(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置、接続形態、ステップおよびステップの順序などは一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【0011】
また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化する。
【0012】
(実施の形態1)
以下、実施の形態1について、
図1〜
図4Dを参照しながら説明する。本実施の形態では、ディスプレイ表示装
置として、有機エレクトロルミネッセンス(Electro Luminessence:EL)素子を用いたディスプレイ表示装置1を例として説明する。
【0013】
[1−1.ディスプレイ表示装置の全体構成]
はじめに、ディスプレイ表示装置1の全体構成について説明する。
【0014】
図1は、実施の形態1に係るディスプレイ表示装置1を示す概略図である。
図2は、ディスプレイ表示装置1の画素回路30を示す回路図である。
【0015】
図1に示すように、ディスプレイ表示装置1は、表示パネル10と、制御装置20とを備えている。
【0016】
制御装置20は、表示パネル10の外部に配置される外部システム回路基板(図示せず)上に形成されている。制御装置20は、例えばTCON(Timing Controller)としての機能を有し、ディスプレイ表示装置1の全体の動作を制御する。具体的には、制御装置20は、外部から供給される垂直同期信号、水平同期信号、映像期間信号にしたがって、ゲート駆動回路14に対して走査を指示する。また、制御装置20は、ソース駆動回路16に対して、映像信号R、G、Bのデジタルシリアルデータを供給する。
【0017】
表示パネル10は、パネル部12と、ゲート駆動回路14と、ソース駆動回路16とを備えている。
【0018】
パネル部12は、例えば有機EL表示パネルであり、矩形状の形状を有している。パネル部12は、パネル基板13と、パネル基板13上に行列状に配列された複数の画素回路30と、パネル基板13上に設けられた複数の走査線40および複数の信号線42とを有している。より詳細には、パネル部12は、行並び方向に沿って配置された複数の走査線40と、列並び方向に沿って配置された複数の信号線42と、両者が交差する部分に配置された発光素子32を有する各画素回路30とを有している。
【0019】
パネル基板13は、例えば、ガラス材料またはアクリル等の樹脂材料により形成されている。
【0020】
複数の画素回路30は、例えば、半導体プロセスによってパネル基板13に形成されている。各画素回路30は、有機EL素子を発光素子として有し、RGB三原色のいずれかの色の発光画素を構成する。
図2に示すように、画素回路30は、発光素子32と、駆動トランジスタ33と、選択トランジスタ35と、スイッチトランジスタ36および37と、画素容量38とを有している。なお、画素回路30の構成については後述する。
【0021】
各走査線40の一端は、ゲート駆動回路14の各段の出力端に接続され、他端は各画素回路30に接続されている。各信号線42の一端は、ソース駆動回路16の各段の出力端に接続され、他端は各画素回路30に接続されている。
【0022】
ゲート駆動回路14は、画素回路30の行単位にゲート駆動信号を走査する駆動回路である。ゲート駆動信号とは、画素回路30内の駆動トランジスタ33、選択トランジスタ35、スイッチトランジスタ36および37のゲートに入力されて各トランジスタのオンおよびオフを制御する信号である。
【0023】
ゲート駆動回路14は、例えばシフトレジスタ等によって構成されている。ゲート駆動回路14は、制御装置20から映像期間信号が与えられることにより、同じく制御装置20から与えられる垂直同期信号に同期してゲート駆動信号を出力し、走査線40を駆動する。これにより、フレームごとに画素回路30が順次選択され、映像信号に応じた輝度で各画素回路30の発光素子32が発光する。なお、ゲート駆動回路14は、
図1に示すようにパネル部12の短辺の一辺に配置されてもよいし、それに限られず、パネル部12の対向する短辺の二辺に配置されてもよい。
【0024】
ソース駆動回路16は、制御装置20からフレーム単位で供給される映像信号を各画素回路30に供給する駆動回路である。
【0025】
ソース駆動回路16は、信号線42を通して、画素回路30の各々に対して映像信号に基づく輝度情報を電流値または電圧値の形で書き込む、電流書き込み型または電圧書き込み型の駆動回路である。本実施の形態に係るソース駆動回路16は、例えば電圧書き込み型の駆動回路を使用している。ソース駆動回路16は、制御装置20から入力される映像信号に基づいて、それぞれの画素回路30に設けられた発光素子32の明るさを表す電圧を信号線42に供給する。
【0026】
制御装置20からソース駆動回路16に入力される映像信号は、例えば、RGB三原色の色ごとのデジタルシリアルデータ(映像信号R、G、B)である。ソース駆動回路16に入力された映像信号R、G、Bは、ソース駆動回路16の内部で行単位のパラレルデータに変換される。さらに、行単位のパラレルデータは、ソース駆動回路16の内部で行単位のアナログデータに変換され、信号線42に出力される。信号線42に出力された電圧は、ゲート駆動回路14の走査において選択された行に属する画素回路30の画素容量38に書き込まれる。つまり、信号線42に出力された電圧に対応する電荷が、画素容量38に蓄積される。なお、ソース駆動回路16は、
図1に示すようにパネル部12の長辺の一辺に配置されてもよいし、それに限られず、パネル部12の対向する長辺の二辺に配置されてもよい。
【0027】
[1−2.画素回路の構成]
次に、画素回路30の構成について説明する。画素回路30は、
図2に示すように、発光素子32と、駆動トランジスタ33と、選択トランジスタ35と、スイッチトランジスタ36および37と、画素容量38とを有している。
【0028】
発光素子32は、例えばアノードおよびカソードを備えたダイオード形の有機EL素子である。なお、発光素子32は有機EL素子に限らず、他の発光素子であってもよい。例えば、発光素子32は、一般的に電流駆動で発光する全ての素子を含む。
【0029】
スイッチトランジスタ37は、走査線40から供給される制御信号INIに応じてオン状態となり、駆動トランジスタ33のソースを基準電圧Viniに設定する。スイッチトランジスタ36は、走査線40から供給される制御信号REFに応じてオン状態となり、駆動トランジスタ33のゲートを基準電圧Vrefに設定する。選択トランジスタ35は、走査線40から供給される制御信号WSに応じてオン状態となり、信号線42から供給される映像信号の信号電位に応じた電荷を画素容量38に蓄積する。画素容量38は、蓄積された電荷による信号電位に応じて、駆動トランジスタ33のゲートに電圧を印加する。
【0030】
駆動トランジスタ33は、オン状態となることで、ゲート−ソース間電圧に応じたドレイン−ソース間電流を発光素子32に供給する。発光素子32は、このドレイン−ソース間電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光する。
【0031】
駆動トランジスタ33、選択トランジスタ35、スイッチトランジスタ36およびスイッチトランジスタ37は、例えばNチャネル型のポリシリコンTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)で構成されている。なお、各トランジスタの導電型は上記したものに限られず、Nチャネル型とPチャネル型のTFTを適宜混在させてもよい。また、各トランジスタは、ポリシリコンTFTに限らず、アモルファスシリコンTFT等で構成されていてもよい。
【0032】
[1−3.パネル部の構成]
次に、パネル部の構成について、
図3を参照しながら説明する。
【0033】
図3は、ディスプレイ表示装置1を示す平面図および側面図である。なお本実施の形態では、ディスプレイ表示装置1が実際に使用される場合に、ディスプレイ表示装置1を正面から見た図を平面図としている。
【0034】
図3に示すように、ディスプレイ表示装置1は、パネル部12と、ドライバ回路基板75とを備える。
【0035】
パネル部12は、矩形状のパネル基板13と、パネル基板13の主面13aに行列状に形成された複数の画素回路30と、複数の画素回路30に接続される走査線40および信号線42とを備える。パネル部12の内部であって、パネル部12の短辺側には、例えば、ゲート駆動回路14が埋め込まれている(図示省略)。パネル部12の長辺側であってパネル部12の端部には、パネル端子部60が設けられている。パネル端子部60は、パネル部12を外部の回路基板等に電気的に接続するための部分である。
【0036】
ドライバ回路基板75は、パネル部12の長辺側に配置されている。ドライバ回路基板75には、例えば、ソース駆動回路16の一部が実装されている。ドライバ回路基板75は、複数のフレキシブルプリント基板71を介して、パネル端子部60に接続されている。なお、制御装置20は、ドライバ回路基板75に実装されていてもよいし、配線ケーブルを介してドライバ回路基板75に接続されていてもよい(図示省略)。
【0037】
次に、パネル端子部60の構成について、
図4A〜
図4Dを参照しながら説明する。
【0038】
図4Aは、ディスプレイ表示装置1のパネル端子部60の一部の平面図であり、
図3に示すIVA部分の詳細図である。
図4Bは、パネル端子部60を
図4AのIVB−IVB線で切断した場合の断面図である。
図4Cは、
図4Aに示すパネル端子部60の樹脂被覆部a1および保護膜露出部a2を示す図である。
図4Dは、
図4Aに示すパネル端子部60から、保護膜66および樹脂部67を除いた構造を示す図である。
【0039】
以下、
図4A〜
図4Dに示すパネル端子部60の一部を例に挙げて説明する。なお、
図4A〜
図4Dでは、画素回路30に接続される電源線の記載を省略している。
図4Dは、パネル端子部60の構造を理解するための参考図である。
【0040】
図4Aおよび
図4Bに示すように、パネル端子部60は、基板62と、複数の配線電極63および64と、実装部品65と、保護膜66と、樹脂部67とを備えている。
【0041】
基板62は、前述したパネル基板13の一部で構成されており、パネル基板13の長辺側の端部に位置している。基板62の材料は、パネル基板13と同じである。
【0042】
複数の配線電極63、64は、狭ピッチで基板62上に設けられている(
図4D参照)。複数の配線電極63、64は、複数の画素回路30に選択的に接続される。具体的には、各配線電極63は、信号線42を介して複数の画素回路30に接続される。なお配線電極63には、後述するドライバIC(Integrated Circuit)72が実装されている。各配線電極64は、ゲート駆動回路14および走査線40を介して複数の画素回路30に接続される。配線電極63、64は、例えば銅またはアルミニウムを含む材料から形成される。
【0043】
図4Bに示すように、基板62の主面62a側には、フレキシブルプリント基板71およびドライバIC72が実装されている。前述したように、フレキシブルプリント基板71は、基板62とドライバ回路基板75とを接続している。ドライバIC72は、例えばソース駆動回路16の一部を構成するソースドライバである。ドライバIC72から出力された信号は、配線電極63および信号線42を介して各画素回路30に入力される。
【0044】
フレキシブルプリント基板71は、パネル端子部60に実装される実装部品65の一例であり、ドライバIC72は、パネル端子部60に実装される実装部品65の一例である。以下において、フレキシブルプリント基板71およびドライバIC72の両方または一方を指して実装部品65と呼ぶこととする。
【0045】
実装部品65は、天面65aと、側面65bと、底面65cとを有している。実装部品65は、底面65cに設けられた外部端子が複数の配線電極63、64に接続するように、基板62に実装されている。実装部品65は、例えば、導電性接着材を用いて、配線電極63、64に接合されている。
【0046】
保護膜66は、配線電極63、64を外気から保護するための膜である。保護膜66は、例えば、シリコン窒化膜であり、CVD(Chemical Vapor Deposition)で形成される。保護膜66は、実装部品65が基板62に実装される領域b1(以下、実装領域b1と呼ぶ)を除いて複数の配線電極63、64を覆うように基板62上に設けられる。具体的には、保護膜66は、CVDで形成される際にマスクを用いて、基板62の実装領域b1を除く領域に形成される。
【0047】
基板62上の一部に保護膜66が形成された後、実装領域b1に実装部品65が実装される。実装部品65を実装する際は実装精度のばらつきが発生するため、保護膜66および実装部品65は、ばらつきが発生しても干渉しないようにレイアウト設計される。そのため、保護膜66と実装後の実装部品65との間には、隙間c1が形成される。
【0048】
樹脂部67は、この隙間c1を塞ぐように、保護膜66と実装部品65との間に充填される。具体的には、樹脂部67は、実装部品65の天面65a、側面65bおよび上記隙間c1を覆うように形成され、また、実装部品65の周辺領域に位置する保護膜66を覆うように形成されている。すなわち、樹脂部67は、実装部品65を覆い、かつ、保護膜66のうちの一部を覆い当該一部以外を覆わないように設けられている。例えば、パネル端子部60を基板62の主面62aに垂直な方向から見た場合、樹脂部67の面積は、実装領域b1の面積の1.1倍以上3倍以下である。
【0049】
樹脂部67は、電気絶縁性を有する樹脂材料、例えば、エポキシまたはシリコン材料によって形成されている。樹脂部67は、例えば、3Dプリンタなどのインクジェット装置を用いて形成される。なお、樹脂部67は、ディスペンサ(液体定量吐出装置)やスクリーン印刷機を用いて形成されてもよい。
【0050】
図4Cに示すように、保護膜66上の樹脂部67の有無により、保護膜66は、樹脂部67で覆われている樹脂被覆部a1と、樹脂部67で覆われずに保護膜66が露出している保護膜露出部a2とを有する。保護膜露出部a2は、複数の配線電極63、64のうちの少なくとも一部の配線電極上に設けられている。本実施の形態の保護膜露出部a2は、全ての配線電極63、64上に設けられている。また、保護膜露出部a2は、各配線電極63、64が延びる方向において、実装領域b1の周辺領域を除く配線電極63、64上に設けられている。
【0051】
本実施の形態のディスプレイ表示装置1では、実装部品65および実装部品65の周辺領域のみを樹脂部67で覆うので、保護膜66と樹脂部67とが接触する領域を小さくすることができる。これにより、保護膜66にクラックまたは剥がれが発生し得る領域を小さくすることができる。そのため、保護膜66と配線電極63、64との間に水分等を含む外気が侵入すること抑制でき、配線電極63、64が腐食することを抑制することができる。
【0052】
[1−4.効果等]
ここで、本実施の形態のディスプレイ表示装置1の効果を説明するため、比較例のディスプレイ表示装置について説明する。
【0053】
図5Aは、比較例に係るディスプレイ表示装置のパネル端子部560の一部の平面図である。
図5Bは、比較例に係るディスプレイ表示装置のパネル端子部560を
図5AのVB−VB線で切断した場合の断面図である。
【0054】
図5Aおよび
図5Bに示すように、比較例のディスプレイ表示装置のパネル端子部560は、基板62と、複数の配線電極63、64と、実装部品65と、保護膜66と、樹脂部67とを備えている。樹脂部67は、実装部品65および保護膜66の全部、すなわちパネル端子部560の全面を覆うように設けられている。そのため、比較例のディスプレイ表示装置が高温高湿環境下に置かれた場合に、樹脂部67が膨張および収縮を繰り返し、保護膜66に外力が付与される。これにより、保護膜66にクラックが発生したり、保護膜66が配線電極63、64から剥がれたりする。そのため、保護膜66と配線電極63、64との間に水分等を含む外気が侵入し、配線電極63、64が腐食するという問題が起きやすい。
【0055】
それに対し、本実施の形態のディスプレイ表示装置1では、複数の画素回路30を有するパネル部12と、パネル部12の端部に設けられているパネル端子部60とを備える。パネル端子部60は、基板62と、基板62上に設けられ、複数の画素回路30に接続される複数の配線電極63、64と、複数の配線電極63、64に接続するように基板62に実装された実装部品65と、実装部品65が基板62に実装される実装領域b1を除いて複数の配線電極63、64を覆うように基板62上に設けられた保護膜66と、実装部品65を覆い、かつ、保護膜66のうちの一部を覆い当該一部以外を覆わないように設けられた樹脂部67とを備える。
【0056】
このように、保護膜66のうちの一部を覆い当該一部以外を覆わないように樹脂部67を設けることで、例えば保護膜の全部を樹脂部で覆う構造(比較例)に比べて、保護膜66と樹脂部67とが接触する領域を小さくすることができる。これにより、保護膜66にクラックまたは剥がれが発生し得る領域を小さくすることができる。そのため、保護膜66と配線電極63、64との間に水分等を含む外気が侵入すること抑制でき、配線電極63、64が腐食することを抑制することができる。
【0057】
また、保護膜66は、樹脂部67で覆われている樹脂被覆部a1と、樹脂部67で覆われていない保護膜露出部a2とを有していてもよい。
【0058】
このように、保護膜66が保護膜露出部a2を有することで、保護膜66が樹脂部67に接触しない領域を設けることができる。これにより、保護膜66にクラックまたは剥がれが発生しにくい領域を設けることができる。そのため、保護膜露出部a2を設けた領域にて、保護膜66と配線電極63、64との間に外気が侵入すること抑制でき、配線電極63、64が腐食することを抑制することができる。
【0059】
また、保護膜露出部a2は、複数の配線電極63、64のうちの少なくとも一部の配線電極上に設けられていてもよい。
【0060】
これによれば、配線電極63、64上に位置する保護膜66の少なくとも一部を樹脂部67で覆わない構造とすることができる。これにより、配線電極63、64上の保護膜66にクラックまたは剥がれが発生することを抑制できる。そのため、保護膜66と配線電極63、64との間に外気が侵入しにくくなり、配線電極63、64が腐食することを抑制することができる。
【0061】
また、樹脂部67の面積は、実装領域b1の面積の1.1倍以上3倍以下であってもよい。
【0062】
これによれば、実質的に実装部品65および実装部品65の周辺領域のみを樹脂部67で覆うこととなり、保護膜66と樹脂部67とが接触する領域を小さくすることができる。これにより、保護膜66にクラックまたは剥がれが発生し得る領域を小さくすることができる。そのため、保護膜66と配線電極63、64との間に外気が侵入すること抑制でき、配線電極63、64が腐食することを抑制することができる。
【0063】
また、保護膜66と実装部品65とは隙間c1を有し、樹脂部67は、隙間c1を塞ぐように設けられている。
【0064】
これによれば、隙間c1から外気が侵入することを抑制でき、配線電極63、64が腐食することを抑制することができる。
【0065】
また、実装部品65は、フレキシブルプリント基板71およびドライバIC72の少なくとも一方であってもよい。
【0066】
上記のように配線電極63、64の腐食を抑制できるパネル端子部60を用いることで、配線電極63、64とフレキシブルプリント基板71またはドライバIC72との電気的な接続を確実に行うことができる。これにより、ディスプレイ表示装置1の品質低下を抑制することができる。
【0067】
また、さらに、複数の画素回路30を駆動するための駆動電流を供給するドライバ回路基板75を備え、実装部品65は、フレキシブルプリント基板71であり、パネル端子部60とドライバ回路基板75とは、フレキシブルプリント基板71を介して接続されていてもよい。
【0068】
上記のように配線電極63、64の腐食を抑制できるパネル端子部60を用いることで、フレキシブルプリント基板71を介して配線電極63、64とドライバ回路基板75との電気的な接続を確実に行うことができる。これにより、ディスプレイ表示装置1の品質低下を抑制することができる。
【0069】
[1−5.変形例]
次に、実施の形態1の変形例に係るディスプレイ表示装置1Aについて、
図6〜
図7Cを参照しながら説明する。この変形例では、パネル端子部60Aが、ドライバIC72を有しておらずフレキシブルプリント基板71のみを有している例について説明する。
【0070】
図6は、変形例に係るディスプレイ表示装置1Aを示す平面図である。
図7Aは、ディスプレイ表示装置1Aのパネル端子部60Aの一部の平面図であり、
図6に示すVIIA部分の詳細図である。
図7Bは、パネル端子部60Aを
図7AのVIIB−VIIB線で切断した場合の断面図である。
【0071】
図6〜
図7Cに示すように、基板62には、ドライバIC72が実装されず、フレキシブルプリント基板71のみが実装されている。すなわち、パネル端子部60Aは、実装部品65としてフレキシブルプリント基板71のみを有している。ドライバIC72は、フレキシブルプリント基板71上に実装されている。このドライバIC72は、フレキシブルプリント基板71上の配線、パネル端子部60Aの配線電極63、および、信号線42を介して複数の画素回路30に接続される。
【0072】
この変形例のように、パネル端子部60A上にフレキシブルプリント基板71のみが実装されている場合であっても、樹脂部67が保護膜66のうちの一部を覆い当該一部以外を覆わないように設けられることで、比較例に比べて、保護膜66と樹脂部67とが接触する領域を小さくすることができる。これにより、保護膜66にクラックまたは剥がれが発生し得る領域を小さくすることができる。そのため、保護膜66と配線電極63、64との間に外気が侵入すること抑制でき、配線電極63、64が腐食することを抑制することができる。
【0073】
(実施の形態2)
次に、実施の形態2に係るディスプレイ表示装置について
図8Aおよび
図8Bを参照しながら説明する。実施の形態2では、保護膜66のうち特定の隣り合う配線電極上の保護膜に樹脂部67が形成されていない例について説明する。
【0074】
図8Aは、実施の形態2のディスプレイ表示装置のパネル端子部60Bの一部の平面図である。
図8Bは、パネル端子部60Bを
図8AのVIIIB−VIIIB線で切断した場合の断面図である。
図8Cは、
図8Aに示すパネル端子部60Bの樹脂被覆部a1および保護膜露出部a2を示す図である。
【0075】
図8Aおよび
図8Bに示すように、パネル端子部60
Bは、基板62と、複数の配線電極63および64a、64b、64c、64d、64e、64fと、実装部品65と、保護膜66と、樹脂部67とを備えている。
【0076】
基板62は、パネル基板13の一部で構成されており、パネル基板13の長辺側の端部に位置している。
【0077】
複数の配線電極63、64a〜64fは、狭ピッチで基板62上に設けられている。複数の配線電極63、64a〜64fは、複数の画素回路30に選択的に接続される。具体的には、各配線電極63は、信号線42を介して各画素回路30に接続される。各配線電極64は、ゲート駆動回路14および走査線40を介して各画素回路30に接続される。
【0078】
各配線電極63、64a〜64fには所定の電圧が印加されるが、配線電極63は、信号線42に繋がる配線であるため配線電極64a〜64fに比べて印加される電圧が低い。そこで、比較的高い電圧が印加される配線電極64a〜64fについて説明する。
【0079】
表1に、各配線電極64a〜64fの接続先、レベルおよび印加電圧を示す。配線電極の接続先であるINI、REF、WSは、
図2に示す各トランジスタのゲートに対応している。レベルのH(ハイ)およびL(ロー)は、INI、REF、WSに切り替え入力される電圧の高低を示している。
【0081】
各配線電極64a〜64fは、ゲート駆動回路14によって各画素回路30への導通または非導通が選択される。この選択によって、INI,REFおよびWSの各トランジスタのゲートにLまたはHの電圧が印加される。
【0082】
図8Bに示すように、基板62の主面62a側には、フレキシブルプリント基板71およびドライバIC72などの実装部品65が実装されている。
【0083】
実装部品65は、天面65aと、側面65bと、底面65cとを有している。実装部品65は、底面65cに設けられた外部端子が複数の配線電極63、64a〜64fに接続するように、基板62に実装されている。
【0084】
保護膜66は、例えば、シリコン窒化膜であり、CVDで形成される。保護膜66は、実装部品65が基板62に実装される実装領域b1を除いて複数の配線電極63、64a〜64fを覆うように基板62上に設けられる。
【0085】
基板62上の一部に保護膜66が形成された後、保護膜66が形成されていない実装領域b1に実装部品65が実装される。実装部品65を実装する際は実装精度のばらつきが発生するため、保護膜66および実装部品65は、ばらつきが発生しても干渉しないようにレイアウト設計される。そのため、保護膜66と実装後の実装部品65との間には、隙間c1が形成される。
【0086】
樹脂部67は、この隙間c1を塞ぐように、保護膜66と実装部品65との間に充填される。具体的には、樹脂部67は、実装部品65の天面65a、側面65bおよび上記隙間c1を覆うように形成され、また、保護膜66の一部を覆うように形成されている。すなわち、樹脂部67は、実装部品65を覆い、かつ、保護膜66のうちの一部を覆い当該一部以外を覆わないように設けられている。
【0087】
図8Cに示すように、保護膜66上の樹脂部67の有無により、保護膜66は、樹脂部67で覆われている樹脂被覆部a1と、樹脂部67で覆われず保護膜66が露出している保護膜露出部a2とを有する。保護膜露出部a2は、複数の配線電極63、64a〜64fのうちの少なくとも一部の配線電極上に設けられている。具体的には、保護膜露出部a2は、配線電極64c、64d上の領域に設けられている。
【0088】
保護膜露出部a2は、複数の配線電極64a〜64fのうち隣り合う配線電極に印加される電圧の差が最も大きい当該隣り合う配線電極上に設けられることが望ましい。本実施の形態では表1に示すように、配線電極64cおよび64dの電圧の差が14Vであり、電圧の差が最も大きくなっている。そこで、保護膜露出部a2は、配線電極64cおよび64d上に設けられている。なお、保護膜露出部a2は、隣り合う配線電極間の電位差が9V以上である場合に、当該隣り合う配線電極上に設けられることが望ましい。
【0089】
また、保護膜露出部a2は、複数の配線電極64a〜64fのうち隣り合う配線電極の極性が異なる当該隣り合う配線電極上に設けられることが望ましい。本実施の形態では表1に示すように、配線電極64cの印加電圧が負で、配線電極64dの印加電圧が正であるので、配線電極64cおよび64dで互いに異なる極性となっている。そこで、保護膜露出部a2は、配線電極64c、64d上に設けられている。
【0090】
なお、配線電極64a〜64fは、必ずしも表1に示す順で配置されていなくてもよい。例えば表1に示す配線電極64a〜64fが、左から64a、64d、64b、64e、64c、64fの順で配列されている場合は、配線電極64a、64dの電圧の差が最も大きくなるので、保護膜露出部a2は、配線電極64a、64d上に設けられていてもよい。また、配線電極64a、64d、64b、64e、64c、64fのそれぞれの間で、電位差が9V以上となるので、保護膜露出部a2は、配線電極64a、64d、64b、64e、64c、64f上に設けられていてもよい。また、配線電極64a、64d、64b、64e、64c、64fのそれぞれの間で、互いに極性が異なるので、保護膜露出部a2は、配線電極64a、64d、64b、64e、64c、64f上に設けられていてもよい。
【0091】
実施の形態2のディスプレイ表示装置においても、樹脂部67が、保護膜66のうちの一部を覆い当該一部以外を覆わないように設けられているので、比較例に比べて、保護膜66と樹脂部67とが接触する領域を小さくすることができる。これにより、保護膜66にクラックまたは剥がれが発生し得る領域を小さくすることができる。そのため、保護膜66と配線電極63、64a〜64fとの間に水分等を含む外気が侵入すること抑制でき、配線電極63、64a〜64fが腐食することを抑制することができる。
【0092】
また、保護膜露出部a2は、複数の配線電極64a〜64fのうち隣り合う配線電極に印加される電圧の差が最も大きい当該隣り合う配線電極(本実施の形態では配線電極64c、64d)上に設けられていてもよい。
【0093】
例えば、配線電極64c、64d間の電圧差が大きい場合、電気化学的に反応する物質が配線電極64c、64dに触れると、配線電極64c、64dの腐食を早めてしまうことがある。そのため、配線電極64c、64d上の保護膜66にクラックや剥がれが発生すると配線電極64c、64dがより腐食しやすくなる。それに対し、本実施の形態では、保護膜露出部a2を、電圧の差が最も大きい隣り合う配線電極64c、64d上に設けるので、配線電極64c、64d上に位置する保護膜66を樹脂部67で覆わない構造とすることができる。これにより、配線電極64c、64d上の保護膜66にクラックまたは剥がれが発生することを抑制できる。そのため、保護膜66と配線電極64c、64dとの間に外気が侵入しにくくなり、配線電極64c、64dが腐食することを抑制することができる。
【0094】
また、保護膜露出部a2は、複数の配線電極64a〜64fのうち隣り合う配線電極の極性が異なる当該隣り合う配線電極(本実施の形態では配線電極64c、64d)上に設けられていてもよい。
【0095】
例えば、配線電極64c、64d間の極性が異なる場合、電気化学的に反応する物質が配線電極64c、64dに触れると、配線電極64c、64dの腐食を早めてしまうことがある。そのため、配線電極64c、64d上の保護膜66にクラックや剥がれが発生すると配線電極64c、64dがより腐食しやすくなる。それに対し、本実施の形態では、保護膜露出部a2を、極性が異なる隣り合う配線電極64c、64d上に設けるので、配線電極64c、64d上に位置する保護膜66を樹脂部67で覆わない構造とすることができる。これにより、配線電極64c、64d上の保護膜66にクラックまたは剥がれが発生することを抑制できる。そのため、保護膜66と配線電極64c、64dとの間に外気が侵入しにくくなり、配線電極64c、64dが腐食することを抑制することができる。
【0096】
(実施の形態3)
次に、実施の形態3に係るディスプレイ表示装置について
図9Aおよび
図9Bを参照しながら説明する。実施の形態3では、樹脂部67の高さが、実装部品65が存在する領域と、実装部品65が存在しない領域とで異なる例について説明する。
【0097】
図9Aは、ディスプレイ表示装置のパネル端子部60Cの一部の平面図である。
図9Bは、パネル端子部60Cを
図9AのIXB−IXB線で切断した場合の断面図である。
図9Cは、
図9Aに示すパネル端子部60Cの第1樹脂部67aおよび第2樹脂部67bを示す図である。
【0098】
図9Aおよび
図9Bに示すように、パネル端子部60
Cは、基板62と、複数の配線電極63および64と、実装部品65と、保護膜66と、樹脂部67とを備えている。
【0099】
基板62は、パネル基板13の一部で構成されており、パネル基板13の長辺側の端部に位置している。
【0100】
複数の配線電極63、64は、狭ピッチで基板62上に設けられている。
複数の配線電極63、64は、複数の画素回路30に選択的に接続される。具体的には、各配線電極63は、信号線42を介して各画素回路30に接続される。各配線電極64は、ゲート駆動回路14および走査線40を介して各画素回路30に接続される。
【0101】
図9Bに示すように、基板62の主面62a側には、フレキシブルプリント基板71およびドライバIC72などの実装部品65が実装されている。
【0102】
実装部品65は、天面65aと、側面65bと、底面65cとを有している。実装部品65は、底面65cに設けられた外部端子が複数の配線電極63、64に接続するように、基板62に実装されている。
【0103】
保護膜66は、配線電極63、64を外気から保護するための膜である。保護膜66は、例えば、シリコン窒化膜であり、CVDで形成される。保護膜66は、実装部品65が基板62に実装される実装領域b1を除いて複数の配線電極63、64を覆うように基板62上に設けられる。
【0104】
基板62上の一部に保護膜66が形成された後、実装領域b1に実装部品65が実装される。実装部品65を実装する際は実装精度のばらつきが発生するため、保護膜66および実装部品65は、ばらつきが発生しても干渉しないようにレイアウト設計される。そのため、保護膜66と実装後の実装部品65との間には、隙間c1が形成される。
【0105】
樹脂部67は、この隙間c1を塞ぐように、保護膜66と実装部品65との間に充填される。具体的には、樹脂部67は、実装部品65の天面65a、側面65bおよび上記隙間c1を覆うように形成され、また、保護膜66の全部を覆うように形成されている。なお、樹脂部67は、保護膜66の一部を覆うように形成されていてもよい。
【0106】
また樹脂部67は、
図9Cに示すように、保護膜66のうち、実装部品65の周辺領域b2に位置する保護膜上に設けられた第1樹脂部67aと、実装領域b1および周辺領域b2の両方と異なる領域b3に位置する保護膜上に設けられた第2樹脂部67bとを有している。
【0107】
第2樹脂部67bの高さh2は、保護膜66を基準とした場合に、第1樹脂部67aの高さh1よりも低い。また、第2樹脂部67bの高さh2は、保護膜66を基準とした場合に、実装部品65の天面65aの高さh3よりも低い。このように、パネル端子部60Cでは、高さh1の第1樹脂部67aと、高さh1および高さh3よりも低い高さh2の第2樹脂部67bとが存在する。
【0108】
ここで、樹脂部67の高さおよびクラック発生時間の関係について、
図10を参照しながら説明する。
図10は、実施の形態3に係るパネル端子部60Cにおける樹脂部67の高さとクラック発生時間との関係を示す概念図である。クラック発生時間とは、ディスプレイ表示装置に対して高温高湿試験を行った際、保護膜66にクラックが発生するまでの時間である。ディスプレイ表示装置は、クラック発生時間が長いほど耐久性を有する。
【0109】
図10には、第2樹脂部67bの高さh2が低いほど、すなわち、第2樹脂部67bの厚みが薄いほどクラック発生時間が長くなることが示されている。これは、第2樹脂部67bの高さh2が低いほど、高温高湿試験時における樹脂部67の膨張量および収縮量が減り、保護膜66に与える外力が小さくなるためであると考えられる。
【0110】
本実施の形態のディスプレイ装置は、複数の画素回路30を有するパネル部12と、パネル部12の端部に設けられているパネル端子部60Cとを備える。パネル端子部60Cは、基板62と、基板62上に設けられ、複数の画素回路30に接続される複数の配線電極63、64と、複数の配線電極63、64に接続するように基板62に実装された実装部品65と、実装部品65が基板62に実装される実装領域b1を除いて複数の配線電極63、64を覆うように基板62上に設けられた保護膜66と、実装部品65を覆い、かつ、保護膜66の一部または全部を覆うように設けられた樹脂部67とを備える。樹脂部67は、保護膜66のうち、実装部品65の周辺領域b2に位置する保護膜上に設けられた第1樹脂部67aと、実装領域b1および周辺領域b2の両方と異なる領域b3に位置する保護膜上に設けられた第2樹脂部67bとを有している。第2樹脂部67bの高さh2は、保護膜66を基準とした場合に、第1樹脂部67aの高さh1よりも低い。
【0111】
このように、第2樹脂部67bの高さh2を第1樹脂部67aの高さh1よりも低くすることで、高温高湿試験時における第1樹脂部67aの膨張量および収縮量を小さくすることができる。これにより、第1樹脂部67aから保護膜66に与える外力を小さくすることができ、保護膜66にクラックまたは剥がれが発生することを抑制できる。そのため、保護膜66と配線電極63、64との間に水分等を含む外気が侵入すること抑制でき、配線電極63、64が腐食することを抑制することができる。
【0112】
また、第2樹脂部67bの高さh2は、実装部品65の天面65aの高さh3よりも低くてもよい。
【0113】
このように、第2樹脂部67bの高さh2を実装部品65の天面65aの高さh3よりも低くすることで、高温高湿試験時における第1樹脂部67aの膨張量および収縮量をさらに小さくすることができる。これにより、第1樹脂部67aから保護膜66に与える外力を小さくすることができ、保護膜66にクラックまたは剥がれが発生することを抑制できる。そのため、保護膜66と配線電極63、64との間に水分等を含む外気が侵入すること抑制でき、配線電極63、64が腐食することを抑制することができる。
【0114】
(その他の実施の形態)
なお、本発明は、上述した実施の形態および変形例に記載した構成に限定されるものではなく、適宜変更を加えてもよい。
【0115】
例えば、実施の形態1および変形例では、ドライバIC72がソースドライバである例を示したがそれに限られず、ドライバIC72がゲー
トドライバであってもよい。すなわち、ゲートドライバが、実装部品65としてパネル端子部60上に実装されていてもよいし、フレキシブルプリント基板71上に実装されていてもよい。
【0116】
また、ゲート駆動回路は、パネル部の短辺の一辺に配置されてもよいし、パネル部の対向する短辺の二辺に配置されてもよい。同様に、ソース駆動回路は、パネル部の長辺の一辺に配置されてもよいし、パネル部の対向する長辺の二辺に配置されてもよい。
【0117】
また、発光素子は、有機EL素子に限らず、LED等の他の発光素子であってもよい。
【0118】
また、ディスプレイ表示装置において、画素回路の構成は、上述した実施の形態および変形例に示した構成に限らず、変更してもよい。例えば、駆動トランジスタ、選択トランジスタおよび画素容量を備える構成であれば、他のスイッチトランジスタの配置は適宜変更してもよい。また、画素回路に設けられる複数のトランジスタは、ポリシリコンTFTであってもよいし、アモルファスシリコンTFT等他のトランジスタで構成されていてもよい。また、トランジスタの導電型はNチャネル型であってもよいしPチャネル型であってもよいし、これらを組み合わせたものであってもよい。
【0119】
その他、本発明の趣旨を逸脱しない限り、上述の実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態、または、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で上述の実施の形態における構成要素および機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。例えば、本発明に係る制御装置を備えたディスプレイ表示装置の一例として、
図11に示すような薄型のフラットテレビシステム100、表示パネルが搭載されたゲーム機、PC用モニタシステムも本発明に含まれる。