特許第6923900号(P6923900)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6923900希薄窒化物犠牲層を用いた化合物半導体薄膜の製造方法
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  • 特許6923900-希薄窒化物犠牲層を用いた化合物半導体薄膜の製造方法 図000002
  • 特許6923900-希薄窒化物犠牲層を用いた化合物半導体薄膜の製造方法 図000003
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