特許6884516ＳｉＣ焼結体の製造方法

発明の名称　ＳｉＣ焼結体の製造方法

出願人　東芝エネルギーシステムズ株式会社　（識別番号 317015294）

　　　　特許公開件数ランキング 829 位（266件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 502 位（237件）（共同出願を含む）

出願人　国立大学法人京都大学　（識別番号 504132272）

　　　　特許公開件数ランキング 345 位（190件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 299 位（169件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6884516

公報発行日　2021年6月9

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6884516

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