特許 6892280 低次酸化チタン及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6892280

(24)【登録日】2021年5月31日

(45)【発行日】2021年6月23日

(54)【発明の名称】低次酸化チタン及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   C01G 23/04 20060101AFI20210614BHJP

   H01G 11/86 20130101ALI20210614BHJP

   H01M 4/48 20100101ALI20210614BHJP

   H01G 11/46 20130101ALN20210614BHJP

   H01M 4/90 20060101ALN20210614BHJP

【ＦＩ】

   C01G23/04 B

   H01G11/86

   H01M4/48

   !H01G11/46

   !H01M4/90 X

【請求項の数】7

【全頁数】9

(21)【出願番号】特願2017-28466(P2017-28466)

(22)【出願日】2017年2月17日

(65)【公開番号】特開2018-131370(P2018-131370A)

(43)【公開日】2018年8月23日

【審査請求日】2020年1月8日

(73)【特許権者】

【識別番号】000215800

【氏名又は名称】テイカ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100124648

【弁理士】

【氏名又は名称】赤岡 和夫

(74)【代理人】

【識別番号】100060368

【弁理士】

【氏名又は名称】赤岡 迪夫

(74)【代理人】

【識別番号】100154450

【弁理士】

【氏名又は名称】吉岡 亜紀子

(72)【発明者】

【氏名】澤田 勝也

(72)【発明者】

【氏名】宮島 俊和

【審査官】 神野 将志

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２０１３／１２１８０１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１７−０５２６５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−１５０２４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１６−０８１５８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１０−５３６７０２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ０１Ｇ ２３／０４、１１／４６、１１／８６

Ｈ０１Ｍ ４／４８、４／９０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＢＥＴ法による比表面積が１０〜１０００ｍ^２／ｇであり、そして粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする低次酸化チタン粉体。

【請求項2】

低次酸化チタンは、一般式：Ｔｉ_ｎＯ_２ｎ−１（２≦ｎ≦１０）で表されることを特徴とする請求項１に記載の低次酸化チタン粉体。

【請求項3】

Ｔｉ_４Ｏ_７が７０重量％以上含まれていることを特徴とする請求項１又は２に記載の低次酸化チタン粉体。

【請求項4】

カーボン量が０〜１０重量％であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の低次酸化チタン粉体。

【請求項5】

請求項１ないし４のいずれか１項に記載の低次酸化チタン粉体を使用した電極。

【請求項6】

請求項５記載の電極を備えた蓄電デバイス。

【請求項7】

二酸化チタンとカーボン源としての有機化合物との混合物を不活性ガス雰囲気下にて焼成することにより、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の低次酸化チタン粉体を製造する方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、低次酸化チタン及びその製造方法に関し、特にＢＥＴ法による比表面積が１０〜１０００ｍ^２／ｇであり、そして粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下である高い比表面積と優れた導電性を有する低次酸化チタン及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特開２０１６−８１５８４号公報（特許文献１）、特開２０１２−１４８９２０号公報（特許文献２）及び特開２０１６−１９３８１６号公報（特許文献３）などに記載されているように、Ｔｉ_４Ｏ_７やＴｉ_５Ｏ_９など一般式：Ｔｉ_ｎＯ_２ｎ−１（２≦ｎ≦１０）で表されるマグネリ相を有する低次酸化チタンは優れた導電性を有することが知られている。

【0003】

また、低次酸化チタンを工業的に製造するための代表的な方法としては、（ａ）二酸化チタン粉体（ＴｉＯ_２粉体）を水素気流中で高温焼成する水素還元法、（ｂ）二酸化チタン粉体をアンモニア（＋水素）気流中で高温焼成するアンモニア還元法、（ｃ）金属チタン粉体と二酸化チタン粉体を均一に混合した後、還元雰囲気で高温焼成する金属チタン粉体との均一化反応法、（ｄ）二酸化チタンを水素化ホウ素ナトリウムなどの水素化物と共に還元焼成する方法などの製造方法が知られている。

【0004】

一方、低次酸化チタンを燃料電池やキャパシタなどの電極として用いる場合、高い反応効率を得るためには低次酸化チタンが高い比表面積を有していることが好ましい。ところが、特許文献１〜３に記載されている製造方法や上記（ａ）〜（ｄ）の一般的な製造方法を用いて高い比表面積を有する低次酸化チタンを得ようとすると、粒子同士の接点が増加してその接触抵抗が増大してしまい、その結果低次酸化チタンを利用した電極の導電性が低下し、期待した特性を得ることができないという問題があった。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１６−８１５８４号公報

【特許文献2】特開２０１２−１４８９２０号公報

【特許文献3】特開２０１６−１９３８１６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

そこで、本発明は、導電性を低下させることなく高い比表面積を有する低次酸化チタン及びその製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明者らは、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）を出発原料として低次酸化チタンを得るための製造方法について鋭意研究を重ねた結果、二酸化チタンを特定の有機化合物と混合し不活性ガス雰囲気下で焼成すれば、得られる低次酸化チタンのモルフォロジー制御（形状制御）を行うことができることを見出し、本発明を完成するに至った。

【0008】

具体的には、本発明によれば、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）と有機化合物との混合物を窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気下にて焼成することにより、高い比表面積と優れた導電性を有する低次酸化チタンを製造する方法が提供される。本発明の製造方法では、不活性ガス以外に水素等の還元ガス、または不活性ガスと還元ガスとの混合ガスなどの使用も可能であるが、必ずしも水素等の還元ガスや触媒を使用する必要はなく、経済性や安全面を考慮すれば窒素ガスを使用することが好ましい。

【0009】

本発明の製造方法により得られる低次酸化チタンは、ＢＥＴ法による比表面積が１０〜１０００ｍ^２／ｇであり、そして粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下であり、より好ましくはＢＥＴ法による比表面積が１０〜５００ｍ^２／ｇであり、そして粉体抵抗率が１．０Ω・ｃｍ以下であるという特徴を有している。また、その形態は、平均の一次粒子径が約１００ｎｍ以下であり球形に近い形状を有している。

【0010】

得られた低次酸化チタンは、一般式：Ｔｉ_ｎＯ_２ｎ−１（２≦ｎ≦１０）で表されるものであり、高い比表面積と優れた導電性を得るためには、低次酸化チタン中にＴｉ_４Ｏ_７が７０重量％以上、より好ましくは９０重量％以上含まれていることが望ましい。

【0011】

本発明の製造方法において、上述したような高い比表面積と優れた導電性を有する低次酸化チタンを得るためには、出発原料である二酸化チタンの還元、および焼成時の粒子成長抑制の両効果を発現させる添加剤が必要である。

【0012】

低次酸化チタンの製造で使用される二酸化チタンは、アナタース型、ルチル型、ブルッカイト型、無定形などがあり、低温焼成による粒子成長抑制効果を考慮すると無定形であることが好ましい。

【0013】

添加剤としては、カーボン粉体や水素化カルシウムのような材料の適用例があるが、粒子成長抑制の観点では二酸化チタン表面に均一に添加剤が混合されていることが好ましく、その添加剤として水溶性あるいは焼成時にガス化するような有機化合物が挙げられる。

【0014】

二酸化チタンと混合する有機化合物としては、水溶性高分子や単糖類、少糖類、多糖類を用いることができ、例えば、単糖類としてはグルコース、フルクトース、ガラクトース、少糖類としてはスクロース、マルトース、ラクトースなど、多糖類としてはデンプン、水溶性高分子としてはポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロースなどを使用することができる。

【0015】

また、本発明の製造方法では、得られる低次酸化チタンの焼結を抑制しモルフォロジー制御（形状制御）を向上させる必要があることから、９００〜１２００℃の温度で焼成することが好ましい。

【0016】

上述のように、本発明の製造方法で得られる低次酸化チタンは高い比表面積と優れた導電性を有しているため、燃料電池やキャパシタなどの蓄電デバイス用の電極として使用するのに適している。

【発明の効果】

【0017】

本発明の低次酸化チタンは、ＢＥＴ法による比表面積が１０〜１０００ｍ^２／ｇであり、そして粉体抵抗率が１０．０Ω・ｃｍ以下であり、より好ましくはＢＥＴ法による比表面積が１０〜５００ｍ^２／ｇであり、そして粉体抵抗率が１．０Ω・ｃｍ以下であるという極めて高い比表面積と優れた導電性を有している。

【0018】

また、本発明の低次酸化チタンは、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）とカーボン源としての有機化合物との混合物を不活性ガス雰囲気下にて焼成するというモルフォロジー制御性（形状制御性）に極めて優れた製造方法により提供され、また安全で経済的でもある。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】本発明の実施例１の低次酸化チタンのＸ線回折（ＸＲＤ）パターン図である。

【図2】比較例１の低次酸化チタンのＸ線回折（ＸＲＤ）パターン図である。

【図3】本発明の実施例１の低次酸化チタンのＳＥＭ写真（×１０ｋ）である。

【図4】本発明の実施例１の低次酸化チタンのＳＥＭ写真（×１００ｋ）である。

【図5】比較例１の低次酸化チタンのＳＥＭ写真（×１０ｋ）である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下、高い比表面積と優れた導電性を有する本発明の低次酸化チタン、低次酸化チタンを用いた電極及び蓄電デバイス、低次酸化チタンの製造方法について、具体例を交えながら詳細に説明する。なお、本発明は以下に示される実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で各種の変更が可能である。

【実施例】

【0021】

Ａ．低次酸化チタンの製造方法：
実施例１
水４５００ｇが入った容器中に無定形の二酸化チタン（ＴｉＯ_２）５００ｇを撹拌しながら投入し、１０ｗｔ％二酸化チタンスラリーを調整した。水２３５０ｇが入った容器の中にポリビニルアルコール（ＰＶＡ）１５０ｇを撹拌させながら投入後、９０℃の温度で１時間保持後、冷却することで６ｗｔ％ポリビニルアルコール水溶液を調整した。１０ｗｔ％二酸化チタンスラリー５００ｇに６ｗｔ％ポリビニルアルコール水溶液２５０ｇを撹拌しながら混合し、二酸化チタン−ＰＶＡ混合スラリーを調整した。その混合スラリーを噴霧式乾燥機（ＭＤＬ−５０Ｂ，藤崎電機社製）で乾燥し、低次酸化チタンの前駆体を得た。得られた前駆体２０ｇをアルミナ製ルツボへ投入後、前駆体が入ったアルミナルツボをタンマン管式雰囲気焼成炉（ＮＬＴ−２０３５Ｄ−ＳＰ モトヤマ製）の中へ入れ、窒素雰囲気下、焼成条件１０００℃×３時間の条件で焼成することにより実施例１の低次酸化チタンを得た。

【0022】

実施例２
１０ｗｔ％二酸化チタンスラリーと混合する６ｗｔ％ポリビニルアルコール水溶液の添加量を２５０ｇから３４０ｇに変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、実施例２の低次酸化チタンを得た。

【0023】

実施例３
１０ｗｔ％二酸化チタンスラリーと混合する６ｗｔ％ポリビニルアルコール水溶液の添加量を２５０ｇから４２０ｇに変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、実施例３の低次酸化チタンを得た。

【0024】

実施例４
１０ｗｔ％二酸化チタンスラリーと混合する６ｗｔ％ポリビニルアルコール水溶液の添加量を２５０ｇから７００ｇに変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、実施例４の低次酸化チタンを得た。

【0025】

実施例５
１０ｗｔ％二酸化チタンスラリーと混合する６ｗｔ％ポリビニルアルコール水溶液の添加量を２５０ｇから１００ｇに変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、実施例５の低次酸化チタンを得た。

【0026】

実施例６
焼成温度を９５０℃に変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、実施例６の低次酸化チタンを得た。

【0027】

実施例７
焼成温度を１１５０℃に変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、実施例７の低次酸化チタンを得た。

【0028】

実施例８
１０ｗｔ％二酸化チタンスラリーと混合する６ｗｔ％ポリビニルアルコール水溶液の添加量を２５０ｇから２００ｇに変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、実施例８の低次酸化チタンを得た。

【0029】

比較例１
二酸化チタン５gをアルミナ製ルツボに入れ、焼成条件１１７０℃×２時間、窒素９０％−水素１０％混合雰囲気下で焼成し、比較例１の低次酸化チタンを得た。

【0030】

比較例２
二酸化チタン５ｇと金属チタン１ｇ混合した粉末をキャリアガスであるアルゴンガスでプラズマトーチへ搬送し、アルゴン雰囲気下約４ＭＨｚ、約８０ｋＶＡの高周波電圧を印加した条件で高周波熱プラズマ処理し、比較例２の低次酸化チタンを得た。

【0031】

比較例３
比較例２の低次酸化チタン２ｇと導電性カーボンであるアセチレンブラック０．０８ｇを自転・公転ミキサー（あわとり練太郎（登録商標）ＡＲ−１００，シンキー社製）で２０分混合し、比較例３の低次酸化チタンとアセチレンブラック混合粉末を得た。

【0032】

Ｂ．粉体物性測定：
［Ｘ線回折分析］
Ｘ線回折分析は、実施例及び比較例で得た粉末状のサンプルを加圧成型した後、Ｘ線回折装置（Ｘ’Ｐｅｒｔ ＰＲＯ，スペクトリス社製）により、ＣｕＫα線を用いて印加電圧４５ｋＶ，印加電流４０ｍＡの条件で測定を行った。また、Ｔｉ_４Ｏ_７の純度は、Ｘ線回折分析により得られたデータをリートベルト解析（解析ソフト名：Ｘ’Ｐｅｒｔ Ｈｉｇｈ Ｓｃｏｒｅ Ｐｌｕｓ）による結晶構造解析を行うことにより決定した。

【0033】

［比表面積］
ＢＥＴ法を使用し、Ｍａｃｓｏｒｂ ＨＭ−１２０８（マウンテック社製）で測定を行った。

【0034】

［粉体抵抗率測定］
粉体抵抗測定システムＭＣＰ−ＰＤ−５１（三菱アナリティカル社製）を用い測定を行った。測定方法は、粉体専用プローブ（４探針、リング電極）を具備した容器にサンプルを投入後、１０ｋＮの圧力をかけた時の粉体抵抗と厚みを測定し、下記の式で粉体抵抗率を算出した。
・粉体抵抗率（Ω・ｃｍ）＝抵抗（Ω）×厚み（ｃｍ）×抵抗率補正係数（ＲＣＦ）

【0035】

［カーボン量測定］
サンプルを秤量し容器に入れ、有機元素分析装置（ＭＡＣＲＯ ＣＯＲＤＥＲ ＪＭ１０００ＣＮ，ジェイ・サイエンス・ラボ社製）で測定を行った。

【0036】

［一次粒子径］
１次粒子径は、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）から１００個の一次粒子についてその粒子径を計測し、計測値を算術平均し算出した。

【0037】

図１には、本発明の低次酸化チタンの代表的な例として、実施例１で得られた低次酸化チタンのＸ線回折パターンが示されており、図２には、比較例の低次酸化チタンの代表的な例として、比較例１で得られた低次酸化チタンのＸ線回折パターンが示されている。

【0038】

また、図３，４には、本発明の低次酸化チタンの代表的な例として、実施例１で得られた低次酸化チタンのＳＥＭ写真（×１０ｋ，×１００ｋ）が示されており、図５には、比較例の低次酸化チタンの代表的な例として、比較例１で得られた低次酸化チタンのＳＥＭ写真（×１０ｋ）が示されている。

【0039】

実施例１〜８の低次酸化チタンおよび比較例１〜３の低次酸化チタンのＸ線回折分析を行った結果、得られたピークパターンより、いずれもＴｉ_４Ｏ_７に帰属することが確認された。また、実施例６ではＴｉ_４Ｏ_７の低次酸化チタンの他にＴｉ_５Ｏ_９やＴｉ_６Ｏ_１１の低次酸化チタンが生成されており、実施例７ではＴｉ_３Ｏ_５の低次酸化チタンが生成されていることが確認された。

【0040】

また、実施例１の低次酸化チタンのＳＥＭ写真と比較例１の低次酸化チタンのＳＥＭ写真とを比較すると、比較例１の低次酸化チタンは表面が滑らかな不規則形状をしているのに対して、実施例１の低次酸化チタンは表面に無数の凹凸を有する不規則形状をしている。このため、実施例１の低次酸化チタンは、比較例１の低次酸化チタンに対して極めて高い比表面積を有していることが確認される。

【0041】

実施例１〜８の低次酸化チタンおよび比較例１〜３の低次酸化チタンの比表面積と粉体抵抗率の測定結果を表１に示す。

【0042】

【表1】

【0043】

比較例１と比較例２の結果より、比表面積と粉体抵抗率はトレードオフの関係となっており、各々の特性を両立することが困難であることが確認された。また、比較例３では、比較例２に導電性カーボンであるアセチレンブラックを混合し粉体抵抗率の低減効果を確認したが、無添加の比較例２よりも粉体抵抗率が低減したが、実施例１〜８に示した粉体抵抗率までには至らなかった。ところが、実施例１〜８で得られた低次酸化チタンの場合、高い比表面積を有するにも拘らず粉体抵抗率の上昇が抑制されており、従来の製造方法では達成し得なかった高い比表面積と低い粉体抵抗率を両立させることが可能であることが判った。

【0044】

Ｃ．蓄電デバイス評価（キャパシタ評価）
実施例９
実施例１の低次酸化チタン８０ｗｔ％、アセチレンブラック（電気化学工業社製）１０ｗｔ％、バインダーとしてポリフッ化ビニリデン（クレハ社製）１０ｗｔ％と適量のＮ−メチルピロリドン（キシダ化学社製）を加え、混練機で十分に混練してスラリーを作製した。そのスラリーをアルミニウム箔にドクターブレードで塗布、乾燥して評価用電極を得た。
評価用電極と対極との間に、ポリプロピレン製セパレーターを介して電極を構成し、コイン型の電池容器に入れた後、エチレンカーボネート（ＥＣ）とジメチルカーボネート（ＤＭＣ）が容量比で１：２に混合されている混合溶媒中に電解質である１ＭのＬｉＰＦ_６を溶解させた電解液を注入後、電池容器を封口することで、実施例９のキャパシタ評価用電池を作製した。

【0045】

測定条件は電圧を１．０〜２．５Ｖ、電流密度を０．１Ｃ、１Ｃと変更した条件で充放電を行い、測定を行った。電池評価は下記の式を用いて放電率を算出し、効果の確認を行った。
・放電率（％）＝（１Ｃ放電容量／０．１Ｃ放電容量）×１００

【0046】

比較例４
実施例１の低次酸化チタンを比較例１の低次酸化チタンへ変更した以外は実施例９と同様の操作を行い、比較例４のキャパシタ評価用電池を作製し、評価を行った。

【0047】

実施例９と比較例４のキャパシタ評価用電池の測定結果を表２に示す。

【0048】

【表2】

【0049】

実施例９と比較例４のキャパシタ評価用電池の測定結果より、実施例９のキャパシタ評価用電池の方は大幅な放電率の向上を示す結果となった。このことから、本発明で得られた低次酸化チタンは、キャパシタのみならず、燃料電池やリチウム電池等の蓄電デバイスへの適用可能であることが示唆される。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】