特許 6912009 樹脂基板および樹脂基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6912009

(24)【登録日】2021年7月12日

(45)【発行日】2021年7月28日

(54)【発明の名称】樹脂基板および樹脂基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20210715BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20210715BHJP

【ＦＩ】

   H05K1/02 F

   H05K3/46 T

   H05K3/46 G

【請求項の数】29

【全頁数】30

(21)【出願番号】特願2020-557829(P2020-557829)

(86)(22)【出願日】2019年11月28日

(86)【国際出願番号】JP2019046631

(87)【国際公開番号】WO2020111191

(87)【国際公開日】20200604

【審査請求日】2021年3月10日

(31)【優先権主張番号】特願2018-223384(P2018-223384)

(32)【優先日】2018年11月29日

(33)【優先権主張国】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110000970

【氏名又は名称】特許業務法人 楓国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼田 亮介

【審査官】 ゆずりは 広行

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１１−１７６０１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−０９００４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１４／１７４９３１（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｋ １／０２

Ｈ０５Ｋ ３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有する、絶縁基材を備え、
前記絶縁基材は、Ｘ軸方向に配列される第１部分および第２部分に分けられ、
前記第１部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有し、
前記第１領域のＹ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記絶縁基材の前記第２部分のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い、樹脂基板。

【請求項2】

前記第３領域のＹ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記絶縁基材の前記第２部分のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い、請求項１に記載の樹脂基板。

【請求項3】

前記第１領域のＹ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記第２領域のＹ軸方向における樹脂の分子配向度、および前記第３領域のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高く、
前記第３領域のＹ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記第２領域のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い、請求項２に記載の樹脂基板。

【請求項4】

前記第２領域のＸ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記絶縁基材の前記第２部分のＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い、請求項１に記載の樹脂基板。

【請求項5】

互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有する、絶縁基材を備え、
前記絶縁基材は、Ｘ軸方向に配列される第１部分および第２部分に分けられ、
前記第１部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有し、
前記第２領域のＸ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記絶縁基材の前記第２部分のＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い、樹脂基板。

【請求項6】

前記第３領域のＸ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記絶縁基材の前記第２部分のＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い、請求項４に記載の樹脂基板。

【請求項7】

前記第２領域のＸ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記第１領域のＸ軸方向における樹脂の分子配向度、および前記第３領域のＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高く、
前記第３領域のＸ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記第１領域のＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い、請求項６に記載の樹脂基板。

【請求項8】

前記絶縁基材は、前記第１部分にＺ軸方向に曲げられた曲げ部を有する、請求項１から７のいずれかに記載の樹脂基板。

【請求項9】

前記第２部分の樹脂の分子配向度は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に等方性である、請求項１から８のいずれかに記載の樹脂基板。

【請求項10】

前記第２部分に設けられる実装電極をさらに備える、請求項９に記載の樹脂基板。

【請求項11】

前記第２部分に設けられた層間接続導体を備える、請求項９または１０に記載の樹脂基板。

【請求項12】

前記絶縁基材は、光配向性ポリマーを含む、請求項１から１１のいずれかに記載の樹脂基板。

【請求項13】

前記絶縁基材は、熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層を積層して形成される、請求項１から１２のいずれかに記載の樹脂基板。

【請求項14】

前記第３領域の比誘電率は、前記第１領域または前記第２領域の比誘電率よりも低い、請求項１３に記載の樹脂基板。

【請求項15】

前記絶縁基材に形成される信号線をさらに備え、
前記信号線の少なくとも一部は、前記第３領域に配置される、請求項１４に記載の樹脂基板。

【請求項16】

前記絶縁基材の形成されるグランド導体をさらに備え、
前記グランド導体の少なくとも一部は、前記第１領域または前記第２領域に配置される、請求項１４または１５に記載の樹脂基板。

【請求項17】

互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有する、絶縁基材を備え、
前記絶縁基材は、Ｘ軸方向に配列される第１部分および第２部分に分けられ、
前記第１部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有し、
前記第１領域のＹ軸方向におけるヤング率は、前記第２部分のＹ軸方向におけるヤング率よりも大きく、
前記第１領域のＸ軸方向におけるヤング率は、前記第２部分のＸ軸方向におけるヤング率よりも小さい、樹脂基板。

【請求項18】

互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有する、絶縁基材を備え、
前記絶縁基材は、Ｘ軸方向に配列される第１部分および第２部分に分けられ、
前記第１部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有し、
前記第２領域のＸ軸方向におけるヤング率は、前記第２部分のＸ軸方向におけるヤング率よりも大きく、
前記第２領域のＹ軸方向におけるヤング率は、前記第２部分のＹ軸方向におけるヤング率よりも小さい、樹脂基板。

【請求項19】

前記絶縁基材は、前記第１部分にＺ軸方向に曲げられた曲げ部を有する、請求項１７または１８に記載の樹脂基板。

【請求項20】

互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有する、絶縁基材を備え、
前記絶縁基材は、Ｘ軸方向に配列される第１部分、第２部分および第３部分に分けられ、
前記第１部分および前記第３部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有し、
前記第１部分の前記第１領域のＹ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記絶縁基材の前記第２部分のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高く、
前記第３部分の前記第２領域のＹ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記絶縁基材の前記第２部分のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い、樹脂基板。

【請求項21】

互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有する、絶縁基材を備え、
前記絶縁基材は、Ｘ軸方向に配列される第１部分、第２部分および第３部分に分けられ、
前記第１部分および前記第３部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有し、
前記第１部分の前記第２領域のＸ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記絶縁基材の前記第２部分のＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高く、
前記第３部分の前記第１領域のＸ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記絶縁基材の前記第２部分のＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い、樹脂基板。

【請求項22】

互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有し、Ｘ軸方向に配列される第１部分および第２部分に分けられる絶縁基材を備え、前記第１部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有する、樹脂基板の製造方法であって、
樹脂層のうち、後に前記絶縁基材の前記第１領域となる部分に、光またはレーザを照射して樹脂分子をＹ軸方向に配向する、第１分子配向工程と、
前記第１分子配向工程の後に、Ｙ軸方向に配向した前記樹脂層を含む複数の樹脂層を積層し、前記複数の樹脂層を加熱プレスすることにより、前記絶縁基材を形成するとともに、前記第１領域のＹ軸方向における樹脂の分子配向度を、前記絶縁基材の前記第２部分のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高くする、第１絶縁基材形成工程と、
を有する、樹脂基板の製造方法。

【請求項23】

前記樹脂層は、光配向性ポリマーが含まれ、
前記第１分子配向工程は、前記第１領域となる部分を有する前記樹脂層に、Ｙ軸方向に偏光された光を照射する工程を含む、請求項２２に記載の樹脂基板の製造方法。

【請求項24】

互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有し、Ｘ軸方向に配列される第１部分および第２部分に分けられる絶縁基材を備え、前記第１部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有する、樹脂基板の製造方法であって、
樹脂層のうち、後に前記絶縁基材の前記第２領域となる部分に、光またはレーザを照射して樹脂分子をＸ軸方向に配向する、第２分子配向工程と、
前記第２分子配向工程の後に、Ｘ軸方向に配向した前記樹脂層を含む複数の樹脂層を積層し、前記複数の樹脂層を加熱プレスすることにより、前記絶縁基材を形成するとともに、前記第２領域のＸ軸方向における樹脂の分子配向度を、前記絶縁基材の前記第２部分のＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高くする、第１絶縁基材形成工程と、
を有する、樹脂基板の製造方法。

【請求項25】

前記樹脂層は、光配向性ポリマーが含まれ、
前記第２分子配向工程は、前記第２領域となる部分を有する前記樹脂層に、Ｘ軸方向に偏光した光を照射する工程を含む、請求項２４に記載の樹脂基板の製造方法。

【請求項26】

互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有し、Ｘ軸方向に配列される第１部分および第２部分に分けられる絶縁基材を備え、前記第１部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有する、樹脂基板の製造方法であって、
前記絶縁基材を形成する、第２絶縁基材形成工程と、
前記第２絶縁基材形成工程の後に、後に前記第１領域となる部分に、前記第１主面から光またはレーザを照射して、前記第１領域のＹ軸方向における樹脂の分子配向度を、前記絶縁基材の前記第２部分のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高くする、第３分子配向工程と、
を有する、樹脂基板の製造方法。

【請求項27】

前記絶縁基材には、光配向性ポリマーが含まれ、
前記第３分子配向工程は、前記絶縁基材の前記第１領域となる部分に、Ｙ軸方向に偏光された光を照射する工程を含む、請求項２６に記載の樹脂基板の製造方法。

【請求項28】

互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有し、Ｘ軸方向に配列される第１部分および第２部分に分けられる絶縁基材を備え、前記第１部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有する、樹脂基板の製造方法であって、
前記絶縁基材を形成する、第２絶縁基材形成工程と、
前記第２絶縁基材形成工程の後に、後に前記第２領域となる部分に、前記第２主面から光またはレーザを照射して、前記第２領域のＸ軸方向における樹脂の分子配向度を、前記絶縁基材の第２部分のＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高くする、第４分子配向工程と、
を有する、樹脂基板の製造方法。

【請求項29】

前記絶縁基材には、光配向性ポリマーが含まれ、
前記第４分子配向工程は、前記絶縁基材の前記第２領域となる部分に、Ｘ軸方向に偏光された光を照射する工程を含む、請求項２８に記載の樹脂基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、樹脂基板に関し、特に絶縁基材を備える樹脂基板、およびその樹脂基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、ガラス繊維に樹脂を含浸させた材料を含む樹脂基板が知られている。例えば、特許文献１には、一方向に配向したガラス繊維を含んだ強化樹脂層を有する、複数の樹脂層を積層して形成された樹脂基板が開示されている。一方向に配向したガラス繊維を含んだ強化樹脂層は、ガラス繊維が配向する配向方向と、配向方向に直交する方向とで、弾性率や線膨張係数が大きく異なる。上記樹脂基板では、複数の樹脂層に含まれるガラス繊維の配向の組み合わせによって、所望の方向に曲げやすい樹脂基板を実現している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第２００８／０５６５００号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかし、特許文献１に記載の樹脂基板では、ガラス繊維が強化樹脂層全体に含まれるため、所望の方向に曲げやすい樹脂基板を形成した場合には、曲げる部分と曲げたくない部分とで物性差がないため、樹脂基板全体が曲がりやすくなる。つまり、接続部等の曲げたくない部分も曲がりやすくなるため、他の回路基板等に対する樹脂基板の実装性が低下する虞がある。

【0005】

本発明の目的は、面方向に配置された第１部分と第２部分とを有する絶縁基材を備える構成において、第１部分を曲げる場合でも第２部分の変形等を抑制した樹脂基板を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の樹脂基板は、
互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有する、絶縁基材を備え、
前記絶縁基材は、Ｘ軸方向に配列される第１部分および第２部分に分けられ、
前記第１部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有し、
前記第１領域のＹ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記絶縁基材の前記第２部分のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高いことを特徴とする。

【0007】

素体の樹脂分子がＹ軸方向に配向している場合、樹脂分子の配向が等方性である素体に比べて、Ｙ軸方向のヤング率が大きくなり、且つ、Ｙ軸方向に直交するＸ軸方向のヤング率が小さくなる。上記構成によれば、第１領域のＹ軸方向における樹脂の分子配向度が、絶縁基材の第２部分のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い。そのため、第１部分を曲げたときにＸ軸方向に引っ張り応力が掛かる第１領域が、第２部分よりも引っ張り変形しやすくなり、絶縁基材の第１部分は第２部分よりもＸ軸方向に曲げやすい。

【0008】

また、素体の樹脂分子がＹ軸方向に配向している場合、樹脂分子の配向が等方性である素体に比べて、Ｙ軸方向における線膨張係数は小さく、Ｙ軸方向に直交するＸ軸方向における線膨張係数は大きい。上記構成によれば、第１領域のＸ軸方向における線膨張係数が、第２部分のＸ軸方向における線膨張係数よりも大きい。そのため、絶縁基材を加熱した際（加熱を伴う絶縁基材の曲げ加工時等）に、Ｚ軸方向における線膨張係数差により絶縁基材の第１部分は第２部分よりもＸ軸方向に曲げやすい。

【0009】

本発明の樹脂基板は、
互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有する、絶縁基材を備え、
前記絶縁基材は、Ｘ軸方向に配列される第１部分および第２部分に分けられ、
前記第１部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有し、
前記第２領域のＸ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記絶縁基材の前記第２部分のＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高いことを特徴とする。

【0010】

この構成によれば、第１部分を曲げたときにＸ軸方向に圧縮応力が掛かる第２領域が、絶縁基材の第２部分よりも圧縮変形しやすく、絶縁基材の第１部分は第２部分よりも曲げやすい。

【0011】

また、この構成により、樹脂基板を加熱した際に、絶縁基材の第１部分は第２部分よりも曲げやすい。

【0012】

本発明の樹脂基板は、
互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有する、絶縁基材を備え、
前記絶縁基材は、Ｘ軸方向に配列される第１部分および第２部分に分けられ、
前記第１部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有し、
前記第１領域のＹ軸方向におけるヤング率は、前記第２部分のＹ軸方向におけるヤング率よりも大きく、
前記第１領域のＸ軸方向におけるヤング率は、前記第２部分のＸ軸方向におけるヤング率よりも小さいことを特徴とする。

【0013】

この構成によれば、第１部分を曲げたときにＸ軸方向に引っ張り応力が掛かる第１領域が、第２部分よりも引っ張り変形しやすくなり、絶縁基材の第１部分は第２部分よりもＸ軸方向に曲げやすい。

【0014】

本発明の樹脂基板は、
互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有する、絶縁基材を備え、
前記絶縁基材は、Ｘ軸方向に配列される第１部分および第２部分に分けられ、
前記第１部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有し、
前記第２領域のＸ軸方向におけるヤング率は、前記第２部分のＸ軸方向におけるヤング率よりも大きく、
前記第２領域のＹ軸方向におけるヤング率は、前記第２部分のＹ軸方向におけるヤング率よりも小さいことを特徴とする。

【0015】

この構成によれば、第１部分を曲げたときにＸ軸方向に圧縮応力が掛かる第２領域が、絶縁基材の第２部分よりも圧縮変形しやすく、絶縁基材の第１部分は第２部分よりも曲げやすい。

【0016】

本発明の樹脂基板は、
互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有する、絶縁基材を備え、
前記絶縁基材は、Ｘ軸方向に配列される第１部分、第２部分および第３部分に分けられ、
前記第１部分および前記第３部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有し、
前記第１部分の前記第１領域のＹ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記絶縁基材の前記第２部分のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高く、
前記第３部分の前記第２領域のＹ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記絶縁基材の前記第２部分のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高いことを特徴とする。

【0017】

本発明の樹脂基板は、
互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有する、絶縁基材を備え、
前記絶縁基材は、Ｘ軸方向に配列される第１部分、第２部分および第３部分に分けられ、
前記第１部分および前記第３部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有し、
前記第１部分の前記第２領域のＸ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記絶縁基材の前記第２部分のＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高く、
前記第３部分の前記第１領域のＸ軸方向における樹脂の分子配向度は、前記絶縁基材の前記第２部分のＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高いことを特徴とする。

【0018】

樹脂基板に第１部分とは逆向きに折り曲げられる部分がある場合には、上記第３部分をさらに備えていてもよい。

【0019】

本発明の樹脂基板の製造方法は、
互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有し、Ｘ軸方向に配列される第１部分および第２部分に分けられる絶縁基材を備え、前記第１部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有する、樹脂基板の製造方法であって、
樹脂層のうち、後に前記絶縁基材の前記第１領域となる部分に、光またはレーザを照射して樹脂分子をＹ軸方向に配向する、第１分子配向工程と、
前記第１分子配向工程の後に、Ｙ軸方向に配向した前記樹脂層を含む複数の樹脂層を積層し、前記複数の樹脂層を加熱プレスすることにより、前記絶縁基材を形成するとともに、前記第１領域のＹ軸方向における樹脂の分子配向度を、前記絶縁基材の前記第２部分のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高くする、第１絶縁基材形成工程と、
を有することを特徴とする。

【0020】

本発明の樹脂基板の製造方法は、
互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有し、Ｘ軸方向に配列される第１部分および第２部分に分けられる絶縁基材を備え、前記第１部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有する、樹脂基板の製造方法であって、
樹脂層のうち、後に前記絶縁基材の前記第２領域となる部分に、光またはレーザを照射して樹脂分子をＸ軸方向に配向する、第２分子配向工程と、
前記第２分子配向工程の後に、Ｘ軸方向に配向した前記樹脂層を含む複数の樹脂層を積層し、前記複数の樹脂層を加熱プレスすることにより、前記絶縁基材を形成するとともに、前記第２領域のＸ軸方向における樹脂の分子配向度を、前記絶縁基材の前記第２部分のＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高くする、第１絶縁基材形成工程と、
を有することを特徴とする。

【0021】

本発明の樹脂基板の製造方法は、
互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有し、Ｘ軸方向に配列される第１部分および第２部分に分けられる絶縁基材を備え、前記第１部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有する、樹脂基板の製造方法であって、
前記絶縁基材を形成する、第２絶縁基材形成工程と、
前記第２絶縁基材形成工程の後に、後に前記第１領域となる部分に、前記第１主面から光またはレーザを照射して、前記第１領域のＹ軸方向における樹脂の分子配向度を、前記絶縁基材の前記第２部分のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高くする、第３分子配向工程と、
を有することを特徴とする。

【0022】

本発明の樹脂基板の製造方法は、
互いに対向し、いずれか一方が直交Ｘ，Ｙ，Ｚ座標のＸ軸方向およびＹ軸方向に平行な第１主面および第２主面を有し、Ｘ軸方向に配列される第１部分および第２部分に分けられる絶縁基材を備え、前記第１部分は、Ｚ軸方向に三等分したときに、最も前記第１主面側に位置する第１領域と、最も前記第２主面側に位置する第２領域と、前記第１領域および前記第２領域に挟まれる第３領域と、を有する、樹脂基板の製造方法であって、
前記絶縁基材を形成する、第２絶縁基材形成工程と、
前記第２絶縁基材形成工程の後に、後に前記第２領域となる部分に、前記第２主面から光またはレーザを照射して、前記第２領域のＸ軸方向における樹脂の分子配向度を、前記絶縁基材の前記第２部分のＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高くする、第４分子配向工程と、
を有することを特徴とする。

【0023】

これらの製造方法によれば、絶縁基材の第１部分を曲げる場合でも第２部分の変形等を抑制した樹脂基板を容易に製造できる。

【発明の効果】

【0024】

本発明によれば、面方向に配置された第１部分と第２部分とを有する絶縁基材を備える構成において、第１部分を曲げる場合でも第２部分の変形等を抑制した樹脂基板を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】図１は第１の実施形態に係る樹脂基板１０１の外観斜視図である。

【図2】図２は樹脂基板１０１の正面図である。

【図3】図３は樹脂基板１０１の分解平面図である。

【図4】図４は第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部の断面図である。

【図5】図５は積層前の樹脂層１３ａの製造工程を順に示す断面図である。

【図6】図６は樹脂基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。

【図7】図７は第２の実施形態に係る樹脂基板１０２の外観斜視図である。

【図8】図８は樹脂基板１０２の正面図である。

【図9】図９は樹脂基板１０２の分解平面図である。

【図10】図１０は積層前の樹脂層１１ｂの製造工程を順に示す断面図である。

【図11】図１１は樹脂基板１０２の製造工程を順に示す断面図である。

【図12】図１２（Ａ）は第３の実施形態に係る樹脂基板１０３の外観斜視図であり、図１２（Ｂ）は樹脂基板１０３の断面図である。

【図13】図１３は樹脂基板１０３の分解平面図である。

【図14】図１４（Ａ）は第４の実施形態に係る樹脂基板１０４の外観斜視図であり、図１４（Ｂ）は樹脂基板１０４の断面図である。

【図15】図１５は樹脂基板１０４の分解平面図である。

【図16】図１６は、第１部分Ｆ１が曲げ加工された樹脂基板１０４Ａの正面図である。

【図17】図１７は樹脂基板１０４の製造工程を順に示す断面図である。

【図18】図１８は第５の実施形態に係る電子機器３０２の主要部を示す正面図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

【0027】

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る樹脂基板１０１の外観斜視図である。図２は樹脂基板１０１の正面図である。図３は樹脂基板１０１の分解平面図である。図３では、構造を分かりやすくするため、信号線４０をドットパターンで示している。

【0028】

樹脂基板１０１は、絶縁基材１０Ａ、信号線４０、グランド導体５１，５２，５３、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，ＶＧ１，ＶＧ２，ＶＧ３、実装電極Ｐ１１，Ｐ１２、グランド電極ＰＧ１，ＰＧ２および保護層１等を備える。

【0029】

絶縁基材１０Ａは、長手方向がＸ軸方向に一致する直方体状の樹脂（熱可塑性樹脂）素体であり、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有する。第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に平行な面である。

【0030】

絶縁基材１０Ａの第２主面ＶＳ２には、実装電極Ｐ１１，Ｐ１２、グランド導体５１および保護層１が形成されている。実装電極Ｐ１１，Ｐ１２およびグランド電極ＰＧ１，ＰＧ２は、第２主面ＶＳ２に露出している。また、絶縁基材１０Ａの内部には、信号線４０、グランド導体５２，５３および層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，ＶＧ１，ＶＧ２が形成されている。

【0031】

絶縁基材１０Ａは、少なくとも一部が曲げ加工される第１部分Ｆ１（後に詳述する。）と、第１部分Ｆ１以外の第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂと、に分けられる。絶縁基材１０Ａでは、＋Ｘ方向に第２部分Ｆ２Ａ、第１部分Ｆ１および第２部分Ｆ２Ｂの順に配列されている。

【0032】

また、図２に示すように、第１部分Ｆ１は、第１領域Ｒ１、第２領域Ｒ２および第３領域Ｒ３を有する。第１領域Ｒ１は、第１部分Ｆ１をＺ軸方向に三等分（図２に示す分割線ＤＬ１，ＤＬ２で第１部分Ｆ１をＺ軸方向に等分）したときに、最も第１主面ＶＳ１側に位置する部分である。また、第２領域Ｒ２は、第１部分Ｆ１をＺ軸方向に三等分したときに、最も第２主面ＶＳ２側に位置する部分であり、第３領域Ｒ３は第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２に挟まれる部分である。

【0033】

絶縁基材１０Ａは、樹脂（熱可塑性樹脂）からなる複数の樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａがこの順に積層されて形成される。複数の樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａは、それぞれ長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板である。樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａは、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリイミド（ＰＩ）に、光配向性ポリマーを加えた樹脂シートである。光配向性ポリマーは、例えばビニルシンナメート系ポリマー、カルコン系ポリマー、アゾ系ポリマー、ポリアミド系ポリマー等である。

【0034】

樹脂層１１ａの裏面には、実装電極Ｐ１１，Ｐ１２およびグランド導体５１が形成されている。実装電極Ｐ１１は、樹脂層１１ａの第１端（図３における樹脂層１１ａの左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。実装電極Ｐ１２は、樹脂層１１ａの第２端（図３における樹脂層１１ａの右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。グランド導体５１は、樹脂層１１ａの略全面に形成される矩形の導体パターンである。実装電極Ｐ１１，Ｐ１２およびグランド導体５１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。また、樹脂層１１ａには、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２および複数の層間接続導体ＶＧ１，ＶＧ２が形成されている。

【0035】

樹脂層１２ａの裏面には、信号線４０およびグランド導体５２が形成されている。信号線４０は、伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。グランド導体５２は、樹脂層１２ａの略全面に形成される矩形の導体パターンである。信号線４０およびグランド導体５２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。また、樹脂層１２ａには、複数の層間接続導体ＶＧ２が形成されている。

【0036】

樹脂層１３ａの裏面には、グランド導体５３が形成されている。グランド導体５３は、樹脂層１３ａの略全面に形成された矩形の導体パターンである。グランド導体５３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

【0037】

保護層１は、樹脂層１１ａの裏面に積層される保護膜であり、平面形状が樹脂層１１ａと略同じである。保護層１は、実装電極Ｐ１１，Ｐ１２の位置に応じた位置にそれぞれ開口ＯＰ１１，ＯＰ１２を有する。そのため、樹脂層１１ａの裏面（絶縁基材１０Ａの第２主面ＶＳ２）に保護層１が形成された場合でも、上記開口ＯＰ１１，ＯＰ１２から実装電極Ｐ１１，Ｐ１２が外部に露出する。また、保護層１は、グランド導体５１の位置に応じた位置に複数の開口ＯＧ１，ＯＧ２を有する。そのため、樹脂層１１ａの裏面に保護層１が形成された場合でも、上記開口ＯＧ１，ＯＧ２からグランド導体５１の一部が外部に露出する。本実施形態では、開口ＯＧ１から露出するグランド導体５１の一部が「グランド電極ＰＧ１」であり、開口ＯＧ２から露出するグランド導体５１の一部が「グランド電極ＰＧ２」である。保護層１は、例えばポリイミド（ＰＩ）やポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のカバーレイフィルムや、例えばエポキシ樹脂を主成分とするソルダーレジスト膜等である。

【0038】

実装電極Ｐ１１，Ｐ１２は電気的に導通している。具体的には、実装電極Ｐ１１は、層間接続導体Ｖ１１を介して、信号線４０の一端に接続される。信号線４０の他端は、層間接続導体Ｖ１２を介して実装電極Ｐ１２に接続される。また、グランド導体５１（グランド電極ＰＧ１，ＰＧ２），５２，５３は電気的に導通している。具体的には、グランド導体５１は、複数の層間接続導体ＶＧ１を介してグランド導体５２に接続され、グランド導体５２は、複数の層間接続導体ＶＧ２を介してグランド導体５３に接続される。

【0039】

本実施形態では、信号線４０、グランド導体５１，５３、信号線４０とグランド導体５１とで挟まれる樹脂層１１ａ、信号線４０とグランド導体５３とで挟まれる樹脂層１２ａ、を含んだストリップライン構造の伝送線路が構成されている。

【0040】

本実施形態に係る絶縁基材１０Ａは、第１領域Ｒ１のＹ軸方向における樹脂の分子配向度が、他の部分（第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂ、第２領域Ｒ２および第３領域Ｒ３）のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い。特に、第１領域Ｒ１のＹ軸方向における樹脂の分子配向度は、第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢのＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い。

【0041】

なお、本実施形態では、他の部分の樹脂の分子配向はＸ軸方向およびＹ軸方向に等方性である。

【0042】

なお、樹脂の分子配向度は、例えば（広角）Ｘ線回折により、或る領域における方位角（β角）を測定し、方位角および強度分布からＸ軸方向の分子配向（ｎｘ）と、Ｙ軸方向の分子配向（ｎｙ）とを求めることにより決定される。この測定において、「Ｘ軸方向に分子配向している」とは、或る領域における（ｎｙ／ｎｘ）≦０．９の場合とし、「Ｙ軸方向に分子配向している」とは、或る領域における（ｎｘ／ｎｙ）≦０．９である場合と定義する。

【0043】

また、（ｎｙ／ｎｘ）＞０．９、且つ（ｎｘ／ｎｙ）＞０．９の場合（より好ましくは（ｎｘ／ｎｙ）＝１の場合）には、Ｘ軸方向にもＹ軸方向にも分子配向していない、つまり等方性であると定義する。

【0044】

なお、本発明の「第１部分」は、例えば平面視で（Ｚ軸方向から視て）、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に分子配向している部分に重なった領域とし、「第２部分」はそれ以外の領域とする。Ｘ軸方向に分子配向している部分とそうでない部分との境界面は、例えば、（ｎｙ／ｎｘ）≦０．９から（ｎｙ／ｎｘ）＞０．９へと変化した面と定義する。また、Ｙ軸方向に分子配向している部分とそうでない部分との境界面は、例えば、（ｎｘ／ｎｙ）≦０．９から（ｎｘ／ｎｙ）＞０．９へと変化した面と定義する。なお、いずれの場合にも境界面自体は分子配向していない部分に含まれるものと定義する。

【0045】

素体の樹脂分子がＹ軸方向に配向している場合、樹脂分子の配向が等方性である素体に比べて、Ｙ軸方向のヤング率が大きくなり、且つ、Ｙ軸方向に直交するＸ軸方向のヤング率が小さくなる。上述したように本実施形態では、第１領域Ｒ１のＹ軸方向における樹脂の分子配向度が、他の部分（第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂ、第２領域Ｒ２および第３領域Ｒ３）のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い（特に、第１領域Ｒ１のＹ軸方向における樹脂の分子配向度は、第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢのＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い）。すなわち、第１領域Ｒ１のＹ軸方向におけるヤング率は、他の部分のＹ軸方向におけるヤング率よりも大きく、且つ、第１領域Ｒ１のＸ軸方向におけるヤング率は、他の部分のＸ軸方向におけるヤング率よりも小さい（特に、第１領域Ｒ１のＹ軸方向におけるヤング率は、第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢのＹ軸方向におけるヤング率よりも大きく、且つ、第１領域Ｒ１のＸ軸方向におけるヤング率は、第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢのＸ軸方向におけるヤング率よりも小さい）。そのため、第１部分Ｆ１を曲げたときにＸ軸方向に引っ張り応力が掛かる第１領域Ｒ１は、他の部分よりも引っ張り変形しやすく、絶縁基材１０Ａの第１部分Ｆ１は第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢよりもＸ軸方向に曲げやすい。

【0046】

また、素体の樹脂分子がＹ軸方向に配向している場合、樹脂分子の配向が等方性である素体に比べて、Ｙ軸方向における線膨張係数は小さく、且つ、第１方向に直交するＸ軸方向における線膨張係数は大きい。上記構成によれば、第１領域Ｒ１のＸ軸方向における線膨張係数が、他の部分（第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂ、第２領域Ｒ２および第３領域Ｒ３）のＸ軸方向における線膨張係数よりも大きい（特に、第１領域Ｒ１のＸ軸方向における線膨張係数は、第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢのＸ軸方向における線膨張係数よりも大きい）。そのため、絶縁基材１０Ａを加熱した際（加熱を伴う絶縁基材１０Ａの曲げ加工時等）に、Ｚ軸方向における線膨張係数差により絶縁基材１０Ａの第１部分Ｆ１は第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢよりもＸ軸方向に曲げやすい。

【0047】

また、本実施形態では、図３に示すように、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，ＶＧ１，ＶＧ２が、第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂのみに配置されている。曲げられる第１部分Ｆ１に層間接続導体が配置されている場合、第１部分Ｆ１の曲げ加工時の曲げ応力によって層間接続導体は破損しやすい。一方、本実施形態に係る構成によれば、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，ＶＧ１，ＶＧ２が、第１部分Ｆ１に配置されていないため、曲げ加工時の層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，ＶＧ１，ＶＧ２の破損等が抑制される。

【0048】

本実施形態では、絶縁基材１０Ａを形成する複数の樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａが熱可塑性樹脂からなる。この構成により、後に詳述するように、積層した複数の樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａを加熱プレス（一括プレス）することにより、接着層を用いることなく、絶縁基材１０Ａを容易に形成できる。そのため、樹脂基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。また、本実施形態では、絶縁基材１０Ａが熱可塑性樹脂の素体であるため、容易に塑性変形が可能で、且つ、所望の形状を維持（保持）できる樹脂基板を実現できる。

【0049】

本発明の樹脂基板は、例えば以下に示すように用いられる。図４は第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部の断面図である。

【0050】

本実施形態に係る電子機器３０１は、樹脂基板１０１Ａおよび回路基板２０１，２０２を備える。樹脂基板１０１Ａは、第１部分Ｆ１が曲げ加工（塑性変形）されている点で樹脂基板１０１と異なる。樹脂基板１０１Ａの絶縁基材１０Ａは、第１部分Ｆ１にＺ軸方向に曲げられた曲げ部を有する。樹脂基板１０１Ａの他の構成については樹脂基板１０１と同じである。

【0051】

絶縁基材１０Ａの第１部分Ｆ１の曲げ加工は、例えば次のような工程で行われる。例えば、金型等を用いて絶縁基材１０Ａを加熱しながら曲げて、絶縁基材１０Ａの熱可塑性樹脂が冷えて固化した後に、金型等を取り除くことにより第１部分Ｆ１の曲げ形状を保持（維持）する。また、例えば、絶縁基材１０Ａに熱架橋剤（例えば、エポキシ樹脂等）を含ませておき、絶縁基材１０Ａの第１部分Ｆ１を所望の形状に曲げた後に、加熱して第１部分Ｆ１の曲げ形状を保持する。

【0052】

回路基板２０１は第１面Ｓ２１を有し、回路基板２０２は第２面Ｓ２２を有する。図４に示すように、第１面Ｓ２１はＸＹ平面に平行な面であり、第２面Ｓ２２はＹＺ平面に平行な面である。回路基板２０１の第１面Ｓ２１には、外部電極ＥＰ１１およびグランド電極ＥＧ１が形成されており、回路基板２０２の第２面Ｓ２２には、外部電極ＥＰ１２およびグランド電極ＥＧ２が形成されている。樹脂基板１０１Ａは、第１部分Ｆ１が曲げられた状態で回路基板２０１，２０２に実装されている。具体的には、樹脂基板１０１Ａの実装電極Ｐ１１が、はんだ等の導電性接合材５を介して回路基板２０１の外部電極ＥＰ１１に接続される。樹脂基板１０１Ａのグランド電極ＰＧ１は、導電性接合材５を介して回路基板２０１のグランド電極ＥＧ１に接続される。樹脂基板１０１Ａの実装電極Ｐ１２は、導電性接合材５を介して回路基板２０２の外部電極ＥＰ１２に接続される。また、樹脂基板１０１Ａのグランド電極ＰＧ２は、導電性接合材５を介して、回路基板２０２のグランド電極ＥＧ２に接続される。

【0053】

上述したように、樹脂基板１０１Ａの第１部分Ｆ１はＺ軸方向に曲げやすいため、Ｚ軸方向における高さが互いに異なる面を有する回路基板２０１，２０２への実装が容易である。

【0054】

また、上述したように第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂは、樹脂の分子配向がＸ軸方向およびＹ軸方向に等方性であり、樹脂基板１０１Ａの実装電極Ｐ１１，Ｐ１２が、第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂに設けられている。この構成によれば、樹脂基板１０１Ａの回路基板２０１，２０２への実装時（ホットバー等を用いた樹脂基板１０１Ａの実装時、またはリフロー工程時）等での、第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの変形が抑制される。そのため、樹脂基板１０１Ａと回路基板２０１，２０２との接合不良が抑制される。

【0055】

本実施形態に係る樹脂基板１０１は、例えば次の工程で製造される。図５は積層前の樹脂層１３ａの製造工程を順に示す断面図である。図６は樹脂基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。なお、図５では、説明の都合上、樹脂層１３ａのみ説明している。また、図５および図６では、説明の都合上、ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実際の樹脂基板１０１の製造工程は集合基板状態で行われる。なお、「集合基板」とは、複数の樹脂基板１０１を含んだマザー基板である。このことは、以降の製造工程を示す図でも同様である。

【0056】

まず、図５中の（１）に示すように、樹脂（熱可塑性樹脂）からなる樹脂層１３ａを準備する。樹脂層１３ａは、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリイミド（ＰＩ）に、光配向性ポリマーを加えた樹脂シートである。なお、図示省略するが、樹脂層１１ａ，１２ａも同様である。

【0057】

次に、樹脂層１３ａのうち、後に絶縁基材の第１領域となる部分（図５中の樹脂層１３ａのＸ軸方向における中央付近）に、光ＬＣを照射して樹脂分子をＹ軸方向に配向する。具体的には、偏光板３によって光ＬＣをＹ軸方向に偏光し、偏光された光ＬＹを樹脂層１３ａに照射することにより、照射された部分の樹脂分子がＹ軸方向に配向される。これにより、図５中の（２）に示すような、後に第１領域となる部分の樹脂分子がＹ軸方向に配向された樹脂層１３ａが得られる。

【0058】

樹脂層のうち、後に絶縁基材の第１領域となる部分に、光またはレーザを照射して樹脂分子をＹ軸方向に配向するこの工程が、本発明における「第１分子配向工程」の一例である。

【0059】

その後、図５中の（３）に示すように、樹脂層１３ａの裏面にグランド導体５３を形成する。具体的には、樹脂層１３ａの裏面にラミネートされた金属箔をフォトリソグラフィでパターニングすることで、樹脂層１３ａの裏面にグランド導体５３を形成する。

【0060】

次に、図６中の（１）に示すように、複数の樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａをこの順に積層する。なお、図示省略するが、樹脂層１１ａには、実装電極Ｐ１１，Ｐ１２、グランド導体５１および層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，ＶＧ１等が形成されており、樹脂層１２ａには、信号線４１、グランド導体５２および層間接続導体ＶＧ２等が形成されている。層間接続導体は、例えば樹脂層にレーザ照射またはドリル等で孔を設けた後、その孔にＣｕ，Ｓｎもしくはそれらの合金等の金属粉と樹脂材料とを含む導電性ペーストを配設（充填）し、後の加熱プレスによって導電性ペーストを固化させることにより設けられる。

【0061】

その後、積層した複数の樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａを加熱プレスすることにより、図６中の（２）に示す絶縁基材１０Ａを形成する。絶縁基材１０Ａでは、第１領域Ｒ１のＹ軸方向における樹脂の分子配向度が、第２領域Ｒ２、第３領域Ｒ３および第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢのＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い。特に、第１領域Ｒ１のＹ軸方向における樹脂の分子配向度は、第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢのＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い。

【0062】

第１分子配向工程の後に、Ｙ軸方向に配向した樹脂層１３ａを含む複数の樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａを積層し、複数の樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａを加熱プレスすることにより、絶縁基材１０Ａを形成するこの工程が、本発明における「第１絶縁基材形成工程」の一例である。

【0063】

その後、絶縁基材１０Ａの第２主面ＶＳ２に保護層１を形成して、図５中の（３）に示す樹脂基板１０１を得る。保護層１は、例えばポリイミド（ＰＩ）やポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のカバーレイフィルムや、例えばエポキシ樹脂を主成分とするソルダーレジスト膜等である。

【0064】

上記製造方法によれば、絶縁基材１０Ａの第１部分Ｆ１を曲げる場合でも第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの変形等を抑制した樹脂基板１０１を容易に製造できる。

【0065】

また、上記製造方法によれば、熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａを積層して加熱プレス（一括プレス）することによって、樹脂基板１０１を容易に形成できるため、製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。

【0066】

さらに、上記製造方法では、積層する前の樹脂層１３ａに樹脂の分子配向処理を行うため、複数の樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａを積層して形成された絶縁基材に分子配向処理を行う場合に比べて、第１領域の樹脂の分子配向度を幅広く設計できる。

【0067】

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、Ｘ軸方向に配向された樹脂層を有する樹脂基板の例を示す。

【0068】

図７は第２の実施形態に係る樹脂基板１０２の外観斜視図である。図８は樹脂基板１０２の正面図である。図９は樹脂基板１０２の分解平面図である。図９では、構造を分かりやすくするため、信号線４０をドットパターンで示している。

【0069】

樹脂基板１０２は、絶縁基材１０Ｂを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる。樹脂基板１０２の他の構成については、樹脂基板１０１と実質的に同じである。

【0070】

以下、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる点について説明する。

【0071】

絶縁基材１０Ｂは、樹脂（熱可塑性樹脂）からなる複数の樹脂層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂがこの順に積層されて形成される。樹脂層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂの構成は、第１の実施形態で説明した樹脂層１１ａ，１２ａ、１３ａと同じである。

【0072】

本実施形態に係る絶縁基材１０Ｂは、第２領域Ｒ２のＸ軸方向における樹脂の分子配向度が、他の部分（第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂ、第１領域Ｒ１および第３領域Ｒ３）のＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い（特に、第２領域Ｒ２のＸ軸方向における樹脂の分子配向度は、第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢのＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い）。すなわち、第２領域Ｒ２のＸ軸方向におけるヤング率は、他の部分のＸ軸方向におけるヤング率よりも大きく、且つ、第２領域Ｒ２のＹ軸方向におけるヤング率は、他の部分のＹ軸方向におけるヤング率よりも小さい（特に、第２領域Ｒ２のＸ軸方向におけるヤング率は、第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢのＸ軸方向におけるヤング率よりも大きく、且つ、第２領域Ｒ２のＹ軸方向におけるヤング率は、第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢのＹ軸方向におけるヤング率よりも小さい）。なお、本実施形態では、他の部分の樹脂の分子配向はＸ軸方向およびＹ軸方向に等方性である。

【0073】

この構成によれば、第１部分Ｆ１を曲げたときにＸ軸方向に圧縮応力が掛かる第２領域Ｒ２が、他の部分（第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂ、第１領域Ｒ１および第３領域Ｒ３）よりも圧縮変形しやすく、絶縁基材１０Ｂの第１部分Ｆ１は第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂよりも曲げやすい。

【0074】

本実施形態に係る樹脂基板１０２は、例えば次の工程で製造される。図１０は積層前の樹脂層１１ｂの製造工程を順に示す断面図である。図１１は樹脂基板１０２の製造工程を順に示す断面図である。なお、図１０では、説明の都合上、樹脂層１１ｂのみ説明している。

【0075】

まず、図１０中の（１）に示すように、樹脂（熱可塑性樹脂）からなる樹脂層１１ｂを準備する。樹脂層１１ｂは、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリイミド（ＰＩ）に、光配向性ポリマーを加えた樹脂シートである。なお、図示省略するが、樹脂層１２ｂ，１３ｂも同様である。

【0076】

次に、樹脂層１１ｂのうち、後に絶縁基材の第２領域となる部分（図１０中の樹脂層１１ｂのＸ軸方向における中央付近）に、光ＬＣを照射して樹脂分子をＸ軸方向に配向する。具体的には、偏光板４によって光ＬＣをＸ軸方向に偏光し、偏光された光ＬＸを樹脂層１１ｂに照射することにより、照射された部分の樹脂分子がＸ軸方向に配向される。これにより、図１０中の（２）に示すような、後に第２領域となる部分の樹脂分子がＸ軸方向に配向された樹脂層１１ｂが得られる。

【0077】

樹脂層のうち、後に絶縁基材の第２領域となる部分に、光またはレーザを照射して樹脂分子をＸ軸方向に配向するこの工程が、本発明における「第２分子配向工程」の一例である。

【0078】

次に、図１０中の（３）に示すように、樹脂層１１ｂの裏面に実装電極Ｐ１１，Ｐ１２およびグランド導体５１を形成する。具体的には、樹脂層１１ｂの裏面にラミネートされた金属箔をフォトリソグラフィでパターニングすることで、樹脂層１１ｂの裏面に実装電極Ｐ１１，Ｐ１２およびグランド導体５１を形成する。

【0079】

その後、図１０中の（４）に示すように、樹脂層１１ｂに複数の層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，ＶＧ１，ＶＧ２を形成する。これら層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，ＶＧ１，ＶＧ２は、樹脂層１１ｂにレーザ照射またはドリル等で孔を設けた後、その孔にＣｕ，Ｓｎもしくはそれらの合金等の金属粉と樹脂材料とを含む導電性ペーストを配設（充填）し、後の加熱プレスによって導電性ペーストを固化させることにより設けられる。

【0080】

次に、図１１中の（１）に示すように、複数の樹脂層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂをこの順に積層する。なお、製造工程の説明は省略するが、樹脂層１２ｂには信号線４１、グランド導体５２および層間接続導体ＶＧ２等が形成されており、樹脂層１３ｂにはグランド導体５３が形成されている。その後、積層した複数の樹脂層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂを加熱プレスすることにより、図１１中の（２）に示す絶縁基材１０Ｂを形成する。なお、絶縁基材１０Ｂでは、第２領域Ｒ２のＸ軸方向における樹脂の分子配向度が、第１領域Ｒ１、第３領域Ｒ３および第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢのＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い。特に、第２領域Ｒ２のＸ軸方向における樹脂の分子配向度は、第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢのＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い。

【0081】

第２分子配向工程の後に、Ｘ軸方向に配向した樹脂層１１ｂを含む複数の樹脂層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂを積層し、複数の樹脂層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂを加熱プレスすることにより、絶縁基材１０Ｂを形成するこの工程が、本発明における「第１絶縁基材形成工程」の一例である。

【0082】

その後、絶縁基材１０Ｂの第２主面ＶＳ２に保護層１を形成して、図１１中の（３）に示す樹脂基板１０２を得る。

【0083】

上記製造方法によれば、絶縁基材１０Ｂの第１部分Ｆ１を曲げる場合でも第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの変形等を抑制した樹脂基板１０２を容易に製造できる。

【0084】

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、Ｙ軸方向に分子配向された樹脂層と、Ｘ軸方向に分子配向された樹脂層と、を備えた樹脂基板の例を示す。

【0085】

図１２（Ａ）は第３の実施形態に係る樹脂基板１０３の外観斜視図であり、図１２（Ｂ）は樹脂基板１０３の断面図である。図１３は樹脂基板１０３の分解平面図である。図１３では、構造を分かりやすくするため、信号線４１，４２をドットパターンで示している。

【0086】

樹脂基板１０３は、絶縁基材１０Ｃ、２つの信号線４１，４２および保護層２等を備える点で、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる。樹脂基板１０３の他の構成については、樹脂基板１０１と実質的に同じである。

【0087】

以下、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる部分について説明する。

【0088】

絶縁基材１０Ｃは、樹脂（熱可塑性樹脂）からなる複数の樹脂層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃがこの順に積層されて形成される。樹脂層１１ｃ，１３ｃは、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリイミド（ＰＩ）に、光配向性ポリマーを加えた樹脂シートである。樹脂層１２ｃは、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリイミド（ＰＩ）を主成分とする樹脂シートである。

【0089】

樹脂層１１ｃの裏側には、実装電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２およびグランド導体５１が形成されている。実装電極Ｐ１１，Ｐ２１は、樹脂層１１ｃの第１端（図１３における樹脂層１１ｃの左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。実装電極Ｐ１１，Ｐ２１はＹ軸方向に配列されている。実装電極Ｐ１２，Ｐ２２は、樹脂層１１ｃの第２端（図１３における樹脂層１１ｃの右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。実装電極Ｐ１２，Ｐ２２はＹ軸方向に配列されている。グランド導体５１は、樹脂層１１ｃの略全面に形成される矩形の導体パターンである。また、樹脂層１１ｃには、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１４，Ｖ２１，Ｖ２４，ＶＧ１，ＶＧ２が形成されている。

【0090】

樹脂層１２ｃの表面には、２つの信号線４１，４２およびグランド導体５２が形成されている。信号線４１，４２は、伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。信号線４１，４２はＹ軸方向に配列され、互いに並走している。グランド導体５２は、樹脂層１２ｃの略全面に形成される矩形の導体パターンである。また、樹脂層１２ｃには、層間接続導体Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ２２，Ｖ２３，ＶＧ２が形成されている。

【0091】

樹脂層１３ｃの表面には、グランド導体５３が形成されている。グランド導体５３は、樹脂層１３ｃの略全面に形成される矩形の導体パターンである。また、樹脂層１３ｃには、層間接続導体ＶＧ３が形成されている。

【0092】

保護層１は、樹脂層１１ｃの裏面に積層される保護膜であり、平面形状が樹脂層１１ｃと略同じである。保護層１は、実装電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２の位置に応じた位置にそれぞれ開口ＯＰ１１，ＯＰ１２，ＯＰ２１，ＯＰ２２を有する。そのため、樹脂層１１ｃの裏面（絶縁基材１０Ｃの第２主面ＶＳ２）に保護層１が形成された場合でも、上記開口ＯＰ１１，ＯＰ１２，ＯＰ２１，ＯＰ２２から実装電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２がそれぞれ外部に露出する。また、保護層１は、グランド導体５１の位置に応じた位置に複数の開口ＯＧ１，ＯＧ２を有する。そのため、樹脂層１１ｃの裏面に保護層１が形成された場合でも、上記開口ＯＧ１，ＯＧ２からグランド導体５１の一部が外部に露出する。本実施形態では、開口ＯＧ１から露出するグランド導体５１の一部が「グランド電極ＰＧ１」であり、開口ＯＧ２から露出するグランド導体５１の一部が「グランド電極ＰＧ２」である。

【0093】

また、保護層２は、樹脂層１３ｃの表面に積層される保護膜であり、平面形状が樹脂層１３ｃと略同じである。

【0094】

実装電極Ｐ１１，Ｐ１２は電気的に導通している。具体的には、実装電極Ｐ１１は、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２を介して、信号線４１の一端に接続される。信号線４１の他端は、層間接続導体Ｖ１３，Ｖ１４を介して実装電極Ｐ１２に接続される。また、実装電極Ｐ２１，Ｐ２２は電気的に導通している。具体的には、実装電極Ｐ２１は、層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２を介して、信号線４２の一端に接続される。信号線４２の他端は、層間接続導体Ｖ２３，Ｖ２４を介して実装電極Ｐ２２に接続される。さらに、グランド導体５１（グランド電極ＰＧ１，ＰＧ２），５２，５３は電気的に接続されている。具体的には、グランド導体５１は、複数の層間接続導体ＶＧ１，ＶＧ２を介して、グランド導体５２に接続される。グランド導体５２は、複数の層間接続導体ＶＧ３を介して、グランド導体５３に接続される。

【0095】

本実施形態では、信号線４１、グランド導体５１，５３、信号線４１とグランド導体５１とで挟まれる樹脂層１１ｃ，１２ｃ、信号線４１とグランド導体５３とで挟まれる樹脂層１３ｃを含んだストリップライン構造の伝送線路が構成されている。また、信号線４２、グランド導体５１，５３、信号線４２とグランド導体５１とで挟まれる樹脂層１１ｃ，１２ｃ、信号線４２とグランド導体５３とで挟まれる樹脂層１３ｃを含んだストリップライン構造の伝送線路が構成されている。

【0096】

本実施形態では、第１領域Ｒ１のＹ軸方向における樹脂の分子配向度が、他の部分（第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂ、第２領域Ｒ２および第３領域Ｒ３）のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い（特に、第１領域Ｒ１のＹ軸方向における樹脂の分子配向度は、第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢのＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い）。また、第２領域Ｒ２のＸ軸方向における樹脂の分子配向度は、他の部分（第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂ、第１領域Ｒ１および第３領域Ｒ３）のＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い（特に、第２領域Ｒ２のＸ軸方向における樹脂の分子配向度は、第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢのＸ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い）。なお、第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの樹脂の分子配向は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に等方性である。

【0097】

この構成によれば、第１部分Ｆ１を曲げたときにＸ軸方向に引っ張り応力が掛かる第１領域Ｒ１が他の部分よりも引っ張り変形しやすくなり、第１部分Ｆ１を曲げたときにＸ軸方向に圧縮応力が掛かる第２領域Ｒ２が他の部分よりも圧縮変形しやすくなる。そのため、絶縁基材１０Ｃの第１部分Ｆ１は第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂよりもさらに曲げやすい。

【0098】

また、本実施形態では、樹脂層１１ｃ，１３ｃが光配向性ポリマーを含む樹脂シートであり、樹脂層１２ｃが光配向性ポリマーを含んでいない樹脂シートである。一般的に、光配向性ポリマーを含む樹脂は、光配向性ポリマーを含んでいない樹脂に比べて、比誘電率が高くなる。そのため、本実施形態の第３領域Ｒ３（樹脂層１２ｃ）の比誘電率（ε３）は、第１領域Ｒ１（樹脂層１３ｃ）の比誘電率（ε１）、および第２領域Ｒ２（樹脂層１１ｃ）の比誘電率（ε２）よりも低い（ε３＜ε１，ε３＜ε２）。

【0099】

そして、本実施形態では、図１２（Ｂ）等に示すように、信号線４１，４２の少なくとも一部が、高周波特性に優れる（誘電正接ｔａｎδが低い）第３領域Ｒ３に配置されているため（接しているため）、樹脂基板の高周波特性を向上できる。また、この構成によれば、光配向性ポリマーが加えられた複数の樹脂層のみを積層して形成された絶縁基材に比べて、樹脂基板１０３に形成される回路での導体損失を低減できる、または、樹脂基板１０３（絶縁基材１０Ｃ）を薄くできる。具体的に説明すると、絶縁基材１０Ｃに形成される導体パターンの線幅を広くでき、上記回路の導体損失を低減できる。また、所定の特性を有する回路を樹脂基板に構成した場合に、導体パターンの線幅を狭くしなくても絶縁基材を形成する樹脂層を薄くでき、絶縁基材１０Ｃを薄型化できる。

【0100】

なお、本実施形態に示すように、グランド導体５１，５２の少なくとも一部は、比誘電率の高い第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２に配置されていてもよい。グランド導体は高周波信号を伝送する導体ではないため、信号線を比誘電率の高い領域に配置する場合に比べて、グランド導体を比誘電率の高い領域に配置したとしても高周波特性に対する影響は少ない。

【0101】

本実施形態で示したように、絶縁基材を形成する複数の樹脂層全てが、光配向性ポリマーを含んでいる必要はない。本発明の樹脂基板では、絶縁基材を形成する複数の樹脂層のうち、いくつかの樹脂層に光配向性ポリマーが含まれる構成でもよい。

【0102】

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、第１主面から第２主面に向かってＹ軸方向における樹脂の分子配向度が連続的に変化した（徐々に小さくなった）樹脂基板の例を示す。

【0103】

図１４（Ａ）は第４の実施形態に係る樹脂基板１０４の外観斜視図であり、図１４（Ｂ）は樹脂基板１０４の断面図である。図１５は樹脂基板１０４の分解平面図である。図１５では、構造を分かりやすくするため、信号線４１，４２をドットパターンで示している。

【0104】

樹脂基板１０４は、絶縁基材１０Ｄ、２つの信号線４１，４２を備える点で、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる。また、樹脂基板１０４は、保護層を備えていない点で、樹脂基板１０１と異なる。樹脂基板１０４の他の構成については、樹脂基板１０１と実質的に同じである。

【0105】

以下、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる部分について説明する。

【0106】

絶縁基材１０Ｄは、樹脂（熱硬化性樹脂）からなる複数の樹脂層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄがこの順に積層されて形成される。樹脂層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄは、例えばエポキシ樹脂（ＥＰ）に、光配向性ポリマーを加えた樹脂シートである。

【0107】

樹脂層１１ｄの裏面には、実装電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２が形成されている。実装電極Ｐ１１，Ｐ２１は、樹脂層１１ｄの第１端（図１５における樹脂層１１ｄの左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。実装電極Ｐ１１，Ｐ１２はＸ軸方向に配列されている。実装電極Ｐ１２，Ｐ２２は、樹脂層１１ｄの第２端（図１５における樹脂層１１ｄの右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。また、樹脂層１１ｄには、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２が形成されている。

【0108】

樹脂層１２ｄの裏面には、信号線４１および導体３１，３２が形成されている。信号線４１は、伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。導体３１は、樹脂層１２ｄの第１端（図１５における樹脂層１２ｄの左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。導体３２は、樹脂層１２ｄの第２端（図１５における樹脂層１２ｄの右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。導体３１，３２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。また、樹脂層１２ｄには、層間接続導体Ｖ２２，Ｖ２３が形成されている。

【0109】

樹脂層１３ｄの裏面には、信号線４２が形成されている。信号線４２は、伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。

【0110】

保護層１は、樹脂層１１ｃの裏面に積層される保護膜であり、平面形状が樹脂層１１ｃと略同じである。保護層１は、実装電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２の位置に応じた位置にそれぞれ開口ＯＰ１１，ＯＰ１２，ＯＰ２１，ＯＰ２２を有する。そのため、樹脂層１１ｃの裏面（絶縁基材１０Ｄの第２主面ＶＳ２）に保護層１が形成された場合でも、上記開口ＯＰ１１，ＯＰ１２，ＯＰ２１，ＯＰ２２から実装電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２がそれぞれ外部に露出する。また、保護層１は、グランド導体５１の位置に応じた位置に複数の開口ＯＧ１，ＯＧ２を有する。そのため、樹脂層１１ｃの裏面に保護層１が形成された場合でも、上記開口ＯＧ１，ＯＧ２からグランド導体５１の一部が外部に露出する。本実施形態では、開口ＯＧ１から露出するグランド導体５１の一部が「グランド電極ＰＧ１」であり、開口ＯＧ２から露出するグランド導体５１の一部が「グランド電極ＰＧ２」である。

【0111】

また、保護層２は、樹脂層１３ｃの表面に積層される保護膜であり、平面形状が樹脂層１３ｃと略同じである。

【0112】

図１４（Ｂ）に示すように、第１領域Ｒ１のＹ軸方向における樹脂の分子配向度は、他の部分（第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂ、第２領域Ｒ２および第３領域Ｒ３）のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い（特に、第１領域Ｒ１のＹ軸方向における樹脂の分子配向度は、第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢのＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い）。また、第３領域Ｒ３のＹ軸方向における樹脂の分子配向度は、他の部分（第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂおよび第２領域Ｒ２）のＹ軸方向における樹脂の分子配向度よりも高い。より具体的には、絶縁基材１０Ｄの第１部分Ｆ１は、第１主面ＶＳ１から第２主面ＶＳ２に向かって、Ｙ軸方向における樹脂の分子配向度が連続的に変化している（徐々に低くなっている）。

【0113】

このような構成であっても、第１部分Ｆ１を曲げる場合でも第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの変形等を抑制できるという樹脂基板１０１と同様の作用・効果を奏する。

【0114】

また、本実施形態で示したように、絶縁基材の第１主面ＶＳ１または第２主面ＶＳ２に形成される保護層は、必須ではない。

【0115】

図１６は、第１部分Ｆ１が曲げ加工された樹脂基板１０４Ａの正面図である。図１６に示すように、樹脂基板１０４Ａの絶縁基材１０Ｄは、第１部分Ｆ１がＵ字形に曲げ加工された曲げ部を有する。

【0116】

本実施形態に係る樹脂基板１０４は、第１部分Ｆ１の第１主面ＶＳ１から第２主面ＶＳ２に向かって、Ｘ軸方向における線膨張係数が徐々に小さくなっている。そのため、絶縁基材１０Ｄ全体（または、絶縁基材１０Ｄの第１部分Ｆ１）を高温に加熱することにより、図１６に示すように線膨張係数差によって第１部分Ｆ１が自動的に変形する。本実施形態では、絶縁基材１０Ｄが熱硬化性樹脂からなる素体であるため、高温（積層時よりも高い温度）で加熱することにより絶縁基材１０Ｄが硬化し、曲げ形状は保持される。

【0117】

本実施形態に係る樹脂基板１０４は、例えば次の工程で製造される。図１７は樹脂基板１０４の製造工程を順に示す断面図である。

【0118】

まず、図１７中の（１）に示すように、樹脂（熱可塑性樹脂）からなる樹脂層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄを準備する。樹脂層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄは、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリイミド（ＰＩ）に、光配向性ポリマーを加えた樹脂シートである。

【0119】

次に、樹脂層１１ｄの裏面に実装電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２を形成し、樹脂層１２ｄの裏面に信号線４１および導体３１，３２を形成し、樹脂層１３ｄの裏面に信号線４２を形成する。具体的には、樹脂層の裏面にラミネートされた金属箔をフォトリソグラフィでパターニングすることによって、これら実装電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２、信号線４１，４２および導体３１，３２をそれぞれ形成する。

【0120】

また、樹脂層１１ｄには、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２４が形成され、樹脂層１２ｄには、層間接続導体Ｖ２２，Ｖ２３が形成されている。これら層間接続導体は、例えば樹脂層にレーザ照射またはドリル等で孔を設けた後、その孔にＣｕ，Ｓｎもしくはそれらの合金等の金属粉と樹脂材料とを含む導電性ペーストを配設（充填）し、後の加熱プレスによって導電性ペーストを固化させることにより設けられる。

【0121】

次に、複数の樹脂層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄをこの順に積層し、積層した複数の樹脂層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄを加熱プレスすることにより、図１７中の（２）に示す絶縁基材１０ＤＰを形成する。

【0122】

絶縁基材１０ＤＰを形成するこの工程が、本発明における「第２絶縁基材形成工程」の一例である。

【0123】

その後、図１７中の（２）に示すように、後に絶縁基材の第１領域となる部分に、第１主面ＶＳ１から光ＬＣを照射して樹脂分子をＹ軸方向に配向する。具体的には、偏光板３によって光ＬＣをＹ軸方向に偏光し、偏光された光ＬＹを絶縁基材１０ＤＰの所定部分に照射することにより、照射された部分の樹脂分子がＹ軸方向に配向される。

【0124】

上記工程によれば、光度分布または温度分布等によって、光ＬＹを照射した位置から離れるにつれて、Ｙ軸方向における樹脂の分子配向度が徐々に小さくなった絶縁基材１０Ｄを得ることができる。すなわち、絶縁基材１０Ｄの第１部分Ｆ１は、第１主面ＶＳ１から第２主面ＶＳ２に向かって、Ｙ軸方向における樹脂の分子配向度が連続的に変化している（徐々に小さくなっている）。また、絶縁基材１０Ｄの第１部分Ｆ１は、第１部分Ｆ１の平面方向（例えば、Ｘ軸方向）の中央付近から第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂに向かって、Ｙ軸方向における樹脂の分子配向度が連続的に変化している（徐々に小さくなっている）。

【0125】

第２絶縁基材形成工程の後に、後に第１領域となる部分に、第１主面ＶＳ１から光またはレーザを照射して、第１領域の樹脂をＹ軸方向に配向するこの工程が、本発明における「第３分子配向工程」の一例である。

【0126】

上記製造方法では、複数の樹脂層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄを積層して形成された絶縁基材１０ＤＰに分子配向処理を行うため、積層する前の複数の樹脂層にそれぞれ分子配向処理する場合に比べて、製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。なお、本実施形態では、絶縁基材１０ＤＰに分子配向処理を行う例を示したが、第１・第２の実施形態で説明したように、積層前の複数の樹脂層にそれぞれ分子配向処理を行って、第１領域Ｒ１、第３領域Ｒ３および第２領域Ｒ２の順に樹脂の分子配向度が変化する樹脂基板を形成してもよい。

【0127】

なお、本実施形態では、第１部分Ｆ１が、第１主面ＶＳ１から第２主面ＶＳ２に向かって、Ｙ軸方向における樹脂の分子配向度が連続的に変化する（徐々に低くなる）樹脂基板の例を示したが、これに限定されるものではない。本発明の樹脂基板は、例えば、第１部分Ｆ１が、第２主面ＶＳ２から第１主面ＶＳ１に向かって、Ｘ軸方向における樹脂の分子配向度が連続的に変化する（徐々に低くなる）構成でもよい。このような樹脂基板は、例えば、第２絶縁基材形成工程の後に、後に絶縁基材の第２領域となる部分に、第２主面ＶＳ２から偏光された光を照射して樹脂分子をＸ軸方向に配向することにより形成できる（本発明における「第４分子配向工程」の一例）。

【0128】

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、第３部分を有し、クランク状に曲げられる樹脂基板の例を示す。

【0129】

図１８は第５の実施形態に係る電子機器３０２の主要部を示す正面図である。

【0130】

電子機器３０２は、樹脂基板１０５Ａおよび回路基板２０１および２０２等を備える。回路基板２０１，２０２の構成については、第１の実施形態で説明した回路基板２０１，２０２と実質的に同じである。なお、回路基板２０１の第１面Ｓ２１、および回路基板２０２の第２面Ｓ２２は、いずれもＸＹ平面に平行な面であり、Ｚ軸方向における高さが異なっている。

【0131】

樹脂基板１０５Ａが備える絶縁基材１０Ｅは、曲げ加工される第１部分Ｆ１および第３部分Ｆ３と、第１部分Ｆ１および第３部分Ｆ３以外の第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂと、に分けられる。絶縁基材１０Ｅでは、第２部分Ｆ２Ａ、第１部分Ｆ１、第３部分Ｆ３および第２部分Ｆ２Ｂの順に配列されている。

【0132】

樹脂基板１０５Ａは、第１部分Ｆ１および第３部分Ｆ３が曲げられた状態で、回路基板２０１，２０２に実装されている。具体的には、樹脂基板１０５Ａの実装電極Ｐ１１が、導電性接合材５を介して、回路基板２０１の外部電極ＥＰ１１に接続される。樹脂基板１０５Ａの実装電極Ｐ１２は、導電性接合材５を介して、回路基板２０２の外部電極ＥＰ１２に接続される。なお、図示省略するが、樹脂基板１０５Ａのグランド電極は、導電性接合材を介して、回路基板２０１，２０２のグランド電極にそれぞれ接続されている。

【0133】

図１８に示すように、第１部分Ｆ１は、第１領域Ｒ１Ａ、第２領域Ｒ２Ａおよび第３領域Ｒ３Ａを有する。また、第３部分Ｆ３は、第１領域Ｒ１Ｂ、第２領域Ｒ２Ｂおよび第３領域Ｒ３Ｂを有する。第１領域Ｒ１Ｂは、第３部分Ｆ３をＺ軸方向に三等分したときに、最も第１主面ＶＳ１側に位置する部分である。第２領域Ｒ２Ｂは、第３部分Ｆ３をＺ軸方向に三等分したときに、最も第２主面ＶＳ２側に位置する部分であり、第３領域Ｒ３Ｂは第１領域Ｒ１Ｂおよび第２領域Ｒ２Ｂに挟まれる部分である。

【0134】

樹脂基板１０５Ａでは、第１部分Ｆ１の第１領域Ｒ１Ａの樹脂がＹ軸方向に配向しており、第３部分Ｆ３の第２領域Ｒ２Ｂの樹脂がＹ軸方向に配向している。また、樹脂基板１０５Ａでは、第１部分Ｆ１の第２領域Ｒ２Ａの樹脂がＸ軸方向に配向しており、第３部分Ｆ３の第１領域Ｒ１Ｂの樹脂はＸ軸方向に配向している。このように、第３部分Ｆ３は、第１部分Ｆ１とは逆に、第２領域Ｒ２ＢのＹ軸方向における樹脂の分子配向度が第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂよりも高い。また、第３部分Ｆ３は、第１部分Ｆ１とは逆に、第１領域Ｒ１ＢのＸ軸方向における樹脂の分子配向度が第２部分Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂよりも高い。言い換えると、第１部分Ｆ１と第３部分Ｆ３とは、第１領域から第２領域までの（第１主面ＶＳ１から第２主面ＶＳ２へと向かって進んだときの）樹脂の分子配向の向きが逆になっている。

【0135】

図１８に示すように、樹脂基板１０５Ａの第１部分Ｆ１は、第１領域Ｒ１Ａが引っ張り変形し、第２領域Ｒ２Ａが圧縮変形するように曲げられている。すなわち、第１部分Ｆ１は、図１８に示すように山折りに（第２主面ＶＳ２を内周側にして）曲げられている。また、樹脂基板１０５Ａの第３部分Ｆ３は第２領域Ｒ２Ｂが引っ張り変形し、第１領域Ｒ１Ｂが圧縮変形するように曲げられている。すなわち、第３部分Ｆ３は、図１８に示すように谷折りに（第１主面ＶＳ１を内周側にして）曲げられている。このように、樹脂基板１０５Ａは、クランク形状に曲げ加工されている。

【0136】

本実施形態で示したように、樹脂基板に第１部分Ｆ１とは逆向きに折り曲げられる部分がある場合には、第３部分Ｆ３をさらに備えていてもよい。また、絶縁基材の曲げ加工後の形状は、Ｌ字形またはクランク形状に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

【0137】

なお、本実施形態では、第１領域Ｒ１ＢのＸ軸方向における樹脂の分子配向度が高く、第２領域Ｒ２ＢのＹ軸方向における樹脂の分子配向が高い第３部分Ｆ３の例を示したが、この構成に限定されるものではない。第３部分Ｆ３は、第１領域Ｒ１Ｂの樹脂がＸ軸方向に分子配向し、第２領域Ｒ２Ｂの樹脂がＹ軸方向に分子配向しているものに限定されない。第３部分Ｆ３は、第１領域から第２領域までの樹脂の分子配向の向きが、第１〜第４の実施形態で説明した第１部分Ｆ１と逆にしたものでもよい。また、第１部分Ｆ１は、例えば第１〜第４の実施形態で説明した第１部分Ｆ１に置換が可能である。

【0138】

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、樹脂基板が２つの回路基板同士を接続するケーブルである例を示したが、本発明の樹脂基板はこれに限定されるものではない。本発明の樹脂基板は、例えば、単一の回路基板に面実装される電子部品であってもよい。また、樹脂基板の第２部分（接続部）には必要に応じてコネクタが設けられていてもよい。

【0139】

以上に示した各実施形態では、絶縁基材の形状が、長手方向がＸ軸方向に一致した直方体状である例を示したが、この構成に限定されるものではない。絶縁基材の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であく、長手方向がＸ軸方向に一致していなくてもよい。また、絶縁基材の平面形状は、例えばＬ字形、Ｕ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等でもよい。

【0140】

以上に示した各実施形態では、第２部分、第１部分および第２部分の順に分けられる絶縁基材（または、第２部分、第１部分、第３部分および第２部分の順に分けられる絶縁基材）の例を示したが、本発明の絶縁基材はこの構成に限定されるものではない。第１部分の数、第２部分および第３部分の数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、絶縁基材が、例えば第２部分、第１部分、第２部分、第１部分、第２部分の順に分けられる構成でもよい。

【0141】

また、以上に示した各実施形態では、３つの樹脂層を積層して形成される絶縁基材の例を示したが、本発明の絶縁基材はこれに限定されるものではない。絶縁基材を形成する樹脂層の層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば単層、２層または４層以上でもよい。すなわち、３つの樹脂層と、第１領域、第２領域および第３領域とが一致している必要はない。また、以上に示した各実施形態では、複数の樹脂層それぞれの厚みが略同じである例を示したが、絶縁基材を構成する複数の樹脂層の厚みはそれぞれ異なっていてもよい。なお、本発明における各領域（第１領域、第２領域および第３領域）の樹脂の分子配向度は、各領域の一部（例えば、複数の樹脂層のうちの特定の樹脂層）のみの樹脂の分子配向度を言うのではなく、それぞれの領域全体の樹脂の分子配向度を指す。

【0142】

以上に示した各実施形態では、絶縁基材が熱可塑性樹脂からなる素体である例を示したが、この構成に限定されるものではない。絶縁基材は熱硬化性樹脂からなる素体であってもよい。また、第３の実施形態で示したように、絶縁基材は複数の樹脂の複合積層体であってもよい。さらに絶縁基材は、複数の樹脂層を加熱プレス（一括プレス）してその表面同士を融着するものに限らず、各樹脂層間に接着層を有する構成でもよい。

【0143】

また、樹脂基板に形成される回路構成は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。樹脂基板に形成さえる回路は、例えば導体パターンで構成されるコイルや、導体パターンで形成されるキャパシタ、各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが形成されていてもよい。また、樹脂基板には、他の各種伝送線路（マイクロストリップライン、コプレーナライン等）が、形成されていてもよい。さらに、樹脂基板には、チップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。

【0144】

以上に示した各実施形態では、１または２の伝送線路が構成された樹脂基板の例を示したが、この構成に限定されるものではなく、伝送線路の数は樹脂基板に形成される回路構成によって適宜変更可能である。

【0145】

以上に示した各実施形態では、矩形の実装電極が、絶縁基材の第２主面ＶＳ２に形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。実装電極の形状・個数・位置は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。実装電極の平面形状は、例えば、多角形、円形、楕円形、円弧状、リング状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形等であってもよい。また、実装電極は、絶縁基材の第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２にそれぞれ設けられていてもよい。

【0146】

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

【符号の説明】

【0147】

ＤＬ１，ＤＬ２…分割線
ＥＧ１，ＥＧ２…（回路基板の）グランド電極
ＥＰ１１，ＥＰ１２…（回路基板の）外部電極
Ｆ１…第１部分
Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂ…第２部分
Ｆ３…第３部分
ＬＣ，ＬＸ，ＬＹ…光
ＯＧ１，ＯＧ２，ＯＰ１１，ＯＰ１２，ＯＰ２１，ＯＰ２２…開口
Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２…実装電極
ＰＧ１，ＰＧ２…グランド電極
Ｒ１，Ｒ１Ａ，Ｒ１Ｂ…第１領域
Ｒ２，Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂ…第２領域
Ｒ３…第３領域
Ｓ２１…（回路基板の）第１面
Ｓ２２…（回路基板の）第２面
Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ１４，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３，Ｖ２４，ＶＧ１，ＶＧ２，ＶＧ３…層間接続導体
ＶＳ１…絶縁基材の第１主面
ＶＳ２…絶縁基材の第２主面
１，２…保護層
３，４…偏光板
５…導電性接合材
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０ＤＰ，１０Ｅ…絶縁基材
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ…樹脂層
３１，３２…導体
４０，４１，４２…信号線
５１，５２，５３…グランド導体
１０１，１０１Ａ，１０２，１０３，１０４，１０４Ａ，１０５Ａ…樹脂基板
２０１，２０２…回路基板
３０１，３０２…電子機器

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】