【国等の委託研究の成果に係る記載事項】(出願人による申告)平成25年度、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「環境調和型製鉄プロセス技術開発(STEP2)」委託研究、産業技術力強化法第19条の適用を受ける特許出願
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
触媒反応装置内に並列に複数配置される触媒反応器内の固定床である触媒層内で、原料流体である非圧縮性流体を反応させて改質する際に、前記触媒層内に副生物が堆積することによって、前記触媒反応器が閉塞することを検知する触媒反応器の閉塞検知方法であって、
前記触媒反応装置は、
並列に配置された前記触媒反応器、全ての前記触媒反応器に流体を供給するための集合管である流入集合管、全ての前記触媒反応器から流出する流体を集めて下流に流出させるための集合管である流出集合管、全ての前記触媒反応器の触媒層内にそれぞれ設けられた触媒層温度計、および前記流入集合管の流体温度である流入温度を計測する流入温度計を備え、炉温調整可能な加熱炉内に配置される加熱炉内装置と、
前記流入集合管に供給する流体を予熱する流体予熱装置と、
前記流入集合管に供給する流体を原料流体と非反応性流体との間で切り替えるための流体切り替え装置と、
前記流入集合管を通過する流量を測定する流量計と、を備え、
前記触媒反応器の閉塞検知方法は、
全ての前記触媒反応器に非反応性流体が通過するように前記流体切り替え装置を設定するとともに、前記流入温度計が第1の流入温度Tin1を示すように前記流体予熱装置を調整し、その際の前記流入集合管の流量QTおよび各々の前記触媒反応器の前記触媒層温度計にて計測された触媒層温度T1,iを記録する第1の操作と、
前記流入温度計が前記第1の流入温度Tin1とは異なる第2の流入温度Tin2を示すように前記流体予熱装置を調整し、その際の各々の前記触媒反応器の前記触媒層温度計にて計測された触媒層温度T2,iを記録する第2の操作と、
i番目の触媒反応器において、
βi=hLXi/(ρCp)
h:熱貫流率
L:配管の周長
ρ:ガスの密度
Cp:ガスの定圧比熱
Xi:i番目の触媒反応器における配管の長さ
なる式によって定義されるβiを用いて、各触媒反応器での流量Qiを前記Tin2、Tin1、T1,i、T2,i、およびβiの関数として算出する第3の操作と、
前記流量Qiが所定値よりも小さい場合に、前記流量Qiに対応するi番目の触媒反応器が閉塞したものと判定する第4の操作と、を含むことを特徴とする、触媒反応器の閉塞検知方法。
前記加熱炉内装置は、更に、前記触媒反応器内の堆積物を触媒反応器ごとに独立して除去するための触媒層内堆積物除去装置を備えることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の触媒反応器の閉塞検知方法。
請求項6に記載の触媒反応器の閉塞検知方法により、i番目の触媒反応器が閉塞したものと判定された場合に、前記触媒層の閉塞を解消するように、前記i番目の触媒反応器の前記触媒層内堆積物除去装置を作動させることを特徴とする、触媒反応器の閉塞解消方法。
並列に複数配置される触媒反応器内の固定床である触媒層内で、原料流体である非圧縮性流体を反応させて改質すると共に、前記触媒層内に副生物が堆積することによって、前記触媒反応器が閉塞することを検知する、触媒反応装置であって、
並列に複数配置された前記触媒反応器、全ての前記触媒反応器に流体を供給するための集合管である流入集合管、全ての前記触媒反応器から流出する流体を集めて下流に流出させるための集合管である流出集合管、全ての前記触媒反応器の触媒層内にそれぞれ設けられた触媒層温度計、および前記流入集合管の流体温度である流入温度を計測する流入温度計を有し、炉温調整可能な加熱炉内に配置される加熱炉内装置と、
前記流入集合管に供給する流体を予熱する流体予熱装置と、
前記流入集合管に供給する流体を原料流体と非反応性流体との間で切り替えるための流体切り替え装置と、
前記流入集合管を通過する流量を測定する流量計と、を備え、
更に、
全ての前記触媒反応器に非反応性流体が通過するように前記流体切り替え装置を設定するとともに、前記流入温度計が第1の流入温度Tin1を示すように前記流体予熱装置を調整し、その際の前記流入集合管の流量QTおよび各々の前記触媒反応器の前記触媒層温度計にて計測された触媒層温度T1,iを記録する第1の手段と、
前記流入温度計が前記第1の流入温度Tin1とは異なる第2の流入温度Tin2を示すように前記流体予熱装置の炉温を調整し、その際の各々の前記触媒反応器の前記触媒層温度計にて計測された触媒層温度T2,iを記録する第2の手段と、
i番目の触媒反応器において、
βi=hLXi/(ρCp)
h:熱貫流率
L:配管の周長
ρ:ガスの密度
Cp:ガスの定圧比熱
Xi:i番目の触媒反応器における配管の長さ
なる式によって定義されるβiを用いて、各触媒反応器での流量Qiを前記Tin2、Tin1、T1,i、T2,i、およびβiの関数として算出する第3の手段と、
前記流量Qiが所定値よりも小さい場合に、前記流量Qiに対応するi番目の触媒反応器が閉塞したものと判定する第4の手段と、を実行させる触媒反応器の閉塞検知判定装置を備える、ことを特徴とする触媒反応装置。
前記加熱炉内装置は、更に、前記触媒反応器内の堆積物を触媒反応器ごとに独立して除去するための触媒層内堆積物除去装置を備える、ことを特徴とする請求項8に記載の触媒反応装置。
【発明を実施するための形態】
【0029】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0030】
<1.第1の実施形態>
(1.全体構成)
まず、
図1〜
図2に基づいて、第1の実施形態に係る触媒反応装置1の全体構成を説明する。触媒反応装置1は、流体切り替え装置110と、ガス予熱装置111と、加熱炉内装置A1と、冷却装置117と、流量調整装置118と、ブロワ119とを備える。
【0031】
加熱炉内装置A1は、加熱区間A内に設けられており、流入集合管101と、流量計112と、流入圧力計113と、流入温度計114と、複数の(
図1の例ではN個。Nは3以上の整数)の触媒反応器2と、触媒反応器2毎に設けられる触媒層内堆積物除去装置3と、触媒反応器2毎に設けられる触媒層温度計115と、流出集合管102と、流出圧力計116とを備える。
【0032】
加熱炉内装置A1は、図示しない加熱炉によって加熱される。このような加熱炉としては、例えば、炉内にガスバーナを多数配置した直火式加熱炉を用いることができる。加熱炉内で触媒反応器2あるいは配管の存在しない代表点に炉温を計測する温度計が設置される。そして、ガスバーナの燃焼量を制御することによって、この温度計の実測値が目標値に一致するように、炉温の調整がなされる。
【0033】
したがって、加熱炉内装置A1を構成する触媒反応器2は、加熱炉(すなわち、外部)から加熱される。これにより、触媒反応に要する反応熱が触媒反応器2に供給される。したがって、触媒反応器2は、外熱式触媒反応器となっている。触媒反応器2は、加熱区間A内に並列に複数(
図1の例ではN個)配置されている。触媒反応器2は、直管内に触媒が充填された構成を有しており、触媒は、触媒層として直管内に固定床として固定されている。また、直管下部に触媒落下防止用の網等が設けられている。直管の一端が入側、反対端が出側とされる。そして、入側から原料ガスが導入され、原料ガスが触媒層(固定床)を通過する際に触媒反応が生じる。触媒反応後の原料ガス、すなわち改質ガスは、出側から流出される。加熱炉内装置A1の詳細な構成については後述する。
【0034】
流体切り替え装置110は、原料流体供給装置100、非反応性流体供給装置200、および流入集合管101に接続されている。流体切り替え装置110は、流入集合管101に供給するガスを原料流体供給装置100から供給される原料ガスと非反応性流体供給装置200から供給される非反応性ガスとの間で切り替える装置である。流体切り替え装置110としては、例えば、上流側の2つのポートが原料流体供給装置100(より具体的には、原料流体供給装置100から伸びる配管)と非反応性流体供給装置200(より具体的には、非反応性流体供給装置200から伸びる配管)とにそれぞれ接続され、下流側のポートが流入集合管101に接続される構造の三方弁を用いることができる。
【0035】
原料流体供給装置100は、原料ガスを触媒反応器2に供給する装置であり、例えばガスホルダやガス発生炉等である。原料ガスは、後述する触媒層内の触媒反応によって改質されるガスである。第1の実施形態および後述する他の実施形態が対象とする触媒反応は、操業中に触媒層の流通抵抗が大きく変化しうるものである。このため、原料ガスは、例えば、天然ガス、ナフサ、コークス炉ガス等、あるいは、タールを含む石炭乾留ガス等の炭化水素を含有するガスが挙げられる。原料ガスが炭化水素を含む場合、原料ガスは、触媒層によって水蒸気改質等の改質がなされる。改質された原料ガス、すなわち改質ガスは、反応流体回収装置300に回収される。
【0036】
この際、副反応である炭化水素の接触分解反応によって副生成物であるコークが生成されることがある。触媒層内で生成したコークは、徐々に触媒層(固定床)中の触媒間の空間に堆積するので、操業中に触媒層の流通抵抗(この場合は、通気抵抗)が増大する。さらに、第1の実施形態および後述する他の実施形態が対象とする触媒反応では、熱伝導率が、触媒層中の空隙を通過するガスのそれに比べて桁違いに大きく、且つ、触媒のそれに比べて著しく小さくはない(触媒種にもよるが、例えば、触媒反応温度において1W/m・K以上)副生成物が生成されるものを対象とする。コークは、このような熱伝導率条件を満たす副生成物の一例である。以下、説明の便宜のために、副生成物がコークである場合を一例として説明するが、副生成物がコークに限られないことは勿論である。
【0037】
なお、水蒸気改質の反応性を確保するために、触媒層の温度、すなわち触媒層温度は、例えば700℃以上といった高温に設定され、全ての触媒反応器2においてこの触媒層温度条件を満足するように加熱炉の炉温T
fが調整される。以下、i番目の触媒反応器2の触媒層温度を「触媒層温度T
i」とも称する。
【0038】
非反応性流体供給装置200は、非反応性ガスを触媒反応器2に供給する装置であり、例えばガスホルダ等が挙げられる。非反応性ガスは、触媒層温度に加熱された触媒によって化学反応を生じないガスである。例えば、上記の原料ガスの水蒸気改質反応が行われる場合、非反応性ガスは、アルゴン等の不活性ガスや窒素ガス等が該当する。なお、第1の実施形態および後述する他の実施形態では、触媒反応装置1内を流通する流体(例えば原料ガス、非反応性ガス、改質ガス)を全て気体としたが、液体であっても一向に問題はない。
【0039】
ガス予熱装置111は、流入集合管101に導入される原料ガスまたは非反応性ガスを予熱する装置である。原料ガスまたは非反応性ガスは、予熱された後に触媒反応器2に導入される。ガス予熱装置111は、流入集合管101の一方の端部、すなわち単管の流入管101aに設けられる。ガス予熱装置111は、例えば熱交換器である。ガス予熱装置111は、管路の壁面が直接加熱される加熱管であってもよい。なお、流入集合管101と原料流体供給装置100との間には、ブロワ等の流体搬送装置等を適宜設けても良い。
【0040】
流入集合管101は、全ての触媒反応器2に流体、例えば原料ガスまたは非反応性ガスを供給するための単一の集合管である。流入集合管101の一方の端部は単管の流入管101aとなっており、流入管101aは、流体切り替え装置110に接続されている。他方の端部は複数の(N本の)流入分岐管101bとなっており、各流入分岐管101bに触媒反応器2の入側の端部が接続されている。流入管101aと流入分岐管101bとは連結管101cによって連結されている。
【0041】
触媒反応器2は、固定床である触媒層を内蔵した直管状の装置であり、加熱区間A内に並列に複数配置されている。触媒反応器2の入側の端部は流入集合管101の流入分岐管101bに連結され、出側の端部は流出集合管102の流出分岐管102bに連結されている。触媒反応器2は、触媒層を用いた触媒反応により原料ガスを改質する。そして、触媒反応器2は、改質後の原料ガス、すなわち改質ガスを流出集合管102に排出する。触媒反応器2の詳細な構成については後述する。
【0042】
触媒層内堆積物除去装置3は、触媒反応器2毎に設けられ、触媒層内に堆積したコーク等の副生成物、すなわち堆積物を操業中に除去する。触媒層内堆積物除去装置3は、互いに独立して駆動することができる。触媒層内堆積物除去装置3の具体例は後述するが、例えば特許文献1、2に開示された装置を特に制限なく使用することができる。
【0043】
流出集合管102は、全ての触媒反応器2から流出する流体、例えば改質ガスまたは非反応性ガスを集めて下流に流出させるための単一の集合管である。流出集合管102の一方の端部は複数の(N本の)流出分岐管102bとなっており、各流出分岐管102bに触媒反応器2の出側の端部が接続されている。流出集合管102の他方の端部は単管の流出管102aとなっている。流出管102aと流出分岐管102bとは連結管102cによって連結されている。流出管102aは、冷却装置117、流量調整装置118、およびブロワ119を介して反応流体回収装置300に接続されている。したがって、流出集合管102から流出された改質ガスは、冷却装置117、流量調整装置118、およびブロワ119を通って反応流体回収装置300で回収される。反応流体回収装置300は、例えば、ガスホルダ等で構成される。
【0044】
流量計112は、加熱区間A内の流入管101aに設けられ、流入集合管101内の流量Q
Tを測定する。流量Q
Tは、各触媒反応器2に導入されるガスの総量となる。流量計112としては、例えば、オリフィスを用いた装置が挙げられる。具体的には、オリフィスが流入管101a内に設けられる。そして、流量計112は、オリフィス前後の差圧からベルヌイの原理に基づいて流速を測定し、その値を流量Q
Tに換算する。詳細は後述するが、第1の実施形態では、流量Q
Tとして、非反応性ガスの流量を使用する。したがって、流量計112は、非反応性流体供給装置200の流出口に設けられても良い。本実施形態の装置系においては、ガス温度が場所や時刻によって変動するので、流量Q
Tを、例えば、標準状態での流量に換算して用いることができる。
【0045】
流入温度計114は、例えば連結管101c内に設けられ、流入集合管101内のガス温度、すなわち流入温度を測定する。触媒層温度計115は、触媒反応器2毎に設けられ、触媒層内の温度を測定する。これらの温度計には熱電対を用いることができる。この場合、例えば、温度検出部を連結管101cあるいは触媒反応器2内に挿入し、連結管101cの管壁あるいは触媒反応器2の管壁を貫通して信号線を加熱炉外に引き出す。そして、加熱炉外に設けられた温度変換器に信号線を接続させる。温度変換器は、温度を計測および記録する。なお、触媒層温度計115の温度検出部は、触媒層の中心部に配置されることが好ましいが、設計上の便宜があれば、触媒層内のより下流側、触媒層の下方の触媒反応器内空間、または、触媒層と触媒反応器2の容器外壁面とで挟まれる空間に設けられても良い。
【0046】
流入圧力計113は、例えば、加熱区間A内の流入管101aに設けられ、流入集合管101内のガス圧を測定する。流出圧力計116は、加熱区間A内の流出管102aに設けられ、流出集合管102内のガス圧を測定する。これらは、差圧計測装置を構成する。これらの圧力計を実現する方法としては、例えば、流入管101aと流出管102aにそれぞれ圧力導管を設けて圧力導管の端部を加熱炉外に引き出し、この端部に市販のダイヤフラム型圧力計を接続する等すればよい。
【0047】
触媒反応装置1に含まれるこれらの計測機は、工業的な外熱式触媒反応器2に関する技術分野では、操業管理のために標準的に設置されている場合が多いものである。
【0048】
冷却装置117は、改質ガス中の凝縮成分(例えばタール等)を除去するとともに、改質ガスを後段の流量調整装置118、及び反応流体回収装置300に供給可能な温度(例:80℃未満)まで冷却する。冷却装置117の具体例としては、熱交換器やスクラバが挙げられる。冷却された改質ガスは、流量調整装置118を通ってブロワ119に導入される。
【0049】
流量調整装置118は、全ての流入分岐管101b内の原料ガスの流量を合計した原料ガス流量が目標値となるように調整する装置である。流量調整装置118は、例えば、改質ガスの流量を調整する弁であり、電動モータやエアシリンダ等の駆動装置を備える。流量調整弁には市販のものを用いることができる。
【0050】
ブロワ119は、冷却装置117によって冷却された改質ガスを反応流体回収装置300に供給する(送風する)。ブロワ119も特に制限されず、市販のターボ式・容積式のブロワであってもよい。ブロワ119および流量調整装置118の設定値を調整することで、原料ガス流量が目標値となるように調整することができる。
【0051】
触媒反応装置1は、工業的に実用化されているものであり、例えば、炭化水素(例えば、天然ガス)の水蒸気改質用の外熱式触媒反応装置で使用される一般的な材質や構造によって実現される。
【0052】
(2.触媒反応器の具体例)
触媒反応器2としては、例えば特許文献1、2に開示されたものを特に制限なく使用することができる。以下、触媒反応器2の具体例を幾つか説明する。なお、以下に説明する例では、触媒反応器2内に触媒層内堆積物除去装置3が組み込まれている。
【0053】
(2−1.第1の例)
まず、
図4に基づいて、触媒反応器2の第1の例について説明する。第1の例は、特許文献1の第1の実施形態に開示された触媒反応器に相当する。したがって、ここに開示されていないパラメータについては、適宜特許文献1に開示されたパラメータを適用することができる。
【0054】
図4に示すように、第1の例に係る触媒反応器2は、反応容器40と、流入路41と、流出路42と、触媒層43と、触媒保持器44と、心棒48と、駆動装置49とを備える。触媒保持器44は、互いに平行に配置された複数のロッド44aと、ロッド44aの端部間を連結するロッド固定具44bとを備える。これらのうち、触媒保持器44、心棒48、および駆動装置49によって触媒層内堆積物除去装置3が実現される。
【0055】
(反応容器の形状)
反応容器40は、上下両端に開口を有し、これらの開口間に触媒を収納できるものであればどのような形状でもよい。上方の開口は、流入路41に通じており、触媒反応用の原料ガスの反応容器40への流入口に当たるものである。下方の開口は、流出路42に通じており、改質ガスの反応容器40からの流出口に当たるものである。反応容器40は、例えば、円筒状、角型ダクト状などの形状であることができる。以下では、角型ダクト状の反応容器を例に説明する。
【0056】
第1の例に係る触媒反応器2の説明において、「容器の中心軸」とは、容器の水平断面の図心を鉛直方向に連ねたものと定義する。「反応容器の厚み」は、水平断面における反応容器の長さのうちの最小の長さに相当し、「反応容器の幅」は、水平平面における反応容器の長さのうちの最大の長さに相当する。容器が円筒の場合には、容器の「幅」および「厚」を「直径」と置き換えればよい。
【0057】
(触媒保持器)
触媒保持器44は、反応容器40内で触媒層43を触媒層43の下面全体で保持するとともに、通気性を有する。触媒保持器44には、網、パンチングメタル、複数の棒を用いて棒の間に空間を生じるように水平方向に各棒を互いに平行に並べて棒の両端を固定したもの等を用いることができる。
図4に示した触媒保持器44は、複数のロッド44aの両端をロッド固定具44bで固定して作製したものの例である。
【0058】
(触媒層の駆動機構)
本発明では、触媒保持器44を昇降させることによってその上の触媒層43を反応容器40内で昇降させる。そのために、反応容器40には触媒保持器44を昇降させる駆動装置49が装備される。駆動装置49には、エアシリンダ、ラックピニオン等の歯車を利用した昇降装置などの、一般的な駆動機構を用いることができる。触媒保持器44は、心棒48を用いて駆動装置49に結合される。駆動装置49を作動させると、保持器44の全体が反応容器40の軸線(反応容器40の中心軸)に沿って移動して、触媒層43の全体をやはり反応容器40の軸線に沿って上下に移動させる。
【0059】
少なくとも心棒48の触媒保持器44側の一部は反応容器40、または、流入路41、流出路42の内側に存在する必要がある。駆動装置49は、反応容器40の外部に設けることができる。反応容器40を例えば加熱炉などの加熱装置(図示せず)内に配置する場合には、駆動装置49を加熱装置外に設けることもできる。この場合、市販の昇降装置を使える一方で、心棒48が反応容器40を貫通する部分を高温用パッキン等で封止する必要がある。
【0060】
駆動装置49全体を、
図4に示したように反応容器40内に設ける場合には、駆動装置49を、例えば反応容器40内の高温や腐食性物質から保護するために、耐熱・耐食性のものとする必要がある。これは、一例として、駆動装置49のエアシリンダ全体をハステロイ(登録商標)等の耐熱合金製とすることによって実現できる。この場合、エアシリンダへの供給エア配管(図示せず)は反応容器40を貫通するが、この部分は非可動部なので、配管を全周溶接するなどして封止を図ればよい。
【0061】
(触媒層の昇降)
触媒保持器44の上面全体に触媒を充填して触媒層を形成する。このように形成された触媒層の側面は、反応容器40の内壁面に常に接触し続ける。触媒保持器を上昇させると触媒層には上向きに力が与えられ、触媒層側面では反応容器内壁面からの下向きの摩擦力を生じる。この結果、触媒層内では、壁面近傍の触媒では壁面の拘束が大きいために上方への移動量が触媒保持器の上昇量よりも平均的に小さくなるとともに、この部分での触媒粒子の充填率は上昇する。一方、壁面から遠い、触媒層の中心部では壁面の拘束がより弱いので、触媒層の上方への移動量は比較的大きく、この部分での触媒粒子の充填率の上昇はより小さい。この結果、触媒保持器の上昇中には、壁面近傍から中心にかけて触媒層のせん断変形を生じ、触媒層のいたるところで触媒粒子間の相対変位が発生する。この相対変位によって触媒粒子間の空間が変形するので、この空間に堆積していた副生コーク(すなわち、副生成物)は、破砕され、押し出されて触媒層外に排出されうる。このように、触媒保持器の上昇によって触媒層の平均充填率は上昇する。
【0062】
これに対して、触媒保持器の下降時には、触媒層の平均充填率は昇降開始前のレベルまで低下する。これは、触媒保持器の下降時には、壁面の拘束によって、下方の触媒層から順に徐々に落下するため触媒層の下降中には触媒粒子間の平均距離が増大し、この触媒間の位置関係の一部が触媒層の下降完了後まで維持されるため、触媒層の充填率が低下する。また、触媒層下降時の充填率の低下にともなう触媒粒子間隔の増大に伴って、粒子間に堆積した副生コークが移動して触媒外に排出されうる。この結果、触媒層の昇降を繰り返しても充填率が上昇し続けて最密充填に至ることはなく、長期間に渡ってコーク除去を継続できる。このように、触媒層の昇降操作によって、触媒層内に堆積したコークを除去することができる。また、この手法において触媒層からコークを除去するための原理は、触媒粒子間の空間を変形させることであるので、触媒層の昇降速度は必ずしも大きい必要はない。10mm/s程度の昇降速度で充分な効果が得られる。また、粒子間の相対変位量も粒子の寸法程度(例えば、10mm)でよい。
【0063】
(流入路、流出路)
流入路41は、流入分岐管101bに連結されている。したがって、流入路41には原料ガスが導入される。
図4中の矢印P1は原料ガスの流れを示す(触媒層中で下降流の場合)。流出路42は、流出分岐管102bが連結されている。流出路42には、改質ガスが導入される。その後、改質ガスは、流出分岐管102bを通って冷却装置117に導入される。
【0064】
(触媒層)
触媒層43は、触媒粒子が反応容器40内で触媒保持器44上に充填して積層されることで形成される。触媒粒子は、原料ガスの改質の触媒となるものであり、原料ガスは、触媒粒子に接触した際に改質される。例えば、触媒粒子上で触媒反応が起こることで、原料ガス中の水蒸気とタールガスが改質されて一酸化炭素ガスと水素ガスとコークが生じる。
【0065】
触媒層43を構成する触媒粒子は、原料ガスを改質(例えば、水蒸気改質やクラッキング)できる触媒であれば、どのようなものであってもよい。例えば、原料ガスが炭化水素を含む場合、触媒粒子としては、Ni−アルミナ系触媒、Ni−マグネシア−アルミナ系触媒等を用いることができる。
【0066】
(2−2.第2の例)
つぎに、
図5〜
図7に基づいて、触媒反応器2の第2の例について説明する。第2の例は、特許文献1の第2の実施形態に開示された触媒反応器に相当する。したがって、ここに開示されていないパラメータについては、適宜特許文献1に開示されたパラメータを適用することができる。
【0067】
触媒反応器2は、反応容器10と、流入路11と、流出路12と、触媒層13と、触媒保持器14と、弁座15と、通気孔16と、弁体17と、心棒18と、断熱材19と、連結管20と、駆動装置21とを備える。弁座15、通気孔16、弁体17、及び心棒18は、ガス遮断部3aとして機能する。また、触媒保持器14、心棒18、連結管20、および駆動装置21によって触媒層内堆積物除去装置3が実現される。
【0068】
(反応容器)
反応容器10は、触媒層13と、触媒保持器14と、弁座15と、通気孔16と、弁体17と、心棒18とを収容する円筒形状の部材である。反応容器10の形状を円筒形状とすることで、高温下でも半径方向(長さ方向に垂直な方向)の歪みが生じにくい。もちろん、設計上の便宜等の理由により、反応容器10の形状を他の形状としてもよい。例えば、反応容器10は、水平断面が正多角形となる角筒形状、水平断面が楕円となる楕円筒形状であってもよい。
【0069】
(流入路)
流入路11は、反応容器10の上端で反応容器10に連結されている。すなわち、反応容器10の上端には通気孔11aが形成されており、この通気孔11aを介して流入路11と反応容器10とが連結されている。流入路11は、流入分岐管101bに連結されており、原料流体供給装置100から発生した原料ガスを反応容器10内に導入する。矢印P1は、原料ガスの流動方向を示す。
【0070】
(流出路)
流出路12は、反応容器10の下端で反応容器10に連結されている。すなわち、反応容器10の下端には通気孔12aが形成されており、この通気孔12aを介して流出路12と反応容器10とが連結されている。流出路12は、流出分岐管102bに連結されており、反応容器10内で生成した改質ガスを粉塵回収器6に導入する。矢印P2は、改質ガスの流動方向を示す。
【0071】
流入路11及び流出路12は、触媒反応器2の側方に配置されているので、触媒反応器2を上下に貫通する心棒18との干渉を回避できる。ここで、各触媒反応器2の流入路11及び流出路12を触媒反応器2間で共有することで、触媒反応器2同士を並列接続してもよい。
【0072】
(触媒層)
触媒層13は、反応容器10内に設けられる。触媒層13は、触媒粒子が反応容器10内で触媒保持器14上に充填して積層されることで形成される。触媒粒子は、原料ガスの改質の触媒となるものであり、原料ガスは、触媒粒子に接触した際に改質される。例えば、触媒粒子上で触媒反応が起こることで、原料ガス中の水蒸気とタールガスが改質されて一酸化炭素ガスと水素ガスとコークが生じる。
【0073】
また、触媒層13は、反応容器10の内壁面に接触している。このため、触媒層13の昇降時には、壁面摩擦の効果によって触媒層13の上部は下部に遅れて下降する。したがって、触媒層13の充填率が一時的に低下する。この際、触媒粒子間の平均的な間隙が拡大するため、触媒層の静止時には除去ガスが通過しにくい部位(例:触媒保持器直上の触媒粒子等)にも除去ガスが到達し、そこでの副生成物を除去できる。
【0074】
また、触媒層13は、反応容器10内で3層形成されている。そして、各層の触媒層13が触媒保持器14によって保持される。このように触媒層13を多層構造とすることで、各触媒保持器14に掛かる荷重を低減することができる。もちろん、触媒層13の層数は3層に限られない。
【0075】
触媒層13を構成する触媒粒子は、原料ガスを改質(例えば、水蒸気改質やクラッキング)できる触媒であれば、どのようなものであってもよい。例えば、原料ガスが炭化水素を含む場合、触媒粒子としては、Ni−アルミナ系触媒、Ni−マグネシア−アルミナ系触媒等を用いることができる。また、触媒粒子の大きさは、後述する触媒保持器14の通気孔14cを通過しない程度の大きさであればよい。
【0076】
(触媒保持器)
触媒保持器14は、触媒層13を保持する部材であり、触媒層13毎に設けられる。触媒保持器14は、後述する心棒18に固定され、心棒18と一体となって昇降する。
【0077】
触媒保持器14は、反応容器10内で触媒層13を触媒層13の下面全体で保持するとともに、通気性を有する。具体的には、触媒保持器14は、触媒粒子の落下を防ぎつつ、各種ガス(原料ガス及び改質ガス)を流通させる構造を有する必要がある。具体的には、触媒保持器14は、
図6に示すように、複数のリング状部材14aと、リング状部材14a同士を連結する連結部材14bとを備える。各リング状部材14aは、互いに直径が異なっており、連結部材14b上に同心円状に配置される。ここで、各リング状部材14aの中心点は、心棒18の中心軸上に配置される。また、リング状部材14aの断面(周方向に垂直な断面)形状は特に制限されないが、強度の観点から矩形であることが好ましい。また、リング状部材14a間には、通気孔14cが形成される。各種ガス及び副生成物は、この通気孔14cを通過する。
【0078】
連結部材14bは、リング状部材14a同士を連結するとともに、これらを心棒18に固定させる。すなわち、連結部材14bは、心棒18から放射状に伸びる部材となっている。連結部材14bの断面(長さ方向に垂直な断面)形状も矩形であることが好ましい。リング状部材14a及び連結部材14bの断面積を大きくすることで、触媒保持器14の強度を大きくすることができる。触媒保持器14は、例えば、反応容器10の水平断面形状と同じ形状に加工された網、パンチングメタル等であってもよい。
【0079】
触媒保持器14は、常温及び触媒反応の温度まで加熱された時のいずれにおいても、耐熱・耐腐食性・曲げやせん断に対する強度および靭性を備えた金属材料で構成されることが好ましい。このような金属材料の例として、ステンレス鋼、ハステロイ(登録商標)やインコネル(登録商標)等のニッケル合金、チタン、チタン合金等を挙げることができる。
【0080】
(弁座、通気孔)
次に、弁座15は、
図7に示すように、反応容器10の内壁面に設けられている。弁座15は、反応容器10内の空間を水平方向に仕切る部材である。また、弁座15の中心部分には、弁座15を上下に貫通する通気孔16が形成されている。心棒18は通気孔16を貫通しており、原料ガスは、この通気孔16を通過することができる。すなわち、通気孔16の直径は、心棒18の直径よりも大きい。また、弁座15の下端面には、略円錐形状の切り欠きが形成されている。したがって、弁座15の下端面には凹形状が形成されている。弁座15の材質は触媒保持器14の材質と同様であればよい。
【0081】
(弁体)
弁体17は、心棒18と一体となって昇降する部材であり、円錐台形形状となっている。弁体17は、心棒18と一体となって昇降することで、通気孔16を開放、または閉塞することができる。例えば、弁体17は、
図7(b)の実線で示される位置(この位置は後述する開放位置18aに相当する)に存在する場合に、通気孔16を開放する。この場合、原料ガスは、通気孔16を通って触媒層13に到達することができる。一方、弁体17は、
図7(b)の二点鎖線で示される位置(この位置は後述する閉塞位置18bに相当する)に存在する場合に、通気孔16を閉塞する。この場合、弁座15及び弁体17によって流入路11と反応容器10内の触媒層13とが遮断されるので、原料ガスは触媒層13に到達することができない。すなわち、原料ガスの反応容器10への流通が遮断される。弁体17の材質は触媒保持器14の材質と同様であればよい。
【0082】
なお、
図7(a)の破線17dは、通気孔16を閉塞した弁体17の上端部を示し、破線17e及び
図7(b)中の直線17bは、通気孔16を閉塞した弁体17と弁座15との接触線を示す。この接触線は円形となる。
【0083】
このように、弁座15及び弁体17のいずれも軸対称形状(接触線17bが円形)となっている。このため、原料ガスの遮断性をより高めることができる。尚、設計上の便宜の理由等から、接触線17bが楕円形等のなめらかで角を持たない形状であってもよい。この場合、弁座15の水平断面形状及び弁体17の切り欠きの水平断面形状を楕円形等にすればよい。
【0084】
(心棒)
心棒18は、反応容器10内を上下に伸びる円柱または円筒形状の部材(すなわち、丸棒または円管)である。心棒18には、触媒保持器14及び弁体17が固定されており、触媒保持器14及び弁体17とともに昇降する。また、心棒18の上端部は、断熱材19を介して駆動装置21に連結されている。心棒18は、駆動装置21によって昇降する。具体的には、心棒18は、
図5(b)に示すように、弁体17が通気孔16を開放する開放位置18aと、
図5(c)に示すように、弁体17が通気孔16を閉塞する閉塞位置18bとの間を昇降する。
【0085】
さらに、心棒18は、副生成物の除去時には、
図5(d)に示す中間位置18cと
図5(b)に示す開放位置18aとの間で昇降することが可能となっている。中間位置18cは、開放位置18aと閉塞位置18bとの間に設定される。
図5に示す例では、中間位置18cは、開放位置18aと閉塞位置18bとの中点に中間位置18cが設定されるが、他の位置に中間位置18cが設定されても良いことはもちろんである。
【0086】
中間位置の設定方法は特に制限されないが、例えば上述したエアシリンダ中の中間位置に相当する位置にリミットスイッチを設ける方法等が挙げられる。より具体的には、このようなリミットスイッチを有する3ポジション式のエアシリンダを駆動装置21として用いれば良い。また、複数の2ポジション型エアシリンダを直列に結合することで、3ポジション式のエアシリンダを実現してもよい。なお、中間位置の数は複数であってもよい。この場合、駆動装置21のポジション数は中間位置の数に応じて増大する。
【0087】
駆動装置21は、図示しない増速装置による制御により、原料ガスの遮断時には心棒18を閉塞位置18bで停止させ、原料ガスの改質時には、心棒18を開放位置18aで停止させる。さらに、駆動装置21は、副生成物の除去時には、心棒18を中間位置18cと開放位置18aとの間を昇降させる。駆動装置21の制御は、図示しない反応器群制御装置によって行われる。これにより、本実施形態では、原料ガスの流通を遮断させることなく触媒層13を昇降させることができる。すなわち、本実施形態では、心棒18を中間位置18cと開放位置18aとの間で昇降させる。
【0088】
上記のように、心棒18が開放位置18a(または中間位置18c)にある場合に、弁体17は弁座15と非接触であり、通気孔16が開放される。この場合、原料ガスが触媒反応器2内に導入される。また、心棒18が閉塞位置18bにある場合に、弁体17は弁座15と接触し、通気孔16が閉塞する。この場合、原料ガスは触媒反応器2から遮断される。そして、心棒18が開放位置18a(または中間位置18c)にある際に、ガス遮断部3aは開放状態となり、心棒18が閉塞位置18bにある際に、ガス遮断部3aは閉塞状態となる。
【0089】
断熱材19は、心棒18の熱が駆動装置21に伝わりにくくするために設けられる部材である。断熱材19は、反応容器10の上端面10aを貫通し、連結管20内に伸びている。そして、断熱材19は、連結管20内で駆動装置21の駆動棒21aと連結されている。なお、断熱材19の下端部は、心棒18の昇降時に反応容器10内に配置される。これにより、心棒18の昇降中であっても、心棒18の熱が駆動装置21に伝わりにくくなる。断熱材19は、例えばセラミックス等で構成される。なお、断熱材19の構造としては、フランジ間に断熱材を挟む構造や、単に複数の金属板を軸方向に多数重ねる構造としてもよい。後者の場合、金属板間の接触熱抵抗を利用して軸方向の熱流束を抑制することができる。断熱材19は、高温用パッキンであってもよい。
【0090】
(連結管及び駆動装置)
連結管20は、反応容器10と駆動装置21とを連結する管状部材である。駆動装置21は、心棒18を開放位置18a、閉塞位置18b、中間位置18cとの間で昇降させる部材であり、駆動棒21aと、シリンダ22と、ピストン23とを備える。したがって、駆動装置21はいわゆる3ポジション型のエアシリンダを利用した昇降装置となっている。駆動棒21aは、断熱材19を介して心棒18に連結されている。シリンダ22は、ピストン23が収納される部材であり、ピストン23は、シリンダ22内に供給されるガスによってシリンダ22内を昇降する。ピストン23には、駆動棒21aが連結される。駆動棒21aは、ピストン23と連動して昇降する。これにより、駆動装置21は、心棒18を昇降させる。なお、ピストン23がシリンダ22の下端に到達した際に、心棒18は開放位置18aに到達し、ピストン23がシリンダ22の上端に達した際に、心棒18は閉塞位置18bに到達する。中間位置では18cでは、シリンダ上下の圧力をバランスさせて開放位置と閉塞位置間での所定の停止位置にシリンダを維持する。もちろん、駆動装置21は心棒18を上述した態様で昇降させることができればよいので、駆動機構はエアシリンダに限定されない。例えば、駆動装置21の駆動機構は、ラックピニオン等であってもよい。
【0091】
駆動装置21は、
図5に示されるように、反応容器10の外部に設けられる。さらに、駆動装置21は、加熱装置(反応容器10等を加熱する装置)内に配置されてもよい。この場合、駆動装置21を高温や腐食性物質から保護するために、駆動装置21を耐熱・耐食性が高い材質で構成することが好ましい。例えば、駆動装置21のエアシリンダ全体をハステロイ(登録商標)等の耐熱合金で構成してもよい。この場合、エアシリンダにガスを供給する配管(図示せず)は反応容器10を貫通するが、この部分は非可動部なので、配管を全周溶接するなどして封止を図ればよい。なお、心棒18の上昇時に、触媒保持器14の一部が触媒層13に食い込んで自由落下しえなくなる場合があるので、駆動装置21は心棒18の上昇時だけでなく下降時も駆動されることが好ましい。なお、駆動装置21は、図示しない反応器群制御装置による制御によって駆動する。
【0092】
第2の例では、複数の触媒反応器2のうち、いずれかの触媒反応器2のガス遮断部3aを選択的に閉塞状態とすることができる。たとえば、いずれか1つの触媒反応器2のガス遮断部3aを開放状態とし、残りの触媒反応器2のガス遮断部3aを閉塞状態とすることができる。これにより、特定の触媒反応器2に大きな流量の原料ガスを流通させることができ、この触媒反応器2内の副生成物を容易に除去することができる。
【0093】
(3.触媒反応器の閉塞検知方法)
つぎに、触媒反応器2の閉塞検知方法を説明する。閉塞検知方法は、第1〜第4の操作で構成される。閉塞検知方法およびそれに続く閉塞解消方法は、原料ガスを改質ガスに改質する通常の(正規の)操業中の任意のタイミングで行われれば良い。なお、第1の実施形態および後述の他の実施形態において、温度の単位は℃とする。
【0094】
(3−1.第1の操作)
第1の操作では、流体切り替え装置110を操作して非反応性ガスを流入集合管101に供給し、全ての触媒反応器2に非反応性ガスを通過させる。この際の流入温度が第1の流入温度T
in1となるようにガス予熱装置111を調整する。同時に、流入集合管101の流量Q
Tおよび各々の触媒反応器2の触媒層温度計115にて測定された触媒層温度T
1,iを記録する(添え字iは触媒反応器の番号、添え字1は第1の操作時、後述する添え字2は第2の操作時を示す。添え字の意味は以下同様である。)。ここで、本操作に要する時間を節約するために、T
1,iは、正規の触媒反応操業時の炉温条件で実現される流入温度であることが好ましい。
【0095】
(3−2.第2の操作)
第2の操作として、ガス予熱装置111を調整して、流入温度を上記の第1の流入温度T
in1とは異なる第2の流入温度T
in2に設定する。このときの各々の触媒反応器2の触媒層温度計115にて計測された触媒層温度T
2,iを記録する。流入温度T
in2は、流入温度T
in1より高くても低くてもどちらでもよいが、低くすることが好ましい。また、後述の触媒反応器2での流量算出時の精度を十分に確保するため、流入温度T
in2と流入温度T
in1間の温度差は、10℃以上であることが好ましい。一方、この温度差が過大であると、本操作を終了した後に正規の触媒反応の操業まで復帰させるために著しい時間を要するので、この温度差は、50℃以下であることが好ましい。
【0096】
このように流入温度T
in2と流入温度T
in1間に温度差を設ける理由は、次のとおりである。上述したように、流入温度T
in1は、一般に炉温T
fに近い温度に設定される。詳細は後述するが、第1の実施形態では、流入集合管101から触媒反応器2までの間の配管系における非反応性ガスの温度差(流入温度T
in2と流入温度T
in1間の温度差)によって管路内のガス流量を推定する原理を用いる。このため、流入温度T
in2は、一般に流入温度T
in1(即ち、炉温T
f)と十分に異なる値にする必要がある。説明の便宜のため、以下、流入温度T
in2が流入温度T
in1よりも低い値であることを前提に説明するが、流入温度T
in2が流入温度T
in1よりも高い値である場合であっても、以下の説明にあらわれる同じ式を用いて流量等を算出できる。第2の操作が完了した後は、正規の触媒反応の操業に復帰させてよい。
【0097】
これら第1および第2の操作中は触媒反応が停止するので、生産性の観点から、これらの操作の実施頻度は低いことが好ましい。例えば、第1の操作および第2の操作に要する操業時間を計10分間とし、その実施頻度を2時間につき1回とすることができる。
【0098】
(3−3.第3の操作(触媒反応器の流量算出に関する操作))
引き続き、第3の操作を行う。第3の操作および後述する第4の操作は、正規の操業と並行して、あるいは、オフラインで行っても良い。
【0099】
第3の操作では、第1および第2の操作によって得られた測定データを用いて、各触媒反応器2での流量を以下の手従で算出する。まず、i番目の触媒反応器2(以下、「触媒反応器i」とも称する)において、以下の式(1)によって定義されるモデル定数β
iを導入する。各パラメータの単位を考慮すると、モデル定数β
iは、流量と同等の単位(m
3/s)を有する。
β
i=hLX
i/(ρC
p) (1)
h:熱貫流率(W/(m
2・K))
L:配管の周長(m)
ρ:ガスの密度(kg/m
3)
Cp:ガスの定圧比熱(J/(kg・K))
X
i:流入管から触媒反応器間の配管の長さ(m)、具体的には、流入集合管101内の流入温度計測点から触媒反応器iの触媒層温度計測点までの距離
【0100】
式(1)は、流入集合管101から触媒反応器iまでの間を通過する非反応性ガスの流れ方向に沿った伝熱を以下のようにモデル化して得られるものである。まず、流入集合管101から触媒反応器iまでの間の管路およびこれに続く触媒反応器i内のガス流れ方向の座標をx、その始点(x=0)を流入集合管101内の流入温度計測点(この点での温度を温度T
inとする)、その終点を触媒反応器iの触媒層温度計測点(x=X
i、この点での温度を温度T
iとする)、炉温をT
f、位置xにおける管路内代表温度(例えば、断面平均温度)を管路温度Tと定義する。管路内局所での非反応性ガスには、T
fとTとの温度差に基づいて、管路、触媒反応器の壁面、および触媒層を通じて伝熱がなされるものとし、熱流束q’’は、単位管長当たり次の式(2)で表現されるものとする。
q’’=hL(T
f−T) (2)
【0101】
ここで、hは、熱貫流率であり、一般には位置xの関数である。簡便のため、本第1の実施形態では、特定の触媒反応器iにおいて、少なくとも第1および第2の操作の期間ではhを一定値と仮定する。この熱流束によって管路および触媒反応器i内の温度T(非反応性ガスの温度)は、この区間でガス流れを非圧縮性流体とみなした場合、流れ方向に進むにつれて昇温し、その昇温率は、熱バランスから次の式(3)で表わすことができる。
ρCpQ
idT/dx=hL(T
f−T) (3)
ρ:非反応性ガスの密度(kg/m
3)
Cp:非反応性ガスの定圧比熱(J/(kg・K))
Q
i:触媒反応器iにおける非反応性ガスの流量(m
3/s)
【0102】
触媒反応装置1全体で原料ガスの圧力変化が大きく、原料ガスが非圧縮性流体ではない場合であっても、この区間に関しては一般に流量変化および密度変化を大きく設定する必要性が小さいので、原料ガスを実質的に非圧縮性流体とみなせる場合が多い(一般に、密度変化が10%以下の場合には非圧縮性流体として扱うことができるといわれている)。したがって、ここでも非反応性ガスを非圧縮性気体とみなせることになる。
【0103】
流入集合管101から触媒反応器2までの温度変化は、比較的小さいものとし、かつ、ρ、Cp、Q
iを一定としてこの微分方程式を解くと、検討対象とする流路の終点である触媒層温度計測点(x=X
i)での触媒層温度T
iは、次の式(4)で表される。
T
i=T
f−(T
f−T
in)exp[−hLX
i/(ρCpQ
i)] (4)
X
i:触媒反応器iにおける触媒層温度計測点でのx
但し、T=T
in(x=0)
T=T
i(x=X
i)
【0104】
ここで、数式(4)において、hLX
i/(ρCp)をβ
iと定義する。これにより、モデル定数β
iが得られる。さらに、数式(4)はβ
iを用いて以下のように表される。
T
i=T
f−(T
f−T
in)exp[−β
i/Q
i] (5)
【0105】
そして、第1の操作で得られた流入温度T
in1および触媒層温度T
1,iと、第2の操作で得られた流入温度T
in2および触媒層温度T
2,iと、を数式(5)に代入すると、以下の式(5−1)、(5−2)が得られる。
T
1,i=T
f−(T
f−T
in1)exp[−β
i/Q
i] (5−1)
T
2,i=T
f−(T
f−T
in2)exp[−β
i/Q
i] (5−2)
【0106】
式(5−2)から式(5−1)を減じ、さらに流量Q
iについて整理すると、以下の数式(6)が得られる。
Q
i=−β
i/Ln[(T
2,i−T
1,i)/(T
in2−T
in1)] (6)
T
1,i:第1の操作時における触媒層温度T
i
T
2,i:第2の操作時における触媒層温度T
i
T
in1:第1の操作時における流入温度T
T
in2:第2の操作時における流入温度T
【0107】
したがって、第3の操作では、式(6)を用いて、触媒反応器iにおける流量Q
i(具体的には、触媒反応器iに通じる流入分岐管101b内の流量)を算出する。
【0108】
ここで、モデル定数β
iは式(1)で定義されるものの、β
iを求めるために式(1)右辺の物性値および伝熱特性値を個別に求めて式(1)に代入する必要は必ずしもない。
【0109】
第1の実施形態では、式(6)で用いるβ
iには固定値を用いる。β
iの値を決める方法は、例えば、以下の試験(以下、この試験を「βi算出用試験」とも称する)で求められる。具体的には、予め流れの抵抗係数が既知の抵抗体、例えば、触媒層に比べて十分に抵抗係数の高いオリフィスを各触媒反応器2に装着した状態で第1〜第2の操作を行う。これにより、触媒反応器iにおいて上述した流入温度T
in1、T
in2、触媒層温度T
1,i、T
2,iを測定する。さらに、第1の操作時にオリフィス前後の差圧を測定する。流入温度T
in1は正規の操業時における流入温度になるべく一致させることが好ましい。差圧の測定には、上述した各圧力計と同様の圧力計を用いれば良い。この差圧により、触媒反応器iでの流量配分を計算できる。なお、上述したように、触媒反応器iに閉塞が生じても、触媒反応器i前後の差圧は大きく変化しない。しかしながら、触媒層に比べて十分に抵抗係数の高いオリフィスを使用することで、差圧を測定することができる。この流量配分と、流量Q
Tとに基づいて、流量Q
iを算出できる。そして、流入温度T
in1、T
in2、触媒層温度T
1,i、T
2,i、流量Q
i、および数式(6)に基づいて、モデル定数β
iの値を決定できる。このようにして求めたβ
iを実操業で用いればよい。なお、β
iは、全ての触媒反応器2に対して求めても良いし、いずれかの触媒反応器2に対してのみ求め、これを他の触媒反応器2に適用しても良い。また、
図3からも明らかな通り、β
iは正規の操業中に時々刻々と変動するものである。したがって、β
iを任意のタイミングで更新することが好ましい。
【0110】
(3−4.第4の操作)
第4の操作では、上記の方法で求めた触媒反応器iでの流量Q
iが所定値よりも小さい場合には、触媒反応器iが閉塞したものと判定する。所定値には、例えば、触媒層充填直後の触媒反応器iでの初期流量よりも十分に小さい値、例えば、初期流量の1/3の値を用いることができる。また、閉塞の判定は、作業者が実施してもよいし、計算器等に上記の手順をコード化したソフトウェアを組み込んで自動的に判定を行ってもよい。
【0111】
第1の実施形態の方法によって、複数、並列に配置された触媒反応器での操業中に、閉塞の生じた触媒反応器を簡易、かつ、迅速に検知することができる。
【0112】
(4.触媒反応器の閉塞解消方法)
触媒反応器iが閉塞したものと判定された場合には、触媒層の閉塞を解消するように、触媒反応器iの触媒層内堆積物除去装置3を作動させる。これにより、触媒反応器iの閉塞を解消させ、流量を回復させる。
【0113】
上述した第1〜第4の操作は、作業者によって人為的に行われても良いし、
図1に示す閉塞検知判定装置1000によって行われても良い。閉塞検知判定装置1000は、例えば、CPU、ROM、RAM、ハードディスク、通信装置等のハードウェア構成を有する。ROMには、上記第1の操作〜第4の操作を行う第1の手段〜第4の手段を実現可能なプログラムが記録されており、CPUは、このプログラムを読み出して実行する。これにより、第1〜第4の手段が実現される。通信装置は、加熱炉内装置A1内に設けられた各計測機器(例えば流量計112、流入圧力計113等)から送信される測定値を受信する。測定値はCPUによる演算に使用される。通信装置は、CPUが生成した各種の制御信号を各駆動装置(例えば、流体切り替え装置110、ガス予熱装置111、触媒層内堆積物除去装置3等)に送信する。これらの駆動装置は、制御信号に基づいて駆動する。第1〜第4の操作が人為的に行われる場合、閉塞検知判定装置1000は省略されてもよい。
【0114】
<2.第2の実施形態>
次に、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態は、上記の第3の操作におけるβ
iの算出方法が第1の実施形態とは異なる。これ以外の点は第1の実施形態と同様である。そこで、ここでは、第3の操作について説明する。
【0115】
第2の実施形態では、触媒反応器iにおける抵抗係数η
iを次の式(7)で定義する。
η
i=△P/Q
i2 (7)
△P:流入集合管と流出集合管との間の差圧
【0116】
ここで、流入集合管と流出集合管との間の差圧、すなわち圧力損失△Pは、流入圧力計113および流出圧力計116の圧力計測値の差である。
【0117】
上述したように、本発明者らは、この抵抗係数η
iとモデル定数β
i間に正の相関のあることを見出した。この相関の物理的意味は、抵抗係数η
iの値の増大とモデル定数β
iの値の増大は、ともに触媒層内におけるコーク堆積量の増大によって引き起こされることによるものである。具体的には、触媒層の中にコークが堆積すると、堆積コークによって触媒層内の流路が実質的に狭くなるので、η
iの値は、増大する(たとえば、もし、この状態で同一の流量Q
iを維持しようとすれば圧力損失である△Pが増大するので式(7)からη
iの値が増大することがわかる)。
【0118】
一方、コークの熱伝導率は空間を満たす原料ガス、改質ガスあるいは触媒粒子の熱伝導率よりも一般に大きいので、触媒層内の触媒粒子間の空間中にコーク粉が堆積すると、堆積コーク粉を通じて触媒層内で熱が伝わりやすくなり、触媒層の熱伝導率が増大する。式(1)における熱貫流率hは、触媒層内を流れるガスの触媒粒子表面での熱伝導、触媒層の熱伝導、触媒反応器外壁の熱伝導、および加熱炉内ガスの触媒反応器外壁上での熱伝導を総合した伝熱性を示す係数である。これらの伝熱の各要素のうち、いずれかの伝熱が促進されると、熱貫流率hの値は増大する。従って、堆積コーク粉の増大によって触媒層の熱伝導率が増大すると、熱貫流率hが増大し、式(1)から、β
iが増大する。
【0119】
そこで、第2の実施形態では、上記の抵抗係数η
iとモデル定数β
iとの関係を次の式(8)でモデル化する。
β
i=β
0,i・(η
i/η
0,i)
ai (8)
β
0,i:β
iの初期値
a
i:モデル定数(a
i≧0)
【0120】
式(7)のη
iをη
2,iとした上で、式(7)を式(8)に代入すると、次の式(9)が得られる。
【0122】
この式を式(6)に代入してQ
iについて整理すると次の式(10)が得られる。
【0124】
したがって、第3の操作では、数式(10)に基づいて、触媒反応器iの流量Q
iを算出する。その後、第1の実施形態と同様の方法を用いて触媒反応器iの閉塞を判定することができる。
【0125】
ここで、モデル定数ai、モデル定数の初期値β
0,i、抵抗係数の初期値η
0,iは、第1の実施形態のβi算出用試験と同様に求められる。すなわち、コーク堆積の無い状態(正規の操業を開始する前の状態)で、特定の触媒反応器iにおけるβ
i算出用試験を行う。これにより、モデル定数の初期値β
0,iが算出される。さらに、差圧△P、流量Q
iから抵抗係数の初期値η
0,iも算出される。この際、圧力損失を増大させるオリフィスを設けるかわりに、この触媒反応器i内にピトー管等の流速計を仮設し、得られる差圧を精密差圧計によって測定することにより、この触媒反応器i内での流速(=流量)を求めることができる。その後、正規の操業を行っている間の任意のタイミングで同様の方法を用いてβ
i算出用試験を行う。これにより、モデル定数β
iが算出される。また、モデル定数β
iを算出した際の差圧△P、流量Q
iから抵抗係数η
iが算出される。そして、得られた値を、横軸をηi/η
0,iの対数軸、縦軸をβi/β
0,iの対数軸とした平面上にプロットし、各点の近似直線を最小二乗法等により算出する。そして、この近似直線の傾きをモデル定数aiとすればよい。モデル定数aiは、触媒反応器2毎に適用しても良いし、いずれかの触媒反応器2に対して算出されたモデル定数aiを他の触媒反応器2に流用しても良い。このようなピトー管と精密差圧計を用いた測定は、高価、かつ、不安定であるので、対象触媒反応器および測定頻度を限定できる、モデル定数を求めるβi算出用試験等でのみ適用可能なものである。全触媒反応器に計測装置を常設して常時このような計測を行うことには経済的合理性がない。
【0126】
第2の実施形態では、以下の効果が得られる。モデル定数β
iは、
図3からも明らかな通り、時々刻々と変動するものである。したがって、第1の実施形態において、精度良く流量Q
iを算出しようとした場合には、頻繁にモデル定数β
iを更新する必要がある。さらに、モデル定数β
iは、操業条件によっても変動しうる。しかし、モデル定数β
iの算出には手間がかかる。これに対し、数式(10)は、時々刻々と変動するβ
iを考慮した数式となっている。したがって、モデル定数aiさえ算出してしまえば、後は時々刻々と変動するモデル定数β
iを考慮して流量Q
iを算出できるので、より容易かつ高精度に流量Q
iを算出することができる。
【0127】
<3.第3の実施形態>
第3の実施形態では、流入集合管101でのガス流量Q
Tの測定値を用いて、各触媒反応器iでのガス流量Q
iの推定値をより精度よく求める。これ以外の点は、上述した第1または第2の実施形態または第2の実施形態と同様である。
【0128】
第3の実施形態では、まず、各触媒反応器iでのガス流量の仮の推定値Q
tmp,iを、第1または第2の実施形態と同様の方法により求める。例えば、第1の実施形態では、モデル定数β
iを固定値とし、数式(6)により、ガス流量の仮の推定値Q
tmp,iを算出する。第2の実施形態では、数式(10)により、ガス流量の仮の推定値Q
tmp,iを算出する。
【0129】
体積バランス(ここでは、標準状態に換算し、ガスの組成変化も無視するものとする)から、全ての触媒反応器でのQ
tmp,iの合計値は、流入管流量Q
Tに一致するはずである。このため、各触媒反応器iでの流量の推定誤差が一定の比率であるものとして、固定の補正係数bを導入すると、次の式(11)が成り立つ。
【0131】
この式(11)を変形して、bは、次の式(12)で表される。
【0133】
各触媒反応器2での仮の流量Q
tmp,iを次の式(13)で補正して各触媒反応器2での流量Q
iが得られる。
【0135】
つまり、第3の実施形態では、数式(13)を用いて触媒反応器iにおける流量Q
iを補正し、補正後の流量Q
iに基づいて、第4の操作、すなわち触媒反応器iにおける閉塞の有無を判定する。これにより、数式(6)または(10)で算出された流量Q
iを直接用いて第4の操作を行う場合に比べて、より正確に閉塞判定を行うことができる。
【実施例】
【0136】
<1.実施例1>
実施例1では、7本の触媒反応器2を有する(すなわち、N=7の)触媒反応装置1を準備した。そして、原料ガスとしてタールを含有したコークス炉ガスを各触媒反応器iに供給し、加熱炉温度を約800℃に維持した正規の操業条件で改質操業を行った。その後、供給ガスを非反応性ガスである窒素ガスに切り替え、800℃に予熱した窒素ガスを40Nm
3/hの流量で各触媒反応器iに供給して触媒反応器iの温度が一定になるまで保持した(第1の操作)。第1の操作の終了時を「初期条件」と定義した。また、実施例1及び後述の実施例2〜4では、モデル定数β
iの単位がm
3/hとなる。したがって、実施例1〜4のモデル定数βiは、実施形態で求められる値(単位がm
3/sである値)を3600倍したものである。
【0137】
次に、供給する窒素ガスの予熱温度を低下させて触媒反応器iの温度がほぼ一定になるまで保持した(第2の操作)。第1の操作後と第2の操作後の触媒層温度(触媒反応器温度)T
1,i、T
2,iは、それぞれ表1に示すものであった。
【0138】
【表1】
【0139】
ついで、第1の実施形態に記載した方法で各触媒反応器iでの流量Q
iを算出した。ここで、各温度は表1に示す温度を使用し、モデル定数β
iは、触媒層のコーク堆積のない条件でβ
i算出用試験を行うことで算出した。モデル定数β
iの値を表2に示す。さらに、ある時点で算出された流量Q
iも表2に示す。なお、計算結果が負値となった場合には、解が発散するのでQ
i=0とした。
【0140】
【表2】
【0141】
表2の結果から、7番目の触媒反応器2では、流量Q
iが他の触媒反応器2に比べて著しく少ないので、触媒反応器2が閉塞したものと判定することができる。そこで、この触媒反応器2のみに対して触媒層内堆積物除去装置3を駆動して閉塞を解除した。但し、ここで算出した各触媒反応器iでの流量の合計は、13.1Nm
3/hとなり、流量Q
Tの1/3であった。したがって、実際の流量との差が大きく、各触媒反応器iの流量推定値の定量性は、やや低いと考えられる。
【0142】
<2.実施例2>
そこで、モデル定数β
iの値にコークの堆積状態の影響を反映させるため、モデル定数β
iとして触媒反応器iごとに経験的に定めた固定値を用い、これ以外の条件を全て実施例1と同様にして流量Qiを算出した。すなわち、1時間毎にモデル定数β
iを更新し、このモデル定数β
iを用いて流量Q
iを算出した。結果を表3に示す。表3の値はある時点でのモデル定数β
i、流量Q
iである。
【0143】
【表3】
【0144】
各触媒反応器iでの流量の合計値は、32.7Nm
3/hとなり、実施例1よりも改善した(流量Q
Tに近づいた)。7番目の触媒反応器2では、初期流量の1/3の流量であったので、閉塞と判定した。また、4番目の触媒反応器2でも初期流量の1/3以上の流量ではあったものの、顕著な流量低下が認められたので、4、7番目の触媒反応器2に対して、触媒層内堆積物除去装置3を駆動し、閉塞を解除した。
【0145】
<3.実施例3>
実施例2で算出されたQ
iの合計値32.7Nm
3/hと流量Q
T=40Nm
3/hとの差を補正するため、b=1.22とし、これを実施例2で求めた流量Q
iに一律に乗じて流量Q
iを補正した。その結果を表4に示す。
【0146】
【表4】
【0147】
4、7番目の触媒反応器2では、初期流量の1/3以上の流量ではあったものの、顕著な流量低下が認められたので、4、7番目の触媒反応器2に対して、触媒層内堆積物除去装置3を駆動し、閉塞を解除した。本実施例では、流量Q
iの合計は流量Q
Tと一致するとともに、各Qiは、より妥当性の高いものとなった。
【0148】
<4.実施例4>
第2の実施形態に記載した方法を用いて流量Q
iを算出した他は、実施例1と同様の処理を行った。ここで、Q
iを与える際の定数として、β
0,iには実施例1で使用したβ
iを、モデル定数aiには予め調査して定めた値0.42を、差圧△Pには第1の操作時の代表的な値38Paを用いた。さらに、△P、β
0,iを用いてη
i(=η
0,i)を算出した(表5)。このときの流量Q
iの算出結果を表5に示す。表5に示す流量Q
iはある時点で算出した値である。
【0149】
【表5】
【0150】
実施例2では、様々な操業条件におけるβ
iについてそれぞれ個別に調査して固定値を定める必要があったが、本実施例では、一旦、少数モデル定数を定めれば、瞬時のβ
iを考慮して流量Q
iを算出することができ、より効率的に操業を管理することができた。
【0151】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。