【実施例】
【0058】
(評価方法)
−組成解析−
被膜の組成は、X線光電子分光(XPS)装置(日本電子製:JPS-9020)を用いて測定した。XPS測定の条件は、試料に対する検出角度を90度とし、X線源にはAlを用い、X線照射エネルギーを100Wとした。1回の測定時間は0.2msとし、1つの試料について32回測定を行った。炭素中を進む光電子の非弾性平均自由工程を考慮すると、表面から9nmまでの範囲について測定されると考えられる。さらに、光電子は表面から深くなるにつれて脱出しにくくなり、光電子の検出は表面から深くなるほど減衰する。従って、今回測定された情報の50%は表面からおよそ1.5nmまでの最表層の情報で占められていると考えられる。
【0059】
XPS測定により得られた炭素1s(C1s)ピーク、酸素1s(O1s)及びチタン2p(Ti2p)ピーク面積の比率から、それぞれ膜に含まれる炭素(C)、酸素(O)及びチタン(Ti)のC、O及びTiの合計に対するモル比[C]、[O]及び[Ti]を求めた。また、C1sピークを、チタンと結合したC−Ti、炭素同士がsp
3結合したsp
3C−C及び炭素同士がsp
2結合したsp
2C−C、炭素と水素とがsp
3結合したsp
3C−H及び炭素と水素とがsp
2結合したsp
2C−H、炭素と酸素との一重結合(O−C単結合)の6つの成分にカーブフィッティングにより分解した。なお、炭素と酸素との二重結合(C=O二重結合)の成分は除外とした。
【0060】
カーブフィッティングにおいて、C−Tiの結合エネルギーは281.5eV、sp
3C−Cの結合エネルギーは283.8eV、sp
2C−Cの結合エネルギーは284.3eV、sp
2C−Hの結合エネルギーは284.8eV、sp
3C−Hの結合エネルギーは285.3eVとし、C−O単結合エネルギーは285.9eVとした。
【0061】
カーブフィッティングにより得られた各ピークの面積をC1sの全ピークの面積により割った値を、全炭素に対する各成分の組成比(モル比)とした。さらに、sp
3C−Cの組成比とsp
2C−Cの組成比との和をC−Cの組成比[C−C]/[C]とし、sp
3C−Hの組成比とsp
2C−Hの組成比との和をC−Hの組成比[C−H]/[C]とした。
【0062】
−物理特性−
被膜の硬度及び弾性率(ヤング率)は、ナノインデンテーション装置(Hysitron社製:TI-950 Triboindenter)により測定した。ダイヤモンドの圧子は稜線角が115°の三角錐のBerkovich型とし、ダイヤモンド圧子の押し込み深さを30nmから80nmとなるよう加重を変化させ、得られた荷重−変位曲線から硬度及び弾性率を算出した。
【0063】
−母材硬度−
被膜形成後の母材硬度はロックウェル試験機により測定した。ダイヤモンドの圧子は120°円錐形状であり、試験荷重は150kg(Cスケール)とした。
【0064】
−算術平均表面粗度−
算術平均表面粗度の測定には、粗さ測定器(Mitutoyo社製:SV-3200)を用いた。このとき評価長さを2.5mmとし、各サンプル3か所測定して得られた算術平均表面粗度Raの平均値を取得した。
【0065】
−SRV試験−
摩擦係数の測定には摩擦摩耗試験機(オリエンテック社製:EKM-III1010)を用いた。試験片の上に直径10mmのボールを置き、ボールに荷重をかけて摺動させた。ボールの材質はSUJ2とした。荷重は10N(ヘルツ面圧として1GPaに相当)とした。振幅1.0mm、周波数50Hzで、1800秒間摺動させた(摺動距離180m)。試験温度は120℃とした。潤滑剤は、グループIII鉱物油を基油とし、モリブデンジチオカルバメート(MoDTC)を1560ppmとなるように加えた。硬質被膜の比摩耗量測定は、走査型白色干渉計(ZYGO社製:New View 5032-2)を用い摩耗部の体積を測定し、摩擦摩耗試験の荷重と摺動距離で除して算出した。また、相手材の比摩耗量は、摩耗部を球欠と仮定し、摩耗痕の直径から算出される体積を、摩擦摩耗試験の荷重と摺動距離で除して算出した。
【0066】
−密着性−
膜の密着性は目視及び円錐状のダイヤモンド圧子を用いたロックウェル試験(HRC)の圧痕により評価した。目視、圧痕ともにクラック及び剥離が認められなかった場合を良好(○)、目視で5%未満の剥離又は圧痕にクラックが発生した場合をやや不良(△)、目視で5%以上の広範囲の剥離が認められたものを不良(×)とした。荷重は1470Nとした。
【0067】
−密度−
膜の密度は、SmartLab(株式会社リガク製)を用いたX線反射率測定(XRR)により測定した。このとき、X線発生部にCuを用い、出力は50kV、300mAとした。入射光学系にGe(111)非対称ビーム圧縮結晶を使用し、半導体検出器にて検出した。測定走査速度を0.2°/min、ステップ幅を0.002°とし、0.3〜3.0°の範囲で解析した。
【0068】
(実施例1)
まず、その表面がRa=0.03μm程度に鏡面仕上げされたSCr420(JIS G4053、ロックウェル硬度HRC60)からなる母材を準備した。この時、母材の焼入れ温度は930℃、焼き戻し温度は180℃とした。
【0069】
母材の表面に、カソーディックアークイオンプレーティング(CA)法を用いた成膜装置を用いて、アークイオンプレーティング法により被膜を形成した。具体的にはまず、成膜装置のワークホルダの上に、母材を載置した。ターゲットには純チタン(JIS2種)を用いた。続いて、チャンバー内を3×10
-3Paまで減圧した。続いて、ガス導入口からアルゴン(Ar)ガスを供給しつつ、排気することによりチャンバー内の圧力を所定の圧力に維持し、ワークとチャンバーの間で放電させることにより、アルゴンボンバードを行い、母材の表面をクリーニングした。
【0070】
次に、中間層の形成を行った。まずアルゴンガスを導入し、圧力を1.0Paに維持した上で、チタンターゲット上でアーク放電を発生させた。ことのき、カソード電流は160Aとして、Ti層を形成した。続いて、ガスを窒素に変更し、カソード電流を140AとしてTiN層を形成した。
【0071】
中間層の成膜後に、排気工程を経て、チャンバー温度を100℃以下に冷却した後にTiC層を形成した。このとき、供給ガスをメタンガス(CH
4)とアルゴンガス(Ar)との混合ガスとし、TiCからなる硬質被膜の形成を行った。Arのメタンガスに対する比Ar/CH
4は2.63とし、圧力は3.0Paとした。
【0072】
得られたTi層の厚さは約0.1μmであり、TiN層の厚さは約0.3μmであり、硬質被膜の厚さは約0.5μmであった。成膜の際のカソード電流は140Aとした。基盤電圧は−350Vであった。プロセス温度は約150℃であった。
【0073】
得られた硬質被膜の組成比は、[Ti]が0.31、[C]が0.41、[O]が0.28であり、[C−Ti]/[C]が0.92、[sp
3C−C]/[C]が0.09、[sp
2C−C]/[C]が0.01未満、[sp
3C−H]/[C]が0.01未満、[sp
2C−H]/[C]が0.01未満、[C−O]/[C]が0.01未満であった。従って、[C−Ti]/([C−C]+[C−H])は、10.2であった。[C−C]/[C]は0.09、[C−H]/[C]は0.01未満、[sp
2C−C]/[sp
3C−C]は0.1未満、[C]/[Ti]は1.3であった。
【0074】
得られた硬質被膜の摩擦係数は0.09、硬質被膜の比摩耗量は4.4×10
-11mm
3/N・mmであり、相手材の比摩耗量は4.6×10
-11mm
3/N・mmであった。硬度は30GPa、弾性率は270GPaであった。被膜形成後の母材硬度は、HRC60.6であった。硬質被膜の密度は、3.8g/cm
3であった。膜の密着性は良好であった。被膜の表面における算術平均表面粗度Raは0.03μmであった。
【0075】
(実施例2)
Ar/CH
4を3.16とし、圧力を3.5Paとした以外は、実施例1と同様にして被膜の形成を行った。プロセス温度は約130℃であった。
【0076】
得られた硬質被膜の組成は、[Ti]が0.33、[C]が0.42、[O]が0.26であり、[C−Ti]/[C]が0.91、[sp
3C−C]/[C]が0.06、[sp
2C−C]/[C]が0.04、[sp
3C−H]/[C]が0.01未満、[sp
2C−H]/[C]が0.01未満、[C−O]/[C]が0.01未満であった。従って、[C−Ti]/([C−C]+[C−H])は、9.1であった。[C−C]/[C]は0.10、[C−H]/[C]は0.01未満、[sp
2C−C]/[sp
3C−C]は0.7未満、[C]/[Ti]は1.3であった。
【0077】
得られた硬質被膜の摩擦係数は0.11、硬質被膜の比摩耗量は1.6×10
-11mm
3/N・mmであり、相手材の比摩耗量は1.3×10
-10mm
3/N・mmであった。硬度は28GPa、弾性率は250GPaであった。被膜形成後の母材硬度は、HRC59.9であった。硬質被膜の密度は、3.8g/cm
3であった。膜の密着性は良好であった。被膜の表面における算術平均表面粗度Raは0.05μmであった。
【0078】
(比較例1)
Ar/CH
4を1.30とし、圧力を3.5Pa、基盤電圧を−100Vとした以外は、実施例1と同様にして被膜の形成を行った。プロセス温度は約130℃であった。
【0079】
得られた硬質被膜の組成は、[Ti]が0.33、[C]が0.44、[O]が0.23であり、[C−Ti]/[C]が0.72、[sp
3C−C]/[C]が0.12、[sp
2C−C]/[C]が0.14、[sp
3C−H]/[C]が0.01未満、[sp
2C−H]/[C]が0.02、[C−O]/[C]が0.01未満であった。従って、[C−Ti]/([C−C]+[C−H])は、2.6であった。[C−C]/[C]は0.26、[C−H]/[C]は0.02、[sp
2C−C]/[sp
3C−C]は1.2、[C]/[Ti]は1.3であった。
【0080】
得られた硬質被膜の摩擦係数は0.11、硬質被膜の比摩耗量は1.2×10
-10mm
3/N・mmであり、相手材の比摩耗量は2.1×10
-11mm
3/N・mmであった。硬度は8GPa、弾性率は130GPaであった。被膜形成後の母材硬度は、HRC61.3であった。硬質被膜の密度は、2.9g/cm
3であった。膜の密着性はやや不良であった。被膜の表面における算術平均表面粗度Raは0.04μmであった。
【0081】
(比較例2)
Ar/CH
4を1.32とし、圧力を3.5Paとした以外は、実施例1と同様にして被膜の形成を行った。プロセス温度は約150℃であった。
【0082】
得られた硬質被膜の組成は、[Ti]が0.30、[C]が0.40、[O]が0.30であり、[C−Ti]/[C]が0.69、[sp
3C−C]/[C]が0.19、[sp
2C−C]が0.10、[sp
3C−H]が0.01未満、[sp
2C−H]/[C]が0.02、[C−O]/[C]が0.01未満であった。従って、[C−Ti]/([C−C]+[C−H])は、2.2であった。[C−C]/[C]は0.29、[C−H]/[C]は0.02、[sp
2C−C]/[sp
3C−C]は0.5、[C]/[Ti]は1.3であった。
【0083】
得られた硬質被膜の摩擦係数0.10は、硬質被膜の比摩耗量は1.3×10
-10mm
3/N・mmであり、相手材の比摩耗量は6.7×10
-11mm
3/N・mmであった。硬度は22GPa、弾性率は200GPaであった。被膜形成後の母材硬度は、HRC60.7であった。膜の密着性は不良であった。
【0084】
(比較例3)
Ar/CH
4を1.22とし、基盤電圧を−150Vとした以外は、実施例1と同様にして被膜の形成を行ったプロセス温度は約90℃であった。
【0085】
得られた硬質被膜の組成は、[Ti]が0.37、[C]が0.46、[O]が0.17であり、[C−Ti]/[C]が0.95、[sp
3C−C]/[C]が0.03、[sp
2C−C]/[C]が0.02、[sp
3C−H]/[C]が0.01未満、[sp
2C−H]/[C]が0.01未満、[C−O]/[C]が0.01未満であった。従って、[C−Ti]/([C−C]+[C−H])は、19.0であった。[C−C]/[C]は0.05、[C−H]/[C]は0.01未満、[sp
2C−C]/[sp
3C−C]は0.5、[C]/[Ti]は1.2であった。
【0086】
得られた硬質被膜の摩擦係数は0.11、硬質被膜の比摩耗量は3.6×10
-11mm
3/N・mmであり、相手材の比摩耗量は2.6×10
-10mm
3/N・mmであった。硬度は30GPa、弾性率は250GPaであった。被膜形成後の母材硬度は、HRC60.5であった。膜の密着性はやや不良であった。被膜の表面における算術平均表面粗度Raは0.05μmであった。
【0087】
(比較例4)
Ar/CH
4を1.35とし、圧力を3.5Paとし、基板電圧を−200Vとした以外は、実施例1と同様にして被膜の形成を行った。プロセス温度は約120℃であった。
【0088】
得られた硬質被膜の組成は、[Ti]が0.32、[C]が0.40、[O]が0.28であり、[C−Ti]/[C]が0.75、[sp
3C−C]/[C]が0.14、[sp
2C−C]/[C]が0.10、[sp
3C−H]/[C]が0.01未満、[sp
2C−H]/[C]が0.02、[C−O]/[C]が0.01未満であった。従って、[C−Ti]/([C−C]+[C−H])は、2.9であった。[C−C]/[C]は0.24、[C−H]/[C]は0.02、[sp
2C−C]/[sp
3C−C]は0.8未満、[C]/[Ti]は1.3であった。
【0089】
得られた硬質被膜の摩擦係数は0.11、硬質被膜の比摩耗量は2.4×10
-10mm
3/N・mmであり、相手材の比摩耗量は6.0×10
-11mm
3/N・mmであった。硬度は17GPa、弾性率は200GPaであった。被膜形成後の母材硬度は、HRC62.3であった。膜の密着性は不良であった。
【0090】
(比較例5)
中間層をTiN層のみとし、Ar/CH
4を2.70とし、基盤電圧を−400Vとし、成膜中の排気冷却を行わなかった以外は、実施例1と同様にして被膜の形成を行った。プロセス温度は約190℃であった。
【0091】
得られた硬質被膜の摩擦係数は0.10、比摩耗量は4.5×10
-12mm
3/N・mmであり、相手材の比摩耗量は1.8×10
-11mm
3/N・mmであった。硬度は30GPa、弾性率は250GPaであった。被膜形成後の母材硬度は、HRC52.2であった。膜の密着性は良好であった。
【0092】
(比較例6)
Ar/CH
4を3.78とし、圧力を4.0Paとした以外は、実施例1と同様にして被膜の形成を行った。プロセス温度は約150℃であった。
【0093】
得られた硬質被膜の硬度は30GPa、弾性率は250GPaであった。膜の密着性は不良であった。
【0094】
(比較例7)
Ar/CH
4を2.56とし、基盤電圧を−100Vとした以外は、実施例1と同様にして被膜の形成を行った。プロセス温度は約120℃であった。
【0095】
得られた硬質被膜の組成は、[Ti]が0.35、[C]が0.44、[O]が0.21であり、[C−Ti]/[C]が0.96、[sp
3C−C]/[C]が0.04、[sp
2C−C]/[C]が0.01未満、[sp
3C−H]/[C]が0.01未満、[sp
2C−H]/[C]が0.01未満、[C−O]/[C]が0.01未満であった。従って、[C−Ti]/([C−C]+[C−H])は、24.0であった。[C−C]/[C]は0.04、[C−H]/[C]は0.01未満、[sp
2C−C]/[sp
3C−C]は0.3未満、[C]/[Ti]は1.3であった。
【0096】
得られた硬質被膜の硬度は28GPa、弾性率は250GPaであった。膜の密着性は不良であった。
【0097】
(比較例8)
Ar/CH
4を1.25とした以外は、実施例1と同様にして被膜の形成を行った。プロセス温度は約130℃であった。
【0098】
得られた硬質被膜の硬度は25GPa、弾性率は240GPaであった。膜の密着性は不良であった。
【0099】
(比較例9)
Ar/CH
4を1.03とし、圧力を2.7Paとした。また、基盤電圧を−200Vとし、成膜中のカソード電流は160Aとした。中間層はTiN−TiCN積層構造とし、成膜中はヒーター加熱を実施し、排気冷却は実施しなかった。それ以外は、実施例1と同様にして被膜の形成を行った。プロセス温度は約460℃であった。
【0100】
得られた硬質被膜の組成は、[Ti]が0.34、[C]が0.47、[O]が0.19であり、[C−Ti]/[C]が0.59、[sp
3C−C]/[C]が0.01、[sp
2C−C]/[C]が0.06、[sp
3C−H]/[C]が0.10、[sp
2C−H]/[C]が0.19、[C−O]/[C]が0.06であった。従って、[C−Ti]/([C−C]+[C−H])は、1.7であった。[C−C]/[C]は0.07、[C−H]/[C]は0.28、[sp
2C−C]/[sp
3C−C]は5.2、[C]/[Ti]は1.4であった。
【0101】
得られた硬質被膜の摩擦係数は0.12、比摩耗量は1.9×10
-11mm
3/N・mmであり、相手材の比摩耗量は1.3×10
-9mm
3/N・mmであった。硬度は40GPa、弾性率は350GPaであった。被膜形成後の母材硬度は、HRC42.5であった。硬質被膜の密度は、4.7g/cm
3であった。膜の密着性は良好であった。
【0102】
(比較例10)
化学気相堆積(CVD)法により、硬質被膜を形成した。具体的には、装置内を1000℃に加熱した後、常圧下にてTiCl
4、H
2ガスを導入した混合ガス雰囲気下で母材の表面へコーティングを施した。プロセス温度は1000℃以上であった。
【0103】
得られた硬質被膜の組成は、[Ti]が0.34、[C]が0.48、[O]が0.19であり、[C−Ti]/[C]が0.65、[sp
3C−C]/[C]が0.04、[sp
2C−C]/[C]が0.09、[sp
3C−H]/[C]が0.03、[sp
2C−H]/[C]が0.15、[C−O]/[C]が0.04であった。従って、[C−Ti]/([C−C]+[C−H])は、2.1であった。[C−C]/[C]は0.13、[C−H]/[C]は0.18、[sp
2C−C]/[sp
3C−C]は2.1、[C]/[Ti]は1.4であった。
【0104】
得られた硬質被膜の硬度は38GPa、弾性率は340GPaであった。硬質被膜の密度は、4.0g/cm
3であった。膜の密着性は良好であった。
【0105】
各実施例及び比較例における評価結果を表1及び表2にまとめて示す。
【0106】
【表1】
【0107】
【表2】