(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
直流電源の正負極間に、リアクトルを介して第1,第2のスイッチング素子が直列に接続され、前記第1,第2のスイッチング素子の直列回路の両端に、第1,第2のダイオードをそれぞれ介して第1,第2のコンデンサが直列に接続されると共に、前記第1,第2のスイッチング素子の直列接続点と前記第1,第2のコンデンサの直列接続点とが接続され、前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端に負荷が接続される3レベルチョッパであって、
前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端電圧を指令値に一致させるためのPWM指令値を生成するPWM指令生成部と、
前記第1,第2のコンデンサの電圧に応じて、前記第1,第2のコンデンサの電圧を等しくするためのバランス指令値を生成するバランス指令値生成部と、
前記3レベルチョッパの入力電圧及び出力電圧と、前記3レベルチョッパの降圧運転時にチョッパを流れる電流のリップル率が最大となる入出力電圧比と、に応じて、前記バランス指令値を調整するためのバランス指令調整値を生成するバランス指令値調整部と、
前記PWM指令値と前記バランス指令調整値とに基づいて前記第1,第2のスイッチング素子をオン・オフする駆動信号を生成する手段と、
を備えたことを特徴とする3レベルチョッパ。
直流電源の正負極間に、リアクトルを介して第1,第2のスイッチング素子が直列に接続され、前記第1,第2のスイッチング素子の直列回路の両端に、第1,第2のダイオードをそれぞれ介して第1,第2のコンデンサが直列に接続されると共に、前記第1,第2のスイッチング素子の直列接続点と前記第1,第2のコンデンサの直列接続点とが接続され、前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端に負荷が接続される3レベルチョッパであって、
前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端電圧を指令値に一致させるためのPWM指令値を生成するPWM指令生成部と、
前記第1,第2のコンデンサの電圧に応じて、前記第1,第2のコンデンサの電圧を等しくするためのバランス指令値を生成するバランス指令値生成部と、
前記3レベルチョッパの入力電圧及び出力電圧と、前記3レベルチョッパの昇圧運転時にチョッパを流れる電流のリップル率が最大となる入出力電圧比と、に応じて、前記バランス指令値を調整するためのバランス指令調整値を生成するバランス指令値調整部と、
前記PWM指令値と前記バランス指令調整値とに基づいて前記第1,第2のスイッチング素子をオン・オフする駆動信号を生成する手段と、
を備えたことを特徴とする3レベルチョッパ。
直流電源の正負極間に、リアクトルを介して第1,第2のスイッチング素子が直列に接続され、前記第1,第2のスイッチング素子の直列回路の両端に、第1,第2のダイオードをそれぞれ介して第1,第2のコンデンサが直列に接続されると共に、前記第1,第2のスイッチング素子の直列接続点と前記第1,第2のコンデンサの直列接続点とが接続され、前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端に負荷が接続される3レベルチョッパであって、
前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端電圧を指令値に一致させるためのPWM指令値を生成するPWM指令生成部と、
前記第1,第2のコンデンサの電圧に応じて、前記第1,第2のコンデンサの電圧を等しくするためのバランス指令値を生成するバランス指令値生成部と、
前記3レベルチョッパの入力電圧及び出力電圧と、前記3レベルチョッパの昇圧・降圧運転時にチョッパを流れる電流のリップル率がそれぞれ最大となる入出力電圧比と、に応じて、前記バランス指令値を調整するためのバランス指令調整値を生成するバランス指令値調整部と、
前記PWM指令値と前記バランス指令調整値とに基づいて前記第1,第2のスイッチング素子をオン・オフする駆動信号を生成する手段と、
を備えたことを特徴とする3レベルチョッパ。
直流電源の正負極間に、リアクトルを介して第1,第2のスイッチング素子が直列に接続され、前記第1,第2のスイッチング素子の直列回路の両端に、第1,第2のダイオードをそれぞれ介して第1,第2のコンデンサが直列に接続されると共に、前記第1,第2のスイッチング素子の直列接続点と前記第1,第2のコンデンサの直列接続点とが接続されて前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端に負荷が接続される3レベルチョッパの制御回路であって、
前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端電圧を指令値に一致させるためのPWM指令値を生成するPWM指令生成部と、
前記第1,第2のコンデンサの電圧に応じて、前記第1,第2のコンデンサの電圧を等しくするためのバランス指令値を生成するバランス指令値生成部と、
前記3レベルチョッパの入力電圧及び出力電圧と、前記3レベルチョッパの降圧運転時にチョッパを流れる電流のリップル率が最大となる入出力電圧比と、に応じて、前記バランス指令値を調整するためのバランス指令調整値を生成するバランス指令値調整部と、
前記PWM指令値と前記バランス指令調整値とに基づいて前記第1,第2のスイッチング素子をオン・オフする駆動信号を生成する手段と、
を備えたことを特徴とする3レベルチョッパの制御回路。
直流電源の正負極間に、リアクトルを介して第1,第2のスイッチング素子が直列に接続され、前記第1,第2のスイッチング素子の直列回路の両端に、第1,第2のダイオードをそれぞれ介して第1,第2のコンデンサが直列に接続されると共に、前記第1,第2のスイッチング素子の直列接続点と前記第1,第2のコンデンサの直列接続点とが接続されて前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端に負荷が接続される3レベルチョッパの制御回路であって、
前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端電圧を指令値に一致させるためのPWM指令値を生成するPWM指令生成部と、
前記第1,第2のコンデンサの電圧に応じて、前記第1,第2のコンデンサの電圧を等しくするためのバランス指令値を生成するバランス指令値生成部と、
前記3レベルチョッパの入力電圧及び出力電圧と、前記3レベルチョッパの昇圧運転時にチョッパを流れる電流のリップル率が最大となる入出力電圧比と、に応じて、前記バランス指令値を調整するためのバランス指令調整値を生成するバランス指令値調整部と、
前記PWM指令値と前記バランス指令調整値とに基づいて前記第1,第2のスイッチング素子をオン・オフする駆動信号を生成する手段と、
を備えたことを特徴とする3レベルチョッパの制御回路。
直流電源の正負極間に、リアクトルを介して第1,第2のスイッチング素子が直列に接続され、前記第1,第2のスイッチング素子の直列回路の両端に、第1,第2のダイオードをそれぞれ介して第1,第2のコンデンサが直列に接続されると共に、前記第1,第2のスイッチング素子の直列接続点と前記第1,第2のコンデンサの直列接続点とが接続されて前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端に負荷が接続される3レベルチョッパの制御回路であって、
前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端電圧を指令値に一致させるためのPWM指令値を生成するPWM指令生成部と、
前記第1,第2のコンデンサの電圧に応じて、前記第1,第2のコンデンサの電圧を等しくするためのバランス指令値を生成するバランス指令値生成部と、
前記3レベルチョッパの入力電圧及び出力電圧と、前記3レベルチョッパの昇圧・降圧運転時にチョッパを流れる電流のリップル率がそれぞれ最大となる入出力電圧比と、に応じて、前記バランス指令値を調整するためのバランス指令調整値を生成するバランス指令値調整部と、
前記PWM指令値と前記バランス指令調整値とに基づいて前記第1,第2のスイッチング素子をオン・オフする駆動信号を生成する手段と、
を備えたことを特徴とする3レベルチョッパの制御回路。
【背景技術】
【0002】
図13は、特許文献1に記載された直流電源システムの主回路構成図である。
この直流電源システムは、半導体スイッチング素子(以下、単にスイッチング素子という)の動作により、直流電源電圧を昇圧して中性点を持つ直流電圧に変換するものであり、いわゆる3レベルチョッパによって構成されている。
【0003】
この3レベルチョッパは、直流電源BATと、その正負極間にリアクトルL
1,L
2を介して接続されたスイッチング素子S
1,S
2の直列回路と、この直列回路の両端にスイッチング素子S
3,S
4をそれぞれ介して直列に接続されたコンデンサC
1,C
2とを備え、コンデンサC
1,C
2の直列回路の両端に負荷LDが接続されている。
なお、D
1〜D
4はスイッチング素子S
1〜S
4にそれぞれ逆並列に接続された還流ダイオード、Pは正側端子、Nは負側端子であり、Mはスイッチング素子S
1,S
2の直列接続点に接続されたコンデンサC
1,C
2の直列接続点(中性点)である。
【0004】
以下、この回路の動作を簡単に説明する。
まず、スイッチング素子S
1,S
2を共にオンするとリアクトルL
1,L
2にエネルギーが蓄積される。次に、スイッチング素子S
1をオンしたままでスイッチング素子S
2をオフすると、リアクトルL
1,L
2の蓄積エネルギーによりスイッチング素子S
1と還流ダイオードD
4とを介してコンデンサC
2が充電される。次いで、スイッチング素子S
1をオフしてスイッチング素子S
2をオンすると、リアクトルL
1,L
2の蓄積エネルギーにより還流ダイオードD
3とスイッチング素子S
2とを介してコンデンサC
1が充電される。
【0005】
上記の動作を繰り返すことにより、端子P,N間の出力電圧V
pnは直流電源電圧V
batよりも高い電圧に昇圧される。ここで、出力電圧V
pnは3つのレベル(V
dcp、V
dcn、及び、V
dcp+V
dcn)をとり得るため、3レベルチョッパと呼ばれている。
【0006】
この種の3レベルチョッパにおいて、スイッチング素子の故障や回路定数のばらつき等に起因して、出力側のコンデンサC
1,C
2の電圧V
dcp,V
dcnに偏りが生じると、スイッチング素子やコンデンサが過電圧によって破壊されることがある。
このため、特許文献1では、
図14の制御回路を用いて電圧V
dcp,V
dcnを等しくする制御を行っている。
【0007】
図14は、スイッチング素子S
1〜S
4を駆動するための制御回路を示している。
図14において、コンデンサC
1,C
2の電圧V
dcp,V
dcnが直流電圧指令値(出力電圧指令値)V
pn*の1/2とそれぞれ等しくなるように電圧調節器AVR
1,AVR
2が動作し、これらの出力が切替スイッチSW
1,SW
2を介して同一構成のPWM回路PWM
A,PWM
Bに加えられている。
【0008】
PWM回路PWM
A,PWM
Bは、コンパレータCmp、タイマTM
1,TM
2、論理回路11〜15、立下り検出回路16,17、DQフリップフロップ18を備え、DQフリップフロップ18の出力が、それぞれの入力側の切替スイッチSW
1,SW
2に対する切替信号1,2となる。
パルス出力判定回路PJは、電圧検出値V
dcp,V
dcnの大小関係に応じて、PWM回路PWM
A,PWM
Bの出力信号S
1’〜S
4’をスイッチング素子S
1〜S
4の駆動信号(ゲート信号)として選択し、出力する。
【0009】
上記制御回路では、
図15(a),(b)に示すように、電圧検出値V
dcp,V
dcnの大小関係に応じてスイッチング素子S
1,S
2のオン時間を調節している。具体的には、電圧が低い方のコンデンサの充電量を多くするように、当該コンデンサに直列接続されたスイッチング素子のオン時間を長くして
図13の電流I
chを増減させ、電圧V
dcp,V
dcnを均等化する制御を行っている。
なお、スイッチング素子S
3,S
4は、コンデンサC
1,C
2のエネルギーを直流電源側に回生して電圧V
dcp,V
dcnを所定値に維持するように機能するものである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
特許文献1に記載された技術において、電圧を均等化するためにスイッチング素子S
1またはS
2のオン時間が長くなり過ぎると、素子の温度が設計値以上になり、結果的に、スイッチング素子の破壊を防止するための保護動作が働いて装置の運転が停止してしまう場合がある。
一方、コンデンサC
1,C
2の電圧が均等でない場合には、チョッパを流れる電流にリップル電流が多く含まれることになり、このチョッパにインバータ回路を介して連系される電力系統やその接続負荷に悪影響を与える等の問題があった。
【0012】
そこで、本発明の解決課題は、出力側の直列コンデンサの電圧を均等化しつつ、スイッチング素子の過熱を防止して安定的に運転を継続させると共に、リップル電流を抑制することができる3レベルチョッパ及びその制御回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0013】
上記課題を解決するため、請求項1に係る3レベルチョッパは、直流電源の正負極間に、リアクトルを介して第1,第2のスイッチング素子が直列に接続され、前記第1,第2のスイッチング素子の直列回路の両端に、第1,第2のダイオードをそれぞれ介して第1,第2のコンデンサが直列に接続されると共に、前記第1,第2のスイッチング素子の直列接続点と前記第1,第2のコンデンサの直列接続点とが接続され、前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端に負荷が接続される3レベルチョッパであって、
前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端電圧を指令値に一致させるためのPWM指令値を生成するPWM指令生成部と、
前記第1,第2のコンデンサの電圧に応じて、前記第1,第2のコンデンサの電圧を等しくするためのバランス指令値を生成するバランス指令値生成部と、
前記3レベルチョッパの入力電圧及び出力電圧と、前記3レベルチョッパの降圧運転時にチョッパを流れる電流のリップル率が最大となる入出力電圧比と、に応じて、前記バランス指令値を調整するためのバランス指令調整値を生成するバランス指令値調整部と、
前記PWM指令値と前記バランス指令調整値とに基づいて前記第1,第2のスイッチング素子をオン・オフする駆動信号を生成する手段と、
を備えたことを特徴とする。
【0014】
請求項2に係る3レベルチョッパは、直流電源の正負極間に、リアクトルを介して第1,第2のスイッチング素子が直列に接続され、前記第1,第2のスイッチング素子の直列回路の両端に、第1,第2のダイオードをそれぞれ介して第1,第2のコンデンサが直列に接続されると共に、前記第1,第2のスイッチング素子の直列接続点と前記第1,第2のコンデンサの直列接続点とが接続され、前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端に負荷が接続される3レベルチョッパであって、
前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端電圧を指令値に一致させるためのPWM指令値を生成するPWM指令生成部と、
前記第1,第2のコンデンサの電圧に応じて、前記第1,第2のコンデンサの電圧を等しくするためのバランス指令値を生成するバランス指令値生成部と、
前記3レベルチョッパの入力電圧及び出力電圧と、前記3レベルチョッパの昇圧運転時にチョッパを流れる電流のリップル率が最大となる入出力電圧比と、に応じて、前記バランス指令値を調整するためのバランス指令調整値を生成するバランス指令値調整部と、
前記PWM指令値と前記バランス指令調整値とに基づいて前記第1,第2のスイッチング素子をオン・オフする駆動信号を生成する手段と、
を備えたことを特徴とする。
【0015】
請求項3に係る3レベルチョッパは、直流電源の正負極間に、リアクトルを介して第1,第2のスイッチング素子が直列に接続され、前記第1,第2のスイッチング素子の直列回路の両端に、第1,第2のダイオードをそれぞれ介して第1,第2のコンデンサが直列に接続されると共に、前記第1,第2のスイッチング素子の直列接続点と前記第1,第2のコンデンサの直列接続点とが接続され、前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端に負荷が接続される3レベルチョッパであって、
前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端電圧を指令値に一致させるためのPWM指令値を生成するPWM指令生成部と、
前記第1,第2のコンデンサの電圧に応じて、前記第1,第2のコンデンサの電圧を等しくするためのバランス指令値を生成するバランス指令値生成部と、
前記3レベルチョッパの入力電圧及び出力電圧と、前記3レベルチョッパの昇圧・降圧運転時にチョッパを流れる電流のリップル率がそれぞれ最大となる入出力電圧比と、に応じて、前記バランス指令値を調整するためのバランス指令調整値を生成するバランス指令値調整部と、
前記PWM指令値と前記バランス指令調整値とに基づいて前記第1,第2のスイッチング素子をオン・オフする駆動信号を生成する手段と、
を備えたことを特徴とする。
【0016】
請求項4に係る3レベルチョッパは、請求項1〜3の何れか1項に記載した3レベルチョッパにおいて、
前記バランス指令値調整部は、前記出力電圧と前記入出力電圧比との積と前記入力電圧との偏差を求め、この偏差と所定のゲインとの積に基づいて前記バランス指令値を調整することを特徴とする。
【0017】
請求項5に係る3レベルチョッパは、請求項1〜4の何れか1項に記載した3レベルチョッパにおいて、
前記第1のダイオードに第3のスイッチング素子を逆並列に接続し、かつ、前記第2のダイオードに第4のスイッチング素子を逆並列に接続したことを特徴とする。
【0018】
請求項6に係る3レベルチョッパは、請求項5に記載した3レベルチョッパにおいて、
前記第3,第4のスイッチング素子をオンさせて前記第1,第2のコンデンサのエネルギーを前記直流電源に回生することを特徴とする。
【0019】
請求項7に係る3レベルチョッパの制御回路は、直流電源の正負極間に、リアクトルを介して第1,第2のスイッチング素子が直列に接続され、前記第1,第2のスイッチング素子の直列回路の両端に、第1,第2のダイオードをそれぞれ介して第1,第2のコンデンサが直列に接続されると共に、前記第1,第2のスイッチング素子の直列接続点と前記第1,第2のコンデンサの直列接続点とが接続されて前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端に負荷が接続される3レベルチョッパの制御回路であって、
前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端電圧を指令値に一致させるためのPWM指令値を生成するPWM指令生成部と、
前記第1,第2のコンデンサの電圧に応じて、前記第1,第2のコンデンサの電圧を等しくするためのバランス指令値を生成するバランス指令値生成部と、
前記3レベルチョッパの入力電圧及び出力電圧と、前記3レベルチョッパの降圧運転時にチョッパを流れる電流のリップル率が最大となる入出力電圧比と、に応じて、前記バランス指令値を調整するためのバランス指令調整値を生成するバランス指令値調整部と、
前記PWM指令値と前記バランス指令調整値とに基づいて前記第1,第2のスイッチング素子をオン・オフする駆動信号を生成する手段と、
を備えたことを特徴とする。
【0020】
請求項8に係る3レベルチョッパの制御回路は、直流電源の正負極間に、リアクトルを介して第1,第2のスイッチング素子が直列に接続され、前記第1,第2のスイッチング素子の直列回路の両端に、第1,第2のダイオードをそれぞれ介して第1,第2のコンデンサが直列に接続されると共に、前記第1,第2のスイッチング素子の直列接続点と前記第1,第2のコンデンサの直列接続点とが接続されて前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端に負荷が接続される3レベルチョッパの制御回路であって、
前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端電圧を指令値に一致させるためのPWM指令値を生成するPWM指令生成部と、
前記第1,第2のコンデンサの電圧に応じて、前記第1,第2のコンデンサの電圧を等しくするためのバランス指令値を生成するバランス指令値生成部と、
前記3レベルチョッパの入力電圧及び出力電圧と、前記3レベルチョッパの昇圧運転時にチョッパを流れる電流のリップル率が最大となる入出力電圧比と、に応じて、前記バランス指令値を調整するためのバランス指令調整値を生成するバランス指令値調整部と、
前記PWM指令値と前記バランス指令調整値とに基づいて前記第1,第2のスイッチング素子をオン・オフする駆動信号を生成する手段と、
を備えたことを特徴とする。
【0021】
請求項9に係る3レベルチョッパの制御回路は、直流電源の正負極間に、リアクトルを介して第1,第2のスイッチング素子が直列に接続され、前記第1,第2のスイッチング素子の直列回路の両端に、第1,第2のダイオードをそれぞれ介して第1,第2のコンデンサが直列に接続されると共に、前記第1,第2のスイッチング素子の直列接続点と前記第1,第2のコンデンサの直列接続点とが接続されて前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端に負荷が接続される3レベルチョッパの制御回路であって、
前記第1,第2のコンデンサの直列回路の両端電圧を指令値に一致させるためのPWM指令値を生成するPWM指令生成部と、
前記第1,第2のコンデンサの電圧に応じて、前記第1,第2のコンデンサの電圧を等しくするためのバランス指令値を生成するバランス指令値生成部と、
前記3レベルチョッパの入力電圧及び出力電圧と、前記3レベルチョッパの昇圧・降圧運転時にチョッパを流れる電流のリップル率がそれぞれ最大となる入出力電圧比と、に応じて、前記バランス指令値を調整するためのバランス指令調整値を生成するバランス指令値調整部と、
前記PWM指令値と前記バランス指令調整値とに基づいて前記第1,第2のスイッチング素子をオン・オフする駆動信号を生成する手段と、
を備えたことを特徴とする。
【0022】
請求項10に係る3レベルチョッパの制御回路は、
請求項7〜9の何れか1項に記載した3レベルチョッパの制御回路において、
前記バランス指令値調整部は、前記出力電圧と前記入出力電圧比との積と前記入力電圧との偏差を求め、この偏差と所定のゲインとの積に基づいて前記バランス指令値を調整することを特徴とする。
【発明の効果】
【0023】
本発明によれば、3レベルチョッパの降圧モード領域、昇圧モード領域のそれぞれについて、出力側の直列コンデンサの電圧を均等化するためにスイッチング素子のオン時間を必要以上に長くする必要がない。このため、スイッチング素子の過熱を防止することができ、保護動作を働かせずに装置の安定した運転を継続させることが可能である。
また、チョッパに流れる電流のリップル成分を抑制し、電力系統やその接続負荷に与える悪影響を防止することができる。
【発明を実施するための形態】
【0025】
以下、図に沿って本発明の実施形態を説明する。
初めに、本発明の原理を説明する。本発明では、3レベルチョッパ(以下、単にチョッパともいう)の直流入力電流のリップル率が出力側のコンデンサC
1,C
2の電圧のアンバランスに応じて変化することに着目したものである。すなわち、チョッパの降圧動作、昇圧動作のそれぞれについて、チョッパの入出力電圧の関係に応じて、コンデンサC
1,C
2の電圧を均等化するためのバランス指令値(バランス指令率)を調整することにより、リップル電流を抑制してコンデンサC
1,C
2の電圧を均等化する。
【0026】
まず、
図1は、チョッパの降圧モード領域及び昇圧モード領域における、入力電圧と電流リップル率(ΔI/I
dc)との関係を示している。ここで、チョッパの直流入力電流I
dcは、
図13におけるI
chと同じものであり、出力電圧V
oは
図13におけるV
pnと同じものである。
なお、チョッパの降圧モードとは入力電圧V
in>(出力電圧V
o/2)となるモードを言い、チョッパの昇圧モードとは入力電圧V
in<(出力電圧V
o/2)となるモードを言う。
図1の降圧モード領域及び昇圧モード領域において、電流リップル率が最大になるときの入出力電圧の関係は、以下のようにして求めることができる(結論として、チョッパの降圧モードでは、入力電圧V
inが出力電圧V
oの(√3+3)/6倍である時、チョッパの昇圧モードでは、入力電圧V
inが出力電圧V
oの1/3倍である時に、それぞれ電流リップル率が最大となる)。
【0027】
図2は、チョッパの降圧モードにおいて、電流リップル率が最大になるときの入出力電圧の関係を説明するための図である。
図2(a)は、スイッチング素子S
1をオンしてスイッチング素子S
2をオフした時、
図2(b)は、スイッチング素子S
1,S
2をオフした時の入力電流I
dcの経路(矢印)を示している。なお、C
inは平滑コンデンサ、V
inはチョッパの入力電圧である。
【0028】
図2(c)に示すように、スイッチング素子S
1,S
2が周期T=1/f
sw(f
sw:スイッチング周波数)にて交互にスイッチングする場合、スイッチング素子S
1のオン時間は数式1によって表される。
【数1】
また、電流リップル率(ΔI/I
dc)は数式2となる。この数式2において、LはリアクトルL
1,L
2のインダクタンス、Pは入力電力である。
【数2】
【0029】
電流リップル率(ΔI/I
dc)が最大になる時の入力電圧V
inは、数式2をV
inにより微分した値が0になる時の値であり、数式3により表すことができる。
【数3】
【0030】
また、
図3は、チョッパの昇圧モードにおいて、電流リップル率が最大になるときの入出力電圧の関係を説明するための図であり、
図3(a)はスイッチング素子S
1,S
2をオンした時、
図3(b)はスイッチング素子S
1をオンしたままスイッチング素子S
2をオフした時の入力電流I
dcの経路(矢印)を示している。なお、
図3(c)において、t
onS12はスイッチング素子S
1,S
2の両方をオンする時間である。
【0031】
ここで、スイッチング素子S
1のオン時間は数式4によって表される。
【数4】
また、電流リップル率(ΔI/I
dc)は数式5となる。
【数5】
【0032】
電流リップル率(ΔI/I
dc)が最大になる時の入力電圧V
inは、数式5をV
inにより微分した値が0になる時の値であり、数式6により表すことができる。
【数6】
【0033】
図4(a)は、コンデンサC
1,C
2の電圧が均等である時の入力電流I
dcに含まれるリップル電流ΔIを示し、
図4(b)は、コンデンサC
1,C
2の電圧が均等でない時のリップル電流ΔIを示す。これらの
図4(a),(b)から、コンデンサC
1,C
2の電圧がアンバランスである時には、リップル電流ΔIひいては電流リップル率(ΔI/I
dc)が大きくなることがわかる。
【0034】
次に、
図5は本発明の第1実施形態に係る制御回路の構成図である。
この第1実施形態は、チョッパを降圧モード領域(
図1参照)で運転するときに、コンデンサC
1,C
2の電圧を均等化するためにスイッチング素子S
1〜S
4の駆動信号を生成するものである。
【0035】
第1実施形態の動作の概要は、以下の通りである。
すなわち、降圧モードにおいて、V
in=V
oである時にはバランス指令値(バランス指令率)を0とすることにより、スイッチング素子の熱の偏りを防いで装置の運転を継続させる。
また、V
in=V
oの状態からV
inの低下に応じてバランス指令値を徐々に増加させていき、電流リップル率が最大になるV
in={(√3+3)/6}V
oの時点でバランス指令値を最大(バランス指令率を100%)にすることにより、リップル電流を低減し、電力系統の接続機器を保護する。
更に、V
in={(√3+3)/6}V
oの時点からV
inの低下に応じてバランス指令値を徐々に減少させ、V
in=V
o/2の時点でバランス指令値を0(バランス指令率を0%)にすることにより、スイッチング素子の熱の偏りを防いで装置の運転を継続させる。
【0036】
第1実施形態に係る
図5の制御回路において、PWM指令生成部101は、チョッパの直流電圧指令値V
o*及び直流電圧検出値V
oと直流電流検出値I
dcとに基づいて、上記V
oをV
o*に制御するためのPWM指令(電圧指令)を生成する。
このPWM指令は、加減算器103,104により、後述するバランス指令値調整部200Aの上下限リミッタ211から出力されるバランス指令値とそれぞれ加減算され、PWM回路105,106(PWM1,PWM2)に入力される。PWM回路105,106では、入力された指令値とキャリア1,2とをそれぞれ比較することにより、
図13のスイッチング素子S
1,S
3用、及び、スイッチング素子S
2,S
4用の駆動信号を生成する。
【0037】
バランス指令値生成部102は、直流電圧上側検出値(
図13のコンデンサC
1の電圧検出値)V
C1と直流電圧下側検出値(コンデンサC
2の電圧検出値)V
C2とからバランス指令値を生成し、このバランス指令値はバランス指令値調整部200Aに入力される。
【0038】
次に、バランス指令値調整部200Aの構成について説明する。
まず、チョッパの入力電圧V
inはローパスフィルタ201を介して加減算器204に入力される。また、チョッパの出力電圧V
oはローパスフィルタ202を介して乗算器203に入力され、定数{(√3+3)/6}との乗算結果が加減算器204に入力される。
加減算器204の出力aは、その正負を判別するためのコンパレータ205に入力され、「0000hex(hexは16進数)」との比較結果が切替スイッチ206に加えられている。
【0039】
また、加減算器204の出力aはゲイン1,2を介して切替スイッチ206の入力端子T,Fにそれぞれ入力されている。ここで、ゲイン1は、V
in=V
o/2であるときに「1000hex」となる係数であり、ゲイン2は、V
in=V
oであるときに「1000hex」となる係数である。なお、切替スイッチ206の入力端子Tは「True」を示し、Fは「False」を示す。
前記コンパレータ205は、入力aが負である時に切替スイッチ206の入力端子T側を選択させる信号を出力する。
【0040】
切替スイッチ206の出力は、絶対値演算回路207により絶対値信号bとなって加減算器208に入力される。加減算器208では、「1000hex」と絶対値信号bとの偏差cを検出し、この偏差cは乗算器209,210に入力される。
乗算器209,210は、偏差cと上限リミッタ値、下限リミッタ値とをそれぞれ乗算し、これらの乗算結果を上下限リミッタ211の上限リミッタ値、下限リミッタ値として出力する。上下限リミッタ211は、バランス指令値生成部102から入力されたバランス指令値を上下限処理し、その出力信号dを前記加減算器103,104に出力する。
【0041】
図6は、チョッパの入力電圧V
inと
図5における各信号a〜dとの関係を示す図である。
図5の制御回路の動作により、バランス指令値調整部200Aから最終的に出力されるバランス指令値dは、V
in=V
o/2,V
in=V
oの時に0となり、V
in={(√3+3)/6}V
oの時に最大値(バランス指令率が100%)となる。
【0042】
次に、
図7は、第1実施形態に基づく設計例における、入力電圧と電流リップル率及びバランス指令率との関係を示す図である。ここでは、電流リップル率の最大値を20[%]、チョッパの出力電圧V
oを1100[V]とする。このため、電流リップル率が最大になる時の入力電圧V
inは、V
in={(√3+3)/6}V
o≒868[V]となる。
【0043】
前述した動作の概要から明らかなように、
図7における(1),(3)の時点では、電流リップル率が小さいため、コンデンサC
1,C
2の電圧不均等によるリップル電流はほとんど問題にならない。従って、
図5のバランス指令値調整部200Aから出力するバランス指令値を0(バランス指令率を0%)としてスイッチング素子S
1,S
2のオン時間に偏りが生じないようにし、素子の熱バランスを保つ。
図7における(2)の時点は電流リップル率が大きいため、コンデンサC
1,C
2の電圧不均等によるリップル電流が大きい。このため、バランス指令値調整部200Aから出力するバランス指令値を最大値(バランス指令率を100%)としてリップル電流を抑制し、電力系統の接続機器を保護する。
【0044】
上記のように、電流リップル率に応じて
図7の(1)〜(2)〜(3)の範囲でバランス指令値を徐々に変化させることにより、チョッパの降圧モードにおけるスイッチング素子S
1,S
2の過熱保護、及びリップル電流の抑制が可能になる。
【0045】
次いで、
図8は本発明の第2実施形態に係る制御回路の構成図である。
この第2実施形態は、チョッパを昇圧モード領域(
図1参照)で運転するときに、コンデンサC
1,C
2の電圧を均等化するためにスイッチング素子S
1〜S
4の駆動信号を生成するものである。
【0046】
第2実施形態の動作の概要は、以下の通りである。
すなわち、昇圧モードにおいて、V
in=V
o/2である時にはバランス指令値(バランス指令率)を0とすることにより、スイッチング素子の熱の偏りを防いで装置の運転を継続させる。
また、V
in=V
o/2の状態からV
inの低下に応じてバランス指令値を徐々に増加させていき、電流リップル率が最大になるV
in=V
o/3の時点でバランス指令値を最大(バランス指令率を100%)にすることにより、リップル電流を低減し、電力系統の接続機器を保護する。
更に、V
in=V
o/3の時点からV
inの低下に応じてバランス指令値を徐々に減少させ、V
in=0の時点でバランス指令値を0(バランス指令率を0%)にすることにより、スイッチング素子の熱の偏りを防いで装置の運転を継続させる。
【0047】
なお、降圧モード、昇圧モードを問わず、コンデンサC
1,C
2の電圧の一方が過電圧、他方が不足電圧となる場合は、入力電圧の大きさに関係なくバランス指令値を最大にすることで、装置の運転を継続させることができる。
【0048】
第2実施形態に係る
図8の制御回路が
図5と異なる点は、バランス指令値調整部200B内の乗算器203に入力される定数が
図5の(√3+3)/6に代えて1/3となっている点、及び、切替スイッチ206の入力側のゲインが、ゲイン3,4となっている点である。ここで、ゲイン3は、V
in=0であるときに「1000hex」となる係数であり、ゲイン4は、V
in=V
o/2であるときに「1000hex」となる係数である。
【0049】
図9は、チョッパの入力電圧V
inと
図8における各信号a〜dとの関係を示す図である。
図8の制御回路の動作により、バランス指令値調整部200Bから最終的に出力されるバランス指令値dは、V
in=0,V
in=V
o/2の時に0となり、V
in=V
o/3の時に最大値(バランス指令率が100%)となる。
【0050】
次に、
図10は、第2実施形態に基づく設計例における、入力電圧と電流リップル率及びバランス指令率との関係を示す図である。第1実施形態と同様に、電流リップル率の最大値を20[%]、チョッパの出力電圧V
oを1100[V]とする。このため、電流リップル率が最大になる時の入力電圧V
inは、V
in=V
o/3≒367[V]となる。
【0051】
前述した動作の概要から明らかなように、
図10における(4),(6)の時点では、電流リップル率が小さいため、コンデンサC
1,C
2の電圧不均等によるリップル電流はほとんど問題にならない。従って、
図8のバランス指令値調整部200Bから出力するバランス指令値を0(バランス指令率を0%)としてスイッチング素子S
1,S
2のオン時間に偏りが生じないようにし、素子の熱バランスを保つ。
図10における(5)の時点は電流リップル率が大きいため、コンデンサC
1,C
2の電圧不均等によるリップル電流が大きい。このため、バランス指令値調整部200Bから出力するバランス指令値を最大値(バランス指令率を100%)としてリップル電流を抑制し、電力系統の接続機器を保護する。
【0052】
上記のように、電流リップル率に応じて
図10の(4)〜(5)〜(6)の範囲でバランス指令値を徐々に変化させることにより、チョッパの昇圧モードにおけるスイッチング素子S
1,S
2の過熱保護、及びリップル電流の抑制が可能になる。
【0053】
更に、
図11は本発明の第3実施形態に係る制御回路の構成図である。
この第3実施形態は、チョッパを昇・降圧チョッパとして運転する場合(
図1の降圧モード領域、昇圧モード領域を使い分ける場合)に、コンデンサC
1,C
2の電圧を均等化するためにスイッチング素子S
1〜S
4の駆動信号を生成するものである。
【0054】
図11において、バランス指令値調整部200C以外の部分は
図5及び
図8と同一であり、このバランス指令値調整部200Cは、
図5におけるバランス指令値調整部200Aの主要部と
図8におけるバランス指令値調整部200Bの主要部とを組み合わせたものに相当する。
バランス指令値調整部200Cでは、コンパレータ230によりV
inとV
o/2とを比較して降圧モード、昇圧モードを判別し、降圧モード(V
in>V
o/2)であれば切替スイッチ229を端子T側に、昇圧モード(V
in<V
o/2)であれば切替スイッチ229を端子F側に切り替える。
【0055】
なお、バランス指令値調整部200C内の昇圧モード側において、221,222はローパスフィルタ、223は乗算器、224,228は加減算器、225はコンパレータ、226は切替スイッチ、227は絶対値演算器である。また、ゲイン5は、電流リップル率に適合するバランス指令値となるように補正するための適宜な係数である。
【0056】
図12は、第3実施形態に基づく設計例における、入力電圧と電流リップルとの関係を示す図である。なお、入力電圧とバランス指令率との関係は
図7,
図10と同一であるため、図示を省略する。
第1,第2実施形態と同様に、電流リップル率の最大値を20[%]、チョッパの出力電圧V
oを1100[V]とすると、電流リップル率が最大になる時の入力電圧V
inは、降圧モードではV
in≒868[V]、昇圧モードではV
in≒367[V]となる。
【0057】
図12における(1),(3),(4),(6)の時点では、電流リップル率が小さいため、コンデンサC
1,C
2の電圧不均等によるリップル電流はほとんど問題にならない。従って、
図11のバランス指令値調整部200Cから出力するバランス指令値を0(バランス指令率を0%)としてスイッチング素子S
1,S
2のオン時間に偏りが生じないようにし、素子の熱バランスを保つ。
図12の降圧モード領域における(2)の時点は電流リップル率が大きいため、コンデンサC
1,C
2の電圧不均等によるリップル電流が大きい。このため、バランス指令値調整部200Cから出力するバランス指令値を最大値(バランス指令率を100%)としてリップル電流を抑制し、電力系統の接続機器を保護する。
また、昇圧モード領域における(5)の時点については、電流リップル率に応じたバランス指令値とすれば良い。
【0058】
上記のように、降圧モード領域、昇圧モード領域のそれぞれについて、電流リップル率に応じて
図12の(1)〜(2)〜(3)または(4)〜(5)〜(6)の範囲でバランス指令値を徐々に変化させることにより、スイッチング素子S
1,S
2の過熱保護及びリップル電流の抑制が可能になる。
【0059】
なお、
図13におけるスイッチング素子S
3,S
4をオンさせればコンデンサC
1,C
2のエネルギーを直流電源BATに回生することが可能であるが、本発明は、スイッチング素子S
3,S
4を備えていない3レベルチョッパにも適用することができる。