である。

【0033】

溶媒（Ｌ１）及び（Ｌ２）の粘度、並びに粘度調整剤（例えば増粘ポリマー）を含有する溶媒の粘度は、慣用の粘度計（例えばBrookfield DV-ll+Pro Viscosimeter）により、温度２３℃で、剪断速度９３ｓ^-1、１３Ｒのカップと２１段階スピンドルを用いて回転速度１００ｒｐｍで測定できる。

【0034】

表面張力は、慣用の表面張力計（例えばTensiometer K100、Kruess社製、Wilhelmy法・プレート法を用いて）により測定できる。

【0035】

好ましくは、工程ａ）で用いられる溶媒（Ｌ１）、又は溶媒（Ｌ１）を含有する溶媒混合物は、１０１３．２５ｍｂａｒで、少なくとも１５０℃という沸点を有する。

【0036】

溶媒（Ｌ１）は好ましくは、２３℃で１．３〜１０００ｍＰａｓという範囲の粘度を有する。

【0037】

溶媒（Ｌ１）は好ましくは、２０℃で３２〜６５ｍＮ／ｍの範囲、好ましくは３２〜４４ｍＮ／ｍの範囲という表面張力を示す。

【0038】

有機半導体Ａ）は好ましくは、工程ａ）で用いる溶媒（Ｌ１）中、又は溶媒（Ｌ１）を含有する溶媒混合物中で、２０℃で少なくとも０．０１ｍｇ／ｍｌ、好ましくは少なくとも０．０５ｍｇ／ｍｌという溶解度を示す。

【0039】

好ましい実施形態において、有機半導体Ａ）の溶液を用意するために用いる溶媒は、溶媒（Ｌ１）のみから成る。

【0040】

別の好ましい実施形態において、有機半導体Ａ）の溶液を用意するために用いる溶媒は、少なくとも１種の溶媒（Ｌ１）と、この（Ｌ１）とは異なる少なくとも１種の溶媒（Ｌ２）との混合物である。好ましくは、溶媒混合物における溶媒（Ｌ１）の量は、溶媒混合物の全質量に対して１〜９９質量％の範囲、より好ましくは２〜９８質量％の範囲、特に５〜９５質量％の範囲にある。

【0041】

適切かつ好ましい溶媒（Ｌ１）及び（Ｌ２）を、以下に記す。

【0042】

「ハロゲン」という表現は、それぞれの場合において、フッ素、臭素、塩素、又はヨウ素を、特に塩素、臭素、又はヨウ素を表す。

【0043】

本発明の文脈において、「非置換又は置換されたアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、及びヘタリール」という表現は、非置換若しくは置換されたアルキル、非置換若しくは置換されたシクロアルキル、非置換若しくは置換されたヘテロシクロアルキル、非置換若しくは置換されたアリール、及び非置換若しくは置換されたヘタリールを表す。

【0044】

本発明の文脈において、「それぞれの場合において非置換又は置換された直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル、直鎖状Ｃ₂〜Ｃ₃₀アルケニル、分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルケニル、直鎖状Ｃ₂〜Ｃ₃₀アルキニル、分枝鎖状Ｃ₄〜Ｃ₃₀アルキニル、シクロアルキル、アリール、及びヘタリール」という表現は、非置換若しくは置換された直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、非置換若しくは置換された分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル、非置換若しくは置換された直鎖状Ｃ₂〜Ｃ₃₀アルケニル、非置換若しくは置換された分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルケニル、非置換若しくは置換された直鎖状Ｃ₂〜Ｃ₃₀アルキニル、非置換若しくは置換された分枝鎖状Ｃ₄〜Ｃ₃₀アルキニル、非置換若しくは置換されたシクロアルキル、非置換若しくは置換されたアリール、及び非置換若しくは置換されたヘタリールを表す。

【0045】

本発明の文脈において、「それぞれの場合において非置換又は置換されたアルキル、シクロアルキル、及びアリール」という表現は、非置換若しくは置換されたアルキル、非置換若しくは置換されたシクロアルキル、及び非置換若しくは置換されたアリールを表す。

【0046】

本発明の文脈において、「非置換又は置換されたアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノ」という表現は、非置換若しくは置換されたアルキル、非置換若しくは置換されたアルコキシ、非置換若しくは置換されたアルキルチオ、非置換若しくは置換された（モノアルキル）アミノ、非置換若しくは置換された（ジアルキル）アミノ、非置換若しくは置換されたシクロアルキル、非置換若しくは置換されたシクロアルコキシ、非置換若しくは置換されたシクロアルキルチオ、非置換若しくは置換された（モノシクロアルキル）アミノ、非置換若しくは置換された（ジシクロアルキル）アミノ、非置換若しくは置換されたヘテロシクロアルキル、非置換若しくは置換されたヘテロシクロアルコキシ、非置換若しくは置換されたヘテロアルキルチオ、非置換若しくは置換された（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、非置換若しくは置換された（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、非置換若しくは置換されたアリール、非置換若しくは置換されたアリールオキシ、非置換若しくは置換されたアリールチオ、非置換若しくは置換された（モノアリール）アミノ、非置換若しくは置換された（ジアリール）アミノ、非置換若しくは置換されたヘタリール、非置換若しくは置換されたヘタリールオキシ、非置換若しくは置換されたヘタリールチオ、非置換若しくは置換された（モノヘタリール）アミノ、及び非置換若しくは置換された（ジヘタリール）アミノを表す。

【0047】

本発明の文脈において、「アルキル」という表現は、直鎖状又は分枝鎖状のアルキル基を包含する。アルキルは好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、より好ましくはＣ₁〜Ｃ₂₂アルキルである。短鎖アルキル基は好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₆アルキル基から選択される。長鎖アルキル基は好ましくは、Ｃ₇〜Ｃ₂₂アルキル基から選択される。アルキル基の例は特に、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、１−メチルブチル、１−エチルプロピル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、１−エチルブチル、２−エチルブチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、２−メチルヘキシル、１−エチルペンチル、１−プロピルブチル、２−エチルペンチル、ｎ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−メチルヘプチル、１−エチルヘキシル、２−エチルヘキシル、１−プロピルペンチル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、１−メチルオクチル、２−メチルオクチル、１−エチルヘプチル、２−エチルヘプチル、１−プロピルヘキシル、２−プロピルヘキシル、１−ブチルペンチル、ｎ−デシル、２−メチルデシル、１−メチルノニル、２−メチルノニル、１−エチルオクチル、２−エチルオクチル、１−プロピルヘプチル、２−プロピルヘプチル、１−ブチルヘキシル、２−ブチルヘキシル、ｎ−ウンデシル、２−エチルノニル、１−プロピルオクチル、２−プロピルオクチル、１−ブチルヘプチル、２−ブチルヘプチル、１−ペンチルヘキシル、ｎ−ドデシル、２−エチルデシル、２−プロピルノニル、１−ブチルオクチル、２−ブチルオクチル、１−ペンチルヘプチル、２−ペンチルヘプチル、２−プロピルデシル、ｎ−トリデシル、１−ペンチルオクチル、２−ペンチルオクチル、１−ヘキシルヘプチル、２−ブチルノニル、ｎ−テトラデシル、１−ヘキシルオクチル、２−ヘキシルオクチル、２−ペンチルノニル、２−ヘキシルノニル、２−ペンチルデシル、２−ブチルデシル、ｎ−ヘキサデシル、１−ヘプチルオクチル、２−ヘプチルノニル、２−ヘキシルデシル、２−ヘプチルデシル、ｎ−オクタデシル、２−オクチルデシル、ｎ−エイコシル、２−ノニルウンデシル、２−オクチルウンデシル、２−ヘプチルウンデシル、２−ヘキシルウンデシル、２−ペンチルウンデシル、２−ブチルウンデシル、２−プロピルウンデシル、２−エチルウンデシル、２−メチルウンデシル、２−デシルドデシル、２−ノニルドデシル、２−オクチルドデシル、２−ヘプチルドデシル、２−ヘキシルドデシル、２−ペンチルドデシル、２−ブチルドデシル、２−プロピルドデシル、２−エチルドデシル、２−メチルドデシル、２−ウンデシルトリデシル、２−デシルトリデシル、２−ノニルトリデシル、２−オクチルトリデシル、２−ヘプチルトリデシル、２−ヘキシルトリデシル、２−ペンチルトリデシル、２−ブチルトリデシル、２−プロピルトリデシル、２−エチルトリデシル、２−メチルトリデシル、２−ウンデシルテトラデシル、２−デシルテトラデシル、２−ノニルテトラデシル、２−オクチルテトラデシル、２−ヘプチルテトラデシル、２−ヘキシルテトラデシル、２−ペンチルテトラデシル、２−ブチルテトラデシル、２−プロピルテトラデシル、２−エチルテトラデシル、２−メチルテトラデシル、２−テトラデシルヘキサデシル、２−トリデシルヘキサデシル、２−ドデシルヘキサデシル、２−ウンデシルヘキサデシル、２−デシルヘキサデシル、２−ノニルヘキサデシル、２−オクチルヘキサデシル、２−ヘプチルヘキサデシル、２−ヘキシルヘキサデシル、２−ペンチルヘキサデシル、２−ブチルヘキサデシル、２−プロピルヘキサデシル、２−エチルヘキサデシル、２−メチルヘキサデシル、２−ドデシルオクタデシル、２−ウンデシルオクタデシル、２−デシルオクタデシル、２−ノニルオクタデシル、２−オクチルオクタデシル、２−ヘプチルオクタデシル、２−ヘキシルオクタデシル、２−ペンチルオクタデシル、２−ブチルオクタデシル、２−プロピルオクタデシル、２−エチルオクタデシル、２−メチルオクタデシル、２−デシルエイコサニル、２−ノニルエイコサニル、２−オクチルエイコサニル、２−ヘプチルエイコサニル、２−ヘキシルエイコサニル、２−ペンチルエイコサニル、２−ブチルエイコサニル、２−プロピルエイコサニル、２−エチルエイコサニル、２−メチルエイコサニル、２−オクタデシルドコサニル、２−ヘプタデシルドコサニル、２−ヘキサデシルドコサニル、２−ペンタデシルドコサニル、２−テトラデシルドコサニル、２−トリデシルドコサニル、２−ウンデシルドコサニル、２−デシルドコサニル、２−ノニルドコサニル、２−オクチルドコサニル、２−ヘプチルドコサニル、２−ヘキシルドコサニル、２−ペンチルドコサニル、２−ブチルドコサニル、２−プロピルドコサニル、２−エチルドコサニル、２−メチルドコサニル、２−ドコサニルテトラコサニル、２−ヘキサデシルテトラコサニル、２−ペンタデシルテトラコサニル、２−ペンタデシルテトラコサニル、２−テトラデシルテトラコサニル、２−トリデシルテトラコサニル、２−ドデシルテトラコサニル、２−ウンデシルテトラコサニル、２−デシルテトラコサニル、２−ノニルテトラコサニル、２−オクチルテトラコサニル、２−ヘプチルテトラコサニル、２−ヘキシルテトラコサニル、２−ペンチルテトラコサニル、２−ブチルテトラコサニル、２−プロピルテトラコサニル、２−エチルテトラコサニル、２−メチルテトラコサニル、２−ドデシルオクタコサニル、２−ウンデシルオクタコサニル、２−デシルオクタコサニル、２−ノニルオクタコサニル、２−オクチルオクタコサニル、２−ヘプチルオクタコサニル、２−ヘキシルオクタコサニル、２−ペンチルオクタコサニル、２−ブチルオクタコサニル、２−プロピルオクタコサニル、２−エチルオクタコサニル、及び２−メチルオクタコサニルである。

【0048】

アルキルという表現はまた、アルキル基の炭素鎖が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ^a−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、及び／又は−Ｓ（＝Ｏ）₂−から選択される１個以上の非隣接基によって中断されていてよいアルキル基を包含する。Ｒ^aは好ましくは、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールである。

【0049】

炭素鎖が１個以上の非隣接基によって中断されているアルキル基の例は特に、２−メトキシエチル、２−エトキシエチル、２−プロポキシエチル、２−イソプロポキシエチル、２−ブトキシエチル、２−及び３−メトキシプロピル、２−及び３−エトキシプロピル、２−及び３−プロポキシプロピル、２−及び３−ブトキシプロピル、２−及び４−メトキシブチル、２−及び４−エトキシブチル、２−及び４−プロポキシブチル、３，６−ジオキサヘプチル、３，６−ジオキサオクチル、４，８−ジオキサノニル、３，７−ジオキサオクチル、３，７−ジオキサノニル、４，７−ジオキサオクチル、４，７−ジオキサノニル、２−及び４−ブトキシブチル、４，８−ジオキサデシル、３，６，９−トリオキサデシル、３，６，９−トリオキサウンデシル、３，６，９−トリオキサドデシル、３，６，９，１２−テトラオキサトリデシル、及び３，６，９，１２−テトラオキサテトラデシル；２−メチルチオエチル、２−エチルチオエチル、２−プロピルチオエチル、２−イソプロピルチオエチル、２−ブチルチオエチル、２−及び３−メチルチオプロピル、２−及び３−エチルチオプロピル、２−及び３−プロピルチオプロピル、２−及び３−ブチルチオプロピル、２−及び４−メチルチオブチル、２−及び４−エチルチオブチル、２−及び４−プロピルチオブチル、３，６−ジチアヘプチル、３，６−ジチアオクチル、４，８−ジチアノニル、３，７−ジチアオクチル、３，７−ジチアノニル、２−及び４−ブチルチオブチル、４，８−ジチアデシル、３，６，９−トリチアデシル、３，６，９−トリチアウンデシル、３，６，９−トリチアドデシル、３，６，９，１２−テトラチアトリデシル、及び３，６，９，１２−テトラチアテトラデシル；２−モノメチル−及び２−モノエチルアミノエチル、２−ジメチルアミノエチル、２−及び３−ジメチルアミノプロピル、３−モノイソプロピルアミノプロピル、２−及び４−モノプロピルアミノブチル、２−及び４−ジメチルアミノブチル、６−メチル−３，６−ジアザヘプチル、３，６−ジメチル−３，６−ジアザヘプチル、３，６−ジアザオクチル、３，６−ジメチル−３，６−ジアザオクチル、９−メチル−３，６，９−トリアザデシル、３，６，９−トリメチル−３，６，９−トリアザデシル、３，６，９−トリアザウンデシル、３，６，９−トリメチル−３，６，９−トリアザウンデシル、１２−メチル−３，６，９，１２−テトラアザトリデシル及び３，６，９，１２−テトラメチル−３，６，９，１２−テトラアザトリデシル；（ｌ−エチルエチリデン）アミノエチレン、（１−エチルエチリデン）アミノプロピレン、（１−エチルエチリデン）アミノブチレン、（ｌ−エチルエチリデン）アミノデシレン及び（ｌ−エチルエチリデン）アミノドデシレン；プロパン−２−オン−１−イル、ブタン−３−オン−１−イル、ブタン−３−オン−２−イル、及び２−エチルペンタン−３−オン−１−イル；２−メチルスルホキシドエチル、２−エチルスルホキシドエチル、２−プロピルスルホキシドエチル、２−イソプロピルスルホキシドエチル、２−ブチルスルホキシドエチル、２−及び３−メチルスルホキシドプロピル、２−及び３−エチルスルホキシドプロピル、２−及び３−プロピルスルホキシドプロピル、２−及び３−ブチルスルホキシドプロピル、２−及び４−メチルスルホキシドブチル、２−及び４−エチルスルホキシドブチル、２−及び４−プロピルスルホキシドブチル、及び４−ブチルスルホキシドブチル；２−メチルスルホニルエチル、２−エチルスルホニルエチル、２−プロピルスルホニルエチル、２−イソプロピルスルホニルエチル、２−ブチルスルホニルエチル、２−及び３−メチルスルホニルプロピル、２−及び３−エチルスルホニルプロピル、２−及び３−プロピルスルホニルプロピル、２−及び３−ブチルスルホニルプロピル、２−及び４−メチルスルホニルブチル、２−及び４−エチルスルホニルブチル、２−及び４−プロピルスルホニルブチル、及び４−ブチルスルホニルブチルである。

【0050】

置換されたアルキル基は、アルキル鎖の長さに応じて、１個以上の置換基を有することができる（例えば１個、２個、３個、４個、５個、又は５個超）。これらは好ましくは、それぞれ独立して、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、フッ素、塩素、臭素、ヒドロキシ、メルカプト、シアノ、ニトロ、ニトロソ、ホルミル、アシル、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、ＳＯ₃Ｈ、スルホネート、スルファミノ、スルファミド、アミジノ、ＮＥ⁵Ｅ⁶から選択され、ここでＥ⁵及びＥ⁶は、それぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールである。アルキル基のシクロアルキル置換基、ヘテロシクロアルキル置換基、アリール置換基、及びヘタリール置換基はここでも、非置換若しくは置換であり得る。適切な置換基は、これらの基について以下に述べる置換基である。置換されたアルキル基の特別な実施形態は、ペルフルオロＣ₁〜Ｃ₃₀アルキル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ₂〜Ｃ₃₀−アルキル、及び１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキルである。これらのフッ化アルキル基の例は、以下で述べる。

【0051】

置換されたアルキル基の例は特に、カルボキシメチル、２−カルボキシエチル、３−カルボキシプロピル、４−カルボキシブチル、５−カルボキシペンチル、６−カルボキシヘキシル、８−カルボキシオクチル、１０−カルボキシデシル、１２−カルボキシドデシル、及び１４−カルボキシ−テトラデシル；スルホメチル、２−スルホエチル、３−スルホプロピル、４−スルホブチル、５−スルホペンチル、６−スルホヘキシル、８−スルホオクチル、１０−スルホデシル、１２−スルホドデシル、及び１４−スルホテトラデシル；２−ヒドロキシエチル、２−及び３−ヒドロキシプロピル、１−ヒドロキシプロパ−２−イル、３−及び４−ヒドロキシブチル、１−ヒドロキシブタ−２−イル、及び８−ヒドロキシ−４−オキサオクチル；２−シアノエチル、３−シアノプロピル、３−及び４−シアノブチル、２−メチル−３−エチル−３−シアノプロピル、７−シアノ−７−エチルヘプチル、及び４，７−ジメチル−７−シアノヘプチル；２−クロロエチル、２−及び３−クロロプロピル、２−、３−、及び４−クロロブチル、２−ブロモエチル、２−及び３−ブロモプロピル、及び２−、３−、及び４−ブロモブチル；２−ニトロエチル、２−及び３−ニトロプロピル、及び２−、３−、及び４−ニトロブチルである。

【0052】

カルボキシレート、及びスルホネートはそれぞれ、カルボン酸官能基及びスルホン酸官能基の誘導体を表し、特に金属カルボキシレート若しくはスルホネート、カルボン酸エステル若しくはスルホン酸エステルの官能基、又はカルボキサミド若しくはスルホンアミドの官能基である。このような誘導体には例えば、Ｃ₁〜Ｃ₄アルカノール（例えばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、及びｔｅｒｔ−ブタノール）とのエステルが含まれる。

【0053】

アルキルに関する上記所見はまた、アルコキシ、アルキルチオ（アルキルスルファニル）、モノアルキルアミノ、及びジアルキルアミノにおけるアルキル部分にも当てはまる。

【0054】

アルコキシ基の例は特に、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペントキシ、イソペントキシ、ネオペントキシ、ｔｅｒｔ−ペントキシ、及びヘキソキシである。

【0055】

アルキルチオ基の例は特に、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、イソブチルチオ、ｓｅｃ−ブチルチオ、ｔｅｒｔ−ブチルチオ、ペンチルチオ、イソペンチルチオ、ネオペンチルチオ、ｔｅｒｔ−ペンチルチオ、及びヘキシルチオである。

【0056】

モノアルキルアミノ基、及びジアルキルアミノ基の例は特に、メチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ブチルアミノ、イソブチルアミノ、ペンチルアミノ、ヘキシルアミノ、ジメチルアミノ、メチルエチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジイソブチルアミノ、ジペンチルアミノ、ジヘキシルアミノ、ジシクロペンチルアミノ、ジシクロヘキシルアミノ、ジシクロヘプチルアミノ、ジフェニルアミノ、及びジベンジルアミノである。

【0057】

アルキレンは、１〜１０個、特に１〜４個の炭素原子を有する直鎖状の飽和炭化水素鎖、例えばエタン−１，２−ジイル、プロパン−１，３−ジイル、ブタン−１，４−ジイル、ペンタン−１，５−ジイル、又はヘキサン−１，６−ジイルを表す。

【0058】

本発明の文脈において、「シクロアルキル」という用語は、通常３〜２０個、好ましくは３〜１２個、より好ましくは５〜１２個の炭素原子を有する単環式、二環式、若しくは三環式の炭化水素基を表し、それは例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロドデシル、シクロペンタデシル、ノルボルニル、ビシクロ［２．２．２］オクチル、又はアダマンチルである。

【0059】

置換されたシクロアルキル基は、環の大きさに応じて、１個以上の置換基を有することができる（例えば１個、２個、３個、４個、５個、又は５個超）。これらは好ましくは、それぞれ独立して、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、フッ素、塩素、臭素、ヒドロキシ、メルカプト、シアノ、ニトロ、ニトロソ、ホルミル、アシル、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、ＳＯ₃Ｈ、スルホネート、スルファミノ、スルファミド、アミジノ、ＮＥ⁷Ｅ⁸から選択され、ここでＥ⁷及びＥ⁸は、それぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールである。置換の場合、シクロアルキル基は好ましくは、１個以上、例えば１個、２個、３個、４個、又は５個のＣ₁〜Ｃ₆アルキル基を有する。置換されたシクロアルキル基の例は特に、２−及び３−メチルシクロペンチル、２−及び３−エチルシクロペンチル、２−、３−、及び４−メチルシクロヘキシル、２−、３−、及び４−エチルシクロヘキシル、２−、３−、及び４−プロピルシクロヘキシル、２−、３−、及び４−イソプロピルシクロヘキシル、２−、３−、及び４−ブチルシクロヘキシル、２−、３−、及び４−ｓｅｃ−ブチルシクロヘキシル、２−、３−、及び４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル、２−、３−、及び４−メチルシクロヘプチル、２−、３−、及び４−エチルシクロヘプチル、２−、３−、及び４−プロピルシクロヘプチル、２−、３−、及び４−イソプロピルシクロヘプチル、２−、３−、及び４−ブチルシクロヘプチル、２−、３−、及び４−ｓｅｃ−ブチルシクロヘプチル、２−、３−、及び４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘプチル、２−、３−、４−及び５−メチルシクロオクチル、２−、３−、４−、及び５−エチルシクロオクチル、２−、３−、４−、及び５−プロピルシクロオクチル、３−及び４−ヒドロキシシクロヘキシル、３−及び４−ニトロシクロヘキシル、並びに３−及び４−クロロシクロヘキシルである。

【0060】

シクロアルキルに関する上記所見はまた、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ（＝シクロアルキルスルファニル）、モノシクロアルキルアミノ、及びジシクロアルキルアミノにおけるシクロアルキル部分にも当てはまる。

【0061】

本発明の文脈において、「アリール」という用語は、単環式若しくは多環式の芳香族炭化水素基を言う。アリールとは通常、環員として炭素原子を６〜２４個、好ましくは炭素原子を６〜２０個、特に炭素原子を６〜１４個有する芳香族基である。アリールは好ましくは、フェニル、ナフチル、インデニル、フルオレニル、アントラセニル、フェナントレニル、ナフタセニル、クリセニル、ピレニル、コロネニル、ペリレニルなどであり、より好ましくはフェニル又はナフチルである。

【0062】

置換されたアリールは、その環系の数と大きさに応じて、１個以上の置換基を有する（例えば１個、２個、３個、４個、５個、又は５個超）。これらは好ましくは、それぞれ独立して、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、フッ素、塩素、臭素、ヒドロキシ、メルカプト、シアノ、ニトロ、ニトロソ、ホルミル、アシル、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、ＳＯ₃Ｈ、スルホネート、スルファミノ、スルファミド、アミジノ、ＮＥ⁹Ｅ¹⁰から選択され、ここでＥ⁹及びＥ¹⁰は、それぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールである。アリール上のアルキル、アルコキシ、アルキルアミノ、アルキルチオ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、及びヘタリールの置換基は、ここでも非置換であるか、又は置換されていてよい。これらの基については、前述の置換基を参照されたい。アリール上の置換基は好ましくは、アルキル、アルコキシ、ハロアルキル、ハロアルコキシ、アリール、フッ素、塩素、臭素、シアノ、及びニトロから選択される。置換されたアリールは、より好ましくは置換されたフェニルであり、このフェニルは一般的に、１個、２個、３個、４個、又は５個、好ましくは１個、２個、又は３個の置換基を有する。

【0063】

置換されたアリールは好ましくは、少なくとも１個のアルキル基によって置換されたアリールである（「アルカリール」、以下ではまた、アルキルアリールとも言う）。アルカリール基は、芳香族環系の大きさに応じて、１個以上（例えば１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、又は９個超）のアルキル置換基を有することができる。アルキル置換基は、非置換であるか、又は置換されていてよい。この点に関しては、非置換アルキル、及び置換されたアルキルに関する上述のことを参照されたい。好ましい実施形態においてアルカリール基は、非置換のアルキル基のみを有する。アルカリールは好ましくは、アルキル置換基を１個、２個、３個、４個、又は５個、好ましくは１個、２個、又は３個、より好ましくは１個又は２個有する、フェニルである。

【0064】

１個以上の基を有するアリールは例えば、２−、３−、及び４−メチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２−、３−、及び４−エチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジエチルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２−、３−、及び４−プロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジプロピルフェニル、２，４，６−トリプロピルフェニル、２−、３−、及び４−イソプロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジイソプロピルフェニル、２，４，６−トリイソプロピルフェニル、２−、３−、及び４−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジブチルフェニル、２，４，６−トリブチルフェニル、２−、３−、及び４−イソブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジイソブチルフェニル、２，４，６−トリイソブチルフェニル、２−、３−、及び４−ｓｅｃ−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、２，４，６−トリ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、２−、３−、及び４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、及び２，４，６−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル；２−、３−、及び４−メトキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２．６−ジメトキシフェニル、２，４，６−トリメトキシフェニル、２−、３−、及び４−エトキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジエトキシフェニル、２，４，６−トリエトキシフェニル、２−、３−、及び４−プロポキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジプロポキシフェニル、２−、３−、及び４−イソプロポキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジイソプロポキシフェニル、及び２−、３−、及び４−ブトキシフェニル；２−、３−、及び４−クロロフェニル、（２−クロロ−６−メチル）フェニル、（２−クロロ−６−エチル）フェニル、（４−クロロ−６−メチル）フェニル、（４−クロロ−６−エチル）フェニルである。

【0065】

アリールに関する上記所見はまた、アリールオキシ、アリールチオ（アリールスルファニル）、モノアリールアミノ、及びジアリールアミノにおけるアリール部分にも当てはまる。

【0066】

本発明の文脈において「ヘテロシクロアルキル」という表現は、一般的には５〜８個の環原子、好ましくは５個又は６個の環原子を有する、非芳香族の、不飽和若しくは完全に飽和した、環式脂肪族基を包含する。ヘテロシクロアルキル基では、相応するシクロアルキル基と比べて、環炭素原子の１個、２個、３個、４個、又は４個超が、ヘテロ原子、又はヘテロ原子含有基によって置き換えられている。ヘテロ原子、又はヘテロ原子含有基は好ましくは、−Ｏ−、−Ｓ−、ＮＲ^b−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、及び／又は−Ｓ（＝Ｏ）₂−から選択される。Ｒ^bは好ましくは、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールである。ヘテロシクロアルキル基の例は特に、ピロリジニル、ピペリジニル、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル、イミダゾリジニル、ピラゾリジニル、オキサゾリジニル、モルホリニル、チアゾリジニル、イソチアゾリジニル、イソキサゾリジニル、ピペラジニル、テトラヒドロチオフェニル、ジヒドロチエン−２−イル、テトラヒドロフラニル、ジヒドロフラン−２−イル、テトラヒドロピラニル、２−オキサゾリニル、３−オキサゾリニル、４−オキサゾリニル、及びジオキサニルである。

【0067】

置換されたヘテロシクロアルキル基は、環の大きさに応じて、１個以上の置換基を有することができる（例えば１個、２個、３個、４個、５個、又は５個超）。これらは好ましくは、それぞれ独立して、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、フッ素、塩素、臭素、ヒドロキシ、メルカプト、シアノ、ニトロ、ニトロソ、ホルミル、アシル、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、ＳＯ₃Ｈ、スルホネート、スルファミノ、スルファミド、アミジノ、ＮＥ¹¹Ｅ¹²から選択され、ここでＥ¹¹及びＥ¹²は、それぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールである。置換の場合、ヘテロシクロアルキル基は好ましくは、１個以上、例えば１個、２個、３個、４個、又は５個のＣ₁〜Ｃ₆アルキル基を有する。

【0068】

ヘテロシクロアルキルに関する上記所見はまた、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ（＝ヘテロシクロアルキルスルファニル）、モノヘテロシクロアルキルアミノ、及びジヘテロシクロアルキルアミノにおけるヘテロシクロアルキル部分にも当てはまる。

【0069】

本発明の文脈において、「ヘタリール（ヘテロアリール）」という表現は、複素芳香族の単環若しくは多環の基を包含する。環炭素原子に加えて、これらは環員として１個、２個、３個、４個、又は４個超のヘテロ原子を有する。ヘテロ原子は好ましくは、酸素、窒素、セレン、及び硫黄から選択される。ヘタリール基は好ましくは、５〜１８個、例えば５個、６個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、又は１４個の環原子を有する。

【0070】

単環式ヘタリール基は好ましくは、５員環若しくは６員環のヘタリール基、例えば２−フリル、（フラン−２−イル）、３−フリル（フラン−３−イル）、２−チエニル（チオフェン−２−イル）、３−チエニル（チオフェン−３−イル）、セレノフェン−２−イル、セレノフェン−３−イル、１Ｈ−ピロール−２−イル、１Ｈ−ピロール−３−イル、ピロール−１−イル、イミダゾール−２−イル、イミダゾール−１−イル、イミダゾール−４−イル、ピラゾール−１−イル、ピラゾール−３−イル、ピラゾール−４−イル、ピラゾール−５−イル、３−イソキサゾリル、４−イソキサゾリル、５−イソキサゾリル、３−イソチアゾリル、４−イソチアゾリル、５−イソチアゾリル、２−オキサゾリル、４−オキサゾリル、５−オキサゾリル、２−チアゾリル、４−チアゾリル、５−チアゾリル、１，２，４−オキサジアゾール−３−イル、１，２，４−オキサジアゾール−５−イル、１，３，４−オキサジアゾール−２−イル、１，２，４−チアジアゾール−３−イル、１，２，４−チアジアゾール−５−イル、１，３，４−チアジアゾール−２−イル、４Ｈ−［１，２，４］−トリアゾール−３−イル、１，３，４−トリアゾール−２−イル、１，２，３−トリアゾール−１−イル、１，２，４−トリアゾール−１−イル、ピリジン−２−イル、ピリジン−３−イル、ピリジン−４−イル、３−ピリダジニル、４−ピリダジニル、２−ピリミジニル、４−ピリミジニル、５−ピリミジニル、２−ピラジニル、１，３，５−トリアジン−２−イル、及び１，２，４−トリアジン−３−イルである。

【0071】

多環式ヘタリール基は、２個、３個、４個、又は４個超の縮合環を有する。縮合環は、芳香族、飽和、又は部分飽和でありうる。多環式ヘタリール基の例は、キノリニル、イソキノリニル、インドリル、イソインドリル、インドリジニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイソオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾオキサジアゾリル、ベンゾチアジアゾリル、ベンゾオキサジニル、ベンゾピラゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾトリアジニル、ベンゾセレノフェニル、チエノチオフェニル、チエノピリミジル、チアゾロチアゾリル、ジベンゾピロールイル（カルバゾリル）、ジベンゾフラニル、ジベンゾチオフェニル、ナフト［２，３−ｂ］チオフェニル、ナフタ［２，３−ｂ］フリル、ジヒドロインドリル、ジヒドロインドリジニル、ジヒドロイソインドリル、ジヒドロキノリニル、及びジヒドロイソキノリニルである。

【0072】

置換されたヘタリール基は、その環系の数と大きさに応じて、１個以上の置換基を有する（例えば１個、２個、３個、４個、５個、又は５個超）。これらは好ましくは、それぞれ独立して、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、フッ素、塩素、臭素、ヒドロキシ、メルカプト、シアノ、ニトロ、ニトロソ、ホルミル、アシル、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、ＳＯ₃Ｈ、スルホネート、スルファミノ、スルファミド、アミジノ、ＮＥ¹³Ｅ¹⁴から選択され、ここでＥ¹³及びＥ¹⁴は、それぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールである。ハロゲン置換基は、好ましくはフッ素、塩素、又は臭素である。置換基は好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₆アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₆アルコキシ、ヒドロキシ、カルボキシ、ハロゲン、及びシアノから選択される。

【0073】

ヘタリールに関する上記所見はまた、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、モノヘタリールアミノ、及びジヘタリールアミノにおけるヘタリール部分にも当てはまる。

【0074】

本発明の目的のために、「アシル」という表現は、一般的には２〜１１個、好ましくは２〜８個の炭素原子を有するアルカノイル基又はアロイル基を表し、それは例えば、アセチル、プロパノイル、ブタノイル、ペンタノイル、ヘキサノイル、ヘプタノイル、２−エチルヘキサノイル、２−プロピルヘプタノイル、ピバロイル、ベンゾイル、又はナフトイル基である。

【0075】

基ＮＥ¹Ｅ²、ＮＥ³Ｅ⁴、ＮＥ⁵Ｅ⁶、ＮＥ⁷Ｅ⁸、ＮＥ⁹Ｅ¹⁰、ＮＥ¹¹Ｅ¹²、及びＮＥ¹³Ｅ¹⁴は好ましくは、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミノ、Ｎ，Ｎ，−ジイソプロピルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジーｔ−ブチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルアミノ、又はＮ，Ｎ−ジフェニルアミノである。

【0076】

縮合環系は、縮合により結合された脂環式、脂肪複素環式、芳香族、及び複素芳香族の環、及びこれらの組み合わせを包含することができる。縮合環系は、２個、３個、又はそれより多く（例えば４個、５個、６個、７個、又は８個）の環を有する。縮合環系における環が結合されている様式に応じて、オルト縮合（すなわち各環が、少なくとも１つの端部又は２個の原子を、隣接する各環と共有する）と、ペリ縮合（１つの炭素原子が、２個より多くの環に属する）との間の区別がなされる。好ましい縮合環系は、オルト縮合環系である。

【0077】

成分Ａ）
当業者であれば、化合物（Ａ）が、純粋な形態で存在し得ること、又は描写した各化合物、及びその構造異性体を少なくとも１つ含有することが直ちに分かるだろう。

【0078】

第一の好ましい実施形態において成分Ａ）は、式（ＩＩ．ａ）の化合物を少なくとも１種含有する：

【化1】

上記式中、
ｎは、１、２、３、又は４であり、
Ｒ^a、及びＲ^bは相互に独立して、水素、及びそれぞれの場合において非置換又は置換されたアルキル、アルケニル、アルカジエニル、アルキニル、シクロアルキル、ビシクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクロアルキル、アリール、及びヘテロアリールから選択され、
基Ｒⁿ¹、Ｒⁿ²、Ｒⁿ³、及びＲⁿ⁴は相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ¹Ｅ²、ここでＥ¹及びＥ²はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれ非置換又は置換されたアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノ
から選択される。

【0079】

式（ＩＩ．ａ）の化合物においてｎは、ペリ位に結合されたナフタレン単位の数を表し、本発明によるリレン化合物の基本骨格を形成する。本発明によるリレン化合物は、リレンジイミドのみならず、また構造的に近い関係にあるナフタレンジイミドも包含する（ｎ＝１）。基Ｒⁿ¹〜Ｒⁿ⁴のそれぞれにおいて、ｎは特に、これらの基が結合しているリレン骨格のナフタレン基を表す。異なるナフタレン基に結合している基Ｒⁿ¹〜Ｒⁿ⁴は、それぞれ同一、又は異なる定義を有することができる。従って、一般式Ｉの化合物は、以下の式のナフタレンジイミド、ペリレンジイミド、テリレンジイミド、又はクアテリレンジイミドであり得る：

【化2-1】

【化2-2】

【0080】

好ましくは、式（ＩＩ．ａ）の化合物において、基Ｒ^a及びＲ^bは相互に独立して、水素、直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル、ペルフルオロ−Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ₂〜Ｃ₃₀アルキル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル、式Ｇ．１の基、式Ｇ．２の基、及び式Ｇ．３の基：

【化3】

から選択され、
上記式中、
＃は、窒素原子に対する結合箇所を表し、
存在する場合にＢは、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキレン基であり、このＣ₁〜Ｃ₁₀アルキレン基は、−Ｏ−、及び−Ｓ−から選択される１個以上の非隣接基によって中断されていてよく、
ｙは、０又は１であり、
Ｒ^mは相互に独立して、Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₃₀フルオロアルキル、フッ素、塩素、臭素、ＮＥ³Ｅ⁴、ニトロ、及びシアノから選択され、ここでＥ³及びＥ⁴は相互に独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
Ｒⁿは相互に独立して、Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキルから選択され、
式Ｇ．２及びＧ．３におけるｘは、１、２、３、４、又は５である。

【0081】

化合物（Ｉ）の好ましい実施形態において基Ｒ^a及びＲ^bは独立して、一般式（Ｇ．１）、（Ｇ．２）、及び（Ｇ．３）の基から選択される。特にＲ^a及びＲ^bは、同じ意味を有し、一般式（Ｇ．１）、（Ｇ．２）、及び（Ｇ．３）の基から選択される。

【0082】

好ましくは、式（Ｇ．２）において基Ｒ^mは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル、又はＣ₁〜Ｃ₁₂フルオロアルキルから選択される。特に、式（Ｇ．２）において基Ｒ^mは、Ｃ₁〜Ｃ₄アルキル、又はＣ₁〜Ｃ₄フルオロアルキルから選択される。

【0083】

好ましくは、式（Ｇ．３）において基Ｒⁿは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルから選択される。

【0084】

好ましい実施形態において式（Ｉ）の化合物中、Ｒ^a及びＲ^bは、それぞれ独立して、式（Ｇ．２）の基から選択される。Ｒ^a及びＲ^bは好ましくは、それぞれ独立して、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル基から選択され、ここでフェニルアルキル基のベンゼン環は、独立してＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＣＮ、Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、及びペルフルオロ−Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキルから選択される置換基を、１個、２個、３個、４個、又は５個有し、フェニルアルキル基は、フェニルアルキル基のアルキル部分を介して、イミド窒素原子に結合している。

【0085】

Ｒ^a及びＲ^bはより好ましくは、同じ意味を有し、フェニル−（Ｃ₁〜Ｃ₃₀）−アルキル基から選択され、ここでフェニルアルキル基のベンゼン環は、独立してＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＣＮ、Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、及びペルフルオロ−Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキルから選択される置換基を、１個、２個、３個、４個、又は５個有する。特にＲ^a及びＲ^bは、同じ意味を有し、フェニル−（Ｃ₁〜Ｃ₄）−アルキル基から選択され、ここでフェニルアルキル基のベンゼン環は、独立してＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＣＮ、Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、及びペルフルオロ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルから選択される置換基を、１個、２個、３個、４個、又は５個有する。

【0086】

式（Ｇ．１）の好ましい基の例については、以下の表１で言及する。好ましい実施形態において式（Ｉ）の化合物中、Ｒ^a及びＲ^bは、それぞれ独立して、下記表１で言及する式（Ｇ．１）の基から選択される。特にＲ^a及びＲ^bは、同じ意味を有し、下記表１で言及する式（Ｇ．１）の基から選択される。
表１：（式Ｇ．１の好ましい基）

【化4】

【0087】

式（Ｇ．２）の好ましい基の例については、以下の表２で言及する。好ましい実施形態において式（Ｉ）の化合物中、Ｒ^a及びＲ^bは、それぞれ独立して、下記表２で言及する式（Ｇ．２）の基から選択される。特に、Ｒ^a及びＲ^bは、同じ意味を有し、下記表２で言及する式（Ｇ．２）の基から選択される。
表２：（式Ｇ．２の好ましい基）

【化5】

【0088】

好ましい実施形態において、Ｒ^a及びＲ^bはそれぞれ独立して、直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル基から選択される。特にＲ^a及びＲ^bは同じ意味を有し、直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル基から選択される。好ましい直鎖状アルキル基は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−オクタデシル、及びｎ−エイコシルである。

【0089】

好ましい実施形態において、Ｒ^a及びＲ^bはそれぞれ独立して、分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル基から選択される。特にＲ^a及びＲ^bは同じ意味を有し、分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル基から選択される。

【0090】

好ましくは、式（ＩＩ．ａ）の化合物において基Ｒ^a、及びＲ^bは、一般式（ＩＩＩ．１）、（ＩＩＩ．２）、及び（ＩＩＩ．３）の基：

【化6】

から選択され、
上記式中、
＃は結合箇所であり、
式（ＩＩＩ．１）においてＲ^e及びＲ^fは独立して、Ｃ₁〜Ｃ₂₇アルキルから選択され、ここで基Ｒ^e及びＲ^fの炭素原子の合計は、２〜２８の整数であり、
式（ＩＩＩ．２）においてＲ^g及びＲ^hは独立して、Ｃ₁〜Ｃ₂₈アルキルから選択され、ここで基Ｒ^g及びＲ^hの炭素原子の合計は、２〜２９の整数であり、
式（ＩＩＩ．３）において、Ｒⁱ、Ｒ^k、及びＲ^lは独立して、Ｃ₁〜Ｃ₂₇アルキルから選択され、ここで基Ｒⁱ、Ｒ^k、及びＲ^lの炭素原子の合計は、３〜２９の整数である。

【0091】

式（ＩＩＩ．１）において好ましくは、Ｒ^e及びＲ^fは独立して、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル、特にＣ₁〜Ｃ₁₂アルキルから選択される。

【0092】

式（ＩＩＩ．１）において好ましくは、基（ＩＩＩ．１）の炭素原子の合計は、３〜５５の整数、より好ましくは４〜４０の整数、特に５〜３０の整数である。

【0093】

式（ＩＩＩ．１）の好ましい基は、以下のものである：
２−メチルプロピル、２−エチルブチル、２−メチルブチル、２−プロピルペンチル、２−エチルペンチル、２−メチルペンチル、２−ブチルヘキシル、２−プロピルヘキシル、２−エチルヘキシル、２−メチルヘキシル、２−ペンチルヘプチル、２−ブチルヘプチル、２−プロピルヘプチル、２−エチルヘプチル、２−メチルヘプチル、２−ヘキシルオクチル、２−ペンチルオクチル、２−ブチルオクチル、２−プロピルオクチル、２−エチルオクチル、２−メチルオクチル、２−ヘプチルノニル、２−ヘキシルノニル、２−ペンチルノニル、２−ブチルノニル、２−プロピルノニル、２−エチルノニル、２−メチルノニル、２−オクチルデシル、２−ヘプチルデシル、２−ヘキシルデシル、２−ペンチルデシル、２−ブチルデシル、２−プロピルデシル、２−エチルデシル、２−メチルデシル、２−ノニルウンデシル、２−オクチルウンデシル、２−ヘプチルウンデシル、２−ヘキシルウンデシル、２−ペンチルウンデシル、２−ブチルウンデシル、２−プロピルウンデシル、２−エチルウンデシル、２−メチルウンデシル、２−デシルドデシル、２−ノニルドデシル、２−オクチルドデシル、２−ヘプチルドデシル、２−ヘキシルドデシル、２−ペンチルドデシル、２−ブチルドデシル、２−プロピルドデシル、２−エチルドデシル、２−メチルドデシル、２−ウンデシルトリデシル、２−デシルトリデシル、２−ノニルトリデシル、２−オクチルトリデシル、２−ヘプチルトリデシル、２−ヘキシルトリデシル、２−ペンチルトリデシル、２−ブチルトリデシル、２−プロピルトリデシル、２−エチルトリデシル、２−メチルトリデシル、２−ウンデシルテトラデシル、２−デシルテトラデシル、２−ノニルテトラデシル、２−オクチルテトラデシル、２−ヘプチルテトラデシル、２−ヘキシルテトラデシル、２−ペンチルテトラデシル、２−ブチルテトラデシル、２−プロピルテトラデシル、２−エチルテトラデシル、２−メチルテトラデシル、２−テトラデシルヘキサデシル、２−トリデシルヘキサデシル、２−ドデシルヘキサデシル、２−ウンデシルヘキサデシル、２−デシルヘキサデシル、２−ノニルヘキサデシル、２−オクチルヘキサデシル、２−ヘプチルヘキサデシル、２−ヘキシルヘキサデシル、２−ペンチルヘキサデシル、２−ブチルヘキサデシル、２−プロピルヘキサデシル、２−エチルヘキサデシル、２−メチルヘキサデシル、２−ヘキサデシルオクタデシル、２−ペンタデシルオクタデシル、２−テトラデシルオクタデシル、２−トリデシルオクタデシル、２−ドデシルオクタデシル、２−ウンデシルオクタデシル、２−デシルオクタデシル、２−ノニルオクタデシル、２−オクチルオクタデシル、２−ヘプチルオクタデシル、２−ヘキシルオクタデシル、２−ペンチルオクタデシル、２−ブチルオクタデシル、２−プロピルオクタデシル、２−エチルオクタデシル、２−メチルオクタデシル、２−オクタデシルエイコサニル、２−ヘプタデシルエイコサニル、２−ヘキサデシルエイコサニル、２−ペンタデシルエイコサニル、２−テトラデシルエイコサニル、２−トリデシルエイコサニル、２−ドデシルエイコサニル、２−ウンデシルエイコサニル、２−デシルエイコサニル、２−ノニルエイコサニル、２−オクチルエイコサニル、２−ヘプチルエイコサニル、２−ヘキシルエイコサニル、２−ペンチルエイコサニル、２−ブチルエイコサニル、２−プロピルエイコサニル、２−エチルエイコサニル、２−メチルエイコサニル、２−エイコサニルドコサニル、２−ノナデシルドコサニル、２−オクタデシルドコサニル、２−ヘプタデシルドコサニル、２−ヘキサデシルドコサニル、２−ペンタデシルドコサニル、２−テトラデシルドコサニル、２−トリデシルドコサニル、２−ウンデシルドコサニル、２−デシルドコサニル、２−ノニルドコサニル、２−オクチルドコサニル、２−ヘプチルドコサニル、２−ヘキシルドコサニル、２−ペンチルドコサニル、２−ブチルドコサニル、２−プロピルドコサニル、２−エチルドコサニル、２−メチルドコサニル、２−ドコサニルテトラコサニル、２−ノナデシルテトラコサニル、２−オクタデシルテトラコサニル、２−ヘプタデシルテトラコサニル、２−ヘキサデシルテトラコサニル、２−ペンタデシルテトラコサニル、２−ペンタデシルテトラコサニル、２−テトラデシルテトラコサニル、２−トリデシルテトラコサニル、２−ドデシルテトラコサニル、２−ウンデシルテトラコサニル、２−デシルテトラコサニル、２−ノニルテトラコサニル、２−オクチルテトラコサニル、２−ヘプチルテトラコサニル、２−ヘキシルテトラコサニル、２−ペンチルテトラコサニル、２−ブチルテトラコサニル、２−プロピルテトラコサニル、２−エチルテトラコサニル、２−メチルテトラコサニル、２−ヘキサコサニルオクタコサニル、２−ペンタコサニルオクタコサニル、２−テトラコサニルオクタコサニル、２−トリコサニルオクタコサニル、２−ドコサニルオクタコサニル、２−ノナデシルオクタコサニル、２−オクタデシルオクタコサニル、２−ヘプタデシルオクタコサニル、２−ヘキサデシルオクタコサニル、２−ヘキサデシルオクタコサニル、２−ペンタデシルオクタコサニル、２−テトラデシルオクタコサニル、２−トリデシルオクタコサニル、２−ドデシルオクタコサニル、２−ウンデシルオクタコサニル、２−デシルオクタコサニル、２−ノニルオクタコサニル、２−オクチルオクタコサニル、２−ヘプチルオクタコサニル、２−ヘキシルオクタコサニル、２−ペンチルオクタコサニル、２−ブチルオクタコサニル、２−プロピルオクタコサニル、２−エチルオクタコサニル、２−メチルオクタコサニル。

【0094】

式（ＩＩＩ．１）の好ましい基の例は、２−エチルヘキシル、２−エチルヘプチル、２−エチルオクチル、２−エチルノニル、及び２−エチルデシルである。

【0095】

化合物（ＩＩ．ａ）の好ましい実施形態において、基Ｒ^a及びＲ^bは、それぞれ独立して、式（ＩＩＩ．２）の基から選択される。特にＲ^a及びＲ^bは、同じ意味を有し、式（ＩＩＩ．２）の基から選択される。

【0096】

式（ＩＩＩ．２）の好ましい基は、以下のものである：
１−エチルプロピル、１−メチルプロピル、１−プロピルブチル、１−エチルブチル、１−メチルブチル、１−ブチルペンチル、１−プロピルペンチル、１−エチルペンチル、１−メチルペンチル、１−ペンチルヘキシル、１−ブチルヘキシル、１−プロピルヘキシル、１−エチルヘキシル、１−メチルヘキシル、１−ヘキシルヘプチル、１−ペンチルヘプチル、１−ブチルヘプチル、１−プロピルヘプチル、１−エチルヘプチル、１−メチルヘプチル、１−ヘプチルオクチル、１−ヘキシルオクチル、１−ペンチルオクチル、１−ブチルオクチル、１−プロピルオクチル、１−エチルオクチル、１−メチルオクチル、１−オクチルノニル、１−ヘプチルノニル、１−ヘキシルノニル、１−ペンチルノニル、１−ブチルノニル、１−プロピルノニル、１−エチルノニル、１−メチルノニル、１−ノニルデシル、１−オクチルデシル、１−ヘプチルデシル、１−ヘキシルデシル、１−ペンチルデシル、１−ブチルデシル、１−プロピルデシル、１−エチルデシル、１−メチルデシル、１−デシルウンデシル、１−ノニルウンデシル、１−オクチルウンデシル、１−ヘプチルウンデシル、１−ヘキシルウンデシル、１−ペンチルウンデシル、１−ブチルウンデシル、１−プロピルウンデシル、１−エチルウンデシル、１−メチルウンデシル、１−ウンデシルドデシル、１−デシルドデシル、１−ノニルドデシル、１−オクチルドデシル、１−ヘプチルドデシル、１−ヘキシルドデシル、１−ペンチルドデシル、１−ブチルドデシル、１−プロピルドデシル、１−エチルドデシル、１−メチルドデシル、１−ドデシルトリデシル、１−ウンデシルトリデシル、１−デシルトリデシル、１−ノニルトリデシル、１−オクチルトリデシル、１−ヘプチルトリデシル、１−ヘキシルトリデシル、１−ペンチルトリデシル、１−ブチルトリデシル、１−プロピルトリデシル、１−エチルトリデシル、１−メチルトリデシル、１−トリデシルテトラデシル、１−ウンデシルテトラデシル、１−デシルテトラデシル、１−ノニルテトラデシル、１−オクチルテトラデシル、１−ヘプチルテトラデシル、１−ヘキシルテトラデシル、１−ペンチルテトラデシル、１−ブチルテトラデシル、１−プロピルテトラデシル、１−エチルテトラデシル、１−メチルテトラデシル、１−ペンタデシルヘキサデシル、１−テトラデシルヘキサデシル、１−トリデシルヘキサデシル、１−ドデシルヘキサデシル、１−ウンデシルヘキサデシル、１−デシルヘキサデシル、１−ノニルヘキサデシル、１−オクチルヘキサデシル、１−ヘプチルヘキサデシル、１−ヘキシルヘキサデシル、１−ペンチルヘキサデシル、１−ブチルヘキサデシル、１−プロピルヘキサデシル、１−エチルヘキサデシル、１−メチルヘキサデシル、１−ヘキサデシルオクタデシル、１−ペンタデシルオクタデシル、１−テトラデシルオクタデシル、１−トリデシルオクタデシル、１−ドデシルオクタデシル、１−ウンデシルオクタデシル、１−デシルオクタデシル、１−ノニルオクタデシル、１−オクチルオクタデシル、１−ヘプチルオクタデシル、１−ヘキシルオクタデシル、１−ペンチルオクタデシル、１−ブチルオクタデシル、１−プロピルオクタデシル、１−エチルオクタデシル、１−メチルオクタデシル、１−ノナデシルエイコサニル、１−オクタデシルエイコサニル、１−ヘプタデシルエイコサニル、１−ヘキサデシルエイコサニル、１−ペンタデシルエイコサニル、１−テトラデシルエイコサニル、１−トリデシルエイコサニル、１−ドデシルエイコサニル、１−ウンデシルエイコサニル、１−デシルエイコサニル、１−ノニルエイコサニル、１−オクチルエイコサニル、１−ヘプチルエイコサニル、１−ヘキシルエイコサニル、１−ペンチルエイコサニル、１−ブチルエイコサニル、１−プロピルエイコサニル、１−エチルエイコサニル、１−メチルエイコサニル、１−エイコサニルドコサニル、１−ノナデシルドコサニル、１−オクタデシルドコサニル、１−ヘプタデシルドコサニル、１−ヘキサデシルドコサニル、１−ペンタデシルドコサニル、１−テトラデシルドコサニル、１−トリデシルドコサニル、１−ウンデシルドコサニル、１−デシルドコサニル、１−ノニルドコサニル、１−オクチルドコサニル、１−ヘプチルドコサニル、１−ヘキシルドコサニル、１−ペンチルドコサニル、１−ブチルドコサニル、１−プロピルドコサニル、１−エチルドコサニル、１−メチルドコサニル、１−トリコサニルテトラコサニル、１−ドコサニルテトラコサニル、１−ノナデシルテトラコサニル、１−オクタデシルテトラコサニル、１−ヘプタデシルテトラコサニル、１−ヘキサデシルテトラコサニル、１−ペンタデシルテトラコサニル、１−ペンタデシルテトラコサニル、１−テトラデシルテトラコサニル、１−トリデシルテトラコサニル、１−ドデシルテトラコサニル、１−ウンデシルテトラコサニル、１−デシルテトラコサニル、１−ノニルテトラコサニル、１−オクチルテトラコサニル、１−ヘプチルテトラコサニル、１−ヘキシルテトラコサニル、１−ペンチルテトラコサニル、１−ブチルテトラコサニル、１−プロピルテトラコサニル、１−エチルテトラコサニル、１−メチルテトラコサニル、１−ヘプタコサニルオクタコサニル、１−ヘキサコサニルオクタコサニル、１−ペンタコサニルオクタコサニル、１−テトラコサニルオクタコサニル、１−トリコサニルオクタコサニル、１−ドコサニルオクタコサニル、１−ノナデシルオクタコサニル、１−オクタデシルオクタコサニル、１−ヘプタデシルオクタコサニル、１−ヘキサデシルオクタコサニル、１−ヘキサデシルオクタコサニル、１−ペンタデシルオクタコサニル、１−テトラデシルオクタコサニル、１−トリデシルオクタコサニル、１−ドデシルオクタコサニル、１−ウンデシルオクタコサニル、１−デシルオクタコサニル、１−ノニルオクタコサニル、１−オクチルオクタコサニル、１−ヘプチルオクタコサニル、１−ヘキシルオクタコサニル、１−ペンチルオクタコサニル、１−ブチルオクタコサニル、１−プロピルオクタコサニル、１−エチルオクタコサニル、１−メチルオクタコサニル。

【0097】

式（ＩＩＩ．２）の特に好ましい基は、以下のものである：
１−メチルエチル、１−メチルプロピル、１−メチルブチル、１−メチルペンチル、１−メチルヘキシル、１−メチルヘプチル、１−メチルオクチル、１−エチルプロピル、１−エチルブチル、１−エチルペンチル、１−エチルヘキシル、１−エチルヘプチル、１−エチルオクチル、１−プロピルブチル、１−プロピルペンチル、１−プロピルヘキシル、１−プロピルヘプチル、１−プロピルオクチル、１−ブチルペンチル、１−ブチルヘキシル、１−ブチルヘプチル、１−ブチルオクチル、１−ペンチルヘキシル、１−ペンチルヘプチル、１−ペンチルオクチル、１−ヘキシルヘプチル、１−ヘキシルオクチル、１−ヘプチルオクチル。

【0098】

化合物（ＩＩ．ａ）の好ましい実施形態において、基Ｒ^a及びＲ^bは、それぞれ独立して、式（ＩＩＩ．３）の基から選択される。特にＲ^a及びＲ^bは、同じ意味を有し、式（ＩＩＩ．３）の基から選択される。

【0099】

式（ＩＩＩ．３）の特に好ましい基は、ｔｅｒｔ−ブチルである。

【0100】

基Ｒ^a及びＲ^bの少なくとも１つは好ましくは、ペルフルオロ−Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ₂〜Ｃ₃₀アルキル、又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキルから選択される。

【0101】

化合物（Ｉ．ａ）の好ましい実施形態において基Ｒ^a及びＲ^bは、ペルフルオロ−Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ₂〜Ｃ₃₀アルキル、又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキルから選択される。

【0102】

好ましい実施形態において、基Ｒ^a及びＲ^bは、以下のものから選択される：

【化7】

特にＲ^a及びＲ^bは同じ意味を有し、上記基から選択される。

【0103】

一般式（Ｉ．ａ）の化合物についてエナンチオマーを増加させた混合物、又は一般式（Ｉ．ａ）のエナンチオマー的に純粋なリレン化合物から製造される半導体は、有利な特性を備えることができると判明した。国際公開第２０１２／０９０１１０号（WO 2012/090110）は、ラセミ体、又は光学的に純粋な形態にあるエナンチオマーのいずれかに比して予想外の電子輸送効率を有する、エナンチオマーを増加させた混合物を記載している。この文献の教示は、ここで参照により本願に組み込まれるものとする。

【0104】

特に置換基Ｒ^a及びＲ^bは同一であり、分枝鎖状Ｃ₄〜Ｃ₄₀アルキル基、分枝鎖状Ｃ₄〜Ｃ₄₀アルケニル基、及び分枝鎖状Ｃ₄〜Ｃ₄₀ハロアルキル基から選択され、ここで分枝鎖状Ｃ₄〜Ｃ₄₀アルキル基、分枝鎖状Ｃ₄〜Ｃ₄₀アルケニル基、又は分枝鎖状Ｃ₄〜Ｃ₄₀ハロアルキル基は、

【化8】

から選択され、
上記式中Ｒ’は、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル、又はハロアルキル基であり、Ｒ’’は、Ｒ’とは異なり、かつＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル基、Ｃ₂〜Ｃ₂₀アルケニル基、及びＣ₁〜Ｃ₂₀ハロアルキル基から選択される。アスタリスク*は、Ｒ^a及びＲ^bが、（Ｒ）立体配置、又は（Ｓ）立体配置のいずれかを有する立体中心を表す。好ましい実施形態において、この混合物はエナンチオマーが増加されている。すなわちこの混合物は、（Ｒ，Ｒ）立体異性体（Ｒ^a及びＲ^bがともに（Ｒ）立体配置を有する）、又は（Ｓ，Ｓ）立体異性体（Ｒ^a及びＲ^bがともに（Ｓ）立体配置を有する）のいずれかを過剰で含有する。

【0105】

好ましいキラル置換基のＲ^a及びＲ^bは、（１Ｓ）−１−メチルブチル、（１Ｓ）−１−メチルペンチル、（１Ｓ）−１−メチルヘキシル、（１Ｓ）−１−メチルヘプチル、（１Ｓ）−１−メチルオクチル、（１Ｓ）−１−エチルプロピル、（１Ｓ）−１−エチルブチル、（１Ｓ）−１−エチルペンチル、（１Ｓ）−１−プロピルブチル、（１Ｓ）−１−プロピルペンチル、（１Ｓ）−１−プロピルヘキシル、（１Ｒ）−１−メチルブチル、（１Ｒ）−１−メチルペンチル、（１Ｒ）−１−メチルヘキシル、（１Ｒ）−１−メチルヘプチル、（１Ｒ）−１−メチルオクチル、（１Ｒ）−１−エチルプロピル、（１Ｒ）−１−エチルブチル、（１Ｒ）−１−エチルペンチル、（１Ｒ）−１−プロピルブチル、（１Ｒ）−１−プロピルペンチル、（１Ｒ）−１−プロピルヘキシルである。

【0106】

式（ＩＩ．ａ）の化合物の好ましい部類は、シアネート化若しくはハロゲン化されたリレンジイミドであり、より好ましくはシアネート化若しくはハロゲン化されたペリレンジイミドであり、特にＮ，Ｎ’−ビス置換（１，７＆１，６）−ジシアノペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）類、Ｎ，Ｎ’−ビス置換−（１，７＆１，６）−ジフルオロペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）類、Ｎ，Ｎ’−ビス置換（１，７＆１，６）−ジクロロペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）類、及びＮ，Ｎ’−ビス置換（１，７＆１，６）−ジブロモペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）類である。

【0107】

シアネート化若しくはハロゲン化された適切なリレンジイミドは例えば、米国特許第７６７１２０２号明細書、米国特許第７９０２３６３号明細書、及び米国特許第７５６９６９３号明細書（U.S. Pat. No.7,671,202、7,902,363、及び7,569,693,）、並びに米国特許出願公開第２０１０／０３１９７７８号明細書（U.S. Patent Application Publication No. 2010/0319778）に記載されている。

【0108】

さらなる好ましい実施形態において、式（ＩＩ．ａ）の化合物は、ハロゲン化されたペリレンビスイミド誘導体から選択され、これはR. Schmidt、J. H. Oh、Y.-S. Sun、M. Deppisch、A.-M. Krause、K. Radacki、H. Braunschweig、M. Koenemann、P. Erk、Z. Bao、及びF. Wurthnerが、J. Am. Chem. Soc.2009, 131, p.6215〜6228に記載している。

【0109】

さらなる好ましい実施形態において式（ＩＩ．ａ）の化合物は、国際公開第２００７／０９３６４３号（WO 2007/093643）、及び国際公開第２００７／１１６００１号（WO 2007/116001）に記載されたペリレンジイミドから選択される。

【0110】

式（ＩＩ．ａ）の化合物の具体的な例には、以下のものが含まれる：
Ｎ，Ｎ’−ビス（シクロヘキシル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（シクロヘキシル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１Η，１Ｈ−ペルフルオロブチル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１Η，１Ｈ−ペルフルオロブチル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（ｎ−オクチル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（ｎ−オクチル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチルヘキシル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチルヘキシル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−エチルヘキシル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−エチルヘキシル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヘプチルオキシフェニル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヘプチルオキシフェニル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビフェニリル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビフェニリル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチルビフェニリル）］−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチルビフェニリル）］−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［４’−（（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］ビフェニリル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［４’−（（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］ビフェニリル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニル）］−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニル）］−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２’，３’，５’，６’−テトラフルオロビフェニル）］−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２’，３’，５’，６’−テトラフルオロビフェニル）］−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２，３，５，６−テトラフルオロビフェニル）］−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２，３，５，６−テトラフルオロビフェニル）］−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（ベンジル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（ベンジル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルベンジル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルベンジル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニルオキシ］ベンジル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニルオキシ］ベンジル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ベンジルフェニル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ベンジルフェニル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［１−（２−フェニルエチル）］フェニル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［１−（２−フェニルエチル）］フェニル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ベンゾイルフェニル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ベンゾイルフェニル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−メチルブチル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−メチルブチル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−メチルペンチル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−メチルペンチル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［（１Ｓ）−１−メチルペンチル］−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［（１Ｓ）−１−メチルペンチル］−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［（１Ｒ）−１−メチルペンチル］−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［（１Ｒ）−１−メチルペンチル］−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−メチルヘキシル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−メチルヘキシル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−エチルプロピル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−エチルプロピル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−エチルブチル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−エチルブチル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−エチルペンチル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−エチルペンチル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−エチルヘキシル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−エチルヘキシル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１，３−ジメチルブチル）−１，６−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１，３−ジメチルブチル）−１，７−ジシアノ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（シクロヘキシル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（シクロヘキシル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（ｎ−オクチル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（ｎ−オクチル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチルヘキシル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチルヘキシル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−エチルヘキシル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−エチルヘキシル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヘプチルオキシフェニル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヘプチルオキシフェニル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビフェニリル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビフェニリル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチルビフェニリル）］−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチルビフェニリル）］−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［４’−（（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］ビフェニリル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［４’−（（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］ビフェニリル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニル）］−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニル）］−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２’，３’，５’，６’−テトラフルオロビフェニル）］−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２’，３’，５’，６’−テトラフルオロビフェニル）］−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２，３，５，６−テトラフルオロビフェニル）］−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２，３，５，６−テトラフルオロビフェニル）］−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（ベンジル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（ベンジル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルベンジル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルベンジル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニルオキシ］ベンジル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニルオキシ］ベンジル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ベンジルフェニル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ベンジルフェニル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［１−（２−フェニルエチル）］フェニル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［１−（２−フェニルエチル）］−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ベンゾイルフェニル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ベンゾイルフェニル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−メチルブチル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−メチルブチル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−メチルペンチル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−メチルペンチル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−メチルヘキシル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−メチルヘキシル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−エチルプロピル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−エチルプロピル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−エチルブチル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−エチルブチル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−エチルペンチル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−エチルペンチル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−エチルヘキシル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１−エチルヘキシル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１，３−ジメチルブチル）−１，６−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１，３−ジメチルブチル）−１，７−ジクロロ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（シクロヘキシル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ、Ｎ’−ビス（シクロヘキシル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９、１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１Η，１Ｈ−ペルフルオロブチル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（１Η，１Ｈ−ペルフルオロブチル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（ｎ−オクチル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（ｎ−オクチル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチルヘキシル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチルヘキシル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−エチルヘキシル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−エチルヘキシル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］フェニル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヘプチルオキシフェニル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヘプチルオキシフェニル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビフェニリル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビフェニリル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチルビフェニリル）］−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチルビフェニリル）］−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［４’−（（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］ビフェニリル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［４’−（（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニル］ビフェニリル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニル）］−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（２’，３’，４’，５’，６’−ペンタフルオロビフェニル）］−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２’，３’，５’，６’４−テトラフルオロビフェニル）］−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２’，３’，５’，６’４−テトラフルオロビフェニル）］−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２，３，５，６−テトラフルオロビフェニル）］−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（４’−ｎ−オクチル−２，３，５，６−テトラフルオロビフェニル）］−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（ベンジル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（ベンジル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルベンジル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルベンジル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニルオキシ］ベンジル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［（３Ｓ）−３，７−ジメチル−６−オクテニルオキシ］ベンジル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ベンジルフェニル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ベンジルフェニル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［１−（２−フェニルエチル）］フェニル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−［１−（２−フェニルエチル）］フェニル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ν，Ν’−ビス（４−ｎ−ベンゾイルフェニル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ν，Ν’−ビス（４−ｎ−ベンゾイルフェニル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ν，Ν’−ビス（１−メチルブチル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ν，Ν’−ビス（１−メチルブチル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ν，Ν’−ビス（１−メチルペンチル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ν，Ν’−ビス（１−メチルペンチル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ν，Ν’−ビス（１−メチルヘキシル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ν，Ν’−ビス（１−メチルヘキシル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ν，Ν’−ビス（１−エチルプロピル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ν，Ν’−ビス（１−エチルプロピル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ν，Ν’−ビス（１−エチルブチル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ν，Ν’−ビス（１−エチルブチル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ν，Ν’−ビス（１−エチルペンチル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ν，Ν’−ビス（１−エチルペンチル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ν，Ν’−ビス（１−エチルヘキシル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ν，Ν’−ビス（１−エチルヘキシル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、
Ν，Ν’−ビス（１，３−ジメチルブチル）−１，６−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）、及び
Ν，Ν’−ビス（１，３−ジメチルブチル）−１，７−ジブロモ−ペリレン−３，４：９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）。

【0111】

特に好ましい化合物（ＩＩ．ａ）のうち幾つかを、以下に具体的に記す：

【化9-1】

【化9-2】

【化9-3】

【化9-4】

【化9-5】

【化9-6】

【化9-7】

【化9-8】

【化9-9】

【化9-10】

【化9-11】

【化9-12】

【化9-13】

【化9-14】

【化9-15】

【化9-16】

【化9-17】

【化9-18】

【化9-19】

【化9-20】

【0112】

さらなる好ましい実施形態において成分Ａ）は、式（ＩＩ．ｂ）の化合物：

【化10】

を少なくとも１種含有し、
上記式中、
Ｒ^1b及びＲ^2bは独立して、水素、及びそれぞれの場合において非置換又は置換された直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル、直鎖状Ｃ₂〜Ｃ₃₀アルケニル、分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルケニル、直鎖状Ｃ₂〜Ｃ₃₀アルキニル、分枝鎖状Ｃ₄〜Ｃ₃₀アルキニル、シクロアルキル、アリール、及びヘタリールから選択され、
Ｙ^1b及びＹ^2bは独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、及びＮＲ^3bから選択され、ここでＲ^3bは、水素、及びそれぞれの場合において非置換又は置換されたアルキル、シクロアルキル、及びアリールから選択される。

【0113】

式（ＩＩ．ｂ）の適切な化合物、及びその製造方法は、国際公開第２０１３／１６８０４８号（WO 2013/168048）に記載されており、その内容はここで参照を以て本願に組み込まれるものとする。

【0114】

好ましくは、Ｒ^1b及びＲ^2bは独立して、水素、非置換の直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、非置換の分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル、ハロゲン置換された直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、及びハロゲン置換された分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキルから選択される。

【0115】

好ましくは、Ｒ^1b及びＲ^2bは独立して、水素、非置換の直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、非置換の分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル、直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀フルオロアルキル、及び分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀フルオロアルキルから選択される。特にＲ^1b及びＲ^2bは独立して、水素、非置換の直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、及び非置換の分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキルから選択される。好ましくは、式（ＩＩ．ｂ）の化合物においてＲ^1b及びＲ^2bは、同じ意味を有する。

【0116】

好ましい実施形態において、式（ＩＩ．ｂ）の化合物は、式（Ｉ．ｂ１）の化合物：

【化11】

から選択され、
上記式中、
Ｒ^1b及びＲ^2bは独立して、直鎖状Ｃ₇〜Ｃ₂₂アルキル、及び分枝鎖状Ｃ₇〜Ｃ₂₂アルキルから選択される。

【0117】

好ましくは、式（ＩＩ．ｂ１）の化合物においてＲ^1b及びＲ^2bは、同じ意味を有する。

【0118】

特別な実施形態において、Ｒ^1b及びＲ^2bは同じ意味を有し、直鎖状Ｃ₇〜Ｃ₂₂アルキルから選択される。

【0119】

さらなる好ましい実施形態において成分Ａ）は、式（ＩＩ．ｃ）の化合物：

【化12】

を少なくとも１種含有し、
上記式中、
Ｒ^1c及びＲ^2cは独立して、水素、及びそれぞれの場合において非置換又は置換された直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル、直鎖状Ｃ₂〜Ｃ₃₀アルケニル、分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルケニル、直鎖状Ｃ₂〜Ｃ₃₀アルキニル、分枝鎖状Ｃ₄〜Ｃ₃₀アルキニル、シクロアルキル、アリール、及びヘタリールから選択され、
Ｙ^1c、Ｙ^2c、及びＹ^3cは独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、及びＮＲ^3cから選択され、ここでＲ^3cは、水素、及びそれぞれの場合において非置換又は置換されたアルキル、シクロアルキル、及びアリールから選択される。

【0120】

式（ＩＩ．ｃ）の適切な化合物、及びその製造方法は、国際公開第２０１５／０５１２２６号（PCT/IB2015/051226）に記載されており、その内容はここで参照を以て本願に組み込まれるものとする。

【0121】

好ましくはＹ^1c、Ｙ^2c、及びＹ^3cはすべて、Ｓである。

【0122】

好ましくはＲ^1c及びＲ^2cは独立して、水素、非置換の直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、非置換の分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル、ハロゲン置換された直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、及びハロゲン置換された分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキルから選択される。

【0123】

好ましくは、Ｒ^1c及びＲ^2cは独立して、水素、非置換の直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、非置換の分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル、直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀フルオロアルキル、及び分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀フルオロアルキルから選択される。特にＲ^1c及びＲ^2cは独立して、水素、非置換の直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、及び非置換の分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキルから選択される。

【0124】

式（ＩＩ．ｃ）の化合物の特別な実施形態において、Ｒ^1cは水素であり、Ｒ^2cは直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、及び分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキルから選択される。

【0125】

式（ＩＩ．ｃ）の化合物のさらなる特別な実施形態において、Ｒ^1c及びＲ^2cはともに、直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、及び分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキルから選択される。

【0126】

好ましい実施形態において、式（ＩＩ．ｃ）の化合物は、式（ＩＩ．ｃ１）、及び（ＩＩ．ｃ２）の化合物：

【化13】

から選択され、
上記式中、
Ｒ^1c及びＲ^2cは独立して、直鎖状Ｃ₇〜Ｃ₂₂アルキル、及び分枝鎖状Ｃ₇〜Ｃ₂₂アルキルから選択される。

【0127】

好ましくは、式（ＩＩ．ｃ１）の化合物において、Ｒ^2cは、直鎖状Ｃ₇〜Ｃ₂₂アルキルから選択される。

【0128】

好ましくは、式（ＩＩ．ｃ２）の化合物においてＲ^1c及びＲ^2cは、同じ意味を有する。

【0129】

特別な実施形態において、Ｒ^1c及びＲ^2cは同じ意味を有し、直鎖状Ｃ₇〜Ｃ₂₂アルキルから選択される。

【0130】

さらなる好ましい実施形態において成分Ａ）は、式（ＩＩ．ｄ）の化合物：

【化14】

を少なくとも１種含有し、
上記式中、
Ｒ^1d及びＲ^2dは独立して、水素、及びそれぞれの場合において非置換又は置換された直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル、直鎖状Ｃ₂〜Ｃ₃₀アルケニル、分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルケニル、直鎖状Ｃ₂〜Ｃ₃₀アルキニル、分枝鎖状Ｃ₄〜Ｃ₃₀アルキニル、シクロアルキル、アリール、及びヘタリールから選択され、
Ｙ^1d、Ｙ^2d、Ｙ^3d、及びＹ^4dは独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、及びＮＲ^3dから選択され、ここでＲ^3dは、水素、及びそれぞれの場合において非置換又は置換されたアルキル、シクロアルキル、及びアリールから選択される。

【0131】

式（ＩＩ．ｄ）の適切な化合物、及びその製造方法は、国際公開第２０１４／０８７３００号（WO 2014/087300）に記載されており、その内容はここで参照を以て本願に組み込まれるものとする。

【0132】

好ましくはＹ^1d、Ｙ^2d、Ｙ^3d、及びＹ^4dはすべて、Ｓである。

【0133】

好ましくはＲ^1d及びＲ^2dは独立して、水素、非置換の直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、非置換の分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル、ハロゲン置換された直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、及びハロゲン置換された分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキルから選択される。

【0134】

好ましくは、Ｒ^1d及びＲ^2dは独立して、水素、非置換の直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、非置換の分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル、直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀フルオロアルキル、及び分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀フルオロアルキルから選択される。特にＲ^1d及びＲ^2dは独立して、水素、非置換の直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、及び非置換の分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキルから選択される。

【0135】

式（ＩＩ．ｄ）の化合物の特別な実施形態において、Ｒ^1dは水素であり、Ｒ^2dは直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、及び分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキルから選択される。

【0136】

式（ＩＩ．ｄ）の化合物のさらなる特別な実施形態において、Ｒ^1d及びＲ^2dはともに、直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、及び分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキルから選択される。

【0137】

好ましい実施形態において、式（ＩＩ．ｄ）の化合物は、式（ＩＩ．ｄ１）、及び（ＩＩ．ｄ２）の化合物：

【化15】

から選択され、
上記式中、
Ｒ^1d及びＲ^2dは独立して、直鎖状Ｃ₇〜Ｃ₂₂アルキル、及び分枝鎖状Ｃ₇〜Ｃ₂₂アルキルから選択される。

【0138】

好ましくは、式（ＩＩ．ｄ１）の化合物において、Ｒ^2dは、直鎖状Ｃ₇〜Ｃ₂₂アルキルから選択される。

【0139】

好ましくは、式（ＩＩ．ｄ２）の化合物においてＲ^1d及びＲ^2dは、同じ意味を有する。

【0140】

特別な実施形態において、Ｒ^1d及びＲ^2dは同じ意味を有し、直鎖状Ｃ₇〜Ｃ₂₂アルキルから選択される。

【0141】

さらなる好ましい実施形態において成分Ａ）は、式（ＩＩ．ｅ）の化合物：

【化16】

を少なくとも１種含有し、
上記式中、
Ｒ^1e及びＲ^2eは独立して、水素、及びそれぞれの場合において非置換又は置換された直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル、直鎖状Ｃ₂〜Ｃ₃₀アルケニル、分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルケニル、直鎖状Ｃ₂〜Ｃ₃₀アルキニル、分枝鎖状Ｃ₄〜Ｃ₃₀アルキニル、シクロアルキル、アリール、及びヘタリールから選択され、
Ｙ^1e及びＹ^2eは独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、及びＮＲ^3eから選択され、ここでＲ^3eは、水素、及びそれぞれの場合において非置換又は置換されたアルキル、シクロアルキル、及びアリールから選択される。

【0142】

式（ＩＩ．ｅ）の適切な化合物、及びその製造方法は、欧州特許第２０７７５９０号明細書（EP 2 077 590 B1）に記載されており、その内容はここで参照を以て本願に組み込まれるものとする。

【0143】

好ましくは、Ｙ^1e及びＹ^2eはともにＳであるか、又はともにＳｅである。特にＹ^1e及びＹ^2eは、ともにＳである。

【0144】

好ましくは、Ｒ^1e及びＲ^2eは独立して、水素、非置換の直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、非置換の分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル、直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀フルオロアルキル、及び分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀フルオロアルキルから選択される。特にＲ^1e及びＲ^2eは独立して、水素、非置換の直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、及び非置換の分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキルから選択される。

【0145】

好ましくは、Ｒ^1eは水素であり、Ｒ^2eは独立して、非置換の直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、非置換の分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキル、ハロゲン置換された直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、及びハロゲン置換された分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキルから選択される。

【0146】

式（ＩＩ．ｅ）の化合物の特別な実施形態において、Ｒ^1e及びＲ^2eはともに、直鎖状Ｃ₁〜Ｃ₃₀アルキル、及び分枝鎖状Ｃ₃〜Ｃ₃₀アルキルから選択される。

【0147】

好ましい実施形態において、式（ＩＩ．ｅ）の化合物は、式（ＩＩ．ｅ１）、及び（ＩＩ．ｅ２）の化合物：

【化17】

から選択され、
上記式中、
Ｒ^1e及びＲ^2eは独立して、非置換の直鎖状Ｃ₇〜Ｃ₂₂アルキル、及び非置換の分枝鎖状Ｃ₇〜Ｃ₂₂アルキルから選択される。

【0148】

好ましくは、式（ＩＩ．ｅ１）及び（ＩＩ．ｅ２）の化合物においてＲ^1e及びＲ^2eは、同じ意味を有する。

【0149】

好ましくは、式（ＩＩ．ｅ１）及び（ＩＩ．ｅ２）の化合物においてＲ^1e及びＲ^2eは、直鎖状Ｃ₇〜Ｃ₂₂アルキルから選択される。

【0150】

溶媒Ｌ１）
本発明による方法の工程（ａ）では、溶媒（Ｌ１）に、又は少なくとも１種の溶媒（Ｌ１）を含有する溶媒混合物に少なくとも１種の有機半導体Ａ）を入れた溶液を用意し、ここで溶媒（Ｌ１）は、
・１０１３．２５ｍｂａｒで少なくとも１４０℃という沸点、
・２３℃で少なくとも１．２ｍＰａｓという粘度、及び
・２０℃で少なくとも３１．５ｍＮ／ｍという表面張力
を示す。

【0151】

原則的に、溶媒（Ｌ１）、及び補助溶媒（Ｌ２）は、同じ溶媒の部類から選択することができるが、ただし溶媒（Ｌ１）は必ず、上記パラメータを満たすものである。

【0152】

本発明による組成物は成分Ｌ１）として、以下のものから選択される化合物を少なくとも１種含有する：
Ｌ１．１）式（Ｉ）の化合物：

【化18】

から選択される、２０℃、及び１０１３ｍｂａｒで液状の化合物少なくとも１種、
上記式中、
Ａは、５〜８員環の非置換若しくは置換された、脂肪族若しくは芳香族の炭素環又は複素環であり、
Ｘ¹及びＸ²は独立して、_*−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、_*−（ＣＨ₂）_m−Ｏ−、又は_*−（ＣＨ₂）_m−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−から選択され、ここで_*は、ベンゼン環に対する結合点であり、ｍは０、１、又は２の値を有し、
Ｒ^c、及びＲ^dは独立して、非分枝状、及び分枝鎖状のＣ₁〜Ｃ₁₂アルキル、及びＣ₂〜Ｃ₁₂アルケニルから選択され、
Ｌ１．２）アルキルベンゾエート、
Ｌ１．３）ヒドロキ安息香酸エステル、
Ｌ１．４）アルキレンカーボネート、
Ｌ１．５）芳香脂肪族ケトン、
Ｌ１．６）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、
Ｌ１．７）Ｎ−メチルピロリドン、
Ｌ１．８）脂環式環を有する多環式炭化水素、
Ｌ１．９）ジクロロベンゼン、
及びこれらの混合物。

【0153】

好ましい実施形態において少なくとも１種の有機半導体Ａ）は、溶媒（Ｌ１）中、又は溶媒（Ｌ１）のみから成る混合物中で、２０℃で少なくとも０．０１ｍｇ／ｍｌ、より好ましくは少なくとも０．０５ｍｇ／ｍｌという溶解度を示す。

【0154】

少なくとも１種の有機半導体Ａ）が、成分Ｌ１）中、又は成分Ｌ１）の混合物中において、２０℃で０．０１ｍｇ／ｍｌ未満という溶解度を示す場合、成分Ｌ１）とは異なる有機溶媒、及び成分Ｌ１）とは異なる有機溶媒の混合物から選択されるさらなる補助溶媒Ｌ２）を添加することができる。よって、さらなる好ましい実施形態において有機半導体Ａ）は、成分Ｌ１）及びＬ２）の混合物中で、２０℃で少なくとも０．０１ｍｇ／ｍｌ、好ましくは少なくとも０．５ｍｇ／ｍｌという溶解度を示す。

【0155】

少なくとも１種の有機半導体Ａ）が成分Ｌ１）中だけで充分な溶解度を示す場合に、さらなる補助溶媒Ｌ２）を用いることも、もちろん可能である。この場合、さらなる補助溶媒を、特定の適用特性（例えば印刷技術による組成物の良好な加工性）をもたらすために添加することができる。

【0156】

成分Ｌ１）は好ましくは、溶液の全質量に対して１〜９９．９９９９９９９質量％の量、好ましくは２〜９９．９９９９９９質量％の量、より好ましくは５〜９９．９９９９９質量％の量、特に１０〜９９．９９９９９質量％の量で存在する。

【0157】

成分Ｌ１）は好ましくは、成分Ａ）及びＬ１）の全質量に対して１〜９９．９９９９９９９質量％の量、好ましくは２〜９９．９９９９９９質量％の量、より好ましくは５〜９９．９９９９９質量％の量、特に１０〜９９．９９９９９質量％の量で存在する。

【0158】

一般式（Ｌ１．１）の化合物は好ましくは、式（Ｉ．１）、（Ｉ．２）、（Ｉ．３）、（Ｉ．４）、及び（Ｉ．５）の化合物：

【化19】

から選択され、
上記式中、
Ｘ¹及びＸ²は独立して、_*−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、_*−（ＣＨ₂）_m−Ｏ−、又は_*−（ＣＨ₂）_m−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−から選択され、ここで*は、脂肪族若しくは芳香族の炭素環又は複素環に対する結合点であり、ｍは０、１、又は２の値を有し、かつ
Ｒ^c、及びＲ^dは独立して、非分枝状、及び分枝鎖状のＣ₁〜Ｃ₁₂アルキル、及びＣ₂〜Ｃ₁₂アルケニルから選択される。

【0159】

式（Ｉ）、（Ｉ．１）、（Ｉ．２）、（Ｉ．３）、（Ｉ．４）、及び（Ｉ．５）の化合物における部分Ｒ^c及びＲ^dは、相互に独立して、非分枝状若しくは分枝鎖状のＣ₇〜Ｃ₁₂アルキル部分であることが好ましい。

【0160】

式（Ｉ）、（Ｉ．１）、（Ｉ．２）、（Ｉ．３）、（Ｉ．４）、及び（Ｉ．５）の化合物における部分Ｒ^c及びＲ^dは好ましくは、同じ意味を有する。

【0161】

式（Ｉ）、（Ｉ．１）、（Ｉ．２）、（Ｉ．３）、（Ｉ．４）、及び（Ｉ．５）の化合物においてＲ^c及びＲ^dは好ましくは、独立して、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、イソブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、ｎ−ノニル、イソノニル、イソデシル、２−プロピルヘプチル、ｎ−ウンデシル、及びイソウンデシルから選択される。

【0162】

好ましくは、式（Ｉ）、（Ｉ．１）、（Ｉ．２）、（Ｉ．３）、（Ｉ．４）、及び（Ｉ．５）の化合物においてＲ^c及びＲ^dは、ともに*−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−である。

【0163】

特に式Ｉ．１の化合物は、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジ（ｎ−プロピル）フタレート、ジ（ｎ−ブチル）フタレート、ジアリルフタレート、及びこれらの混合物から選択される。

【0164】

一般式（Ｉ）の適切な化合物、及び式（Ｉ）、（Ｉ．１）、（Ｉ．２）、（Ｉ．３）、（Ｉ．４）、及び（Ｉ．５）の適切な化合物、及びこれらの製造方法は、当業者に公知である。これらの化合物は、可塑剤（すなわち、所望の加工特性、又は所望の性能的特徴を達成するために多くのプラスチックで使用される添加剤）として従前より公知である。フタル酸ジエステル（Ｉ．１）、及び異なる化学構造のアルコールを有するテレフタル酸ジエステル（Ｉ．２）は以前にはしばしば、可塑剤として使用されてきた。なぜならば、これらはＰＶＣとの適合性が良好であり、有利な性能的特徴を有するからである。短鎖フタレート、例えばジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジイソブチルフタレート（ＤＩＢＰ）などもまた、ゲル化助剤（高速融着剤：fast fuser）として使用される。

【0165】

ジアルキルシクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸エステル（Ｉ．３）は購入できるか、又は当業者に公知の方法によって製造できる。１，２−シクロヘキサンジカルボン酸エステルは一般的に大部分が、相応するフタル酸エステルの環水素化によって得られる。この環水素化は、国際公開第９９／３２４２７号（WO 99/32427）に記載された方法によって前述のように行うことができる。特に適切な環水素化法はまた、国際公開第２０１１／０８２９９１号（2011/082991 A2）の実施例によって記載されている。１，２−シクロヘキサンジカルボン酸エステルはさらに、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸、又は適切なその誘導体を、相応するアルコールによりエステル化することによって得られる。このエステル化は、当業者に公知の慣用の方法によって行うことができる。

【0166】

２，５−フランジカルボン酸（ＦＤＣＡ＝成分Ｉ．４）のエステルは、別の可塑剤の部類である。R. D. Sandersonらは、J. Appl. Pol. Sci., 1994年、vol. 53, p.1785〜1793で、２，５−フランジカルボン酸エステルの合成と、その可塑剤としての使用を記載している。国際公開第２０１２／１１３６０８号（WO 2012/113608）は、２，５−フランジカルボン酸のＣ₅ジアルキルエステルを、国際公開第２０１２／１１３６０９号（WO 2012/113609）は、２，５−フランジカルボン酸のＣ₇ジアルキルエステルを、国際公開第２０１１／０２３４９０号（WO 2011/023490）は、２，５−フランジカルボン酸のＣ₉ジアルキルエステルを、そして国際公開第２０１１／０２３４９１号（WO 2011/023491）は、２，５−フランジカルボン酸のＣ₁₀ジアルキルエステルを記載している。

【0167】

式（Ｉ．２）の化合物は好ましくは、ジメチルテレフタレート、ジエチルテレフタレート、ジ（ｎ−プロピル）テレフタレート、ジ（ｎ−ブチル）テレフタレート、ジアリルテレフタレート、及びこれらの混合物から選択される。

【0168】

式（Ｉ．３）の化合物は好ましくは、ジメチル−１，２−シクロヘキサンジカルボキシレート、ジエチル−１，２−シクロヘキサンジカルボキシレート、ジ（ｎ−プロピル）−１，２−シクロヘキサンジカルボキシレート、ジ（ｎ−ブチル）−１，２−シクロヘキサンジカルボキシレート、ジアリル−１，２−シクロヘキサンジカルボキシレート、及びこれらの混合物から選択される。

【0169】

式（Ｉ．４）の化合物は好ましくは、ジメチル−２，５−フランジカルボキシレート、ジエチル−２，５−フランジカルボキシレート、ジ（ｎ−プロピル）−２，５−フランジカルボキシレート、ジ（ｎ−ブチル）−２，５−フランジカルボキシレート、ジアリル−２，５−フランジカルボキシレート、及びこれらの混合物から選択される。

【0170】

式（Ｉ．５）の２，５−テトラヒドロフランジカルボン酸のジエステル：

【化20】

［上記式中、Ｒ^c及びＲ^dは独立して、非分枝状、及び分枝鎖状のＣ₁〜Ｃ₁₂アルキル、及びＣ₂〜Ｃ₁₂アルケニルから選択される］
は、以下の工程を有する方法によって製造するのが好ましい：
ａ）任意で、２，５−フランジカルボン酸、又はその無水物、又はそのハロゲン化アシルを、触媒の存在下でＣ₁〜Ｃ₃アルカノールと反応させて、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₃アルキル）２，５−フランジカルボキシレートにする工程、
ｂ１）２，５−フランジカルボン酸、若しくはその無水物、若しくはそのハロゲン化アシル、又は工程ａ）で得られたジ（Ｃ₁〜Ｃ₃アルキル）２，５−フランジカルボキシレートを、少なくとも１種の触媒の存在下で、少なくとも１種のアルコールＲ^c−ＯＨと反応させ、Ｒ^cとＲ^dが異なる場合には、少なくとも１種のアルコールＲ^d−ＯＨとも反応させ、式（Ｉ．５ａ）の化合物にする工程、

【化21】

ｃ１）工程ｂ１）で得られた化合物（Ｉ．５ａ）を、少なくとも１種の水素化触媒の存在下で、水素により水素化して、一般式（Ｉ．５）の化合物にする工程、
ｂ２）工程ａ）で得られた２，５−フランジカルボン酸、又はジ（Ｃ₁〜Ｃ₃アルキル）２，５−フランジカルボキシレートを、少なくとも１種の水素化触媒の存在下で、水素により水素化して、一般式（Ｉ．５ｂ）の化合物にする工程、

【化22】

ｃ２）工程ｂ２）で得られる化合物（Ｉ．５ｂ）を触媒の存在下で、少なくとも１種のアルコールＲ^c−ＯＨと反応させ、Ｒ^cとＲ^dが異なる場合には、少なくとも１種のアルコールＲ^d−ＯＨとも反応させ、式（Ｉ．５）の化合物にする工程。

【0171】

式（Ｉ．５）の化合物は好ましくは、ジメチル−２，５−テトラヒドロフランジカルボキシレート、ジエチル−２，５−テトラヒドロフランジカルボキシレート、ジ（ｎ−プロピル）−２，５−テトラヒドロフランジカルボキシレート、ジ（ｎ−ブチル）−２，５−テトラヒドロフランジカルボキシレート、ジアリル−２，５−テトラヒドロフランジカルボキシレート、及びこれらの混合物から選択される。

【0172】

上記工程により、２つの異なる経路によって（以下では変法１、及び変法２と呼ぶ）、一般式（Ｉ．５）の２，５−テトラヒドロフランジカルボン酸エステルの製造が可能になる。

【0173】

工程ａ）で使用するために適切なＣ₁〜Ｃ₃アルカノールの例は、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、及びこれらの混合物である。

【0174】

本発明による工程の変法１では、２，５−フランジカルボン酸、又は工程ａ）で得られるジ（Ｃ₁〜Ｃ₃アルキル）２，５−フランジカルボキシレートを、少なくとも１種のアルコールＲ^c−ＯＨとの、Ｒ^cとＲ^dが異なる場合には、また少なくとも１種のアルコールＲ^d−ＯＨとのエステル化、又はエステル交換にかけて式（Ｉ．５ａ）の化合物にし、それからこれを水素化して、一般式（Ｉ．５）の化合物にする（工程ｃ１）。

【0175】

変法２では、２，５−フランジカルボン酸、又は工程ａ）で得られた２，５−ジ（Ｃ₁〜Ｃ₃アルキル）フランジカルボキシレートをまず水素化して、２，５−テトラヒドロフランジカルボン酸にするか、又はそれぞれ、一般式（Ｉ．１ｂ）の化合物にし（工程ｂ２）、それから水素化生成物を少なくとも１種のアルコールＲ^c−ＯＨと反応させ、Ｒ^cとＲ^dが異なる場合には、少なくとも１種のアルコールＲ^d−ＯＨとも反応させ、一般式（Ｉ．５）の化合物にする（工程ｃ２）。

【0176】

当業者に公知の慣用のプロセスを、２，５−フランジカルボン酸（ＦＤＣＡ）、又は２，５−テトラヒドロフランジカルボン酸を変換して、一般式（Ｉ．５）、（Ｉ．５ａ）、及び（Ｉ．５ｂ）の相応するエステル化合物にするために使用することができる。これらの中に、Ｃ₁〜Ｃ₃アルカノールから、又はアルコールＲ^c−ＯＨ及びＲ^d−ＯＨからそれぞれ選択される少なくとも１種のアルコール成分を、ＦＤＣＡ、又は適切なその誘導体と反応させる反応がある。適切な誘導体の例は、ハロゲン化アシル、及び無水物である。好ましいハロゲン化アシルは、塩化アシルである。使用可能なエステル化触媒は、このために慣用に使用される触媒であり、それは例えば、鉱酸、例えば硫酸、及びリン酸、有機スルホン酸、例えばメタンスルホン酸、及びｐ−トルエンスルホン酸、両性触媒、特にチタン化合物、スズ（ＩＶ）化合物、又はジルコニウム化合物、例えばテトラアルコキシチタニウム化合物、例えばテトラブトキシチタニウム、及びスズ（ＩＶ）酸化物である。反応の間に生成する水は、慣用の手段、例えば蒸留により除去することができる。国際公開第０２／０３８５３１号（WO 02/038531）は、ａ）酸性成分若しくはその無水物と、アルコール成分とから実質的になる混合物をエステル化触媒の存在下で反応帯域において沸点まで加熱し、ｂ）アルコール及び水を含有する蒸気を分留して、アルコールの多い留分と、水の多い留分を得、ｃ）アルコールの多い留分を反応帯域に戻し、水の多い留分をプロセスから排出する、エステルの製造方法を記載している。使用されるエステル化触媒は、上記触媒である。エステル化触媒の効果的な量を使用し、これは通常、酸性成分（又は無水物）及びアルコール成分の全体に対して０．０５〜１０質量％の範囲、好ましくは０．１〜５質量％の範囲にある。エステル化プロセスの実施については例えば、米国特許第６３１０２３５号明細書（US 6,310,235）、米国特許第５３２４８５３号明細書（US 5,324,853）、西独国特許出願公開第２６１２３５５号明細書（DE-A 2612355、Derwent Abstract No. DW 77-72638 Y）、又は西独国特許出願公開第１９４５３５９号明細書（DE-A 1945359、Derwent Abstract No. DW 73-27151 U）にさらに詳細に記載されている。言及したこれらの文献全体は、ここで参照によって本願に組み込まれるものとする。

【0177】

エステル化は一般的に、周囲圧力下、又は減圧下、若しくは高圧下で行うことができる。エステル化は周囲圧力、又は減圧下で行うことが好ましい。

【0178】

エステル化は、添加されたあらゆる溶媒の不在下で、又は有機溶媒の存在下で行うことができる。

【0179】

エステル化を溶媒の存在下で行う場合、使用する有機溶媒が、反応条件下で不活性であることが好ましい。これらの中で例を挙げると、脂肪族炭化水素、ハロゲン化脂肪族炭化水素、及び芳香族、及び置換された芳香族炭化水素、及びエーテルである。溶媒が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、リグロイン、石油エーテル、シクロヘキサン、ジクロロメタン、トリクロロメタン、テトラクロロメタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ジブチルエーテル、ＴＨＦ、ジオキサン、及びこれらの混合物から選択されるものであることが好ましい。

【0180】

エステル化は通常、５０〜２５０℃の範囲の温度で行う。

【0181】

エステル化触媒が、有機酸又は鉱酸から選択されるものである場合、エステル化は通常、５０〜１６０℃の範囲の温度で行う。

【0182】

エステル化触媒が、両性触媒から選択されるものである場合、エステル化は通常、１００〜２５０℃の範囲の温度で行う。

【0183】

エステル化は、不活性ガスの不在下、又は不活性ガスの存在下で行うことができる。

【0184】

当業者に公知の慣用のプロセスを、工程ｂ１）及びｃ２）に記載した、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₃アルキル）２，５−フランジカルボキシレート、及びジ（Ｃ₁〜Ｃ₃アルキル）２，５−テトラヒドロフランジカルボキシレートをそれぞれ反応させて、相応するエステル化合物ＩＩ．５ａ、及びＩＩ．５をそれぞれ得る反応のために使用することもできる。特に、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₃）アルキルエステルを、少なくとも１種のＣ₇〜Ｃ₁₂アルカノールと、又はその混合物と、適切なエステル交換触媒の存在下で反応させる。

【0185】

使用可能なエステル交換触媒は、エステル交換反応のために通常使用可能な慣用の触媒であり、ここでこれらはその大部分が、エステル化反応でも使用される。その中でも例を挙げると、鉱酸、例えば硫酸、及びリン酸；有機スルホン酸、例えばメタンスルホン酸、及びｐ−トルエンスルホン酸；及びスズ（ＩＶ）触媒の群からの特定の金属触媒、例えばジアルキルスズジカルボキシレート、例えば二酢酸ジブチルスズ、トリアルキルスズアルコキシド、モノアルキルスズ化合物、例えばモノブチルスズジオキシド、スズ塩、例えば酢酸スズ、又はスズ酸化物；チタン触媒の群からのもの：モノマー及びポリマーのチタネート、及びチタンキレート、例えばテトラエチルオルトチタネート、テトラプロピルオルトチタネート、テトラブチルオルトチタネート、トリエタノールアミンチタネート；ジルコニウム触媒の群からのもの：ジルコネート、及びジルコニウムキレート、例えばテトラプロピルジルコネート、テトラブチルジルコネート、トリエタノールアミンジルコネート；並びにリチウム触媒、例えばリチウム塩、リチウムアルコキシド、及びアルミニウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート、クロム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトネート、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトネート、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトネート、及び亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトネートである。

【0186】

使用するエステル交換触媒の量は、０．００１〜１０質量％、好ましくは０．０５〜５質量％である。反応混合物は、反応混合物の沸点まで加熱するのが好ましく、よって反応温度は、反応体次第で２０〜２００℃である。

【0187】

エステル交換は、周囲圧力下、又は減圧下、若しくは高圧下で行うことができる。エステル交換は０．００１〜２００ｂａｒ、特に０．０１〜５ｂａｒの圧力で行うのが好ましい。エステル交換の間に脱離する沸点が比較的低いアルコールは、エステル交換反応の平衡をシフトさせるため、蒸留によって連続的に除去するのが好ましい。この目的のために必要な蒸留カラムは一般的に、エステル交換反応器に直接接続しており、このカラムは、反応器に対して直接取り付けられていることが好ましい。複数のエステル交換反応器を直列で使用する場合、これらの反応器はそれぞれ蒸留カラムを有することができ、又は好ましくは蒸発したアルコール混合物を、エステル交換反応器カスケードの最終タンクから蒸留カラムへと、１つ以上の回収ラインによって導入できる。先の蒸留において再生した沸点が比較的高いアルコールは、エステル交換に戻すのが好ましい。

【0188】

エステル化は、添加された有機溶媒の不在下、又は存在下で行うことができる。エステル交換は、不活性有機溶媒の存在下で行うことが好ましい。適切な有機溶媒は、エステル化について先に述べたものである。これらの中でも特に、トルエン、及びＴＨＦである。

【0189】

エステル交換は好ましくは、５０〜２００℃の範囲の温度で行う。

【0190】

エステル交換は、不活性ガスの不在下、又は不活性ガスの存在下で行うことができる。

【0191】

本発明の工程ｃ１）及びｂ２）で行われるフラン環二重結合の水素化のための多くのプロセスと触媒は、当業者にとって利用可能であり、これらは例えば、芳香族ポリカルボン酸エステル（例えばフタレート、イソフタレート、及びテレフタレート）の水素化でも使用される。例えば、国際公開第９９／０３２４２７号（WO 99/032427）に記載されている環水素化のプロセスが、適切である。このプロセスは、５０〜２５０℃、及び２０〜３００ｂａｒの圧力で、元素周期表の第ＶＩＩＩ族の遷移金属（例えば白金、ロジウム、パラジウム、コバルト、ニッケル、又はルテニウム、好ましくはルテニウム）を少なくとも１種含有する触媒によって、単独で、又は元素周期表の第Ｉ族〜第ＶＩＩ族の遷移金属（例えば銅、又はルテニウム）少なくとも１種とともに水素化し、双峰性の細孔分布でメソ多孔性の酸化アルミニウム担持材料上に堆積させる工程を有する。国際公開第０２／１００５３６号（WO 02/100536）に記載された環水素化のプロセスは、さらに適切である。このプロセスは、担持体としての非晶質二酸化ケイ素にあるルテニウム触媒を用いて、水素化する工程を含む。その他の適切な方法は、以下の文献に記載されている：
欧州特許出願公開第１２６６８８２号明細書（EP-A 1266882：珪藻土触媒上にあるニッケル／酸化マグネシウムの使用）、国際公開第０３／０２９１８１号明細書（WO 03/029181：二酸化ケイ素触媒上にあるニッケル／亜鉛の使用）、国際公開第０３／０２９１６８号（WO 03/029168：Ａｌ₂Ｏ₃上にあるパラジウム／ＺｎＯ触媒の使用、及びα−Ａｌ₂Ｏ₃上にあるルテニウム／ＺｎＯ触媒の使用）、又は国際公開第０４／０９５２６号（WO 04/09526：二酸化チタン上にあるルテニウム触媒の使用）。その他の適切な触媒は同様に、ラネー触媒、好ましくはラネーニッケル触媒である。既に言及されているこれら以外のその他の適切な担持材料は例えば、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、硫酸化された二酸化ジルコニウム、タングステンカーバイド（ＷＣ）、二酸化チタン（ＴｉＯ₂）、硫酸化された炭素、活性炭、リン酸アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、又はリン酸化された酸化アルミニウム、又はこれらの組み合わせである。

【0192】

水素化は、水素化可能な基を有する有機化合物を水素化するための公知の水素化プロセスと同様に、行うことができる。この目的のためには有機化合物を、液相又は気相の形、好ましくは液相の形で、水素の存在下、触媒と接触させる。液相は例えば、流動床触媒を通過させることができるか（流動床法）、又は固定床触媒を通過させることができる（固定床法）。

【0193】

水素化は一般的に、水素圧を高めて行われる。水素圧は、２〜５００ｂａｒの範囲、特に１０〜３００ｂａｒの範囲にあるのが好ましい。

【0194】

水素化は、水素化条件で不活性な有機溶媒の存在下で行うのが好ましい。適切な溶媒は、エステル化のために先に規定したものである。特にエーテル、例えばＴＨＦ、又はジアルキレングリコール、又はこれらのモノエーテル若しくはジエーテル、例えばグリムを使用する。

【0195】

水素化は好ましくは、２０〜３５０℃の範囲、特に好ましくは５０〜３００℃の範囲の温度で実施する。

【0196】

水素化のために使用する水素の量は一般的に、フラン環を完全に水素化するために理論的に必要となる水素の化学量論量の１〜１５倍である。

【0197】

特に、式（Ｌ１）の化合物は、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジ（ｎ−プロピル）フタレート、ジ（ｎ−ブチル）フタレート、ジアリルフタレート、ジメチルスルフェート、エチルベンゾエート、エチルサリチレート、アセトフェノン、プロピレンカーボネート、Ｎ−メチルピロリドン、テトラリン、１，２−ジクロロベンゼン、及びこれらの混合物から選択される。

【0198】

好ましいアルキルベンゾエートＬ１．２）は、アルキル鎖中に炭素原子を１〜３０個、より好ましくは炭素原子を１〜２０個、特に炭素原子を２〜１０個、特に炭素原子を２〜６個有する。アルキルベンゾエートＬ１．２）は特に、メチルベンゾエート、エチルベンゾエート、ｎ−プロピルベンゾエート、及びｎ−ブチルベンゾエート、ｎ−ペンチルベンゾエート、ｎ−ヘキシルベンゾエートから選択される。特に好ましいのは、エチルベンゾエートである。

【0199】

適切なヒドロキシ安息香酸エステルＬ１．３）は、ｏ−ヒドロキシ安息香酸のアルキルエステル（サリチレート）、ｍ−ヒドロキシ安息香酸のアルキルエステル、及びｐ−ヒドロキシ安息香酸のアルキルエステル（パラベン）である。好ましいエステルＬ１．３）は、アルキル鎖中に炭素原子を１〜３０個、より好ましくは炭素原子を１〜２０個、特に炭素原子を２〜１０個、特に炭素原子を２〜６個有する。エステルＬ１．３）は特に、メチルサリチレート、エチルサリチレート、ｎ−プロピルサリチレート、及びｎ−ブチルサリチレートから選択される。特に好ましいのは、エチルサリチレートである。

【0200】

好ましいアルキレンカーボネートＬ１．４）は、エチレンカーボネート、及びプロピレンカーボネートである。特に好ましいのは、プロピレンカーボネートである。

【0201】

好ましい脂肪芳香族ケトンＬ１．５）は、アセトフェノン、２−アセチルトルエン、３−アセチルトルエン、４−アセチルトルエン、プロピオフェノン、ブチロフェノン、バレロフェノン、及びヘキサノフェノンである。特に好ましいのは、アセトフェノンである。

【0202】

脂環式環Ｌ１．８）を有する好ましい多環式炭化水素は、テトラリン、デカリン、及びインダンである。特に好ましいのは、テトラリンである。

【0203】

適切なジクロロベンゼンＬ１．９）は、１，２−、１，３−、及び１，４−ジクロロベンゼンである。特に好ましいのは、１，２−ジクロロベンゼンである。

【0204】

溶媒Ｌ２）
特定の実施形態において本発明による組成物は、成分Ｌ１）とは異なる有機溶媒、及び成分Ｌ１）とは異なる有機溶媒の混合物から選択される補助溶媒Ｌ２）を含有する。

【0205】

有機半導体Ａ）は好ましくは、成分Ｌ１）及びＬ２）の混合物中、２０℃で少なくとも０．１ｍｇ／ｍｌという溶解度を示す。

【0206】

有機半導体Ａ）は好ましくは、成分Ｌ２）単独において、２０℃で少なくとも０．１ｍｇ／ｍｌという溶解度を示す。

【0207】

成分Ｌ１）は好ましくは、成分Ｌ１）及びＬ２）の全質量に対して０．１〜１００質量％の量、好ましくは１〜１００質量％の量、より好ましくは１０〜１００質量％の量、特に５０〜１００質量％の量で存在する。

【0208】

成分Ｌ２）は好ましくは、成分Ｌ１）及びＬ２）の全質量に対して０〜９９．９質量％の量、好ましくは０〜９９質量％の量、より好ましくは０〜９０質量％の量、特に０〜５０質量％の量で存在する。

【0209】

本発明による組成物が補助溶媒Ｌ２）を含有する場合、その量は好ましくは、成分Ｌ１）及びＬ２）の合計質量に対して０．１〜９９．９質量％、より好ましくは１〜９９質量％、特に２〜９０質量％、特に３〜５０質量％である。

【0210】

補助溶媒Ｌ２）は好ましくは、以下のものから選択される：
・Ｌ１．８）とは異なる脂肪族、脂環式、及び芳香族の炭化水素、
・芳香族エーテル、
・開鎖脂肪族エーテル、ポリエーテル、エーテルアルコール、及び環状エーテル、
・Ｌ１．５）とは異なるケトン、
・Ｌ１．２）、Ｌ１．３）、及びＬ１．４）とは異なるエステル、
・脂肪族、及び脂環式アルコール、
・ベンゼン系アルコール、
・ハロゲン化芳香族化合物、
・チオフェノール、及びアルキルチオ置換されたベンゼン、
・５員環、６員環、又は７員環のシクロヘテロアルキル基に縮合されたフェニル基を有する、芳香族化合物、
・５員環のヘテロアリール化合物、及びベンゾ縮合した５員環のヘテロアリール化合物、
・芳香族カルボン酸、
・芳香族アルデヒド、
・トリフルオロメチル置換されたベンゼン化合物、
・シアノ置換、又はイソシアノ置換されたベンゼン化合物、
・ニトロ置換されたベンゼン化合物、
・フェニルスルホン、
・６員環のヘテロアリール化合物、及びベンゾ縮合された６員環のヘテロアリール化合物、
・５員環のヘテロアリール化合物、及びベンゾ縮合した５員環のヘテロアリール化合物、
・Ｌ６）及びＬ７）とは異なる非プロトン性極性溶媒、及び
・これらの混合物。

【0211】

好ましい脂肪族、脂環式、及び芳香族の炭化水素Ｌ２）は、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、リグロイン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、クメン、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、１，３，５−トリメチルベンゼン、メシチレン、１−メチルナフタレン、２−メチルナフタレン、１−エチルナフタレン、２−エチルナフタレン、インデン、及びこれらの混合物から選択される。

【0212】

好ましい芳香族エーテルは、アニソール（メチルフェニルエーテル）エトキシベンゼン（フェネトール）、プロポキシベンゼン、イソプロポキシベンゼン、ブトキシベンゼン、１−メトキシナフタリン、２−メトキシナフタリン、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、２−エチルアニソール、３−エチルアニソール、４−エチルアニソール、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、２，５−ジメチルアニソール、２，６−ジメチルアニソール、３，４−ジメチルアニソール、３，５−ジメチルアニソール、１，２−ジメトキシベンゼン（ベラトロール）、１，３−ジメトキシベンゼン、１，４−ジメトキシベンゼン、１−エトキシ−４−メトキシベンゼン、１−エトキシ−３−メトキシベンゼン、１−エトキシ−２−メトキシベンゼン、１，２−ジエトキシベンゼン、１，３−ジエトキシベンゼン、１，４−ジエトキシベンゼン、２，３−ジメトキシトルエン、２，４−ジメトキシトルエン、２，５−ジメトキシトルエン、２，６−ジメトキシトルエン、３，４−ジメトキシトルエン、３，５−ジメトキシトルエン、４−エトキシトルエン，３−エトキシトルエン、２−エトキシトルエン、１−エトキシ−２−エチルベンゼン、１−エトキシ−３−エチルベンゼン、１−エトキシ−４−エチルベンゼン、１−（メトキシメトキシ）ベンゼン、（２−メトキシエトキシ）ベンゼン、（３−メトキシプロポキシ）ベンゼン、及びこれらの混合物である。好ましい補助溶媒Ｃ）は、アニソールである。

【0213】

好ましい開鎖脂肪族エーテル、ポリエーテル、エーテルアルコール、及び環状エーテルは、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジグリム（＝ビス（２−メトキシエチル）エーテル）、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，４−ジオキサン、モルホリン、及びこれらの混合物である。

【0214】

好ましいケトンＬ２）は、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エチルｎ−アミルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ペンタン−２，４−ジオン（アセチルアセトン）、及びこれらの混合物である。好ましい補助溶媒Ｌ２）は、アセチルアセトン、アセトフェノン、及びこれらの混合物である。

【0215】

好ましいエステルＬ２）は、酢酸エチル、酢酸メチル、エチルアセトアセテート、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソアミル、酢酸ヘキシル、プロピオン酸メチル、酪酸エチル、乳酸エチル、炭酸ジエチル、トリアセチン、フェニルホルメート、フェニルアセテート、ｏ−クレゾールアセテート、ｐ−クレゾールアセテート、ｍ−クレゾールアセテート、２−メトキシフェニルアセテート、３−メトキシフェニルアセテート、及び４−メトキシフェニルアセテート、ベンジルベンゾエート、ビス（２−エチルヘキシル）アジペート、メチル２−メチルベンゾエート、メチル３−メチルベンゾエート、メチル４−メチルベンゾエート、メチル２−クロロベンゾエート、メチル３−クロロベンゾエート、メチル４−クロロベンゾエート、メチル４−フルオロベンゾエート、メチル３−フルオロベンゾエート、メチル２−フルオロベンゾエート、エチル２−メチルベンゾエート、エチル３−メチルベンゾエート、エチル４−メチルベンゾエート、エチル４−クロロベンゾエート、エチル３−クロロベンゾエート、エチル２−クロロベンゾエート、エチル２−フルオロベンゾエート、エチル３−フルオロベンゾエート、エチル４−フルオロベンゾエート、メチル４−ブロモベンゾエート、メチル３−ブロモベンゾエート、メチル２−ブロモベンゾエート、及びこれらの混合物である。

【0216】

好ましい脂肪族及び脂環式アルコールは、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、アミルアルコール混合物、ｎ−ヘキサノール、シクロヘキサノール、エタンジオール、プロパンジオール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、及びこれらの混合物である。

【0217】

好ましいベンゼン系アルコールにおいて、フェニル基は、ヒドロキシ基によって直接置換されていてよいか、又はフェニル基はアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、又はアミノ基によって置換されていてよく、ここでアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、又はアミノ基は、ヒドロキシ基によって置換されている。ベンゼン系アルコールの例には、フェノール；クレゾール（ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール）；２−メトキシフェノール、３−メトキシフェノール、４−メトキシフェノール、４−アミノベンジルアルコール；２−フェノキシエタノール；３−フェノキシ−１−プロパノール；４−フェノキシ−１−ブタノール；５−フェノキシ−１−ヘプタノール；６−フェノキシ−１−ヘキサノール；２−（２−メチルフェノキシ）エタン−１−オール；２−（３−メチルフェノキシ）エタン−１−オール；２−（４−メチルフェノキシ）エタン−１−オール；フェノキシメタノール；１−フェノキシエタノール、１−フェノキシプロパノール、１−フェノキシブタノール、２−（２−メトキシフェノキシ）エタン−１−オール、２−（３−メトキシフェノキシ）エタン−１−オール；２−（４−メトキシフェノキシ）エタン−１−オール；２−（２−メチルフェノキシ）エタノール、２−（３−メチルフェノキシ）エタノール、２−（４−メチルフェノキシ）エタノール、２−（４−メトキシフェノキシ）エタノール、２−（３−メトキシフェノキシ）エタン−１−オール、２−（２−メトキシフェノキシ）エタン−１−オール、及びこれらの混合物が含まれる。

【0218】

好ましいハロゲン化芳香族化合物は、クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、１，３−ジクロロベンゼン、１，２，４−トリクロロベンゼン、４−クロロトルエン、３−クロロベンゼン、２−クロロトルエン、フルオロベンゼン、１，２−ジフルオロベンゼン、１，３−ジフルオロベンゼン、１，４−ジフルオロベンゼン、１−クロロナフタレン、２−クロロナフタレン、１−フルオロナフタレン、２−フルオロナフタレン、２−クロロアニソール、３−クロロアニソール、４−クロロアニソール、４−フルオロアニソール、３−フルオロアニソール、２−フルオロアニソール、及びこれらの混合物から選択される。

【0219】

チオフェノールの例には、チオフェノール、２−チオクレゾール、３−チオクレゾール、４−チオクレゾール、２−エチルチオフェノール、３−エチルチオフェノール、４−エチルチオフェノール、２，６−ジメチルチオフェノール、２，５−ジメチルチオフェノール、２，４−ジメチルチオフェノール、２，３−ジメチルチオフェノール、及び２−イソプロピルチオフェノールが含まれる。アルキルチオ置換されたベンゼンの例には、チオアニソール、（エチルチオ）ベンゼン、２−メチルチオアニソール、３−メチルチオアニソール、４−メチルチオアニソール、４−メトキシチオアニソール、３−メトキシチオアニソール、２−メトキシチオアニソールが含まれる。

【0220】

５員環、６員環、又は７員環のシクロヘテロアルキル基に縮合されたフェニル基を有する適切な芳香族化合物には、インドリン、及び置換されたインドリン類、例えば７−メチルインドリン、５−メチルインドリン、及び６−メチルインドリン；１，２，３，４−テトラヒドロキノリン；６−メチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラン；ベンゾジオキソール、及び置換されたベンゾジオキソール類、例えば１，３−ベンゾジオキソール，２−メチル−１，３−ベンゾジオキソール、２−エチル−１，３−ベンゾジオキソール、５−ヒドロキシ−１，３−ベンゾジオキソール、５−メチル−１，３−ベンゾジオキソール、５−メトキシ−１，３−ベンゾジオキソール、５−メチル−１，３−ベンゾジオキソール、５−エチル−１，３−ベンゾジオキソール、４−ヒドロキシ−１，３−ベンゾジオキソール、４−メチル−１，３−ベンゾジオキソール、４−エチル−１，３−ベンゾジオキソール、４−メトキシ−１，３−ベンゾジオキソール、２，２−ジメチル−１，３−ベンゾジオキソール、３，４−メチレンジオキシトルエン、及び４−メチル−２Ｈ−１，３−ベンゾジオキソール；ジヒドロベンゾフラン、及び置換されたジヒドロベンゾフラン類、例えば２，３−ジヒドロベンゾフラン、２，３−ジヒドロ−２−メチルベンゾフラン、６−メチル−２，３−ジヒドロベンゾフラン、及び５−メチル−２，３−ジヒドロベンゾフラン；４Ｈ−クロメン、クロマン、７−メチルクロマン、８−メチルクロマン、及び２，３−ジヒドロベンゾ［ｂ］チオフェンが含まれる。

【0221】

適切な５員環ヘテロアリール化合物、及びベンゾ縮合された５員環のヘテロアリール化合物は、チオフェン、２−メチルチオフェン、３−メチルチオフェン、フラン、３−メチルフラン、２−メチルフラン、ピロール、Ｎ−メチルピロール、Ｎ−エチルピロール、１，２−ジメチル−１Ｈ−ピロール、１，３−ジメチル−１Ｈ−ピロール、２−メトキシフラン、３−メトキシフラン、３−メトキシチオフェン、２−メトキシチオフェン、２−メチルチオフラン、３−メチルチオフラン、３−メチルチオチオフェン、２−メチルチオチオフェン、２−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−チオフェン、３−メトキシ−１−メチル−１Ｈ−ピロール、２−メトキシ−１−メチル−１Ｈ−ピロール、ベンゾフラン、６−メチルベンゾフラン、ベンゾチオフェン、及び６−メチルベンゾチオフェンである。

【0222】

適切な芳香族カルボン酸は、安息香酸、ｏ−トルエン酸、ｍ−トルエン酸、ｐ−トルエン酸、４−クロロ安息香酸、３−クロロ安息香酸、２−クロロ安息香酸、２−フルオロ安息香酸、３−フルオロ安息香酸、４−フルオロ安息香酸、及びこれらの混合物である。

【0223】

適切な芳香族アルデヒドは、ベンズアルデヒド、２−メチルベンズアルデヒド、３−メチルベンズアルデヒド、４−メチルベンズアルデヒド、４−エチルベンズアルデヒド、３−エチルベンズアルデヒド、２−エチルベンズアルデヒド、２−クロロベンズアルデヒド、３−クロロベンズアルデヒド、４−クロロベンズアルデヒド、４−フルオロベンズアルデヒド、３−フルオロベンズアルデヒド、２−フルオロベンズアルデヒド、２−ブロモベンズアルデヒド、３−ブロモベンズアルデヒド、及び４−ブロモベンズアルデヒドである。

【0224】

適切なトリフルオロメチル置換されたベンゼン化合物は、ベンゾトリフルオリド、２−メチルベンゾトリフルオリド、３−メチルベンゾトリフルオリド、４−メチルベンゾトリフルオリド、４−クロロベンゾトリフルオリド、３−クロロベンゾトリフルオリド、２−クロロベンゾトリフルオリド、２−フルオロベンゾトリフルオリド、３−フルオロベンゾトリフルオリド、４−フルオロベンゾトリフルオリド、４−ブロモベンゾトリフルオリド、３−ブロモベンゾトリフルオリド、２−ブロモベンゾトリフルオリド、メチル２−トリフルオロメチルベンゾエート、メチル３−トリフルオロメチルベンゾエート、メチル４−トリフルオロメチルベンゾエート、エチル２−トリフルオロメチルベンゾエート、エチル−トリフルオロメチルベンゾエート、エチル４−トリフルオロメチルベンゾエート、及びこれらの混合物である。

【0225】

シアノ置換された、又はイソシアノ置換された適切なベンゼン化合物は、ベンゾニトリル、２−メチルベンゼンカルボニトリル、３−メチルベンゼンカルボニトリル、４−メチルベンゼンカルボニトリル、４−クロロベンゾニトリル、３−クロロベンゾニトリル、２−クロロベンゾニトリル、２−フルオロベンゾニトリル、３−フルオロベンゾニトリル、４−フルオロベンゾニトリル、フェニルイソシアニド、２−トリルイソシアニド、３−トリルイソシアニド、４−トリルイソシアニド、及びこれらの混合物である。

【0226】

適切なニトロ置換されたベンゼン化合物は、ニトロベンゼン、２−ニトロトルエン、３−ニトロトルエン、４−ニトロトルエン、１−クロロ−４−ニトロベンゼン、１−クロロ−３−ニトロベンゼン、１−クロロ−２−ニトロベンゼン、１−フルオロ−２−ニトロベンゼン、１−フルオロ−３−ニトロベンゼン、１−フルオロ−４−ニトロベンゼン、及びこれらの混合物である。

【0227】

適切なフェニルスルホンは、メチルフェニルスルホン、エチルフェニルスルホン、（プロパン−１−スルホニル）ベンゼン、１−メタンスルホニル−２−メチル−ベンゼン、１−メタンスルホニル−３−メチル−ベンゼン、及び１−メタンスルホニル−４−メチル−ベンゼンである。

【0228】

適切な６員環のヘテロアリール化合物、又はベンゾ縮合された６員環のヘテロアリール化合物は、ピリジン、２−メチルピリジン、３−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−クロロピリジン、３−クロロピリジン、４−クロロピリジン、４−フルオロピリジン、３−フルオロピリジン、２−フルオロピリジン、２−ブロモピリジン、３−ブロモピリジン、４−ブロモピリジン、４−（トリフルオロメチル）ピリジン、３−（トリフルオロメチル）ピリジン、２−（トリフルオロメチル）ピリジン、２−シアノピリジン、３−シアノピリジン、４−シアノピリジン、４−ニトロピリジン、３−ニトロピリジン、２−ニトロピリジン、２−ピコリン酸メチルエステル、３−ピコリン酸メチルエステル、及び４−ピコリン酸メチルエステル；ピラジン、及び置換されたピラジン類、例えばメチルピラジン、２，５−ジメチルピラジン、２，６−ジメチルピラジン、２，３−ジメチルピラジン、２，３，５，６−テトラメチル−ピラジン、２−クロロピラジン、２，５−ジクロロピラジン、２，６−ジクロロピラジン、２，３−ジクロロピラジン、２−フルオロピラジン、（トリフルオロメチル）ピラジン、２−ピラジンカルボニトリル、２−ニトロ−ピラジン、ピラジン−２−カルボアルデヒド、１−ピラジン−２−イル−エタノン、１−（ピラジン−２−イル）プロパン−１−オン、メチルピラジン−２−カルボキシレート、ピラジン２−カルボン酸エチルエステル、２−ブロモピラジン、及び２−ヨードピラジン；ピリダジン、及び置換されたピリダジン類、例えば３−メチルピリダジン、４−メチルピリダジン、４，５−ジメチルピリダジン、３，６−ジメチルピリダジン、３−クロロピリダジン、４−クロロピリダジン、ピリダジン−３−カルボニトリル、４−ピリダジンカルボニトリル、４−（トリフルオロメチル）ピリダジン、３−（トリフルオロメチル）ピリダジン、３−ニトロピリダジン、ピリダジン−３−カルボアルデヒド、ピリダジン−４−カルボアルデヒド、１−（ピリダジン−４−イル）エタノン、３−アセチルピリダジン、メチルピリダジン−３−カルボキシレート、及びメチルピリダジン−４−カルボキシレート；テトラジン、及び置換されたテトラジン類、例えば１，２，４，５−テトラジン、ジメチル−１，２，４，５−テトラジン、及び３、６−ジクロロ−１，２，４，５−テトラジン；キノリン、及び置換されたキノリン類、例えば２−メチルキノリン、３−メチルキノリン、４−メチルキノリン、５−メチルキノリン、６−メチルキノリン、７−メチルキノリン、８−メチルキノリン、２−クロロキノリン、３−クロロキノリン、４−クロロキノリン、５−クロロキノリン、６−クロロキノリン、７−クロロキノリン、８−クロロキノリン、２−フルオロキノリン、３−フルオロキノリン、４−フルオロキノリン、５−フルオロキノリン、６−フルオロキノリン、７−フルオロキノリン、８−フルオロキノリン、２−トリフルオロメチルキノリン、３−トリフルオロメチルキノリン、４−トリフルオロメチルキノリン、５−トリフルオロメチルキノリン、６−トリフルオロメチルキノリン、７−トリフルオロメチルキノリン、８−トリフルオロメチルキノリン、２−ニトロキノリン、３−ニトロキノリン、４−ニトロキノリン、５−ニトロキノリン、６−ニトロキノリン、７−ニトロキノリン、８−ニトロキノリン、２−アセチルキノリン、３−アセチルキノリン、４−アセチルキノリン、５−アセチルキノリン、６−アセチルキノリン、７−アセチルキノリン、８−アセチルキノリン、２−シアノキノリン、３−シアノキノリン、４−シアノキノリン、５−シアノキノリン、６−シアノキノリン、７−シアノキノリン、８−シアノキノリン、メチル２−キノリンカルボキシレート、メチル３−キノリンカルボキシレート、メチル４−キノリンカルボキシレート、メチル５−キノリンカルボキシレート、メチル６−キノリンカルボキシレート、メチル７−キノリンカルボキシレート、エチル８−キノリンカルボキシレート、エチル２−キノリンカルボキシレート、エチル３−キノリンカルボキシレート、エチル４−キノリンカルボキシレート、エチル５−キノリンカルボキシレート、エチル６−キノリンカルボキシレート、エチル７−キノリンカルボキシレート、エチル８−キノリンカルボキシレート、２−キノリンカルボキシアルデヒド、３−キノリンカルボキシアルデヒド、４−キノリンカルボキシアルデヒド、５−キノリンカルボキシアルデヒド、６−キノリンカルボキシアルデヒド、７−キノリンカルボキシアルデヒド、８−キノリンカルボキシアルデヒド、１−（２−キノリニル）−エタノン、１−（３−キノリニル）−エタノン、１−（４−キノリニル）−エタノン、１−（５−キノリニル）−エタノン、１ −（６−キノリニル）−エタノン、１−（７−キノリニル）−エタノン、及び１−（８−キノリニル）−エタノン；キノキサリン、及び置換されたキノキサリン類、例えば２−メチルキノキサリン、５−メチルキノキサリン、６−メチルキノキサリン、２−クロロキノキサリン、５−クロロキノキサリン、６−クロロキノキサリン、２−フルオロキノキサリン、５−フルオロキノキサリン、６−フルオロキノキサリン、２−シアノキノキサリン、５−シアノキノキサリン、６−シアノキノキサリン、２−ニトロキノキサリン、５−ニトロキノキサリン、６−ニトロキノキサリン、２−トリフルオロメチルキノキサリン、５−トリフルオロメチルキノキサリン、６−トリフルオロメチルキノキサリン、メチル２−キノキサリンカルボキシレート、メチル５−キノキサリンカルボキシレート、メチル６−キノキサリンカルボキシレート、エチル２−キノキサリンカルボキシレート、エチル５−キノキサリンカルボキシレート、エチル６−キノキサリンカルボキシレート、及びこれらの混合物である。

【0229】

適切な５員環のヘテロアリール化合物、及びベンゾ縮合された５員環のヘテロアリール化合物は、チアゾール、２−メチルチアゾール、４−メチルチアゾール、５−メチルチアゾール、２−クロロチアゾール、４−クロロチアゾール、５−クロロチアゾール、２−フルオロチアゾール、４−フルオロチアゾール、５−フルオロチアゾール、２−シアノチアゾール、４−シアノチアゾール、５−シアノチアゾール、２−ニトロチアゾール、４−ニトロチアゾール、５−ニトロチアゾール、メチル１，３−チアゾール−２−カルボキシレート、メチル１，３−チアゾール−５−カルボキシレート、メチル１，３−チアゾール−６−カルボキシレート、エチル１，３−チアゾール−２−カルボキシレート、エチル１，３−チアゾール−５−カルボキシレート、エチル１，３−チアゾール−６−カルボキシレート、２−トリフルオロメチルチアゾール、４−トリフルオロメチルチアゾール、及び５−トリフルオロメチルチアゾール、；イミダゾール、及び置換されたイミダゾール類、例えばＮ−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、５−メチルイミダゾール、２−クロロイミダゾール、４−クロロイミダゾール、５−クロロイミダゾール、２−フルオロイミダゾール、４−フルオロイミダゾール、５−フルオロイミダゾール、２−シアノイミダゾール、４−シアノイミダゾール、５−シアノイミダゾール、２−ニトロイミダゾール、４−ニトロイミダゾール、５−ニトロイミダゾール、メチルイミダゾール−２−カルボキシレート、メチルイミダゾール−５−カルボキシレート、メチルイミダゾール−５−カルボキシレート、エチルイミダゾール−２−カルボキシレート、エチルイミダゾール−４−カルボキシレート、エチルイミダゾール−５−カルボキシレート、２−トリフルオロメチルイミダゾール、４−トリフルオロメチルイミダゾール、５−トリフルオロメチルイミダゾール、２−メチル−Ｎ−メチルイミダゾール、４−メチル−Ｎ−メチルイミダゾール、５−メチル−Ｎ−メチルイミダゾール、２−クロロ−Ｎ−メチルイミダゾール、４−クロロ−Ｎ−メチルイミダゾール、５−クロロ−Ｎ−メチルイミダゾール、２−フルオロ−Ｎ−メチルイミダゾール、４−フルオロ−Ｎ−メチルイミダゾール、５−フルオロ−Ｎ−メチルイミダゾール、２−シアノ−Ｎ−メチルイミダゾール、４−シアノ−Ｎ−メチルイミダゾール、５−シアノ−Ｎ−メチルイミダゾール、２−ニトロ−Ｎ−メチルイミダゾール、４−ニトロ−Ｎ−メチルイミダゾール、５−ニトロ−Ｎ−メチルイミダゾール、メチルＮ−メチルイミダゾール−２−カルボキシレート、メチルＮ−メチルイミダゾール−４−カルボキシレート、メチルＮ−メチルイミダゾール−５−カルボキシレート、エチルＮ−メチルイミダゾール−２−カルボキシレート、エチルＮ−メチルイミダゾール−４−カルボキシレート、エチルＮ−メチルイミダゾール−５−カルボキシレート、２−トリフルオロメチル−Ｎ−メチルイミダゾール、４−トリフルオロメチル−Ｎ−メチルイミダゾール、及び５−トリフルオロメチル−Ｎ−メチルイミダゾール；トリアゾール、及び置換されたトリアゾール類、例えば４−メチル−１，２，３−トリアゾール、５−メチル−１，２，３−トリアゾール、４−クロロ−１，２，３−トリアゾール、５−クロロ−１，２，３−トリアゾール、４−フルオロ−１，２，３−トリアゾール、５−フルオロ−１，２，３−トリアゾール、４−シアノ−１，２，３−トリアゾール、５−シアノ−１，２，３−トリアゾール、４−ニトロ−１，２，３−トリアゾール、５−ニトロ−１，２，３−トリアゾール、メチル１，２，３−トリアゾール−４−カルボキシレート、メチル１，２，３−トリアゾール−５−カルボキシレート、エチル１，２，３−トリアゾール−４−カルボキシレート、エチル１，２，３−トリアゾール−５−カルボキシレート、４−トリフルオロメチル−１，２，３−トリアゾール、５−トリフルオロメチル−１，２，３−トリアゾール、４−メチル−Ｎ−メチル−１，２，３−トリアゾール、５−メチル−Ｎ−メチル−１，２，３−トリアゾール、４−クロロ−Ｎ−メチル−１，２，３−トリアゾール、５−クロロ−Ｎ−メチル−１，２，３−トリアゾール、４−フルオロ−Ｎ−メチル−１，２，３−トリアゾール、５−フルオロ−Ｎ−メチル−１，２，３−トリアゾール、４−シアノ−Ｎ−メチル−１，２，３−トリアゾール、５−シアノ−Ｎ−メチル−１，２，３−トリアゾール、４−ニトロ−Ｎ−メチル−１，２，３−トリアゾール、５−ニトロ−Ｎ−メチル−１，２，３−トリアゾール、メチルＮ−メチル−１，２，３−トリアゾール−４−カルボキシレート、メチルＮ−メチル−１，２，３−トリアゾール−５−カルボキシレート、エチルＮ−メチル−１，２，３−トリアゾール−４−カルボキシレート、エチルＮ−メチル−１，２，３−トリアゾール−５−カルボキシレート、４−トリフルオロメチル−Ｎ−メチル−１，２，３−トリアゾール、及び５−トリフルオロメチル−Ｎ−メチル−１，２，３−トリアゾール；テトラゾール、及び置換されたテトラゾール類、例えばＮ−メチルテトラゾール、５−メチル−テトラゾール、５−メチル−Ｎ−メチル−テトラゾール、５−クロロ−テトラゾール、５−クロロ−Ｎ−メチル−テトラゾール、５−フルオロ−テトラゾール、５−フルオロ−Ｎ−メチル−テトラゾール、５−ニトロ−テトラゾール、５−ニトロ−Ｎ−メチル−テトラゾール、５−シアノ−テトラゾール、５−シアノ−Ｎ−メチル−テトラゾール、５−トリフルオロメチル−テトラゾール、５−トリフルオロメチル−Ｎ−メチル−テトラゾール、メチル１Ｈ−１，２，３，４−テトラゾール−５−カルボキシレート、エチル１Ｈ−１，２，３，４−テトラゾール−５−カルボキシレート、メチル１−メチル−１，２，３，４−テトラゾール−５−カルボキシレート、エチル１−メチル−１，２，３，４−テトラゾール−５−カルボキシレート、テトラゾール−５−カルボキシアルデヒド、１Ｈ−テトラゾール−５−カルボキシアルデヒド、１−メチル−１−（１−メチル−１Ｈ−１，２，３，４−テトラゾール−５−イル）エタン−１−オン、１−（１Ｈ−１，２，３，４−テトラゾール−５−イル）エタン−１−オン；ベンゾチアゾール、及び置換されたベンゾチアゾール類、例えば２−メチル−ベンゾチアゾール、４−メチル−ベンゾチアゾール、５−メチル−ベンゾチアゾール、６−メチル−ベンゾチアゾール、７−メチル−ベンゾチアゾール、２−フルオロ−ベンゾチアゾール、４−フルオロ−ベンゾチアゾール、５−フルオロ−ベンゾチアゾール、６−フルオロ−ベンゾチアゾール、７−フルオロ−ベンゾチアゾール、２−クロロ−ベンゾチアゾール、４−クロロ−ベンゾチアゾール、５−クロロ−ベンゾチアゾール、６−クロロ−ベンゾチアゾール、７−クロロ−ベンゾチアゾール、２−シアノ−ベンゾチアゾール、４−シアノ−ベンゾチアゾール、５−シアノ−ベンゾチアゾール、６−シアノ−ベンゾチアゾール、７−シアノ−ベンゾチアゾール、２−ニトロ−ベンゾチアゾール、４−ニトロ−ベンゾチアゾール、５−ニトロ−ベンゾチアゾール、６−ニトロ−ベンゾチアゾール、７−ニトロ−ベンゾチアゾール、２−トリフルオロメチル−ベンゾチアゾール、４−トリフルオロメチル−ベンゾチアゾール、５−トリフルオロメチル−ベンゾチアゾール、６−トリフルオロメチル−ベンゾチアゾール、７−トリフルオロメチル−ベンゾチアゾール、２−ベンゾチアゾールカルボン酸メチルエステル、４−ベンゾチアゾールカルボン酸メチルエステル、５−ベンゾチアゾールカルボン酸メチルエステル、６−ベンゾチアゾールカルボン酸メチルエステル、７−ベンゾチアゾールカルボン酸メチルエステル、２−ベンゾチアゾールカルボン酸エチルエステル、４−ベンゾチアゾールカルボン酸エチルエステル、５−ベンゾチアゾールカルボン酸エチルエステル、６−ベンゾチアゾールカルボン酸エチルエステル、７−ベンゾチアゾールカルボン酸エチルエステル、ベンゾチアゾール−２−カルボアルデヒド、ベンゾチアゾール−４−カルボアルデヒド、ベンゾチアゾール−５−カルボアルデヒド、ベンゾチアゾール−６−カルボアルデヒド、ベンゾチアゾール−７−カルボアルデヒド、２−アセチルベンゾチアゾール、４−アセチルベンゾチアゾール、５−アセチルベンゾチアゾール、６−アセチルベンゾチアゾール、及び７−アセチルベンゾチアゾール、３，４−ジヒドロナフタレン−１（２Ｈ）−オン、８−メチル−３，４−ジヒドロナフタレン−１（２Ｈ）−オン、７−メチル−３，４−ジヒドロナフタレン−［（２Ｈ）−オン、６−メチル−３，４−ジヒドロナフタレン−１（２Ｈ）−オン、５−メチル−３，４−ジヒドロナフタレン−１（２Ｈ）−オン、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン−１−オン、７−メチル−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン−１−オン、６−メチル−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン−１−オン、５−メチル−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン−１−オン、４−メチル−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン−１−オン、及びこれらの混合物である。

【0230】

適切な非プロトン性極性溶媒は、アセトニトリル、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド、（ＣＨ₃）₂ＳＯ、ジメチルスルホン、スルホラン、環状ウレア、例えば１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（ＤＭＰＵ）、イミダゾリジン−２−オン、及びこれらの混合物である。

【0231】

特別な実施形態において、本発明による組成物は、粘度調整添加剤を含有する。適切な粘度調整添加剤は、誘電性ポリマー、又は半導体ポリマーである。適切な誘電性ポリマーは例えば、ポリスチレン、ポリイミド、フッ化ポリイミド、ポリアリーレンエーテル、ポリビニリデンフルオリド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ−２−ビニル−ナフタレン（Ｐ２ＶＮ）などである。好ましい粘度調整添加剤は、ポリスチレンである。粘度調整添加剤は好ましくは、成分Ｂ）における溶解度が、２０℃で少なくとも０．０１ｍｇ／ｍｌ、好ましくは少なくとも０．０５ｍｇ／ｍｌである。本発明による組成物は好ましくは、粘度調製添加剤を成分Ｂ）及び粘度調整添加剤の全量に対して０．１〜３０質量％の量、好ましくは０．２〜２０質量％の量で含有する。

【0232】

本発明による組成物により、溶液処理法によって、半導体（Ａ）から様々な物品、構造、又はデバイスを製造することが可能になる。ここで使用するように「溶液処理」とは、様々な溶液相処理を言い、これにはスピンコート及び印刷（例えばインクジェット印刷、スクリーン印刷、パッド印刷、オフセット印刷、グラビア印刷、フレキソグラフィー印刷、リソグラフ印刷、マスプリンティング（mass printing）など）、噴霧塗布、エレクトロスプレーコーティング、ドロップキャスト、ディップコート、及びブレードコートが含まれる。

【0233】

本発明による組成物から有利に製造できる製品は、電子デバイス、光学デバイス、及び光電子デバイスである。これらには、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）（例えば有機薄膜トランジスタ（ＯＦＥＴ））、有機光起電デバイス（ＯＰＶ）、光検出器、有機発光デバイス、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、及び有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、補完的な金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）、補完的なインバータ、ダイオード、キャパシタ、センサ、Ｄフリップフロップ、整流器、及び環状発振子が含まれる。これらの製品は全て、本発明による組成物から堆積される半導体成分Ａ）を含有することができる。

【0234】

本発明による方法の工程（ｂ）では、工程（ａ）で用意した溶液を、基板表面に適用して、溶媒又は溶媒混合物を蒸発させ、有機半導体Ａ）を結晶化させる。

【0235】

本発明のさらなる対象は、以下の工程（ａ）及び（ｂ）を含む、電子デバイス、光学デバイス、又は光電子デバイスの製造方法である：
（ａ）溶媒（Ｌ１）に、又は溶媒（Ｌ１）を含有する溶媒混合物に少なくとも１種の有機半導体Ａ）を入れた溶液を用意する工程、ここで溶媒（Ｌ１）は、
・１０１３．２５ｍｂａｒで少なくとも１４０℃という沸点、
・２３℃で少なくとも１．２ｍＰａｓという粘度、及び
・２０℃で少なくとも３１．５ｍＮ／ｍという表面張力
を示し、
（ｂ）工程（ａ）で用意した溶液を、基板表面に適用して、溶媒又は溶媒混合物を蒸発させ、有機半導体Ａ）を結晶化させる工程、
ここで工程ｂ）で用意した基板は、電子デバイス、光学デバイス、又は光電子デバイスの基板であるか、又は工程ｂ）で形成された結晶は、電子デバイス、光学デバイス、光電子デバイス、又はセンサに移行される。

【0236】

堆積工程ｂ）は、インクジェット印刷、及び様々な接触式印刷技術を含む印刷によって行うことができ、この接触式印刷技術は例えば、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、パッド印刷、リソグラフ印刷、フレキソグラフィー印刷、及びマイクロコンタクトプリンティングである。別の実施形態において、堆積工程はスピンコート、ドロップキャスト、ゾーンキャスト、スロットコーティング、ディップコート、ブレードコート、又はスプレーによって行うことができる。

【0237】

工程（ｂ）において、基板表面の少なくとも一部への、工程で（ａ）用意した組成物の適用は、印刷によって行うのが好ましい。

【0238】

様々な種類の基板を、本発明による方法で使用することができる。基板は、本発明による方法のプロセス条件下で安定的な、実質的にあらゆる材料製であり得る。よって基板は、有機及び無機材料、又は複合材料を含有することができる。適切な基板は、この目的のために知られた、原則的に全ての材料である。適切な基板には例えば、酸化物材料、金属、半導体、金属合金、半導体合金、ポリマー、無機固体、紙、及びこれらの組み合わせが含まれる。

【0239】

適切な基板は好ましくは、ＳｉＯ₂、無機ガラス、石英、セラミック、ドープされていない、若しくはドープされた無機半導体、元素周期表の第８族、９族、１０族、又は１１族の金属、及びこれらの金属合金、ポリマー材料、充填されたポリマー材料、及びこれらの組み合わせから選択される。

【0240】

好ましい金属、及び金属合金基板は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどを含有する。ドープされていない、若しくはドープされた無機半導体は好ましくは、Ｓｉ、ドープされたＳｉ、Ｇｅ、及びドープされたＧｅである。好ましいポリマー材料は、アクリル、エポキシ、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、ポリスチレンのホモポリマー及びコポリマー、ポリケトン、ポリ（オキシ−１，４−フェニレンオキシ−１，４−フェニレンカルボニル−１，４−フェニレン（しばしば、ポリ（エーテルエーテルケトン）、又はＰＥＥＫと呼ばれる））、ポリノルボルネン、ポリフェニレンオキシド、ポリ（エチレンナフタレンジカルボキシレート）（ＰＥＮ）、ポリ（エチレンテレフタレート）（ＰＥＴ）、ポリ（フェニレンスルフィド）（ＰＰＳ）、フルオロポリマー、ポリウレタン、繊維強化プラスチック（ＦＲＰ）、及びこれらの組み合わせから選択される。

【0241】

特に好ましい基板は、Ｓｉ、ＳｉＯ₂、ガラス、石英、セラミック、及びこれらの組み合わせから選択される。基板は、可撓性、又は非可撓性であってよく、所望の用途に応じて、湾曲した、若しくは平坦な形状であり得る。

【0242】

特別な実施形態において、基板の少なくとも１つの表面は、少なくとも１つの誘電体を含有するか、又は少なくとも１つの誘電体から成る。適切な誘電体は、無機誘電材料、ポリマー誘電材料、及びこれらの組み合わせから選択される。適切な無機誘電材料は、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、ＨｆＯ₂、ＴａＯ₅、ＷＯ₃ＳｉＯ₃Ｎ₄、ＲｂＢｒ、ＬｉＦ、ＢａＴｉＯ₃、ＰｂＴｉＯ₃、及びこれらの混合物である。適切なポリマー誘電材料は、ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレン、ポリオレフィン（例えばポリプロピレン、ポリエチレン、ポリイソブテン）、ポリビニルカルバゾール、フッ化ポリマー（例えばＣｙｔｏｐ、ＣＹＭＭ）、シアノプルラン、ポリビニルフェノール、ポリ−ｐ−キシレン、ポリ塩化ビニル、ポリ（メチルメタクリレート）／トリメチロールプロパントリアクリレートコポリマーなど、及びこれらの組み合わせである。特定の誘電体は、「自己組織化ナノ誘電体」、すなわちＳｉＣｌ官能基を有するモノマーから得られるポリマー（例えばＣｌ₃ＳｉＯＳｉＣｌ₃、Ｃｌ₃Ｓｉ−（ＣＨ₂）₆−ＳｉＣｌ₃、Ｃｌ₃Ｓｉ−（ＣＨ₂）₁₂−ＳｉＣｌ₃）、及び／又は大気中の水分により架橋するポリマー、又は溶媒で希釈した水を添加することによって架橋するポリマーである（例えばFacchetti Adv. Mat. 2005, 17, p.1705〜1725参照）。水の代わりに、ヒドロキシ含有ポリマー、例えばポリビニルフェノール、又はポリビニルアルコール、又はビニルフェノール及びスチレンのコポリマーを、架橋成分として用いることもできる。架橋工程の間に、少なくとも１種のさらなるポリマー（例えばポリスチレン）が存在していてもよく、それからこれも架橋させる（Facchetti、米国特許出願公開第２００６／０２０２１９５号明細書（US patent application 2006/0202195）参照）。

【0243】

表面改質
基板及び／又は誘電体の表面は、成分Ａ）の堆積前に、改質することができる。前述のように基板の性質、及びその表面改質は、基板表面での結晶の堆積に影響を与え、また出来上がる電子デバイスの電気特性に影響を与える。

【0244】

特別な実施形態において、基板及び／又は誘電体の表面を、化合物Ａ）の堆積前に改質にかけると、改質のために用いた化合物の自己組織化単分子層（ＳＡＭ）が生じる。

【0245】

別の改質では、基板の一部のみを、自己組織化単分子層（ＳＡＭ）で被覆する。これらのＳＡＭにより、表面エネルギー、及び濡れ特性の変化につながる。特定の理論と結びつけるつもりはないが、このことは、化合物Ａ）の形状の横方向の構造を達成するために有利であり得る。

【0246】

化合物Ａ）の堆積前の、基板及び／又は誘電体の表面改質は例えば、半導体材料と結合する領域、及び／又は半導体材料が堆積できない領域を形成するために役立つ。さらに、基板及び／又は誘電体の表面改質は、得られる半導体の特性（例えば電荷輸送移動度、オン／オフ比など）に対して影響を与え得る。

【0247】

表面改質のために適切な化合物は、以下のものである：
・シラン、例えばアルキルトリクロロシラン、例えばｎ−オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）；トリアルコキシシラン基を有する化合物、例えばアルキルトリアルコキシシラン、例えばｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリ（ｎ−プロピル）オキシシラン、ｎ−オクタデシルトリ（イソプロプル）オキシシラン；トリアルコキシアミノアルキルシラン、例えばトリエトキシアミノプロピルシラン、及びＮ［（３−トリエトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン；トリアルコキシアルキル３−グリシジルエーテルシラン、例えばトリエトキシプロピル３−グリシジルエーテルシラン；トリアルコキシアリルシラン、例えばアリルトリメトキシシラン；トリアルコキシ（イソシアナトアルキル）シラン；トリアルコキシシリル（メタ）アクリロイルオキシアルカン、及びトリアルコキシシリル（メタ）アクリルアミドアルカン、例えば１−トリエトキシシリル−３−アクリロイル−オキシプロパン、
・ホスホン酸、例えば４−エトキシフェニルホスホン酸、
・カルボン酸、
・ヒドロキサム酸、
・アミン、
・ホスフィン、
・硫黄含有化合物、特にチオール、及び
・これらの混合物。

【0248】

表面改質のための化合物は好ましくは、アルキルトリクロロシラン、アルキルトリアルコキシシラン、ヘキサアルキルジシラザン、Ｃ₈〜Ｃ₃₀アルキルチオール、メルカプトカルボン酸、メルカプトスルホン酸、及びこれらの混合物から選択される。

【0249】

特別な実施形態において、表面改質のための化合物は、ｎ−オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、４−エトキシフェニルホスホン酸、ヘキサデカンチオール、メルカプト酢酸、３−メルカプトプロピオン酸、メルカプトコハク酸、及び３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸、アルカリ金属、及びメルカプト酢酸のアンモニウム塩、３−メルカプトプロピオン酸、メルカプトコハク酸、及び３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸、及びこれらの混合物から選択される。

【0250】

多数の官能基によって基板表面を改質するため、酸又は塩基によって表面を活性化することができる。基板表面はさらに、酸化、電子ビーム照射、又はプラズマ処理によって活性化できる。官能基を有する上記基板はさらに、例えば溶液からの堆積、物理蒸着（ＰＶＤ）、又は化学蒸着（ＣＶＤ）によって、基板表面に適用することができる。

【0251】

本発明による組成物は有利には、有機電界効果トランジスタの製造に適している。これらの有機電界効果トランジスタは例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用でき、この集積回路のためには、慣用のｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）が、今日まで使用されてきた。これらはそれから、ＣＭＯＳ型半導体ユニット、例えばマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、スタティックラム、及びその他のデジタル論理回路である。本発明による組成物から製造されるＯＦＥＴは、ディスプレイ（特に表面積の大きいディスプレイ、及び／又はフレキシブルディスプレイ）、ＲＦＩＤタグ、スマートラベル、及びセンサにおける使用に、特に適している。

【0252】

本教示の態様は、本発明による組成物から製造される半導体成分を有する有機電界効果トランジスタの作製に関する。ＯＦＥＴは一般的に、少なくとも１つのゲート構造（ゲート電極とゲート誘電体を含む）を有する基板、ソース電極とドレイン電極、並びにソース電極とドレイン電極、及びゲート誘電体と接触している半導体材料を備える。

【0253】

特別な実施形態は、有機電界効果トランジスタのパターン（トポグラフィー）を有する基板であり、各トランジスタは、
・基板上に配置された有機半導体、
・導電性チャネルの導電性を制御するためのゲート構造、並びに
・チャネルの両方の端部に導電性のソース電極とドレイン電極
を有する。

【0254】

バッファ層としては、あらゆる誘電材料が適切であり、それは例えば無機材料、例えばＬｉＦ、ＡｌＯ_x、ＳｉＯ₂、若しくは窒化ケイ素、又は有機材料、例えばポリイミド、又はポリアクリレート、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）である。

【0255】

さらなる特別な実施形態は、有機電界効果トランジスタのパターンを有する基板であり、各トランジスタは、集積回路を形成するか、又は集積回路の一部であり、トランジスタの少なくとも幾つかは、本発明による組成物から有機半導体の堆積により、製造される。

【0256】

適切な基板は、上述のものである。半導体ユニットに典型的な基板は、マトリックス（例えばシリコン、石英、又はポリマーマトリックス）、及び任意で誘電性トップ層を含む。適切な誘電体は、上述のものであり、ここでＳｉＯ₂が、特に好ましい。

【0257】

基板はさらに、電極、例えばＯＦＥＴのゲート、ドレイン電極、及びソース電極を有することができ、これらは通常、基板上に局在化されている（例えば、誘電体上にある非導電層の上に堆積、又は誘電体上にある非導電層の内部に組み込む）。基板はさらに、ＯＦＥＴの伝導性ゲート電極を有し、これは通常、誘電性トップ層（すなわちゲート誘電体）の下に配置される。

【0258】

特別な実施形態において絶縁層（ゲート絶縁層）は、基板表面の少なくとも一部に存在する。絶縁層は、少なくとも１種の絶縁体を含有し、これは好ましくは、無機絶縁体、例えばＳｉＯ₂、窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）など、強誘電性絶縁体、例えばＡｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｌａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃など、有機絶縁体、例えばポリイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリビニルアルコール、ポリアクリレートなど、及びこれらの組み合わせから選択される。

【0259】

ソース電極、及びドレイン電極に適した材料は、原則的に導電性材料である。これらには、金属、好ましくは元素周期表の第６族、７族、８族、９族、１０族、又は１１族の金属、例えばＰｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒなどが含まれる。導電性ポリマーも適しており、それは例えばＰＥＤＯＴ（＝ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））：ＰＳＳ（＝ポリ（スチレンスルホネート））、ポリアニリン、表面改質された金などである。好ましい導電性材料は、１０^-3Ω×メートル未満、好ましくは１０^-4Ω×メートル未満、特に１０^-6又は１０^-7Ω×メートル未満の比抵抗を有する。

【0260】

特別な実施形態において、ドレイン電極とソース電極は、有機半導体材料の少なくとも一部に存在する。基板は、半導体材料又はＩＣで慣用的に使用されるさらなる部材（例えば絶縁体、レジスタ、キャパシタ、導電性トラックなど）を含有することができることが、肯定的に評価されるだろう。

【0261】

電極は慣用の方法、例えば蒸着若しくはスパッタリング、リソグラフィー加工、又はその他の構造化処理、例えば印刷技術によって適用することができる。

【0262】

生成する半導体層は一般的に、ソース／ドレイン電極と接触する半導体チャネルを形成するために充分な厚さを有する。

【0263】

半導体成分は好ましくは、０．５〜１０００ｎｍの厚さ、より好ましくは１．５〜２５０ｎｍの厚さで、基板に堆積させる。

【0264】

好ましい実施形態において、本発明による電界トランジスタは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。慣用の構造では、薄膜トランジスタは、基板又はバッファ層に配置されたゲート電極（バッファ層は基板の一部）、ゲート電極上、及び基板上に配置されたゲート絶縁層、ゲート絶縁層上に配置された半導体層、半導体層上にあるオーミック接触層、及びオーミック接触層上にあるソース電極及びドレイン電極を有する。

【0265】

好ましい実施形態において基板表面は、一般式Ａ）の化合物少なくとも１種を堆積させる前に、前述のように改質する。

【0266】

様々な半導体構造物が、本発明による組成物から考えられ、それは例えばトップコンタクト、トップゲート、ボトムコンタクト、ボトムゲート、又はその他の垂直構造体、例えばＶＯＦＥＴ（垂直型有機電界効果トランジスタ）であり、例えば米国特許出願公開第２００４／００４６１８２号明細書（US 2004/0046182）に記載されている。

【0267】

好ましい半導体構造物は、以下のものである：
１．基板、誘電体、有機半導体、好ましくはゲート、誘電体、有機半導体、ソース、及びドレイン、「ボトムゲート・トップコンタクト」として知られる；
２．基板、誘電体、有機半導体、好ましくは基板、ゲート、誘電体、ソース、及びドレイン、有機半導体、「ボトムゲート・ボトムコンタクト」として知られる；
３．基板、有機半導体、誘電体、好ましくは基板、ソース、及びドレイン、有機半導体、誘電体、ゲート、「トップゲート・ボトムコンタクト」として知られる；
４．基板、有機半導体、誘電体、好ましくは基板、有機半導体、ソース、及びドレイン、誘電体、ゲート、「トップゲート・トップコンタクト」として知られる。

【0268】

層の厚さは例えば、半導体で０．５ｎｍ〜５μｍ、誘電体で３０ｎｍ〜１０μｍであり、電極は例えば、２０ｎｍ〜１０μｍであり得る。ＯＦＥＴはまた、組み合わされて別の部材、例えば環状発振器、又はインバータを形成することができる。

【0269】

本発明のさらなる態様は、複数の半導体成分（ｎ型及び／又はｐ型半導体であり得る）を有する電極部材を提供することである。このような部材の例は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、バイポーラジャンクショントランジスタ（ＢＪＴ）、トンネルダイオード、コンバータ、発光部材、生物学的、及び化学的な検知機若しくはセンサ、温度依存性検知機、光検知機、例えば極性敏感性光検知機、ゲート、ＡＮＤ、ＮＡＮＤ、ＮＯＴ、ＯＲ、ＴＯＲ、及びＮＯＲ型のゲート、レジスタ、スイッチ、タイマーユニット、静的若しくは動的なメモリ、及びその他の動的若しくは連続的、論理的、若しくはその他のデジタル部材（プログラム可能なスイッチを含む）である。

【0270】

特別な半導体素子は、インバータである。デジタル論理においてインバータは、入力されたシグナルを変換するゲートである。インバータは、ＮＯＴゲートとも言われる。リアルインバータスイッチは、入力電流とは逆の電流から構成される出力電流を有する。典型的な値は例えば、ＴＴＬスイッチについて（０，＋５Ｖ）である。デジタルインバータの性能は、電圧伝達曲線（ＶＴＣ）を再現する（すなわち、出力電流に対する、入力電流のプロット）。これは理想的には、階段関数であり、実測曲線がこの階段に近ければ近いほど、インバータは良好である。

【0271】

本発明による組成物は、有機光電池（ＯＰＶ）における使用にも、特に適している。本教示の態様は、有機太陽電池（例えば、励起状態の拡散（励起子拡散）により特徴付けられる太陽電池）の作製に関する。この場合、使用する半導体材料のいずれか、又は両方が、励起状態の拡散（励起子移動度）について顕著である。有機太陽電池は一般的に、層構造を有し、一般的には少なくとも以下の層を有する：アノード、光活性層、及びカソード。これらの層は一般的に、この目的のために適切な基板に適用される。有機太陽電池の構造は例えば、米国特許出願公開第２００５／００９８７２６号明細書（US 2005/0098726）、及び米国特許出願公開第２００５／０２２４９０５号明細書（US 2005/0224905）に記載されている。

【0272】

代表的な有機太陽電池は、少なくとも１つのカソードと少なくとも１つのアノードとを有する基板、並びに半導体材料を含有する少なくとも１つの光活性領域を有する。光活性領域は、２つの層を有することができ、これらはそれぞれ、均質な組成を有し、平面ドナー・アクセプターヘテロ接合を形成する。光活性領域はまた、混合層を有することもでき、ドナー・アクセプターバルクヘテロ接合の形で、ドナー・アクセプターヘテロ接合を形成することができる。

【0273】

有機太陽電池のための適切な基板は、前述のものであり、例えば酸化物材料、ポリマー、及びこれらの組み合わせである。好ましい酸化物材料は、ガラス、セラミック、ＳｉＯ₂、石英などから選択される。好ましいポリマーは、ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフィン（例えばポリエチレン、及びポリプロピレン）、ポリエステル、フルオロポリマー、ポリアミド、ポリウレタン、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、並びにこれらの混合物、及び複合材から選択される。

【0274】

適切な電極（カソード、アノード）は原則的に、金属、半導体、金属合金、半導体合金、これらのナノワイヤ、及びこれらの組み合わせである。好ましい金属は、元素周期表の第２族、８族、９族、１０族、１１族、又は１３族のものであり、例えばＰｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、又はＣａである。好ましい半導体は例えば、ドープされたＳｉ、ドープされたＧｅ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、フッ化された酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化ガリウムインジウムスズ（ＧＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウムスズ（ＺＩＴＯ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などである。好ましい金属合金は例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどをベースとする合金である。特別な実施形態は、Ｍｇ／Ａｇ合金である。

【0275】

光に面する電極（ノーマル構造におけるアノード、逆構造におけるカソード）のために使用する材料は好ましくは、入射光に対して少なくとも部分的に透明な材料である。これは好ましくは、担体材料としてガラス及び／又は透明ポリマーを有する電極を含む。担体として適切な透明ポリマーは上述のもの、例えばポリエチレンテレフタレートである。電気的接触部の接続は一般的に、金属層、及び／又は透明導電性酸化物（ＴＣＯ）によって行う。これらには好ましくは、ＩＴＯ、ドープされたＩＴＯ、ＦＴＯ（フッ素がドープされた酸化スズ）、ＡＺＯ（アルミニウムがドープされた酸化スズ）、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、又はグラフェン、又は多層グラフェン、又はカーボンナノチューブが含まれる。接触部接続のために特に好ましいのは、ＩＴＯである。電気的接触部の接続のためにはまた、導電性ポリマー、例えばポリ−３，４−アルキレンジオキシチオフェン、例えばポリ−３，４−エチレンオキシチオフェンポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ）を使用することもできる。

【0276】

光に面する電極は、最低限の光吸収性をもたらすほど充分薄いが、抽出された電荷担体の良好な電荷輸送性を可能にするほど厚くなるように構成されている。（担体材料の無い）電極層の厚さは好ましくは、２０〜２００ｎｍの範囲にある。

【0277】

特別な実施形態において、光に面しない電極（ノーマル構造におけるカソード、逆構造におけるアノード）のために使用する材料は、入射光を少なくとも部分的に反射する材料である。これには金属膜、好ましくはＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｉｎの金属膜、及びこれらの混合物の金属膜が含まれる。好ましい混合物は、Ｍｇ／Ａｌである。電極層の厚さは好ましくは、２０〜３００ｎｍの範囲にある。

【0278】

光活性領域は、有機半導体Ａ）を含有する少なくとも１つの層を有する、又はこのような少なくとも１つの層から成る。光活性層に加えて、１つ以上のさらなる層が存在していてよい。これらは例えば、
・電子伝導特性を有する層（電子輸送層、ＥＴＬ）、
・正孔伝導材料を有する層（正孔輸送層：ＨＴＬ）、これはあらゆる放射を吸収する必要はない、
・励起子及び正孔ブロック層（例えばＥＢＬ）、これは吸収してはならない、及び
・増幅層
から選択される。

【0279】

これらの層に適切な材料は、以下で詳細に記載する。

【0280】

適切な励起子及び正孔ブロック層は例えば、米国特許第６４５１４１５号明細書（US 6,451,415）に記載されている。励起子ブロック層のために適切な材料は例えば、バソクプロイン（ＢＣＰ）、４，４’，４’’−トリス［３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）である。

【0281】

太陽電池は好ましくは、少なくとも１個の光活性ドナー・アクセプターヘテロ接合を有する。有機材料の光学的な励起によって、励起子が発生する。光電流が起こるためには、正孔電子対が分離されなければならず、通常は、２つの異なる接触材料の間のドナー・アクセプタ界面で分離される。このような界面においてドナー材料は、アクセプター材料とヘテロ接合を形成する。電荷が分離されない場合、これらは「クエンチ」としても知られる工程で、入射光よりもエネルギーが低い放射光によって放射的に、又は熱の生成により非放射的に再結合し得る。これらの工程はともに、好ましくない。

【0282】

少なくとも１種の一般式（Ｉ）の化合物を、ｎ型半導体（電子伝導性、アクセプター）として使用する場合、これは太陽電池のＥＴＭ（電子輸送材料）として用いられる。この場合にこれは、太陽電池のＨＴＭ（正孔輸送材料）として用いられる適切なｐ型半導体（電子ドナー材料）と組み合わせることができる。正孔伝導材料は好ましくは、高イオン化エネルギーを有する少なくとも１種の材料を含有する。この材料は、有機又は無機の材料であり得る。

【0283】

適切なＨＴＭは例えば、以下のものである：
・Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジメチルフルオレン、
・Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジフェニルフルオレン、
・Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジフェニルフルオレン、
・Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−２，２−ジメチルベンジジン、
・Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−スピロビフルオレン、
・２，２’，７，７’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン、
・Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、
・Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、
・Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、
・Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジメチルフルオレン、
・Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−スピロビフルオレン、
・ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリル−アミノ）−フェニル］シクロヘキサン、
・２，２’，７，７’−テトラ（Ｎ，Ｎ−ジトリル）アミノ−スピロビフルオレン、
・９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス−ビフェニル−４−イル−アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン、
・２，２’，７，７’−テトラキス［Ｎ−ナフタレニル（フェニル）−アミノ］−９，９−スピロビフルオレン、
・２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−スピロ−ビフルオレン−２−イル）−アミノ］−９，９−スピロビフルオレン、
・２，２’−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン、
・Ｎ，Ｎ’−ビス（フェナントレン−９−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、
・Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ナフタレン−２−イル−ベンジジン、
・２，２’−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−９，９−スピロビフルオレン、
・９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス−ナフタレン−２−イル−アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン、
・９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ’−ビス−ナフタレン−２−イル−Ｎ，Ｎ’−ビス−フェニル−アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン、
・酸化チタンフタロシアニン、銅フタロシアニン、
・２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８，−テトラシアノ−キノジメタン、
・４，４’，４’’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン、
・４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン、
・４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン、
・４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）トリフェニルアミン、
・ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル、
・Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）ベンジジン、
・２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシ−フェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン、
・２，２’−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシ−フェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン、
・Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，４−ジアミン、
・Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリル−アミノ）フェニル］ベンジジン、
・Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）フェニル］ベンジジン。

【0284】

ポリマーの正孔輸送材料の例は、ＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４−エチレン−ジオキシチオフェン）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリ（Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン（ＰＴＰＤ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、及びポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）である。

【0285】

第一の実施形態では、ヘテロ接合は平面的な構成を有する（Two layer organic photovoltaic cell, C. W. Tang, Appl. Phys. Lett, 48 (2), 183-185 (1986)、又はN. Karl, A. Bauer, J. Holzaepfel, J. Marktanner, M. Moebus, F. Stoelzle, Mol. Cryst. Liq. Cryst. 252, 243-258 (1994)参照）。

【0286】

第二の好ましい実施形態においてヘテロ接合は、バルク（混合型）ヘテロ接合として構成されており、相互貫入型ドナー・アクセプターネットワークとも呼ばれる。バルクヘテロ接合を有する有機光太陽電池は例えば、C. J. Brabec, N. S. Sariciftci, J. C. HummelenがAdv. Funct. Mater., 1 1 (1), 15 (2001)に、又はJ. Xue, B. P. Rand, S. Uchida、及びS. R. ForrestがJ. Appl. Phys. 98, 124903 (2005)に記載している。バルクヘテロ接合については、以下で詳細に論じる。

【0287】

本発明による組成物は、ＭｉＭ、ｐｉｎ、ｐｎ、Ｍｉｐ、又はＭｉｎ構造を有する電池において光活性材料を作製するために使用することができる（Ｍ＝金属、ｐ＝ｐドープ型有機又は無機の半導体、ｎ＝ｎドープ型有機又は無機の半導体、ｉ＝有機層の固有の伝導系、例えばJ. Drechselら、Org. Electron., 5 (4), 175 (2004)、又はMaennigら、Appl. Phys. A 79, 1 -14 (2004)参照）。

【0288】

本発明による組成物はまた、タンデムセルで光活性材料を作製するためにも使用できる。適切なタンデムセルは例えば、P. Peumans, A. Yakimov, S. R. ForrestがJ. Appl. Phys., 93 (7), 3693-3723 (2003)に記載しており（米国特許第４４６１９２２号明細書（US 4,461,922）、米国特許第６１９８０９１号明細書（US 6,198,091）、及び米国特許第６１９８０９２号明細書（US 6,198,092）も参照）、以下で詳細に記載する。

【0289】

本発明による組成物はまた、２個以上スタックされたＭｉＭ、ｐｉｎ、Ｍｉｐ、又はＭｉｎ構造から構築されているタンデムセルにおける光活性材料を作製するためにも使用できる（独国特許出願公開第１０３１３２３２．５号明細書（DE 103 13 232.5）、及びJ. Drechselら、Thin Solid Films, 451452, p515〜517 (2004)参照）。

【0290】

Ｍ層、ｎ層、ｉ層、及びｐ層の層厚は通常、１０〜１０００ｎｍ、より好ましくは１０〜４００ｎｍの範囲にある。太陽電池を形成するその他の層は、当業者に公知の方法によって作製できる。これらの方法には、減圧下、若しくは不活性ガス雰囲気下での蒸着、レーザー剥離加工法、若しくは溶液処理法、若しくは分散液処理法、例えばスピンコート、ブレードコート、キャスト法、スプレー適用、ディップコート、又は印刷（例えばインクジェット、フレキソグラフィー、オフセット、グラビア、凹版、ナノインプリンティング）が含まれる。特定の実施形態において太陽電池全体は、溶液処理法によって製造する。

【0291】

適切な実施形態において太陽電池は、平面ヘテロ接合、及びノーマル構造を備える個別のセルとして存在する。特別な実施形態において、セルは以下の構造を有する：
・少なくとも部分的に透明な導電層（上面電極、アノード）（１１）、
・正孔伝導層（１２）、
・ドナー材料を含有する層（１３）、
・アクセプター材料を含有する層（１４）、
・励起子ブロック層及び／又は電子伝導層（１５）、
・第二導電層（裏面電極、カソード）（１６）。

【0292】

実質的に透明な導電層（１１）（アノード）は、担体、例えばガラス又はポリマー（例えばポリエチレンテレフタレート）、及び前述のような導電性材料を有する。その例には、ＩＴＯ、ドープされたＩＴＯ、ＦＴＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯなどが含まれる。アノード材料は、表面処理（例えば紫外線、オゾン、酸素プラズマ、Ｂｒ₂などによる処理）にかけることができる。層（１１）は、最大の光吸収性を可能にするために充分に薄いが、良好な電荷輸送性を保証するほどには厚いのが望ましい。透明導電層（１１）の層厚は好ましくは、２０〜２００ｎｍの範囲にある。

【0293】

ノーマル構造を有する太陽電池は任意で、正孔伝導層（＝層１２）を有する。この層は、少なくとも１つの正孔伝導材料（正孔輸送材料、ＨＴＭ）を含有する。正孔伝導特性（ＨＴＬ）を有する層を形成するのに適した正孔伝導材料（ＨＴＭ）は好ましくは、高いイオン化エネルギーを有する材料を少なくとも１種、含有する。イオン化エネルギーは好ましくは、少なくとも５．０ｅＶ、より好ましくは少なくとも５．５ｅＶである。この材料は、有機又は無機の材料であり得る。正孔伝導特性を有する層において使用するために適切な有機材料は好ましくは、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、Ｉｒ−ＤＰＢＩＣ（トリス−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンズイミダゾール−２−イリデンイリジウム（ｌｌｌ））、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、２，２’，７，７’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−メトキシフェニルアミン）−９，９’−スピロビフルオレン（スピロ−ＭｅＯＴＡＤ）など、及びこれらの混合物から選択される。これらの有機材料は所望の場合、正孔伝導材料のＨＯＭＯと同じか、又はそれより低い範囲にあるＬＵＭＯを有するｐ型ドープ剤でドープすることができる。適切なドープ剤は例えば、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノ−ジメタン（Ｆ₄ＴＣＮＱ）、ＷＯ₃、ＭｏＯ₃などである。正孔伝導特性を有する層で使用するのに適した無機材料は好ましくは、ＷＯ₃、ＭｏＯ₃などから選択される。

【0294】

存在する場合、正孔伝導特性を有する層の厚さは好ましくは、５〜２００ｎｍ、より好ましくは１０〜１００ｎｍの範囲にある。

【0295】

層（１３）は、ドナー材料を少なくとも１種、含有する。この層の厚さは、最大量の光を吸収するために充分であるが、電荷の効果的な消費を可能にするほど薄いのが望ましい。層（１３）の厚さは好ましくは、５ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは５〜１００ｎｍの範囲にある。

【0296】

層（１４）は、アクセプター材料を少なくとも１種、含有する。この層の厚さは、最大量の光を吸収するために充分であるが、電荷の効果的な消費を可能にするほど薄いのが望ましい。層（１４）の厚さは好ましくは、５ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは５〜８０ｎｍの範囲にある。

【0297】

適切なドナー材料、及びアクセプター材料は原則的に有機半導体であり、ここで少なくとも１つは、本発明による組成物から堆積された半導体Ａ）である。

【0298】

ノーマル構造を有する太陽電池は任意で、励起子ブロック層及び／又は電子伝導層（１５）（ＥＢＬ／ＥＴＬ）を有する。励起子ブロック層のために適切な材料は一般的に、層（１３）及び／又は（１４）の材料よりも大きなバンドギャップを有する。これらにはまず、励起子を反射する能力があり、第二に、層を通じた良好な電子輸送性を可能にする。層（１５）のための材料は、有機若しくは無機の材料を含有することができる。適切な有機材料は好ましくは、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、１，３−ビス［２−（２，２’ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（ＢＰＹ−ＯＸＤ）などから選択される。これらの有機材料は所望の場合、電子伝導材料のＬＵＭＯと同じか、又はそれより低い範囲にあるＨＯＭＯを有するｎ型ドープ剤でドープすることができる。適切なドープ剤は例えば、ＣＳ₂ＣＯ₃、ピロニンＢ（ＰｙＢ）、ローダミンＢ、コバルトセンなどである。電子伝導特性を有する層で使用するのに適した無機材料は好ましくは、ＺｎＯなどから選択される。存在する場合、層（１５）の厚さは好ましくは、５〜５００ｎｍ、より好ましくは１０〜１００ｎｍの範囲にある。

【0299】

層１６はカソードであり、好ましくは仕事関数が低い化合物を少なくとも１種、より好ましくは金属、例えばＡｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａなどを含有する。層（１６）の厚さは好ましくは、約１０ｎｍ〜１０μｍ、例えば１０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲にある。

【0300】

さらなる適切な実施形態において本発明による太陽電池は、平面ヘテロ接合、及び逆構造を備える個別のセルとして存在する。

【0301】

特別な実施形態において、セルは以下の構造を有する：
・少なくとも部分的に透明な導電層（カソード）（１１）、
・励起子ブロック層及び／又は電子伝導性層（１２）、
・アクセプター材料を含有する層（１３）、
・ドナー材料を含有する層（１４）、
・正孔伝導層（１５）、
・第二導電層（裏面電極、アノード）（１６）。

【0302】

層（１１）〜（１６）のために適切で好ましい材料については、ノーマル構造を有する太陽電池における相応する層について先に述べたことを参照されたい。

【0303】

適切な実施形態において、本発明による太陽電池は、タンデムセルである。

【0304】

タンデムセルは、２個、又は２個より多くの（例えば３個、４個、５個など）のサブセルから成る。１つのサブセル、サブセルのうち幾つか、又は全てのサブセルは、光活性ドナー・アクセプターヘテロ接合を有することができる。それぞれのドナー・アクセプターヘテロ接合は、平面ヘテロ接合の形、又はバルクヘテロ接合の形であり得る。本発明によれば、少なくとも１つのサブセルの光活性層は、本発明による組成物から製造する。タンデムセルを形成するサブセルは、並列、又は直列で接続されていてよい。タンデムセルを形成するサブセルは好ましくは、直列で接続されている。各サブセルの間にそれぞれ、さらなる再結合層が存在するのが好ましい。各サブセルは、同じ極性を有する。すなわち、一般的にはノーマル構造を有するセルのみ、又は逆構造を有するセルのみを、相互に組み合わせる。

【0305】

ここで「サブセル」とは、先に規定したように、カソード及びアノードを有さないセルを言う。サブセルは例えば、光活性層においてすべてが多形２を有するか、又は半導体材料の別の組み合わせ（例えばＣ６０と亜鉛フタロシアニン、Ｃ６０とオリゴチオフェン、例えばＤＣＶ５Ｔ）を有し得る。加えて、各サブセルはまた、色素増感型太陽電池、又はポリマーセルとして構成されていてよい。

【0306】

一般式（Ｉ．ａ）、及び（Ｉ．ｂ）の化合物に加えて、以下の半導体材料が、有機光電池において使用するために適している：
アセン、例えばアントラセン、テトラセン、ペンタセン、及び置換されたアセン。置換されたアセンは、電子供与置換基（例えばアルキル、アルコキシ、エステル、カルボキシレート、又はチオアルコキシ）、電子吸引性置換基（例えばハロゲン、ニトロ、又はシアノ）、及びこれらの組み合わせから選択される置換基を少なくとも１個有する。これらには、２，９−ジアルキルペンタセン、及び２，１０−ジアルキルペンタセン、２，１０−ジアルコキシペンタセン、１，４，８，１１−テトラアルコキシペンタセン、及びルブレン（５，６，１１，１２−テトラフェニルナフタセン）が含まれる。適切な置換ペンタセンは、米国特許出願公開第２００３／０１００７７９号明細書（US 2003/0100779）、及び米国特許第６８６４３９６号明細書（US 6,864,396）に記載されている。好ましいアセンは、ルブレン（５，６，１１，１２−テトラフェニルナフタセン）である。

【0307】

フタロシアニン、例えばヘキサデカクロロフタロシアニン、及びヘキサデカフルオロフタロシアニン、金属不含フタロシアニン、及び二価金属を含有するフタロシアニン、特にチタニルオキシ、バナジルオキシ、鉄、銅、又は亜鉛のフタロシアニン、特に銅フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、及び金属不含フタロシアニン、銅ヘキサデカクロロフタロシアニン、亜鉛ヘキサデカクロロフタロシアニン、金属不含ヘキサデカクロロフタロシアニン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン、ヘキサデカフルオロフタロシアニン、又は金属不含のヘキサデカフルオロフタロシアニン。

【0308】

ポルフィリン、例えば５，１０，１５，２０−テトラ（３−ピリジル）ポルフィリン（ＴｐｙＰ）。

【0309】

液晶（ＬＣ）材料、例えばヘキサベンゾコロネン（ＨＢＣ−ＰｈＣ１２）、又はその他のコロネン、コロネンジイミド、又はトリフェニレン、例えば２，３，６，７，１０，１１−ヘキサヘキシルチオトリフェニレン（ＨＴＴ６）、又は２，３，６，７，１０，１１−ヘキサキス（４−ｎ−ノニルフェニル）トリフェニレン（ＰＴＰ９）、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサキス（ウンデシルオキシ）トリフェニレン（ＨＡＴ１１）。特に好ましいのは、ディスコティック液晶である。

【0310】

チオフェン、オリゴチオフェン、及びこれらの置換された誘導体。適切なオリゴチオフェンは、クアテルチオフェン、キンクチオフェン、セキシチオフェン、α，ω−ジ（Ｃ₁〜Ｃ₈）アルキルオリゴチオフェン、例えばα，ω−ジヘキシルクアテルチオフェン、α，ω−ジヘキシルキンクチオフェン、及びα，ω−ジヘキシルセキシチオフェン、ポリ（アルキルチオフェン）、例えばポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ビス（ジチエノチオフェン）、アントラジチオフェン、及びジアルキルアントラジチオフェン、例えばジヘキシルアントラジチオフェン、フェニレン−チオフェン（Ｐ−Ｔ）オリゴマー、及びこれらの誘導体、特にα，ω−アルキル置換されたフェニレン−チオフェンオリゴマーである。

【0311】

好ましいチオフェン、オリゴチオフェン、及びこれらの置換された誘導体は、ポリ−３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）、又はα，α’−ビス（２，２−ジシアノビニル）キンクチオフェン（ＤＣＶ５Ｔ）型の化合物、ポリ（３−（４−オクチルフェニル）−２，２’−ビチオフェン）（ＰＴＯＰＴ）、ポリ（３−（４’−（１’’，４’’，７’’−トリオキサオクチル）フェニル）チオフェン）（ＰＥＯＰＴ）、ポリ（３−（２’−メトキシ−５’−オクチルフェニル）チオフェン）（ＰＯＭｅＯＰＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）（Ｐ３ＯＴ）、ピリジン含有ポリマー、例えばポリ（ピリドピラジンビニレン）、アルキル基で改質されたポリ（ピリドピラジンビニレン）、例えばＥＨＨ−ＰｐｙＰｚ、ＰＴＰＴＢコポリマー、ポリベンズイミダゾベンゾフェナントロリン（ＢＢＬ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−ｃｏ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ’−フェニル−１，４−フェニレンジアミン）（ＰＦＭＯ）；Brabec C., Adv. Mater., 2996, 18, 2884参照。（ＰＣＰＤＴＢＴ）ポリ［２，６−（４，４−ビス（２−エチルヘキシル）−４Ｈ−シクロペンタ［２，１−ｂ；３，４−ｂ’］−ジチオフェン）−４，７−（２，１，３−ベンゾチアジアゾール）］である。

【0312】

パラフェニレンビニレン、並びにパラフェニレンビニレンを含有するオリゴマー及びポリマーは例えば、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン））、ＭＤＭＯ−ＰＰＶ（ポリ（２−メトキシ−５−（３’，７’−ジメチルオクチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン））、シアノ−パラフェニレンビニレン（ＣＮ−ＰＰＶ）、アルコキシ基で改質されたＣＮ−ＰＰＶ。

【0313】

ＰＰＥ−ＰＰＶハイブリッドポリマー（フェニレン−エチニレン／フェニレン−ビニレンハイブリッドポリマー）。

【0314】

ポリフルオレン、及び交互ポリフルオレンコポリマー、例えば４，７−ジチエン−２’−イル−２，１，３−ベンゾチアジアゾールとのコポリマー、並びにポリ（９，９’−ジオクチルフルオレン−ｃｏ−ベンゾチアジアゾール）（Ｆ₈ＢＴ）、ポリ（９，９’−ジオクチルフルオレン−ｃｏ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−ブチルフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ’−フェニル−１，４−フェニレンジアミン）（ＰＦＢ）。

【0315】

ポリカルバゾール、すなわちカルバゾールを含有するオリゴマー及びポリマー、例えば（２，７）、及び（３，６）。

【0316】

ポリアニリン、すなわち、アニリンを含有するオリゴマー及びポリマー。

【0317】

トリアリールアミン、ポリトリアリールアミン、ポリシクロペンタジエン、ポリピロール、ポリフラン、ポリシロール、ポリホスホール、Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、２，２’，７，７’−テトラキス−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−メトキシフェニルアミン）−９，９’−スピロビフルオレン（スピロ−ＭｅＯＴＡＤ）。

【0318】

フラーレン、特にＣ６０、及びその誘導体、例えばＰＣＢＭ（＝［６，６］−フェニル−Ｃ₆₁酪酸メチルエステル）。このような場合、フラーレン誘導体は、正孔伝導体となるだろう。

【0319】

ヨウ化銅（Ｉ）、チオシアン酸銅（Ｉ）。

【0320】

ｐ−ｎ混合材料、すなわちドナー及びアクセプターが１つの材料、ポリマー、ブロックコポリマー、Ｃ６０を有するポリマー、Ｃ６０アゾ染料、並びにカロテノイド系化合物、ポルフィリン系化合物、及びキノイド液晶化合物をドナー・アクセプター系として含有する三量体混合材料（例えばKellyがS. Adv. Mater. 2006, 18, 1754に記載）。

【0321】

本教示の態様は、上面電極、下面電極（ここで前記電極のうち少なくとも１つは透明である）、エレクトロルミネッセンス層、及び任意の補助層（ここでエレクトロルミネッセンス装置は、本発明による組成物から製造された半導体成分を含有する）を有するエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置の作製に関する。ＥＬ装置は、電圧が電流とともに適用されると、光を放射するという事実によって特徴付けられる。このような装置は、工業技術において、発光ダイオード（ＬＥＤ）として従前から知られている。正の電荷（正孔）、及び負の電荷（電子）が、光の放射と結合するという事実に基づき、光が放射される。本願の意味合いにおいて、エレクトロルミネッセンス装置、及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）という用語は、同義で用いる。一般的にＥＬ装置は、幾つかの層から構築される。これらの層上には少なくとも、１種以上の有機電荷輸送化合物が含まれている。この層構造は、原則的に以下の通りである：
１．担体、基板
２．底部電極（アノード）
３．正孔注入層
４．正孔輸送層
５．発光層
６．電子輸送層
７．電子注入層
８．上部電極（カソード）
９．接触部
１０．カバー、封入部。

【0322】

この構造は、最も一般的な場合を表しており、それぞれの層を省略することによって省略化でき、これによって１つの層が、複数の役割を担うことになる。最も単純な場合、ＥＬ装置は、有機層が配置されている２つの電極から成り、この有機層は、発光を含む全ての機能を満たす。有機発光ダイオードの構造、及びその製造方法は、原則的に、例えば国際公開第２００５／０１９３７３号（WO 2005/019373）から当業者に公知である。ＯＬＥＤの各層のために適切な材料は例えば、国際公開第００／７０６５５号（WO 00/70655）に開示されている。これらの文献の開示については、ここで参照される。本発明によるＯＬＥＤは原則的に、当業者に公知の方法によって製造できる。ＯＬＥＤは、適切な基板上に各層を連続的に堆積させることによって製造できる。適切な実施形態において、全ての層は、溶液処理法によって製造する。代替的な実施形態において、半導体Ａ）を含有しない少なくとも１つの層は、当業者に公知の気相堆積技術によって被覆することができる。

【0323】

基板１として適切なのは、透明な担体、例えばガラス又はプラスチックフィルム（例えばポリエステル、例えばポリエチレンテレフタレート、又はポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリイミドシート）である。透明な導電性材料として適切なのは、ａ）金属酸化物、例えばインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＮＥＳＡ）などであり、ｂ）半透明金属フィルム、例えばＡｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕなどである。

【0324】

少なくとも１つの半導体Ａ）は、電荷輸送材料（電子伝導体）として役立つ。よって、以下の層：電子注入層、電子輸送層、又は透明電極の一部のうち少なくとも１つは、本発明による組成物から製造された半導体成分を含む。

【0325】

本発明によるＥＬ適用において、低分子量材料、又はオリゴマー材料、またポリマー材料が、発光層５として使用できる。これらの物質は、これらがフォトルミネッセンスであることによって特徴付けられる。従って、適切な物質は例えば、オリゴマーを形成するか、又はポリマーに組み込まれている蛍光色素、及び蛍光生成物である。このような材料の例は、クマリン、ペリレン、アントラセン、フェナントレン、スチルベン、ジスチリル、メチン、又は金属錯体、例えばＡｌｑ₃（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）などである。適切なポリマーには、任意で置換されたフェニレン、フェニレンビニレン、又はポリマー側鎖に、若しくはポリマー骨格に蛍光を発する部分を有するポリマーが含まれる。詳細なリストは、欧州特許出願公開第５３２７９８号明細書（EP-A-532 798）に記載されている。好ましくは、ルミネッセンスを増大させるため、電子注入層又は正孔注入層（３及び／又は７）は、ＥＬ装置に組み込むことができる。電荷（正孔及び／又は電子）を輸送する多くの有機化合物は、文献に記載されている。主に低分子量の物質が用いられ、低分子量の物質は、溶液処理に適切である。物質の分類とこれらの物質の使用に関する包括的な調査は例えば、以下の文献に示されている（欧州特許出願公開第３８７７１５号明細書（EP-A 387 715）、米国特許第４５３９５０７号明細書（US 4,539,507）、米国特許第４７２０４３２号明細書（US 4,720,432）、及び米国特許第４７６９２９２号明細書（US 4,769,292））。好ましい材料は、ＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））であり、これはＯＬＥＤの透明電極でも使用できる。

【0326】

本発明による組成物を使用する結果として、高効率のＯＬＥＤを得ることができる。これらのＯＬＥＤは、エレクトロルミネッセンスが有用なあらゆるデバイスで使用できる。適切なデバイスは好ましくは、据え置き型、及び可搬型の視覚ディスプレイユニットから選択される。据え置き型の視覚ディスプレイユニットは例えば、コンピューターの視覚ディスプレイユニット、テレビ、プリンター、キッチン器具、及び公告パネルにおける視覚ディスプレイユニット、イルミネーション、及び情報パネルである。可搬型のディスプレイユニットは例えば、携帯電話、ラップトップ型コンピューター、デジタルカメラ、車両における視覚ディスプレイユニット、並びにバス、及び電車における行き先ディスプレイである。さらに、本発明による組成物は、逆構造を有するＯＬＥＤを作製するために使用できる。逆型のＯＬＥＤ構造、及びそこで通常使用される材料は、当業者に公知である。

【0327】

以下の図面と実施例は、本発明を説明するために役立つが、本発明を制限するものとして解釈されるべきではない。

【0328】

以下の化合物（Ａ）を使用した：

【化23-1】

【化23-2】

【図面の簡単な説明】

【0329】

【図1】ＤＭＰ：トルエン（１：３）の混合物から化合物Ａ１）をドロップキャストすることにより得られる結晶性有機膜の偏光光学顕微鏡写真を示す（実施例１）。

【図2】アセチルアセトンから化合物Ａ１）をドロップキャストすることにより得られる結晶性有機膜の偏光光学顕微鏡写真を示す（比較例２）。

【図3】トルエンから化合物Ａ１）をドロップキャストすることにより得られる結晶性有機膜の偏光光学顕微鏡写真を示す（実施例３）。

【図4】ａは、ＤＭＰから化合物Ａ９）をドロップキャストすることにより得られる結晶性有機膜の偏光光学顕微鏡写真を示す（実施例４８．１）。画像の左下部にある黒い線は、５０μｍの距離を示す。ｂは、ＥｔｈＡｃから化合物Ａ９）をドロップキャストすることにより得られる結晶性有機膜の偏光光学顕微鏡写真を示す（比較例４８．４）。画像の左下部にある黒い線は、５０μｍの距離を示す。

【図5】ａは、ＤＭＰ溶液から化合物Ａ１）をドロップキャストすることにより得られる半導体の輸送特性を示し（実施例５２）、ここでＵ_GS＝−２０Ｖ〜＋５０Ｖ、Ｕ_DS＝５０Ｖである。ｂは、ＤＭＰ溶液から化合物Ａ１）をドロップキャストすることにより得られる半導体の出力特性を示し（実施例５２）、ここでＵ_DS＝０Ｖ〜＋４５Ｖ、Ｕ_GS＝１５、３０、４５、及び６０Ｖである。

【図6】ａは、ＤＭＰ：Ａｃａｃ（１：９）溶液から化合物Ａ１）をドロップキャストすることにより得られる半導体の輸送特性を示し（実施例５３）、ここでＵ_GS＝−３０Ｖ〜＋６０Ｖ、Ｕ_DS＝２０Ｖである。ｂは、ＤＭＰ：Ａｃａｃ（１：９）溶液から化合物Ａ１）をドロップキャストすることにより得られる半導体の出力特性を示し（実施例５３）、ここでＵ_DS＝０Ｖ〜＋２０Ｖ、Ｕ_GS＝０、１５、３０、４５、及び６０Ｖである。

【図7】ａは、３０ｎｍのＡｌ₂Ｏ₃絶縁誘電層を有するウェハ上に、ＤＭＰ溶液から化合物Ａ１）をドロップキャストすることにより得られる半導体の輸送特性を示し（実施例５４）、ここでＵ_GS＝−２Ｖ〜＋１０Ｖ、Ｕ_DS＝５Ｖである。ｂは、３０ｎｍのＡｌ₂Ｏ₃絶縁誘電層を有するウェハ上に、ＤＭＰ溶液から化合物Ａ１）をドロップキャストすることにより得られる半導体の出力特性を示し（実施例５４）、ここでＵ_DS＝０Ｖ〜＋１０Ｖ、Ｕ_GS＝５．７５Ｖ、及び１０Ｖである。

【図8】ａは、４−エトキシフェニルホスホン酸による表面改質後のウェハ上に、ＤＭＰ溶液から化合物Ａ１）をドロップキャストすることにより得られる半導体の輸送特性を示し（実施例５５）、ここでＵ_GS＝＋２Ｖ〜＋１５Ｖ、Ｕ_DS＝１０Ｖである。ｂは、４−エトキシフェニルホスホン酸による表面改質後のウェハ上に、ＤＭＰ溶液から化合物Ａ１）をドロップキャストすることにより得られる半導体の出力特性を示し（実施例５５）、ここでＵ_DS＝０Ｖ〜＋１０Ｖ、Ｕ_GS＝９、１２、及び１５Ｖである。

【図9】ａは、基材としてのポリエチレンテレフタレートシート上に、ＤＭＰ溶液から化合物Ａ１）をドロップキャストすることにより得られる半導体の輸送特性を示し（実施例５６）、ここでＵ_GS＝−２０Ｖ〜＋６０Ｖ、Ｕ_DS＝４０Ｖである。ｂは、基材としてのポリエチレンテレフタレートシート上に、ＤＭＰ溶液から化合物Ａ１）をドロップキャストすることにより得られる半導体の出力特性を示し（実施例５６）、ここでＵ_DS＝０Ｖ〜＋６０Ｖ、Ｕ_GS＝１５、３０、４５、及び６０Ｖである。

【図10】ａは、ＳｉＯ₂ウェハ上に、ＤＭＰ溶液から化合物Ａ１）をインクジェット印刷することにより得られる半導体の輸送特性を示し（実施例５７）、ここでＵ_GS＝−２０Ｖ〜＋５０Ｖ、Ｕ_DS＝５０Ｖである。ｂは、ＳｉＯ₂ウェハ上に、ＤＭＰ溶液から化合物Ａ１）をインクジェット印刷することにより得られる半導体の出力特性を示し（実施例５７）、ここでＵ_DS＝０Ｖ〜＋５０Ｖ、Ｕ_GS＝２０、３０、４０、及び５０Ｖである。

【図11】ａは、表面改質後のＡｌ₂Ｏ₃ウェハ上に、ＤＭＰ溶液から化合物Ａ１）をインクジェット印刷することにより得られる半導体の輸送特性を示し（実施例５８）、ここでＵ_GS＝＋２Ｖ〜＋１５Ｖ、Ｕ_DS＝１０Ｖである。ｂは、表面改質後のＡｌ₂Ｏ₃ウェハ上に、ＤＭＰ溶液から化合物Ａ１）をインクジェット印刷することにより得られる半導体の出力特性を示し（実施例５８）、ここでＵ_DS＝０Ｖ〜＋１０Ｖ、Ｕ_GS＝１２、及び１５Ｖである。

【図12】ａは、ＳｉＯ₂ウェハ上に、ＤＭＰ溶液から化合物Ａ１）をドロップキャストすることにより得られる、ポリ（メチルメタクリレート）／トリメチロールプロパントリアクリレートのボトムゲート誘電体を用いた半導体の輸送特性を示し（実施例５９）、ここでＵ_GS＝−１０Ｖ〜＋５０Ｖ、Ｕ_DS＝４０Ｖである。ｂは、ＳｉＯ₂ウェハ上に、ＤＭＰ溶液から化合物Ａ１）をドロップキャストすることにより得られる、ポリ（メチルメタクリレート）／トリメチロールプロパントリアクリレートのボトムゲート誘電体を用いた半導体の出力特性を示し（実施例５９）、ここでＵ_DS＝０Ｖ〜＋４０Ｖ、Ｕ_GS＝１０、２０、３０、４０、及び５０Ｖである。

【図13】ａは、３０ｎｍのＡｌ₂Ｏ₃絶縁誘電層を有するウェハ上に、ＤＭＰ溶液から化合物Ａ３）をインクジェット印刷することにより得られる半導体の輸送特性を示し（実施例６０）、ここでＵ_GS＝−３０Ｖ〜＋６０Ｖ、Ｕ_DS＝５０Ｖである。ｂは、３０ｎｍのＡｌ₂Ｏ₃絶縁誘電層を有するウェハ上に、ＤＭＰ溶液から化合物Ａ３）をインクジェット印刷することにより得られる半導体の輸送特性を示し（実施例６０）、ここでＵ_GS＝−３０Ｖ〜＋６０Ｖ、Ｕ_DS＝５０Ｖである。

【図14】ａは、ＤＭＰ：トルエン（１：３）溶液から化合物Ａ１）をドロップキャストすることにより得られる半導体の輸送特性を示し（実施例６３）、ここでＵ_GS＝−２Ｖ〜＋１０Ｖ、Ｕ_DS＝３Ｖである。ｂは、ＤＭＰ：トルエン（１：３）溶液から化合物Ａ１）をドロップキャストすることにより得られる半導体の出力特性を示し（実施例６３）、ここでＵ_DS＝０Ｖ〜＋８Ｖ、Ｕ_GS＝２、４、６、８、及び１０Ｖである。

【0330】

実施例
試料の製造１（主に、様々な半導体の特性決定のために用いる）：
熱により成長させた２４０ｎｍの二酸化ケイ素で被覆した、変性ドープシリコンウェハ（WRS Matarials社製、ホウ素で高度にｐドープされたウェハ、厚さ５５０〜６００μｍ）を、基板として用いた。これらのウェハを２分間、酸素プラズマ処理にかけ（１００Ｗ、１分当たり２０標準立方センチメートル（ｓｃｃｍ）のガス流量）、及び引き続きオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）をトルエンに入れた０．２体積％溶液中で、室温で１７分間、含浸させた。続いて、この試料を溶液から取り出し、トルエンですすぎ、３０分間、９０℃で焼いた。続いて、直径７．３ｍｍの穴を有する層厚０．５〜１ｍｍのポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）を、疎水性基板上に置き、これを引き続き５分間、エアプラズマ処理した。このプラズマによって、ＰＤＭＳ層の穴の位置における疎水性単分子層が燃焼により除去され、剥き出しの、比較的親水性のＳｉＯ₂表面が露出する。

【0331】

各溶媒は純粋な形で使用するか、又は各溶媒の混合物を最初に製造する。０．１質量％の半導体粉末を、各溶媒、又は溶媒混合物中に溶解させ、０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターによって濾過した。この基材をホットプレート（トルエン以外の全ての溶媒について温度は７０℃、ここで乾燥のためには３０℃を使用した）に置き、有機半導体溶液１μＬを、ピペットにより親水性領域にドロップキャストした。基材は、溶液が乾燥した後に取り除いた。反射モードで偏光顕微鏡のもと、光学画像を記録した。

【0332】

試料製造２（溶媒混合物による実験を行うため、またトランジスタを作製するために使用）
Ａｌ₂Ｏ₃（厚さ３０ｎｍ、原子層堆積により成長）で被覆された変性ドープシリコンウェハを２分間、酸素プラズマ処理にかけ（１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ）、引き続き、テトラデシルホスホン酸（ＴＤＰＡ）をイソプロパノールに入れた１．５ｍＭの溶液中で、室温で１時間、含浸させた。引き続き、この試料を溶液から取り出し、５分間、１２０℃で焼いた。この手順により、疎水性の自己組織化単分子層（ＳＡＭ）が、２２ｍＮ／ｍの表面エネルギーを有するＡｌ₂Ｏ₃表面上に得られる（表面エネルギーは、接触角測定により特定）。続いて、直径７．３ｍｍの穴を有する厚さ０．５〜１ｍｍのＰＤＭＳ層を、疎水性基板上に置き、これを引き続き５分間、エアプラズマ処理した。このプラズマによって、ＰＤＭＳ層の穴の位置における疎水性単分子層が燃焼により除去され、剥き出しの、比較的親水性のＡｌ₂Ｏ₃表面が露出する。こうして生成する、プラズマ処理された基板の親水性領域をその後、ＴＤＰＡ ＳＡＭについて先に記載したのと同じように、４−エトキシフェニルホスホン酸（ＥＰＰＡ）で処理した。この工程により、第二のプラズマ処理工程にかけられた環状領域において、親水性ＥＰＰＡ ＳＡＭが得られる。ＥＰＰＡで処理した領域の表面エネルギーは、３６ｍＮ／ｍと測定された。

【0333】

０．１質量％の半導体粉末を、一定で振りながら１時間、８０℃で各溶媒に溶解させた。この溶液を室温に冷却した後、これを０．２μｍのＰＴＦＥフィルターにより濾過した。溶媒混合物を用いた場合、まず半導体をそれぞれの各溶媒に溶解させ、８０℃で１時間振り、濾過し、続いて各溶媒比で混合した。１μＬの有機半導体溶液を、ピペットで親水性ＥＰＰＡ領域上に、上昇させた基材温度（７０℃、ホットプレート上に置いた基材）でドロップキャストした。数時間〜２日間、７０℃で乾燥させた後、これらの試料を真空炉に移し、さらに３時間、６０〜９０℃に加熱し、残りの溶媒を完全に除去した。反射モードで偏光顕微鏡のもと、光学画像を記録した。

【0334】

試料製造法３：
分子量が２，０００，０００の所定量のポリスチレン（ＰＳ）（Alfa Aesar社製、PS-Lot: K05Y052）を、室温で各溶媒に溶解させ、ポリマーが溶解されるまで撹拌した。それから、０．１質量％の有機半導体を混合物中に溶解させた。顕微鏡のカバースライドガラスを基材として使用し、最初にアセトンで完全にすすいだ。それからこの溶液を、ホットプレート上で７０℃に加熱しておいた顕微鏡のカバースライドガラス上にドロップキャストした。代替的な実験では、溶液をワイヤバーコーター（４μｍ）によって、加熱したスライドガラス（７０℃）上に適用した。光学顕微鏡により、顕微鏡画像を得た。

【0335】

トランジスタの作製、及び電気的な測定：
金の接触部（Umicore社、９９．９９％）を、基底圧６×１０^-6ｍｂａｒで、カプトン（kapton）シャドーマスクを通じて、熱蒸着で堆積させ、幅（Ｗ）が２００μｍ、長さ（Ｌ）が１００μｍのチャネルを得た。電気的な特性決定は、Lakeshore CRX - 6.5K probe stationで真空中（１０^-6ｍｂａｒ未満）、Agilent 4145C Semiconductor Parameter Analyzerを用いて行った。

【0336】

溶媒、溶媒混合物、又はポリマー・溶媒混合物の粘度測定
粘度は、粘度計のBrookfield DV-ll+Pro Viscosimeterを用いて、温度２３℃、剪断速度９３ｓ−１、回転速度１００ｒｐｍで、１３Ｒのカップと、２１段階スピンドル（21 spindle）により測定した。

【0337】

溶媒、及び溶媒混合物の表面張力測定の工程の説明：
表面張力は、Kruess社製のTensiometer K100を用いて、Wilhelmy法・プレート法により測定した。

【0338】

実施例１：
上記試料製造法２に従って、半導体（Ａ１）の結晶性材料を、ＤＭＰ及びトルエンの溶媒混合物（質量比１：３）を用いて製造した。半導体溶液の固体含分は０．１質量％であり、乾燥は７０℃で、ホットプレート上で行った。図１は、こうして得られた結晶性有機膜の偏光光学顕微鏡写真を示す。本発明の意味合いにおいて溶媒（Ｌ１）としてのＤＭＰと、溶媒（Ｌ２）としてのトルエンとの組み合わせにより、結合した連続的な薄い結晶の面積が大きい半導体材料につながる。

【0339】

実施例２（比較例）：
上記試料製造法２に従って、半導体（Ａ１）の結晶性材料を、溶媒としてアセチルアセトンを用いて製造した。半導体溶液の固体含分は０．１質量％であり、乾燥は７０℃で、ホットプレート上で行った。図２は、こうして得られた結晶性有機膜の偏光光学顕微鏡写真を示す。本発明の意味合いにおける溶媒（Ｌ１）ではない溶媒を使用することによって、結合していない厚い多結晶アグロメレートを有する半導体材料につながる。

【0340】

実施例３（比較例）：
上記試料製造法２に従って、半導体（Ａ１）の結晶性材料を、溶媒としてトルエンを用いて製造した。半導体溶液の固体含分は０．１質量％であり、乾燥は３０℃で、ホットプレート上で行った。図３は、こうして得られた結晶性有機膜の偏光光学顕微鏡写真を示す。本発明の意味合いにおける溶媒（Ｌ１）ではないトルエンを単独で使用することによって、結合していない厚い多結晶アグロメレートを有する半導体材料につながる。

【0341】

実施例４〜２２：
上記試料製造法２に従って、半導体（Ａ１）の結晶性材料を、溶媒として表１に記載の純粋な溶媒を用いて製造した。半導体溶液の固体含分は０．１質量％であり、乾燥は７０℃で（トルエンを除く、トルエンでは乾燥のために３０℃の温度を使用した）、ホットプレート上で行った。こうして得られた結晶性半導体材料を、偏光光学顕微鏡によって試験した。その結果が、表１に示されている。本発明の意味合いにおける溶媒（Ｌ１）によってそれぞれの場合に、結合した薄い結晶の面積が大きい半導体材料が得られた。溶媒（Ｌ１）とは異なる溶媒を用いることにより、厚い多結晶アグロメレートを有する半導体材料につながる。

【表1-1】

【表1-2】

^#)(+)は、薄い結晶膜が形成されたこと、(-)は、結合していない厚い多結晶アグロメレートが形成されたことを表す。

【0342】

純粋な溶媒の溶媒パラメータは、Knovel Critical Tables (2nd Edition 2008)、電子ISBN: 978-1 -59124-550-6から取得した。

【0343】

実施例２３〜４０：
溶媒混合物のための上記試料製造法２、及び溶媒・ポリマー混合物のための試料製造法３に従って、半導体（Ａ１）の結晶性材料を、表２に記載の溶媒混合物、又は溶媒・ポリマー混合物を用いて製造した。全ての溶液は、特に記載されていなければ、ドロップキャストにより堆積した。半導体溶液の固体含分は０．１質量％であり、乾燥は７０℃で（純粋なトルエンを除く、純粋なトルエンは３０℃で乾燥させた）、ホットプレート上で行った。こうして得られた結晶性半導体材料を、偏光光学顕微鏡によって試験した。その結果が、表２に示されている。本発明の意味合いにおける溶媒（Ｌ１）を含有する溶媒によってそれぞれの場合に、結合した薄い結晶の面積が大きい半導体材料が得られた。溶媒としてトルエンを使用する場合、粘稠剤としてポリスチレン（ＰＳ）を用いることによる溶液の粘度上昇は、得られる半導体材料の品質改善につながらない。トルエン・ポリマー混合物を用いることにより、結合していない厚い結晶を有する半導体材料につながる。言い換えると、本発明による溶媒が溶液中に含有される場合のように好ましい半導体結晶を得るためには、粘稠剤を添加することによっては、トルエンのような低粘度溶媒の粘度を人工的に増加させるためには充分ではないということである。

【表2-1】

【表2-2】

【0344】

実施例４１〜４７：
上記試料製造法１に従って、表３に記載の半導体の結晶性材料を、表３に記載の溶媒混合物、又は溶媒・ポリマー混合物を用いて製造した。全ての溶液は、特に記載されていなければ、ドロップキャストにより堆積した。半導体溶液の固体含分は０．１質量％であり、乾燥は７０℃で（トルエンを除く、トルエンでは乾燥のために３０℃の温度を使用した）、ホットプレート上で行った。こうして得られた結晶性半導体材料を、偏光光学顕微鏡によって試験した。その結果が、表３に示されている。

【表3】

【0345】

実施例４８：半導体Ａ９）のドロップキャスト
Ａ９）を表１に記載の溶媒に入れた０．１質量％の溶液を、ＳｉＯ₂基材に適用し、溶媒を蒸発させる。Ａ９）をフタレートに入れた溶液を製造するため、８０℃で６０分間、半導体をフタレート中で撹拌する。図４ａは、ＤＭＰから化合物Ａ９）をドロップキャストすることにより得られる結晶性有機膜の偏光光学顕微鏡写真を示し、図４ｂは、ＥｔｈＡｃから化合物Ａ９）をドロップキャストすることにより得られる膜の顕微鏡写真を示す。見て分かるように、本発明の組成物から得られる結晶は、明らかにより大きな結晶面積を示す。

【表4】

⁺⁾比較用、^#)小さな多結晶〜非晶質の結合していないアグロメレート。

【0346】

実施例４９：半導体Ａ１０）のドロップキャスト
Ａ１０）を表１に記載の溶媒に入れた０．１質量％の溶液を、ＳｉＯ₂基材に適用し、溶媒を蒸発させる。Ａ１０）をフタレートに入れた溶液を製造するため、８０℃で６０分間、半導体をフタレート中で撹拌する。偏光光学顕微鏡写真において、本発明の組成物から得られる結晶は、明らかにより大きな結晶面積を示す。

【表5】

⁺⁾比較用、^#)小さな多結晶〜非晶質の結合していないアグロメレート。

【0347】

実施例５０：半導体Ａ３）のドロップキャスト
Ａ３）を表１に記載の溶媒に入れた０．１質量％の溶液を、ＳｉＯ₂基材に適用し、溶媒を蒸発させる。Ａ３）をフタレートに入れた溶液を製造するため、８０℃で６０分間、半導体をフタレート中で撹拌する。偏光光学顕微鏡写真において、本発明の組成物から得られる結晶は、明らかにより大きな結晶面積を示す。

【表6】

⁺⁾比較用、^#)小さな多結晶〜非晶質の結合していないアグロメレート。

【0348】

実施例５１：半導体Ａ１）のドロップキャスト
Ａ１）を表１に記載の溶媒に入れた０．１質量％の溶液を、ＳｉＯ₂基材に適用し、溶媒を蒸発させる。Ａ１）をフタレートに入れた溶液を製造するため、８０℃で６０分間、半導体をフタレート中で撹拌する。偏光光学顕微鏡写真において、本発明の組成物から得られる結晶は、明らかにより大きな結晶面積を示す。

【表7】

⁺⁾比較用、^#)小さな多結晶〜非晶質の結合していないアグロメレート。

【0349】

ＯＦＥＴデバイスの製造、及び電気的な特性決定
実施例５２：ＤＭＰ溶液からＡ１）を、ＳｉＯ₂ウェハ上にドロップキャスト
半導体材料Ａ１）の０．１質量％溶液を、ジメチルフタレート中に１時間、８０℃で溶解させることによって製造し、それからさらに３０分間、撹拌した。この溶液を周囲温度まで冷却し、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによって濾過した。WRS Materials社製の、ホウ素で高度にｐドープしたＳｉ／ＳｉＯ₂ウェハ（厚さ５５０〜６００μｍ、熱で酸化したシリコンの絶縁性誘電層１００ｎｍ）を、バックゲート基板として用いた。１〜１０μＬの溶液を、フローボックス内で６０〜９０℃のホットプレート上にあるウェハに堆積させた。溶媒を完全に蒸発させた後、試料を１時間、７０℃の真空炉内に入れ、膜内に捕捉された残りの溶媒を排除した。金の接触部（Umicore社、９９．９９％）を、基底圧６×１０^-6ｍｂａｒで、カプトン（kapton）シャドーマスクを介して、熱蒸着で堆積させ、幅が（Ｗ）２００μｍ、長さが（Ｌ）１００μｍのチャネルを得た。電気的な特性決定は、周囲条件下の暗室内で、Agilent 4145C Semiconductor Parameter Analyzerを用いて行った。

【0350】

その測定結果は、図５ａ及び５ｂにそれぞれ記載されている。

【0351】

実施例５３：ＤＭＰ：Ａｃａｃ（１：９）溶液からＡ１）を、ＳｉＯ₂ウェハ上にドロップキャスト
半導体材料Ａ１）の０．１質量％溶液を、ジメチルフタレートとアセチルアセトンとの混合物（１：９）中に１時間、８０℃で溶解させることによって製造し、それからさらに３０分間、撹拌した。この溶液を周囲温度まで冷却し、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによって濾過した。WRS Materials社製の、ホウ素で高度にｐドープしたＳｉ／ＳｉＯ₂ウェハ（厚さ５５０〜６００μｍ、熱で酸化したシリコンの絶縁性誘電層１００ｎｍ）を、バックゲート基板として用いた。１〜１０μＬの溶液を、フローボックス内で６０〜９０℃のホットプレート上にあるウェハに堆積させた。溶媒を完全に蒸発させた後、試料を１時間、７０℃の真空炉内に入れ、膜内に捕捉された残りの溶媒を排除した。金の接触部（Umicore社、９９．９９％）を、基底圧６×１０^-6ｍｂａｒで、カプトン（kapton）シャドーマスクを介して、熱蒸着で堆積させ、幅（Ｗ）が２００μｍ、長さ（Ｌ）が１００μｍのチャネルを得た。電気的な特性決定は、周囲条件下の暗室内で、Agilent 4145C Semiconductor Parameter Analyzerを用いて行った。

【0352】

その測定結果は、図６ａ及び６ｂにそれぞれ記載されている。

【0353】

実施例５４：ＤＭＰ溶液からＡ１）を、Ａｌ₂Ｏ₃層上にドロップキャスト
半導体材料Ａ１）の０．１質量％溶液を、ジメチルフタレート中に１時間、８０℃で溶解させることによって製造し、それからさらに３０分間、撹拌した。この溶液を周囲温度まで冷却し、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによって濾過した。WRS Materials社製の、ホウ素で高度にｐドープしたＳｉ／ＳｉＯ₂ウェハ（厚さ５５０〜６００μｍ、Ａｌ₂Ｏ₃の絶縁性誘電層３０ｎｍ）を、バックゲート基板として用いた。１〜１０μＬの溶液を、フローボックス内で６０〜９０℃のホットプレート上にあるウェハに堆積させた。溶媒を完全に蒸発させた後、試料を１時間、７０℃の真空炉内に入れ、膜内に捕捉された残りの溶媒を排除した。金の接触部（Umicore社、９９．９９％）を、基底圧６×１０^-6ｍｂａｒで、カプトン（kapton）シャドーマスクを介して、熱蒸着で堆積させ、幅（Ｗ）が２００μｍ、長さ（Ｌ）が１００μｍのチャネルを得た。電気的な特性決定は、周囲条件下の暗室内で、Agilent 4145C Semiconductor Parameter Analyzerを用いて行った。

【0354】

その測定結果は、図７ａ及び７ｂにそれぞれ記載されている。

【0355】

実施例５５：ＤＭＰ溶液からＡ１）を、表面改質後のＡｌ₂Ｏ₃上にドロップキャスト
半導体材料Ａ１）の０．１質量％溶液を、ジメチルフタレート中に１時間、８０℃で溶解させることによって製造し、それからさらに３０分間、撹拌した。この溶液を周囲温度まで冷却し、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによって濾過した。WRS Materials社製の、ホウ素で高度にｐドープしたＳｉ／ＳｉＯ₂ウェハ（厚さ５５０〜６００μｍ、Ａｌ₂Ｏ₃の絶縁性誘電層３０ｎｍ）を、バックゲート基板として用いた。材料を堆積させる前に、表面処理を行った。この基板をＯ₂プラズマに３００秒間さらした。４−エトキシフェニルホスホン酸（CAS 69387-02-6）をイソプロパノール中に、２ｍＭｏｌの濃度で（通常４ｍｇ／１０ｍｌ）溶解させ、室温で２０分間、撹拌した。この基板を溶液中で１時間、カバーをかけたペトリ皿内で含浸した。続いてイソプロパノールですすいだ後、Ｎ₂下で乾燥させ、基材をホットプレート上にて１５０℃で焼いた。１〜１０μＬの溶液を、フローボックス内で６０〜９０℃のホットプレート上にあるウェハに堆積させた。溶媒を完全に蒸発させた後、試料を１時間、７０℃の真空炉内に入れ、膜内に捕捉された残りの溶媒を排除した。金の接触部（Umicore社、９９．９９％）を、基底圧６×１０^-6ｍｂａｒで、カプトン（kapton）シャドーマスクを介して、熱蒸着で堆積させ、幅（Ｗ）が２００μｍ、長さ（Ｌ）が１００μｍのチャネルを得た。電気的な特性決定は、周囲条件下の暗室内で、Agilent 4145C Semiconductor Parameter Analyzerを用いて行った。

【0356】

その測定結果は、図８ａ及び８ｂにそれぞれ記載されている。

【0357】

実施例５６：ＤＭＰ溶液からＡ１）を、ＰＥＴ基材上にドロップキャスト
ＰＶＣＨ／ＰＭＭＡトップゲートを用いた、ボトムコンタクト・トップゲート型電界効果トランジスタの製造
半導体材料Ａ１）の０．１質量％溶液を、ジメチルフタレート中に１時間、８０℃で溶解させることによって製造し、それからさらに３０分間、撹拌した。この溶液を周囲温度まで冷却し、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによって濾過した。ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シート（Hostaphan 4600GN 175、三菱ポリエステルフィルム社製）を基板として使用した。金の接触部（Umicore社、９９．９９％）を、基底圧６×１０^-6ｍｂａｒで、カプトン（kapton）シャドーマスクを介して、熱蒸着で堆積させ、幅（Ｗ）が５００μｍ、長さ（Ｌ）が５０μｍのチャネルを得た。１〜１０μＬの溶液を、フローボックス内で６０〜９０℃のホットプレート上にある基板に堆積させた。この溶媒を完全に蒸発させた後、試料を７０℃で１時間にわたり真空炉内に入れ、残りの溶媒を排除した。ポリビニルシクロヘキサン（ＰＶＣＨ）（シクロヘキサン中で０．４％）をスピンコートし（４０００ｒｐｍ、３０秒）、９０℃で５分間、乾燥させた。ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）（酢酸ブチル／乳酸エチル（４：６）中で４〜７質量％のもの）をスピンコートし（２０００ｒｐｍ／６０秒）、９０℃で１２０秒間、乾燥させた。ＰＶＣＨ／ＰＭＭＡ誘電体の厚さは、４２０ｎｍであった（εｒ＝４）。電気的な特性決定は、周囲条件下の暗室内で、Agilent 4145C Semiconductor Parameter Analyzerを用いて行った。

【0358】

その測定結果は、図９ａ及び９ｂにそれぞれ記載されている。

【0359】

実施例５７：ＤＭＰ溶液からＡ１）を、ＳｉＯ₂ウェハ上にインクジェット印刷
半導体材料Ａ１）の０．１質量％溶液を、ジメチルフタレート中に１時間、８０℃で溶解させることによって製造し、それからさらに３０分間、撹拌した。この溶液を周囲温度まで冷却し、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによって濾過した。WRS Materials社製の、ホウ素で高度にｐドープしたＳｉ／ＳｉＯ₂ウェハ（厚さ５５０〜６００μｍ、熱で酸化したシリコンの絶縁性誘電層１００ｎｍ）を、バックゲート基板として用いた。インクはプリンターのDimatix DMP2831により液滴間隔２０μｍで、３５℃のノズル及び室温の印刷板により印刷した。印刷された基板は５時間、６０℃で周囲空気で乾燥し、それから第二の乾燥工程により１時間、１１０℃で真空炉内で乾燥させた（圧力は約５ｍｂａｒ）。溶媒を完全に蒸発させた後、試料を１時間、７０℃の真空炉内に入れ、膜内に捕捉された残りの溶媒を排除した。金の接触部（Umicore社、９９．９９％）を、基底圧６×１０^-6ｍｂａｒで、カプトン（kapton）シャドーマスクを介して、熱蒸着で堆積させ、幅（Ｗ）が２００μｍ、長さ（Ｌ）が１００μｍのチャネルを得た。電気的な特性決定は、周囲条件下の暗室内で、Agilent 4145C Semiconductor Parameter Analyzerを用いて行った。

【0360】

その測定結果は、図１０ａ及び１０ｂにそれぞれ記載されている。

【0361】

実施例５８：ＤＭＰ溶液からＡ１）を、表面改質後のＡｌ₂Ｏ₃上にインクジェット印刷
半導体材料Ａ１）の０．１質量％溶液を、ジメチルフタレート中に１時間、８０℃で溶解させることによって製造し、それからさらに３０分間、撹拌した。この溶液を周囲温度まで冷却し、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによって濾過した。WRS Materials社製の、ホウ素で高度にｐドープしたＳｉ／ＳｉＯ₂ウェハ（厚さ５５０〜６００μｍ、Ａｌ₂Ｏ₃の絶縁性誘電層３０ｎｍ）を、バックゲート基板として用いた。材料を堆積させる前に、表面処理を行った。この基板をＯ₂プラズマに３００秒間さらした。４−エトキシフェニルホスホン酸（CAS 69387-02-6）をイソプロパノール中に、２ｍＭｏｌの濃度で（通常４ｍｇ／１０ｍｌ）溶解させ、室温で２０分間、撹拌した。この基板を溶液中で１時間、カバーをかけたペトリ皿内で含浸した。続いてイソプロパノールですすいだ後、Ｎ₂下で乾燥させ、基材をホットプレート上にて１５０℃で焼いた。インクはプリンターのDimatix DMP2831により液滴間隔２０μｍで、３５℃のノズル及び室温の印刷板により印刷した。印刷された基板は５時間、６０℃で周囲空気で乾燥し、それから第二の乾燥工程により１時間、１１０℃で真空炉内で乾燥させた（圧力は約５ｍｂａｒ）。溶媒を完全に蒸発させた後、試料を１時間、７０℃の真空炉内に入れ、膜内に捕捉された残りの溶媒を排除した。金の接触部（Umicore社、９９．９９％）を、基底圧６Ｅ^-6ｍｂａｒで、カプトン（kapton）シャドーマスクを介して、熱蒸着で堆積させ、Ｗ／Ｌが２００μｍ／１００μｍの典型的なチャネルを得た。電気的な特性決定は、周囲条件下の暗室内で、Agilent 4145C Semiconductor Parameter Analyzerを用いて行った。

【0362】

その測定結果は、図１１ａ及び１１ｂにそれぞれ記載されている。

【0363】

実施例５９：ＤＭＰ溶液からＡ１）を、ポリ（メチルメタクリレート）／トリメチロールプロパントリアクリレートボトムゲート誘電体を用いたＳｉＯ₂ウェハ上にドロップキャスト
半導体材料Ａ１）の０．１質量％溶液を、ジメチルフタレート中に１時間、８０℃で溶解させることによって製造し、それからさらに３０分間、撹拌した。この溶液を周囲温度まで冷却し、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによって濾過した。紫外線で架橋したポリマー誘電体を有する、WRS Materials社製の、ホウ素で高度にｐドープしたＳｉ／ＳｉＯ₂ウェハ（厚さ５５０〜６００μｍ、熱で酸化したシリコンの絶縁性誘電層１００ｎｍ）を、バックゲート基板として用いた。誘電特性は、以下の表にまとめてある。

【表8】

【0364】

１〜１０μＬの溶液を、フローボックス内で６０〜９０℃のホットプレート上にあるウェハに堆積させた。溶媒を完全に蒸発させた後、試料を１時間、７０℃の真空炉内に入れ、膜内に捕捉された残りの溶媒を排除した。金の接触部（Umicore社、９９．９９％）を、基底圧６×１０^-6ｍｂａｒで、カプトン（kapton）シャドーマスクを介して、熱蒸着で堆積させ、Ｗ／Ｌが２００μｍ／１００μｍの典型的なチャネルを得た。電気的な特性決定は、暗室内で周囲条件下、行った。電気的な特性決定は、周囲条件下の暗室内で、Agilent 4145C Semiconductor Parameter Analyzerを用いて行った。

【0365】

その測定結果は、図１２ａ及び１２ｂにそれぞれ記載されている。

【0366】

実施例６０：ＤＭＰ溶液からＡ３）を、Ａｌ₂Ｏ₃上にインクジェット印刷
半導体材料Ａ３）の０．１質量％溶液を、ジメチルフタレート中に１時間、８０℃で溶解させることによって製造し、それからさらに３０分間、撹拌した。この溶液を周囲温度まで冷却し、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによって濾過した。WRS Materials社製の、ホウ素で高度にｐドープしたＳｉ／ＳｉＯ₂ウェハ（厚さ５５０〜６００μｍ、Ａｌ₂Ｏ₃の絶縁性誘電層３０ｎｍ）を、バックゲート基板として用いた。インクはプリンターのDimatix DMP2831により液滴間隔２０μｍで、３５℃のノズル及び室温の印刷板により印刷した。印刷された基板は５時間、６０℃で周囲空気で乾燥し、それから第二の乾燥工程により１時間、１１０℃で真空炉内で乾燥させた（圧力は約５ｍｂａｒ）。溶媒を完全に蒸発させた後、試料を１時間、７０℃の真空炉内に入れ、膜内に捕捉された残りの溶媒を排除した。金の接触部（Umicore社、９９．９９％）を、基底圧６×１０^-6ｍｂａｒで、カプトン（kapton）シャドーマスクを介して、熱蒸着で堆積させ、幅（Ｗ）が２００μｍ、長さ（Ｌ）が１００μｍのチャネルを得た。電気的な特性決定は、暗室内で周囲条件下、Agilent 4145C Semiconductor Parameter Analyzerを用いて行った。

【0367】

その測定結果は、図１３ａ及び１３ｂにそれぞれ記載されている。

【0368】

実施例６１、及び例６２：（液晶形態への液滴乾燥時間の影響）
実施例６１：
試料製造１ａで挙げた手順に従って、半導体（Ａ１）と、ＤＭＰ／Ａｃａｃ混合物（１：３）との混合物を製造し、顕微鏡のカバースライドガラス上にドロップキャストすることにより適用し、基板温度７０℃で乾燥した。乾燥の間に、透過型偏光顕微鏡設定で、結晶化がその場で（in-situ）観察された。この液体をカバースライドガラス上に置いたら直ちに、結晶化が薄い結晶（この結晶はＤＭＰ／Ａｃａｃ混合物上に浮いた）の形で始まった。

【0369】

比較例６２：
０．１質量％の半導体（Ａ１）をトルエン中に溶解し、１０μｍの液滴を二酸化ケイ素上にドロップキャストすることによって適用し、被覆されたシリコンウェハを室温に保った。続いて、ペトリ皿をシリコンウェハの上方に置くことによって、液滴も閉じ込めた。このため乾燥時間は、著しく延長された（３０分超）。この液体を乾燥させた後、図３に示したものに比べて大きな、結合していない結晶が観察された。

【0370】

実施例６１、及び比較例６２は、溶液の乾燥時間が、結晶の性質に対して影響をもたらさないことを示している。本発明による溶媒（Ｌ１）によって、乾燥時間が、本発明による溶媒（Ｌ１）ではない溶媒に比べて著しく短くても、良好な半導体材料が得られる。

【0371】

実施例６３：ＤＭＰ：トルエン（１：３）混合物からＡ１）を、表面改質後のＡｌ₂Ｏ₃上にドロップキャスト
半導体材料Ａ１）の０．１質量％溶液を、ジメチルフタレート中に１時間、８０℃で溶解させることによって製造し、それからさらに３０分間、撹拌した。半導体材料Ａ１）の第二の０．１質量％溶液を、トルエン中に１時間、８０℃で溶解させることによって製造し、それからさらに３０分間、撹拌した。これら２つの溶液を、１（ＤＭＰ）対３（トルエン）の比率で混合した。この溶液を周囲温度まで冷却し、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによって濾過した。Ａｌ₂Ｏ₃（厚さ３０ｎｍ、原子層堆積により成長）で被覆された、WRS Materials社製のシリコンウェハ（ホウ素で高度にｐドープされたもの、厚さ５５０〜６００μｍ）を２分間、酸素プラズマ処理にかけ（１００Ｗ、ガス流量は２０ｓｃｃｍ）、引き続き、テトラデシルホスホン酸（ＴＤＰＡ）をイソプロパノールに入れた１．５ｍＭの溶液中で、室温で１時間、含浸させた。引き続き、この試料を溶液から取り出し、イソプロパノールですすぎ、ホットプレート上で５分間、１２０℃で焼いた。この手順により、疎水性の自己組織化単分子層（ＳＡＭ）が、２２ｍＮ／ｍの表面エネルギーを有するＡｌ₂Ｏ₃表面上に得られる（表面エネルギーは、水接触角測定により特定）。続いて、直径７．３ｍｍの穴を有する厚さ０．５〜１ｍｍのＰＤＭＳ層を、疎水性基板上に置き、これを引き続き２分間、エアプラズマ（１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ）で処理した。このプラズマによって、ＰＤＭＳ層の穴の位置における疎水性単分子層が燃焼により除去され、剥き出しの、比較的親水性のＡｌ₂Ｏ₃表面が露出する。１〜１０μＬの溶液を、フローボックス内で７０℃のホットプレート上にあるウェハに堆積させた。溶媒を完全に蒸発させた後、試料を１時間、９０℃の真空炉内に入れ、膜内に捕捉された残りの溶媒を排除した。金の接触部（Umicore社、９９．９９％）を、基底圧６×１０^-6ｍｂａｒで、カプトン（kapton）シャドーマスクを介して、熱蒸着で堆積させ、幅（Ｗ）が２００μｍ、長さ（Ｌ）が５０μｍのチャネルを得た。変性ドープシリコンウェハはバックゲート基板として使用し、電気的な特性決定は、周囲条件下の暗室内でAgilent 4145C Semiconductor Parameter Analyzerを用いて行った。

【0372】

その測定結果は、図１４ａ及び１４ｂにそれぞれ記載されている。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

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【図13】

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