(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記磁気検出部に含まれる前記一の磁気検出素子の前記磁化固定層の前記磁化方向と、前記他の磁気検出素子の前記磁化固定層の磁化方向とは、実質的に反平行であることを特徴とする請求項6に記載の磁気センサ。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上記コンバーチブル型PCにおけるノートPCモードとタブレットモードとを切り替えるためのヒンジや、回転動作等を行うロボットアームの関節部等、少なくとも1つの軸を中心として回動する機構を有する製品等において、当該機構による回動を精密に検出することができ、かつ高い利便性を有するセンサの新たな提案が求められている。
【0006】
上記課題に鑑みて、本発明は、少なくとも1つの軸を中心として回動する機構を有する製品等に用いられ得る、当該機構による回動を精密に検出することができ、かつ高い利便性を有する磁気センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題を解決するために、本発明は、基材と、前記基材に所定の間隔をあけて設けられてなる複数の磁石と、前記複数の磁石のそれぞれの近傍に設けられてなる複数の磁気検出部とを備え、
前記複数の磁石は、所定の平面内における第1方向に沿って並列するように、かつ前記第1方向において隣接する2つの前記磁石の互いの異極を対向させるようにして前記基材に設けられており、前記磁気検出部は、前記第1方向に沿って並列する前記複数の磁石のうちの隣接する2つの前記磁石の対向する前記異極のそれぞれの近傍に設けられており、前記複数の磁気検出部は、それぞれ、前記基材の変形に伴う磁場の変化に応じた信号を出力することを特徴とする磁気センサを提供する。
【0009】
前記複数の磁石は、複数の第1磁石を含む第1磁石群及び複数の第2磁石を含む第2磁石群を有し、前記第1磁石群に含まれる複数の第1磁石は、前記第1方向に沿って並列し、かつ前記第1方向において隣接する2つの前記第1磁石の互いの異極を対向させるようにして前記基材に設けられており、前記第2磁石群に含まれる複数の第2磁石は、前記第1方向に対して交差する方向である第2方向に沿って磁極を位置させるようにして前記基材に設けられていてもよい。
【0010】
前記複数の磁石は、複数の第3磁石を含む第3磁石群をさらに有し、前記第3磁石群に含まれる複数の第3磁石は、前記第1方向及び前記第2方向に対して交差する方向である第3方向に沿って磁極を位置させるようにして前記基材に設けられていてもよい。
【0011】
前記磁気検出部は、磁化方向が固定されてなる磁化固定層を含む磁気検出素子を一又は複数含むことができ、複数の前記磁気検出素子を含む場合には、前記磁気検出部に含まれる一の前記磁気検出素子の前記磁化固定層の前記磁化方向と、他の前記磁気検出素子の前記磁化固定層の磁化方向とは、互いに異なる方向であればよく、実質的に反平行であればよい。
【0012】
前記隣接する2つの磁石の対向する前記異極のそれぞれの近傍に、複数の前記磁気検出部が設けられていてもよく、前記磁気検出部は、磁化方向が固定されてなる磁化固定層を含む磁気検出素子を含み、前記複数の磁気検出部の
うちの一の磁気検出部に含まれる前記磁気検出素子の前記磁化固定層の前記磁化方向と、他の
磁気検出部に含まれる前記磁気検出素子の前記磁化固定層の磁化方向とは、互いに交差していればよく、互いに実質的に直交していればよい。
前記磁気検出素子としては、TMR素子又はGMR素子を用いることができる。
【発明の効果】
【0013】
本発明によれば、少なくとも1つの軸を中心として回動する機構を有する製品等に用いられ得る、当該機構による回動を精密に検出することができ、かつ高い利便性を有する磁気センサを提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【0015】
本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図1は、本実施形態に係る磁気センサの概略構成を示す平面図であり、
図2は、本実施形態に係る磁気センサ装置の概略構成を示す斜視図である。
【0016】
なお、本実施形態に係る磁気センサにおいて、必要に応じ、いくつかの図面中、「X軸方向、Y軸方向及びZ軸方向」を規定している。ここで、X軸方向及びY軸方向は、本実施形態における基材の第1面及び第2面と実質的に平行な平面内における互いに直交する方向であり、Z軸方向は、基材の厚さ方向(基材の第1面及び第2面に直交する方向)である。
【0017】
本実施形態に係る磁気センサ1は、第1面21及びそれに対向する第2面22を有する基材2と、基材2の第1面21上に設けられている複数の磁石3及び複数の磁気検出部4と、各磁気検出部4からの出力信号に基づいて物理量を算出する演算処理部5とを備える。
【0018】
基材2としては、可撓性を有する可撓性基材であって、磁石3及び磁気検出部4を設置可能なものであればよく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ナイロン、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、エチレンビニルアルコール共重合体、フッ素樹脂フィルム、塩化ビニル又はポリエチレン等のポリオレフィン;セルロース、ポリ塩化ビニリデン、アラミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリノルボルネン又はエポキシ樹脂等の有機材料;紙又は合成紙等の紙材料;ステンレス、チタン又はアルミニウム等の金属箔の表面に絶縁性材料をコーティング又はラミネートしたもの等の複合材料等により構成される基材が挙げられる。これら以外にも、基材2は、可撓性を有する限りにおいて、石英等のガラス基材、ステンレス等の金属基材等であってもよい。
【0019】
本実施形態に係る磁気センサ1において、基材2は、第1方向(X軸方向)を長手方向とする長尺方形状を有している(
図1〜
図2参照)。しかし、当該基材2の形状は特に限定されるものではなく、磁気センサ1の用途等に応じて適宜設定され得るものである。
【0020】
本実施形態に係る磁気センサ1において、複数の磁石3は、基材2の第1面21における第1方向(X軸方向)に磁極を向けて、所定の間隔をあけて並列されている(
図1参照)。第1方向(X軸方向)において隣接する2つの磁石3の対向する磁極は、互いに極性の異なる磁極(N極及びS極)である。本実施形態において、磁石3の形状は、略円柱状であるが、この態様に限定されるものではない。磁石3の形状は、略直方体状等であってもよいし、平面視略長方形のフィルム状やシート状等であってもよい。第1方向(X軸方向)に並列する各磁石3の間隔や大きさ等は、特に限定されるものではなく、本実施形態に係る磁気センサ1の用途等に応じて適宜設定され得る。
図1及び
図2に示す態様において、5個の磁石3が第1面21上に設けられているが、磁石3の数はこれに限定されるものではない。磁石3の数は、磁気センサ1の用途等に応じて適宜設定され得るものであり、少なくとも2個であればよい。
【0021】
複数の磁気検出部4は、それぞれ、第1方向(X軸方向)において隣接する2つの磁石3の対向する磁極(一方の磁石3のN極及び他方の磁石3のS極)の近傍に設けられている。磁気検出部4は、磁石3のN極の近傍に位置する第1磁気検出部41と、磁石3のS極の近傍に位置する第2磁気検出部42とを含む。第1磁気検出部41及び第2磁気検出部42は、隣接する2つの磁石3の対向する磁極(N極及びS極)間の磁場(磁束)が印加されることにより、それぞれ第1センサ信号S1及び第2センサ信号S2を出力する(
図4参照)。後述するように、第1磁気検出部41から出力される第1センサ信号S1と第2磁気検出部42から出力される第2センサ信号S2とに基づいて、基材2の変形(たわみ)方向及び変形(たわみ)量を示すセンサ信号Sが出力される。したがって、第1磁気検出部41及び第2磁気検出部42は、それぞれ、基材2の変形に伴う印加磁場の変化に対応した適切な第1センサ信号S1及び第2センサ信号S2を出力可能なように、各磁石3のN極及びS極の近傍に設けられている。すなわち、第1磁気検出部41及び第2磁気検出部42は、それぞれ、印加磁場の変化により基材2の変形(たわみ)方向及び変形(たわみ)量を検知するための第1センサ信号S1及び第2センサ信号S2を出力可能な位置に設けられている。例えば、第1磁気検出部41及び第2磁気検出部42は、それぞれ、各磁石3のN極及びS極から第1方向(X軸方向)に沿って0.1〜5.0mm程度離間して設けられていればよいが、磁石3の大きさや磁場の強さ等に応じて、第1磁気検出部41及び第2磁気検出部42と磁石3(N極又はS極)との間隔は適宜設定されればよい。第1センサ信号S1及び第2センサ信号S2は、差分検出器6を介してセンサ信号Sとして演算処理部5に出力される。なお、基材2の厚さにもよるが、2つの磁石3の対向する磁極(N極及びS極)間の磁場が磁気検出部4に印加され得る限りにおいて、磁気検出部4は、磁石3の設けられる面(例えば基材2の第1面21)と異なる面(例えば基材2の第2面22)に設けられていてもよい。
【0022】
磁気検出部4(第1磁気検出部41及び第2磁気検出部42)は、第1磁気検出素子部4A及び第2磁気検出素子部4Bを有する。磁気検出部4が有する第1磁気検出素子部4A及び第2磁気検出素子部4Bは、それぞれ、少なくとも1つの磁気検出素子を含み、複数の磁気検出素子が直列に接続された構成を有していてもよい。本実施形態において、第1磁気検出部41及び第2磁気検出部42は、それぞれ、直列に接続された一対の磁気検出素子を含むハーフブリッジ回路を有する。
【0023】
図4に示すように、第1磁気検出部41及び第2磁気検出部42が有するハーフブリッジ回路は、電源ポートVと、グランドポートGと、出力ポートEと、直列に接続された第1磁気検出素子部4A及び第2磁気検出素子部4Bとを含む。第1磁気検出素子部4Aの一端は、電源ポートVに接続される。第1磁気検出素子部4Aの他端は、第2磁気検出素子部4Bの一端と出力ポートEとに接続される。第2磁気検出素子部4Bの各他端は、グランドポートGに接続される。電源ポートVには、所定の大きさの電源電圧(定電流)が印加され、グランドポートGはグランドに接続される。
【0024】
本実施形態において、ハーフブリッジ回路に含まれる第1磁気検出素子部4A及び第2磁気検出素子部4Bを構成する磁気検出素子として、TMR素子、GMR素子等のMR素子を用いることができ、特にTMR素子を用いるのが好ましい。
【0025】
図5に示すように、MR素子は、複数の下部電極61と、複数のMR膜70と、複数の上部電極62とを有する。複数の下部電極61は、基板(図示せず)上に設けられている。各下部電極61は細長い形状を有する。下部電極61の長手方向に隣接する2つの下部電極61の間には、間隙が形成されている。下部電極61の上面における、長手方向の両端近傍にそれぞれMR膜70が設けられている。MR膜70は、平面視略円形状であり、下部電極61側から順に積層された自由層71、非磁性層72、磁化固定層73及び反強磁性層74を含む。自由層71は、下部電極61に電気的に接続されている。反強磁性層74は、反強磁性材料により構成され、磁化固定層73との間で交換結合を生じさせることで、磁化固定層73の磁化の方向を固定する役割を果たす。複数の上部電極62は、複数のMR膜70上に設けられている。各上部電極62は細長い形状を有し、下部電極61の長手方向に隣接する2つの下部電極61上に配置され、隣接する2つのMR膜70の反強磁性層74同士を電気的に接続する。なお、MR膜70は、上部電極62側から順に自由層71、非磁性層72、磁化固定層73及び反強磁性層74が積層されてなる構成を有していてもよい。また、磁化固定層73を、強磁性層/非磁性中間層/強磁性層の積層フェリ構造とし、両強磁性層を反強磁性的に結合させてなる、いわゆるセルフピン止め型の固定層(Synthetic Ferri Pinned層,SFP層)とすることで、反強磁性層74が省略されていてもよい。
【0026】
TMR素子においては、非磁性層72はトンネルバリア層である。GMR素子においては、非磁性層72は非磁性導電層である。TMR素子、GMR素子において、自由層71の磁化の方向が磁化固定層73の磁化の方向に対してなす角度に応じて抵抗値が変化し、この角度が0°(互いの磁化方向が平行)のときに抵抗値が最小となり、180°(互いの磁化方向が反平行)のときに抵抗値が最大となる。
【0027】
本実施形態において、MR素子における積層方向(自由層71から反強磁性層74に向かう方向)は、基材2の第1面21に直交し(第1方向(X軸方向)に平行)、磁化固定層73の磁化方向(
図6B及び
図6Cに示される黒塗り矢印)は、第1方向(X軸方向)に直交する(Z軸方向に平行)。第1磁気検出素子部4Aにおける磁気検出素子の磁化固定層73の磁化方向と、第2磁気検出素子部4Bにおける磁化検出素子の磁化固定層73の磁化方向とは、互いに反平行である。イニシャル状態(基材2が変形していない(たわんでいない)状態)における自由層71の磁化方向(
図6B及び
図6Cに示される白抜き矢印)は、第2方向(Y軸方向)に実質的に平行である(
図6B及び
図6C参照)。本実施形態において、第1磁気検出部41は、当該第1磁気検出部41側からX軸方向に沿って見たときに、その近傍に位置する磁石3(N極)の幾何学的中心C
3からオフセットされた位置(例えば、Y軸方向にオフセットされた位置)に設けられている(
図6B参照)。第2磁気検出部42は、当該第2磁気検出部42側からX軸方向に沿って見たときに、その近傍に位置する磁石3(S極)の幾何学的中心C
3からオフセットされた位置(例えば、Y軸方向にオフセットされた位置)に設けられている(
図6C参照)。具体的には、第1磁気検出素子部4Aの中心と第2磁気検出素子部4Bの中心とを結ぶ線分上に磁石3の幾何学的中心C
3が位置していなければよい。第1磁気検出部41及び第2磁気検出部42が、それぞれ磁石3の幾何学的中心C
3からオフセットされた位置に設けられ、かつ磁化固定層73及び自由層71の磁化方向が上記方向であることで、基材2の変形(たわみ)方向及び変形(たわみ)量に関する第1センサ信号S1及び第2センサ信号S2が出力され得る。
図6Aにおける破線は、対向する2つの磁石3,3間の磁力線を表す。第1磁気検出部41及び第2磁気検出部42の磁石3の幾何学的中心C
3からのオフセット量は、磁石3から発生する磁場が第1磁気検出部41及び第2磁気検出部42に所望とする傾斜角度で印加され、基材2の変形(たわみ)方向及び変形(たわみ)量に関する第1センサ信号S1及び第2センサ信号S2が所望の信号強度で出力され得る範囲で適宜設定されればよい。なお、
図6B及び
図6Cにおいて、第1磁気検出部41及び第2磁気検出部42は、第1磁気検出素子部4A及び第2磁気検出素子部4BがZ軸方向に沿って並列し、Y軸方向にオフセットしているが、これに限定されるものではない。例えば、第1磁気検出素子部4Aの中心と第2磁気検出素子部4Bの中心とを結ぶ線分上に磁石3の幾何学的中心C
3が位置していない限りにおいて、Z軸方向にオフセットしていてもよいし、第1磁気検出素子部4A及び第2磁気検出素子部4BがY軸方向に沿って並列し、Y軸方向及び/又はZ軸方向にオフセットしていてもよい。
【0028】
例えば、基材2の第1面21が凹状に屈曲するように変形した場合、第1磁気検出部41においては、第1磁気検出素子部4Aの自由層71の磁化方向(
図7Bに示される白抜き矢印)が、磁化固定層73の磁化方向(
図7Bに示される黒塗り矢印)と平行に近付くように変化して抵抗値が小さくなるが、第2磁気検出素子部4Bの自由層71の磁化方向(
図7Bに示される白抜き矢印)はほぼ変化せずに抵抗値もほぼ変化しない。一方、第2磁気検出部42においては、第1磁気検出素子部4Aの自由層71の磁化方向(
図7Cに示される白抜き矢印)はほぼ変化せずに抵抗値もほぼ変化しないが、第2磁気検出素子部4Bの自由層71の磁化方向(
図7Cに示される白抜き矢印)は磁化固定層73の磁化方向(
図7Cに示される黒塗り矢印)と反平行に近付くように変化して抵抗値が大きくなる(
図7C参照)。これによる出力ポートEの電位差の変化としての第1センサ信号S1及び第2センサ信号S2が出力される。
図7Aにおける破線は、対向する2つの磁石3,3間の磁力線を表す。
【0029】
基材2の第2面22が凹状に屈曲するように変形した場合、第1磁気検出部41においては、第2磁気検出素子部4Bの自由層71の磁化方向が、磁化固定層73の磁化方向と平行に近付くように変化して抵抗値が小さくなるが、第1磁気検出素子部4Aの自由層71の磁化方向はほぼ変化せずに抵抗値もほぼ変化しない。一方、第2磁気検出部42においては、第2磁気検出素子部4Bの自由層71の磁化方向はほぼ変化せずに抵抗値もほぼ変化しないが、第1磁気検出素子部4Aの自由層71の磁化方向は磁化固定層の磁化方向と反平行に近付くように変化して抵抗値が大きくなる。これによる出力ポートEの電位差の変化としての第1センサ信号S1及び第2センサ信号S2が出力される。差分検出器6は、出力ポートE,Eの電位差に対応する信号をセンサ信号Sとして演算処理部5のA/D変換部51(
図3参照)に出力する。
【0030】
演算処理部5は、磁気検出部4から出力されるアナログ信号(センサ信号S)をデジタル信号に変換するA/D(アナログ−デジタル)変換部51と、A/D変換部51によりデジタル変換されたデジタル信号を演算処理する演算部52とを含む。演算部52による演算結果として、基材2の変形(たわみ)方向及び変形(たわみ)量に関する信号が出力され得る。
【0031】
A/D変換部51は、磁気検出部4から出力されるセンサ信号S(基材2の変形(たわみ)方向及び変形(たわみ)量に関するアナログ信号)をデジタル信号に変換し、当該デジタル信号が演算部52に入力される。演算部52は、A/D変換部51によりアナログ信号から変換されたデジタル信号についての演算処理を行う。この演算部52は、例えば、マイクロコンピュータ、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)等により構成される。
【0032】
上述したように、本実施形態において、基材2の第1面21が凹状に屈曲変形した場合と、凸状に屈曲変形した場合(第2面22が凹状に屈曲変形した場合)とにおいて、第1磁気検出素子部4Aへの印加磁場の方向と第2磁気検出素子部4Bへの印加磁場の方向とが相違する。それにより、出力ポートEの電位差に対応して出力されるセンサ信号Sの符号が相違する。よって、本実施形態に係る磁気センサ1によれば、基材2の屈曲変形(たわみ)の方向と屈曲変形(たわみ)の量とを精確に検出することができる。
【0033】
したがって、上述した構成を有する磁気センサ1は、基材2における隣接する2つの磁石3間で屈曲する変形(たわみ)方向及び変形(たわみ)量を直接的に検出することができるため、例えばコンバーチブル型PCのヒンジ部に内蔵させることで、ノートPCモードとタブレットモードとの切り替わりを検知するために利用することができ、当該コンバーチブル型PCの筐体に磁石や磁気センサ(磁気スイッチ)を内蔵させる必要がないために利便性を高めることができる。また、3個以上の磁石3を第1方向(X軸方向)に沿って並列させることで、2箇所以上で屈曲する変形(たわみ)方向及び変形(たわみ)量を検出することができるため、2箇所以上で屈曲変形するロボットアーム等を有する産業用ロボットやヘビ型ロボット等における形状制御に本実施形態に係る磁気センサ1を好適に用いることができる。
【0034】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【0035】
上記実施形態においては、可撓性を有する基材2の第1面21上に複数の磁石3及び複数の磁気検出部4が設けられている態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。磁石3及び磁気検出部4が設けられる基材2には、当該磁石3及び磁気検出部4が備えられる製品の部材等であってもよい。例えば、コンバーチブル型PCにおいて、ヒンジ等を挟んで対向させるようにしてディスプレイ側筐体(ディスプレイを有する筐体)及び本体側筐体(キーボード及びタッチパッドを有する筐体)のそれぞれに、磁石3及び磁気検出部4が設けられていてもよく、この場合におけるディスプレイ側筐体や本体側筐体が、上記実施形態における基材2として概念され得る。この場合において、磁石3及び磁気検出部4は、例えばリジッドな基板(シリコン基板等)に搭載された状態でディスプレイ側筐体や本体側筐体に設けられていればよい。また、例えば、第1アーム部と第2アーム部とが関節部を介して回動可能に接続されているロボットアームにおいて、関節部を挟んで対向させるようにして第1アーム部及び第2アーム部のそれぞれに、磁石3及び磁気検出部4が設けられていてもよく、この場合における第1アーム部や第2アーム部が、上記実施形態における基材2として概念され得る。この場合において、磁石3及び磁気検出部4は、例えばリジッドな基板(シリコン基板等)に搭載された状態で第1アーム部や第2アーム部に設けられていればよい。
【0036】
上記実施形態においては、可撓性を有する基材2の第1面21上に複数の磁石3及び複数の磁気検出部4が第1方向(X軸方向)に並列して設けられ、第1方向(X軸方向)に直交する方向(Y軸方向)を軸として屈曲するようにして変形する態様を例に挙げて説明したが(
図6及び
図7参照)、この態様に限定されるものではない。例えば、可撓性を有する管状の基材2内に複数の磁石3及び複数の磁気検出部4が並列して設けられていてもよいし、可撓性を有する柱状の基材2に複数の磁石3及び複数の磁気検出部4が並列するようにして内蔵されていてもよい。
【0037】
上記実施形態においては、複数の磁石3が、基材2の第1面21上に第1方向(X軸方向)に沿って並列する態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、基材2の第2面22にも複数の磁石3及び複数の磁気検出部4が設けられていてもよい。
【0038】
上記実施形態においては、各磁石3の磁極(N極又はS極)の近傍に1個の磁気検出部4が設けられている態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、
図8に示すように、各磁石3のN極の近傍に2個の第1磁気検出部41,41’がY軸方向に並列して設けられ、S極の近傍に2個の第2磁気検出部42,42’がY軸方向に並列して設けられていてもよい。この態様において、
図9に示すように、各磁石3のN極の近傍に設けられている一方の第1磁気検出部41における第1磁気検出素子部4A及び第2磁気検出素子部4Bの磁化固定層73の磁化方向(
図9に示す黒塗り矢印)と、他方の第1磁気検出部41’における第1磁気検出素子部4A及び第2磁気検出素子部4Bの磁化固定層73の磁化方向(
図9に示す黒塗り矢印)とを直交させるのが望ましい。また、各磁石3のS極の近傍に設けられている一方の第2磁気検出部42における第1磁気検出素子部4A及び第2磁気検出素子部4Bの磁化固定層73の磁化方向(
図9に示す黒塗り矢印)と、他方の第2磁気検出部42’における第1磁気検出素子部4A及び第2磁気検出素子部4Bの磁化固定層73の磁化方向(
図9に示す黒塗り矢印)とを直交させるのが望ましい。これにより、直交する2つの回転軸のそれぞれを中心として回動する機構(例えば人型ロボットのロボットアームにおける肩関節部のような水平方向の回転軸を中心とする上下方向への回動機構及びそれに直交する方向の回転軸を中心とする前後方向への回動機構等)において、例えば、第1磁気検出部41及び第2磁気検出素子部42の出力ポートE,Eの電位差(第1センサ信号S1及び第2センサ信号S2)に対応する信号として差分検出器6から出力されるセンサ信号Sに基づいて一方の回転軸を中心とする回動方向及び回動量(回転角度)を検知することができる。また、第1磁気検出部41’及び第2磁気検出素子部42’の出力ポートE,Eの電位差(第1センサ信号S1’及び第2センサ信号S2’)に対応する信号として差分検出器6’から出力されるセンサ信号S’に基づいて他方の回転軸を中心とする回動方向及び回動量(回転角度)を検知することができる。
【0039】
また、各磁石3のN極の近傍に2個の第1磁気検出部41,41’がX軸方向に並列して設けられ、S極の近傍に2個の第2磁気検出部42,42’がX軸方向に並列して設けられていてもよい。この場合において、この態様において、各磁石3のN極の近傍に設けられている一方の第1磁気検出部41における第1磁気検出素子部4A及び第2磁気検出素子部4Bの磁化固定層73の磁化方向と、他方の第1磁気検出部41’における第1磁気検出素子部4A及び第2磁気検出素子部4Bの磁化固定層73の磁化方向とを平行にし、各磁石3のS極の近傍に設けられている一方の第2磁気検出部42における第1磁気検出素子部4A及び第2磁気検出素子部4Bの磁化固定層73の磁化方向と、他方の第2磁気検出部42’における第1磁気検出素子部4A及び第2磁気検出素子部4Bの磁化固定層73の磁化方向とを平行にすればよい。これにより、センサ信号の信号強度を増大させることができる。
【0040】
上記実施形態においては、複数の磁石3が基材2の第1面21上に第1方向(X軸方向)に沿って並列する態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、複数の磁石3は、第1方向(X軸方向)に沿って並列する第1磁石群と、第1方向(X軸方向)に交差する方向である第2方向に沿って並列する第2磁石群とを含み、第2磁石群に含まれる複数の磁石は、第2方向に沿って磁極(N極及びS極)を位置させるようにして第1面21上に設けられていてもよい。
【0041】
より具体的には、
図10に示すように、磁気センサ1は、基材2の第1面21上において第1方向(X軸方向)に沿って並列する複数の磁石3(例えば2個の磁石3)を含む第1磁石群と、第1面21上において第1方向(X軸方向)に直交する第2方向(Y軸方向)に沿って並列する複数の磁石3(例えば2個の磁石3)を含む第2磁石群と、第1磁石群及び第2磁石群に含まれる各磁石3の磁極の近傍に位置する磁気検出部4とを備えていればよい。それに加え、第3方向(Z軸方向)に沿って並列する複数の磁石3(例えば2個の磁石3)を含む第3磁石群と、第3磁石群に含まれる各磁石3の磁極の近傍に位置する磁気検出部とをさらに備えていてもよい。
図10に示す態様によれば、第1方向(X軸方向)及び第2方向(Y軸方向)を軸とする屈曲変形(たわみ)方向及び屈曲変形(たわみ)量を検知することができる。
【0042】
また、
図11に示すように、磁気センサ1は、基材2の第1面21上において第1方向(X軸方向)に沿って並列する複数の磁石3を含む第1磁石群3Aと、第1面21上において第1方向に対しほぼ45度(45度±15度の範囲)の角度で傾斜して交差する第2方向に沿って並列する複数の磁石3を含む第2磁石群3Bと、第1面21上において第2方向に対しほぼ直交(90度±30度の範囲)する第3方向に沿って並列する複数の磁石3を含む第3磁石群3Cと、第1〜第3磁石群に含まれる各磁石3の磁極の近傍に位置する磁気検出部4(第1磁気検出部41及び第2磁気検出部42)とを備えていてもよい。
【0043】
図11に示す態様によれば、第1磁石群3Aの磁石3の近傍に位置する磁気検出部4により第1方向(X軸方向)に直交するY軸方向を軸とする屈曲変形(たわみ)方向及び屈曲変形(たわみ)量を検知することができるとともに、第2磁石群3Bの磁石3の近傍に位置する磁気検出部4、並びに第3磁石群3Cの磁石3の近傍に位置する磁気検出部4により第1方向(X軸方向)を軸とするねじれ変形方向及びねじれ変形量を検出することができる。したがって、例えば人型ロボットのロボットアームにおける肘関節部のような一方向(第1方向(X軸方向)に直交する方向)の回転軸を中心とする回動機構における回動方向及び回動量(回転角度)、並びにそれに直交する方向(第1方向(X軸方向))を軸とする捻れ機構等における捻れ方向及び捻れ量を検知することができる。