特許 6933747 配線基板および電子装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6933747

(24)【登録日】2021年8月23日

(45)【発行日】2021年9月8日

(54)【発明の名称】配線基板および電子装置

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20210826BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20210826BHJP

   H05K 1/11 20060101ALI20210826BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20210826BHJP

   H05K 3/40 20060101ALI20210826BHJP

【ＦＩ】

   H05K1/02 C

   H01L23/12 Q

   H05K1/11 F

   H05K3/00 X

   H05K3/40 D

【請求項の数】5

【全頁数】15

(21)【出願番号】特願2020-69109(P2020-69109)

(22)【出願日】2020年4月7日

(62)【分割の表示】特願2018-135894(P2018-135894)の分割

【原出願日】2014年9月24日

(65)【公開番号】特開2020-127024(P2020-127024A)

(43)【公開日】2020年8月20日

【審査請求日】2020年4月7日

(73)【特許権者】

【識別番号】000006633

【氏名又は名称】京セラ株式会社

(72)【発明者】

【氏名】鬼塚 善友

【審査官】 黒田 久美子

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１２−１４２８７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−２８８６５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平６−２９６０７６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−１７３８０７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−１８５９７１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｋ １／０２

Ｈ０５Ｋ １／１１

Ｈ０１Ｌ ２３／１２

Ｈ０５Ｋ ３／４０

Ｈ０５Ｋ ３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１主面を有する第１絶縁層および該第１主面と相対する第２主面を有する第２絶縁層を含む絶縁基板と、
前記第１主面から側面にかけて形成された第１キャスタレーションと、
該第１キャスタレーションの内側面に被着された側面導体とを有しており、
前記第１キャスタレーションのうち少なくとも前記内側面に前記側面導体が被着された部分は、前記第２主面側の端部から前記第１主面側の端部にかけて内側に狭まっており、
前記第２絶縁層は、前記側面導体における前記第２主面側の端部上に位置しており、
前記絶縁基板が前記第２主面に第２キャスタレーションを有しており、該第２キャスタレーションは前記第１キャスタレーションと連通しているとともに、前記第２主面側の幅が前記第１主面側の幅よりも大きいことを特徴とする配線基板。

【請求項2】

前記側面導体は、前記第２主面側の端部において、前記第１主面側の端部よりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。

【請求項3】

第１主面を有する第１絶縁層および該第１主面と相対する第２主面を有する第２絶縁層を含む絶縁基板と、
前記第１主面から側面にかけて形成された第１キャスタレーションと、
該第１キャスタレーションの内側面に被着された側面導体とを有しており、
前記第１キャスタレーションのうち少なくとも前記内側面に前記側面導体が被着された部分は、前記第２主面側の端部から前記第１主面側の端部にかけて内側に狭まっており、
前記第２絶縁層は、前記側面導体における前記第２主面側の端部上に位置しており、
前記側面導体は、前記第２主面側の端部において、前記第１主面側の端部よりも厚いことを特徴とする配線基板。

【請求項4】

前記絶縁基板の内部に形成された配線導体と、前記絶縁基板の内部に形成された補助導体とを備えており、前記補助導体は、前記側面導体の前記第２主面側の端部および前記配線導体に接続されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の配線基板。

【請求項5】

請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の配線基板と、
該配線基板に搭載された電子部品とを有していることを特徴とする電子装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板および電子装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体等のセラミック焼結体からなる絶縁基板に、電子部品を搭載するための搭載部を有している。搭載部に電子部品が搭載されたのちに、絶縁基板上に蓋体が接合されて搭載部が気密に封止される。

【0003】

このような配線基板は、一般に、１枚の広面積の母基板から複数個の配線基板を同時集約的に得るようにした、いわゆる多数個取り配線基板の形態で製作されている。多数個取り配線基板は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる母基板に複数の配線基板領域が縦横に配列されている。配線基板領域の境界に沿って、母基板の上面等の主面に分割溝が形成されている。この分割溝を挟んで母基板に曲げ応力が加えられて母基板が破断することによって、個片の配線基板に分割される。分割溝は、例えば未焼成の母基板の上面および下面に、配線基板領域の外周に沿ってカッター刃等を用いて所定の深さで切り込みを入れることによって形成される（特許文献１を参照）。

【0004】

配線基板領域の境界には貫通孔が設けられ、貫通孔の内側面には隣り合う配線基板領域の間で、それぞれの配線導体同士を互いに電気的に接続するための導体層（側面導体）が設けられている。この側面導体によって、複数の配線基板領域の配線導体が互いに電気的に接続されている。これにより、例えば複数の配線基板領域の配線導体を一体的にまとめて、保護用等の電解めっきを施すことができる。

【0005】

近年、配線基板は小さなものとなってきており、例えば縦横の寸法が1.6×1.2ｍｍの大きさのものが製作されている。この配線基板の小型化に応じて、多数個取り配線基板における配線基板領域も小さくなってきている。このような小型化が著しい配線基板領域が配列された多数個取り配線基板においては、機械的な加工の精度等の理由により、未焼成の状態で、隣り合う配線基板領域の境界にカッター刃を用いて分割溝を設けることが難しい。そこで、位置精度に優れるレーザー加工によって分割溝を成形する方法が提案されている（特許文献２を参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開2006−5035号公報

【特許文献2】特開2012−81647号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

しかし、従来の技術の多数個取り配線基板については、次のような不具合が生じる可能性があった。すなわち、レーザー加工によって母基板の各配線基板領域の境界に分割溝が形成される際に、この貫通孔内の側面導体の一部が切断される可能性がある。この場合、例えば溝を形成した後に電解めっきを施すときに、複数の配線基板領域の少なくとも一部で、配線導体にめっき層が被着されないという問題が生じる可能性があった。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一つの態様の配線基板は、第１主面を有する第１絶縁層および該第１主面と相
対する第２主面を有する第２絶縁層を含む絶縁基板と、前記第１主面から側面にかけて形成された第１キャスタレーションと、該第１キャスタレーションの内側面に被着された側面導体とを有しており、前記第１キャスタレーションのうち少なくとも前記内側面に前記側面導体が被着された部分は、前記第２主面側の端部から前記第１主面側の端部にかけて内側に狭まっており、前記第２絶縁層は、前記側面導体における前記第２主面側の端部上に位置しており、前記絶縁基板が前記第２主面に第２キャスタレーションを有しており、該第２キャスタレーションは前記第１キャスタレーションと連通しているとともに、前記第２主面側の幅が前記第１主面側の幅よりも大きい。また、第１主面を有する第１絶縁層および該第１主面と相対する第２主面を有する第２絶縁層を含む絶縁基板と、前記第１主面から側面にかけて形成された第１キャスタレーションと、該第１キャスタレーションの内側面に被着された側面導体とを有しており、前記第１キャスタレーションのうち少なくとも前記内側面に前記側面導体が被着された部分は、前記第２主面側の端部から前記第１主面側の端部にかけて内側に狭まっており、前記第２絶縁層は、前記側面導体における前記第２主面側の端部上に位置しており、前記側面導体は、前記第２主面側の端部において、前記第１主面側の端部よりも厚い。

【0009】

本発明の一つの態様の電子装置は、上記構成の配線基板と、該配線基板に搭載された電子部品とを有している。

【発明の効果】

【0010】

本発明の一つの態様の配線基板によれば、側面導体の断線が抑制された配線基板を提供することができる。すなわち、第１キャスタレーションが第２主面側の端部から第１主面側の端部にかけて内側に狭まっている構造となっている。言い換えれば、第１主面側から見たときに、第１孔部内の側面導体が母基板の第１主面側に隠れて見えにくい。よって、レーザー加工により母基板の各配線基板領域の境界に形成されたキャスタレーションとなる孔部を跨いで分割溝を形成する際に、第１孔部内の側面導体にレーザーが照射され難く側面導体の断線が抑制される。

【0011】

本発明の一つの態様の電子装置によれば、上記構成の配線基板を有することから、側面導体の断線が抑制された電子装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】（ａ）は本発明の実施形態の配線基板を含む多数個取り配線基板における要部を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。

【図2】（ａ）は、本発明の実施形態の配線基板を示す上面図であり、（ｂ）はその下面図である。

【図3】図１に示す配線基板を含む多数個取り配線基板の要部をさらに拡大して示す断面図である。

【図4】本発明の他の実施形態の配線基板を含む多数個取り配線基板を示す要部を拡大した断面図である。

【図5】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施形態の配線基板を含む多数個取り配線基板の製造方法を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

本発明の配線基板および電子装置について、添付の図面を参照しつつ説明する。

【0014】

図１（ａ）は、本発明の実施形態の配線基板を含む多数個取り配線基板における要部を示す上面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ−Ｘ’線における断面図である。また、図２は、本発明の実施形態の配線基板を示す上面図であり、（ｂ）はその下面図である。また、図３は、図１に示す配線基板を含む多数個取り配線基板の要部をさらに拡大して
示す断面図である。また、図４（ａ）は、図１に示す配線基板を含む多数個取り配線基板の第１の変形例における要部を拡大して示す断面図であり、図４（ｂ）はその下面図である。実施形態の多数個取り配線基板は、例えば図１に示すような部分がさらに多数個連結されたものでもよい。

【0015】

実施形態の多数個取り配線基板において、母基板101に複数の配線基板領域102が配列されている。母基板101は、第１主面103および第２主面104を有している。配線基板領域102の境界105に沿って分割溝106が設けられている。分割溝106が設けられている部分におい
て、母基板101は貫通孔（符号なし）を有している。貫通孔は、第１孔部107および第２孔部108を有している。第１孔部107の内側面には側面導体109が設けられている。各配線基
板領域102において、母基板101の上面には電子部品を収容する凹状の搭載部110が設けら
れている。搭載部110の底面には接続導体111が設けられている。また、多数個取り配線基板は他の導体部分として補助導体112、配線導体113、枠状メタライズ層114、および外部
接続導体115等を有している。また、多数個取り配線基板の各搭載部110は、例えば蓋体等の封止材によって封止される。母基板101は、上部絶縁層101ａと、上部絶縁層101ａの下
に積層された下部絶縁層101ｂとを含んでいる。上部絶縁層101aは、搭載部110となる複数の貫通部（符号なし）を有している。下部絶縁層101ｂは平板状である。

【0016】

下部絶縁層101ｂの上面のうち上部絶縁層101ａの貫通部の内側露出する部分が搭載部110の底面に相当する。また、上部絶縁層101ａの貫通部は、搭載部110を囲む側壁部分に相
当する。配線基板領域102が個々に分割されて後述する個片の配線基板202になる。この個片の配線基板202のそれぞれが上面の中央部に凹状の搭載部110を有している。この搭載部110を囲む枠部は、上部絶縁層101ａの貫通部を囲む枠状の部分が個片に分割されてなるものである。

【0017】

上記のように、母基板101が配線基板領域102の境界105に沿って分割されて、例えば図
２に示すような個片の配線基板202が作製される。作製される個片の配線基板202は、下部絶縁層101ｂの上面に枠状の上部絶縁層101ａが積層されてなる絶縁基板（符号なし）に、上記枠状メタライズ層114および配線導体113等が設けられて、基本的に構成されている。この配線基板202の搭載部110内に電子部品が実装されて電子装置（図示せず）が作製される。なお、以下の個片の配線基板202に関する説明において、上記多数個取り配線基板と
同様の部位については、特に両者区別することなく同様の符号を用いている。

【0018】

母基板101は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体，ガラスセラミック焼結体，窒化ア
ルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体またはムライト質焼結体等のセラミック焼結体により形成されている。

【0019】

なお、この実施の形態の例において、図１等に示すように母基板101の外周には、図示
しないが配列された複数の配線基板領域102を取り囲むように捨て代領域が設けられてい
る。捨て代領域は、多数個取り配線基板の取り扱いを容易とすること等のために設けられている。また、例えば捨て代領域の対向する辺部には、各配線基板領域102の配線導体113等に電解めっきを被着させるため、めっき用端子（図示せず）が設けられている。

【0020】

母基板101は、例えば上部絶縁層101ａおよび下部絶縁層101ｂ等が一体焼成されて作製
されている。すなわち、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の、ガラス成分を含む原料粉末に適当な有機溶剤およびバインダーを添加してシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製し、この一部のものについて打ち抜き加工を施して複数の貫通部を形成した後、打ち抜き加工を施していない平板状のセラミックグリーンシートの上に、貫通部を形成したセラミックグリーンシートを積層し、この積層体を一体焼成すれば、上部絶縁層101ａおよび下部絶縁層101ｂが積層されてなる母基板101を作製することができる
。

【0021】

母基板101に配列された複数の配線基板領域102は、上記のように、第２主面104（本実
施形態においては上面）において、中央部等に電子部品（図示せず）の凹状の搭載部110
を有している。それぞれの配線基板領域102において、例えば搭載部110内に露出する下部絶縁層101ｂの上面に電子部品が搭載、固定される。また、この電子部品は、搭載部110（上部絶縁層101ａの貫通部）を囲む上部絶縁層101ａの枠状の部分によって保護される。

【0022】

この配線基板領域102が個片に分割されてなる配線基板202においても、下部絶縁層101
ｂ上に電子部品が搭載され、枠状の上部絶縁層101ａによって、搭載部110に収容されて電子部品が保護される。なお、配線基板202は、それぞれの角部分に上記孔部の跡としてキ
ャスタレーション118を有している。

【0023】

搭載部110に収容される電子部品としては、水晶振動子等の圧電振動子，弾性表面波素
子，半導体集積回路素子（ＩＣ）等の半導体素子，容量素子，インダクタ素子および抵抗器等の種々の電子部品を挙げることができる。

【0024】

母基板101の内部および表面には、搭載部110の底部から母基板101の下面にかけて配線
導体113が形成されている。配線導体113のうち搭載部110の底部に形成された部分は、例
えば搭載部110の短辺側の端部に設けられた接続導体111と直接に接続されている。配線導体113のうち母基板101の下面に形成された部位は、例えばそれぞれの配線基板領域102に
おける下面の外周部に位置している外部接続導体115と直接に接続されている。外部接続
導体115は、例えば個片の配線基板202（電子装置）を外部の電気回路（図示せず）に電気的に接続させるための接続パッドとして機能する。配線導体113のうち母基板101の内部に形成されたもの（図示せず）は、いわゆるビア導体や内部配線層等の形態である。搭載部110に搭載される電子部品が接続導体111を介して配線導体113に電気的に接続されること
により、接続導体111、配線導体113および外部接続導体115等を介して、電子部品が外部
の電気回路に電気的に接続される。

【0025】

配線導体113等の導体部分は、例えば銅や銀，パラジウム，金，白金，タングステン，
モリブデン，マンガン等の金属材料からなる。配線導体113等が、例えば、モリブデンか
らなる場合であれば、モリブデンの粉末に有機溶剤およびバインダーを添加して作製した金属ペースト（図示せず）を母基板101となるセラミックグリーンシートに所定パターン
に塗布しておき、同時焼成することによって形成することができる。

【0026】

このような形態の多数個取り配線基板が個片に分割されて作製される配線基板202は、
例えば電子部品として圧電振動素子が搭載されて、携帯電話や自動車電話等の通信機器、コンピュータ、ＩＣカード等の情報機器等の電子機器において、周波数や時間の基準となる発振器として使用される。

【0027】

前述したように、母基板101を分割するために、母基板101の第１主面103および第２主
面104には、配線基板領域102の外周に沿って分割溝106が形成されている。分割溝106が形成されている部分（配線基板領域102の境界105）で母基板101に応力を加えて母基板101を厚み方向に破断させることによって、多数個取り配線基板が個片の配線基板202に分割さ
れる。

【0028】

分割溝106は、例えば母基板101の第１主面103および第２主面104に対して、配線基板領域102の外周に沿ってレーザー光による溝加工（以下、単にレーザ−加工ともいう）が施
されて形成されている。

【0029】

この実施形態の例においては、分割溝106に接するそれぞれの配線基板領域102の上面には枠状メタライズ層114が形成されている。枠状メタライズ層114に蓋体が接合されて搭載部110が封止される。また、枠状メタライズ層114上にニッケルめっき層および金めっき層等のめっき層（図示せず）が順次被着されている。枠状メタライズ層114は、例えば配線
導体113等と同様の金属材料からなる。例えば、枠状メタライズ層114がモリブデンのメタライズ層からなる場合であれば、モリブデンの粉末に有機溶剤、バインダー等を添加して作製した金属ペーストを、セラミック絶縁層（上記枠部）となるセラミックグリーンシートの上面に所定パターンで印刷しておくことにより形成することができる。金属ペーストは、例えば、焼成後の枠状メタライズ層114の厚みが5〜20μｍ程度となるように形成される。

【0030】

また、枠状メタライズ層114を被覆するニッケル等のめっき層は、枠状メタライズ層114の酸化腐食を防止するとともに、ろう付けなどの際の濡れ性向上や接合強度向上のために形成されたものである。めっき層は、例えば下側にニッケルめっき層が形成され、上側に金めっき層が形成されてなる二層構造となっているのが好ましい。ここで、コストの面から金属めっき膜は薄く形成されるのが好ましく、ニッケルめっき層は1〜20μｍ程度、金
めっき層は0.1〜1.0μｍ程度に形成される。これらの金属めっき膜は、例えばめっき液中で被めっき部（枠状メタライズ層114の露出表面）にめっき被着用の電流を供給し、電気
めっきを施すことにより形成することができる。

【0031】

母基板101について、分割溝106が設けられた部分において母基板101の厚み方向に貫通
する孔部（符号なし）を有している。孔部は、第１孔部107および第２孔部108を含んでいる。このうち、第１主面103から上方向に形成されている第１孔部107には、その内周面に側面導体109が被着されている。側面導体109は、例えば配線導体113等と同様の金属材料
からなるメタライズ層である。この側面導体109は、隣り合う配線基板領域102の間で、それぞれの配線導体113等の導体部分同士を互いに電気的に接続するための導通経路として
作用する。この側面導体109によって、複数の配線基板領域102の導体部分同士が互いに電気的に接続されている。これにより、例えば複数の配線基板領域102の導体部分同士が一
体的に電気的に接続されたものになり、その露出部分（接続導体111および外部接続導体115等）にまとめて、ニッケル等のめっき層を被着させることができる。側面導体109は、
個片の配線基板202における外部接続用等の端子が設けられる部分となる。

【0032】

この実施形態の例では、第１孔部107のうち内側面に側面導体109が被着された部分が、第２主面104側の端部から第１主面103側の端部にかけて内側に狭まっている。

【0033】

すなわち、例えば第１主面103側から見て円形状である第１孔部107について、その内径が第２主面104側の端部から第１主面103側の端部にかけて内側に狭まっている構造となっている。言い換えれば、第１主面103側から見たときに、第１孔部107内の側面導体109が
母基板101の第１主面103側に隠れて見えにくい構造となっている。よって、レーザー加工により母基板101の各配線基板領域102の境界105に分割溝106を形成する際に、第１孔部107内の側面導体109にレーザー光（以下、単にレーザ−という）119が照射されにくく側面
導体109の断線が抑制される。この状態を、以下の通り図３で詳細に説明する。

【0034】

母基板101の各配線基板領域102の境界105に形成された孔部は、第１主面103側に形成された第１孔部107と第２主面104側に形成された第２孔部108とが互いに母基板101の厚み方向に連通するように形成されている。母基板101の境界105にレーザー119により分割溝106を形成する場合、この孔部の直径に沿ってレーザー119が連続して照射される。レーザー119による分割溝106は、第１主面103側、第２主面104側の両方に形成される。第１孔部107の内側面には側面導体109が被着されているため、仮に、この側面導体109にもレーザー119が照射された場合、側面導体109が削られる可能性がある。この場合、側面導体109の断
線や導通抵抗の増加等が生じる可能性がある。すなわち、隣接する配線導体113間におい
て電気めっき用の電流の導通性が低下する可能性があった。

【0035】

これに対して、例えば図３のように第１孔部107の内径が第２主面104側の端部から第１主面103側の端部にかけて内側に狭まっている構造としたことから、母基板101の第１主面103側がレーザー119の遮蔽部として作用する。これにより側面導体109へのレーザー119の照射を抑制することができる。よって、側面導体109の断線および導通抵抗の増加等が抑
制される。なお、孔部付近のレーザー119による分割溝106の加工では、図３において破線で示すように、レーザー119が孔部の内側面に連続して照射されることにより分割溝106の深さが若干深くなる傾向がある。

【0036】

側面導体109は、上記のように、隣り合う配線基板領域102の間で、それぞれの配線導体113同士を互いに電気的に接続するための導通経路として作用する。そのため、分割溝106が深すぎると側面導体109が分割溝106部分で削られて、隣接する配線導体113間の導通性
が低下する可能性がある。したがって、分割溝106はこの側面導体109の厚み方向に対して30〜70％程度の深さで形成される。また、側面導体109と搭載部110の接続導体111との導
通確保は、例えば上部絶縁層101ａと下部絶縁層101ｂとの層間に形成された配線導体113
によって行なわれる。この場合、側面導体109と接続導体111とが、配線導体113を介して
接続される。

【0037】

本実施形態においては、第１主面103側と同様に第２主面104側にもレーザー119によっ
て分割溝106が形成されている。第２主面104側に上記めっき用の導通経路となる配線導体が形成されていない場合には、導通性の低下や断線等のために分割溝106の深さに対する
制限が少なくなる。すなわち、例えば第１主面103側よりも深い分割溝106が第２主面104
側に設けられて、母基板101の破断をより容易にすることもできる。

【0038】

また、母基板101が第２主面104に第２孔部108を有しているときに、第２孔部108は、第１孔部107と連通しているとともに、第２主面104側の開口が第１主面103側の開口よりも
大きいものであってもよい。この場合にも、第１主面103側（下部絶縁層101ｂの領域）にレーザー119で分割溝106を形成する際に、第１孔部107内の側面導体109にレーザー119が
照射されにくく、側面導体109の断線が抑制される。また、第２主面104側（上部絶縁層101ａの領域）にレーザー119で分割溝106を形成する際に、第２孔部108の奥までレーザー119が照射されやすい。そのため、第２孔部108が位置している部分においても分割溝106を
十分に深く形成することができる。したがって、母基板101分割性を向上させる上でより
有利な形態とすることができる。

【0039】

これについてより詳細に説明する。母基板101の第１および第２両主面103、104（以下
、単に両主面ともいう）に分割溝106を形成する場合には、平面透視において第１主面103側の分割溝106と第２主面104側の分割溝106とが互いにほぼ同じ位置に形成されることに
より、母基板101が厚み方向に破断するときに上下の分割溝106間で破断がより容易に生じる。これによって、母基板101の分割後に側面（破断面）にバリや欠けが抑制された配線
基板202を製作することができる。そのため、母基板101の破断の容易さを考慮すれば、上下の分割溝106は互いに平面透視で同じ位置に重なるように形成されていることが好まし
く、このような位置で分割溝106を形成するレーザー加工等が行なわれる。

【0040】

しかしながら、母基板101の配線基板領域102の境界105にレーザー119により分割溝106
を形成すると、上記のように第１孔部107と第２孔部108とが同じ径で連通している場合、側面導体109にレーザー119が２回にわたって照射される可能性がある。すなわち、第２主面104側の分割溝106を形成するときのレーザー119と、第１主面103側の分割溝106を形成
するときのレーザー119とである。このときには、孔部（分割溝106の仮想の延長線上）に
おいて重複して照射されることになり、側面導体109がさらにレーザー119で削られやすくなる。そのため、上記のような断線や導通性の低下の可能性が高くなる可能性がある。

【0041】

これに対して、図３の例のように第２孔部108において第２主面104側の開口が第１主面103側の開口よりも大きい場合には、第１主面103側では側面導体109の断線や導通性の低
下を抑制しながら、第２主面104側では上面視で第２孔部108の側面が見通せる状態になる。つまり、レーザー119が第２孔部108の奥まで照射されやすいため、第２主面104側の第
２孔部108の近傍に形成される分割溝106がより深く形成される。よって、母基板101の分
割性が向上する。

【0042】

また、この場合には、第２孔部108の第１主面103側の開口が小さいため、第２孔部108
の内側面自体が第１孔部107の内側面の側面導体109に対するレーザー119の遮蔽領域とし
て作用する。そのため、第２主面104側からのレーザー119は側面導体109に照射されにく
い。よってレーザー119による側面導体109の断線や導通性の低下の可能性はより小さい。

【0043】

また、この場合には、次のような効果も得られる。すなわち、第２孔部108について第
２主面104側の開口が第１主面103側の開口よりも大きく、かつ第２主面104側から比較的
深く分割溝106が形成されるため、めっき液の孔部（第１孔部107や第２孔部108）内への
循環がよくなり、さらにめっき時に発生する気泡（水素ガス）等の孔部外への排出性が向上する。よって、めっき層の欠けや所定のめっき厚みよりも薄くなることが抑制されて、側面導体109に良好にめっき層を被着させることができる。

【0044】

また、側面導体109は、第２主面104側の端部において、第１主面103側の端部よりも厚
くてもよい。このような場合にも、第１主面103側（下部絶縁層101ｂの領域）にレーザー119で分割溝106を形成する際に、第１孔部107内の側面導体109にレーザー119が照射され
にくい。また、側面導体109の厚みが第２主面104側の端部において厚いことにより、導体としての断面積（導体を伝送される電流に直交する方向における断面の面積）を確保しやすい構造となるため、側面導体109の断線および導通性の低下等がより効果的に抑制され
る。なお、以下の説明において上記導体としての断面を単に断面という。

【0045】

この例を図３の要部断面図で示した。図３では、側面導体109の厚みが第２主面104側の端部において厚くなっており、第１孔部107の奥側（つまり、第２主面104側）において導体としての断面積が大きくなっている。また、この例では、第１孔部107の側面導体109が被着された内側面が、第２主面104側の端部から第１主面103側の端部にかけて内側に傾斜している。つまり、側面導体109のうち第２主面104の端部は、第１孔部107の内側に張り
出すことなく、その厚みが厚くなっている。この状態でレーザー119で分割溝106が形成されると、より効果的に側面導体109の導通性の低下や断線等が抑制される。

【0046】

また、母基板101の両主面に分割溝106が形成される場合、第１主面103側と同様に第２
主面104側にもレーザー119による分割溝106が形成される。そして、第２孔部108は第２主面104側の開口が第１主面103側の開口よりも大きいため、側面導体109に第１主面103側のレーザー119だけでなく第２主面104側のレーザー119が分割溝106の延長線上において重複して照射されることがある。しかし、側面導体109の厚みが第２主面104側の端部において厚いことにより、側面導体109の断線や導通性の低下の可能性が低減される。

【0047】

また、図４に、母基板101の第２主面104に孔部が形成されない、つまり孔部（第１孔部107）が第２主面104側には開口を有していない構造を示している。また、図４の例においても、側面導体109の厚みが第２主面104側の端部において厚い。このような場合にも、第１孔部107の奥側（つまり、第２主面104側）において導体としての断面積が大きくなり、より効果的に側面導体109の導通性の低下や断線等が抑制される。

【0048】

なお、図４で示す構造では、母基板101の両主面に分割溝106が形成される場合、第１主面103側と同様に第２主面104側にレーザー119による分割溝106が形成されていても、第２主面104側に孔部が開口していないため、上部絶縁層101ａがレーザー119の遮蔽領域とな
り、側面導体109に第２主面104側の分割溝106を形成するレーザー119が側面導体109に重
複して（上下から）照射されることがない。よって、側面導体109の導通性の低下や断線
等がさらに効果的に抑制される。

【0049】

また、この例において、第１主面103側の分割溝106と第２主面104側の分割溝106とが、第１孔部107の上方において連通した構造（図示せず）としてもよい。この例では第２主
面104側に孔部が存在しないため、第１主面103側のレーザー119は第１孔部107の底部に露出した上部絶縁層101ａに照射される。これによって、孔部において上部絶縁層101ａの第１主面103側（孔部の底部）にも分割溝106が形成される。このときに、第２主面104側に
レーザー119が、配線基板領域102の境界105に沿って照射されると、第２主面104側の分割溝106の底部と第１主面103側の分割溝106の底部とが孔部において互いに連通し合う。

【0050】

この場合、第２主面104側のレーザー119により形成される分割溝106の深さは孔部以外
の領域においては、上部絶縁層101ａの厚みを超えない。そのため、この分割溝106によって配線導体113や側面導体109が断線したり、断面の一部が切断されて導通性が低下する可能性は小さい。また、この場合にも、連通した分割溝106によってめっき液の第１孔部107への循環がよくなり、側面導体109に良好にめっき層が被着される効果が得られる。

【0051】

なお、分割溝106の形状や深さは、例えば、上部絶縁層101ａと下部絶縁層101ｂの厚み
関係（厚みの比率）や配線導体113の位置、またはレーザーの種類、強度（レーザー加工
装置の出力）等の各種の条件により、種々に設定され得る。レーザーの種類は、例えば紫外線領域の波長のものを使用できる。紫外線領域の波長のレーザーは、固体レーザーによるパルス周波数１０〜２００ｋＨｚ、パルス幅５ｎｓ以上、加工点出力１〜４０Ｗ程度のものである。紫外線領域の波長の固体レーザーとしては、ＹＡＧ、ＹＶＯ_４などの結晶より励起されるものがあり、それぞれのパルス特性および、被加工物の加工性に応じて最適なものを選定すればよい。

【0052】

また、母基板101は、その内部に補助導体112を有していてもよい。補助導体112は、例
えば側面導体109の第２主面104側の端部（上端部）と配線導体113とを互いに接続するた
めの内部導体である。補助導体112は、例えば側面導体109と配線導体113との電気的な接
続信頼性向上のために、上部絶縁層101ａと下部絶縁層101ｂとの界面部分における上部絶縁層101ａおよび下部絶縁層101ｂの両方の表面にそれぞれ設けられていてもよい（この状態は図示せず）。

【0053】

また、補助導体112が設けられている場合に、側面導体109の上端部分を比較的厚くして、上部絶縁層101ａと下部絶縁層101ｂとの界面部分における平面視で第１孔部107の周囲
の側面導体109の幅を比較的広くするようにしてもよい。この場合には、側面導体109と補助導体112とがより広い範囲で接続されるため、下部絶縁層101ｂに補助導体112を形成せ
ずとも側面導体109と上部絶縁層101ａの補助導体112とを良好に接続することができる。

【0054】

なお、側面導体109の上端が比較的厚いときに、図３に示すように側面導体109の上端の一部が変形して第２孔部108側（上方向）に突出したはみ出し部117が形成されてもよい。このはみ出し部117が上部絶縁層101ａに形成された補助導体112と孔部の内側面（母基板101の露出表面）において重なるため、さらに側面導体109と配線導体113との補助導体112
を介した電気的な接続を確実なものとすることができる。なお、側面導体109のはみ出し
部117を効果的に形成するには、第１孔部107の第２主面104側の径が、第２孔部108の第１
主面103側の径よりも若干小さくなるように、つまり、第２孔部108の第１主面103側の下
端が第１孔部107の第２主面104側の上端に、第１孔部107の内周が露出した状態で積層す
ればよい。なお、積層工程での側面導体109はメタライズ層が乾燥したものであり、バイ
ンダーを含有していることから、柔軟性を持った状態となっている。

【0055】

また、このはみ出し部117は、第２孔部108において下端周辺（第１主面103側の開口周
辺）から内側に突出しているため、言い換えれば、このはみ出し部117の開口が第２孔部108の第１主面103側の開口よりも小さいため、このはみ出し部117も第２主面104側からの
レーザー119の遮蔽領域として作用する。そのため、この場合には第１孔部107の内側面に形成されている側面導体109にレーザー119がさらに照射されにくい。よって、第２主面104側から照射されるレーザー119による側面導体109の断線や導通性の低下の可能性がさら
に低減される。

【0056】

個片の配線基板202は、例えば上記実施形態の多数個取り配線基板が配線基板領域102毎に分割されてなる。これにより、側面導体109の断線が抑制されるとともに、分割時のバ
リや欠けが抑制されて外形寸法精度に優れた配線基板202を提供できる。このような配線
基板202を図２（ａ）、（ｂ）に上面図および下面図で示す。

【0057】

上記説明の通り、例えば加工の位置精度が高いレーザー加工によって分割溝106が成形
される。配線基板202の絶縁基板は、例えば上部絶縁層101ａが下部絶縁層101ｂよりも厚
い。この場合には、分割前の母基板101において第２主面104の分割溝106を比較的深く（
例えば第１主面103の分割溝106よりも深く）して、第２主面104側、つまり上部絶縁層101ａ側の分割をより容易にできるようにすればよい。分割溝106を比較的深くするには、例
えば、第２孔部108において第２主面104側の開口を第１主面103側の開口よりも大きくす
ればよい。これにより、第２主面104側から見たときに第２孔部108の内側面を見通せる状態になり、レーザー119が第２孔部108の奥まで照射されやすい。よって、第２主面104側
（特に第２孔部108の近傍）に形成される分割溝106がより深くなり、母基板101の分割性
がさらに向上する。これにより分割時のバリや欠けがより効果的に抑制され、外形寸法精度にさらに優れた配線基板202を提供できる。

【0058】

また、上述のように側面導体109のレーザー119による断線や導通性の低下の可能性が低減されるため、この側面導体109を介して隣り合う配線基板領域102の被めっき部（接続導体111および枠状メタライズ層114等の露出した表面）をより確実に電気的に接続させることができる。そのため、被めっき部にめっき被着用の電流をより確実に供給して電気めっきを被着させることができる。

【0059】

また、側面導体109が第２主面104側の端部において、第１主面103側の端部よりも厚い
場合には、個片の配線基板202に関して次のような効果も得られる。すなわち、母基板101を各配線基板202に分割するために、例えば、母基板101を第１主面103側が谷（凹側）に
なるように、第１主面103側から押圧して曲げ応力を加える際に、第２主面104側の分割溝106の先端部から第１主面103の方向に進行する亀裂を、側面導体109が厚い部分から薄い
部分にかけてより容易に直線的に進行させることができる。これは、次のような理由による。

【0060】

つまり、側面導体109の厚みが勾配を有していること、およびメタライズ導体において
は厚みが比較的大きい部分から小さい部分に向かって亀裂が進行しやすい傾向があることから、側面導体109のうち厚みの大きい側から小さい側に分割時の亀裂が進行しやすい。
よって、亀裂の進行方向が曲がることが抑制されて、側面導体109を配線基板領域102の境界105に沿って縦に二分割させることができる。その結果、亀裂の進行が曲がることに起
因したバリや欠けが抑制される。したがって、外形寸法精度に優れるとともに、側面導体
109の剥がれも防止された配線基板202を提供できる。

【0061】

次に、本発明の実施形態の配線基板を含む多数個取り配線基板の製造方法について、図５（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。なお、以下の説明において、上述した実施形態の多数個取り配線基板等に関する説明と重複する点については説明を省略する。

【0062】

まず、図５（ａ）に示すように、第１主面103を有し、下部絶縁層101ｂとなる第１セラミックグリーンシート（101ｂ）を準備して、金型による打ち抜き加工等により第１孔部107となる貫通孔（貫通孔としては符号なし）を形成する。なお、第１孔部107が、第２主
面104側の端部から第１主面103側の端部にかけて内側に狭まっている構造とするためには、例えば第１主面103側が打ち抜き開始面となるように第１セラミックグリーンシート（101ｂ）を厚み方向に打ち抜けばよい。これにより、上金型（パンチ部）と下金型（凹部）とのクリアランス（隙間）により、打ち抜き開始面よりも打ち抜き終了面の径が大きくなり、この径の差に応じたテーパーが形成された孔部を形成することができる。

【0063】

次に、図５（ｂ）に示すように、上記実施形態の多数個取り配線基板における第２主面104に相当する主面を有し、上部絶縁層101ａとなる第２セラミックグリーンシート（101
ａ）を準備する。この第２セラミックグリーンシート（101ａ）についても、第１孔部107となる貫通孔と同様に第２孔部108となる貫通孔（貫通孔としては符号なし）を形成する
。また、第２セラミックグリーンシート（101ａ）の中央部を打ち抜いて開口部（符号な
し）を形成して枠状に加工する。枠状の第２セラミックグリーンシート（101ａ）を第１
セラミックグリーンシート（101ｂ）上に積層して、上記実施形態の多数個取り配線基板
における搭載部110を囲む枠部を形成する。ここで、第２孔部108は、第２主面104側の開
口がこれと反対側の開口よりも大きくなるように形成してもよい。なお、第２孔部108と
なる貫通孔と枠部を形成するための開口部とは、一括して形成してもよい。

【0064】

次に、図５（ｃ）に示すように、第１セラミックグリーンシート（101ｂ）の貫通孔の
内側面に、側面導体109となる金属ペースト205を塗布する。具体的には次の通りである。まず、孔部に対応した位置に吸引孔を有する載置台の上に第１セラミックグリーンシート（101ｂ）を載置するとともに、この第１セラミックグリーンシート（101ｂ）の上面に、第１セラミックグリーンシート（101ｂ）の貫通孔を露出させる開口部を有する印刷マス
クを載置する。そして、この印刷マスクの上から貫通孔内にスキージの摺動により金属ペースト205を供給するとともに、その金属ペースト205を吸引孔から吸引する。以上の工程によって第１セラミックグリーンシート（101ｂ）の貫通孔の内側面に金属ペースト205を塗布することができる。塗布された金属ペースト205は、焼成時に焼結して第１孔部107内の側面導体109となる。

【0065】

ここで、側面導体109を第２主面104側の端部において、第１主面103側の端部よりも厚
く形成する場合には、例えば図５（ｃ）に示すように印刷マスクの上から第１孔部107と
なる貫通孔内に金属ペースト205をスキージ等により供給する際に、その貫通孔の開口の
小さい側から大きい側に向かう方向で金属ペースト205を吸引すればよい。これにより、
第１孔部107となる貫通孔の開口の大きい側（下側）に、吸引した金属ペースト205の一部が重力により垂れ下がって金属ペースト205が厚く形成される。よって、側面導体109を第２主面104側の端部において、第１主面103側の端部よりも厚く形成することができる。

【0066】

次に、図５（ｄ）に示すように、下部絶縁層101ｂとなる第１セラミックグリーンシー
ト（101ｂ）に、上部絶縁層101ａとなる第２セラミックグリーンシート（101ａ）を積層
することにより、母基板101となるセラミックグリーンシート積層体が形成される。なお
、第１孔部107と第２孔部108とは積層後に連通した構造となる。この実施形態の例で作製した母基板101は、例えば、内部に形成された配線導体113と補助導体112とを備えており
、補助導体112が側面導体109の第２主面104側の端部（側面導体109の厚い側）と配線導体113とに接続されている。配線導体113および補助導体112は、例えば上述した実施形態の
多数個取り配線基板に関する説明と同様の材料および方法で形成されている。

【0067】

上述したように、第１セラミックグリーンシート（101ｂ）と第２セラミックグリーン
シート（101ａ）とを互いに上下に積層した場合、加圧時の圧力により側面導体109となる金属ペースト（塗布後は符号なし）の上端の一部が変形して第２孔部108（貫通孔）側（
上方向）に突出し、はみ出し部117が形成される場合がある。このはみ出し部117は、第２セラミックグリーンシート（101ａ）に形成された補助導体112と露出表面において重なるため、さらに配線導体113同士の接続を確実なものとすることができる。

【0068】

なお、側面導体109のはみ出し部117を効果的に形成するには、例えば、上述したように、第１孔部107の第２主面104側の径が、第２孔部108の第１主面103側の径よりも若干小さくなるように、つまり、第２孔部108の第１主面103側の下端が第１孔部107の第２主面104側の上端に、第１孔部107の内周が露出した状態で積層すればよい。

【0069】

その後、このように製作されたセラミックグリーンシート積層体を高温で焼成して、次の工程で分割溝106を形成すれば多数個取り配線基板を製作することができる。

【0070】

そして、図５（ｅ）に示すように、上記積層体のうち第１セラミックグリーンシート（101ｂ）の第１主面103に、貫通孔を通過するようにレーザー119を照射する。レーザー119の照射位置は、上述した実施形態の多数個取り配線基板における配線基板領域（図５では符号なし）の境界105である。直線状の境界105に沿って順次照射位置を移動させながらレーザー119の照射を行なう。このレーザー加工により、境界105に沿って分割溝106が形成
される。なお、図５（ｅ）は搭載部110を下側とした状態で、第１主面103側からレーザー119を照射する状態を示している。

【0071】

第１孔部107の内径が第２主面104側の端部から第１主面103側の端部にかけて内側に狭
まっている構造となっている。よって、レーザー加工により母基板101に分割溝106を形成する際に、第１孔部107内の側面導体109にレーザー119が照射されにくく側面導体109の断線が抑制される。つまり、第１主面103側の端部がレーザー119の遮蔽領域として作用する。

【0072】

また、例えば、第１主面103側において、側面導体109と外部接続導体115との接続性を
良好なものとするために、第１孔部107の周囲にリング状導体（図示せず）を形成した場
合には、母基板101に分割溝106を形成する際に、このリング状導体の厚み分だけレーザー119に対する遮蔽効果がより有効に得られる。そのため、この場合には、より一層第１孔
部107内の側面導体109にレーザー119が照射されにくくなり、さらに効果的に側面導体109の断線が抑制される。

【0073】

また、第２孔部108は第１孔部107と連通しているとともに、第２主面104側の開口が第
１主面103側の開口よりも大きい場合には、第２主面104側（上部絶縁層101ａの領域）に
レーザー119で分割溝106を形成する際に、第２孔部108の奥までレーザー119が照射されやすいため、母基板101分割性を向上させることができる。よって、この場合には、第１主
面103側では側面導体109の断線や導通性の低下が抑制され、第２主面104側では母基板101の分割性が向上された多数個取り配線基板を実現できる。

【0074】

なお、本発明の配線基板および電子装置は、以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えても何ら差し支えない。例えば、上記実施形態の例において、母基板101および配線基板202を１層の上部絶縁層101ａ
と１層の下部絶縁層101ｂの合計２層の絶縁層で構成したが、３層以上の絶縁層（図示せ
ず）で母基板101および配線基板202を構成してもよい。また、配線基板202の枠状メタラ
イズ層114は、ニッケルめっき層および金めっき層が上面に被着されたものとしたが、枠
状メタライズ層114には、被着されためっき層に、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金か
らなる金属枠体（図示せず）が接合されていてもよい。

【0075】

また、第１孔部107や第２孔部108を金型による打ち抜き加工で形成したが、レーザー加工装置による孔空け加工としてもよい。この場合、レーザー119の照射開始面が終了面よ
りも開口径が大きくなる傾向があり、これを応用して第１孔部107や第２孔部108を形成することもできる。

【0076】

また、例えば平面視で四角形状である配線基板領域102の角部に限らず、辺部分に第１
孔部107等が設けられていてもよい。

【符号の説明】

【0077】

101・・・母基板
101a・・・上部絶縁層
101b・・・下部絶縁層
102・・・配線基板領域
103・・・第１主面
104・・・第２主面
105・・・境界
106・・・分割溝
107・・・第１孔部
108・・・第２孔部
109・・・側面導体
110・・・搭載部
111・・・接続導体
112・・・補助導体
113・・・配線導体
114・・・枠状メタライズ層
115・・・外部接続導体
117・・・はみ出し部
118・・・キャスタレーション
119・・・レーザー
202・・・配線基板
205・・・金属ペースト

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】