特許第6904899号(P6904899)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6904899昇華による大径シリコンカーバイド結晶の製造方法及び関連する半導体SICウェハ
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  • 特許6904899-昇華による大径シリコンカーバイド結晶の製造方法及び関連する半導体SICウェハ 図000018
  • 特許6904899-昇華による大径シリコンカーバイド結晶の製造方法及び関連する半導体SICウェハ 図000019
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