特許 6875811 パターン倒壊回復方法、基板処理方法および基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6875811

(24)【登録日】2021年4月27日

(45)【発行日】2021年5月26日

(54)【発明の名称】パターン倒壊回復方法、基板処理方法および基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20210517BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/304 645B

   H01L21/304 651M

【請求項の数】5

【全頁数】26

(21)【出願番号】特願2016-182122(P2016-182122)

(22)【出願日】2016年9月16日

(65)【公開番号】特開2018-46260(P2018-46260A)

(43)【公開日】2018年3月22日

【審査請求日】2019年6月24日

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】110002310

【氏名又は名称】特許業務法人あい特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】尾辻 正幸

【審査官】 平野 崇

(56)【参考文献】

【文献】 米国特許出願公開第２０１１／０１８３５２２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２００７−２２７７６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１１／１６１７９７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１１−１５１１１４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板の表面に形成されたパターンであって倒壊しているパターンを回復させる方法であって、
前記基板の前記表面に、前記表面に介在している生成物と反応可能な反応気体を供給する反応気体供給工程を含み、
前記反応気体供給工程が、前記基板の前記表面に、フッ化水素を含む蒸気を供給するフッ化水素蒸気供給工程を含み、
前記フッ化水素蒸気供給工程の後、前記基板の前記表面に、水の沸点よりも高い温度を有する過熱水蒸気を供給する過熱水蒸気供給工程をさらに含み、
前記反応気体供給工程は、前記基板の前記表面に、オゾンガスを含む気体を供給するオゾンガス供給工程をさらに含む、パターン倒壊回復方法。

【請求項2】

前記フッ化水素蒸気供給工程と並行して、前記基板を、１０９℃を超え１３０℃以下に加熱する基板加熱工程をさらに含む、請求項１に記載のパターン倒壊回復方法。

【請求項3】

基板の表面に形成されたパターンであって倒壊しているパターンを回復させる方法であって、
前記基板の前記表面に、前記表面に介在している生成物と反応可能な反応気体を供給する反応気体供給工程を含み、
前記反応気体供給工程は、前記基板の前記表面に、オゾンガスを含む気体を供給するオゾンガス供給工程を含む、パターン倒壊回復方法。

【請求項4】

表面にパターンが形成された基板を処理する方法であって、
前記基板の前記表面に処理液を供給する処理液供給工程と、
前記処理液供給工程の後、前記基板を高速で回転させて振り切り乾燥させるスピンドライ工程と、
前記スピンドライ工程の後に実行され、請求項１〜３のいずれか一項に記載のパターン倒壊回復方法を用いて、倒壊した前記パターンを回復させるパターン回復工程とを含む、基板処理方法。

【請求項5】

表面にパターンが形成された基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板を、その中央部を通る回転軸線周りに回転させる回転ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面に、処理液を供給するための処理液供給ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面に、当該表面に介在している生成物と反応可能な反応気体を供給するための反応気体供給ユニットと、
前記回転ユニット、前記処理液供給ユニットおよび前記反応気体供給ユニットを制御する制御装置とを含み、
前記制御装置は、
前記基板の前記表面に処理液を供給する処理液供給工程と、
前記処理液供給工程の後、前記基板を高速で回転させて振り切り乾燥させるスピンドライ工程と、
前記スピンドライ工程の後に実行され、請求項１〜３のいずれか一項に記載のパターン倒壊回復方法を用いて、前記パターンのうち倒壊したパターンを回復させるパターン回復工程とを実行する、基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この発明は、パターン倒壊回復方法、基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ等の基板の表面が、薬液やリンス液等の処理液を用いて処理される。
たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転される基板の上面に処理液を供給するノズルとを備えている。

【0003】

典型的な基板処理工程では、スピンチャックに保持された基板に対して薬液が供給され、その後にリンス液が供給されることにより、基板上の薬液がリンス液に置換される。一般的なリンス液は脱イオン水である。
その後、基板上のリンス液を排除するために、乾燥工程が実行される。乾燥工程としては、基板を高速で回転させて振り切り乾燥させるスピンドライ工程が知られている。

【0004】

しかし、基板の表面に形成されている凸状パターン、ライン状パターンなどのパターンが、乾燥工程で、リンス液が有する表面張力などに起因して、倒壊するおそれがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００８−１９８７４１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本願発明者らは、スピンドライ工程において倒壊したパターンを、その後に、回復させることを検討している。
そこで、この発明の一つの目的は、倒壊しているパターンを回復させることができるパターン倒壊方法、基板処理方法および基板処理装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

この発明の一実施形態は、基板の表面に形成されたパターンであって倒壊しているパターンを回復させる方法であって、前記基板の前記表面に、前記表面に介在している生成物と反応可能な反応気体を供給する反応気体供給工程を含む、パターン倒壊回復方法を提供する。
本願発明者は、以下の知見を見出した。すなわち、弾性を有しているパターンに倒壊が生じた場合、倒壊したパターンには、パターン自身が持つ弾性によって起立（回復）しようとする力が、ある程度働く。

【0008】

しかしながら、実際には、パターンが弾性を有していても、倒壊状態は維持される。本願発明者は、倒壊状態が維持される要因の一つとして、隣接するパターンが倒壊してその先端部同士が互いに接触し、互いに接触する先端部同士が、基板処理に伴って発生する生成物によって接着されると考えている。
この方法によれば、基板の表面に、その表面に介在している生成物と反応可能な反応気体が供給される。倒壊しているパターンの先端部同士が前記生成物によって接着されている場合には、基板の表面に供給された反応気体が、倒壊しているパターンの先端部同士を接着している生成物（以下、「生成接着物」という。）と反応し、この反応により生成接着物が分解される。これにより、パターンの先端部から生成接着物を除去することが可能である。

【0009】

パターンの先端部から生成接着物が除去されることにより、倒壊しているパターンに対し、パターン自身が持つ弾性によって起立（回復）しようとする力が働く。これにより、倒壊しているパターンを回復させることができる。
この発明の一実施形態では、前記反応気体供給工程は、前記基板の前記表面に、フッ化水素を含む蒸気を供給するフッ化水素蒸気供給工程を含む。

【0010】

基板としてシリコン基板を用いる場合等において、基板の表面にシリコン酸化物が介在していることがある。この場合には、倒壊しているパターンの先端部同士を接着する生成接着物は、主として、シリコン酸化物を含むと考えられる。
この方法によれば、基板の表面に、フッ化水素を含む蒸気が供給される。式（１）に示すように、フッ化水素はシリコン酸化物と反応し、Ｈ_２ＳｉＦ_６と水とに分解する。
ＳｉＯ_２＋６ＨＦ→Ｈ_２ＳｉＦ_６＋２Ｈ_２Ｏ ・・・（１）
そのため、倒壊しているパターンの先端部同士がシリコン酸化物によって接着されている場合には、基板の表面に供給されたフッ化水素を含む蒸気が、シリコン酸化物を含む生成接着物と反応して分解される。これにより、パターンの先端部から生成接着物を除去することが可能である。

【0011】

パターンの先端部から生成接着物が除去されることにより、倒壊しているパターンに対し、パターン自身が持つ弾性によって起立（回復）しようとする力が働く。これにより、倒壊しているパターンを回復させることができる。
この発明の一実施形態では、前記パターン倒壊回復方法が、前記フッ化水素蒸気供給工程と並行して、前記基板を加熱する基板加熱工程をさらに含む。

【0012】

フッ化水素がシリコン酸化物と反応することにより、残渣（たとえばＨ_２ＳｉＦ_６の残渣）が生成されるおそれがある。
この方法によれば、基板に対するフッ化水素を含む蒸気の供給に並行して、基板が加熱される。これにより、残渣を蒸発させて、基板の表面から除去することができる。
基板の表面の加熱温度は、たとえば、Ｈ_２ＳｉＦ_６の沸点（約１０９℃）よりも高温に設けられる。

【0013】

また、基板加熱工程における基板の加熱温度が１３０℃以下であってもよい。
この発明の一実施形態では、前記パターン倒壊回復方法が、前記フッ化水素蒸気供給工程の後、前記基板の前記表面に、水蒸気を供給する水蒸気供給工程をさらに含む。
フッ化水素蒸気供給工程後の基板の表面には、フッ素が残留しているおそれがある。
この方法によれば、フッ化水素蒸気供給工程の後、基板の表面に、水蒸気が供給される。水蒸気はフッ素と良好に反応するため、基板の表面に在留していたフッ素は、基板の表面に供給される水蒸気によって除去される。これにより、フッ素の残留を生じさせることなく、倒壊しているパターンを回復させることができる。

【0014】

この発明の一実施形態では、前記反応気体供給工程は、前記基板の前記表面に、オゾンガスを含む気体を供給するオゾンガス供給工程を含む。
この方法によれば、基板の表面に、オゾンガスを含む気体が供給される。基板処理に用いられる処理液の種類によっては、基板の表面に有機物が介在していることがある。この場合、倒壊しているパターンの先端部同士を接着する生成接着物は、主として、有機物を含むと考えられる。

【0015】

オゾンガスは有機物と反応する。そのため、倒壊しているパターンの先端部同士が有機物によって接着されている場合には、基板の表面に供給されたフッ化水素を含む蒸気が、有機物を含む生成接着物と反応して分解され、これにより、生成接着物がパターンの先端部から除去される。
パターンの先端部から生成接着物が除去されると、倒壊しているパターンに対し、パターン自身が持つ弾性によって起立（回復）しようとする力が働く。これにより、倒壊しているパターンを回復させることができる。

【0016】

この発明の一実施形態は、表面にパターンが形成された基板を処理する方法であって、前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給工程と、前記処理液供給工程の後、前記基板を高速で回転させて振り切り乾燥させるスピンドライ工程と、前記スピンドライ工程の後に実行されるパターン倒壊回復方法であって、前記基板の前記表面に、前記表面に介在している生成物と反応可能な反応気体を供給する反応気体供給工程を含むパターン倒壊回復方法を用いて、倒壊した前記パターンを回復させるパターン回復工程とを含む、基板処理方法を提供する。

【0017】

この方法によれば、基板の表面に、その表面に介在している生成物と反応可能な反応気体が供給される。倒壊しているパターンの先端部同士が前記生成物によって接着されている場合には、基板の表面に供給された反応気体が生成接着物と反応し、この反応により生成接着物が分解される。これにより、パターンの先端部から生成接着物を除去することが可能である。

パターンの先端部から生成接着物が除去されると、倒壊しているパターンに対し、パターン自身が持つ弾性によって起立（回復）しようとする力が働く。これにより、パターン回復工程において、倒壊しているパターンを回復させることができる。

【0018】

また、パターン回復工程は、スピンドライ工程後に実行される。基板処理時のスピンドライ工程において、基板の表面に形成されているパターンが倒壊した場合であっても、その倒壊したパターンを、その後に実行されるパターン回復工程において回復させることができる。
この発明の一実施形態は、表面にパターンが形成された基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板を、その中央部を通る回転軸線周りに回転させる回転ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面に、処理液を供給するための処理液供給ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板の表面に、当該表面に介在している生成物と反応可能な反応気体を供給するための反応気体供給ユニットと、前記回転ユニット、前記処理液供給ユニットおよび前記反応気体供給ユニットを制御する制御装置とを含み、前記制御装置は、前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給工程と、前記処理液供給工程の後、前記基板を高速で回転させて振り切り乾燥させるスピンドライ工程と、前記スピンドライ工程の後に実行されるパターン倒壊回復方法であって、前記基板の前記表面に、前記表面に介在している生成物と反応可能な反応気体を供給する反応気体供給工程を含むパターン倒壊回復方法を用いて、前記パターンのうち倒壊したパターンを回復させるパターン回復工程とを実行する、基板処理装置を提供する。

【0019】

この構成によれば、パターン回復工程において、基板の表面に、その表面に介在している生成物と反応可能な反応気体が供給される。倒壊しているパターンの先端部同士が前記生成物によって接着されている場合には、基板の表面に供給された反応気体が生成接着物と反応し、この反応により生成接着物がパターンの先端部から除去される。
パターンの先端部から生成接着物が除去されると、倒壊しているパターンに対し、パターン自身が持つ弾性によって起立（回復）しようとする力が働く。これにより、パターン回復工程において、倒壊しているパターンを回復させることができる。

【0020】

また、パターン回復工程は、スピンドライ工程後に実行される。基板処理時のスピンドライ工程において、基板の表面に形成されているパターンが倒壊した場合であっても、その倒壊したパターンを、その後に実行されるパターン回復工程において回復させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための平面図である。

【図2】図２は、前記基板処理装置に備えられた液処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。

【図3】図３は、前記基板処理装置に備えられた回復処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。

【図4】図４は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。

【図5A】図５Ａは、前記基板処理装置によって実行される第１の基板処理例を説明するための流れ図である。

【図5B】図５Ｂは、前記基板処理装置によって実行される第１の基板処理例を説明するための流れ図である。

【図6A-6C】図６Ａ〜６Ｃは、パターンの倒壊を説明するための図解的な図である。

【図7A-7B】図７Ａ，７Ｂは、倒壊しているパターンの回復を説明するための図解的な図である。

【図8】図８は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための平面図である。

【図9】図９は、前記基板処理装置に備えられた回復処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。

【図10】図１０は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。

【図11】図１１は、前記基板処理装置によって実行される第２の基板処理例を説明するための流れ図である。

【図12】図１２は、本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置の回復処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。

【図13】図１３は、第１の回復試験の結果を示す図である。

【図14A-14B】図１４Ａ，１４Ｂは、第１の回復試験の結果を説明するための画像図である。

【図15】図１５は、第２の回復試験の結果を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置１の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを、処理液や処理ガスによって一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１の処理対象の基板Ｗには、表面にパターンが形成されている。基板処理装置１は、基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。搬送ロボットＩＲおよび基板搬送ロボットＣＲは、制御装置３によって制御される。搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣと基板搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。基板搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、基板Ｗの表面（パターン形成面）に処理液を供給して、基板Ｗを処理液で処理する液処理ユニット２Ａと、液処理ユニット２Ａによる処理の結果倒壊したパターンを回復させる回復処理ユニット２Ｂとを含む。

【0023】

図２は、基板処理装置１に備えられた液処理ユニット２Ａの構成例を説明するための図解的な断面図である。
液処理ユニット２Ａは、洗浄薬液またはエッチング液を用いて基板Ｗを処理する。液処理ユニット２Ａは、箱形の第１のチャンバ４と、第１のチャンバ４内で、基板Ｗを水平に保持しながら基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持ユニット、回転ユニット）５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に薬液を供給するための薬液供給ユニット（処理液供給ユニット）６と、基板Ｗの上面にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット（処理液供給ユニット）７と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に、水よりも低い表面張力を有する有機溶剤の液体を供給するための有機溶剤供給ユニット（処理液供給ユニット）８と、スピンチャック５を取り囲む筒状の処理カップ９とを含む。

【0024】

スピンチャック５として、基板Ｗを水平方向に挟んで基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。具体的には、スピンチャック５は、スピンモータ１０と、このスピンモータ１０の駆動軸と一体化されたスピン軸１１と、スピン軸１１の上端に略水平に取り付けられた円板状のスピンベース１２とを含む。
スピンベース１２の上面には、その周縁部に複数個（３個以上。たとえば６個）の挟持部材１３が配置されている。複数個の挟持部材１３は、スピンベース１２の上面周縁部において、基板Ｗの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。

【0025】

また、スピンチャック５としては、挟持式のものに限らず、たとえば、基板Ｗの裏面を真空吸着することにより、基板Ｗを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、スピンチャック５に保持されている基板Ｗを回転させる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
薬液供給ユニット６は薬液ノズル１４を含む。薬液ノズル１４は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック５の上方で、その吐出口を基板Ｗの上面の中央部に向けて固定的に配置されている。薬液ノズル１４には、薬液供給源からの薬液が供給される薬液配管１５が接続されている。薬液配管１５の途中部には、薬液ノズル１４からの薬液の供給／供給停止を切り換えるための薬液バルブ１６が介装されている。薬液バルブ１６が開かれると、薬液配管１５から薬液ノズル１４に供給された連続流の薬液が、薬液ノズル１４の下端に設定された吐出口から吐出される。また、薬液バルブ１６が閉じられると、薬液配管１５から薬液ノズル１４への薬液の供給が停止される。薬液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、有機溶剤（たとえば、ＩＰＡ：イソプロピルアルコールなど）、および界面活性剤、腐食防止剤の少なくとも１つを含む液である。

【0026】

リンス液供給ユニット７はリンス液ノズル１７を含む。リンス液ノズル１７は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック５の上方で、その吐出口を基板Ｗの上面の中央部に向けて固定的に配置されている。リンス液ノズル１７には、リンス液供給源からのリンス液が供給されるリンス液配管１８が接続されている。リンス液配管１８の途中部には、リンス液ノズル１７からのリンス液の供給／供給停止を切り換えるためのリンス液バルブ１９が介装されている。リンス液バルブ１９が開かれると、リンス液配管１８からリンス液ノズル１７に供給された連続流のリンス液が、リンス液ノズル１７の下端に設定された吐出口から吐出される。また、リンス液バルブ１９が閉じられると、リンス液配管１８からリンス液ノズル１７へのリンス液の供給が停止される。リンス液は、たとえば脱イオン水（ＤＩＷ）である。ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。

【0027】

有機溶剤供給ユニット８は有機溶剤ノズル２０を含む。有機溶剤ノズル２０は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック５の上方で、その吐出口を基板Ｗの上面の中央部に向けて固定的に配置されている。有機溶剤ノズル２０には、有機溶剤供給源からの液体の有機溶剤が供給される有機溶剤配管２１が接続されている。有機溶剤配管２１の途中部には、有機溶剤ノズル２０からの有機溶剤の供給／供給停止を切り換えるための有機溶剤バルブ２２が介装されている。有機溶剤バルブ２２が開かれると、有機溶剤配管２１から有機溶剤ノズル２０に供給された連続流の有機溶剤が、有機溶剤ノズル２０の下端に設定された吐出口から吐出される。また、有機溶剤バルブ２２が閉じられると、有機溶剤配管２１から有機溶剤ノズル２０への液体の有機溶剤の供給が停止される。液体の有機溶剤は、たとえばイソプロピルアルコール（isopropyl alcohol：ＩＰＡ）である。液体の有機溶剤は、ＩＰＡのほかにも、メタノール、エタノール、アセトン、ＨＥＦ（ハイドルフルオロエーテル）を例示できる。これらは、いずれも水（ＤＩＷ）よりも表面張力が小さい有機溶剤である。

【0028】

また、薬液ノズル１４、リンス液ノズル１７および有機溶剤ノズル２０は、それぞれ、スピンチャック５に対して固定的に配置されている必要はなく、たとえば、スピンチャック５の上方において水平面内で揺動可能なアームに取り付けられて、このアームの揺動により基板Ｗの上面における処理液の着液位置がスキャンされる、いわゆるスキャンノズルの形態が採用されてもよい。

【0029】

第１のチャンバ４の側方の隔壁には、基板Ｗを搬入／搬出するための搬出入口２３が形成されている。液処理ユニット２Ａは、搬出入口２３を開閉するシャッタ２４と、シャッタ２４を開閉駆動するための、シリンダ等を含むシャッタ開閉ユニット２５とをさらに含む。
図３は、基板処理装置１に備えられた回復処理ユニット２Ｂの構成例を説明するための図解的な断面図である。

【0030】

回復処理ユニット２Ｂは、反応気体（基板Ｗの表面に介在している生成物と反応可能な反応気体）を、基板Ｗの表面に供給して、パターンを回復させる。回復処理ユニット２Ｂは、反応気体として、フッ化水素（ＨＦ）を含む蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ。以下、「フッ化水素蒸気」という）を用いる。
回復処理ユニット２Ｂは、たとえば筒状（円筒状）の第２のチャンバ２８と、第２のチャンバ２８内に収容され、保持プレート３１を含む基板保持ユニット３２と、保持プレート３１に保持されている基板Ｗの上面にフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）を供給するためのフッ化水素蒸気供給ユニット（反応気体供給ユニット）３３と、保持プレート３１に保持されている基板Ｗの上面に水蒸気を供給するための水蒸気供給ユニット３４とを含む。

【0031】

第２のチャンバ２８は、周壁３９と、上下に対向する上壁４０および底壁４１とを含む。第２のチャンバ２８は、蒸気を用いて基板Ｗを処理する蒸気処理チャンバ（Ｖａｐｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｈａｍｂｅｒ：ＶＰＣ）である。
保持プレート３１の内部には、保持プレート３１に保持された基板Ｗを加熱するためのヒータ４２が埋設されている。ヒータ４２の発熱により保持プレート３１の上面が温められる。すなわち、保持プレート３１は、ホットプレートとして機能し、基板Ｗを下方から保持すると共に、保持対象の基板Ｗを下方から加熱する（基板加熱工程）。

【0032】

基板保持ユニット３２は、保持プレート３１に対して基板Ｗを昇降させる複数本（たとえば、３本）のリフトピン３６と、複数本のリフトピン３６を支持する共通の支持部材３７と、支持部材３７に結合された、シリンダを含むリフトピン昇降ユニット３８とをさらに含む。
保持プレート３１は、鉛直方向に延びる回転軸５７の上端に固定されている。回転軸５７には、回転軸５７の中心軸線と一致する回転軸線Ａ２まわりに回転軸５７を回転させるスピンモータ５８が結合されている。

【0033】

複数本のリフトピン３６は、第２のチャンバ２８の底壁４１に挿通され、第２のチャンバ２８外において支持部材３７に支持されている。リフトピン昇降ユニット３８は、複数本のリフトピン３６の先端が保持プレート３１の上方に突出する上位置（たとえば、基板搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗの受け渡しが可能な位置。図３に二点鎖線にて図示）と、複数本のリフトピン３６の先端が保持プレート３１の下方に退避する下位置（図３に実線にて図示）との間で、複数本のリフトピン３６を一体的に昇降させる。

【0034】

また、第２のチャンバ２８の周壁３９には、第２のチャンバ２８内に対する基板Ｗの搬入／搬出のための搬出入口４３が形成されている。周壁３９の外側には、搬出入口４３を開閉するシャッタ４４が設けられている。シャッタ４４には、シリンダ等を含むシャッタ開閉ユニット４５が結合されている。シャッタ開閉ユニット４５は、シャッタ４４が搬出入口４３を密閉する閉位置と、搬出入口４３を開位置との間で、シャッタ４４を移動させる。

【0035】

図３に示すように、フッ化水素蒸気供給ユニット３３は、第２のチャンバ２８の上壁４０に設けられたフッ化水素蒸気導入配管４６を含む。フッ化水素蒸気導入配管４６には、フッ化水素蒸気供給源からのフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）が供給される。フッ化水素蒸気導入配管４６に供給されるフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）は、キャリアガス（たとえば、窒素ガス等の不活性ガス）を含むものであってもよい。フッ化水素蒸気導入配管４６は、上壁４０を貫通し、フッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）を第２のチャンバ２８内に導入する。フッ化水素蒸気供給ユニット３３は、フッ化水素蒸気導入配管４６を開閉するフッ化水素蒸気バルブ４７をさらに含む。

【0036】

水蒸気供給ユニット３４は、第２のチャンバ２８の上壁４０に設けられた水蒸気導入配管４８を含む。水蒸気導入配管４８には、水蒸気供給源からの水蒸気が供給される。水蒸気導入配管４８に供給される水の蒸気は、キャリアガス（たとえば、窒素ガス等の不活性ガス）を含むものであってもよい。水蒸気導入配管４８は、上壁４０を貫通し、水蒸気を第２のチャンバ２８内に導入する。水蒸気導入配管４８から第２のチャンバ２８内に導入される水蒸気は、水の沸点以上の温度（たとえば約１４０℃）を有する過熱水蒸気であることが好ましい。水蒸気供給ユニット３４は、水蒸気導入配管４８を開閉する水蒸気バルブ４９をさらに含む。

【0037】

第２のチャンバ２８の内部において、上壁４０と保持プレート３１との間には、水平に沿う整流板５０が配置されている。整流板５０には、第２のチャンバ２８の内部に対向する多数の吐出孔５１が形成されている。上壁４０と整流板５０との間には、第２のチャンバ２８の内部に供給される気体（フッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）や水蒸気）が拡散するための拡散空間が区画されている。

【0038】

フッ化水素蒸気バルブ４７が開かれると、フッ化水素蒸気導入配管４６からのフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）が、第２のチャンバ２８の内部に供給される。フッ化水素蒸気導入配管４６からのフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）は、整流板５０の多数の吐出孔５１から分散して吐出され、第２のチャンバ２８内において、上壁４０の内面と平行な面内でほぼ均一な流速となるシャワー状をなし、保持プレート３１に保持されている基板Ｗに降りかかる。

【0039】

また、水蒸気バルブ４９が開かれると、水蒸気導入配管４８からの水蒸気が、第２のチャンバ２８の内部に供給される。水蒸気導入配管４８からの水蒸気は、整流板５０の多数の吐出孔５１から分散して吐出され、第２のチャンバ２８内において、上壁４０の内面と平行な面内でほぼ均一な流速となるシャワー状をなし、保持プレート３１に保持されている基板Ｗに降りかかる。

【0040】

また、第２のチャンバ２８のたとえば周壁３９には、不活性ガスの一例である窒素ガスを第２のチャンバ２８内に導入する不活性ガス導入配管５３が設けられている。不活性ガス導入配管５３には、不活性ガスバルブ５２を介して不活性ガスが供給される。不活性ガス導入配管５３は、たとえば上壁に設けられていてもよい。
また、第２のチャンバ２８の底壁４１には、排気口５４が形成されている。排気口５４には、先端が排気源（図示せず）に接続された排気配管５５の基端が接続されている。排気配管５５の途中部には、排気バルブ５６が介装されている。排気バルブ５６が開かれると、第２のチャンバ２８内の雰囲気が排気口５４から排気され、排気バルブ５６が閉じられると、排気口５４からの排気が停止される。

【0041】

図４は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置３はＣＰＵ等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニットを有している。記憶ユニットには、演算ユニットが実行するプログラムが記憶されている。

【0042】

また、制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ１０、シャッタ開閉ユニット２５、スピンモータ５８、リフトピン昇降ユニット３８、シャッタ開閉ユニット４５、ヒータ４２等の動作を制御する。また、制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、薬液バルブ１６、リンス液バルブ１９、有機溶剤バルブ２２、フッ化水素蒸気バルブ４７、水蒸気バルブ４９、不活性ガスバルブ５２、排気バルブ５６等を開閉する。

【0043】

図５Ａ，５Ｂは、基板処理装置１（液処理ユニット２Ａおよび回復処理ユニット２Ｂ）によって実行される第１の基板処理例を説明するための流れ図である。図６Ａ〜６Ｃは、パターン６２の倒壊を説明するための図解的な図である。図７Ａ，７Ｂは、倒壊しているパターン６２の回復を説明するための図解的な図である。
以下、図１〜図５Ｂを参照しながら、第１の基板処理例について説明する。図６Ａ〜６Ｃおよび図７Ａ，７Ｂについては適宜参照する。基板処理装置１によって第１の基板処理例が施されるときには、先ず、液処理ユニット２Ａによって基板Ｗに液処理が施され、その後、回復処理ユニット２Ｂによって基板Ｗに回復処理が施される。液処理ユニット２Ａによって基板Ｗに施される液処理は、洗浄処理またはエッチング処理である。

【0044】

まず、液処理ユニット２Ａによる基板Ｗに対する液処理について説明する。液処理ユニット２Ａによる液処理が実行されるときには、未洗浄の基板Ｗが、第１のチャンバ４の内部に搬入される（図５ＡのステップＳ１）。
具体的には、制御装置３は、基板Ｗを保持している基板搬送ロボットＣＲ（図１参照）のハンドＨ１（図１参照）を第１のチャンバ４の内部に進入させる。これにより、基板Ｗが、その表面（処理対象面）を上方に向けた状態でスピンチャック５に受け渡される。その後、スピンチャック５に基板Ｗが保持される。第１のチャンバ４の内部に搬入される基板Ｗは、図６Ａ等に示すように、たとえばシリコン（Ｓｉ）基板６１（半導体基板の一例）の表面に、微細なパターン（薄膜パターン）６２を形成したものである。パターン６２は、たとえば、線幅Ｗ１が１０ｎｍ〜４５ｎｍ程度、隣接するパターン間の間隔Ｗ２が１０ｎｍ〜数μｍ程度で形成されていてもよい。パターン６２を形成する構造体の膜厚Ｔは、たとえば、５０ｎｍ〜５μｍ程度である。また、この構造体は、たとえば、アスペクト比（線幅Ｗ１に対する膜厚Ｔの比）が、たとえば、５〜５００程度であってもよい。

【0045】

スピンチャック５に基板Ｗが保持された後、制御装置３はスピンモータ１０（図２参照）を制御して、基板Ｗを回転開始させる（図５ＡのステップＳ２）。
基板Ｗの回転が、予め定める液処理速度（たとえば約８００ｒｐｍ）に達すると、制御装置３は、基板Ｗの表面に薬液を供給する薬液工程（図５ＡのステップＳ３）を実行する。具体的には、制御装置３は、薬液バルブ１６を開く。それにより、回転状態の基板Ｗの表面に向けて、薬液ノズル１４から薬液が供給される。供給された薬液は遠心力によって基板Ｗの全面に行き渡り、基板Ｗに薬液を用いた薬液処理が施される。薬液の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、薬液バルブ１６を閉じて、薬液ノズル１４からの薬液の吐出を停止する。これにより、薬液工程（Ｓ３）が終了する。

【0046】

次いで、制御装置３は、基板Ｗ上の薬液をリンス液に置換して基板Ｗ上から薬液を排除するためのリンス工程（図５ＡのステップＳ４）を実行する。具体的には、制御装置３は、リンス液バルブ１９を開く。それにより、回転状態の基板Ｗの表面に向けて、リンス液ノズル１７からリンス液が吐出される。吐出されたリンス液は遠心力によって基板Ｗの全面に行き渡る。このリンス液によって、基板Ｗ上に付着している薬液が洗い流される。

【0047】

リンス液の供給開始から予め定める期間が経過すると、基板Ｗの上面全域がリンス液に覆われている状態で、制御装置３は、スピンモータ１０を制御して、基板Ｗの回転速度を液処理速度からパドル速度（零または約４０ｒｐｍ以下の低回転速度。たとえば約１０ｒｐｍ）まで段階的に減速させる。その後、基板Ｗの回転速度をパドル速度に維持する。これにより、図６Ａに示すように、基板Ｗの表面に、基板Ｗの上面全域を覆う水の液膜がパドル状に保持される。

【0048】

次いで、基板Ｗ上のリンス液が、より表面張力の低い低表面張力液である有機溶剤に置換される（図５ＡのステップＳ５）。具体的には、制御装置３は、有機溶剤バルブ２２を開いて、基板Ｗの表面に向けて有機溶剤ノズル２０から液体の有機溶剤（たとえばＩＰＡ）を吐出する。これにより、基板Ｗの表面に形成された液膜に含まれるリンス液が有機溶剤に置換され、基板Ｗの表面に、（パドル状の）有機溶剤の液膜が形成される。基板Ｗの上面上のリンス液が有機溶剤に置換された後、制御装置３は、有機溶剤バルブ２２を閉じて、有機溶剤ノズル２０からの有機溶剤の吐出を停止する。

【0049】

その後、制御装置３は、スピンドライ工程（図５ＡのステップＳ６）を実行する。具体的には、制御装置３は、液処理速度よりも大きい所定のスピンドライ速度（たとえば約１０００ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、そのスピンドライ速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。

【0050】

基板Ｗの高速回転の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１０を制御して、スピンチャック５による基板Ｗに対する回転を停止させる（図５ＡのステップＳ７）。
その後、第１のチャンバ４内から基板Ｗが搬出される（図５ＡのステップＳ８）。具体的には、制御装置３は、基板搬送ロボットＣＲのハンドＨ１を第１のチャンバ４の内部に進入させる。そして、制御装置３は、基板搬送ロボットＣＲのハンドＨ１にスピンチャック５上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置３は、基板搬送ロボットＣＲのハンドＨ１をチャンバ４内から退避させる。これにより、液処理後の基板Ｗが第１のチャンバ４から搬出される。

【0051】

液処理ユニット２Ａによるスピンドライ工程（Ｓ６）では、パターン６２の倒壊が発生することが考えられる。スピンドライ工程（Ｓ６）では、図６Ａに示すように、パターン６２内に有機溶剤の液面（空気と液体との界面）が形成され、液面とパターン６２との接触位置に、有機溶剤の表面張力が働く。このとき、パターン６２の間に入り込んだ有機溶剤の液面高さＨが基板Ｗの各所で不均一になっており、そのため、パターン６２の周囲に存在する有機溶剤の液面高さＨが、パターン６２を形成する構造体の全周に関してばらついていると考えられる。そのため、パターン６２に作用する有機溶剤の液体の表面張力（毛細管力）が、当該パターン６２の全周に関して釣り合わず、パターン６２は、大きい表面張力が作用する方向へ倒れる。これにより、図６Ｂに示すように、パターン６２の倒壊が生じる。

【0052】

一方、パターン６２は弾性を有しており、この場合には、パターン６２に倒壊が生じた場合であっても、倒壊したパターン６２には、パターン自身が持つ弾性によって起立（回復）しようとする力が、ある程度働く。
パターン６２が弾性を有していても倒壊状態が維持されることが多い。この要因の一つとして、本願発明者は、図６Ｃに示すように、隣接するパターン６２が倒壊してその先端部６２ａ同士が互いに接触し、互いに接触する先端部６２ａ同士が、液処理ユニット２Ａによる液処理に伴って発生する生成接着物６３によって接着され、これにより、パターン６２の起立が阻害されていると考えている。そして、パターン６２の倒壊状態が長期間保たれることにより、そのパターン６２に倒壊形状が記憶されて、倒壊状態が維持されると考えている。この実施形態のように、基板としてシリコン基板６１を用いる場合には、生成接着物６３は、主として、シリコン酸化物を含むと考えられる。生成接着物６３は、シリコン酸化物に加えて／代えて、酸化チタン（ＴｉＯ_２）を含んでいてもよい。

【0053】

次に、回復処理ユニット２Ｂによる基板Ｗに対する回復処理（パターン回復工程）について説明する。回復処理ユニット２Ｂによる回復処理が実行されるときには、液処理ユニット２Ａによって液処理された後の基板Ｗが、第２のチャンバ２８の内部に搬入される（図５ＢのステップＳ９）。回復処理ユニット２Ｂ内への基板Ｗの搬入に先立ち、制御装置３はシャッタ開閉ユニット４５を制御してシャッタ４４を開位置まで移動させ、これにより、搬出入口４３が開放される。また、回復処理ユニット２Ｂ内への基板Ｗの搬入に先立ち、制御装置３はリフトピン昇降ユニット３８を制御して、リフトピン３６を、その先端が保持プレート３１の上方に突出する位置に配置させる。

【0054】

具体的には、制御装置３は、基板Ｗを保持している基板搬送ロボットＣＲ（図１参照）のハンドＨ１（図１参照）を第２のチャンバ２８の内部に進入させる。これにより、基板Ｗが、その表面（処理対象面）を上方に向けた状態で基板保持ユニット３２に受け渡される。第２のチャンバ２８内に搬入された基板Ｗは、ハンドＨ１によってリフトピン３６上に載置される。その後、制御装置３は、リフトピン昇降ユニット３８を制御して、リフトピン３６を下位置に向けて下降させる。このリフトピン３６の下降により、リフトピン３６上の基板Ｗが保持プレート３１上に移載される。そして、基板Ｗの下面と保持プレート３１の上面との間に生じる摩擦力により、基板Ｗが保持プレート３１に保持される。

【0055】

リフトピン３６上への基板Ｗの載置後、制御装置３は、第２のチャンバ２８内からハンドＨ１を退避させる。ハンドＨ１が第２のチャンバ２８内から退避した後は、制御装置３は、シャッタ開閉ユニット４５を制御して、シャッタ４４を閉位置まで移動させ、これにより、搬出入口４３がシャッタ４４により密閉され、第２のチャンバ２８内は、密閉空間になる。

【0056】

搬出入口４３が密閉された後、制御装置３はヒータ４２を制御して、基板Ｗに対し下面側から加熱開始し（図５ＢのステップＳ１０）、Ｈ_２ＳｉＦ_６の沸点（約１０９℃）よりも高い所定の温度（たとえば約１２０℃）まで基板Ｗを昇温させる。また、保持プレート３１に基板Ｗが保持された後、制御装置３はスピンモータ５８（図３参照）を制御して、基板Ｗを回転開始させる。

【0057】

基板Ｗの温度が処理温度（たとえば約１２０℃）に達し、かつ基板Ｗの回転が回復処理速度（たとえば約３００ｒｐｍ）に達すると、制御装置３は、フッ化水素蒸気供給工程（図５ＢのステップＳ１１）を実行する。フッ化水素蒸気供給工程（Ｓ１１）は、保持プレート３１に保持されている基板Ｗの表面に、フッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）を供給する工程である。具体的には、制御装置３は、フッ化水素蒸気バルブ４７および排気バルブ５６を開くことにより、フッ化水素蒸気導入配管４６から第２のチャンバ２８内にフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）が導入される。これにより、図７Ａに示すように、基板Ｗの表面の全域にフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）が供給される。この場合、式（２）に示すように、フッ化水素はシリコン酸化物と反応し、Ｈ_２ＳｉＦ_６と水とに分解する。
ＳｉＯ_２＋６ＨＦ→Ｈ_２ＳｉＦ_６＋２Ｈ_２Ｏ ・・・（２）
倒壊しているパターン６２の先端部６２ａ同士を接着している生成接着物６３がシリコン酸化物を含んでいる場合には、基板Ｗの表面に供給されたフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）が、シリコン酸化物を含む生成接着物６３と反応して分解し、Ｈ_２ＳｉＦ_６が生成される。

【0058】

また、フッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）の供給と並行して、制御装置３がヒータ４２を制御して、Ｈ_２ＳｉＦ_６の沸点（約１０９℃）よりも高い温度まで昇温するように基板Ｗを加熱しているので、フッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）に含まれるフッ化水素とシリコン酸化物（ＳｉＯ_２等）と反応により生じるＨ_２ＳｉＦ_６の残渣を蒸発させて、基板Ｗの表面から除去することができる。

【0059】

パターン６２の先端部６２ａから生成接着物６３が除去されることにより、倒壊しているパターン６２に対し、パターン６２自身が持つ弾性によって起立（回復）しようとする力が働く。これにより、図７Ｂに示すように、倒壊しているパターン６２が起立（回復）する。
また、フッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）の供給と並行して、基板Ｗを回転させることにより、フッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）が基板Ｗの上面の全域にむらなく供給される。

【0060】

第１の基板処理例では、第２のチャンバ２８内に供給されるフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）の供給流量は、キャリアガスを含めて、約１５リットル／分である。このときの、フッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）とキャリアガスとの流量比は、たとえば約１：１である。フッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）の供給時間、すなわち、フッ化水素蒸気供給工程（Ｓ１１）の実行時間は、約１分間である。

【0061】

フッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）の供給開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３はフッ化水素蒸気バルブ４７を閉じる。これにより、基板Ｗの表面に対するフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）の供給が停止される。
次いで、制御装置３は、基板Ｗの表面に水蒸気を供給する水蒸気供給工程（図５ＢのステップＳ１２）を実行する。具体的には、制御装置３は、水蒸気バルブ４９を開く。これにより、水蒸気導入配管４８から第２のチャンバ２８内に水蒸気が導入され、このフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）が基板Ｗの表面に供給される。また、水蒸気の供給と並行して、基板Ｗを回転させることにより、水蒸気が基板Ｗの上面の全域にむらなく供給される。

【0062】

水蒸気はフッ素と良好に反応する。そのため、水蒸気供給工程（Ｓ１２）後の基板Ｗの表面にフッ素が残留している場合であっても、基板の上面に水蒸気を供給することにより、基板Ｗの表面に在留していたフッ素が除去される。
次いで、第２のチャンバ２８内の雰囲気が、不活性ガスに置換される（図５ＢのステップＳ１３）。具体的には、制御装置３は、不活性ガスバルブ５２を開く。これにより、不活性ガス導入配管５３から第２のチャンバ２８内に常温の不活性ガスが導入され、その結果、第２のチャンバ２８内の雰囲気が、不活性ガス導入配管５３から導入される不活性ガスに急速に置換される。第２のチャンバ２８内に対する不活性ガスの供給時間（不活性ガスパージ時間）は、約３０秒間である。

【0063】

第２のチャンバ２８内の雰囲気が不活性ガス雰囲気に置換された後は、制御装置３は、ヒータ４２を制御して、基板Ｗへの加熱を停止する（図５ＢのステップＳ１４）。また、制御装置３は、不活性ガスバルブ５２および排気バルブ５６を閉じる。
その後、制御装置３は、リフトピン昇降ユニット３８を制御して、リフトピン３６を、基板Ｗが保持プレート３１に対して上位置まで上昇させる。リフトピン３６の上昇によって、それまで保持プレート３１に支持されていた基板Ｗがリフトピン３６に支持される。その後、制御装置３は、シャッタ開閉ユニット４５を制御して、シャッタ４４を開位置に配置し、これにより搬出入口４３が開放される。この状態で、リフトピン３６によって支持されている基板Ｗが、基板搬送ロボットＣＲによって第２のチャンバ２８から搬出される（図５ＢのステップＳ１５）。

【0064】

以上により、この実施形態によれば、基板Ｗの表面の全域にフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）が供給される。基板Ｗの表面にシリコン酸化物が介在している。この場合には、倒壊しているパターンの先端部同士を生成接着物６３が接着しており、また、生成接着物６３がシリコン酸化物（ＳｉＯ_２等）を含むと考えられる。
この場合には、フッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）に含まれるフッ化水素がシリコン酸化物（ＳｉＯ_２等）と反応するため、基板Ｗの表面に供給されたフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）が、シリコン酸化物を含む生成接着物６３と反応して分解し、これにより、生成接着物６３をパターン６２の先端部６２ａから除去することが可能である。

【0065】

パターン６２の先端部６２ａから生成接着物６３が除去されることにより、倒壊しているパターン６２に対し、パターン６２自身が持つ弾性によって起立（回復）しようとする力が働く。これにより、倒壊しているパターン６２を回復させることができる。
また、基板Ｗに対するフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）への供給と並行して基板Ｗを加熱する。フッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）に含まれるフッ化水素がシリコン酸化物（ＳｉＯ_２等）と反応することにより、Ｈ_２ＳｉＦ_６の残渣が生成されるおそれがある。しかしながら、基板Ｗに対するフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）の供給に並行して基板Ｗの加熱により、このような残渣を蒸発させて、基板Ｗの表面から除去することができる。

【0066】

また、フッ化水素蒸気供給工程（Ｓ１１）の後、水蒸気供給工程（Ｓ１２）が実行される。フッ化水素蒸気供給工程後（Ｓ１１）の基板Ｗの表面には、フッ素が残留しているおそれがある（すなわち、いわゆるＦ残りが発生するおそれがある）。水蒸気はフッ素と良好に反応するため、基板Ｗの表面に在留していたフッ素は、基板Ｗの表面に供給される水蒸気によって除去される。これにより、フッ素の残留を生じさせることなく、倒壊しているパターン６２を回復させることができる。

【0067】

図８は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置２０１の内部のレイアウトを説明するための平面図である。図９は、基板処理装置２０１に備えられた回復処理ユニット２Ｃの構成例を説明するための図解的な断面図である。
第２の実施形態に示す実施形態において、前述の第１の実施形態と共通する部分には、図１〜図７Ｂの場合と同一の参照符号を付し、説明を省略する。基板処理装置２０１は、回復処理ユニット２Ｂに代えて回復処理ユニット２Ｃを備える点で、基板処理装置１と相違する。

【0068】

回復処理ユニット２Ｃは、基板Ｗの表面に反応気体を供給して、パターンを回復させる。回復処理ユニット２Ｃは、反応気体としてオゾンガスを含む気体（以下、「オゾンガス気体」という）を用いる。
図９に示すように、回復処理ユニット２Ｃは、たとえば筒状（円筒状）の第３のチャンバ２２８と、第３のチャンバ２２８内に収容され、保持プレート３１を含む基板保持ユニット２３２と、保持プレート３１に保持されている基板Ｗの上面にオゾンガス気体を供給するためのオゾンガス供給ユニット２０３（反応気体供給ユニット）とを含む。

【0069】

第２の実施形態に係る第３のチャンバ２２８は、第１の実施形態に係る第２のチャンバ２８と同等の構成を有している。
第２の実施形態に係る基板保持ユニット２３２は、第１の実施形態に係る基板保持ユニット３２と同等の構成を有している。
図９に示すように、オゾンガス供給ユニット２０３は、第２のチャンバ２８の上壁４０に設けられたオゾンガス導入配管２０４を含む。オゾンガス導入配管２０４には、オゾンガス供給源からのオゾンガスを含む気体（以下、「オゾンガス気体」という）が供給される。オゾンガス導入配管２０４に供給されるオゾンガス気体（Ｏ_３）は、キャリアガス（たとえば、窒素ガス等の不活性ガス）を含むものであってもよい。オゾンガス導入配管２０４は、上壁４０を貫通し、オゾンガス気体（Ｏ_３）を第２のチャンバ２８内に導入する。オゾンガス供給ユニット２０３は、オゾンガス導入配管２０４を開閉するオゾンガスバルブ２０５をさらに含む。

【0070】

オゾンガスバルブ２０５が開かれると、オゾンガス導入配管２０４からのオゾンガス気体（Ｏ_３）が、第２のチャンバ２８の内部に供給される。オゾンガス導入配管２０４からのオゾンガス気体（Ｏ_３）は、整流板５０の多数の吐出孔５１から分散して吐出され、第２のチャンバ２８内において、上壁４０の内面と平行な面内でほぼ均一な流速となるシャワー状をなし、保持プレート３１に保持されている基板Ｗに降りかかる。

【0071】

図１０は、基板処理装置２０１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ１０、シャッタ開閉ユニット２５、スピンモータ５８、リフトピン昇降ユニット３８、シャッタ開閉ユニット４５、ヒータ４２等の動作を制御する。また、制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、薬液バルブ１６、リンス液バルブ１９、有機溶剤バルブ２２、オゾンガスバルブ２０５、不活性ガスバルブ５２、排気バルブ５６等を開閉する。

【0072】

図１１は、基板処理装置２０１（液処理ユニット２Ａおよび回復処理ユニット２Ｃ）によって実行される第２の基板処理例を説明するための流れ図である。
第２の基板処理例は、液処理ユニット２Ａによって基板Ｗに施される液処理に関して、第１の基板処理例と共通している。すなわち、第２の基板処理例は、図５ＡのステップＳ１〜ステップＳ８の各工程を含んでいる。図１１では、図５ＡのステップＳ９以降の工程のみが記載されている。

【0073】

薬液工程（図５ＡのＳ３）において用いられる薬液の種類によっては、液処理（液処理ユニット２Ａによる液処理）後に、有機物が存在していることがある。この場合、生成接着物６３（図６Ｃ参照）は、主として、有機物を含むと考えられる。
以下、図８〜図１１を参照しながら、第２の基板処理例の回復処理について説明する。第２の基板処理例の回復処理は、回復処理ユニット２Ｃにおいて実行される。回復処理ユニット２Ｃによる回復処理が実行されるときには、液処理ユニット２Ａによって液処理された後の基板Ｗが、第２のチャンバ２８の内部に搬入される（図１１のステップＳ２１）。回復処理ユニット２Ｃ内への基板Ｗの搬入は、回復処理ユニット２Ｂ（図２参照）内への基板Ｗの搬入（図５ＢのＳ９）と同等の工程である。

【0074】

リフトピン３６上への基板Ｗの載置後、制御装置３は、第２のチャンバ２８内からハンドＨ１を退避させる。ハンドＨ１が第２のチャンバ２８内から退避した後は、制御装置３は、シャッタ開閉ユニット４５を制御して、シャッタ４４を閉位置まで移動させ、これにより、搬出入口４３がシャッタ４４により密閉され、第２のチャンバ２８内は、密閉空間になる。

【0075】

搬出入口４３が密閉された後、制御装置３はヒータ４２を制御して、基板Ｗに対し下面側から加熱開始し、所定の処理温度（たとえば約１２０℃）まで基板Ｗを昇温させる。また、制御装置３はスピンモータ５８（図３参照）を制御して、基板Ｗを回転開始させる。
基板Ｗの温度が処理温度（たとえば約１２０℃）に達し、かつ基板Ｗの回転が回復処理速度（たとえば約３００ｒｐｍ）に達すると、制御装置３は、オゾンガス供給工程（図１１のステップＳ２２）を実行する。オゾンガス供給工程（Ｓ２２）は、保持プレート３１に保持されている基板Ｗの表面に、オゾンガス気体（Ｏ_３）を供給する工程である。具体的には、制御装置３は、オゾンガスバルブ２０５および排気バルブ５６を開くことにより、オゾンガス導入配管２０４から第２のチャンバ２８内にオゾンガス気体（Ｏ_３）が導入される。これにより、基板Ｗの表面の全域にオゾンガス気体（Ｏ_３）が供給される。この場合、オゾンガス気体（Ｏ_３）に含まれるオゾンガスは有機物と反応し、有機物を分解させる。

【0076】

倒壊しているパターン６２（図６Ｂ参照）の先端部６２ａ（図６Ｂ参照）同士を接着している生成接着物６３が有機物を含んでいる場合には、基板Ｗの表面に供給されたオゾンガス気体（Ｏ_３）に含まれるオゾンガスが、有機物を含む生成接着物６３と反応して分解する。これにより、生成接着物６３がパターン６２の先端部から除去される。
パターン６２の先端部６２ａから生成接着物６３が除去されることにより、倒壊しているパターン６２に対し、パターン６２自身が持つ弾性によって起立（回復）しようとする力が働く。これにより、倒壊しているパターン６２が起立（回復）する。

【0077】

また、オゾンガス気体（Ｏ_３）の供給と並行して、基板Ｗを回転させることにより、オゾンガス気体（Ｏ_３）が基板Ｗの上面の全域にむらなく供給される。
この実施形態では、第２のチャンバ２８内に供給されるオゾンガス気体（Ｏ_３）の供給流量は、キャリアガスを含めて、約２０リットル／分である。このときの、オゾンガスとキャリアガスとの流量比は、たとえば約１：７である。オゾンガス気体（Ｏ_３）の供給時間、すなわち、オゾンガス供給工程（Ｓ２２）の実行時間は、約３分間である。

【0078】

オゾンガス気体（Ｏ_３）の供給開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３はオゾンガスバルブ２０５を閉じる。これにより、基板Ｗの表面に対するオゾンガス気体（Ｏ_３）の供給が停止される。
次いで、第２のチャンバ２８内の雰囲気が、不活性ガスに置換される（図１１のステップＳ２３）。回復処理ユニット２Ｃにおける不活性ガスによる置換は、回復処理ユニット２Ｂ（図２参照）における不活性ガスによる置換（図５ＢのＳ１３）と同等の工程である。

【0079】

第２のチャンバ２８内の雰囲気が不活性ガス雰囲気に置換された後、制御装置３は、ヒータ４２を制御して、基板Ｗへの加熱を停止する。また、制御装置３は、不活性ガスバルブ５２および排気バルブ５６を閉じる。
その後、制御装置３は、リフトピン昇降ユニット３８を制御して、リフトピン３６を、基板Ｗが保持プレート３１に対して上位置まで上昇させる。リフトピン３６の上昇によって、それまで保持プレート３１に支持されていた基板Ｗがリフトピン３６に支持される。その後、制御装置３は、シャッタ開閉ユニット４５を制御して、シャッタ４４を開位置に配置し、これにより搬出入口４３が開放される。この状態で、リフトピン３６によって支持されている基板Ｗが、基板搬送ロボットＣＲによって第２のチャンバ２８から搬出される（図１１のステップＳ２４）。

【0080】

以上により、この実施形態によれば、基板Ｗの表面に、オゾンガス気体（Ｏ_３）が供給される。基板Ｗの表面に有機物が介在している。この場合には、倒壊しているパターンの先端部同士を生成接着物６３が接着しており、また、生成接着物６３が有機物を含むと考えられる。
この場合には、オゾンガスが有機物と反応するため、基板Ｗの表面に供給されたオゾンガス気体（Ｏ_３）に含まれるオゾンガスが、有機物を含む生成接着物６３と反応して分解し、これにより、生成接着物６３がパターン６２の先端部６２ａから除去される。

【0081】

パターン６２の先端部６２ａから生成接着物６３が除去されることにより、倒壊しているパターン６２に対し、パターン６２自身が持つ弾性によって起立（回復）しようとする力が働く。これにより、倒壊しているパターン６２を回復させることができる。
図１２は、本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置３０１の回復処理ユニット３０２の構成例を説明するための図解的な断面図である。

【0082】

第３の実施形態において、前述の第１の実施形態に示された各部に対応する部分には、図１〜図７Ｂの場合と同一の参照符号を付し、説明を省略する。
基板処理装置３０１は、回復処理ユニット２Ｂに代えて回復処理ユニット３０２を備える。第１の実施形態に係る回復処理ユニット２Ｂと相違する一つの点は、密閉チャンバではない第４のチャンバ３０３をチャンバとして備えた点である。回復処理ユニット３０２は、箱状の第４のチャンバ３０３と、第４のチャンバ３０３内に収容された基板保持ユニット３０４と、基板保持ユニット３０４の保持プレート３１に保持されている基板Ｗの上面に対向する対向部材３０５とを含む。基板保持ユニット３０４は、第１の実施形態に係る基板保持ユニット３２（図３参照）と同等の構成である。

【0083】

この実施形態では、対向部材３０５が基板Ｗの上面に接近することにより、対向部材３０５と基板Ｗの上面との間に半密閉空間３０７が形成されている。この半密閉空間３０７において、基板Ｗの表面に対するフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）の供給が行われる。
対向部材３０５は、略円板状の対向板３０８を含む。対向板３０８は、基板保持ユニット３０４の上方に配置されている。対向板３０８は、上下方向に延びる支軸３０９によって水平な姿勢で支持されている。対向板３０８は、基板Ｗと同等か、基板Ｗよりも大きい外径を有する円板状である。対向板３０８の中心軸線は、回転軸線Ａ１上に配置されている。

【0084】

対向板３０８は、水平に配置された円板部３１０と、円板部３１０の外周縁に沿って設けられた筒状部３１１とを含む。筒状部３１１は、円錐台状であってもよい。具体的には、図１２に示すように、筒状部３１１は、円板部３１０の外周縁から外方に広がるように下方に延びていてもよい。また、図１２に示すように、筒状部３１１は、筒状部３１１の下端に近づくに従って肉厚が減少していてもよい。

【0085】

回復処理ユニット３０２は、処理液を吐出するノズル３１２をさらに含む。ノズル３１２は、対向板３０８の中央部を上下方向に貫通している。ノズル３１２の下端部には、対向板３０８の下面中央部で開口する吐出口３１３が形成されている。ノズル３１２は、対向板３０８と共に鉛直方向に昇降可能に設けられている。
回復処理ユニット３０２は、支軸３０９を介して対向板３０８に連結された対向板昇降ユニット３１４をさらに含む。回復処理ユニット３０２は、対向板３０８の中心軸線まわりに対向板３０８を回転させる遮断板回転ユニットをさらに備えていてもよい。対向板昇降ユニット３１４は、対向板３０８の下面中央部が基板Ｗの上面に近接する近接位置（図１２に示す位置）と、近接位置の上方に設けられた退避位置（図示しない）との間で対向板３０８を昇降させる。

【0086】

回復処理ユニット３０２は、さらに、吐出口３１３にフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）を供給するフッ化水素蒸気供給ユニット（反応気体供給ユニット）３１５と、吐出口３１３に水蒸気を供給する水蒸気供給ユニット３１６とを含む。フッ化水素蒸気供給ユニット３１５および水蒸気供給ユニット３１６は、それぞれ、第１の実施形態に係るフッ化水素蒸気供給ユニット３３（図３参照）および水蒸気供給ユニット３４（図３参照）に代えて用いられる。

【0087】

フッ化水素蒸気供給ユニット３１５は、ノズル３１２にフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）を供給するためのフッ化水素蒸気配管３１７と、フッ化水素蒸気配管３１７を開閉するためのフッ化水素蒸気バルブ３１８とを含む。
水蒸気供給ユニット３１６は、ノズル３１２に水蒸気を供給するための水蒸気配管３１９と、水蒸気配管３１９を開閉するための水蒸気バルブ３２０とを含む。

【0088】

水蒸気配管３１９が閉じられた状態でフッ化水素蒸気バルブ３１８が開かれると、ノズル３１２にフッ化水素蒸気が供給され、吐出口３１３から下方に向けてフッ化水素蒸気が吐出される。
一方、フッ化水素蒸気バルブ３１８が閉じられた状態で水蒸気配管３１９が開かれると、ノズル３１２に水蒸気が供給され、吐出口３１３から下方に向けて水蒸気が吐出される。

【0089】

制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ５８、リフトピン昇降ユニット３８、ヒータ４２等の動作を制御する。また、制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、フッ化水素蒸気バルブ３１８、水蒸気バルブ３２０等を開閉する。
回復処理ユニット３０２では、第１の基板処理例と同等の処理が実行され、第１の基板処理例において説明した作用効果と同等の作用効果を奏する。回復処理ユニット３０２で実行される回復処理が、前述の第１の基板処理例の回復処理と相違する部分だけ、以下において説明する。

【0090】

基板Ｗの温度が処理温度（たとえば約１２０℃）に達し、かつ基板Ｗの回転が回復処理速度（たとえば約３００ｒｐｍ）に達すると、制御装置３は、フッ化水素蒸気供給工程（図５ＢのＳ１１に相当）を実行する。具体的には、制御装置３は、対向板昇降ユニット３１４を制御して、対向板３０８を近接位置に配置する。これにより、対向部材３０５と基板Ｗの上面との間に、円筒状の半密閉空間３０７が形成される。また、制御装置３は、フッ化水素蒸気バルブ３１８および排気バルブ５６を開く。これにより、フッ化水素蒸気配管３１７からのフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）が半密閉空間３０７に導入され、半密閉空間３０７に充満し、これにより、基板Ｗの表面の全域にフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）が供給される。

【0091】

フッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）の供給開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３はフッ化水素蒸気バルブ３１８を閉じる。これにより、基板Ｗの表面に対するフッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）の供給が停止される。
次いで、制御装置３は、基板Ｗの表面に水蒸気を供給する水蒸気供給工程（図５ＢのＳ１２に相当）を実行する。具体的には、制御装置３は、水蒸気バルブ３２０を開く。これにより、水蒸気配管３１９からの水蒸気が半密閉空間３０７に導入され、半密閉空間３０７に充満し、これにより、基板Ｗの表面の全域に水蒸気が供給される。

【0092】

水蒸気の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、ヒータ４２を制御して、基板Ｗへの加熱を停止する（図５ＢのステップＳ１４に相当）。また、制御装置３は、不活性ガスバルブ５２および排気バルブ５６を閉じる。制御装置３は、対向板昇降ユニット３１４を制御して、対向板３０８を退避位置に配置する。
その後、制御装置３は、リフトピン昇降ユニット３８を制御して、リフトピン３６を、基板Ｗが保持プレート３１に対して上位置まで上昇させる。リフトピン３６の上昇によって、それまで保持プレート３１に支持されていた基板Ｗがリフトピン３６に支持される。この状態で、リフトピン３６によって支持されている基板Ｗが、基板搬送ロボットＣＲによって第４のチャンバ３０３から搬出される（図５ＢのステップＳ１５に相当）。
＜第１の回復試験＞
次に、倒壊しているパターンを回復させるための第１の回復試験について説明する。まず、第１の回復試験について説明する。

【0093】

アスペクト比１６を有するパターンが形成された半導体基板を、第１の回復試験の試料として採用した。２つの試料（試料１および試料２）に対し、有機溶剤の供給（図５ＡのＳ５に相当）およびスピンドライ工程（図５ＡのＳ６に相当）を行い、かつ、その後にフッ化水素蒸気供給工程（図５ＢのＳ１１に相当）を行った。
スピンドライ工程の実行後には、各試料に形成されたパターンに倒壊が見られた。各試料の倒壊している構造体の数を、ＳＥＭ（電子走査顕微鏡）による画像を解析して求めた。倒壊している構造体の数は、パターン倒壊が生じていない状態における構造体の数から、スピンドライ工程後において立っている構造体の数を差し引くことにより求められる。

【0094】

試料１および試料２に対し、下記の条件で、フッ化水素蒸気供給工程を行った。
試料１：試料を１３０℃に加熱しながら、大気下環境下において、フッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）を１分間供給した。
試料２：試料を１２０℃に加熱しながら、大気下環境下において、フッ化水素蒸気（ＨＦ ｖａｐｏｒ）を２分間供給した。

【0095】

フッ化水素蒸気供給工程の実行後の試料（試料１および試料２）に対し、回復処理後に、倒壊状態から回復した構造体の数を、ＳＥＭによる画像を解析して求めた。倒壊状態から回復した構造体の数は、スピンドライ工程後において立っている構造体の数から、フッ化水素蒸気供給工程後において立っている構造体の数を差し引くことにより求められる。
そして、正規回復率（Normalized recovery rate：回復処理後に、倒壊状態から回復した構造体の数／回復処理前に倒壊している構造体の数（％））を算出した。その結果を図１３に示す。

【0096】

また、フッ化水素蒸気供給工程の前後における、試料１のＳＥＭによる画像図を、それぞれ図１４Ａ，１４Ｂに示す。
第１の回復試験の結果から、試料（半導体基板）の表面にフッ化水素蒸気を供給することにより、倒壊しているパターンを回復させることができることがわかる。また、フッ化水素蒸気の供給時間が長くなるに従って、パターンの回復度合いが上昇することがわかる。
＜第２の回復試験＞
次に、第２の回復試験について説明する。

【0097】

アスペクト比１６を有するパターンが形成された半導体基板を、第２の回復試験の試料として採用した。４つの試料（試料３〜試料６）に対し、有機溶剤の供給（図５ＡのＳ５に相当）およびスピンドライ工程（図５ＡのＳ６に相当）を行い、かつ、その後にフッ化水素蒸気供給工程（図５ＢのＳ１１に相当）を行った。
スピンドライ工程の実行後には、各試料に形成されたパターンに倒壊が見られた。各試料の倒壊しているパターンの数を、ＳＥＭ（電子走査顕微鏡）による画像を解析して求めた。

【0098】

４つの試料（試料３〜試料６）のうち、試料３および試料４は、パターン倒壊の比較的少ないサンプルであり（全部で１７８００個のパターンのうち倒壊しているパターンが１０００個未満）、試料５および試料６は、パターン倒壊の比較的多いサンプルであった。
試料３〜試料６に対し、下記の条件で、フッ化水素蒸気供給工程を行った。
試料３および試料５：大気下環境下において、フッ化水素蒸気を１０分間供給した。

【0099】

試料４および試料６：大気下環境下において、フッ化水素蒸気を３０分間供給した。
フッ化水素蒸気供給工程の実行後の試料（試料３〜試料６）に対し、倒壊しているパターンの数を、ＳＥＭによる画像を解析して求めた。図１５に、フッ化水素蒸気供給工程の前後における、各試料の倒壊しているパターンの数を示した。
図１５から、試料（半導体基板）の表面にフッ化水素蒸気を供給することにより、倒壊しているパターンを回復させることができることがわかる。また、フッ化水素蒸気供給工程前のパターン倒壊が多いほど、パターンの回復度合いが高いことがわかる。

【0100】

以上、この発明の３つの実施形態について説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。
たとえば第３の実施形態において、図１２に破線で示すように、回復処理ユニット３０２が、吐出口３１３に有機溶剤を供給する有機溶剤供給ユニット（処理液供給ユニット３５１をさらに備えて設けられていてもよい。また、基板保持ユニット３０４に保持されている基板Ｗの上面に薬液を供給するための薬液供給ユニット（処理液供給ユニット）３５２と、基板保持ユニット３０４に保持されている基板Ｗの上面にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット（処理液供給ユニット）３５３とをさらに備えていてもよい。この場合、第１の基板処理例を、１つの処理ユニットで行うことができ、基板Ｗの移送に要する時間を短縮化できる結果、スループットの向上を図ることができる。

【0101】

第２の実施形態に係る基板保持ユニット２３２が、保持プレート３１の内部にヒータ４２を設けていなくてもよい。つまり、第２の実施形態において、ホットプレートとして機能しない保持プレートを保持プレート３１として採用することもできる。この場合、オゾンガス供給工程（図１１のステップＳ２２）において基板Ｗは加熱されない。
また、第１および第２実施形態において、処理液供給ユニット（薬液供給ユニット６、リンス液供給ユニット７および有機溶剤供給ユニット８）を回復処理ユニット２Ｂ，２Ｃに組み込むことにより、１つの処理ユニットで、第１の基板処理例または第２の基板処理例を実行するようにしてもよい。

【0102】

また、前述の第１および第２の実施形態において、第２のチャンバ２８内への基板Ｗの搬入直後に、第２のチャンバ２８内の雰囲気の不活性ガス置換を開始してもよい。また、基板Ｗの搬出入の際には搬出入口２３が開放するが、搬出入口２３の開放状態に並行して、第２のチャンバ２８外の気体（外気）が、第２のチャンバ２８内に進入することを防止するために、第２のチャンバ２８内への不活性ガスの供給が行われていてもよい。

【0103】

また、第１および第３の実施形態において、水蒸気供給工程（Ｓ１２）の開始前に、基板Ｗへの加熱が終了していてもよい。すなわち、水蒸気供給工程（Ｓ１２）と基板Ｗへの加熱とが並行して行われなくてもよい。
また、第１および第３の実施形態において（第１の基板処理例において）、水蒸気供給工程（Ｓ１２）を省略してもよい。この場合、第１および第３の実施形態において、水蒸気供給ユニット３４，３１６を廃止できる。

【0104】

また、第１〜第３の実施形態において、反応気体供給工程（フッ化水素蒸気供給工程、オゾンガス供給工程）に並行して基板Ｗを回転させる例を説明したが、基板Ｗを静止させた状態に保ちながら反応気体供給工程（フッ化水素蒸気供給工程（Ｓ１２）、オゾンガス供給工程（Ｓ１３））を行ってもよい。
また、第１の実施形態と第２の実施形態とを組み合わせてもよい。すなわち、１つの基板処理装置１が、回復処理ユニット２Ｂ（図３参照）と、回復処理ユニット２Ｃ（図９参照）との双方を備えていてもよい。

【0105】

また、第３の実施形態を、第２の実施形態に組み合わせてもよい。
また、前述の各実施形態では、基板処理装置１，２０１，３０１が円板状の基板Ｗを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１，２０１，３０１が、液晶表示装置用ガラス基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。

【符号の説明】

【0106】

１ ：基板処理装置
２Ａ ：液処理ユニット
２Ｂ ：回復処理ユニット
２Ｃ ：回復処理ユニット
３ ：制御装置
４ ：第１のチャンバ
５ ：スピンチャック（基板保持ユニット、回転ユニット）
６ ：薬液供給ユニット（処理液供給ユニット）
７ ：リンス液供給ユニット（処理液供給ユニット）
８ ：有機溶剤供給ユニット（処理液供給ユニット）
２８ ：第２のチャンバ
３２ ：基板保持ユニット
３３ ：フッ化水素蒸気供給ユニット（反応気体供給ユニット）
３４ ：水蒸気供給ユニット
４２ ：ヒータ
６２ ：パターン
２０１ ：基板処理装置
２０３ ：オゾンガス供給ユニット（反応気体供給ユニット）
２３２ ：基板保持ユニット
３０１ ：基板処理装置
３０２ ：回復処理ユニット
３０４ ：基板保持ユニット
３１５ ：フッ化水素蒸気供給ユニット（反応気体供給ユニット）
３１６ ：水蒸気供給ユニット
Ｗ ：基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図6A-6C】

【図7A-7B】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14A-14B】

【図15】