(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記電気絶縁層が、前記接点を除く前記第1の層上に堆積された材料を含み、前記第2の層が、前記電気絶縁層上に堆積されかつ前記接点上に堆積された材料を含む、請求項1に記載の電極。
前記指定する工程が、更に、前記接点を前記第1の層上に位置するように指定することにより、前記成形する工程の結果として、前記接点が、前記近位端と遠位端との間の中心に位置する前記円筒状の本体の領域に配置される工程を含む、請求項9に記載の方法。
【発明を実施するための形態】
【0008】
最初に、本開示は、具体的に例示された材料、構成、手順、方法、又は構造に限定されず、変化し得ることを理解されたい。したがって、本明細書に記載されている選択肢と同様又は同等の多くの選択肢が本開示の実施又は実施形態において使用され得るが、好ましい材料及び方法が本明細書に記載されている。
【0009】
また、本明細書で使用される専門用語が、単に本開示の特定の実施形態を説明するためのものであり、限定するようには意図されていないことも理解されたい。
【0010】
添付の図面に関連して以下に記載される詳細な説明は、本開示の例示的実施形態を説明するよう意図されており、本開示が実施され得る限定的な例示的実施形態を表すようには意図されていない。本説明全体にわたって使用される用語「例示的」とは、「実施例、事例、又は実例としての機能を果たす」ことを意味し、必ずしも他の例示的な実施形態よりも好ましい又は有利であると解釈されるべきではない。詳細な説明には、本明細書の例示的な実施形態の徹底した理解を提供するために、具体的な詳細が含まれる。本明細書の例示的実施形態は、これらの具体的な詳細なしで実施され得ることは、当業者には明らかであろう。場合によっては、本明細書に提示される例示的実施形態の新規性を明確にするために、周知の構造及び装置がブロック図形態で示される。
【0011】
単に便宜上かつ明確にするために、上、下、左、右、上方、下方、上側、下側、裏側、後側、背側、及び前側などの方向を示す用語が、添付図面に関して使用され得る。これら及び同様の方向を示す用語は、いかなる方法によっても本開示の範囲を制限するものと見なされるべきではない。
【0012】
別段の規定がない限り、本明細書で使用される全ての技術用語及び科学用語は、本開示が属する当業者によって一般に理解されている意味と同一の意味を有する。
【0013】
最後に、本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用されるとき、単数形「a」、「an」、及び「the」は、その内容が別段の明確に指示しない限り、複数の指示対象を包含する。
【0014】
1つ以上の実施形態では、組織との接触領域におけるリング電極の温度をできるだけ正確に決定するために、リング電極上又は組織接触領域の充分近くに熱電対が形成される。これらの実施形態では、アブレーション電極の表面材料を熱電対の第1の導電要素として使用する。熱電対を形成するため、異なる導電率の第2の導電要素が、第1の導電要素に接続される。熱電対を組織接触領域又はその充分近くに配置するために、第2の導電要素は、表面材料の裏側の組織接触領域と反対側の領域内で、表面材料の裏側に接続される。換言すると、表面材料の「上」面の領域が、組織と接触する。上面のこの接触領域は、対応する領域を表面材料の「下」面に有する。また、第2の要素は、対応する領域又はその充分近くに表面材料の「下」面で接続されて、それにより、熱電対によって検出される温度は、アブレーション電極が組織と接触している場合のリング電極の温度を表す。この構造を有する実施形態は、
図2〜
図14に関して更に詳しく述べられる。
図1と
図15は、リング電極の実施形態の使用に関する更に他の状況を提供する。
【0015】
図1は、一実施形態によるリング電極22を備えたカテーテル10の上面図である。
図1に示されるように、カテーテル10は、近位端及び遠位端を有する長尺状のカテーテル本体14と、カテーテル本体14の近位端にある制御ハンドル18とを有し、カテーテル本体14の遠位端には1つ以上のリング電極22が取り付けられている。リング電極22は、また、標的組織と接触するように構成されている。この実施形態では、各リング電極22は、リング電極22の温度を検出するための1つ以上の熱電対(例えば、熱電対50,52。
図5)を備えてもよい。
【0016】
カテーテル本体14は、単一で軸方向の中央管腔(図示せず)を有する長尺状の管状構造を有するが、必要に応じて複数の管腔を有することができる。また、リング電極22は、遮断傷を形成するように設けることもできる。リング電極22の数は、カテーテル10の設計によって異なりうる。この実施形態では、3個のリング電極22が示されている。別の実施形態では、カテーテル本体14は、1個のリング電極22を有する。いくつかの実施形態では、カテーテル本体14内の1つの管腔(図示せず)を、ヘパリン化生理食塩水などの適切な灌注流体をリング電極22に供給するために使用することができる。制御ハンドル18には、適切な供給元又はポンプから灌注流体を管腔に導くための取り付け具(図示せず)を設けることができる。
【0017】
一実施形態では、中間部分16は、組織を弓形パターンで焼灼する電極を配置するのに必要な円弧を与えるために、図示されたように、カテーテル本体から軸外に一方向又は二方向に偏向可能である。カテーテル本体14の近位には、操作者がカテーテルを操縦することを可能にする制御ハンドル18があり、カテーテルは、操縦可能な実施形態が使用される場合には偏向する中間部分16を有することができる。一例では、制御ハンドル18は、それぞれの方向に偏向させるために時計回り又は反時計回り方向に旋回される偏向ノブ12を有することがある。他の実施形態では、他の操縦可能な設計は、例えば、米国特許第6,468,260号、第6,500,167号、第6,522,933号、及び2010年12月3日に出願された米国特許公開番号2012/0143088号に記載されたような複数の制御ワイヤを操作するための制御ハンドルなどが使用されてもよく、この開示全体は、参照により本明細書に組み込まれる。
【0018】
カテーテル本体14は、可撓性、すなわち屈曲可能であるが、その長さに沿って実質的に非圧縮性である。カテーテル本体14は、任意の好適な構成のものであってもよく、任意の好適な材料で作製されていてもよい。他の構成は、ポリウレタン又はPEBAX(登録商標)(ポリエーテルブロックアミド)で作製された外壁を備える。外壁は、カテーテル本体14のねじり剛性を高めるためにステンレス鋼の埋込み網状メッシュを含み、それにより、制御ハンドル14が回転される際にカテーテル本体の中間部分遠位端が、対応するように回転する。カテーテル本体14の外径は重要ではないが、一般に、できるだけ小さくなければならず、所望の用途によっては最大約3ミリメートル(10フレンチ)でよい。同様に、外壁の厚さは重要でないが、中心管腔がプーラーワイヤ、リードワイヤ、センサケーブル及び任意の他のワイヤ、ケーブル又は管を収容できるような充分に薄さでよい。必要に応じて、ねじり安定性を高めるために外壁の内表面は補強チューブ(図示せず)で裏張りされる。開示された内容に関連して使用するのに好適なカテーテル本体構成の例は、米国特許第6,064,905号に記載され示されており、この開示全体は引用により本明細書に組み込まれる。
【0019】
以下は、アブレーション電極を有するカテーテルの例示的な使用法である。電気生理学者は、末梢静脈、典型的には大腿静脈を介した導入器シースへのアクセスを与えるセルディンガー法などによって、当該技術分野で周知のように、ガイドシース、ガイドワイヤ及び拡張器を患者に導入することがある。他の好適な手法としては、上大静脈を介した左心房へのアクセス又は後退動脈内技法の使用が挙げられる。カテーテルと組み合わせて使用するのに適したガイドシースの例としては、PREFACE(商標)Braided Guiding Sheath(バイオセンス・ウェブスター社(Biosense Webster, Inc.)(カリフォルニア州ダイヤモンドバー)より市販されるもの)及びDiRex(商標)Guiding Sheath(バード社(BARD)(ニュージャージー州マーリーヒル)より市販されるもの)がある。ガイドワイヤが挿入され、拡張器が取り外され、カテーテル本体12が、ガイドシースを介して導入され、それにより、拡張器内のガイドワイヤ管腔は、カテーテルがガイドワイヤ上にを通ることを可能にする。1つの例示的手順では、カテーテルは、最初に、下大静脈(IVC)を介して右心房(RA)に導入され、そこで、心房中隔(S)の卵円窩の穴を通って左心房(LA)に達する。
【0020】
したがって、検出電極(図示せず)を使用して、例えば、肺静脈と関連した電気的活動を記録して、焼灼する組織を識別することができる。リング電極22は、肺静脈を左心房から電気的に隔離する傷を形成するために使用することができる。リング電極22の配置と数は、治療部位に対するカテーテル10の遠位端の予測位置に基づいて、所望の組織部位と接触するように適合することができる。例えば、一実施形態では、1個のリング電極22をカテーテル10の遠位端に配置することができる。また、例えば、複数のリング電極22をカテーテル本体14に沿った比較的近くに配置してもよい。
【0021】
リング電極22の中央領域24(
図12に関して更に詳しく述べる)の温度を検出するために、リング電極22内に熱電対(例えば、
図5、熱電対50)が配置されている。熱電対は、好ましくは、リング電極22の近位端と遠位端の両方から充分に遠ざけられ、それにより、熱電対によって検出された温度は、リング電極22の中央領域をよく表す。リング電極22の表面全体が能動的に加熱されるが、中央領域24を含むリング電極22のバンドが、アブレーション手技において心臓組織とより接触しやすいリング電極22の領域であることから、中央領域24の温度を決定することが望ましい。更に、熱エネルギーは、リング電極22から近位方向及び遠位方向にカテーテル本体14内へと伝導する。また、灌注流体と体液も、リング電極22の近位端と遠位端の温度を中央領域24より低下させる働きしうる。したがって、リング電極22の近位縁又は遠位縁又は端部に配置された熱電対は、不正確又は誤った指示値を与える場合がある。したがって、中央領域24の温度を検出する熱電対の配置によって、リング電極22の「作動部分」の温度に関するより正確な情報が提供され、これにより、心臓組織のより正確なアブレーションが提供されうる。
【0022】
次に、
図2〜
図14に関して、アブレーション電極の実施形態の構成について更に詳しく考察する。
図2は、幾つかの実施形態による円筒状リング電極22に形成することができるベースプレート20の斜視図である。ベースプレート20は、導電体、一般に白金であるが、高周波エネルギーを供給して組織を焼灼し熱電対内の導体としても働く他の導電体(例えば、金)が可能である。ベースプレート20は、更に詳しく考察するが主にベースプレート20が構造的に不安定になることなくベースプレート20を異なる形状(すなわち、円筒)に形成できるという理由により、展性を有する材料で構成することができる。この実施形態では、ベースプレート20は、必要に応じて、他の材料と組み合わされ、円筒状リング電極22の最終寸法に形成されるように寸法決めされる。
【0023】
図3は、一実施形態による、アブレーション電極の多層プレート30の上面図である。
図3において、ベースプレート20は、露出したベースプレート20の「J形」開口部32,34を残して絶縁体31で部分的に覆われている。この多層プレート30の「上面」図は、組織と接触しない面を示す。というよりも、この実施形態では、多層プレート30の「下面」は、組織と接触する面になる。開口部32,34は、多層プレート30の縁から中央領域に向かって延在する。開口部32,34は、リード線(図示せず)をベースプレート20に最終的に取り付けるための領域を与える。開口部32は先端部分36を有し、開口部34は先端部分38を有する。後述されるように、先端部分36及び38の位置は、ベースプレート20上で温度を検出する場所を決定する。熱電対がベースプレート20上の望みの場所に配置されるように先端部分36及び38の寸法と位置を決定し、リード線(図示せず)がベースプレート20上の望みの場所に取り付けられるように開口部32の残りの部分の寸法と位置を決定することが好ましい。あるいは、開口部32,34は、任意に形成されてもよい。
【0024】
絶縁体31は、例えば、ポリテトラフルオロエチレン(PFTE)又はポリエーテルエーテルケトン(PEEK)でよい。絶縁体31は、既知の方法を使用して付着させることができる。例えば、絶縁体31は、ベースプレート20上にインサート成形(又はオーバーモールド)されてもよい。絶縁体31は、予め形成したものをシートとしてベースプレート20に付着してもよい。絶縁体31は、また、物理蒸着法を使用してベースプレート20に付着されてもよい。蒸着を使用して絶縁体31を付着させる利点は、絶縁体31のきわめて薄い層を付着することができ、それによりリング電極22の全体厚さが薄くなることである。この実施形態では、ベースプレート20が、最終的に円筒状リング電極22に形成されるので、絶縁体31と材料自体を付着させる方法は、多層プレート30がベースプレート20の展性を維持するように選択されうる。
【0025】
図4は、一実施形態によるアブレーション電極用の多層プレート30の上面図である。
図4では、熱電対層40,42が、絶縁体31の上に付着され、先端部分36及び38でベースプレート20に接続されている。熱電対層40は、ベースプレート20の中央領域から縁47まで延在する。熱電対層42は、中央領域から縁49まで延在する。したがって、リード線のベースプレート20への接続は、開口部32、34の露出部分に沿って、ベースプレート20の他方の「下」面上と、ベースプレート20の露出縁46,47,48,49上で行われうる。同様に、リード線の熱電対層40,42への接続は、層40,42がそれぞれ縁47,49の近くにある場所を含む層40,42に沿って行われうる。
【0026】
熱電対層40,42は、コンスタンタン又は任意のニッケル合金熱電対材料で構成することができる。すなわち、層40、42は、ベースプレート20の材料に接続される際に接続点で熱電対を形成する材料で構成することができる。絶縁体31の上に付着され、先端部分36及び38に選択的に接続されることによって、熱電対層40,42は、異なる導電率の材料に接続されることによって先端部分36及び38に熱電対を形成する。したがって、ベースプレート20と熱電対層(例えば、層40)との接触位置は、ベースプレート20上に熱電対が配置される場所を決定し、ベースプレート20が最終的にリング電極22に形成されるため、リング電極22上で熱電対が温度を検出する場所を決定する。
【0027】
絶縁体31と同様、熱電対層40,42は、既知の方法を使用して付着させることができる。物理蒸着を使用して熱電対層40,42を付着させることによって、層40及び42がきわめて薄くなり、リング電極22の全体厚さが減少するという同じ有益な結果が得られる。また絶縁体31と同じように、層40及び42と材料自体を付着させる方法は、多層プレート30がベースプレート20の展性を維持する場合に有益なことがある。しかしながら、熱電対層40,42の選択された幾何学形状は、リング電極22の最終形状を形成する際に熱電対層40,42の変形が絶縁体31よりも小さいことを意味しうる。その理由のため、熱電対層40,42は、絶縁体31と同程度に展性であることから恩恵を受けないことがある。
【0028】
多層プレート30を形成するプロセスの一実施形態は、以下の工程を含むことができる。工程1で、先端部分36,38を含むJ形開口部32,34を画定する第1のマスクがベースプレート20に付着される(
図3)。工程2で、絶縁体31が付着される。工程3で、露出したベースプレート20のJ形開口部32,34を残して第1のマスクが除去される。工程4で、熱電対層40,42を規定する第2のマスクが付着される。工程5で、熱電対層40,42が付着される。工程6で、第2のマスクが、熱電対層40,42を残して除去される。工程6の後、多層プレート30は、先端部分36,38(
図3)を除くベースプレート20と熱電対層40,42の間に絶縁体31が配された状態完成する。プロセスの工程5の際、熱電対層40,42を先端部分36,38(
図3)に付着させることによって熱電対50,52(
図5)が形成される。
【0029】
次に
図4を使用して、多層プレート30を使用したリング電極22の円筒形状の形成について考察する。一実施形態では、円筒状リング電極22を形成するため、縁46が縁48に近づくまで縁46を軸43を中心として方向44に曲げることによって、多層プレート30が円筒形状に形成される(例えば、冷間成形技術を使用して)。このプロセスによって、円筒の内側に絶縁体31と熱電対層40,42が位置した円筒形状ができる。縁47,49は、リング電極22の円形端になる。したがって、熱電対層40は、縁47が形成する端部の近くでアクセスしやすくなり、熱電対層42は、縁49が形成する端部の近くでアクセスしやすくなる。
【0030】
図5に関して、円筒を形成した結果を考察する。
図5は、一実施形態によるリング電極22の端面図である。図は、多層プレート30が軸43を中心として方向44に円筒形状に形成された後の多層プレート30の縁47の視点からのものである。
図5で、縁47,49は、継ぎ目59で合わされている。ベースプレート20は、真向きに見てベースプレート20の内側面に絶縁体31を有する円筒に形成されている。円筒の形成により、管腔58が形成されている。ベースプレート20の寸法と絶縁体31と熱電対層40,42の厚さを適切に決めることによって、管腔58は、カテーテル本体12(
図1)と、カテーテル本体12内の任意の要素を収容することができる。
【0031】
図5には、熱電対50,52が示されており、熱電対層40,42が、絶縁体31を介してベースプレート20と接触する。熱電対50,52の位置はそれぞれ、ベースプレート20上の露出した先端部分36,38(
図3)に対応している。絶縁体31の間隙56は、ベースプレート20の部分34が露出する場所を示す。間隙56は、リード線に接続するための潜在位置を提供する。同様に、絶縁体31の間隙54は、ベースプレート20の部分32が露出される場所を示し、リード線に接続するための潜在位置を提供する。間隙54,56の利点は、リード線が組織と接触することになるベースプレート20の外側面ではなく内側面にリード線を取り付けることができることである。ベースプレート20と熱電対層40,42へのリード線(図示せず)の取り付けは、多層プレート40が円筒形状に形成される前でも後でもよい。
【0032】
図5は、遠位端(縁47から形成された)から近位端(縁49から形成された)まで通るリング電極22を示す。そのような基準の場合、熱電対層40と部分34は中央領域から遠位に延在し、熱電対層42と部分32は中央領域から近位に延在する。したがって、熱電対52のリード線接続は、リング電極22の両端にあってもよく、すなわち、近位端で熱電対層42に接続され、遠位端で部分34に接続されてもよい。同様に、熱電対50のリード線接続は、リング電極22の両端にあってもよく、すなわち、遠位端で熱電対層40に接続され、近位端で部分32に接続されてもよい。
【0033】
更に、ベースプレート20が、現在の外側面上と、ベースプレート20の厚さの各端に露出されるので、部分32,34へのリード線接続は、設計基準に従ってベースプレート20の代替の露出領域への接続によって置き換えられうる。ベースプレート20へのそのような代替接続が選択された場合、間隙54及び56は不要になり(
図2に関して)、ベースプレート20の先端部分36,38のほとんどに絶縁体31を付着させるように選択されてもよい。
【0034】
この実施形態では、継ぎ目59が結合され、例えば円となるように溶接又は接着を使用して機械的又は化学的に接合される。継ぎ目59は、リング電極22の直径からの拡張に対応するために結合されないままでもよい。また、継ぎ目59は、縁46,48の間に間隙を有してもよい。
【0035】
図5の実施形態では、部分32は、近位方向に延在し、熱電対層40は、リング電極22の中央領域から遠位方向に延在している。この構成によって、リング電極22の各端でそれぞれリード線が熱電対50に接続される。両方のリード線がリング電極22の同じ端にある場合にリード線を熱電対50に接続することが望ましいことがある。
【0036】
図6は、一実施形態によるアブレーション電極の多層プレート60の上面図である。この実施形態では、熱電対層62,64が先端部分36,38(
図3)に付着されて、それぞれ熱電対50,52(
図5)が形成される。熱電対層62は、部分32と熱電対層62が両方とも多層プレート60の同じ端の方に延在するように、多層プレート60上に配置される。同様に、熱電対層64は、部分34と熱電対層64が両方とも多層プレート60の同じ端の方に延在するように、多層プレート60上に配置される。このようにして、熱電対50のリード線は、リング電極22の同じ端で部分32と熱電対層62に取り付けられうる。また、熱電対52のリード線は、リング電極22の同じ端で部分34と熱電対層64に取り付けられてもよい。
【0037】
図7は、一実施形態によるアブレーション電極70の端面図である。アブレーション電極70は、多層プレート30(
図4)を円筒状に形成することにより得られたリング電極22(
図5)と同じように、多層プレート60(
図6)から円筒形状を形成することにより得られる。図は、多層プレート60が軸43を中心として方向44に円筒形状に形成された後の多層プレート60の縁47の視点からのものである。
図7は、熱電対層42と部分34がアブレーション電極70の同じ端まで延在することをより明確に示し、実施形態が単一の熱電対だけを有することを示すために、
図6の熱電対50、熱電対層62又は部分32を示していない。
図7では、アブレーション電極70は、アブレーション電極70の内側面と外側面の間に灌注流体が通すことを可能にする灌注孔72を有する。灌注孔72は、多層プレート60が円筒状に形成された後又は前でアブレーション電極70に形成することができる。灌注孔70は、例えば、レーザー加工によって形成することができる。また、図示された灌注孔70の数は例示的なものである。灌注孔70は、所望の灌注流体の量と種類に応じて、8個(
図10)、12個(
図12)又は50個でもよい。
【0038】
図7で、縁47,49が、継ぎ目59で合わされている。ベースプレート20は、真向きに見てベースプレート20の内側面に絶縁体31を有する円筒に形成される。ここで、熱電対52は、熱電対層64が絶縁体31を介してベースプレート20と接触する場所に示される。熱電対52の位置はそれぞれ、ベースプレート20上に露出した先端部分38(
図3)に対応する。絶縁体31の間隙56は、ベースプレート20の部分34が露出され、リード線の潜在接続を提供する場所に示される。
【0039】
図5は、遠位端(縁47から形成された)から近位端(縁49から形成された)まで通るアブレーション電極70を示す。そのような基準の場合、熱電対層42と部分34は両方とも、中央領域から遠位に延在する。したがって、熱電対52のリード線接続は、アブレーション電極70の同じ端にあってもよく、すなわち、熱電対層42と部分34への接続が遠位端で行われてもよい。
【0040】
更に、ベースプレート20が、現在の外側面に、ベースプレート20の厚さの各端で露出されるので、部分34へのリード線接続は、設計基準に従って、ベースプレート20の代替の露出領域への接続によって置き換えられてもよい。ベースプレート20へのそのような代替接続が選択された場合、間隙56は不要になり(
図2に関して)、ベースプレート20のほとんどの先端部分38に絶縁体31を付着させることが選択されてもよい。
【0041】
部分32,34(
図3)の形状が任意であることを理解されたい。また、先端部分36,38(
図3)が、対応する熱電対50,52の最終位置を設定するようにベースプレート20上に配置されることを理解されたい。同じ配置目標を達成する開口部分の他の形状も考えられる。そのような形状には、例えば、
図8a〜
図9bに示された形状が挙げられる。示された形状を除き、
図8a〜
図9bは、先の図に関して述べたように構成されてもよい。
【0042】
図8aと
図8bは、一実施形態によるアブレーション電極の多層プレート80の上面図を示す。
図8aでは、絶縁体31は、先端部分86を含む「U字型」開口部分82を残してベースプレート20に付着されている。
図8bでは、熱電対層88が、先端部分86と絶縁体31上に付着されて熱電対84が形成されている。熱電対84は、先端部分86と熱電対層88の先端部分86に重なる部分との接触によって形成される。多層プレート80は、リード線を取り付けるために開口部分82と熱電対層88が両方とも円筒形状の同じ端でアクセスできる円筒状に形成されてもよい。
【0043】
図9aと
図9bは、一実施形態によるアブレーション電極の多層プレート90の上面図を示す。
図9aでは、絶縁体31は、先端部分96を含む「S字型」開口部分92を残してベースプレート20に付着されている。
図9bでは、熱電対層98が先端部分96と絶縁体31上に付着されることで熱電対94が形成されている。熱電対94は、先端部分96と熱電対層98の先端部分96に重なる部分との接触によって形成される。多層プレート90は、リード線を取り付けるために円筒形状の異なる端で接触可能な開口部分92と熱電対層98を有する円筒形状に形成されてもよい。
【0044】
図10は、一実施形態によるアブレーション電極の多層プレート100の上面図である。以下の考察が異なる場合を除き、
図10〜
図14に示された実施形態は、先の図に関して述べたように構成されてもよい。
図10では、ベースプレート20は、露出したベースプレート20への開口部102を残して絶縁体31によって部分的に覆われている。開口部102の位置と寸法は、例えば、先端部分36,38(
図3)の位置と寸法が、対応する熱電対50,52(
図5)の位置と寸法を決定したのと同じように、多層プレート100上の最終的な熱電対の位置と寸法を決定する。絶縁体31が、ベースプレート20の開口部102をほとんど覆い、
図10に示された多層プレート100の表面ではベースプレート20へのリード線接続が行えない。
図11〜
図13に関して、リード線の位置を更に詳しく考察する。
図10で、多層プレート100は更に灌注孔72を有し、多層プレート100が最終形状に形成される前に灌注孔72が多層プレート100に形成された実施形態を示す。
【0045】
図11は、一実施形態によるアブレーション電極110の端面図である。
図11では、熱電対層112が、絶縁体31を覆って多層プレート100(
図10)に付着され、開口部102でベースプレート20に接続されることで熱電対114が形成されている。次に、多層プレート100を、縁46が縁48と接近するまで、縁46を軸43を中心として方向44に曲げることによって円筒状に形成した。このプロセスで、円筒の内側に絶縁体31と熱電対層112を有する円筒形状が形成された。縁47,49は、アブレーション電極110の円形端になった。この実施形態では、ベースプレート20、絶縁体31及び熱電対層112が、絶縁体31がベースプレート20内にあり、熱電対層112が絶縁体31内にある同心円筒形を形成している。したがって、熱電対層112の内側面と両端の厚さ部分は、リード線との接触のためにアクセス可能である。同様に、ベースプレート20の外側面と両端の厚さ部分は、リード線との接触のためにアクセス可能である。
【0046】
図12は、一実施形態によるアブレーション電極110の斜視図である。
図12は、アブレーション電極の実施形態における熱電対の位置に関する更に詳しい情報を開示する。前に
図1に関して考察したように、中央領域124の温度を検出することが望ましい。中央領域124は、中央バンド127の一部を含んでもよく、中央バンド127は、使用中に組織と接触する可能性が高いアブレーション電極110の領域である。その理由だけのために、中央バンド127の温度を測定することが望ましいことがある。
【0047】
また、前述したように、使用中にアブレーション電極110から出る熱エネルギーの伝導により、アブレーション電極110の近位バンドと遠位バンドは、中央バンドの温度とは異なる温度になることがある。すなわち、アブレーション電極110の近位端と遠位端は、中央バンド127より温度が低いことがある。意図された熱より多い熱が組織に加わるのを防ぐために、中央バンド127の温度を決定することが望ましいこともある。
【0048】
これに関し、
図12では、境界125は、アブレーション電極110の近位端の近くにある。同様に、境界123は、アブレーション電極110の遠位端の近くにある。境界123,125は、固定位置ではない。むしろ、境界123,125は、代表的なバンド122、すなわち検出温度が安定したアブレーション電極110のバンドの近似的な縁を示す。代表バンド122は、中央バンド127を含み、代表バンド122は、中央バンド127より大きくてもよい。しかし、代表バンド122内の温度が比較的安定しているので、代表バンド122内で検出された温度は、中央バンド127内の温度を表わすことがある。したがって、熱電対114は、代表バンド122内の境界123,125の間で配置され示される。
【0049】
更に、灌注孔72は、熱電対114を配置するときに考慮される因子である。灌注孔72は、アブレーション電極110から熱エネルギーの損失を促進することがある。したがって、熱電対114は、任意の灌注孔72の近くに配置されないことが好ましい。熱電対114は、孔72を回避しながら代表バンド112内に留まることにより、中央領域124内の位置になる。
【0050】
図12で、熱電対114は、アブレーション電極110の近位端と遠位端からほぼ等距離にあるように見える。しかしながら、そのような位置は、強制でもなく必ずしも好ましくもない。むしろ、熱電対114は、任意に中央領域124内にあってもよく、その理由は、その領域内で温度が安定していると考えられるからである。一実施形態では、熱電対114は、好ましいバンド112の中心に実質的に軸方向に配置されてもよく、灌注孔72の軸方向に向けられた列の間の領域の中心に実質的に半径方向に配置されてもよい。
【0051】
図13は、一実施形態によるアブレーション電極の斜視図である。
図13で、熱電対層112(
図11)は、ベースプレート20から近位に延在されて露出した熱電対層バンド132を形成している。露出バンド132は、熱電対層112の表面への接触136を行うためのアクセスを提供することによって、リード線134の取り付けを容易にする。接点136は、管腔58に対して外側にある露出バンド132の表面にある。これは、管腔58が例えばカテーテル本体12で一杯になることがあるので有益である。
【0052】
実施形態では、アブレーション電極の層の相対位置が変更されてもよいことを理解されたい。例えば、
図10〜
図13の円筒状層の向きに関して、熱電対材料のベースプレートが、開口部以外に付着された絶縁体を有し、次にその絶縁体を覆い熱電対層に接続して熱電対を形成するように白金層が付着される。多層プレートは、このとき「底面」の熱電対材料と共に、円筒形状の内側層としての熱電対材料と円筒形状に形成されてもよい。あるいは、「底面」に熱電対材料を有する多層プレートは、円筒形状の外側層としての熱電対材料と円筒形状に形成されてもよい。
【0053】
多層プレートが円筒形以外の形状に形成された実施形態も考えられる。例えば、アブレーション電極は、円形、楕円形、正方形、三角形、長方形又はこれらのいずれかの不完全形状の断面を有するカテーテル本体に被さるように形成されてもよい。そのようなアブレーション電極の成形は、最終形状に形成する前に多層プレートを異なる形状に切断することから恩恵を受けることがある。例えば、多層プレート(例えば、多層プレート30、60又は100)は、円の扇形に切断され、この扇形が次に、カテーテル本体の遠位先端に配置するための円錐に形成されてもよい。また、円形多層プレートを、凸状の皿(多くの場合、例えば半球)に形成及び加工して、カテーテル本体の遠位先端に配置することもできる。
【0054】
実施形態では、多層プレートの層は、個別に付着されてもよい。例えば、多層プレート100(
図10)は、絶縁体シート31に開口部102を設け、そのシートをベースプレート20に付着することによって形成してもよい。次に、熱電対層112(
図11)が、絶縁体31の表面に付着されてもよい。次に、熱電対114は、熱電対層112を開口部102から押し込み、ベースプレート20と接触させることによって形成されてもよい。一実施形態では、熱電対114は、スポット溶接によって形成される。一実施形態では、灌注孔72は、多層プレートが平坦なうちにレーザー加工され、そのプレートが所望の最終形状に冷間成形されてもよい。一実施形態では、
図11に関して、ベースプレート20、絶縁体31(開口部102を有する)及び熱電対層112の円筒が、個別に形成される。次に、個別の層が、層を入れ子式に適切な順序で滑り込ませることによって組み立てられる。次に、熱電対114は、熱電対層112を開口部102を介してベースプレート20と接触させるか、スポット溶接によって形成される。
【0055】
図14は、一実施形態によるアブレーション電極140の端面図である。一実施形態では、アブレーション電極140は、完全な円筒ではない。アブレーション電極140は、間隙142を有する。間隙142は、例えば、アブレーション電極110の形成について述べた方法の修正によって形成されてもよい(
図10)。
図10に関して述べたように、縁46と縁48とが接触させられてアブレーション電極110を形成するときに継ぎ目59が形成される。
図14の実施形態では、縁46と縁48とが接触されないときにアブレーション電極140に間隙142が残る。
【0056】
アブレーション電極の使用の説明を支援するため、
図15は、本発明の一実施形態による腎臓及び/又は心臓カテーテル及びアブレーションのためのシステム200の概略的な絵図である。システム200は、例えば、バイオセンス・ウェブスター社(Biosense Webster Inc.)(カリフォルニア州ダイヤモンドバー)製造のCARTO(商標)マッピングシステム、及び/又はSmartAblate又はnMarq RF発生器に基づいてもよい。このシステムは、遠位端にリング電極22を有するカテーテル10の形の侵襲的プローブと、制御及び/又はアブレーションコンソール202とを含む。心臓専門医、電気生理学者又はインターベンショナルラジオロジストなどの操作者204は、カテーテル10の遠位端、詳細にはリング電極22が、患者206の心臓208の房などの所望の位置にある組織と係合するように、アブレーションカテーテル10を、大腿又はラデアルアクセスアプローチなどによって患者206の身体に挿入する。カテーテル10は、典型的には、その近位端で、好適なコネクタによってコンソール202に接続される。コンソール202は、高周波発生器208を含み、高周波発生器208は、カテーテルを介して、リング電極22によってエネルギー供給される位置で組織210を焼灼するための高周波電気エネルギーを供給する。
【0057】
コンソール202は、また、磁気位置検出を使用して患者206の体内でのカテーテル10の遠位端の位置座標も決定し得る。この目的のために、コンソール202内の駆動回路が、磁場発生器を駆動して、患者206の身体内に磁場を発生する。典型的には、磁場発生器はコイルを含み、これらコイルは、患者の胴体の下の、患者の体外の既知の位置に置かれる。これらのコイルは、関心領域を包含する既定の作業体積内に磁界を発生する。カテーテル10の遠位端内の磁界センサ(図示せず)は、そのような磁界に応じて電気信号を生成する。コンソール202の信号プロセッサは、典型的には、場所及び向きの座標の双方を含む、遠位端の位置座標を決定するために、これらの信号を処理し得る。この位置感知の方法は、上述のCARTOシステムにおいて実施され、米国特許第5,391,199号、同第6,690,963号、同第6,484,118号、同第6,239,724号、同第6,618,612号、及び同第6,332,089号、PCT特許公開第WO 96/05768号、並びに米国特許出願公開第2002/0065455(A1)号、同第2003/0120150(A1)号、及び同第2004/0068178(A1)号に詳細に記載されており、その開示が全て参照により本明細書に組み込まれる。
【0058】
コンソール202は、システムコントローラ212を含み得、このシステムコントローラには、システム200の操作のためのソフトウェアが格納されているメモリ214と通信を行う処理装置216が含まれている。コントローラ212は、汎用コンピュータ処理装置を含む業界標準のパーソナルコンピュータであり得る。しかしながら、いくつかの実施形態において、コントローラの機能の少なくとも一部は、特定用途向け集積回路(ASIC)又は現場プログラム可能ゲートアレイ(FPGA)を使用して実施される。コントローラ212は、典型的には、好適な入力周辺装置及びグラフィカルユーザインタフェース(GUI)218(これらは、操作者がシステム200のパラメータを設定することを可能する)を使用して、操作者204によって操作される。更に、GUI 218は、典型的には、処置の結果を操作者に対して表示する。メモリ214中のソフトウェアは、例えばネットワークを介して、電子的形態でコントローラにダウンロードすることができる。代替的に又は付加的に、このソフトウェアは、例えば、光学的、磁気的、又は電子的記憶媒体のような一時的でない有形の媒体上に提供され得る。いくつかの実施形態では、1つ以上の接触力センサが、リング電極22への圧力を示す信号をコンソール202に送ってもよい。歪みゲージ134から測定値を得るために、接触力センサ線からの信号が、システムコントローラ212に提供されてもよい。そのような信号は、各個別電極の組織接触レベルを提供するために医者に使用されうる。更に、システムコントローラ212は、複数電極のうちのどの電極が焼灼される組織と接触するかの指示を提供する。このフィードバック情報によって、施術者は、完全なアブレーションを保証するのに必要な調整を行うことができる。前述のように、本発明は、例えば投げ縄、弓状、螺旋状又はバスケット構成のリング電極を有するものなど、任意の複数電極カテーテルに好適である。
【0059】
典型的には、アブレーションの際、アブレーションを行うために患者の組織内で高周波エネルギーによって熱が生成され、この熱の一部が、リング電極22に反射されて電極のまわりに凝固を引き起こす。システム200は、この部分を灌注口72(
図5に示された)を介して灌注し、灌注の流量は、灌注モジュール220によって制御され、リング電極22に送られる電力(RFエネルギー)は、アブレーションモジュール222によって制御される。更に、組織と結合されるリング電極22の表面の割合は、観察された接触力に基づいて推定されうる。更に別の例として、カテーテル10の追加センサが、システムコントローラ212に、焼灼される組織部位が催不整脈性電流を通さなくなるときを決定するために使用される心内心電図を提供してもよい。
【0060】
その他の態様では、カテーテル10は、2013年4月11日に出願され「HIGH DENSITY ELECTRODE STRUCTURE」と題する米国特許出願公開第2014/0309512号、2013年10月25日に出願され「CONNECTION OF ELECTRODES TO WIRES COILED ON A CORE」と題する米国特許出願公開第2014/0305699号に記載されたような、リング電極22用の組込み又は埋込みリード線を有するケーブル配線を備えてもよく、これらの開示全体は、参照により本明細書に組み込まれる。
【0061】
以上の記述は、現在開示されている実施形態を参照して示された。本開示が関係する当業者及び技術は、この開示の原理、趣旨及び範囲から大きく逸脱することなく、記載された構造の変更と変化が行われてもよいことを理解するであろう。当業者には理解されるように、図面は必ずしも縮尺通りではない。したがって、上記の説明は、添付図面に記載及び例示される精密な構造のみに関連するものとして読まれるべきではなく、むしろ以下の最も完全で公正な範囲を有するとされる特許請求の範囲と一致し、かつそれらを補助するものとして読まれるべきである。
【0062】
〔実施の態様〕
(1) 近位端及び遠位端並びに内部を通る少なくとも1つの管腔を有するほぼ円筒状の本体を備える、アブレーションカテーテル用の電極であって、前記ほぼ円筒状の本体が、
第1の導電材料から構成される第1の層と、
電気絶縁層と、
前記第1の導電材料と異なる第2の導電材料から構成される第2の層と、を含み、
前記第1の層がほぼ円筒状であり、
前記第1の層と前記第2の層とが、接点で導電接触して熱電対を形成し、
前記熱電対が、前記円筒状の本体の近位端と遠位端との間の中心に位置する前記円筒状の本体の領域の温度を測定するように配置され、
前記電気絶縁層が、少なくとも前記接点を除く前記第1の層と前記第2の層との間にある、電極。
(2) 前記電気絶縁層が、ポリテトラフルオロエチレン又はポリエーテルエーテルケトンのうちの1つ又は複数である、実施態様1に記載の電極。
(3) 前記第1の層が、ほぼ円筒状の外側層を構成し、前記第2の層が、ほぼ円筒状の内側層を構成し、前記外側層が前記内側層とほぼ重なり合い、前記内側層の重なり合っていない部分が前記外側層の下から延在し、前記電極が更に、前記内側層の前記重なり合っていない部分に導電的に取り付けられたリード線を含む、実施態様1に記載の電極。
(4) 前記第1の層が白金を含み、前記第2の層がコンスタンタンを含む、実施態様3に記載の電極。
(5) 前記ほぼ円筒状の本体が更に、前記遠位端と近位端との間にほぼ長手方向に延びる拡張可能な継ぎ目を有する、実施態様1に記載の電極。
【0063】
(6) 前記電気絶縁層が、前記接点を除く前記第1の層上に堆積された材料を含み、前記第2の層が、前記電気絶縁層上に堆積されかつ前記接点上に堆積された材料を含む、実施態様1に記載の電極。
(7) 前記第2の層が、ライントレースを含む、実施態様6に記載の電極。
(8) アブレーションカテーテル用の電極上に熱電対を形成するための方法であって、
第1の導電材料を含む第1の層上に接点を指定する工程と、
電気絶縁材料を含む絶縁層を、少なくとも前記接点を除く前記第1の層に追加する工程と、
前記第1の導電材料と異なる第2の導電材料を含み、前記接点で前記第1の層と電気接触する第2の層を、前記絶縁層及び前記接点に追加する工程であって、前記第1の層、絶縁層及び第2の層が、展性のある板を形成し、前記熱電対が、前記第1の層、第2の層及び接点を含む、工程と、
リード線を前記第2の層に取り付ける工程と、
前記展性のある板をアブレーションカテーテル用電極に成形する工程と、を含む方法。
(9) 前記成形する工程が、更に、前記展性のある板を、近位端及び遠位端並びに内部を通る少なくとも1つの管腔を有するほぼ円筒状の本体に成形する工程を含み、前記第1の層が、前記本体の外側層を構成し、前記第2の層が、前記本体の内側層を構成し、前記リード線が、前記本体の前記近位端においてアクセス可能である、実施態様8に記載の方法。
(10) 前記指定する工程が、更に、前記接点を前記第1の層上に位置するように指定することにより、前記成形する工程の結果として、前記接点が、前記近位端と遠位端との間の中心に位置する前記円筒状の本体の領域に配置される工程を含む、実施態様9に記載の方法。
【0064】
(11) 前記外側層が、前記内側層とほぼ重なり合い、前記内側層の重なり合っていない部分が、前記外側層の下から近位方向に延在し、前記リード線が、前記内側層の前記重なり合っていない部分に取り付けられた、実施態様9に記載の電極。
(12) 前記電気絶縁材料が、ポリテトラフルオロエチレン又はポリエーテルエーテルケトンのうちの1つ又は複数である、実施態様8に記載の方法。
(13) 前記第1の層が白金を含み、前記第2の層がコンスタンタンを含む、実施態様8に記載の方法。
(14) 前記ほぼ円筒状の本体が、更に、前記遠位端と近位端との間にほぼ長手方向に延びる拡張可能な継ぎ目を有する、実施態様9に記載の方法。
(15) 前記絶縁層を追加する工程が、少なくとも前記接点を除く前記第1の層上に前記電気絶縁材料を堆積させる工程を含み、前記第2の層を追加する工程が、前記電気絶縁層及び前記接点上に前記第2の層を堆積させる工程を含む、実施態様8に記載の方法。
【0065】
(16) 前記第2の層が、ライントレースを含む、実施態様15に記載の方法。
(17) 前記成形する工程が、更に、前記展性のある板をほぼ半球形の本体に成形する工程を含み、前記第1の層が、前記本体の外側層を構成し、前記第2の層が、前記本体の内側層を構成し、前記リード線が、前記本体の基部においてアクセス可能である、実施態様8に記載の方法。