特許 6902210 ガラス基板群及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6902210

(24)【登録日】2021年6月23日

(45)【発行日】2021年7月14日

(54)【発明の名称】ガラス基板群及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   C03B 25/12 20060101AFI20210701BHJP

   C03B 17/06 20060101ALI20210701BHJP

【ＦＩ】

   C03B25/12

   C03B17/06

【請求項の数】4

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2018-22919(P2018-22919)

(22)【出願日】2018年2月13日

(65)【公開番号】特開2019-137587(P2019-137587A)

(43)【公開日】2019年8月22日

【審査請求日】2020年7月7日

(73)【特許権者】

【識別番号】000232243

【氏名又は名称】日本電気硝子株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107423

【弁理士】

【氏名又は名称】城村 邦彦

(74)【代理人】

【識別番号】100120949

【弁理士】

【氏名又は名称】熊野 剛

(74)【代理人】

【識別番号】100168550

【弁理士】

【氏名又は名称】友廣 真一

(72)【発明者】

【氏名】岡本 大和

【審査官】 小野 久子

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１５−１３４６９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−２３０８１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１５／１２５９４３（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ０３Ｂ ２５／１２

Ｃ０３Ｂ １７／０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のガラス基板を含むガラス基板群であって、
前記複数のガラス基板のそれぞれは、板引き方向に沿った第１の辺と、前記板引き方向と直交する方向に沿った第２の辺とを有する矩形状であり、かつ、前記第１の辺および前記第２の辺のそれぞれの長さが１０００ｍｍ以上、板厚が２．０ｍｍ以下であり、
前記複数のガラス基板について、前記第２の辺の方向の位置が等間隔で同じ大きさの７つの評価領域を設定し、前記７つの評価領域の表裏撓み差をそれぞれ測定した場合に、前記７つの評価領域のいずれでも、前記複数のガラス基板間での表裏撓み差の変化量が、０．４ｍｍ以下であることを特徴とするガラス基板群。

【請求項2】

前記７つの評価領域の表裏撓み差から、前記７つの評価領域毎に表裏撓み差の平均値を算出した場合に、前記７つの評価領域の前記平均値の中での最大値と、前記７つの評価領域の前記平均値の中での最小値との差が、０．４ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のガラス基板群。

【請求項3】

前記最大値および前記最小値のそれぞれの絶対値が、０．３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載のガラス基板群。

【請求項4】

複数のガラス基板を含むガラス基板群の製造方法であって、
前記複数のガラス基板のそれぞれは、板引き方向に沿った第１の辺と、前記板引き方向と直交する方向に沿った第２の辺とを有する矩形状であり、かつ、前記第１の辺および前記第２の辺のそれぞれの長さが１０００ｍｍ以上、板厚が２．０ｍｍ以下であり、
前記複数のガラス基板について、前記第２の辺の方向の位置が異なる複数の評価領域を設定し、前記複数の評価領域の表裏撓み差をそれぞれ測定する工程と、
前記複数の評価領域について、前記複数のガラス基板間での表裏撓み差の変化量をそれぞれ求める工程と、
前記複数のガラス基板間での表裏撓み差の変化量に基づいて前記複数のガラス基板の合否を判定する工程とを備えることを特徴とするガラス基板群の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、複数枚のガラス基板を含むガラス基板群及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造工程では、ガラス基板（マザーガラス）の上に、フォトリソグラフィ技術を用いて、複数層の薄膜パターンを重ね合せて形成する成膜工程が含まれる。これらの薄膜パターンは、ＦＰＤの高精細化に伴って、より複雑で緻密なものとなっている。従って、ガラス基板上に薄膜パターンを形成する際に、高いパターン形成精度が要求されるに至っている（例えば、特許文献１、２を参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１６−７４５８２号公報

【特許文献2】国際公開第２０１７／１５０２６６号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

薄膜パターンの形成精度は、ガラス基板上に形成された薄膜パターン（例えば、ゲート電極のパターン）のトータルピッチで評価される場合がある。トータルピッチは、設計通りに薄膜パターンが形成されているかどうかの指標であり、例えば管理マーク等が付された、予め決められた２点間における設計距離と実測距離の差の値で管理される。

【0005】

トータルピッチの測定結果は、露光装置にフィードバックされ露光誤差が補正される場合がある。この場合、ガラス基板群に含まれるガラス基板毎にトータルピッチが大きく変動すると露光誤差の補正が困難になる。そして、露光誤差の補正ができない場合、画素の開口率低下や画素間の光漏れ等が生じてＦＰＤの表示品質が著しく劣化するおそれがある。

【0006】

本発明は、複数のガラス基板を含むガラス基板群においてトータルピッチの変動を小さくすることを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本願発明者は、鋭意研究を重ねた結果、ガラス基板群に含まれるガラス基板毎に、表裏撓み差が局所的に変動することが、トータルピッチの変動原因の１つであることを知見するに至った。詳細には、ガラス基板は、一般的にオーバーフローダウンドロー法等のダウンドロー法やフロート法によって成形されるが、長時間に亘る成形過程の中で板引き方向と直交する方向の形状が変化しやすい。そのため、ガラス基板群に含まれるガラス基板を板引き方向と直交する方向で複数の領域に分割し、ガラス基板毎に各領域の表裏撓み差を比較すると、対応する同じ領域において表裏撓み差が変動しやすい。成膜工程では、ガラス基板を定盤（平面）に載置した状態で露光を行うため、このように表裏撓み差が変動すると、ガラス基板毎に定盤上での微視的な形状が不規則に変化し、トータルピッチの変動原因となる。従って、ガラス基板群のトータルピッチの変動を小さくする観点からは、ガラス基板群内でガラス基板毎の表裏撓み差の変動（ばらつき）を小さくすることが望ましい。

【0008】

すなわち、上記の課題を解決するために創案された本発明は、複数のガラス基板を含むガラス基板群であって、複数のガラス基板のそれぞれは、板引き方向に沿った第１の辺と、板引き方向と直交する方向に沿った第２の辺とを有する矩形状であり、かつ、第１の辺および第２の辺のそれぞれの長さが１０００ｍｍ以上、板厚が２．０ｍｍ以下であり、複数のガラス基板について、第２の辺の方向の位置が等間隔で同じ大きさの７つの評価領域を設定し、７つの評価領域の表裏撓み差をそれぞれ測定した場合に、７つの評価領域のいずれでも、複数のガラス基板間での表裏撓み差の変化量が、０．４ｍｍ以下であることを特徴とする。このような構成によれば、第２の辺の方向の位置が等間隔である７つの評価領域のいずれでも、表裏撓み差の変化量（ガラス基板群内での表裏撓み差の最大値と最小値の差）が０．４ｍｍ以下となるため、ガラス基板毎の表裏撓み差の変動が小さく抑えられる。従って、複数のガラス基板を含むガラス基板群においてトータルピッチの変動を小さくできる。また、ガラス基板の撓み（表裏撓み差）を小さくすることによってガラス基板群でのトータルピッチの変動を小さくする場合、成形体といった製造設備の消耗による撓み差の悪化を改善するために設備を修理する頻度が増えることによって製造コストが増大する。本発明は、表裏撓み差の変化量を０．４ｍｍ以下とすることによってガラス基板群でのトータルピッチの変動を小さくするので、ガラス基での撓み（表裏撓み差）をある程度許容でき、製造コストの増大を抑制できる。ここで、「板引き方向」とは、ガラス基板を成形する際に板引きした方向を意味する。「板引き方向に沿った第１の辺」とは、板引き方向と幾何学的に平行な場合のみならず、実質的に平行とみなせる方向も含む意味である。「板引き方向と直交する方向に沿った第２の辺」とは、板引き方向と幾何学的に直交する方向のみならず、実質的に直交するとみなせる方向も含む意味である。「ガラス基板群」とは、狭義には、同一条件で製造された製品の集まりを意味するが、これに限定されず、広義には、同一の管理者により品質管理された同種の製品の集まりを意味する。

【0009】

上記の構成において、７つの評価領域の表裏撓み差から、７つの評価領域毎に表裏撓み差の平均値を算出した場合に、７つの評価領域の平均値の中での最大値と、７つの評価領域の平均値の中での最小値との差が、０．４ｍｍ以上であることが好ましい。このようにすれば、ガラス基板群に含まれる、個々のガラス基板が適度な撓みを有するので、成膜工程における定盤との密着状態が緩和される。従って、成膜工程が終了した後に、ガラス基板を定盤から分離する際に、薄膜パターンの破損原因となり得る剥離帯電が生じにくくなる。

【0010】

上記の構成において、最大値および最小値のそれぞれの絶対値が、０．４ｍｍ以下であることが好ましい。すなわち、表裏撓み差の値自体が大きくなりすぎても、成膜工程における露光時に定盤からガラス基板が乖離することにより露光誤差を補正するのが難しくなる場合がある。従って、７つの評価領域のいずれでも、表裏撓み差の絶対値が、上記数値範囲内であることが好ましい。

【0011】

上記の課題を解決するために創案された本発明は、複数のガラス基板を含むガラス基板群の製造方法であって、複数のガラス基板のそれぞれは、板引き方向に沿った第１の辺と、板引き方向と直交する方向に沿った第２の辺とを有する矩形状であり、かつ、第１の辺および第２の辺のそれぞれの長さが１０００ｍｍ以上、板厚が２．０ｍｍ以下であり、複数のガラス基板について、第２の辺の方向の位置が異なる複数の評価領域を設定し、複数の評価領域の表裏撓み差をそれぞれ測定する工程と、複数の評価領域について、複数のガラス基板間での表裏撓み差の変化量をそれぞれ求める工程と、複数のガラス基板間での表裏撓み差の変化量に基づいて複数のガラス基板の合否を判定する工程とを備えることを特徴とする。このような構成によれば、複数のガラス基板間での表裏撓み差の変化量に基づいて複数のガラス基板の合否が判定されるため、合格と判定された複数のガラス基板については基板毎の表裏撓み差の変動は小さく抑えられる。従って、合格と判定された複数のガラス基板を含むガラス基板群においてトータルピッチの変動を小さくできる。

【発明の効果】

【0012】

本発明によれば、複数のガラス基板を含むガラス基板群においてトータルピッチの変動を小さくできる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】第１の実施形態に係るガラス基板群を示す側面図である。

【図2】第２の実施形態に係るガラス基板群を示す側面図である。

【図3】７つの評価領域が設定された、ガラス基板群に含まれるガラス基板を示す平面図である。

【図4】表裏撓み差の測定方法を説明するための側面図である。

【図5】ガラス基板群の製造方法を説明するための側面図である。

【図6】比較例に係るガラス基板群の７つの評価領域における表裏撓み差の測定結果を示すグラフである。

【図7】実施例に係るガラス基板群の７つの評価領域における表裏撓み差の測定結果を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、ガラス基板群の実施形態を添付図面に基づいて説明する。

【0015】

図１に示すように、第１の実施形態に係るガラス基板群Ｇｇは、１つの縦置き用パレット１の上に、縦姿勢（水平方向に対して４５°〜８０°の傾斜姿勢が好ましく、６０°〜７５°がより好ましい）で積層された複数のガラス基板Ｇｓからなる。

【0016】

パレット１は、縦姿勢のガラス基板Ｇｓの積層体からなるガラス基板群Ｇｇの底面を支持する底面支持部１ａと、ガラス基板群Ｇｇの背面を支持する背面支持部１ｂとを備えている。

【0017】

ガラス基板群Ｇｇに含まれる各ガラス基板Ｇｓのうち、背面支持部１ｂ側の面（背面側の面）が、成膜工程で薄膜パターンが形成される保証面とされている。パレット１からガラス基板Ｇｓを取り出す際に、吸着パッドが保証面と直接接触しないようにするためである。

【0018】

図示は省略するが、例えば、ガラス基板群Ｇｇの最前面に押え板を配置すると共に、この押え板の上にガラス基板群Ｇｇの幅方向（例えば、水平方向）の両側に食み出す押えバーを配置し、押えバーの両端部を締結部材によって背面支持部１ｂ側に引き込むように締め付けることで、ガラス基板群Ｇｇがパレット１に固定される。ガラス基板群Ｇｇの幅方向の移動を規制するために、ガラス基板群Ｇｇの側面を押圧する押え部材を配置してもよい。なお、ガラス基板群Ｇｇとパレット１の固定方法は、特に限定されず、ベルト止め等の任意の固定方法を採用することができる。

【0019】

また、図２に示すように、第２の実施形態に係るガラス基板群Ｇｇは、１つの横置き用パレット２の上に、横姿勢（０°（水平姿勢）〜３０°が好ましく、０°〜１５°がより好ましい）で積層された複数のガラス基板Ｇｓからなる。

【0020】

パレット２は、横姿勢のガラス基板Ｇｓの積層体からなるガラス基板群Ｇｇの底面を支持する底面支持部２ａを備えている。

【0021】

ガラス基板群Ｇｇに含まれる各ガラス基板Ｇｓのうち、底面支持部２ａ側の面（下面）が、成膜工程で薄膜パターンが形成される保証面とされている。パレット１からガラス基板Ｇｓを取り出す際に、吸着パッドが保証面と直接接触しないようにするためである。

【0022】

図示は省略するが、例えば、ガラス基板群Ｇｇの最前面（最上面）に押え板を配置すると共に、この押え板の上にガラス基板群Ｇｇの両側に食み出す押えバーを配置し、押えバーの両端部を締結部材によって底面支持部２ａ側に引き込むように締め付けることで、ガラス基板群Ｇｇがパレット２に固定される。ガラス基板群Ｇｇの横ずれを規制するために、ガラス基板群Ｇｇの側面を押圧する押え部材を配置してもよい。押え部材は、例えば、ガラス基板群Ｇｇの四方を取り囲むように点在して複数配置される。なお、ガラス基板群Ｇｇとパレット２の固定方法は、特に限定されず、ベルト止め等の任意の固定方法を採用することができる。

【0023】

ここで、第１及び第２の実施形態に係るガラス基板群Ｇｇの場合、複数のガラス基板Ｇｓが積層状態であるため、ガラス基板Ｇｓの各相互間に紙（合紙）や発泡樹脂シートなどの保護シート（図示省略）を挟むことが好ましい。

【0024】

ガラス基板群Ｇｇに含まれる複数のガラス基板Ｇｓのそれぞれは、オーバーフローダウンドロー法、スロットダウンドロー法などのダウンドロー法や、フロート法などの公知の成形方法によって製造される。本実施形態では、オーバーフローダウンドロー法によって製造される。

【0025】

ガラス基板群Ｇｇに含まれる複数のガラス基板Ｇｓのそれぞれは、上記の成形方法に起因する板引き方向Ｘに沿った第１の辺Ｇａと、板引き方向Ｘと直交する方向Ｙに沿った第２の辺Ｇｂとを有する矩形状であり、例えばＦＰＤ用のガラス基板として利用される。第１の辺Ｇａおよび第２の辺Ｇｂの長さは１０００ｍｍ以上であり、１５００ｍｍ以上であることが好ましい。第１の辺Ｇａおよび第２の辺Ｇｂの長さは４０００ｍｍ以下であることが好ましい。板厚は２．０ｍｍ以下であり、０．７ｍｍ以下であることが好ましい。板厚は０．３ｍｍ以上であることが好ましい。

【0026】

図３に示すように、複数のガラス基板Ｇｓのそれぞれにつき、第２の辺Ｇｂの方向の位置が等間隔である７つの評価領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇを設定した場合に、７つの評価領域Ａ〜Ｇのいずれでも、複数のガラス基板Ｇｓ（ガラス基板群Ｇｇ）での表裏撓み差の変化量が、０．４ｍｍ以下となる。７つの評価領域Ａ〜Ｇの中に、複数のガラス基板Ｇｓの表裏撓み差の変化量が０．４ｍｍ超となる領域が含まれると、トータルピッチの変動が大きくなり、成膜工程で露光不良による成膜不良が生じやすくなる。これに対し、７つの評価領域Ａ〜Ｇのいずれでも、複数のガラス基板Ｇｓの表裏撓み差の変化量が０．４ｍｍ以下となると、トータルピッチの変動が小さくなり、成膜工程で露光不良が生じにくく、適正な薄膜パターンを形成することが可能となる。表裏撓み差の変化量は、０．３ｍｍ以下であることが好ましく、０．２ｍｍ以下であることがより好ましい。

【0027】

また、７つの評価領域毎に表裏撓み差の平均値を算出した場合に、７つの評価領域Ａ〜Ｇの中で表裏撓み差の平均値が最大となる値と、７つの評価領域Ａ〜Ｇの中で表裏撓み差の平均値が最小となる値との差が、０．４ｍｍ以上となることが好ましい。この最大値と最小値の差は、０．５ｍｍ以上であることがより好ましい。なお、最大値の絶対値と最小値の絶対値は、それぞれ０．３ｍｍ以下であることが好ましい。

【0028】

ここで、複数のガラス基板Ｇｓの表裏撓み差の変化量は、次の手順で測定する。

【0029】

（１）まず、ガラス基板群Ｇｇから任意の５枚のガラス基板Ｇｓを採取する。
（２）採取した各ガラス基板Ｇｓに７つの評価領域Ａ〜Ｇを設定する。各評価領域Ａ〜Ｇは、成膜工程で薄膜パターンが形成される有効ゾーン内に設定される。各評価領域Ａ〜Ｇは、板引き方向と直交する幅方向の長さが３７０ｍｍ、板引き方向長さが４７０ｍｍの大きさの長方形とする。各評価領域Ａ〜Ｇは、幅方向に等間隔（間隔ΔＩ）に設けられる。そして、各評価領域Ａ〜Ｇで評価領域と同じ大きさのガラス片Ｇｐを採取し、各ガラス基板Ｇｓに対し７枚のガラス片Ｇｐを用意する。なお、有効ゾーンの幅が小さく、７つの評価領域Ａ〜Ｇを幅方向に沿って一列で設けられない場合は、図３に示すように、幅方向に沿って二列になるように、７つの評価領域Ａ〜Ｇをジグザグに設ける。
（３）各ガラス片（計３５枚のガラス片）Ｇｐの表裏撓み差を測定する。図４に示すように、表裏撓み差は、ガラス片Ｇｐの一方の主表面（例えば保証面）を上側にした場合の第１の撓みＷ１と、ガラス片Ｇｐの他方の主表面（例えば保証面と反対側の非保証面）を上側にした場合の第２の撓みＷ２とを測定し、第１の撓みＷ１と第２の撓みＷ２の差（Ｗ１−Ｗ２）により求める。ガラス片Ｇｐの撓みの測定では、ガラス片Ｇｐの３７０ｍｍをなす短辺方向両端部を３５０ｍｍの支持スパンＬで支持する。
（４）幅方向の各評価領域Ａ〜Ｇで、表裏撓み差の最小値と最大値とを求め、その差を表裏撓み差の変化量とする。

【0030】

また、７つの評価領域Ａ〜Ｇの平均値の中での最大値と、７つの評価領域Ａ〜Ｇの平均値の中での最小値との差は、上記の（１）〜（３）の手順で測定した表裏撓み差から７つの評価領域Ａ〜Ｇ毎に平均値を算出し、平均値の最大値と最小値とをそれぞれ求め、その差により算出される。

【0031】

ここで、ガラス基板Ｇｓの板引き方向は、例えば、暗室でガラス基板Ｇｓの角度を調整しながら光源（例えばキセノンライト）から光を照射し、その透過光をスクリーンに投影することで、筋状の縞模様として観測できる。従って、成形後のガラス基板Ｇｓの状態であっても、成形時の板引き方向を特定できる。

【0032】

次に、以上の構成を備えたガラス基板群Ｇｇの製造方法を説明する。

【0033】

図５に示すように、本製造方法では、ガラス基板群の製造装置１０が用いられる。製造装置１０は、ガラスリボンＧｒを連続成形する装置であって、ガラスリボンＧｒを成形する成形炉１１と、ガラスリボンＧｒを徐冷（アニール処理）する徐冷炉１２と、ガラスリボンＧｒを室温付近まで冷却する冷却ゾーン１３と、成形炉１１、徐冷炉１２及び冷却ゾーン１３のそれぞれに上下複数段に設けられたローラ対１４とを備えている。

【0034】

成形炉１１の内部空間には、オーバーフローダウンドロー法により溶融ガラスＧｍからガラスリボンＧｒを成形する成形体１５が配置されている。成形体１５に供給された溶融ガラスＧｍは成形体１５の頂部１５ａに形成された溝部から溢れ出るようになっており、その溢れ出た溶融ガラスＧｍが成形体１５の断面楔状を呈する両側面１５ｂを伝って下端で合流することで、板状のガラスリボンＧｒが連続成形される。成形されるガラスリボンＧｒは、縦姿勢（好ましくは鉛直姿勢）であり、Ｘ方向が板引き方向となる。

【0035】

徐冷炉１２の内部空間は、下方に向かって所定の温度勾配を有している。縦姿勢のガラスリボンＧｒは、徐冷炉１２の内部空間を下方に向かって移動するに連れて、温度が低くなるように徐冷される。徐冷により、ガラスリボンＧｒの内部歪を低減する。徐冷炉１２の内部空間の温度勾配は、例えば、徐冷炉１２の内面に設けた加熱装置などの温度調整装置により調整することができる。

【0036】

複数のローラ対１４は、縦姿勢のガラスリボンＧｒの両側の側端部を表裏両側から挟持するようになっている。なお、徐冷炉１２の内部空間などでは、複数のローラ対１４の中に、ガラスリボンＧｒの側端部を挟持しないものが含まれていてもよい。換言すれば、ローラ対１４の対向間隔をガラスリボンＧｒの側端部の厚みよりも大きくし、ローラ対１４の間をガラスリボンＧｒが通過するようにしてもよい。本実施形態では、ガラスリボンＧｒを挟んで対向するローラ対１４を構成する個々のローラは、炉外に延びた回転軸を有する両持ちローラによって構成されている。

【0037】

なお、本実施形態では、成形炉１１、徐冷炉１２及び冷却ゾーン１３を区画する壁部Ｘ１の外側が、外包囲体（例えば、特許文献２に開示の建屋）Ｘ２で取り囲まれている。外包囲体Ｘ２と壁部Ｘ１との間の空間には、冷却ゾーン１３の上端部に対応する位置と、冷却ゾーン１３の下端部に対応する位置とに、それぞれ仕切り部（例えば、建屋の各階のフロア面）Ｘ３，Ｘ４が設けられている。これら仕切り部Ｘ３，Ｘ４によって、外包囲体Ｘ２と壁部Ｘ１との間の空間は、徐冷炉１２を囲む部屋Ｒ１と、冷却ゾーン１３を囲む部屋Ｒ２とに分割されている。

【0038】

図５に示すように、製造装置１０は、冷却ゾーン１３の下方位置に、切断装置１６を備えている。切断装置１６は、縦姿勢のガラスリボンＧｒを所定の長さ毎に幅方向に切断することにより、ガラスリボンＧｒからガラス基板Ｇｓを順次切り出すように構成されている。ここで、幅方向は、ガラスリボンＧｒの長手方向（板引き方向）と直交する方向であり、本実施形態では実質的に水平方向と一致する。

【0039】

切断装置１６は、冷却ゾーン１３から降下してきた縦姿勢のガラスリボンＧｒの一方の主表面上を走行することで、ガラスリボンＧｒの幅方向に沿ってスクライブ線Ｓを形成するホイールカッター（図示省略）と、スクライブ線Ｓが形成された領域に他方の主表面側から支持する接触部１７と、切り出し対象のガラス基板Ｇｓに対応する部分のガラスリボンＧｒを保持した状態で、スクライブ線Ｓ及びその近傍に曲げ応力を作用させるための動作（Ａ方向の動作）を行う保持部１８とを備えている。

【0040】

ホイールカッターは、降下中のガラスリボンＧｒに追従降下しつつ、ガラスリボンＧｒの幅方向の全域又は一部にスクライブ線Ｓを形成する構成となっている。本実施形態では、相対的に厚みが大きい耳部を含む側端部にもスクライブ線Ｓが形成されるが、側端部にスクライブ線Ｓを形成しなくてもよい。なお、スクライブ線Ｓはレーザーの照射等によって形成してもよい。また、耳部を含む側端部は後工程で切断除去されるため、ガラス基板Ｇｓの状態では耳部はない。

【0041】

接触部１７は、降下中のガラスリボンＧｒに追従降下しつつ、ガラスリボンＧｒの幅方向の全域又は一部と接触する平面を有する板状体（定盤）から構成されている。接触部１７の接触面は、幅方向に湾曲した曲面であってもよい。

【0042】

保持部１８は、ガラスリボンＧｒの幅方向両側の側端部を表裏両側から挟持するチャックにより構成されている。保持部１８は、ガラスリボンＧｒの幅方向両側の側端部のそれぞれにおいて、ガラスリボンＧｒの長手方向に間隔を置いて複数設けられている。一方側の側端部に設けられた複数の保持部１８は、これら全てが同一のアーム（図示省略）によって保持されている。また同様に、他方側の側端部に設けられた複数の保持部１８も、これら全てが同一のアーム（図示省略）によって保持されている。各々のアームの動作により、複数の保持部１８が降下中のガラスリボンＧｒに追従降下しつつ、接触部１７を支点としてガラスリボンＧｒを湾曲させるための動作（Ａ方向の動作）を行う。これにより、スクライブ線Ｓ及びその近傍に曲げ応力を付与し、ガラスリボンＧｒをスクライブ線Ｓに沿って幅方向に割断する。この割断の結果、ガラスリボンＧｒからガラス基板Ｇｓに対応する部分が切り出される。そして、このような割断（切断）動作を繰り返すことで、ガラス基板群Ｇｇに含まれる複数のガラス基板Ｇｓが製造される。なお、保持部１８は、挟持する保持形態に限定されるものではなく、例えば、ガラスリボンＧｒのいずれか一方の主表面を吸着保持するものであってもよい。

【0043】

製造されたガラス基板Ｇｓは、１枚又は複数枚の製品ガラス基板が採取されるガラス原板（マザーガラス）であり、露光工程を含む成膜工程にて、各製品ガラス基板に対応する位置に薄膜パターンを一括形成することで、一枚のガラス原板から複数のＦＰＤが製造される。

【0044】

ここで、上記の徐冷炉１２で実施される徐冷工程でガラスリボンＧｒを適切に徐冷することで、ガラスリボンＧｒ及びこのガラスリボンＧｒから採取されるガラス基板Ｇｓにおいて、所定の形状品位を得ることができる。このとき、徐冷工程の温度域内でガラスリボンＧｒの周囲温度が経時変化すると、ガラスリボンＧｒ（ガラス基板Ｇｓ）の形状品位に影響を与える。従って、徐冷炉１２を囲む部屋Ｒ１と冷却ゾーン１３（壁部Ｘ１で区画される冷却ゾーン１３の内部空間）の差圧変動を抑制することで、徐冷炉１２内の温度を一定に保った。その結果、ガラス基板群Ｇｇの表裏撓み差の変化量を大幅に低減することが可能となった。

【0045】

詳細には、徐冷炉１２内の温度制御が不十分であった比較例では、図６に示すように、７つの領域Ａ〜Ｇにおいて、ガラス基板群Ｇｇの表裏撓み差の変化量が０．４ｍｍ超となる領域が含まれた。この際、徐冷炉１２を囲む部屋Ｒ１と冷却ゾーン１３の差圧の変動幅は、３Ｐａ〜５Ｐａで変化した。これに対し、上述のように、徐冷炉１２を囲む部屋Ｒ１と冷却ゾーン１３の差圧変動を抑制して徐冷炉１２内の温度制御を十分に行った実施例では、図７に示すように、７つの評価領域Ａ〜Ｇのいずれにおいても、ガラス基板群Ｇｇの表裏撓み差の変化量が０．４ｍｍ以下まで低減した。この際、徐冷炉１２を囲む部屋Ｒ１と冷却ゾーン１３の差圧の変動幅は、０．５Ｐａ〜２Ｐａで変化した。なお、差圧の変動幅とは、ガラス基板群Ｇｇを生産する期間における徐冷炉１２を囲む部屋Ｒ１と冷却ゾーン１３の差圧の最大値と最小値の差を意味する。

【0046】

図７の例の場合、７つの評価領域Ａ〜Ｇのいずれにおいても、ガラス基板群Ｇｇの表裏撓み差の変化量は０．１ｍｍ以下（領域Ａ：０．１ｍｍ，領域Ｂ：０．１ｍｍ，領域Ｃ：０．１ｍｍ，領域Ｄ：０．１ｍｍ，領域Ｅ：０．０ｍｍ，領域Ｆ：０．０ｍｍ，領域Ｇ：０．１ｍｍ）である。また、７つの評価領域Ａ〜Ｇの表裏撓み差の平均値の中で最大値は０．２３ｍｍであり、７つの評価領域Ａ〜Ｇの表裏撓み差の平均値の中で最小値は−０．２ｍｍであり、これら最大値と最小値の差は０．４３ｍｍである。もちろん、図７の結果はあくまで一例であり、この結果に限定されるものではない。

【0047】

本実施形態の製造方法は、複数のガラス基板について、第２の辺の方向の位置が異なる複数の評価領域を設定し、複数の評価領域の表裏撓み差をそれぞれ測定する工程と、複数の評価領域について、複数のガラス基板間での表裏撓み差の変化量をそれぞれ求める工程と、複数のガラス基板間での表裏撓み差の変化量に基づいて複数のガラス基板（ガラス基板群）の合否を判定する工程とを備えることが好ましい。前述の（１）〜（５）の手順により、複数の評価領域の表裏撓み差をそれぞれ測定し、複数のガラス基板間での表裏撓み差の変化量を求めることができる。この場合、前述の（１）でガラス基板群Ｇｇから任意のガラス基板Ｇｓを採取する枚数は、例えば３〜１０枚とすればよい。その際、割断によって切り出されたガラス基板Ｇｓを一定の時間間隔（例えば０．５〜１２時間毎）で採取してもよい。また、評価領域Ａ〜Ｇは、７つに限らず、例えば３〜１０つとしてもよい。各評価領域の幅方向の長さは３７０ｍｍに限らず、例えば３００〜６００ｍｍとしてもよく、板引き方向長さは４７０ｍｍに限らず、例えば３００〜７００ｍｍとしてもよい。さらに、支持スパンＬは３５０ｍｍに限らず、例えば２００〜５００ｍｍとしてもよい。

【0048】

合否の判定は、表裏撓み差の変化量が０．４ｍｍ以下である場合に合格とすることが好ましく、０．３ｍｍ以下である場合に合格とすることがさらにより好ましく、０．２ｍｍ以下である場合に合格とすることが最も好ましい。ただし、支持スパンＬが長くなるのに従って第１の撓みＷ１及び第２の撓みＷ２が増加する。このため、支持スパンＬが３５０ｍｍでない場合は、支持スパンＬが３５０ｍｍである表裏撓み差（（Ｗ１−Ｗ２）×３５０／Ｌ）に基づいて合否を判定すればよい。あるいは、支持スパンＬが３５０ｍｍでない場合は、表裏撓み差の変化量が（０．４×Ｌ／３５０）ｍｍ以下である場合に合格とすることが好ましく、（０．３×Ｌ／３５０）ｍｍ以下である場合に合格とすることがさらにより好ましく、（０．２×Ｌ／３５０）ｍｍ以下である場合に合格とすることが最も好ましい。

【0049】

なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、上記した作用効果に限定されるものでもない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

【0050】

上記の実施形態では、ガラスリボンＧｒをスクライブ割断する場合を説明したが、ガラスリボンＧｒ及び／又はガラス基板Ｇｓの切断には、レーザー割断やレーザー溶断等の他の切断方法を用いてもよい。

【符号の説明】

【0051】

１，２ パレット
１０ ガラス基板群の製造装置
１１ 成形炉
１２ 徐冷炉
１３ 冷却ゾーン
１４ ローラ対
１５ 成形体
１６ 切断装置
１７ 接触部
１８ 保持部
Ａ〜Ｇ 評価領域
Ｇｇ ガラス基板群
Ｇｓ ガラス基板
Ｇａ 第１の辺（板引き方向に沿った辺）
Ｇｂ 第２の辺（板引き方向と直交する方向に沿った辺）
Ｇｐ ガラス片
Ｇｍ 溶融ガラスＧｒ ガラスリボン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】