特許 6921605 塗布方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6921605

(24)【登録日】2021年7月30日

(45)【発行日】2021年8月18日

(54)【発明の名称】塗布方法

(51)【国際特許分類】

   B05D 1/40 20060101AFI20210805BHJP

   B05D 1/36 20060101ALI20210805BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20210805BHJP

【ＦＩ】

   B05D1/40 A

   B05D1/36 Z

   H01L21/30 564D

   H01L21/30 569C

【請求項の数】9

【全頁数】30

(21)【出願番号】特願2017-85142(P2017-85142)

(22)【出願日】2017年4月24日

(65)【公開番号】特開2018-183714(P2018-183714A)

(43)【公開日】2018年11月22日

【審査請求日】2019年12月23日

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100093056

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷 勉

(74)【代理人】

【識別番号】100142930

【弁理士】

【氏名又は名称】戸高 弘幸

(74)【代理人】

【識別番号】100175020

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷 知彦

(74)【代理人】

【識別番号】100180596

【弁理士】

【氏名又は名称】栗原 要

(74)【代理人】

【識別番号】100195349

【弁理士】

【氏名又は名称】青野 信喜

(72)【発明者】

【氏名】吉田 省吾

(72)【発明者】

【氏名】小椋 浩之

(72)【発明者】

【氏名】吉田 隆一

【審査官】 河内 浩志

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１４−０９３３７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−２３５９５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−１０４６０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２００９／０２２７１２０（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｂ０５Ｄ １／００− ７／２６

Ｂ０５Ｃ ７／００−２１／００

Ｈ０１Ｌ２１／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板に薬液を塗布する塗布方法であって、
基板に溶剤を供給する溶剤供給工程と、
前記溶剤供給工程の後、基板に薬液を供給する薬液供給工程と、
を備え、
基板は、基板の上面に形成された凹部を有し、
前記溶剤供給工程は、
基板を第１回転速度で回転させ、基板の中心部の上方の中心位置と基板の周縁部の上方の周縁位置とにわたって溶剤ノズルを移動させ、且つ、前記溶剤ノズルから溶剤を吐出させる第１工程と、
を備え、
前記第１回転速度は、０ｒｐｍより大きく、且つ、５００ｒｐｍ未満であり、
前記溶剤ノズルは溶剤を吐出する吐出口を有し、
前記第１工程において前記溶剤ノズルが前記中心位置と前記周縁位置の間を移動する期間に基板が回転する回数は、基板の半径を前記吐出口の寸法で除した基準値以上である塗布方法。

【請求項2】

請求項１に記載の塗布方法において、
前記第１工程において前記溶剤ノズルが前記中心位置と前記周縁位置の間を移動する期間は、前記基準値を前記第１回転速度で除した第１基準時間以上である塗布方法。

【請求項3】

請求項１または２に記載の塗布方法において、
前記溶剤供給工程は、
基板上に溶剤が盛られた状態を保つ液盛工程と、
を備える塗布方法。

【請求項4】

請求項１から３のいずれかに記載の塗布方法において、
前記溶剤供給工程は、
基板を第２回転速度で回転させ、前記中心位置と前記周縁位置とにわたって前記溶剤ノズルを移動させ、且つ、前記溶剤ノズルから溶剤を吐出させる第２工程と、
を備える塗布方法。

【請求項5】

請求項４に記載の塗布方法において、
前記第２回転速度は、０ｒｐｍより大きく、且つ、５００ｒｐｍ未満である塗布方法。

【請求項6】

請求項１から５のいずれかに記載の塗布方法において、
前記溶剤供給工程は、
基板を回転させ、基板上に形成される溶剤の膜の厚みを薄くする薄膜化工程と、
を備える塗布方法。

【請求項7】

請求項１から６のいずれかに記載の塗布方法において、
前記第１工程では、前記溶剤ノズルは前記中心位置から前記周縁位置に移動する塗布方法。

【請求項8】

請求項１から７のいずれかに記載の塗布方法において、
前記溶剤ノズルから吐出された溶剤は、棒状に流下する塗布方法。

【請求項9】

請求項１から８のいずれかに記載の塗布方法において、
基板は平面視で円形状を有する塗布方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板に薬液を塗布する塗布方法に関する。基板は、半導体ウェハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、太陽電池用基板などである。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、基板上にレジスト膜を形成する塗布方法を開示する。塗布方法は溶剤供給工程と薬液供給工程を備える。溶剤供給工程は基板に溶剤を滴下する。より詳しくは、溶剤供給工程は、静止した基板の中心部に溶剤を滴下する。溶剤を滴下した後、溶剤供給工程は、基板を回転させて溶剤を振り切る。薬液供給工程は、基板を回転させ、且つ、基板に薬液（具体的にはレジスト膜材料）を滴下する。薬液を滴下した後、薬液供給工程は、基板を回転させて薬液を振り切る。

【0003】

上述した通り、塗布方法は溶剤供給工程を備える。このため、薬液供給工程では、薬液を同心円状に広げることができる。換言すれば、薬液供給工程において、薬液が基板の周縁部の一部に向かって細長く延びることを防止できる。よって、基板と薬液の間に気泡が生じることを抑制できる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００２−１７５９６６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
従来の塗布方法であっても、薬液を基板に適切に塗布することが困難な場合がある。例えば、薬液が基板の一部に塗布されない場合がある。このような現象は、「膜切れ」または「塗り残し」などと呼ばれる。さらに、例えば、基板上に形成された薬液の塗膜が、均一な膜厚を有しない場合がある。

【0006】

特に、基板がその上面に形成された凹部を含むとき、薬液を基板に適切に塗布することがさらに困難になる。例えば、薬液が一部の凹部のみに入り、他の凹部に入らない場合がある。

【0007】

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、薬液を基板に適切に塗布できる塗布方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明は、基板に薬液を塗布する塗布方法であって、基板に溶剤を供給する溶剤供給工程と、前記溶剤供給工程の後、基板に薬液を供給する薬液供給工程と、を備え、前記溶剤供給工程は、基板を第１回転速度で回転させ、基板の中心部の上方の中心位置と基板の周縁部の上方の周縁位置とにわたって溶剤ノズルを移動させ、且つ、前記溶剤ノズルから溶剤を吐出させる第１工程と、を備える塗布方法である。

【0009】

第１工程は、基板を回転させ、中心位置と周縁位置とにわたって溶剤ノズルを移動させ、且つ、溶剤ノズルから溶剤を吐出させる。溶剤ノズルが中心位置に位置するとき、溶剤ノズルは基板の中心部に溶剤を落下させる。溶剤ノズルが周縁位置に位置するとき、溶剤ノズルは基板の周縁部に溶剤を落下させる。このように、第１工程は、基板の中心部にも基板の周縁部にも、溶剤を同じ様に供給する。よって、第１工程は、基板の全体にわたって均一に、溶剤を供給できる。

【0010】

薬液供給工程は、溶剤供給工程の後に行われる。溶剤が基板の全体にわたって均一に供給されているので、薬液供給工程は薬液を基板に適切に供給できる。このように、本塗布方法によれば、薬液を基板に適切に塗布できる。

【0011】

上述の塗布方法において、前記第１回転速度は、０ｒｐｍより大きく、且つ、５００ｒｐｍ未満であり、前記溶剤ノズルは溶剤を吐出する吐出口を有し、前記第１工程において前記溶剤ノズルが前記中心位置と前記周縁位置の間を移動する期間に基板が回転する回数は、基板の半径を前記吐出口の寸法で除した基準値以上であることが好ましい。

【0012】

第１回転速度は比較的に低い。よって、仮に基板が凹部を有する場合、溶剤は凹部に容易に入ることができる。溶剤が凹部に入ることによって、薬液供給工程では薬液が凹部に円滑に入ることができる。

【0013】

さらに、第１工程において溶剤ノズルが中心位置と周縁位置の間を移動する期間に基板が回転する回数は、基準値以上である。換言すれば、第１工程では、溶剤ノズルが中心位置と周縁位置の間を移動する期間に、基板は、基準値以上の回数、回転する。このため、溶剤は、基板のほとんどの部分に落下する。よって、第１工程は、基板の全体にわたって一層均一に、溶剤を供給できる。

【0014】

上述の塗布方法において、前記第１工程において前記溶剤ノズルが前記中心位置と前記周縁位置の間を移動する期間は、前記基準値を前記第１回転速度で除した第１基準時間以上であることが好ましい。換言すれば、上述の塗布方法において、第１工程では、溶剤ノズルは、第１基準時間以上の時間をかけて、中心位置と周縁位置の間を移動することが好ましい。これによれば、溶剤は、基板のほとんどの部分に同じ様に落下する。よって、第１工程は、基板の全体にわたって一層均一に、溶剤を供給できる。

【0015】

上述の塗布方法において、前記溶剤供給工程は、基板上に溶剤が盛られた状態を保つ液盛工程と、を備えることが好ましい。液盛工程では、基板に溶剤を好適に馴染ませることができる。仮に基板が凹部を有する場合、溶剤は凹部に一層容易に入ることができる。

【0016】

上述の塗布方法において、前記溶剤供給工程は、基板を第２回転速度で回転させ、前記中心位置と前記周縁位置とにわたって前記溶剤ノズルを移動させ、且つ、前記溶剤ノズルから溶剤を吐出させる第２工程と、を備えることが好ましい。第２工程は、第１工程と類似する工程である。すなわち、第２工程は、基板を回転させ、中心位置と周縁位置とにわたって溶剤ノズルを移動させ、且つ、溶剤ノズルから溶剤を吐出させる。よって、第２工程は、基板の全体にわたって均一に、溶剤を供給できる。溶剤供給工程は第１工程に加えて第２工程を備えるので、基板の全体にわたって一層均一に、溶剤を供給できる。

【0017】

上述の塗布方法において、前記第２回転速度は、０ｒｐｍより大きく、且つ、５００ｒｐｍ未満であることが好ましい。第２回転速度は比較的に低い。よって、仮に基板が凹部を有する場合、溶剤は凹部に容易に入ることができる。溶剤が凹部に入ることによって、薬液供給工程では薬液が凹部に円滑に入ることができる。

【0018】

上述の塗布方法において、前記溶剤供給工程は、基板を回転させ、基板上に形成される溶剤の膜の厚みを薄くする薄膜化工程と、を備えることが好ましい。溶剤供給工程は薄膜化工程を備える。このため、薬液供給工程は、比較的に薄い溶剤の膜上に、薬液を供給する。その結果、薬液の塗膜の厚みがばらつくことを好適に防止できる。

【0019】

上述の塗布方法において、前記第１回転速度は５００ｒｐｍ以上であることが好ましい。第１回転速度は比較的に高い。よって、仮に基板が凹部を有する場合、溶剤は凹部に入りにくい。このため、仮に基板が凹部を有する場合、凹部を溶剤で満たさずに凹部の上方を溶剤で覆うことができる。以下では、凹部を溶剤で満たさずに凹部の上方を溶剤で覆うことを、「凹部を溶剤でテンティングする」と言う。凹部が溶剤でテンティングされているので、薬液供給工程では、凹部を薬液で満たさずに凹部の上方を薬液で覆うことができる。以下では、凹部を薬液で満たさずに凹部の上方を薬液で覆うことを、「凹部を薬液でテンティングする」と言う。

【0020】

上述の塗布方法において、前記溶剤ノズルは溶剤を吐出する吐出口を有し、前記第１工程において前記溶剤ノズルが前記中心位置と前記周縁位置の間を移動する期間に基板が回転する回数は、基板の半径を前記吐出口の寸法で除した基準値の±２０％の範囲内であることが好ましい。換言すれば、上述の塗布方法において、第１工程では、溶剤ノズルが中心位置と周縁位置の間を移動する期間に、基板は、基準値の±２０％の範囲内の回数、回転することが好ましい。これによれば、溶剤が基板のほとんどの部分に落下する。よって、第１工程は、基板の全体にわたって一層均一に、溶剤を供給できる。

【0021】

上述の塗布方法において、前記第１工程において前記溶剤ノズルが前記中心位置と前記周縁位置の間を移動する期間は、前記基準値を前記第１回転速度で除した第１基準時間の±２０％の範囲内であることが好ましい。換言すれば、上述の塗布方法において、第１工程では、溶剤ノズルは、第１基準時間の±２０％の範囲内の時間をかけて、中心位置と周縁位置の間を移動することが好ましい。これによれば、溶剤は、基板のほとんどの部分に同じ様に落下する。よって、第１工程は、基板の全体にわたって一層均一に、溶剤を供給できる。

【0022】

上述の塗布方法において、前記溶剤供給工程は、基板を回転させ、基板上に形成される溶剤の膜の厚みを薄くする薄膜化工程と、を備えることが好ましい。溶剤供給工程は薄膜化工程を備える。このため、薬液供給工程は、比較的に薄い溶剤の膜上に、薬液を供給する。その結果、薬液の塗膜の厚みがばらつくことを好適に防止できる。

【0023】

上述の塗布方法において、前記溶剤供給工程は、前記第１工程と前記薄膜化工程のみを行うことが好ましい。溶剤供給工程に要する時間を短縮できる。さらに、溶剤供給工程で使用する溶剤の量を低減できる。仮に基板が凹部を有する場合、凹部を溶剤で一層好適にテンティングできる。その結果、薬液供給工程では凹部を薬液で一層好適にテンティングできる。

【0024】

上述の塗布方法において、前記薬液供給工程において基板に供給する薬液は、２００ｃＰ以上の粘度を有することが好ましい。薬液は比較的に高い粘度を有する。このため、仮に基板が凹部を有する場合、薬液は凹部に一層入りにくい。よって、仮に基板が凹部を有する場合、凹部を薬液で一層好適にテンティングできる。

【0025】

上述の塗布方法において、前記第１工程では、前記溶剤ノズルが前記中心位置から前記周縁位置に移動することが好ましい。溶剤ノズルは、周縁位置よりも先に中心位置で溶剤を吐出する。中心位置では、溶剤ノズルは基板に溶剤を円滑に供給できる。さらに、溶剤ノズルを中心位置から周縁位置に移動する。このため、溶剤を基板の中心部から周縁部にわたって円滑に供給できる。

【0026】

上述の塗布方法において、溶剤ノズルから吐出された溶剤は、棒状に流下することが好ましい。溶剤ノズルは基板上に溶剤を好適に落下させることができる。

【0027】

上述の塗布方法において、基板は平面視で円形状を有することが好ましい。換言すれば、上述の塗布方法において、基板は円形基板であることが好ましい。溶剤供給工程は、基板の全体にわたって一層均一に、溶剤を供給できる。同様に、薬液供給工程は、基板の全体にわたって一層均一に、薬液を供給できる。

【0028】

上述の塗布方法において、基板は、基板の上面に形成された凹部を有することが好ましい。基板が凹部を有する場合であっても、本塗布方法の溶剤供給工程は、基板の全体にわたって均一に、溶剤を供給できる。その結果、薬液供給工程は、薬液を基板に適切に供給
できる。このように、基板が凹部を有する場合には、本塗布方法は特に高い有用性を有する。

【0029】

ここで、「凹部」は、例えば、基板の上面に形成されたパターンの一部である。

【発明の効果】

【0030】

本発明に係る塗布方法によれば、薬液を基板に適切に塗布できる。

【図面の簡単な説明】

【0031】

【図1】実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。

【図2】溶剤ノズルの側面図である。

【図3】溶剤ノズルの底面図である。

【図4】実施例１に係る基板処理装置の平面図である。

【図5】溶剤ノズルの位置を説明する側面図である。

【図6】図６（ａ）−６（ｆ）は、実施例１に係る溶剤供給工程を模式的に示す図である。

【図7】実施例１に係る塗布方法の手順を示すフローチャートである。

【図8】第１工程の動作を説明する平面図である。

【図9】落下領域を模式的に示した平面図である。

【図10】図１０（ａ）、１０（ｂ）は、実施例１に係る薬液供給工程を模式的に示す図である。

【図11】図１１（ａ）−１１（ｄ）は、比較例に係る塗布方法を模式的に示す図である。

【図12】図１２（ａ）、１２（ｂ）は、実施例１に係る第１工程の概念図である。

【図13】図１３（ａ）、１３（ｂ）は、比較例の溶剤供給工程の概念図である。

【図14】薬液ノズルの底面図である。

【図15】実施例２に係る基板処理装置の平面図である。

【図16】実施例２に係る塗布方法の手順を示すフローチャートである。

【図17】図１７（ａ）−１７（ｃ）は、実施例２に係る溶剤供給工程を模式的に示す図である。

【図18】図１８（ａ）−１８（ｃ）は、実施例２に係る薬液供給工程を模式的に示す図である。

【図19】実施例２に係る回転工程を示す図である。

【図20】図２０（ａ）、２０（ｂ）は、実施例２に係る第１工程の概念図である。

【実施例1】

【0032】

以下、図面を参照して、本発明の実施例１を説明する。

【0033】

１．基板処理装置１の概要
図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。基板処理装置１は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗに薬液を塗布する。

【0034】

基板処理装置１は、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部１１を備える。回転保持部１１は、スピンチャック１３と駆動部１５を含む。スピンチャック１３は基板Ｗを略水平姿勢で保持する。スピンチャック１３は、基板Ｗの下面の中央部を吸着することによって、基板Ｗを保持する。駆動部１５はスピンチャック１３の下部に連結される。駆動部１５は、スピンチャック１３及び基板Ｗを一体に回転させる。基板Ｗは回転中心Ａ回りに回転する。回転中心Ａは鉛直方向と略平行である。基板Ｗは中心部Ｃと周縁部Ｅを含む。回転中心Ａは基板Ｗの中心部Ｃを通る。駆動部１５は例えばモータである。

【0035】

基板処理装置１は、溶剤を基板Ｗに供給する溶剤供給部２１を備える。溶剤供給部２１は、溶剤供給源２３と配管２４と開閉弁２５と溶剤ノズル２６と移動機構２７を備える。溶剤供給源２３は溶剤を貯留する。配管２４は、溶剤供給源２３と連通接続される第１端を有する。配管２４は、溶剤ノズル２６と連通接続される第２端を有する。開閉弁２５は配管２４上に設けられる。開閉弁２５は、配管２４内の溶剤の流路を開閉する。溶剤ノズル２６は溶剤を吐出する。移動機構２７は溶剤ノズル２６を移動する。

【0036】

溶剤は、例えば有機溶剤である。溶剤は、例えば、シンナー、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、乳化エチル、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などである。

【0037】

基板処理装置１は、薬液を基板Ｗに供給する薬液供給部３１を備える。薬液供給部３１は、薬液供給源３３と配管３４と開閉弁３５と薬液ノズル３６と移動機構３７を備える。薬液供給源３３は薬液を貯留する。配管３４は、薬液供給源３３に連通接続される第１端を有する。配管３４は、薬液ノズル３６に連通接続される第２端を有する。開閉弁３５は配管３４上に設けられる。開閉弁３５は、配管３４内の薬液の流路を開閉する。薬液ノズル３６は薬液を吐出する。移動機構３７は薬液ノズル３６を移動する。

【0038】

薬液は、例えば基板Ｗ上に塗膜を形成する塗布液である。塗膜は、例えば、レジスト膜、保護膜、絶縁膜、ＳＯＧ（Spin On Glass）膜またはＳＯＤ（Spin On Dielectric）膜である。絶縁膜は、層間絶縁膜を含む意味である。塗布液は、例えばポリイミド等の樹脂を含む。塗布液は、例えばレジスト膜材料、保護膜材料、絶縁膜材料、ＳＯＧ膜材料またはＳＯＤ膜材料である。

【0039】

基板処理装置１は飛散防止カップ３８を備える。飛散防止カップ３８はスピンチャック１３の周囲に配置される。飛散防止カップ３８は、基板Ｗから飛散する処理液（すなわち、薬液や溶剤など）を受け止めて回収する。

【0040】

基板処理装置１は、制御部３９を備える。制御部３９は、上述した各構成を統括的に制御する。具体的には、制御部３９は、駆動部１５を制御して基板Ｗの回転速度（回転数）を調整する。制御部３９は、移動機構２７、３７を制御して溶剤ノズル２６および薬液ノズル３６を移動させる。制御部３９は、開閉弁２５、３５を制御して溶剤および薬液の供給・停止を切り替える。

【0041】

制御部３９は、基板Ｗを処理するための処理条件が予め設定される処理レシピ等を有する。処理条件は、例えば、基板Ｗの回転速度、溶剤ノズル２６の位置、溶剤の供給量、薬液ノズル３６の位置および薬液の供給量に関する情報などである。制御部３９は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現される。

【0042】

２．溶剤ノズル２６およびこれに関連する構成
図２は、溶剤ノズル２６の側面図である。溶剤ノズル２６はストレート型ノズルである。溶剤ノズル２６は、溶剤ノズル２６の下面から溶剤Ｆを吐出する。溶剤ノズル２６は溶剤Ｆを下方に吐出する。

【0043】

図３は、溶剤ノズル２６の底面図である。溶剤ノズル２６は、溶剤Ｆを吐出する吐出口２６ａを有する。吐出口２６ａは溶剤ノズル２６の下面に形成される。吐出口２６ａは略円形を有する。吐出口２６ａは寸法Ｄを有する。寸法Ｄは、例えば、吐出口２６ａの直径である。

【0044】

図４は、基板処理装置１の平面図である。図４は、移動機構３７の図示を省略する。

【0045】

基板Ｗは平面視で円形状を有する。基板Ｗは円形基板である。基板Ｗは半径ｒを有する。

【0046】

移動機構２７は、アーム部２７ａと軸部２７ｂと駆動部２７ｃを有する。アーム部２７ａは略水平方向に延びる。アーム部２７ａは、溶剤ノズル２６を保持する先端部を有する。溶剤ノズル２６は、回転保持部１１に保持される基板Ｗよりも高い位置に配置される。アーム部２７ａは、軸部２７ｂに接続される基端部を有する。軸部２７ｂはアーム部２７ａを支持する。軸部２７ｂは略鉛直方向に延びる。軸部２７ｂは飛散防止カップ３８の外方に配置される。駆動部２７ｃは軸部２７ｂに連結される。駆動部２７ｃは軸部２７ｂを回転する。軸部２７ｂの回転により、溶剤ノズル２６は軸部２７ｂ回りに旋回する。

【0047】

移動機構２７は、中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂと退避位置Ｐｃに、溶剤ノズル２６を移動する。平面視で、中心位置Ｐａは、基板Ｗの中心部Ｃと重なる位置である。平面視で、周縁位置Ｐｂは、基板Ｗの周縁部Ｅと重なる位置である。平面視で、退避位置Ｐｃは、基板Ｗと重ならない位置である。

【0048】

図５は、溶剤ノズル２６の位置を説明する側面図である。中心位置Ｐａは、基板Ｗの中心部Ｃの上方の位置である。溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａにあるとき、溶剤ノズル２６は回転中心Ａ上に位置する。周縁位置Ｐｂは、基板Ｗの周縁部Ｅの上方の位置である。

【0049】

図示を省略するが、移動機構３７は、薬液ノズル３６を中心位置Ｐａと退避位置Ｐｃとに移動する。薬液ノズル３６の中心位置Ｐａは、溶剤ノズル２６の中心位置Ｐａと同じ位置でもよいし、溶剤ノズル２６の中心位置Ｐａと異なる位置でもよい。薬液ノズル３６の退避位置Ｐｃも、同様である。

【0050】

３．実施例１の塗布方法
図６（ａ）は、塗布方法が施される基板Ｗを模式的に示す図である。まず、塗布方法が施される基板Ｗを例示する。

【0051】

塗布方法は、回転保持部１１に略水平に保持される基板Ｗに施される。基板Ｗの上面は略水平である。但し、基板Ｗの上面は平坦でない。基板Ｗの上面は段差を有する。

【0052】

具体的には、基板Ｗは、凹部４１と凸部４３を有する。凹部４１と凸部４３はそれぞれ、基板Ｗの上面に形成されている。凹部４１は下方に凹む。凸部４３は上方に突出する。

【0053】

凹部４１は凹部４１ａと凹部４１ｂを含む。凹部４１ａは基板Ｗの中心部Ｃに配置される。凹部４１ｂは基板Ｗの周縁部Ｅに配置される。

【0054】

凹部４１と凸部４３は、例えば、基板Ｗの上面に形成されたパターンの一部である。すなわち、基板Ｗは、基板Ｗの上面に形成されるパターンを有する。凹部４１は、例えば、スペース、ホールまたはトレンチである。ホールは、ビアホール、スルーホールおよびコンタクトホールなどを含む意味である。凸部４３は、例えば、ライン、ドットまたはサイドウォールである。

【0055】

図７は、実施例１に係る塗布方法の手順を示すフローチャートである。基板処理装置１によって実行される塗布方法を例示する。

【0056】

塗布方法は、溶剤供給工程（ステップＳ１０）と薬液供給工程（ステップＳ２０）を含む。溶剤供給工程は基板Ｗに溶剤Ｆを供給する。溶剤供給工程は「プリウェット」とも呼ばれる。薬液供給工程は溶剤供給工程の後に行われる。薬液供給工程は基板Ｗに薬液を供給する。

【0057】

溶剤供給工程は、第１工程（ステップＳ１１）と液盛工程（ステップＳ１２）と第２工程（ステップＳ１３）と薄膜化工程（ステップＳ１４）を含む。薬液供給工程は、中心吐出工程（ステップＳ２１）と回転工程（ステップＳ２２）を含む。

【0058】

各工程について説明する。以下の説明においては、各構成は、制御部３９による制御に従って、動作するものとする。

【0059】

＜ステップＳ１１＞ 第１工程
図８は、第１工程の動作を説明する平面図である。第１工程は、基板Ｗを第１回転速度Ｒ１で回転させ、中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂとにわたって溶剤ノズル２６を移動させ、且つ、溶剤ノズル２６から溶剤Ｆを吐出させる。より詳しくは、第１工程は、溶剤ノズル２６を中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動させる。図８は、溶剤ノズル２６が移動する径路Ｌ１を示す。径路Ｌ１は、平面視で、基板Ｗの径方向に近似する曲線である。第１工程は、中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂへの溶剤ノズル２６の移動を、１度行う。第１工程は、溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する期間にわたって、溶剤ノズル２６から溶剤Ｆを吐出させる。

【0060】

図６（ｂ）、６（ｃ）は、第１工程を模式的に示す図である。溶剤Ｆは、溶剤ノズル２６から鉛直下方に落下する。落下する溶剤Ｆは、棒形状または柱形状を呈する。すなわち、溶剤ノズル２６から吐出された溶剤Ｆは、棒形状または柱形状で流下する。溶剤ノズル２６と基板Ｗとの間には、溶剤Ｆの液柱が形成される。溶剤Ｆの液柱は略鉛直方向に延びる。

【0061】

溶剤Ｆは基板Ｗの上面に落下する。すなわち、溶剤Ｆは基板Ｗの上面に接触する。溶剤Ｆは、基板Ｗの上面に対して略垂直に落下する。溶剤Ｆが基板Ｗに落下した後、溶剤Ｆは基板Ｗの上面において略水平方向に広がる。

【0062】

第１回転速度Ｒ１は比較的に小さい。具体的には、第１回転速度Ｒ１は、０ｒｐｍより大きく、且つ、５００ｒｐｍ未満であることが好ましい。より好ましくは、第１回転速度Ｒ１は、０ｒｐｍより大きく、且つ、３００ｒｐｍ以下であることが好ましい。さらに好ましくは、第１回転速度Ｒ１は、１００ｒｐｍ以上で、且つ、２００ｒｐｍ以下であることが好ましい。

【0063】

第１回転速度Ｒ１は一定であることが好ましい。第１工程における溶剤ノズル２６の移動速度は一定であることが好ましい。

【0064】

図６（ｂ）を参照する。溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａに位置するとき、溶剤ノズル２６が吐出した溶剤Ｆは凹部４１ａに落下する。溶剤Ｆは、凹部４１ａの真上から凹部４１ａに落下する。第１回転速度Ｒ１が比較的に低いので、溶剤Ｆは凹部４１ａに入る。凹部４１ａは溶剤Ｆによって満たされる。

【0065】

図６（ｃ）を参照する。溶剤ノズル２６が周縁位置Ｐｂに位置するとき、溶剤ノズル２６が吐出した溶剤Ｆが凹部４１ｂに落下する。溶剤Ｆは、凹部４１ｂの真上から凹部４１ｂに落下する。第１回転速度Ｒ１が比較的に低いので、溶剤Ｆは凹部４１ｂに入る。凹部４１ｂは溶剤Ｆによって満たされる。

【0066】

さらに、基板Ｗの上面上には溶剤Ｆの膜が形成される。溶剤Ｆの膜は基板Ｗの上面の全体に及ぶ。溶剤Ｆの膜は基板Ｗの上面の全体を覆う。

【0067】

ここで、基板Ｗの半径ｒを吐出口２６ａの寸法Ｄで除した値を基準値Ｎと呼ぶ（式（１）参照）。
Ｎ＝ｒ／Ｄ ・・・（１）
基準値Ｎを第１回転速度Ｒ１で除した値を、第１基準時間Ｔ１と呼ぶ（式（２）参照）。
Ｔ１＝Ｎ／Ｒ１ ・・・（２）

【0068】

溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する期間に基板Ｗが回転する回数は、基準値Ｎ以上である。換言すれば、溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する期間に、基板Ｗは、基準値Ｎ以上の回数、回転する。溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する期間は、第１基準時間Ｔ１以上である。換言すれば、溶剤ノズル２６は、第１基準時間Ｔ１以上の時間をかけて、中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する。

【0069】

例えば、基板Ｗの半径ｒが１５０［ｍｍ］であり、吐出口２６ａの寸法Ｄが３［ｍｍ］であり、第１回転速度Ｒ１が１５０［ｒｐｍ］であるとする。この場合、基準値Ｎは５０であり、第１基準時間Ｔ１は２０［ｓｅｃ］（１／３［ｍｉｎ］）である。すなわち、溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する期間に、基板Ｗは、５０周以上、回転する。溶剤ノズル２６は、２０［ｓｅｃ］以上の時間をかけて、中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する。

【0070】

図９は、落下領域Ｂを模式的に示した平面図である。落下領域Ｂは、溶剤Ｆが基板Ｗに落下する領域である。ある時点における落下領域Ｂは、吐出口２６ａと略同じ大きさを有する。ある時点における落下領域Ｂの位置は、平面視で、その時点における吐出口２６ａの位置と略同じである。

【0071】

溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂの間を移動することによって、落下領域Ｂは中心部Ｃから周縁部Ｅに移動する。溶剤ノズル２６が移動し、且つ、基板Ｗが回転することによって、落下領域Ｂは平面視で渦巻き状（螺旋状）に移動する。図９は落下領域Ｂの軌跡Ｌ２を示す。

【0072】

溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する期間に、基板Ｗは、基準値Ｎ以上の回数、回転する。溶剤ノズル２６は、第１基準時間Ｔ１以上の時間をかけて、中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する。これらの結果、落下領域Ｂは、基板Ｗの上面のほとんどの部分に及ぶ。すなわち、溶剤Ｆは、基板Ｗのほとんどの部分に落下する。

【0073】

以上のとおり、第１工程では、溶剤Ｆは、中心部Ｃにも周縁部Ｅにも、落下する。溶剤Ｆは、基板Ｗのほとんどの部分に落下する。このように、溶剤Ｆは、基板Ｗの全体にわたって均一に、供給される。溶剤Ｆは各凹部４１に入る。

【0074】

＜ステップＳ１２＞ 液盛工程
図６（ｄ）は、液盛工程を模式的に示す図である。液盛工程は、第１工程の後に行われる。液盛工程は、基板Ｗ上に溶剤Ｆが盛られた状態を保つ。液盛工程は、基板Ｗの回転速度を第１回転速度Ｒ１から低下させ、且つ、溶剤ノズル２６からの溶剤Ｆの吐出を停止する。液盛工程における基板Ｗの回転速度は、０ｒｐｍ以上で、且つ、１０ｒｐｍ以下であることが好ましい。液盛工程は、例えば基板Ｗを静止させてもよい。液盛工程は、例えば溶剤ノズル２６を周縁位置Ｐｂに静止させてもよい。これによれば、液盛工程の終了後、第２工程を速やかに始めることができる。液盛工程の期間は、例えば５［ｓｅｃ］以上であることが好ましい。液盛工程の期間は、例えば３０［ｓｅｃ］以下であることが好ましい。

【0075】

液盛工程では、溶剤Ｆの膜が基板Ｗ上に形成されている。溶剤Ｆの膜は基板Ｗの上面の全体を覆う。溶剤Ｆの膜は比較的に厚い。凹部４１および凸部４３のいずれも、溶剤Ｆに浸されている。

【0076】

＜ステップＳ１３＞ 第２工程
図６（ｅ）は、第２工程を模式的に示す図である。第２工程は、液盛工程の後に行われる。第２工程は第１工程と類似する。第２工程は、基板Ｗを第２回転速度Ｒ２で回転させ、中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂとにわたって溶剤ノズル２６を移動させ、且つ、溶剤ノズル２６から溶剤Ｆを吐出させる。具体的には、第２工程は、溶剤ノズル２６を、周縁位置Ｐｂから中心位置Ｐａに移動させる。第２工程における溶剤ノズル２６の移動方向は、第１工程における溶剤ノズル２６の移動方向と反対である。第２工程は、周縁位置Ｐｂから中心位置Ｐａへの溶剤ノズル２６の移動を、１度行う。第２工程は、溶剤ノズル２６が周縁位置Ｐｂから中心位置Ｐａに移動する期間にわたって、溶剤ノズル２６から溶剤Ｆを吐出させる。

【0077】

第２回転速度Ｒ２は比較的に小さい。具体的には、第２回転速度Ｒ２は、０ｒｐｍより大きく、且つ、５００ｒｐｍ未満であることが好ましい。より好ましくは、第２回転速度Ｒ２は、０ｒｐｍより大きく、且つ、３００ｒｐｍ以下であることが好ましい。さらに好ましくは、第２回転速度Ｒ２は、１００ｒｐｍ以上で、且つ、２００ｒｐｍ以下であることが好ましい。

【0078】

第２回転速度Ｒ２は、第１回転速度Ｒ１と同じであってもよい。第２回転速度Ｒ２は、第１回転速度Ｒ１と異なっていてもよい。

【0079】

第２回転速度Ｒ２は、一定であることが好ましい。第２工程における溶剤ノズル２６の移動速度は、一定であることが好ましい。

【0080】

ここで、基準値Ｎを第２回転速度Ｒ２で除した値を、第２基準時間Ｔ２と呼ぶ（式（３）参照）。
Ｔ２＝Ｎ／Ｒ２ ・・・（３）

【0081】

溶剤ノズル２６が周縁位置Ｐｂから中心位置Ｐａに移動する期間に基板Ｗが回転する回数は、基準値Ｎ以上である。換言すれば、溶剤ノズル２６が周縁位置Ｐｂから中心位置Ｐａに移動する期間に、基板Ｗは、基準値Ｎ以上の回数、回転する。溶剤ノズル２６が周縁位置Ｐｂから中心位置Ｐａに移動する期間は、第２基準時間Ｔ２以上である。換言すれば、溶剤ノズル２６は、第２基準時間Ｔ２以上の時間をかけて、周縁位置Ｐｂから中心位置Ｐａに移動する。

【0082】

例えば、基板Ｗの半径ｒが１５０［ｍｍ］であり、吐出口２６ａの寸法Ｄが３［ｍｍ］であり、第２回転速度Ｒ２が３００［ｒｐｍ］であるとする。この場合、基準値Ｎは５０であり、第２基準時間Ｔ２は１０［ｓｅｃ］（１／６［ｍｉｎ］）である。すなわち、溶剤ノズル２６が周縁位置Ｐｂから中心位置Ｐａに移動する期間に、基板Ｗは、５０周以上、回転する。溶剤ノズル２６は、１０［ｓｅｃ］以上の時間をかけて、周縁位置Ｐｂから中心位置Ｐａに移動する。

【0083】

上述のように、第２回転速度Ｒ２が第１回転速度Ｒ１より高い場合、第２基準時間Ｔ２は第１基準時間Ｔ１より短い。例えば第２回転速度Ｒ２が第１回転速度Ｒ１の２倍である場合、第２基準時間Ｔ２は第１基準時間Ｔ１の半分である。これらの場合、第２工程に要する時間を短縮できる。

【0084】

第２工程では、溶剤Ｆは、中心部Ｃにも周縁部Ｅにも、落下する。溶剤Ｆは、基板Ｗのほとんどの部分に落下する。このように、溶剤Ｆは、基板Ｗの全体にわたって均一に、供給される。溶剤Ｆは各凹部４１に入る。

【0085】

＜ステップＳ１４＞ 薄膜化工程
図６（ｆ）は、薄膜化工程を模式的に示す図である。薄膜化工程は、第２工程の後に行われる。薄膜化工程は、基板Ｗを回転させ、溶剤ノズル２６からの溶剤Ｆの吐出を停止する。

【0086】

薄膜化工程における基板Ｗの回転速度は、第１回転速度Ｒ１よりも大きい。薄膜化工程における基板Ｗの回転速度は、第２回転速度Ｒ２よりも大きい。薄膜化工程における基板Ｗの回転速度は、数百［ｒｐｍ］から数千［ｒｐｍ］であることが好ましい。薄膜化工程の期間は、例えば、１［ｓｅｃ］であることが好ましい。

【0087】

薄膜化工程は、基板Ｗ上の溶剤Ｆを振り切る。薄膜化工程は、基板Ｗ上の溶剤Ｆを基板Ｗの外に飛散させる。薄膜化工程は、基板Ｗ上に形成される溶剤Ｆの膜の厚みを薄くする。薄膜化工程により、溶剤Ｆの膜の厚みは、基板Ｗの全体にわたって一層均一になる。ただし、薄膜化工程は、基板Ｗ上の溶剤Ｆを乾燥させない。薄膜化工程の終了時においても、溶剤Ｆの薄膜が、基板Ｗの上面の全体を覆ったままである。

【0088】

薄膜化工程の終了によって、溶剤供給工程を終了する。溶剤供給工程が終了した後、薬液供給工程が始まる。

【0089】

＜ステップＳ２１＞ 中心吐出工程
図１０（ａ）は、中心吐出工程を模式的に示す図である。中心吐出工程は、薬液ノズル３６を中心位置Ｐａに静止させ、薬液ノズル３６から薬液Ｇを吐出させる。中心吐出工程は、基板Ｗを回転させてもよいし、基板Ｗを静止させてもよい。

【0090】

薬液Ｇは基板Ｗの中心部Ｃに供給される。薬液Ｇは溶剤Ｆの膜上に供給される。薬液Ｇは凹部４１ａに入る。

【0091】

＜ステップＳ２２＞ 回転工程
図１０（ｂ）は、回転工程を模式的に示す図である。回転工程は、中心吐出工程の後に行われる。回転工程は、基板Ｗを回転させ、薬液ノズル３６からの薬液Ｇの吐出を停止する。

【0092】

薬液Ｇは、基板Ｗの上面において水平方向に円滑に広がる。薬液Ｇは、基板Ｗの上面の全体に円滑に広がる。基板Ｗ上に薬液Ｇの塗膜が形成される。

【0093】

薬液Ｇは各凹部４１に円滑に入る。換言すれば、凹部４１内の溶剤Ｆは、薬液Ｇに円滑に置換される。各凹部４１は薬液Ｇで満たされる。

【0094】

回転工程の終了によって、薬液供給工程を終了する。実施例１の塗布方法は、以上の通りである。

【0095】

４．実施例１と比較例の対比と考察
次に、比較例に係る塗布方法の手順を例示する。そして、実施例１の塗布方法と比較例の塗布方法を対比する。

【0096】

図１１（ａ）−１１（ｄ）は、比較例に係る塗布方法を模式的に示す図である。図１１（ａ）−１１（ｄ）は、便宜上、実施例１と同じ符号を用いて、比較例に係る塗布方法を示す。

【0097】

比較例に係る塗布方法は、溶剤供給工程と薬液供給工程を備える。

【0098】

溶剤供給工程は、静止した基板Ｗの中心部Ｃに溶剤Ｆを供給する（図１１（ａ））。続いて、溶剤供給工程は、基板Ｗを回転する（図１１（ｂ））。これにより、溶剤Ｆは、基板Ｗの上面の全体に広がる。溶剤Ｆは凹部４１ａのみに入る。溶剤Ｆは凹部４１ａ以外の凹部４１に入らない。

【0099】

塗布工程は、基板Ｗの中心部Ｃに薬液Ｇを供給する（図１１（ｃ））。続いて、薬液供給工程は基板Ｗを回転する（図１１（ｄ））。これにより、薬液Ｇが基板Ｗの上面において広がる。基板Ｗ上に薬液Ｇの塗膜が形成される。薬液Ｇは、凹部４１ａのみに入る。薬液Ｇは、凹部４１ａ以外の凹部４１に入らない。

【0100】

このように、比較例の塗布方法では、薬液Ｇが各凹部４１に適切に入らない。薬液Ｇは複数の凹部４１に同じ様に入らない。複数の凹部４１の間で、凹部４１に入る薬液Ｇの量がばらつく。凹部４１の位置に応じて、薬液Ｇの凹部４１への入り方が異なる。

【0101】

比較例の塗布方法では薬液Ｇが各凹部４１に適切に入らない理由について、本発明者らは以下のように推察する。

【0102】

図１２（ａ）、１２（ｂ）は、比較例の溶剤供給工程の概念図である。比較例の溶剤供給工程では、基板Ｗは静止しており、溶剤Ｆが基板Ｗの中心部Ｃに落下する。このため、溶剤Ｆは、凹部４１ａの底部まで容易に入り込むことができる（図１２（ａ）参照）。

【0103】

比較例の溶剤供給工程では、溶剤Ｆが中心部Ｃ以外に落下しない。基板Ｗの中心部Ｃ以外の部分においては、溶剤Ｆは略水平方向に移動するのみである。このため、溶剤Ｆは、凹部４１ａ以外の凹部４１に入りにくい（図１２（ｂ）参照）。

【0104】

その結果、比較例の薬液供給工程では、薬液Ｇは凹部４１ａに円滑に入ることができるが、薬液Ｇは凹部４１ａ以外の凹部４１に円滑に入り難い。

【0105】

このように、比較例の塗布方法では、溶剤Ｆが各凹部４１に同じ様に入らないので、薬液Ｇを基板Ｗに適切に塗布できない。

【0106】

これに対して、実施例１の塗布方法では、上述したとり、凹部４１の位置に関わらず、薬液Ｇは各凹部４１に適切に入る。実施例１の塗布方法では、薬液Ｇは、いずれの凹部４１にも同じ様に入る。実施例１の塗布方法では薬液Ｇが各凹部４１に適切に入る理由について、本発明者らは、以下のように推察する。

【0107】

図１３（ａ）、１３（ｂ）は、実施例１の第１工程の概念図である。第１工程では、基板Ｗの第１回転速度Ｒ１は比較的に小さく、且つ、溶剤Ｆが中心部Ｃに落下する。このため、溶剤Ｆが中心部Ｃに落下したとき、溶剤Ｆは基板Ｗの回転方向にあまり動かされない。換言すれば、溶剤Ｆが基板Ｗ上に落下しても、溶剤Ｆが下向きに移動するエネルギーが分散されにくい。よって、溶剤Ｆは凹部４１ａの底部まで容易に入り込むことができる（図１３（ａ）参照）。

【0108】

さらに、第１工程では、溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する期間に、基板Ｗは、基準値Ｎ以上の回数、回転する。第１工程では、第１基準時間Ｔ１以上の時間をかけて、溶剤ノズル２６は中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する。これにより、溶剤Ｆは、基板Ｗのほとんどの部分に落下する。よって、溶剤Ｆは、凹部４１ａ以外の凹部４１の底部にも、容易に入り込むことができる（図１３（ｂ）参照）。

【0109】

その結果、実施例１の薬液供給工程では、薬液Ｇは各凹部４１に円滑に入ることができる。

【0110】

このように、実施例１の塗布方法では、溶剤Ｆが各凹部４１に同じ様に入るので、薬液Ｇを基板Ｗに適切に塗布できる。

【0111】

５．実施例１の効果
実施例１に係る塗布方法によれば、以下の効果を奏する。

【0112】

第１工程は、基板Ｗを第１回転速度Ｒ１で回転させ、中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂとにわたって溶剤ノズル２６を移動させ、且つ、溶剤ノズル２６から溶剤Ｆを吐出させる。溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａに位置するとき、溶剤ノズル２６は中心部Ｃに溶剤Ｆを落下させる。溶剤ノズル２６が周縁位置Ｐｂに位置するとき、溶剤ノズル２６は周縁部Ｅに溶剤Ｆを落下させる。このように、中心部Ｃにも周縁部Ｅにも、第１工程は溶剤Ｆを同じ様に供給する。よって、第１工程は、基板Ｗの全体にわたって均一に、溶剤Ｆを供給できる。このため、薬液供給工程では薬液Ｇは基板Ｗの全体にわたって円滑に広がる。よって、薬液供給工程は基板Ｗに薬液Ｇを均一に塗布できる。このように、本塗布方法によれば、薬液Ｇを基板Ｗに適切に塗布できる。

【0113】

さらに、第１工程によれば、基板Ｗの全体に溶剤Ｆを効率良く供給できる。よって、溶剤Ｆの使用量を抑制しつつ、基板Ｗの全体にわたって均一に溶剤Ｆを供給できる。

【0114】

第１回転速度Ｒ１は比較的に低いので、溶剤Ｆは各凹部４１に容易に入ることができる。溶剤Ｆが凹部４１に入ることによって、薬液供給工程では薬液Ｇが各凹部４１に円滑に入ることができる。よって、薬液Ｇを各凹部４１に好適に埋め込むことができる。

【0115】

第１回転速度Ｒ１は、０ｒｐｍより大きく、且つ、５００ｒｐｍ未満である場合、溶剤Ｆは各凹部４１に円滑に入ることができる。第１回転速度Ｒ１は、０ｒｐｍより大きく、且つ、３００ｒｐｍ以下である場合、溶剤Ｆは各凹部４１に一層円滑に入ることができる。第１回転速度Ｒ１は、１００ｒｐｍ以上で、且つ、２００ｒｐｍ以下である場合、溶剤Ｆは各凹部４１により一層円滑に入ることができる。

【0116】

第１工程において溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂの間を移動する期間に基板Ｗが回転する回数は、基準値Ｎ以上である。このため、第１工程では、溶剤Ｆは、基板Ｗのほとんどの部分に落下する。よって、第１工程は、基板Ｗの全体にわたって一層均一に、溶剤Ｆを供給できる。

【0117】

第１工程において、溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂの間を移動する期間は、第１基準時間Ｔ１以上である。このため、第１工程では、溶剤Ｆは、基板Ｗのほとんどの部分に落下する。よって、第１工程は、基板Ｗの全体にわたって一層均一に、溶剤Ｆを供給できる。

【0118】

第１工程では、溶剤ノズル２６は、周縁位置Ｐｂよりも先に中心位置Ｐａで溶剤Ｆを吐出する。溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａにあるとき、溶剤ノズル２６は基板Ｗに溶剤Ｆを円滑に供給できる。ちなみに、溶剤ノズル２６が周縁位置Ｐｂにあるとき、溶剤Ｆが基板Ｗの周縁端に落下してしまい、溶剤Ｆが大きく飛散するおそれがある。これに対して、溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａにあるとき、溶剤Ｆが大きく飛散するおそれはない。

【0119】

さらに、第１工程では、溶剤ノズル２６が中心位置Ｃから周縁位置Ｅに移動する。このため、溶剤Ｆを基板Ｗの中心部Ｃから周縁部Ｅにわたって円滑に供給し続けることができる。

【0120】

第１工程では、溶剤ノズル２６は中心位置Ｐａで溶剤Ｆを供給し始める。よって、第１工程は、溶剤Ｆの供給を円滑に開始できる。

【0121】

溶剤ノズル２６から吐出された溶剤Ｆは、棒状に流下する。このため、溶剤ノズル２６は、基板Ｗ上に溶剤Ｆを好適に落下させることができる。

【0122】

溶剤供給工程は液盛工程を備える。このため、基板Ｗに溶剤Ｆを好適にしみ込ませることができる。さらに、溶剤Ｆは各凹部４１に一層容易に入ることができる。

【0123】

溶剤供給工程は、第１工程と類似の第２工程を備える。よって、基板Ｗの全体にわたって一層均一に、溶剤Ｆを供給できる。

【0124】

第２回転速度Ｒ２は比較的に低いので、溶剤Ｆは各凹部４１に容易に入ることができる。

【0125】

第２回転速度Ｒ２は、０ｒｐｍより大きく、且つ、５００ｒｐｍ未満である場合、溶剤Ｆは各凹部４１に円滑に入ることができる。第２回転速度Ｒ２は、０ｒｐｍより大きく、且つ、３００ｒｐｍ以下である場合、溶剤Ｆは各凹部４１に一層円滑に入ることができる。第２回転速度Ｒ２は、１００ｒｐｍ以上で、且つ、２００ｒｐｍ以下である場合、溶剤Ｆは各凹部４１により一層円滑に入ることができる。

【0126】

第２工程において溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂの間を移動する期間に基板Ｗが回転する回数は、基準値Ｎ以上である。このため、溶剤Ｆは、基板Ｗのほとんどの部分に同じ様に落下する。よって、第２工程は、基板Ｗの全体にわたって一層均一に、溶剤Ｆを供給できる。

【0127】

第２工程において、溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂの間を移動する期間は、第２基準時間Ｔ２以上である。このため、溶剤Ｆは、基板Ｗのほとんどの部分に同じ様に落下する。よって、第２工程は、基板Ｗの全体にわたって一層均一に、溶剤Ｆを供給できる。

【0128】

溶剤供給工程は薄膜化工程を備える。このため、溶剤Ｆの膜の厚みを好適に薄くできる。薬液供給工程は、溶剤Ｆの薄膜上に薬液Ｇを供給する。その結果、厚みが略均一な薬液Ｇの塗膜を基板Ｗ上に形成できる。薬液Ｇの塗膜の厚みがばらつくことを好適に防止できる。

【0129】

基板Ｗは平面視で円形状を有する。このため、溶剤供給工程は、基板Ｗの全体にわたって一層均一に、溶剤Ｆを供給できる。同様に、薬液供給工程は、基板Ｗの全体にわたって一層均一に、薬液Ｇを供給できる。

【0130】

基板Ｗは凹部４１を有する。この場合であっても、本塗布方法の溶剤供給工程は、基板Ｗの全体にわたって均一に、溶剤Ｆを供給できる。その結果、薬液供給工程は、薬液Ｇを基板Ｗに適切に塗布できる。このように、基板Ｗが凹部４１を有する場合には、本塗布方法は特に高い有用性を有する。

【実施例2】

【0131】

以下、図面を参照して、本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

【0132】

実施例２の基板処理装置１の概要は、実施例１の基板処理装置１の概要と略同じである。このため、実施例２の基板処理装置１の概要に関する説明を省略する。

【0133】

１．薬液ノズル３６およびこれに関連する構成
図１４は、薬液ノズル３６の底面図である。薬剤ノズル３６はスリットノズルである。薬剤ノズル３６は、薬液Ｇを吐出する吐出口３６ａを有する。吐出口３６ａは薬液ノズル３６の下面に形成される。吐出口３６ａは細長い形状を有する。吐出口３６ａは略長方形状を有する。

【0134】

図１５は、基板処理装置１の平面図である。図１５は、移動機構２７の図示を省略する。

【0135】

移動機構３７は、アーム部３７ａと軸部３７ｂと駆動部３７ｃを有する。アーム部３７ａは略水平方向に延びる。アーム部３７ａは、薬液ノズル３６を保持する先端部を有する。薬液ノズル３６は、回転保持部１１に保持される基板Ｗよりも高い位置に配置される。薬液ノズル３６は、吐出口３６ａの長手方向が平面視で基板Ｗの径方向と一致するように、配置される。アーム部３７ａは、軸部３７ｂに接続される基端部を有する。軸部３７ｂはアーム部３７ａを支持する。軸部３７ｂは略鉛直方向に延びる。駆動部３７ｃは軸部３７ｂに連結される。駆動部３７ｃは軸部３７ｂを略水平方向に移動する。駆動部３７ｃは飛散防止カップ３８の外方に配置される。駆動部３７ｃが軸部３７ｂを移動することによって、薬液ノズル３６は略水平方向に移動する。より詳しくは、薬液ノズル３６は、平面視で、吐出口３６ａの長手方向と同じ方向に移動する。吐出口３６ａの長手方向が平面視で基板Ｗの径方向と一致した状態で、薬液ノズル３６は平面視で中心部Ｃに向かって移動する。

【0136】

移動機構３７は、中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂと退避位置Ｐｃにわたって、薬液ノズル３６を移動する。平面視で、中心位置Ｐａは、基板Ｗの中心部Ｃと重なる位置である。平面視で、周縁位置Ｐｂは、基板Ｗの周縁部Ｅと重なる位置である。平面視で、退避位置Ｐｃは、基板Ｗと重ならない位置である。

【0137】

薬液ノズル３６の中心位置Ｐａは、溶剤ノズル２６の中心位置Ｐａと同じ位置でもよいし、溶剤ノズル２６の中心位置Ｐａと異なる位置でもよい。薬液ノズル３６の周縁位置Ｐｂおよび退避位置Ｐｃも、同様である。

【0138】

２．実施例２の塗布方法
次に、基板処理装置１によって実行される塗布方法を例示する。図１６は、実施例２に係る塗布方法の手順を示すフローチャートである。塗布方法は、溶剤供給工程（ステップＳ１０）と薬液供給工程（ステップＳ２０）を含む。

【0139】

溶剤供給工程は、第１工程（ステップＳ１５）と薄膜化工程（ステップＳ１６）を含む。薬液供給工程は、周縁吐出工程（ステップＳ２３）と吐出工程（ステップＳ２４）と液溜まり形成工程（ステップＳ２５）と回転工程（ステップＳ２６）を含む。各工程について説明する。

【0140】

＜ステップＳ１５＞ 第１工程
図１７（ａ）、１７（ｂ）は、第１工程を模式的に示す図である。第１工程は、基板Ｗを第１回転速度Ｒ１で回転させ、中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂとにわたって溶剤ノズル２６を移動させ、且つ、溶剤ノズル２６から溶剤Ｆを吐出させる。より詳しくは、第１工程は、溶剤ノズル２６を中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動させる。第１工程は、中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂへの溶剤ノズル２６の移動を、１度行う。第１工程は、溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する期間にわたって、溶剤ノズル２６から溶剤Ｆを吐出させる。

【0141】

溶剤Ｆは、溶剤ノズル２６から鉛直下方に落下する。落下する溶剤Ｆは棒形状または柱形状を呈する。すなわち、溶剤ノズル２６から吐出された溶剤Ｆは、棒形状または柱形状で流下する。溶剤ノズル２６と基板Ｗとの間には、溶剤Ｆの液柱が形成される。溶剤Ｆの液柱は略鉛直方向に延びる。

【0142】

溶剤Ｆは基板Ｗの上面に落下する。すなわち、溶剤Ｆは基板Ｗの上面に接触する。溶剤Ｆは、基板Ｗの上面に対して略垂直に落下する。溶剤Ｆが基板Ｗに落下した後、溶剤Ｆは基板Ｗの上面において略水平方向に広がる。

【0143】

第１回転速度Ｒ１は比較的に大きい。具体的には、第１回転速度Ｒ１は、５００ｒｐｍ以上であることが好ましい。第１回転速度Ｒ１は、１０００ｒｐｍ以下であることが好ましい。

【0144】

第１回転速度Ｒ１は、一定であることが好ましい。第１工程における溶剤ノズル２６の移動速度は、一定であることが好ましい。

【0145】

図１７（ａ）を参照する。溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａに位置するとき、溶剤ノズル２６が吐出した溶剤Ｆは凹部４１ａに落下する。溶剤Ｆは、凹部４１ａの真上から凹部４１ａに落下する。ただし、第１回転速度Ｒ１が比較的に高いので、溶剤Ｆは凹部４１ａに入りにくい。第１回転速度Ｒ１が比較的に高いので、溶剤Ｆは基板Ｗの上面を略水平方向に移動し易い。

【0146】

図１７（ｂ）を参照する。溶剤ノズル２６が周縁位置Ｐｂに位置するとき、溶剤ノズル２６が吐出した溶剤Ｆが凹部４１ｂに落下する。溶剤Ｆは、凹部４１ｂの真上から凹部４１ｂに落下する。ただし、第１回転速度Ｒ１が比較的に高いので、溶剤Ｆは凹部４１ｂに入にくい。第１回転速度Ｒ１が比較的に高いので、溶剤Ｆは基板Ｗの上面を略水平方向に移動し易い。

【0147】

さらに、基板Ｗの上面上には溶剤Ｆの膜が形成される。溶剤Ｆの膜は基板Ｗの上面の全体に及ぶ。溶剤Ｆの膜は基板Ｗの上面の全体を覆う。

【0148】

その結果、凹部４１を溶剤Ｆで満たさずに、凹部４１の上方を溶剤Ｆの膜で覆う。溶剤Ｆの膜は、凹部４１内の空間を閉塞する蓋として機能する。ここで、凹部４１を溶剤Ｆで満たさずに凹部４１の上方を溶剤Ｆで覆うことを、「凹部４１を溶剤Ｆでテンティングする」と言う。

【0149】

溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する期間に基板Ｗが回転する回数は、基準値Ｎの±２０％の範囲内である。換言すれば、溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する期間に、基板Ｗは、基準値Ｎの８０％以上で、且つ、基準値Ｎの１２０％以下の回数、回転する。溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する期間は、第１基準時間Ｔ１の±２０％の範囲内である。換言すれば、溶剤ノズル２６は、第１基準時間Ｔ１の８０％の以上で、且つ、第１基準時間Ｔ１の１２０％以下の時間をかけて、中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する。

【0150】

例えば、基板Ｗの半径ｒが１５０［ｍｍ］であり、吐出口２６ａの寸法Ｄが３［ｍｍ］であり、第１回転速度Ｒ１が６００［ｒｐｍ］であるとする。この場合、基準値Ｎは５０であり、第１基準時間Ｔ１は５［ｓｅｃ］（１／１２［ｍｉｎ］）である。したがって、溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する期間に、基板Ｗは、４０以上、且つ、６０以下の回数、回転することが好ましい。溶剤ノズル２６は、４［ｓｅｃ］以上、且つ、６［ｓｅｃ］以下の時間をかけて、中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動することが好ましい。

【0151】

溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂとの間を移動することによって、落下領域Ｂは中心部Ｃから周縁部Ｅに移動する。溶剤ノズル２６が移動し、且つ、基板Ｗが回転することによって、落下領域Ｂは、中心部Ｃを中心とした渦巻き状（螺旋状）に移動する。

【0152】

溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する期間に、基板Ｗは、基準値Ｎの±２０％の範囲内の回数、回転する。溶剤ノズル２６は、第１基準時間Ｔ１の±２０％の範囲内の時間をかけて、中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する。これらの結果、落下領域Ｂは、基板Ｗの上面のほとんどの部分に及ぶ。すなわち、溶剤Ｆは、基板Ｗのほとんどの部分に落下する。

【0153】

以上のとおり、第１工程では、溶剤Ｆは、中心部Ｃにも周縁部Ｅにも、落下する。溶剤Ｆは基板Ｗのほとんどの部分に落下する。このように、溶剤Ｆは、基板Ｗの全体にわたって均一に、供給される。溶剤Ｆは凹部４１に入らない。溶剤Ｆは、各凹部４１をテンティングする。

【0154】

＜ステップＳ１６＞ 薄膜化工程
図１７（ｃ）は、薄膜化工程を模式的に示す図である。薄膜化工程は、第１工程の後に行われる。薄膜化工程は、基板Ｗを回転させ、溶剤ノズル２６からの溶剤Ｆの吐出を停止する。

【0155】

薄膜化工程における基板Ｗの回転速度は、第１回転速度Ｒ１よりも大きい。薄膜化工程における基板Ｗの回転速度は、数百［ｒｐｍ］から数千［ｒｐｍ］であることが好ましい。薄膜化工程の期間は、例えば、１［ｓｅｃ］であることが好ましい。

【0156】

薄膜化工程は、基板Ｗ上の溶剤Ｆを振り切る。薄膜化工程は、基板Ｗ上の溶剤Ｆを基板Ｗの外に飛散させる。薄膜化工程は、基板Ｗ上に形成される溶剤Ｆの膜の厚みを薄くする。薄膜化工程により、溶剤Ｆの膜の厚みは、基板Ｗの全体にわたって一層均一になる。ただし、薄膜化工程は、基板Ｗ上の溶剤Ｆを乾燥させない。薄膜化工程の終了時においても、溶剤Ｆの薄膜が、基板Ｗの上面の全体を覆ったままである。薄膜化工程の終了時においても、各凹部４１は溶剤Ｆでテンティングされたままである。

【0157】

薄膜化工程の終了によって、溶剤供給工程を終了する。上述のとおり、溶剤供給工程は、第１工程と薄膜化工程のみを行う。

【0158】

＜ステップＳ２０＞ 薬液供給工程
薬液供給工程は、比較的に高い粘度を有する薬液Ｇを供給する。薬液Ｇは、例えば２００ｃＰ以上の粘度を有することが好ましい。薬液Ｇは、例えば４００ｃＰ以上の粘度を有することがより好ましい。

【0159】

図１８（ａ）−１８（ｃ）は、薬液供給工程を模式的に示す図である。図１８（ａ）−１８（ｃ）の右側の図は、平面図である。図１８（ａ）−１８（ｃ）の左側の図は、側面図である。

【0160】

薬液供給工程では、周縁吐出工程、吐出工程および液溜まり工程が、薬液Ｇを吐出する。ここで、各工程が吐出する薬液を区別する場合には、周縁吐出工程が吐出する薬液Ｇを「薬液Ｇ１」と呼び、吐出工程が吐出する薬液Ｇを「薬液Ｇ２」と呼び、液溜まり工程が吐出する工程を「薬液Ｇ３」と呼ぶ。

【0161】

＜ステップＳ２３＞ 周縁吐出工程
図１８（ａ）は、周縁吐出工程を模式的に示す図である。周縁吐出工程は、基板Ｗを回転させ、薬液ノズル３６を周縁位置Ｐｂに静止させ、且つ、薬液ノズル３６から薬液Ｇ１を吐出させる。周縁吐出工程は、基板Ｗを１回転以上させる。周縁吐出工程は、基板Ｗが１回転以上する期間にわたって、薬液ノズル３６から薬液Ｇ１を吐出させる。

【0162】

薬液Ｇ１は周縁部Ｅに供給される。薬液Ｇ１は、周縁部Ｅに置くように供給される。凹部４１ｂは溶剤Ｆでテンティングされているので、薬液Ｇ１は凹部４１ｂに入らない。

【0163】

＜ステップＳ２４＞ 吐出工程
図１８（ｂ）は、吐出工程を模式的に示す図である。吐出工程は、周縁吐出工程の後に行われる。吐出工程は、基板Ｗを回転させ、中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂとにわたって薬液ノズル３６を移動させ、且つ、薬液ノズル３６から薬液Ｇ２を吐出させる。具体的には、吐出工程は、薬液ノズル３６を、周縁位置Ｐｂから中心位置Ｐａに移動させる。基板Ｗが１回転する期間に薬液ノズル３６が径方向に移動する距離は、吐出口３６ａの長手方向の長さ以下であることが好ましい。吐出工程は、薬液ノズル３６が周縁位置Ｐｂから中心位置Ｐａに移動する期間にわたって、薬液ノズル３６から薬液Ｇ２を吐出させる。

【0164】

薬液Ｇ２は周縁部Ｅの内方に供給される。基板Ｗ上に薬液Ｇを置くように、薬液Ｇ２は供給される。基板Ｗ上に置かれた薬液Ｇ２は、平面視で渦巻き状（螺旋状）に連なる。このように、平面視で渦巻き状（螺旋状）に薬液Ｇを置くように、薬液Ｇ２は基板Ｗに供給される。薬液Ｇ２は、隙間無く置くように供給される。各凹部４１は溶剤Ｆでテンティングされているので、薬液Ｇ１は凹部４１のいずれにも入らない。

【0165】

＜ステップＳ２５＞ 液溜まり工程
図１８（ｃ）は、液溜まり工程を模式的に示す図である。液溜まり工程は、吐出工程の後に行われる。液溜まり工程は、薬液ノズル３６を中心位置Ｐａに静止させ、且つ、薬液ノズル３６から薬液Ｇ３を吐出させる。液溜まり工程は、基板Ｗを回転させてもよいし、基板Ｗを静止させてもよい。

【0166】

薬液Ｇ３は、中心部Ｃに供給される。中心部Ｃには、薬液Ｇ３の液溜まりが形成される。薬液Ｇ３の液溜まりは、薬液Ｇ１、Ｇ２よりも上方に盛り上がる。中心部Ｃにおける単位面積当たりの薬液Ｇの量は、中心部Ｃ以外の基板Ｗの部分における単位面積当たりの薬液Ｇの量よりも、大きい。凹部４１ａは溶剤Ｆでテンティングされているので、薬液Ｇ１は凹部４１ａに入らない。

【0167】

＜ステップＳ２６＞ 回転工程
図１９は、回転工程を模式的に示す図である。回転工程は、液溜まり工程の後に行われる。回転工程は、基板Ｗを回転させ、薬液ノズル３６からの薬液Ｇの吐出を停止する。

【0168】

薬液Ｇは、基板Ｗの上面において略水平方向に円滑に広がる。特に薬液Ｇ３は、略水平方向に円滑に広がる。薬液Ｇは、基板Ｗの上面の全体に円滑に広がる。基板Ｗ上に薬液Ｇの塗膜が形成される。

【0169】

各凹部４１は溶剤Ｆでテンティングされているので、薬液Ｇ１は凹部４１のいずれにも入らない。凹部４１を薬液Ｇで満たさずに凹部４１の上方を薬液Ｇの塗膜で覆う。薬液Ｇの塗膜は、凹部４１内の空間を閉塞する蓋として機能する。ここで、凹部４１を薬液Ｇで満たさずに凹部４１の上方を薬液Ｇで覆うことを、「凹部を薬液Ｇでテンティングする」と言う。

【0170】

回転工程の終了によって、薬液供給工程を終了する。実施例２の塗布方法は、以上の通りである。

【0171】

３．実施例２に関する考察
ここで、実施例２の塗布方法では凹部４１を薬液Ｇで好適にテンティングできる理由について、本発明者らは、以下のように推察する。

【0172】

図２０（ａ）、２０（ｂ）は、実施例２の第１工程の概念図である。第１工程では、基板Ｗの第１回転速度Ｒ１が比較的に大きく、且つ、溶剤Ｆが中心部Ｃに落下する。このため、溶剤Ｆが中心部Ｃに落下したとき、溶剤Ｆは基板Ｗの回転方向に強く動かされる。換言すれば、溶剤Ｆが基板Ｗ上に落下（接触）すると、溶剤Ｆが下向きに移動するエネルギーが分散されやすい。よって、溶剤Ｆが凹部４１ａに入ることを好適に抑制できる（図２０（ａ）参照）。

【0173】

さらに、第１工程では、溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する期間に、基板Ｗは、基準値Ｎの±２０％の範囲内の回数、回転する。第１工程では、第１基準時間Ｔ１の±２０％の範囲内の時間をかけて、溶剤ノズル２６は中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する。これにより、溶剤Ｆは、基板Ｗの全体にまんべんなく、落下する。溶剤Ｆは、基板Ｗの一部に集中的に落下しない。基板Ｗは、溶剤Ｆが局所的に落下する部分を有しない。よって、溶剤Ｆが凹部４１ａ以外の凹部４１に入ることを、好適に抑制できる（図２０（ｂ）参照）。

【0174】

このように、溶剤供給工程では、溶剤Ｆで各凹部４１を均一にテンティングできる。

【0175】

その結果、薬液供給工程では、薬液Ｇは各凹部４１に入ることを好適に防止できる。薬液供給工程では、薬液Ｇで各凹部４１を均一にテンティングできる。

【0176】

このように、実施例２の塗布方法では、各凹部４１を溶剤Ｆでテンティングするので、各凹部４１を薬液Ｇで好適にテンティングできる。

【0177】

４．実施例２の効果
実施例２に係る塗布方法によれば、以下の効果を奏する。

【0178】

第１工程は、基板Ｗを第１回転速度Ｒ１で回転させ、中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂとにわたって溶剤ノズル２６を移動させ、且つ、溶剤ノズル２６から溶剤Ｆを吐出させる。溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａに位置するとき、溶剤ノズル２６は中心部Ｃに溶剤Ｆを落下させる。溶剤ノズル２６が周縁位置Ｐｂに位置するとき、溶剤ノズル２６は周縁部Ｅに溶剤Ｆを落下させる。このように、中心部Ｃにも周縁部Ｅにも、第１工程は溶剤Ｆを同じ様に供給する。よって、第１工程は、基板Ｗの全体にわたって均一に、溶剤Ｆを供給できる。このため、薬液供給工程では薬液Ｇは基板Ｗの全体にわたって円滑に広がる。よって、薬液供給工程は基板Ｗに薬液Ｇを均一に塗布できる。このように、本塗布方法によれば、薬液Ｇを基板Ｗに適切に塗布できる。

【0179】

第１回転速度Ｒ１は比較的に高いので、溶剤Ｆは凹部４１に入りにくい。このため、凹部４１を溶剤Ｆで好適にテンティングできる。凹部４１が溶剤Ｆでテンティングされているので、薬液供給工程では、凹部４１を薬液Ｇで好適にテンティングできる。

【0180】

第１回転速度Ｒ１が５００ｒｐｍ以上である場合、凹部４１を溶剤Ｆで一層好適にテンティングできる。このため、凹部４１を薬液Ｇで一層好適にテンティングできる。

【0181】

第１回転速度Ｒ１が１０００ｒｐｍ以下である場合、溶剤Ｆの乾燥を好適に防止できる。

【0182】

第１工程において溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂの間を移動する期間に基板Ｗが回転する回数は、基準値Ｎの±２０％の範囲内である。このため、第１工程では、溶剤Ｆは基板Ｗのほとんどの部分に落下する。よって、第１工程は、基板Ｗの全体にわたって一層均一に、溶剤Ｆを供給できる。

【0183】

第１工程において溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂの間を移動する期間は、第１基準時間Ｔ１の±２０％の範囲内である。このため、第１工程では、溶剤Ｆが基板Ｗのほとんどの部分に落下する。よって、第１工程は、基板Ｗの全体にわたって一層均一に、溶剤Ｆを供給できる。

【0184】

第１工程では、溶剤ノズル２６は、周縁位置Ｐｂよりも先に中心位置Ｐａで溶剤Ｆを吐出する。溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａにあるとき、溶剤ノズル２６は基板Ｗに溶剤Ｆを円滑に供給できる。ちなみに、溶剤ノズル２６が周縁位置Ｐｂにあるとき、溶剤Ｆが基板Ｗの周縁端に落下してしまい、溶剤Ｆが大きく飛散するおそれがある。これに対して、溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａにあるとき、溶剤Ｆが大きく飛散するおそれはない。

【0185】

さらに、第１工程では、溶剤ノズル２６が中心位置Ｃから周縁位置Ｅに移動する。このため、溶剤Ｆを基板Ｗの中心部Ｃから周縁部Ｅにわたって円滑に供給し続けることができる。

【0186】

第１工程では、溶剤ノズル２６は中心位置Ｐａで溶剤Ｆを供給し始める。よって、第１工程は、溶剤Ｆの供給を円滑に開始できる。

【0187】

溶剤ノズル２６から吐出された溶剤Ｆは、棒状に流下する。このため、溶剤ノズル２６は、基板Ｗ上に溶剤Ｆを好適に落下させることができる。

【0188】

溶剤供給工程は薄膜化工程を備える。このため、溶剤Ｆの膜の厚みを好適に薄くできる。薬液供給工程は、溶剤Ｆの薄膜上に薬液Ｇを供給する。その結果、厚みが略均一な薬液Ｇの塗膜を基板Ｗ上に形成できる。薬液Ｇの塗膜の厚みがばらつくことを好適に防止できる。

【0189】

溶剤供給工程は、第１工程と薄膜化工程のみを行う。このため、溶剤供給工程に要する時間を短縮できる。さらに、溶剤供給工程で使用する溶剤Ｆの量を低減できる。これらの結果、溶剤Ｆが凹部４１に入ることを一層好適に防止できる。すなわち、凹部４１を溶剤Ｆで一層好適にテンティングできる。

【0190】

第１工程と薄膜化工程の組み合わせによって、中心部Ｃと周縁部Ｅとの間で溶剤Ｆの量がばらつくことを好適に抑制できる。

【0191】

具体的には、第１工程では、溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する。溶剤ノズル２６が周縁位置Ｐｂに移動すると、中心部Ｃに溶剤Ｆが供給されなくなる。このため、第１工程の終了時点では、中心部Ｃにおける単位面積当たりの溶剤Ｆの量は、周縁部Ｅにおける単位面積当たりの溶剤Ｆの量よりも、少ない。他方、薄膜化工程では、周縁部Ｅは中心部Ｃよりも速い速度で移動する。このため、周縁部Ｅにおける溶剤Ｆの減少量は、中心部Ｃにおける溶剤の減少量よりも、大きい。その結果、薄膜化工程の終了時点において、中心部Ｃにおける単位面積当たりの溶剤Ｆの量と、周縁部Ｅにおける単位面積当たりの溶剤Ｆの量が、ばらつくことを好適に抑制できる。

【0192】

薬液Ｇは比較的に高い粘度を有する。このため、薬液Ｇは凹部４１に一層入りにくい。よって、薬液供給工程は、凹部４１を薬液Ｇで一層好適にテンティングできる。

【0193】

薬液Ｇが２００ｃＰ以上の粘度を有する場合、薬液供給工程は、凹部４１を薬液Ｇで一層好適にテンティングできる。薬液Ｇが４００ｃＰ以上の粘度を有する場合、薬液供給工程は、凹部４１を薬液Ｇでより一層好適にテンティングできる。

【0194】

基板Ｗは平面視で円形状を有する。このため、溶剤供給工程は、基板Ｗの全体にわたって一層均一に、溶剤Ｆを供給できる。同様に、薬液供給工程は、基板Ｗの全体にわたって一層均一に、薬液Ｇを供給できる。

【0195】

基板Ｗは凹部４１を有する。この場合であっても、本塗布方法の溶剤供給工程は、基板Ｗの全体にわたって均一に、溶剤Ｆを供給できる。その結果、薬液供給工程は、薬液Ｇを基板Ｗに適切に塗布できる。このように、基板Ｗが凹部４１を有する場合には、本塗布方法は特に高い有用性を有する。

【0196】

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

【0197】

（１）上述した各実施例１、２では、溶剤ノズル２６は１つの吐出口２６ａを有したが、これに限られない。例えば、溶剤ノズル２６は複数の吐出口２６ａを有してもよい。

【0198】

（２）上述した各実施例１、２では、溶剤ノズル２６の吐出口２６ａは略円形状を有したが、これに限られない。例えば、吐出口２６ａは、例えば、楕円形状や多角形状を有してもよい。例えば、吐出口２６ａは細長い形状を有してもよい。例えば、溶剤ノズル２６は、スリット型ノズルであってもよい。

【0199】

（３）上述した実施例１、２では、溶剤ノズル２６は、第１工程において中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動したが、これに限られない。溶剤ノズル２６は、第１工程において周縁位置Ｐｂから中心位置Ｐａに移動してもよい。

【0200】

（４）上述した実施例１では、溶剤ノズル２６は、第２工程において周縁位置Ｐｂから中心位置Ｐａに移動したが、これに限られない。溶剤ノズル２６は、第２工程において中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動してもよい。

【0201】

（５）上述した実施例１では、第１工程において溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂとの間で移動する向きは、第２工程において溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂとの間で移動する向きと反対であったが、これに限られない。第１工程において溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂとの間で移動する向きは、第２工程において溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂとの間で移動する向きと同じであってもよい。

【0202】

（６）上述した実施例２では、第１工程において溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａから周縁位置Ｐｂに移動する期間は、第１基準時間Ｔ１の±２０％の範囲内であったが、これに限られない。例えば、第１工程において溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂの間を移動する期間は、第１基準時間Ｔ１の±１［ｓｅｃ］の範囲内であってもよい。換言すれば、溶剤ノズル２６は、第１工程において、第１基準時間Ｔ１の±１［ｓｅｃ］の範囲内の時間をかけて、中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂの間を移動してもよい。

【0203】

（７）上述した各実施例１、２では、溶剤ノズル２６が中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂとの間で移動する経路Ｌ１は、平面視で、基板Ｗの径方向に近似する曲線であったが、これに限られない。例えば、溶剤ノズル２６は、平面視で、基板Ｗの径方向に移動してもよい。例えば、溶剤ノズル２６は、平面視で、中心位置Ｐａと周縁位置Ｐｂの間を直線的に移動してもよい。本変形実施例では、移動機構２７の構造を適宜に変更してもよい。例えば、移動機構２７の構造を、移動機構３７と同等の構造に変更してもよい。

【0204】

（８）上述した実施例１、２では、溶剤ノズル２６の移動速度は、第１工程において一定であったが、これに限られない。溶剤ノズル２６の移動速度は、第１工程において変動してもよい。

【0205】

（９）上述した実施例１では、溶剤ノズル２６の移動速度は、第２工程において一定であったが、これに限られない。溶剤ノズル２６の移動速度は、第２工程において変動してもよい。

【0206】

（１０）上述した実施例１、２において、溶剤ノズル２６は鉛直方向に移動可能に設けられてもよい。例えば、溶剤供給工程において、溶剤ノズル２６は鉛直方向に移動してもよい。本変形実施例によれば、溶剤ノズル２６の高さ位置を変えながら、溶剤ノズル２６は溶剤Ｆを基板Ｗに吐出できる。本変形実施例によれば、基板Ｗと溶剤ノズル２６との間隔を変えながら、溶剤ノズル２６は溶剤Ｆを基板Ｗに吐出できる。

【0207】

（１１）上述した実施例１では、溶剤供給工程は凹部４１を溶剤Ｆで満たしたが、これに限られない。すなわち、溶剤供給工程は、凹部４１を溶剤で満たさなくてもよい。例えば、溶剤供給工程は、凹部４１の内壁および底部の少なくともいずれかに溶剤Ｆを塗布してもよい。これによっても、薬液Ｇは凹部４１に円滑に入ることができる。

【0208】

（１２）上述した実施例２では、溶剤供給工程では溶剤Ｆが凹部４１に入らなかったが、これに限られない。溶剤供給工程では、凹部４１を溶剤Ｆでテンティングできれば、溶剤Ｆが凹部４１に多少入ってもよい。

【0209】

（１３）上述した実施例１では、溶剤供給工程は液盛工程を備えたが、これに限られない。すなわち、溶剤供給工程は、液盛工程を備えなくてもよい。

【0210】

（１４）上述した実施例１では、溶剤供給工程は第２工程を備えたが、これに限られない。すなわち、溶剤供給工程は、第２工程を備えなくてもよい。

【0211】

（１５）上述した実施例１、２では、溶剤供給工程は薄膜化工程を備えたが、これに限られない。すなわち、溶剤供給工程は、薄膜化工程を備えなくてもよい。

【0212】

（１６）上述した実施例２では、薄膜化工程における基板Ｗの回転速度は、第１回転速度Ｒ１よりも大きかったが、これに限られない。例えば、薄膜化工程における基板Ｗの回転速度は、第１回転速度Ｒ１と同じであってもよい。例えば、薄膜化工程における基板Ｗの回転速度は、第１回転速度Ｒ１より低くてもよい。

【0213】

（１７）上述した実施例１では、液盛工程を第１工程の後であって、第２工程の前に行ったが、これに限られない。例えば、液盛工程を第２工程の後に行ってもよい。例えば、第１工程に続いて、第２工程を行ってもよい。

【0214】

（１８）実施例１における薬液供給工程を、実施例２における薬液供給工程に置き換えてもよい。具体的には、実施例１における溶剤供給工程の後に、実施例２における薬液供給工程を行ってもよい。本変形実施例によっても、実施例１と同様の効果を得ることができる。

【0215】

（１９）実施例２における薬液供給工程を、実施例１における薬液供給工程に置き換えてもよい。具体的には、実施例２における溶剤供給工程の後に、実施例１における薬液供給工程を行ってもよい。本変形実施例によっても、実施例２と同様の効果を得ることができる。

【0216】

（２０）実施例１の薬液ノズル３６は、実施例２で説明した薬液ノズル３６と同じ構造を有してもよい。例えば、実施例１の薬液ノズル３６は、実施例２で説明した吐出口３６ａを有してもよい。あるいは、実施例１の薬液ノズル３６は、実施例２で説明した薬液ノズル３６と異なる構造を有してもよい。例えば、実施例１の薬液ノズル３６は、略円形状の吐出口を有してもよい。

【0217】

（２１）上述した実施例１、２において、薬液ノズル３６は鉛直方向に移動可能に設けられてもよい。例えば、薬液供給工程において、薬液ノズル３６は鉛直方向に移動してもよい。本変形実施例によれば、薬液ノズル３６の高さ位置を変えながら、薬液ノズル３６は薬液Ｇを基板Ｗに吐出できる。本変形実施例によれば、基板Ｗと薬液ノズル３６との間隔を変えながら、薬液ノズル３６は薬液Ｇを基板Ｗに吐出できる。

【0218】

（２２）上述した実施例１、２では、基板Ｗは凹部４１を有していたが、これに限られない。すなわち、基板Ｗは凹部４１を有しなくてもよい。例えば、基板Ｗの上面は平坦であってもよい。

【0219】

（２３）上述した実施例１、２および上記（１）から（２２）で説明した各変形実施例については、さらに各構成を他の変形実施例の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

【符号の説明】

【0220】

１ … 基板処理装置
１１ … 回転保持部
２６ … 溶剤ノズル
２６ａ … 吐出口
２７ … 移動機構
３６ … 薬液ノズル
３６ａ … 吐出口
３７ … 移動機構
３９ … 制御部
４１、４１ａ、４１ｂ … 凹部
４３ … 凸部
Ｂ … 落下領域
Ｃ … 中心部
Ｄ … 吐出口２６ａの寸法
Ｅ … 周縁部
Ｆ … 溶剤
Ｇ、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３ … 薬液
Ｐａ … 中心位置
Ｐｂ … 周縁位置
ｒ … 基板Ｗの半径
Ｒ１ … 第１回転速度
Ｒ２ … 第２回転速度
Ｎ … 基準値
Ｔ１ … 第１基準時間
Ｔ２ … 第２基準時間
Ｗ … 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】