【図1】本中性子半導体検出器を示す断面図である。

【図2】図１の中性子半導体検出器の積層体を示す斜視図である。

【図3】図２の積層体の平面視における部分的な顕微鏡写真である。

【図4】図１の中性子半導体検出器のＩ層における中性子検出の原理を説明するための模式図である。

【図5】実施例に係る中性子半導体検出器のＰ層とＮ層との間における電流電圧特性を測定した結果を示すグラフである。

【図6】実施例に係る中性子半導体検出器においてＩ層へのα線の入射に応じた電気信号を測定した結果を示すグラフである。

【図7】実施例に係る中性子半導体検出器と比較例に係る中性子半導体検出器とのそれぞれにおいて各Ｉ層へのα線の入射に応じた各電気信号を測定した結果を比較して示すグラフである。

【図8】比較例に係る中性子半導体検出器を示す断面図である。

【図9】比較例に係る中性子半導体検出器においてＧａＮで形成されたＩ層への中性子の入射に応じた電気信号を測定した結果を示すグラフである。