特許 6894076 実装構造体の製造方法およびこれに用いられる積層シート

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6894076

(24)【登録日】2021年6月7日

(45)【発行日】2021年6月23日

(54)【発明の名称】実装構造体の製造方法およびこれに用いられる積層シート

(51)【国際特許分類】

   H05K 9/00 20060101AFI20210614BHJP

   B32B 3/24 20060101ALI20210614BHJP

   H05K 3/28 20060101ALI20210614BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20210614BHJP

【ＦＩ】

   H05K9/00 R

   B32B3/24 Z

   H05K3/28 B

   H05K3/28 G

   H05K1/02 P

   H05K1/02 N

【請求項の数】9

【全頁数】14

(21)【出願番号】特願2017-71783(P2017-71783)

(22)【出願日】2017年3月31日

(65)【公開番号】特開2018-174242(P2018-174242A)

(43)【公開日】2018年11月8日

【審査請求日】2019年11月5日

(73)【特許権者】

【識別番号】000214250

【氏名又は名称】ナガセケムテックス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002745

【氏名又は名称】特許業務法人河崎・橋本特許事務所

(74)【代理人】

【識別番号】100117972

【弁理士】

【氏名又は名称】河崎 眞一

(72)【発明者】

【氏名】橋本 卓幸

(72)【発明者】

【氏名】岡田 浩之

【審査官】 原田 貴志

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１５−２２１４９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１５／０１９８４６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１５−０３５５６７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｋ ９／００

Ｈ０５Ｋ １／０２

Ｈ０５Ｋ ３／２８

Ｂ３２Ｂ ３／２４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１回路部材と、前記第１回路部材に搭載される複数の第２回路部材と、前記第１回路部材の前記第２回路部材同士の隙間から露出する導体と、を備えるとともに、前記第１回路部材と前記第２回路部材との間に空間が形成された実装部材を準備する工程と、
絶縁層と導電層とを備え、前記絶縁層が、少なくとも一方の最外に配置されている積層シートを準備する工程と、
前記絶縁層が前記導体と対向するように、前記積層シートを前記実装部材に配置する配置工程と、
前記積層シートを前記第１回路部材に対して押圧するとともに、前記積層シートを加熱して、前記空間を維持しながら、前記第２回路部材を封止する封止工程と、を具備し、
前記絶縁層は、前記導体に対応する位置に開口を備え、
前記封止工程では、前記開口から前記導電層を露出させて、前記導体と前記導電層とを電気的に接続させ、
前記第２回路部材が封止されるときの温度ｔにおいて、前記絶縁層の損失正接ｔａｎδ１が、１以下であり、
前記温度ｔにおいて、前記導電層の損失正接ｔａｎδ２が、１よりも大きく、かつ、貯蔵せん断弾性率が１．０×１０^７Ｐａ以下である、実装構造体の製造方法。

【請求項2】

前記絶縁層の厚みＴ１が１００μｍ以下であり、
前記絶縁層の前記開口の最大径Ｒが３００μｍ以下である、請求項１に記載の実装構造体の製造方法。

【請求項3】

前記導電層の体積抵抗率が５×１０^−３Ω・ｃｍ以下である、請求項１または２に記載の実装構造体の製造方法。

【請求項4】

前記積層シートが、他方の最外に配置された被覆層を備え、
前記温度ｔにおいて、
前記被覆層の損失正接ｔａｎδ３が、１よりも大きい、請求項１〜３のいずれか一項に記載の実装構造体の製造方法。

【請求項5】

請求項１に記載の製造方法により得られた実装構造体を、前記第２回路部材ごとにダイシングして個片化する工程を具備する、個片化実装構造体の製造方法。

【請求項6】

第１回路部材と、前記第１回路部材に搭載される複数の第２回路部材と、を備えるとともに、前記第１回路部材と前記第２回路部材との間に空間が形成された実装部材を封止するために用いられる積層シートであって、
絶縁層と導電層とを備え、
前記絶縁層が、少なくとも一方の最外に配置されるとともに、開口を備えており、
前記第２回路部材が封止されるときの温度ｔにおいて、前記絶縁層の損失正接ｔａｎδ１が、１以下であり、
前記温度ｔにおいて、前記導電層の損失正接ｔａｎδ２が、１よりも大きく、かつ、貯蔵せん断弾性率が１．０×１０^７Ｐａ以下である、積層シート。

【請求項7】

前記絶縁層の厚みＴ１が１００μｍ以下であり、
前記絶縁層の前記開口の最大径Ｒが３００μｍ以下である、請求項６に記載の積層シート。

【請求項8】

前記導電層の体積抵抗率が５×１０^−３Ω・ｃｍ以下である、請求項６または７に記載の積層シート。

【請求項9】

さらに他方の最外に配置された被覆層を備え、
前記温度ｔにおいて、
前記被覆層の損失正接ｔａｎδ３が、１よりも大きい、請求項６〜８のいずれか一項に記載の積層シート。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、内部に空間を備える実装構造体の製造方法であって、詳細には、積層シートを用いて封止された実装構造体の製造方法、および、これに用いられる積層シートに関する。

【背景技術】

【0002】

回路基板に搭載される電子部品（回路部材）の中には、回路基板との間に空間を必要とする場合がある。例えば、携帯電話などのノイズ除去に用いられるＳＡＷチップは、圧電基板（圧電体）上を伝搬する表面波を利用して所望の周波数をフィルタリングするため、圧電体上の電極と、ＳＡＷチップが搭載される回路基板との間に空間が必要である。

【0003】

ところで、回路基板に搭載される回路部材の多くは、電磁波の影響を低減するために、導電性材料を含む導電層で覆われることが望ましい。上記のようなＳＡＷチップの場合、例えば特許文献１では、電磁波シールド性を備えるカバーとグランド回路とを導通させるために、カバーに導電性のバンプを配置するとともに、カバーとグランド回路とを接着する接着シートに、当該バンプに対応する貫通孔を形成することを教示している。この場合、貫通孔からバンプを露出させて、バンプを介してカバーとグランド回路とを接続させることにより、電磁波シールド性能が発揮される。特許文献１によれば、内部の空間を維持しながら回路部材を封止する（中空封止）とともに、外部から侵入しようとする電磁波をシールドすることができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１２−１６０４８９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

特許文献１のように、予めカバーを成型する場合、製造工程が増えるため、製造コストの増大につながる。さらに、カバーとＳＡＷチップとの位置合わせが必要になるため、生産性が低下し易い。加えて、ＳＡＷチップを損傷しないようにカバーに余裕を持たせて成型する必要があるため、得られる実装構造体の低背化が困難である。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記に鑑み、本発明の一局面は、第１回路部材と、前記第１回路部材に搭載される複数の第２回路部材と、前記第１回路部材の前記第２回路部材同士の隙間から露出する導体と、を備えるとともに、前記第１回路部材と前記第２回路部材との間に空間が形成された実装部材を準備する工程と、絶縁層と導電層とを備え、前記絶縁層が、少なくとも一方の最外に配置されている積層シートを準備する工程と、前記絶縁層が前記導体と対向するように、前記積層シートを前記実装部材に配置する配置工程と、前記積層シートを前記第１回路部材に対して押圧するとともに、前記積層シートを加熱して、前記空間を維持しながら、前記第２回路部材を封止する封止工程と、を具備し、前記絶縁層は、前記導体に対応する位置に開口を備え、前記封止工程では、前記開口から前記導電層を露出させて、前記導体と前記導電層とを電気的に接続させる、実装構造体の製造方法に関する。

【0007】

本発明の別の局面は、第１回路部材と、前記第１回路部材に搭載される複数の第２回路部材と、を備えるとともに、前記第１回路部材と前記第２回路部材との間に空間が形成された実装部材を封止するために用いられる積層シートであって、絶縁層と導電層とを備え、前記絶縁層が、少なくとも一方の最外に配置されるとともに、開口を備えており、前記第２回路部材が封止されるときの温度ｔにおいて、前記絶縁層の損失正接ｔａｎδ１が、１以下である、積層シートに関する。

【発明の効果】

【0008】

本発明によれば、内部の空間を維持しながら、生産性よく、積層シートの導電層とグランド電極に導通する導体とを接続させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本発明の一実施形態にかかる実装構造体を模式的に示す断面図である。

【図2】本発明の一実施形態にかかる積層シートを模式的に示す断面図である。

【図3】本発明の一実施形態にかかる製造方法を、実装部材あるいは実装構造体の断面により模式的に示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

本実施形態に係る方法により製造される実装構造体の一例を、図１に示す。図１は、実装構造体１０を模式的に示す断面図である。
実装構造体１０は、第１回路部材１と、例えばバンプ３を介して第１回路部材１に搭載される複数の第２回路部材２と、第２回路部材２を封止する封止材４と、を備える。第１回路部材１と第２回路部材２との間には、空間（内部空間Ｓ）が形成されている。第１回路部材１の第２回路部材２同士の隙間からは、導体６が露出しており、封止材４の内部の層（後述する導電層４２Ｐの硬化物層４２）と当接している。封止材４は、内部空間Ｓを維持しながら第２回路部材２を封止して、第２回路部材２の短絡を防止するため、および、電磁波シールドのために設けられる。なお、本実施形態では、第２回路部材２を、バンプ３を介して第１回路部材１に搭載しているが、第１回路部材１への搭載方法は、これに限定されない。

【0011】

封止材４は、積層シート４Ｐの硬化物である。本発明は、この積層シート４Ｐを包含する。積層シート４Ｐは、図２に示すように、少なくとも一方の最外に配置された絶縁層４１Ｐと導電層４２Ｐとを備える。よって、得られる封止材４は、少なくとも絶縁層４１Ｐの硬化物層４１と導電層４２Ｐの硬化物層４２とを備える。図２は、積層シート４Ｐを模式的に示す断面図である。

【0012】

［積層シート］
積層シート４Ｐの絶縁層４１Ｐは、開口Ａを備える。封止工程において、積層シート４Ｐは、絶縁層４１Ｐが第２回路部材２と対向するように配置されて、第１回路部材１に向かって押圧される。これにより、積層シート４Ｐは、第２回路部材２の表面に密着する。さらに、積層シート４Ｐは、第２回路部材２同士の間の第１回路部材１の表面にまで到達するとともに、開口Ａから導電層４２Ｐが露出して、導電層４２Ｐと導体６とが電気的に接続される。その結果、導電層４２Ｐ（導電層の硬化物層４２）による電磁波シールド性が発揮される。一方、絶縁層４１Ｐにより、第２回路部材２の短絡は予防される。

【0013】

つまり、積層シート４Ｐは、内部空間Ｓを維持しながら、第２回路部材２の表面および第２回路部材２同士の間の第１回路部材１の表面に密着でき、かつ、中空封止性を確保できる（内部空間Ｓへの積層シート４Ｐの侵入を抑制できる）程度の弾性を有する絶縁層４１Ｐと、封止工程において開口Ａから露出できる程度の粘性を有する導電層４２Ｐと、を備える。少なくとも上記の２層を有する積層シート４Ｐを用いることにより、内部空間Ｓを維持しながら回路部材を封止する（中空封止）ことと、電磁波シールド性能の発揮とを、同じタイミングで達成することができる。よって、生産性が向上する。さらに、封止材４を第１回路部材１および第２回路部材２に密着させることができるため、低背化が可能である。

【0014】

（絶縁層）
絶縁層４１Ｐは、第２回路部材２の短絡を防止するために設けられる。さらに、内部空間Ｓを維持しながら、第２回路部材２の表面および第２回路部材２同士の間の第１回路部材１の表面に密着できる程度の弾性を有する。

【0015】

このような絶縁層４１Ｐの封止工程での温度ｔにおける損失正接ｔａｎδ１は、１以下であることが好ましく、０．９以下であることがより好ましく、０．７以下であることが特に好ましい。損失正接ｔａｎδ１の下限は特に限定されないが、例えば、０．１である。このような損失正接ｔａｎδを有する絶縁層４１Ｐは、単独で、内部空間Ｓを維持しながら、第２回路部材２を封止することができる。よって、絶縁層４１Ｐの積層シート４Ｐが粘性の高い導電層４２Ｐを備えていても、内部空間Ｓは維持される。

【0016】

第２回路部材２が封止されるときの温度ｔとは、内部空間Ｓが維持された状態で、第２回路部材２の表面が積層シート４Ｐによって覆われたときの積層シート４Ｐの温度である。積層シート４Ｐの温度は、封止工程における積層シート４Ｐに対する加熱手段の設定温度に代替できる。積層シート４Ｐの加熱手段がプレス機である場合、加熱手段の温度とは、プレス機の設定温度である。積層シート４Ｐの加熱手段が第１回路部材１を加熱する加熱機である場合、加熱手段の温度とは、第１回路部材１の加熱機の設定温度である。温度ｔは、積層シート４Ｐの材質等に応じて変更し得るが、例えば、室温＋１５℃（４０℃）から、２００℃までの間である。具体的には、温度ｔは、例えば５０〜１８０℃である。第２回路部材２が封止されるとき、積層シート４Ｐは未硬化状態であってもよいし、半硬化状態であってもよいし、硬化状態であってもよい。

【0017】

損失正接ｔａｎδ１は、温度ｔにおける絶縁層４１Ｐの貯蔵せん断弾性率（Ｇ１’）と損失せん断弾性率（Ｇ１”）の比：Ｇ１”／Ｇ１’である。貯蔵せん断弾性率Ｇ１’および損失せん断弾性率Ｇ１”は、ＪＩＳ Ｋ ７２４４に準拠した粘弾性計測定装置により測定することができる。具体的には、貯蔵せん断弾性率Ｇ１’および損失せん断弾性率Ｇ１”は、直径８ｍｍ×１ｍｍの試験片について、粘弾性計測定装置（例えば、ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製、ＡＲＥＳ−ＬＳ２）を用いて、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で測定される。導電層４２Ｐおよび被覆層４３Ｐの損失正接ｔａｎδについても同様である。

【0018】

温度ｔにおける貯蔵せん断弾性率Ｇ１’は、１．０×１０^７Ｐａ以下であることが好ましく、１．０×１０^６Ｐａ以下であることがより好ましい。貯蔵せん断弾性率Ｇ１’の下限は特に限定されないが、例えば、１．０×１０^４Ｐａである。温度ｔにおける貯蔵せん断弾性率Ｇ１’がこの範囲であれば、絶縁層４１Ｐの封止工程における内部空間Ｓへの侵入が抑制されるとともに、第２回路部材２の表面および第２回路部材２同士の間の第１回路部材１の表面に密着できる程度に流動することが容易になる。

【0019】

絶縁層４１Ｐの厚みＴ１は、特に限定されない。厚みＴ１は１０μｍ以上であってよく、３０μｍ以上であってもよい。これにより、封止工程において、内部空間Ｓが維持され易くなるとともに、絶縁性が確保され易くなる。また、低背化の観点から、厚みＴ１は１００μｍ以下であることが好ましく、８０μｍ以下であることがより好ましい。絶縁層４１Ｐの厚みＴ１は、絶縁層４１Ｐの主面間の距離である。主面間の距離は、任意の１０箇所における距離を平均化して求めることができる。導電層４２Ｐおよび被覆層４３Ｐの厚みも同様である。

【0020】

絶縁性の観点から、絶縁層４１Ｐの体積抵抗率は１×１０^８Ω・ｃｍ以上であることが好ましく、１×１０^１０Ω・ｃｍ以上であることがより好ましい。

【0021】

絶縁層４１Ｐは、絶縁層４１Ｐを貫通する開口Ａを備える。開口Ａは、第１回路部材１から露出する導体６に対応する位置に配置される。開口Ａの形状は特に限定されず、例えば、円形、楕円形、三角形、矩形、その他の多角形が挙げられる。

【0022】

開口Ａの大きさは特に限定されず、第１回路部材１に搭載された第２回路部材２同士の間に収まり、かつ、第１回路部材１と第２回路部材２との導通が確保できる程度の大きさであればよい。開口Ａの最大径は、例えば、３００μｍ以下であることが好ましい。導体層４２Ｐの損失正接ｔａｎδ２が１よりも大きい場合、開口Ａの最大径Ｒは過度に大きくなくてもよい。開口Ａの最大径Ｒは、例えば、２０μｍ以上、２００μｍ以下であってもよい。最大径Ｒがこの範囲であっても、導電層４２Ｐは、開口Ａから露出することができる。ただし、導通を確実にするためには、開口Ａの最大径Ｒは、５０μｍ以上であることが好ましい。開口Ａの最大径Ｒは、開口Ａを絶縁層４１Ｐの主面の法線方向から見たとき、開口Ａの中心を通る直線の最大の長さである。複数の開口Ａが設けられている場合、最大径Ｒは、これらを平均化して求められる。

【0023】

絶縁層４１Ｐは、熱硬化性樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物（以下、第１熱硬化性樹脂組成物と称す。）により構成される。第１熱硬化性樹脂組成物は、例えば、熱硬化性樹脂と硬化剤と熱可塑性樹脂と無機充填剤とを含む。

【0024】

熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、エポキシ樹脂、（メタ）アクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、ユリア樹脂、ウレタン樹脂、ビニルエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ポリイミド樹脂などが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでもエポキシ樹脂が好ましい。

【0025】

封止前の熱硬化性樹脂は、未硬化状態でもよく、半硬化状態でもよい。半硬化状態とは、熱硬化性樹脂がモノマーおよび／またはオリゴマーを含む状態であり、熱硬化性樹脂の三次元架橋構造の発達が不十分な状態をいう。半硬化状態の熱硬化性樹脂は、室温（２５℃）では溶剤に溶解しないが硬化は不完全な状態、いわゆるＢステージにある。

【0026】

エポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂環式脂肪族エポキシ樹脂、有機カルボン酸類のグリシジルエーテルなどを用いることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。エポキシ樹脂は、プレポリマーであってもよく、ポリエーテル変性エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂のようなエポキシ樹脂と他のポリマーとの共重合体であってもよい。なかでも、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂および／またはビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。特に、耐熱性および耐水性に優れ、かつ安価である点で、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。

【0027】

エポキシ樹脂は、樹脂組成物の粘度調節のために、エポキシ基を分子中に１つ有する１官能エポキシ樹脂を、エポキシ樹脂全体に対して０．１〜３０質量％程度含むことができる。このような１官能エポキシ樹脂としては、フェニルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、エチルジエチレングリコールグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエングリシジルエーテル、２−ヒドロキシエチルグリシジルエーテルなどを用いることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

【0028】

熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂の硬化剤を含む。硬化剤は、特に限定されないが、例えば、フェノール系硬化剤（フェノール樹脂等）、ジシアンジアミド系硬化剤（ジシアンジアミド等）、尿素系硬化剤、有機酸ヒドラジド系硬化剤、ポリアミン塩系硬化剤、アミンアダクト系硬化剤、酸無水物系硬化剤、イミダゾール系硬化剤などを用いることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。硬化剤の種類は、熱硬化性樹脂に応じて適宜選択される。なかでも、硬化時の低アウトガス性、耐湿性、耐ヒートサイクル性などの点から、フェノール系硬化剤を用いることが好ましい。

【0029】

硬化剤の量は、硬化剤の種類によって異なる。エポキシ樹脂を用いる場合、例えば、エポキシ基１当量あたり、硬化剤の官能基の当量数が０．００１〜２当量、さらには０．００５〜１．５当量となる量の硬化剤を用いることが好ましい。

【0030】

なお、ジシアンジアミド系硬化剤、尿素系硬化剤、有機酸ヒドラジド系硬化剤、ポリアミン塩系硬化剤、アミンアダクト系硬化剤は、潜在性硬化剤である。潜在性硬化剤の活性温度は、６０℃以上、更には８０℃以上であるのが好ましい。また、活性温度は、２５０℃以下、更には１８０℃以下であるのが好ましい。これにより、活性温度以上で迅速に硬化する熱硬化性樹脂組成物を得ることができる。

【0031】

熱可塑性樹脂は、シート化剤（例えば、プレゲル化剤）として配合され得る。熱硬化性樹脂組成物がシート化されることにより、封止工程における取り扱い性が向上するとともに、熱硬化性樹脂組成物のダレ等が抑制されて、内部空間Ｓが維持され易くなる。

【0032】

熱可塑性樹脂の種類としては、例えば、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリオレフィン、ポリウレタン、ブロックイソシアネート、ポリエーテル、ポリエステル、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ブチラール樹脂、ポリアミド、塩化ビニル、セルロース、熱可塑性エポキシ樹脂、熱可塑性フェノール樹脂などが挙げられる。なかでも、シート化剤としての機能に優れる点で、アクリル樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂の量は、熱硬化性樹脂１００質量部あたり、５〜２００質量部が好ましく、１０〜１００質量部が特に好ましい。

【0033】

熱硬化性樹脂組成物に添加する際の熱可塑性樹脂の形態は、特に限定されない。熱可塑性樹脂は、例えば、重量平均粒子径０．０１〜２００μｍ、好ましくは０．０１〜１００μｍの粒子であってもよい。上記粒子は、コアシェル構造を有していてもよい。この場合、コアは、例えば、ｎ−、ｉ−およびｔ−ブチル（メタ）アクリレートよりなる群から選択される少なくとも１つのモノマー由来のユニットを含む重合体であってもよいし、その他の（メタ）アクリレート由来のユニットを含む重合体であってもよい。シェル層は、例えば、メチル（メタ）アクリレート、ｎ−、ｉ−またはｔ−ブチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸等の単官能モノマーと１，６−ヘキサンジオールジアクリレート等の多官能モノマーとの共重合体であってもよい。また、溶剤に分散あるいは溶解させた高純度熱可塑性樹脂を、熱硬化性樹脂組成物に添加してもよい。

【0034】

熱硬化性樹脂組成物は、無機充填剤を含む。無機充填剤としては、例えば、溶融シリカなどのシリカ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、窒化ホウ素（ＢＮ）などを挙げることができる。なかでも、安価である点で、溶融シリカが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、例えば０．０１〜１００μｍである。無機充填剤の量は、熱硬化性樹脂１００質量部あたり、１〜５０００質量部が好ましく、１０〜３０００質量部がより好ましい。

【0035】

熱硬化性樹脂組成物は、上記以外の第三成分を含んでもよい。第三成分としては、硬化促進剤、重合開始剤、難燃剤、顔料、シランカップリング剤、チキソ性付与剤などを挙げることができる。

【0036】

硬化促進剤は、特に限定されないが、変性イミダゾール系硬化促進剤、変性脂肪族ポリアミン系促進剤、変性ポリアミン系促進剤などが挙げられる。硬化促進剤は、エポキシ樹脂などの樹脂との反応生成物（アダクト）として使用することが好ましい。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。硬化促進剤の活性温度は、保存安定性の点から、６０℃以上、更には８０℃以上が好ましい。また、活性温度は、２５０℃以下、更には１８０℃以下であるのが好ましい。ここで、活性温度とは、潜在性硬化剤および／または硬化促進剤の作用により、熱硬化性樹脂の硬化が急速に早められる温度である。

【0037】

硬化促進剤の量は、硬化促進剤の種類によって異なる。通常、エポキシ樹脂１００質量部あたり、０．１〜２０質量部が好ましく、１〜１０質量部がより好ましい。なお、硬化促進剤をアダクトとして使用する場合、硬化促進剤の量は、硬化促進剤以外の成分（エポキシ樹脂など）を除いた硬化促進剤の正味の量を意味する。

【0038】

重合開始剤は、光照射および／または加熱により、硬化性を発現する。重合開始剤としては、ラジカル発生剤、酸発生剤、塩基発生剤などを用いることができる。具体的には、ベンゾフェノン系化合物、ヒドロキシケトン系化合物、アゾ化合物、有機過酸化物、芳香族スルホニウム塩、脂肪族スルホニウム塩などのスルホニウム塩などを用いることができる。重合開始剤の量は、エポキシ樹脂１００質量部あたり、０．１〜２０質量部が好ましく、１〜１０質量部がより好ましい。

【0039】

（導電層）
導電層４２Ｐは、電磁波シールドとして機能し得る層であり、導電性を有する。導電層４２Ｐにより、周囲から第２回路部材２への電磁波の影響が低減される、あるいは第２回路部材２から周囲への影響が低減される。

【0040】

導電層４２Ｐの温度ｔにおける損失正接ｔａｎδ２は、１よりも大きいことが好ましい。これにより、封止工程において、導電層４２Ｐが開口Ａから露出し易くなる。損失正接ｔａｎδ２の上限は特に限定されないが、例えば、１０であり、好ましくは８である。このような導電層４２Ｐを単独で用いる場合、内部空間Ｓを維持しながら封止することは困難である。

【0041】

温度ｔにおける導電層４２Ｐの貯蔵せん断弾性率Ｇ２’は、１．０×１０^７Ｐａ以下であることが好ましく、１．０×１０^６Ｐａ以下であることがより好ましい。温度ｔにおける貯蔵せん断弾性率Ｇ２’がこの範囲であれば、封止工程において、導電層４２Ｐが開口Ａから露出し易くなる。貯蔵せん断弾性率Ｇ２’の下限は特に限定されないが、例えば、１．０×１０^３Ｐａである。

【0042】

導電層４２Ｐは、熱硬化性樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物（以下、第２熱硬化性樹脂組成物と称す。）および導電性粉末により構成される。第２熱硬化性樹脂組成物の構成は、特に限定されないが、第１熱硬化性樹脂組成物と同様の構成であってもよい。導電性粉末としては、銀、銅、ニッケルなどの金属粉末や炭素粉末を用いることができる。なかでも、銀粉末が好ましい。導電性粉末の平均粒径は、例えば０．０１〜１００μｍである。導電性粉末の量は、熱硬化性樹脂１００質量部あたり、１〜５０００質量部が好ましく、１０〜３０００質量部がより好ましい。

【0043】

粘弾性（つまり、損失正接ｔａｎδ）は、例えば、絶縁層４１Ｐおよび／または導電層４２Ｐの原料によって調整することができる。例えば、シート化剤である熱可塑性樹脂の量や種類を変更することにより、損失正接ｔａｎδを変化させることができる。なかでも、フェノキシ樹脂を用いると、容易に貯蔵せん断弾性率Ｇ２’を小さくして、ｔａｎδを大きくすることができる。第２熱硬化性樹脂組成物に含まれる熱可塑性樹脂の量は、熱硬化性樹脂１００質量部あたり、５〜２００質量部が好ましく、１０〜１００質量部がより好ましい。

【0044】

導電層４２Ｐの厚さＴ２は、１〜４００μｍであることが好ましく、２０〜２５０μｍであることがより好ましい。これにより、封止工程において、内部空間Ｓを維持し易くなるとともに、十分な電磁波シールド性能を発揮することが容易となる。なかでも、内部空間Ｓの維持の観点から、導電層４２Ｐは絶縁層４１Ｐよりも薄いことが好ましい。

【0045】

電磁波シールド性能の観点から、導電層４２Ｐの体積抵抗率は５×１０^−３Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、１×１０^−４Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。

【0046】

（被覆層）
積層シート４Ｐは、被覆層４３Ｐを備えていてもよい。この場合、封止材４は、さらに、被覆層４３Ｐの硬化物層４３を備える。被覆層４３Ｐは、絶縁層４１Ｐとは反対側の他方の最外に配置される。被覆層４３Ｐは、例えば、実装構造体１０の封止面をフラットにするために用いられる。これにより、実装構造体１０のダイシングが容易になる。

【0047】

被覆層４３Ｐの温度ｔにおける損失正接ｔａｎδ３は、１より大きいことが好ましい。これにより、被覆層４３Ｐが流動し易くなって、良好な中空封止性が実現されるとともに、実装構造体１０の封止面をフラットにすることが容易になる。よって、実装構造体１０のピックアップ性が向上し、また個片化する場合、ダイシングが容易になる。損失正接ｔａｎδ３の上限は特に限定されないが、例えば、１０であることが好ましく、８であることがより好ましい。

【0048】

温度ｔにおける被覆層４３Ｐの貯蔵せん断弾性率Ｇ３’は、１．０×１０^３Ｐａ以上であることが好ましい。貯蔵せん断弾性率Ｇ３’の上限は特に限定されないが、例えば、１．０×１０^７Ｐａであり、より好ましくは１．０×１０^６Ｐａである。温度ｔにおける貯蔵せん断弾性率Ｇ３’がこの範囲であれば、被覆層４３Ｐは流動し易くなって、封止面がフラットになり易い。

【0049】

被覆層４３Ｐの厚さＴ３は、１０〜１１５０μｍであることが好ましい。これにより、実装構造体１０の封止面をフラットにすることが容易になる。被覆層４３Ｐの体積抵抗率は特に限定されないが、例えば、絶縁層４１Ｐと同程度であってもよい。

【0050】

被覆層４３Ｐは、熱硬化性樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物（以下、第３熱硬化性樹脂組成物と称す。）により構成される。第３熱硬化性樹脂組成物の構成は、特に限定されないが、第１熱硬化性樹脂組成物と同様の構成であってもよい。

【0051】

積層シート４Ｐ全体の厚さＴは特に限定されないが、第２回路部材２の表面に密着させ易い点で、４０〜１５００μｍであることが好ましく、４０〜１０００μｍであることがより好ましく、４０〜５００μｍであることが特に好ましい。

【0052】

積層シート４Ｐは、さらに他の第３の層を備えていてもよい。ただし、一方の最外に絶縁層４１Ｐを配置し、絶縁層４１Ｐに隣接して導電層４２Ｐを配置するとともに、必要に応じて、他方の最外に被覆層４３Ｐを配置する。つまり、第３の層は、導電層４２Ｐと他方の最外層（例えば、被覆層４３Ｐ）との間に配置される。

【0053】

［実装構造体の製造方法］
本実施形態にかかる製造方法を、図３を参照しながら説明する。図３は、本実施形態にかかる製造方法を、実装部材あるいは実装構造体１０の断面により模式的に示す説明図である。

【0054】

実装構造体１０は、第１回路部材１と、例えばバンプ３を介して、第１回路部材１に搭載される複数の第２回路部材２と、第１回路部材１の第２回路部材２同士の隙間から露出する導体６と、を備えるとともに、第１回路部材１と第２回路部材２との間に内部空間Ｓが形成された実装部材を準備する第１準備工程と、積層シート４Ｐを準備する第２準備工程と、積層シート４Ｐの絶縁層４１Ｐが導体６と対向するように、積層シート４Ｐを実装部材に配置する配置工程と、積層シート４Ｐを第１回路部材１に対して押圧するとともに、積層シート４Ｐを加熱して、内部空間Ｓを維持しながら、第２回路部材２を封止する封止工程と、を具備する方法により製造される。封止工程において、開口Ａから導電層４２Ｐ（あるいはその硬化物層４２）が露出して、導電層４２Ｐと導体６とが電気的に接続する。さらに、得られた実装構造体１０を、第２回路部材２ごとにダイシングする個片化工程を行ってもよい。

【0055】

（第１準備工程）
第１回路部材１と、第１回路部材１に搭載される複数の第２回路部材２と、第１回路部材１の第２回路部材２同士の隙間から露出する導体６と、を備える実装部材を準備する（図３（ａ））。第２回路部材２は、例えばバンプ３を介して第１回路部材１に搭載されている。そのため、第１回路部材１と第２回路部材２との間には、内部空間Ｓが形成されている。

【0056】

第１回路部材１は、例えば、半導体素子、半導体パッケージ、ガラス基板、樹脂基板、セラミック基板およびシリコン基板よりなる群から選択される少なくとも１種である。これら第１回路部材は、その表面に、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）やＡＣＰ（異方性導電ペースト）のような導電材料層を形成したものであってもよい。樹脂基板は、リジッド樹脂基板でもフレキシブル樹脂基板でもよく、例えば、エポキシ樹脂基板（例えば、ガラスエポキシ基板）、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド樹脂基板、フッ素樹脂基板などが挙げられる。第１回路部材１は、内部に半導体チップ等を備える部品内蔵基板であってもよい。

【0057】

第２回路部材２は、第１回路部材１にバンプ３を介して搭載されている。これにより、第１回路部材１と第２回路部材２との間には内部空間Ｓが形成される。第２回路部材２は、この内部空間Ｓを維持した状態で封止（中空封止）されることを要する電子部品である。第２回路部材２としては、例えば、ＲＦＩＣ、ＳＡＷ、センサーチップ（加速度センサー等）、圧電振動子チップ、水晶振動子チップ、ＭＥＭＳデバイスなどが挙げられる。

【0058】

バンプ３は導電性を有しており、第１回路部材１と第２回路部材２とは、バンプ３を介して電気的に接続されている。バンプ３の高さは特に限定されないが、例えば、４０〜７０μｍであってもよい。バンプ３の材料も導電性を有する限り特に限定されず、例えば、半田ボールなどが挙げられる。

【0059】

すなわち、実装部材は、各種第１回路部材１上に第２回路部材２が搭載されたチップ・オン・ボード（ＣｏＢ）構造（チップ・オン・ウエハ(ＣｏＷ)、チップ・オン・フィルム（ＣｏＦ）、チップ・オン・グラス（ＣｏＧ）を含む）、チップ・オン・チップ（ＣｏＣ）構造、チップ・オン・パッケージ（ＣｏＰ）構造およびパッケージ・オン・パッケージ（ＰｏＰ）構造を有することができる。実装部材は、第２回路部材２が搭載された第１回路部材１に、さらに第１回路部材１および／または第２回路部材２を積層したような多層実装部材であってもよい。

【0060】

導体６は、第１回路部材１の内部に配置されており、例えば図示しないグランド電極と導通している。導体６は、例えば、導電性ペーストや金属粒子などで形成することができる。

【0061】

（第２準備工程）
絶縁層４１Ｐ、導電層４２Ｐ、さらには被覆層４３Ｐを備えるとともに、絶縁層４１Ｐに開口Ａが形成された積層シート４Ｐを準備する（図３（ａ））。
積層シート４Ｐの製造方法は、特に限定されない。積層シート４Ｐは、各層を別途作成した後、積層する（ラミネート法）ことにより形成されてもよいし、各層の材料を順次、コーティングする（コーティング法）ことにより形成されてもよい。

【0062】

ラミネート法において、各層は、例えば、上記熱硬化性樹脂組成物を含む溶剤ペーストあるいは無溶剤ペースト（以下、単にペーストと総称する。）をそれぞれ調製する工程と、上記ペーストから各層を形成する工程（形成工程）と、を含む方法により形成される。この方法により、絶縁層４１Ｐ、導電層４２Ｐ、被覆層４３Ｐをそれぞれ形成した後、この順に積層する。このとき、パンチ加工、レーザ加工等により、絶縁層４１Ｐに開口Ａを形成した後、積層されることが好ましい。ペーストがプレゲル化剤を含む場合、形成工程の際にゲル化が行われる。ゲル化は、ペーストを薄膜化した後、薄膜を熱硬化性樹脂の硬化温度未満（例えば、７０〜１５０℃）で、１〜１０分間加熱することにより行われる。

【0063】

一方、コーティング法では、上記方法により、例えば絶縁層４１Ｐを形成した後、この絶縁層４１Ｐの表面に、第２熱硬化性樹脂組成物を含むペーストをコーティングして、導電層４２Ｐを形成する。同様にして、導電層４２Ｐの表面に被覆層４３Ｐを形成する。この場合、積層シート４Ｐを形成した後、レーザ加工等により、絶縁層４１Ｐに開口Ａを形成する。この場合も、形成工程の際にゲル化が行われ得る。ゲル化は、各ペーストからそれぞれの薄膜を形成した後、逐次実施されてもよく、薄膜の積層体を形成した後に実施されてもよい。

【0064】

各層（薄膜）は、例えば、ダイ、ロールコーター、ドクターブレードなどにより形成される。この場合、ペーストの粘度を、１０〜１００００ｍＰａ・ｓとなるように調整することが好ましい。溶剤ペーストを用いた場合、その後、７０〜１５０℃、１〜１０分間乾燥して、溶剤を除去してもよい。上記ゲル化と溶剤の除去とは、同時に実施され得る。

【0065】

（配置工程）
絶縁層４１Ｐが第２回路部材２に対向するように、積層シート４Ｐを実装部材に配置する（図３（ａ））。
このとき、複数の第２回路部材２を、一枚の積層シート４Ｐで覆ってもよい。これにより、積層シート４Ｐを一括して、複数の第２回路部材２の表面および第２回路部材２同士の間の第１回路部材１の表面に対向するように配置することができる。

【0066】

（封止工程）
積層シート４Ｐを第１回路部材１に対して押圧するとともに（図３（ｂ））、積層シート４Ｐを加熱して硬化させる（図３（ｃ））。これにより、内部空間Ｓを維持しながら、第２回路部材２が封止される。さらに、開口Ａから導電層４２Ｐが露出する。導電層４２Ｐの露出は、押圧の際、あるいは硬化のために加熱された際に起こる。

【0067】

積層シート４Ｐの第１回路部材１に対する押圧は、例えば、積層シート４Ｐを、積層シート４Ｐに含まれる熱硬化性樹脂の硬化温度未満で加熱しながら行われる(熱プレス)。これにより、積層シート４Ｐは、第２回路部材２の表面に密着するとともに、第２回路部材２同士の間の第１回路部材１の表面に達するまで伸展することが容易となり、第２回路部材２の封止の信頼性を高めることができる。熱プレスは、大気圧下で行ってもよいし、減圧雰囲気（例えば０．００１〜０．０５ＭＰａ）で行ってもよい。押圧時の加熱の条件は、特に限定されず、押圧方法や熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜設定すればよい。上記加熱は、例えば、４０〜２００℃（好ましくは５０〜１８０℃）で、１秒〜３００分間（好ましくは３秒〜３００分間）行われる。

【0068】

続いて、積層シート４Ｐを上記硬化温度で加熱して、積層シート４Ｐ中の熱硬化性樹脂を硬化させて、封止材４を形成する。これにより、第２回路部材２が封止される。積層シート４Ｐの加熱（熱硬化性樹脂の硬化）の条件は、熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜設定すればよい。熱硬化性樹脂の硬化は、例えば、５０〜２００℃（好ましくは１２０〜１８０℃）で、１秒〜３００分間（好ましくは６０分〜３００分間）行われる。

【0069】

熱プレスと熱硬化性樹脂の硬化とは、別々に実施してもよく、同時に実施してもよい。例えば、減圧雰囲気下、積層シート４Ｐに含まれる熱硬化性樹脂の硬化温度未満で熱プレスした後、減圧を解除して、大気圧下でさらに高温で加熱して、熱硬化性樹脂を硬化させてもよい。あるいは、大気圧下で、積層シート４Ｐに含まれる熱硬化性樹脂の硬化温度未満で熱プレスした後、さらに高温で加熱して、熱硬化性樹脂を硬化させてもよい。また、減圧雰囲気下、硬化温度で熱プレスすることにより、減圧中に熱硬化性樹脂を硬化させてもよい。

【0070】

（個片化工程）
得られた実装構造体１０を、第２回路部材２ごとにダイシングする個片化工程を行ってもよい（図３（ｄ））。これにより、チップレベルの実装構造体（実装チップ２０）が得られる。

【産業上の利用可能性】

【0071】

本発明の実装構造体の製造方法は、内部空間を維持しながら、生産性よく、積層シートの導電層とグランド電極とを接続させることができるため、電磁波シールドを要する様々な実装構造体の製造方法として有用である。また、この方法に用いられる本発明の積層シートも、電磁波シールドを要する様々な実装構造体の製造に適している。

【符号の説明】

【0072】

１０：実装構造体
１：第１回路部材
２：第２回路部材
３：バンプ
４Ｐ：積層シート
Ａ：開口
４１Ｐ：絶縁層
４２Ｐ：導電層
４３Ｐ：被覆層
４：封止材（積層シートの硬化物）
４１：絶縁層の硬化物層
４２：導電層の硬化物層
４３：被覆層の硬化物層
６：導体
２０：実装チップ

【図1】

【図2】

【図3】