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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6948841
(24)【登録日】2021年9月24日
(45)【発行日】2021年10月13日
(54)【発明の名称】情報処理装置及びその表示方法
(51)【国際特許分類】
G06F 3/0488 20130101AFI20210930BHJP
G06F 3/041 20060101ALI20210930BHJP
G06F 3/0484 20130101ALI20210930BHJP
G09G 5/00 20060101ALI20210930BHJP
G09G 5/38 20060101ALI20210930BHJP
G09G 5/14 20060101ALI20210930BHJP
G09G 5/36 20060101ALI20210930BHJP
G02F 1/1333 20060101ALI20210930BHJP
H01L 51/50 20060101ALI20210930BHJP
H01L 27/32 20060101ALI20210930BHJP
H05B 33/14 20060101ALI20210930BHJP
G09F 9/46 20060101ALI20210930BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20210930BHJP
【ＦＩ】
G06F3/0488 130
G06F3/041 595
G06F3/041 590
G06F3/0484 120
G09G5/00 510H
G09G5/00 530M
G09G5/00 550X
G09G5/00 530D
G09G5/38 Z
G09G5/14 A
G09G5/36 520P
G02F1/1333
H05B33/14 A
H01L27/32
H05B33/14 Z
G09F9/46 Z
G09F9/00 366A
G09F9/00 366G
【請求項の数】5
【全頁数】47
(21)【出願番号】特願2017-109312(P2017-109312)
(22)【出願日】2017年6月1日
(65)【公開番号】特開2017-220234(P2017-220234A)
(43)【公開日】2017年12月14日
【審査請求日】2020年4月28日
(31)【優先権主張番号】特願2016-111951(P2016-111951)
(32)【優先日】2016年6月3日
(33)【優先権主張国】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】村田 卓
【審査官】
円子 英紀
(56)【参考文献】
【文献】
特開２０１２−０９８８４４（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１３−１２５２８６（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開平０８−２７２９９４（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００１−０９２３９０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｇ０６Ｆ ３／０４８−３／０４８９
Ｇ０６Ｆ ３／０４１
Ｇ０９Ｇ ５／００
Ｇ０９Ｇ ５／３８
Ｇ０９Ｇ ５／１４
Ｇ０９Ｇ ５／３６
Ｇ０２Ｆ １／１３３３
Ｈ０１Ｌ ５１／５０
Ｈ０１Ｌ ２７／３２
Ｈ０５Ｂ ３３／１４
Ｇ０９Ｆ ９／４６
Ｇ０９Ｆ ９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示部と、
入力部と、
演算部と、
記憶部と、を有し
前記入力部は、第１の接触点及び第２の接触点を検出する機能と、前記第１の接触点が固定され且つ前記第２の接触点が移動したときに、前記第１の接触点から前記第２の接触点が移動した点までを第１の軌跡として検出する機能を有し、
前記演算部は、前記表示部において、前記第１の軌跡が検出された領域に示される情報を前記記憶部に記憶する機能を有し、
前記入力部は、前記第１の軌跡を検出した後、第３の接触点及び第４の接触点を検出する機能と、前記第３の接触点が固定され且つ前記第４の接触点が移動したときに、前記第３の接触点から前記第４の接触点が移動した点までを第２の軌跡として検出する機能を有し、
前記演算部は、前記記憶部に記憶された前記情報を、前記第２の軌跡が検出された領域に貼り付ける機能を有する、
ことを特徴とする情報処理装置。
入力部と、
演算部と、
記憶部と、を有し
前記入力部は、第１の接触点及び第２の接触点を検出する機能と、前記第１の接触点が固定され且つ前記第２の接触点が移動したときに、前記第１の接触点から前記第２の接触点が移動した点までを第１の軌跡として検出する機能を有し、
前記演算部は、前記表示部において、前記第１の軌跡が検出された領域に示される情報を前記記憶部に記憶する機能を有し、
前記入力部は、前記第１の軌跡を検出した後、第３の接触点及び第４の接触点を検出する機能と、前記第３の接触点が固定され且つ前記第４の接触点が移動したときに、前記第３の接触点から前記第４の接触点が移動した点までを第２の軌跡として検出する機能を有し、
前記演算部は、前記記憶部に記憶された前記情報を、前記第２の軌跡が検出された領域に貼り付ける機能を有する、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項2】
表示部と、
入力部と、
演算部と、
記憶部と、を有し
前記入力部は、第１の接触点及び第２の接触点を検出する機能と、前記第１の接触点が固定され且つ前記第２の接触点が移動したときに、前記第１の接触点から前記第２の接触点が移動した点までを第１の軌跡として検出する機能を有し、
前記演算部は、前記表示部において、前記第１の軌跡の近傍に第１のポップアップウインドウを表示させる機能を有し、
前記入力部は、前記第１のポップアップウインドウにおける接触点を検出する機能を有し、
前記演算部は、前記第１のポップアップウインドウにおける接触点で選択された情報に従って、前記第１の軌跡が検出された領域に表示される情報を前記記憶部に記憶する機能を有し、
前記演算部は、前記表示部において、前記第１のポップアップウインドウを消去させる機能を有し、
前記入力部は、前記第１の軌跡を検出した後、第３の接触点及び第４の接触点を検出する機能と、前記第３の接触点が固定され且つ前記第４の接触点が移動したときに、前記第３の接触点から前記第４の接触点が移動した点までを第２の軌跡として検出する機能を有し、
前記演算部は、前記表示部において、前記第２の軌跡の近傍に第２のポップアップウインドウを表示する機能を有し、
前記入力部は、前記第２のポップアップウインドウにおける接触点を検出する機能を有し、
前記演算部は、前記第２のポップアップウインドウにおける接触点で選択された情報に従って、前記記憶部に記憶された前記情報を、前記第２の軌跡が検出された領域に貼り付ける機能を有し、
前記演算部は、前記表示部において、前記第２のポップアップウインドウを消去させる機能を有する、
ことを特徴とする情報処理装置。
入力部と、
演算部と、
記憶部と、を有し
前記入力部は、第１の接触点及び第２の接触点を検出する機能と、前記第１の接触点が固定され且つ前記第２の接触点が移動したときに、前記第１の接触点から前記第２の接触点が移動した点までを第１の軌跡として検出する機能を有し、
前記演算部は、前記表示部において、前記第１の軌跡の近傍に第１のポップアップウインドウを表示させる機能を有し、
前記入力部は、前記第１のポップアップウインドウにおける接触点を検出する機能を有し、
前記演算部は、前記第１のポップアップウインドウにおける接触点で選択された情報に従って、前記第１の軌跡が検出された領域に表示される情報を前記記憶部に記憶する機能を有し、
前記演算部は、前記表示部において、前記第１のポップアップウインドウを消去させる機能を有し、
前記入力部は、前記第１の軌跡を検出した後、第３の接触点及び第４の接触点を検出する機能と、前記第３の接触点が固定され且つ前記第４の接触点が移動したときに、前記第３の接触点から前記第４の接触点が移動した点までを第２の軌跡として検出する機能を有し、
前記演算部は、前記表示部において、前記第２の軌跡の近傍に第２のポップアップウインドウを表示する機能を有し、
前記入力部は、前記第２のポップアップウインドウにおける接触点を検出する機能を有し、
前記演算部は、前記第２のポップアップウインドウにおける接触点で選択された情報に従って、前記記憶部に記憶された前記情報を、前記第２の軌跡が検出された領域に貼り付ける機能を有し、
前記演算部は、前記表示部において、前記第２のポップアップウインドウを消去させる機能を有する、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項3】
請求項２において、前記表示部は、第１の表示素子と第２の表示素子を有し、
前記第１の表示素子は、反射型の液晶素子であり、
前記第２の表示素子は、発光素子であり、
前記第２の表示素子は、前記第１のポップアップウインドウ及び前記第２のポップアップウインドウを表示する、
ことを特徴とする情報処理装置。
前記第１の表示素子は、反射型の液晶素子であり、
前記第２の表示素子は、発光素子であり、
前記第２の表示素子は、前記第１のポップアップウインドウ及び前記第２のポップアップウインドウを表示する、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項4】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記入力部はタッチパネルであることを特徴とする情報処理装置。
【請求項5】
第１の接触点及び第２の接触点を検出する第１のステップと、
前記第１の接触点が固定され且つ前記第２の接触点が移動したときに、前記第１の接触点から前記第２の接触点が移動した点までを第１の軌跡として検出する第２のステップと、
前記第１の軌跡が検出された領域の近傍に第１のポップアップウインドウを表示する第３のステップと、
前記第１のポップアップウインドウにおける接触点を検出する第４のステップと、
前記第１のポップアップウインドウおける接触点で選択された情報に従って、前記第１の軌跡が検出された領域に表示される情報を記憶部に記憶する第５のステップと、
第３の接触点及び第４の接触点を検出する第６のステップと、
前記第３の接触点が固定され且つ前記第４の接触点が移動したときに、前記第３の接触点から前記第４の接触点が移動した点までを第２の軌跡として検出する第７のステップと、
前記第２の軌跡の近傍に第２のポップアップウインドウを表示する第８のステップと、
前記第２のポップアップウインドウにおける接触点を検出する第９のステップと、
前記第２のポップアップウインドウおける接触点で選択された情報に従って、前記情報を前記第２の軌跡が検出された領域に貼り付ける第１０のステップと、
を有する情報処理装置の表示方法。
前記第１の接触点が固定され且つ前記第２の接触点が移動したときに、前記第１の接触点から前記第２の接触点が移動した点までを第１の軌跡として検出する第２のステップと、
前記第１の軌跡が検出された領域の近傍に第１のポップアップウインドウを表示する第３のステップと、
前記第１のポップアップウインドウにおける接触点を検出する第４のステップと、
前記第１のポップアップウインドウおける接触点で選択された情報に従って、前記第１の軌跡が検出された領域に表示される情報を記憶部に記憶する第５のステップと、
第３の接触点及び第４の接触点を検出する第６のステップと、
前記第３の接触点が固定され且つ前記第４の接触点が移動したときに、前記第３の接触点から前記第４の接触点が移動した点までを第２の軌跡として検出する第７のステップと、
前記第２の軌跡の近傍に第２のポップアップウインドウを表示する第８のステップと、
前記第２のポップアップウインドウにおける接触点を検出する第９のステップと、
前記第２のポップアップウインドウおける接触点で選択された情報に従って、前記情報を前記第２の軌跡が検出された領域に貼り付ける第１０のステップと、
を有する情報処理装置の表示方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、表示装置、入出力装置、情報処理装置、表示方法または半導体装置に関する。
【0002】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【0003】
タッチパネルを有する情報処理装置は、複数の指等で入力された座標位置及びその軌跡を検出することにより、ディスプレイに表示された情報や画像を操作することができる。ディスプレイに表示される情報や画像をタッチパネルに指を触れることで選択する、また、該指を上下方向や左右方向に移動することにより、該選択した情報や画像を、削除処理または拡大表示する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００１−２９０５８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の一態様は、操作性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。操作の信頼性の高い新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、操作性に優れた、新規な表示方法を提供することを課題の一とする。または、操作の信頼性が高い、新規な表示方法を提供することを課題の一とする。または、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置、新規な表示方法または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【0006】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様は、表示部と、入力部と、演算部と、記憶部と、を有する情報処理装置であって、入力部は、第１の接触点及び第２の接触点を検出する機能と、第１の接触点が固定され且つ第２の接触点が移動したときに、第２の接触点が移動した第１の軌跡を検出する機能を有する。また、演算部は、表示部において、第１の軌跡が検出された領域に示される情報を記憶部に記憶する機能を有する。また、入力部は、第１の軌跡を検出した後、第３の接触点及び第４の接触点を検出する機能と、第３の接触点が固定され且つ第４の接触点が移動したときに、第４の接触点が移動した第２の軌跡を検出する機能を有する。また、演算部は、記憶部に記憶された情報を、第２の軌跡が検出された領域に貼り付ける機能を有する。
【0008】
また、本発明の一態様は、表示部と、入力部と、演算部と、記憶部とを有する情報処理装置であって、入力部は、第１の接触点及び第２の接触点を検出する機能と、第１の接触点が固定され且つ第２の接触点が移動したときに、第２の接触点が移動した第１の軌跡を検出する機能を有する。また、演算部は、表示部において、第１の軌跡の近傍に第１のポップアップウインドウを表示させる機能を有する。また、入力部は、第１のポップアップウインドウにおける接触点を検出する機能を有する。また、演算部は、第１のポップアップウインドウにおける接触点で選択された情報に従って、第１の軌跡が検出された領域に表示される情報を記憶部に記憶する機能を有する。また、演算部は、表示部において、第１のポップアップウインドウを消去させる機能を有する。また、入力部は、第１の軌跡を検出した後、第３の接触点及び第４の接触点を検出する機能と、第３の接触点が固定され且つ第４の接触点が移動したときに、第４の接触点が移動した第２の軌跡を検出する機能を有する。また、演算部は、表示部において、第２の軌跡の近傍に第２のポップアップウインドウを表示する機能を有する。また、入力部は、第２のポップアップウインドウにおける接触点を検出する機能を有する。また、演算部は、第２のポップアップウインドウにおける接触点で選択された情報に従って、記憶部に記憶された情報を、第２の軌跡が検出された領域に貼り付ける機能を有する。また、演算部は、表示部において、第２のポップアップウインドウを消去させる機能を有する。
【0009】
なお、表示部は、第１の表示素子と第２の表示素子を有し、第１の表示素子は、反射型の液晶素子であり、第２の表示素子は、発光素子であり、第２の表示素子は、第１のポップアップウインドウ及び第２のポップアップウインドウを表示してもよい。また、入力部はタッチパネルであってもよい。
【0010】
また、本発明の本発明の一態様は、第１の接触点及び第２の接触点を検出する第１のステップと、第１の接触点が固定され且つ第２の接触点が移動したときに、第２の接触点が移動した第１の軌跡を検出する第２のステップと、第１の軌跡が検出された領域の近傍に第１のポップアップウインドウを表示する第３のステップと、第１のポップアップウインドウにおける接触点を検出する第４のステップと、第１のポップアップウインドウおける接触点で選択された情報に従って、第１の軌跡が検出された領域に表示される情報を記憶部に記憶する第５のステップと、第３の接触点及び第４の接触点を検出する第６のステップと、第３の接触点が固定され且つ第４の接触点が移動したときに、第４の接触点が移動した第２の軌跡を検出する第７のステップと、第２の軌跡の近傍に第２のポップアップウインドウを表示する第８のステップと、第２のポップアップウインドウにおける接触点を検出する第９のステップと、第２のポップアップウインドウおける接触点で選択された情報に従って、情報を第２の軌跡が検出された領域に貼り付ける第１０のステップと、を有する情報処理装置の表示方法である。
【0011】
本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
【0012】
本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。
【0013】
本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
【0014】
本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。
【0015】
本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。
【0016】
本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【0017】
また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
【発明の効果】
【0018】
本発明の一態様によれば、操作性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、操作の信頼性の高い新規な情報処理装置を提供することができる。または、操作が簡単であり、新規な表示方法を提供することができる。または、操作の信頼性が高く、新規な表示方法を提供することができる。または、新規な入出力装置、新規な情報処理装置、新規な表示方法または新規な半導体装置を提供することができる。
【0019】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図。
【図2】実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図。
【図3】実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図および図。
【図4】実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図および図。
【図5】実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図および図。
【図6】実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図。
【図7】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図。
【図8】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる入力部の構成を説明するブロック図。
【図9】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図。
【図10】実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する断面図。
【図11】実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する断面図。
【図12】実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する下面図。
【図13】実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの画素回路を説明する回路図。
【図14】実施の形態に係る表示装置に用いることができる画素の反射膜の形状を説明する模式図。
【図15】実施の形態に係る電子機器の構成を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【0021】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【0024】
＜情報処理装置の構成例１．＞本実施の形態で説明する情報処理装置２００は、入出力装置２２０と、演算装置２１０と、を有する（図７（Ａ）参照）。入出力装置２２０は、演算装置２１０と電気的に接続される。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図７（Ｂ）または図７（Ｃ）参照）。
【0025】
入出力装置２２０は表示部２３０および入力部２４０を備える（図７（Ａ）参照）。入出力装置２２０は検知部２５０を備える。また、入出力装置２２０は通信部２９０を備えることができる。
【0026】
入出力装置２２０は情報Ｖ１、Ｖ２または制御情報ＳＳが供給される機能を備え、位置情報Ｐ１または検知情報Ｓ１を供給する機能を備える。
【0027】
演算装置２１０は位置情報Ｐ１または検知情報Ｓ１が供給される機能を備える。演算装置２１０は情報Ｖ１、Ｖ２を供給する機能を備える。演算装置２１０は、例えば、位置情報Ｐ１または検知情報Ｓ１に基づいて動作する機能を備える。
【0028】
なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。
【0029】
表示部２３０は情報Ｖ１に基づいて情報を表示する機能を備える。表示部２３０は情報Ｖ２に基づいて情報を表示する機能を備える。表示部２３０は制御情報ＳＳに基づいて情報を表示する機能を備える。なお、表示部２３０で表示する情報とは、文字情報、画像情報等がある。
【0030】
入力部２４０は、位置情報Ｐ１を供給する機能を備える。なお、位置情報Ｐ１には、表示座標と該座標において表示される情報を含む。
【0031】
検知部２５０は検知情報Ｓ１を供給する機能を備える。検知部２５０は、例えば、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。検知部２５０は、例えば、情報処理装置２００が使用される環境の環境光の色度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。
【0032】
これにより、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。例えば、情報処理装置の使用環境の明るさに合わせて、表示部２３０の照度を制御することが可能であり、情報処理装置の消費電力の制御、視認性の向上が可能である。
【0033】
以下に、情報処理装置を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに入力部でもある。
【0034】
《演算装置２１０》演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。
【0035】
《演算部２１１》演算部２１１は、表示部２３０において情報を表示させる機能を備える。また、演算部２１１は、入力部２４０で検出された情報を記憶部２１２に記憶させる機能を備える。また、演算部２１１は、ソフトウエア（プログラム）を実行する機能を備える。
【0036】
《記憶部２１２》記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。また、記憶部２１２は、入力部２４０で検出した位置情報を記憶する機能を有する。
【0037】
具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。
【0038】
《入出力インターフェース２１５、伝送路２１４》入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報が供給される機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力装置２２０と電気的に接続することができる。
【0039】
伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報が供給される機能を備える。例えば、演算部２１１、記憶部２１２または入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。
【0040】
《入出力装置２２０》入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０、検知部２５０または通信部２９０を備える。
【0043】
例えば、表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを入力部２４０に用いることができる。表示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。
【0044】
例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。
【0045】
例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析し、解析結果が所定の条件を満たすとき、特定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。
【0046】
一例を挙げれば、使用者は、情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッチパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる。
【0047】
《検知部２５０》検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、照度情報、姿勢情報、圧力情報、位置情報等を供給できる。
【0048】
例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路、圧力センサ、温度センサ、湿度センサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。
【0049】
《通信部２９０》通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。
【0050】
《表示情報の処理方法１》次に、本発明の一形態の、操作性に優れ、操作の信頼性の高い表示情報の処理方法について、説明する。ここでは、表示情報の選択、コピー、切り取り、貼り付け等の操作について説明する。図１乃至図５は、表示情報の処理方法の一形態を説明するフローチャート及び表示例である。なお、図２、図３（Ｂ）、図４（Ｂ）、及び図５（Ｂ）乃至（Ｄ）は、情報処理装置２００において、表示部１０２における操作方法を説明する図である。
【0051】
図１に示すように、ステップＡ１において、入力部が２つの接触点を検出する。例えば、図２（Ａ）に示すように、人差し指１１０と中指１１２が表示部１０２上に設けられたタッチパネルに接することで、タッチパネルは、２つの接触点を検知する。
【0052】
次に、ステップＡ２において、２つの接触点の操作を判断する。２つの接触点のうち、１点目が固定され、且つ２点目が表示部１０２から離されることなく移動する（スワイプ処理ともいう。）操作が行われた場合、ステップＡ４へ進む。例えば、図２（Ｂ）に示すように、人差し指１１０は固定されたまま、中指１１２が矢印で示すように、一方向に移動する操作が行われた場合、ステップＡ４へ進む。
【0053】
このとき、スワイプ処理された軌跡をマーカ表示１２０することで、選択された情報を強調表示することが可能であり、好ましい。
【0054】
２つの接触点のうち、一方の接触点を固定したまま、他方の接触点がスワイプ処理を行うことで、所定の領域の情報を容易且つ正確に選択することが可能である。また、この結果、情報処理装置の操作性及び操作の信頼性を高めることが可能である。
【0055】
ステップＡ２において、２つの接触点のうち、１点目と２点目がそれぞれ、表示部のスクリーンから離されることなく移動する（スワイプ処理）操作が行われた場合、ステップＡ１１へ進む。例えば、人差し指が左方向に、中指が右方向に移動する操作が行われた場合、ステップＡ１１へ進む。ステップＡ１１では、２つの接触点の動きに合わせて、表示情報の拡大表示または縮小表示（ピンチイン・ピンチアウト処理、ともいう。）が行われる。この後、スワイプ処理の終了とともに、表示情報の拡大表示または縮小表示の処理を終了する。
【0056】
ステップＡ４において、スワイプ処理された軌跡の領域（以下、選択領域という。）が文書または画像上の場合、ステップＡ５に進む。
【0057】
ステップＡ５において、選択領域における位置情報と選択領域において表示される情報を検出する。また、コピー、切り取り、及び貼り付け等の操作情報を有するポップアップウインドウ（図２（Ｃ）の領域１３０）を表示する。
【0058】
次に、使用者がポップアップウインドウで表示された操作情報を選択すると、入力部はポップアップウインドウで選択された場所を検出する。例えば、図３（Ｂ）に示すように、人差し指１１０の接触点が「コピー」の場合、ステップＢ０で示すコピープロセスに進む。図４（Ｂ）に示すように、人差し指１１０の接触点が「切り取り」の場合、ステップＣ０で示す切り取りプロセスに進む。図５（Ｂ）に示すように、人差し指１１０の接触点が「貼り付け」の場合、ステップＤ０で示す貼り付けプロセスに進む。
【0060】
次に、ステップＢ２において、ポップアップウインドウを閉じる。
【0061】
次に、ステップＢ３において、記憶部にコピー済みのフラグを立てる。
【0062】
以上の工程により、コピープロセスＢ０が終了する。次に、図１に示すステップＡ１に進む。
【0063】
《切り取りプロセスＣ０》切り取りプロセスＣ０では、ステップＣ１において、選択領域に表示された情報を記憶部に保存する。
【0064】
次に、ステップＣ２において、選択領域に表示された情報を削除する。
【0065】
次に、ステップＣ３において、ポップアップウインドウを閉じる。
【0066】
次に、ステップＣ４において、記憶部においてコピー済みのフラグを立てる。
【0067】
以上の工程により、切り取りプロセスＣ０が終了する。次に、図１に示すステップＡ１に進む。
【0068】
《貼り付けプロセスＤ０》貼り付けプロセスＤ０では、ステップＤ１において、コピー済みのフラグが記憶部に立てられているかを判断する。コピー済みのフラグが立っている場合、ステップＤ２に進み、コピー済みのフラグが立っていない場合、図１に示すステップＡ６に進む。
【0069】
次に、ステップＤ２において、記憶部に保存された情報を選択領域に上書きで貼り付ける。
【0070】
次に、ステップＤ３において、ポップアップウインドウを閉じる（図５（Ｄ）参照。）。
【0071】
以上の工程により、貼り付けプロセスが終了する。次に、図１に示すステップＡ１に進む。
【0072】
ステップＡ４において、スワイプ処理された領域（選択領域）が文書または画像上ではない場合、ステップＡ７に進む。
【0073】
ステップＡ７において、貼り付けの操作情報を有するポップアップウインドウ（図５（Ｃ）の領域１３０）を表示する。
【0074】
次に、ポップアップウインドウで選択された場所を入力部が検出する。図５（Ｃ）に示すように、選択された場所が「貼り付け」の場合、ステップＤ０で示す貼り付けプロセスに進む。
【0075】
以上の工程により、所定の領域の情報を容易且つ正確に選択することが可能である。また、選択された情報に対し、コピー、切り取り、貼り付け等の操作を容易にすることが可能である。よって、本実施の形態により、情報処理装置の操作性を高めると共に、操作の信頼性を高めることが可能である。また、情報処理装置の操作に多様性を持たせることができる。
【0076】
《表示情報の処理方法２》次に、本発明の一形態の、操作性に優れ、操作の信頼性の高い表示情報の処理方法について、説明する。ここでは、ページをめくる操作について説明する。図６は、表示情報の処理方法の一形態を説明するフローチャートである。
【0077】
図６に示すように、ステップＥ１において、入力部がｎ個（ｎは２以上５以下）の接触点を検出する。
【0078】
次に、ステップＥ２において、ｎ個の接触点の操作内容を判断する。接触点のうち、２点目乃至ｎ点目が固定され、また、１点目が表示部から離されることなく移動される操作（スワイプ処理）が行われた場合、ステップＥ３へ進む。
【0079】
次に、表示部におけるｎ個の接触点の位置を検出する。接触点の位置が表示部の左下の場合は、ステップＥ４に進み、表示情報を前のページの情報に差し替える。この後、処理を終了する。
【0080】
接触点の位置が表示部の右下の場合は、ステップＥ５に進み、表示内容を次のページの表示に差し替える。この後、処理を終了する。
【0081】
上記操作は、あたかも書籍のページをめくるような操作により、表示部における情報の差し替えが可能である。よって、直感的な操作により容易にページをめくる操作を行うことが可能である。上記操作を用いることで、情報処理端末の一例である電子書籍端末において、特に操作性を高めることができる。
【0082】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【0084】
図８は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。
【0085】
図９は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入出力パネル７００ＴＰの構成を説明する図である。図９（Ａ）は入出力パネル７００ＴＰの上面図である。図９（Ｂ−１）は入出力パネル７００ＴＰの入力部の一部を説明する模式図であり、図９（Ｂ−２）は図９（Ｂ−１）の一部を説明する模式図である。図９（Ｃ）は、入出力パネル７００ＴＰに用いることができる画素７０２（ｉ，ｊ）の構成を説明する模式図である。
【0086】
図１０および図１１は入出力パネル７００ＴＰの構成を説明する断面図である。図１０（Ａ）は図９（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）の一部を説明する図である。
【0089】
図１３は本発明の一態様の入出力パネル７００ＴＰが備える画素回路の構成を説明する回路図である。
【0090】
図１４は入出力パネル７００ＴＰの画素に用いることができる反射膜の形状を説明する模式図である。
【0091】
なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
【0092】
＜入出力パネル７００ＴＰの構成例＞本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰは、表示領域２３１を有する（図８参照）。また、入出力パネル７００ＴＰは、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを備えることができる。
【0093】
《表示領域２３１》表示領域２３１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、を有する（図８、図１２または図１３参照）。また、走査線Ｇ２（ｉ）と、配線ＣＳＣＯＭと、第３の導電膜ＡＮＯと、信号線Ｓ２（ｊ）と、を有する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。
【0094】
一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。
【0095】
他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。
【0096】
走査線Ｇ１（ｉ）および走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配設される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。
【0097】
列方向に配設される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される。
【0098】
《駆動回路ＧＤ》駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。
【0099】
一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。
【0100】
例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。
【0101】
また、例えば、複数の駆動回路を備える場合、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度を、異ならせることができる。具体的には、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示する領域より高い頻度で、動画像を滑らかに表示する領域に選択信号を供給することができる。
【0102】
《駆動回路ＳＤ、駆動回路ＳＤ１、駆動回路ＳＤ２》駆動回路ＳＤは、駆動回路ＳＤ１と、駆動回路ＳＤ２と、を有する。駆動回路ＳＤ１は、情報Ｖ１に基づいて画像信号を供給する機能を有し、駆動回路ＳＤ２は、情報Ｖ２に基づいて画像信号を供給する機能を有する（図８参照）。なお、情報Ｖ１は第１の表示素子が表示する情報であり、情報Ｖ２は、第２の表示素子が表示する情報である。
【0103】
駆動回路ＳＤ１は、一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。
【0104】
駆動回路ＳＤ２は、一の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする他の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。例えば、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を駆動することができる。
【0105】
例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【0106】
例えば、駆動回路ＳＤ１および駆動回路ＳＤ２が集積された集積回路を、駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【0107】
例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。
【0108】
＜画素の構成例＞入出力パネル７００ＴＰにおいて、画素７０２（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）および機能層５２０の一部を備える（図９（Ｃ）、図１０（Ａ）および図１１（Ａ）参照）。
【0109】
《機能層》機能層５２０は、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜５０１Ｃと、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、を含む（図１０（Ａ）および図１３参照）。また、機能層５２０は、絶縁膜５２１と、絶縁膜５２８と、絶縁膜５１８および絶縁膜５１６を含む。
【0110】
なお、機能層５２０は、基板５７０および基板７７０の間に挟まれる領域を備える。
【0111】
《絶縁膜５０１Ｃ》絶縁膜５０１Ｃは、第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ａを備える（図１１（Ａ）参照）。なお、開口部５９１Ａは、絶縁膜５０６（図１０（Ａ）参照。）にも形成される。
【0112】
《第１の導電膜》例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を、第１の導電膜に用いることができる。第１の導電膜は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【0113】
《第２の導電膜》例えば、導電膜５１２Ｂを第２の導電膜に用いることができる。第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。第２の導電膜は、開口部５９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される。ところで、絶縁膜５０１Ｃ、５０６に設けられた開口部５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される第１の導電膜を、貫通電極ということができる。
【0114】
第２の導電膜は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜を、第２の導電膜に用いることができる。
【0116】
スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【0117】
例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。
【0118】
例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図１３参照）。なお、導電膜５１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図１１（Ａ）および図１３参照）。
【0119】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１１を含む（図１３参照）。
【0120】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ１２を含む。
【0121】
例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。
【0122】
容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【0123】
例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。
【0124】
トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。
【0125】
なお、半導体膜をゲート電極との間に挟むように設けられた導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭのゲート電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続される導電膜を当該導電膜に用いることができる。
【0126】
容量素子Ｃ１２は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【0127】
なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極を、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続する。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第２の電極を、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続する。これにより、第１の表示素子７５０を駆動することができる。
【0128】
また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第３の電極５５１（ｉ，ｊ）をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第４の電極５５２を第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。
【0129】
《第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）》例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、入出力パネル７００ＴＰの消費電力を抑制することができる。
【0130】
第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２および液晶材料を含む層７５３を備える。第２の電極７５２は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される（図１１（Ａ）参照）。
【0131】
なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。配向膜ＡＦ２は、配向膜ＡＦ１との間に液晶材料を含む層７５３を挟む領域を備える（図１０（Ａ）参照）。
【0132】
《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）》例えば、光を射出する機能を備える表示素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機ＥＬ素子等を用いることができる。
【0133】
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５０１Ｃに向けて光を射出する機能を備える（図１０（Ａ）参照）。
【0134】
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において当該第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できるように配設される。例えば、外光を反射する強度を制御して情報を表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印で図中に示す（図１１（Ａ）参照）。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部に第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、破線の矢印で図中に示す（図１０（Ａ）参照）。
【0135】
これにより、第１の表示素子を用いた表示を視認することができる領域の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認することができる。または、入出力パネル７００ＴＰの姿勢等を変えることなく使用者は表示を視認することができる。入出力パネル７００ＴＰの視認性を高めることが可能であり、入出力パネル７００ＴＰの操作の信頼性を高めることができる。
【0136】
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極５５２と、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）と、を備える（図１０（Ａ）参照）。
【0137】
第４の電極５５２は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【0138】
発光性の材料を含む層５５３（ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極５５２の間に挟まれる領域を備える。
【0139】
第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続され、第４の電極５５２は、第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続される（図１３参照）。
【0140】
《中間膜》また、本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰは、中間膜７５４Ａと、中間膜７５４Ｂと、中間膜７５４Ｃと、中間膜７５４Ｄとを有する。
【0141】
中間膜７５４Ａは、絶縁膜５０１Ｃとの間に第１の導電膜を挟む領域を備え、中間膜７５４Ａは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と接する領域を備える。中間膜７５４Ｂは導電膜５１１Ｂと接する領域を備える。中間膜７５４Ｃは導電膜５１１Ｃと接する領域を備える。中間膜７５４Ｄは導電膜５１１Ｄと接する領域を備える。
【0144】
第１の開口部５９２Ａは、中間膜７５４Ａおよび第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と重なる領域または中間膜７５４Ａおよび絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備える。
【0145】
第２の開口部５９２Ｂは、中間膜７５４Ｂおよび導電膜５１１Ｂと重なる領域を備える。
【0146】
また、開口部５９２Ｄは、中間膜７５４Ｄおよび導電膜５１１Ｄと重なる領域を備える。
【0147】
なお、図１１（Ａ）のＸ９−Ｘ１０に符号を付しないが、絶縁膜５０１Ａは、中間膜７５４Ｃおよび導電膜５１１Ｃと重なる開口部を備える。
【0148】
また、絶縁膜５０１Ａは、導電膜５１１Ｂとの間に絶縁膜５０１Ｃ、５０６を挟む領域を備える。絶縁膜５０１Ａは、絶縁膜５０１Ｃ、５０６の開口部５９１Ｂにおいて導電膜５１１Ｂと接する。絶縁膜５０１Ａは、絶縁膜５０１Ｃ、５０６の開口部５９１Ｄにおいて導電膜５１１Ｄと接する。
【0149】
《絶縁膜５２１、絶縁膜５２８、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６等》絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【0150】
絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基板５７０の間に配設され、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。
【0151】
第３の電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極の短絡を防止する。
【0154】
《端子等》また、本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰは、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、および端子５１９Ｄを有する。
【0155】
端子５１９Ｂは、導電膜５１１Ｂと、中間膜７５４Ｂと、を備え、中間膜７５４Ｂは、導電膜５１１Ｂと接する領域を備える。端子５１９Ｂは、例えば信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。
【0156】
端子５１９Ｃは、導電膜５１１Ｃと、中間膜７５４Ｃと、を備え、中間膜７５４Ｃは、導電膜５１１Ｃと接する領域を備える。導電膜５１１Ｃは、例えば配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続される。
【0157】
導電材料ＣＰは、端子５１９Ｃと第２の電極７５２の間に挟まれ、端子５１９Ｃと第２の電極７５２を電気的に接続する機能を備える。例えば、導電性の粒子を導電材料ＣＰに用いることができる。
【0158】
端子５１９Ｄは、導電膜５１１Ｄと、中間膜７５４Ｄと、を備え、中間膜７５４Ｄは、導電膜５１１Ｄと接する領域を備える。
【0159】
《基板等》また、本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰは、基板５７０と、基板７７０と、を有する。
【0160】
基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。基板７７０は、基板５７０との間に機能層５２０を挟む領域を備える。
【0161】
《接合層、封止材、構造体等》また、本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰは、接合層５０５と、封止材７０５と、構造体ＫＢ１と、を有する。
【0162】
接合層５０５は、機能層５２０および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板５７０を貼り合わせる機能を備える。
【0163】
封止材７０５は、機能層５２０および基板７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。
【0164】
構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。
【0165】
《機能膜等》また、本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰは、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、機能膜７７０Ｐと、機能膜７７０Ｄと、を有する。また、着色膜ＣＦ１および着色膜ＣＦ２を有する。
【0166】
遮光膜ＢＭは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。着色膜ＣＦ２は、絶縁膜５０１Ｃおよび第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に配設され、開口部７５１Ｈと重なる領域を備える（図１０（Ａ）参照）。
【0167】
絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。
【0168】
機能膜７７０Ｐは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【0169】
機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に基板７７０を挟むように配設される。これにより、例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が反射する光を拡散することができる。
【0170】
《基板５７０》作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。
【0171】
例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板５７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
【0172】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０等に用いることができる。
【0173】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板５７０等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板５７０等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板５７０等に用いることができる。
【0174】
例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板５７０等に形成することができる。
【0175】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板５７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０等に用いることができる。
【0176】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。
【0177】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。
【0178】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板５７０等に用いることができる。
【0179】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０等に用いることができる。
【0180】
具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板５７０等に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。
【0181】
また、紙または木材などを基板５７０等に用いることができる。
【0182】
例えば、可撓性を有する基板を基板５７０等に用いることができる。
【0183】
なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。
【0184】
《基板７７０》例えば、透光性を備える材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、基板５７０に用いることができる材料から選択された材料を基板７７０に用いることができる。
【0185】
例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、入出力装置の使用者に近い側に配置される基板７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う入出力装置の破損や傷付きを防止することができる。
【0186】
また、例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これにより、機能膜７７０Ｄを第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に近づけて配置することができる。その結果、画像のボケを低減し、画像を鮮明に表示することができる。
【0187】
《構造体ＫＢ１》例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１等に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に設けることができる。
【0188】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【0189】
《封止材７０５》無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５等に用いることができる。
【0190】
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。
【0191】
例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５等に用いることができる。
【0192】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５等に用いることができる。
【0193】
《接合層５０５》例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層５０５に用いることができる。
【0194】
《絶縁膜５２１》例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。
【0195】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１等に用いることができる。
【0196】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【0197】
これにより、例えば絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
【0198】
《絶縁膜５２８》例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。
【0199】
《絶縁膜５０１Ａ》例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【0200】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を備える材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成に供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【0201】
例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【0202】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【0203】
《絶縁膜５０１Ｃ》例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第２の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
【0204】
例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。
【0205】
《中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂ、中間膜７５４Ｃ、中間膜７５４Ｄ》例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有する膜を、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂ、中間膜７５４Ｃ、または中間膜７５４Ｄに用いることができる。なお、本明細書において、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂ、中間膜７５４Ｃ、または中間膜７５４Ｄを中間膜という。
【0206】
例えば、水素を透過または供給する機能を備える材料を中間膜に用いることができる。
【0207】
例えば、導電性を備える材料を中間膜に用いることができる。
【0208】
例えば、透光性を備える材料を中間膜に用いることができる。
【0209】
具体的には、インジウムおよび酸素を含む材料、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む材料またはインジウム、スズおよび酸素を含む材料等を中間膜に用いることができる。なお、これらの材料は水素を透過する機能を備える。
【0210】
具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜または厚さ１００ｎｍの膜を中間膜に用いることができる。
【0211】
なお、エッチングストッパーとして機能する膜が積層された材料を中間膜に用いることができる。具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜と、インジウム、スズおよび酸素を含む厚さ２０ｎｍの膜と、をこの順で積層した積層材料を中間膜に用いることができる。
【0212】
《配線、端子、導電膜》導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、第３の導電膜ＡＮＯ、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、端子７１９、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃ等に用いることができる。
【0213】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
【0214】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【0215】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。
【0216】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
【0217】
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
【0218】
例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【0219】
例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。
【0220】
具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
【0221】
なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。
【0222】
《第１の導電膜、第２の導電膜》例えば、配線等に用いることができる材料を第１の導電膜または第２の導電膜に用いることができる。
【0223】
また、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）または配線等を第１の導電膜に用いることができる。
【0224】
また、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂまたは配線等を第２の導電膜に用いることができる。
【0225】
《第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）》例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、入出力装置の消費電力を抑制することができる。
【0226】
例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【0227】
また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｐｉｎｗｈｅｅｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【0228】
第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１電極と、第２電極と、液晶材料を含む層と、を有する。液晶材料を含む層は、第１電極および第２電極の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、液晶材料を含む層の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。
【0229】
《液晶材料を含む層７５３》例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
【0230】
《第１の電極７５１（ｉ，ｊ）》例えば、配線等に用いる材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射膜を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、透光性を備える導電膜と、開口部を備える反射膜と、を積層した材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【0231】
《反射膜》例えば、可視光を反射する材料を反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。
【0232】
反射膜は、例えば、液晶材料を含む層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、第１の表示素子７５０を反射型の液晶素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を備える材料を、反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。
【0233】
例えば、第１の導電膜または第１の電極７５１（ｉ，ｊ）等を反射膜に用いることができる。
【0234】
例えば、液晶材料を含む層７５３と第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える膜を、反射膜に用いることができる。または、液晶材料を含む層７５３との間に透光性を有する第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える膜を、反射膜に用いることができる。
【0235】
反射膜は、例えば第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域が形成される形状を備える。
【0236】
例えば、単数または複数の開口部を備える形状を反射膜に用いることができる。
【0237】
多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を開口部に用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を開口部７５１Ｈに用いることができる。
【0238】
非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。
【0239】
また、非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。または、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の信頼性を損なう場合がある。
【0240】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図１４（Ａ）参照）。または、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図１４（Ｂ）参照）。
【0241】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、行方向に延びる直線上に配設される（図１４（Ａ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。
【0242】
または、例えば、画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向に延びる直線上に配設される（図１４（Ｂ）参照）。また、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。
【0243】
これにより、一の画素に隣接する他の画素の開口部に重なる領域を備える第２の表示素子を、一の画素の開口部に重なる領域を備える第２の表示素子から遠ざけることができる。または、一の画素に隣接する他の画素の第２の表示素子に、一の画素の第２の表示素子が表示する色とは異なる色を表示する表示素子を配設することができる。または、異なる色を表示する複数の表示素子を、隣接して配設する難易度を軽減することができる。その結果、入出力パネル７００ＴＰの視認性を高めることが可能であり、入出力パネル７００ＴＰの操作の信頼性を高めることができる。
【0244】
なお、例えば、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域７５１Ｅが形成されるように、端部が切除されたような形状を備える材料を、反射膜に用いることができる（図１４（Ｃ）参照）。具体的には、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）が短くなるように端部が切除された第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を反射膜に用いることができる。
【0245】
《第２の電極７５２》例えば、導電性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。可視光について透光性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。
【0246】
例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。
【0247】
具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を第２の電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を第２の電極７５２に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。
【0248】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、第２の電極７５２に用いることができる。
【0249】
《配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２》例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。
【0250】
例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。これにより、配向膜ＡＦ１を形成する際に必要とされる温度を低くすることができる。その結果、配向膜ＡＦ１を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することができる。
【0251】
《着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２》所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２を例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を着色膜に用いることができる。
【0252】
なお、照射された光を所定の色の光に変換する機能を備える材料を着色膜ＣＦ２に用いることができる。具体的には、量子ドットを着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、色純度の高い表示をすることができる。
【0253】
《遮光膜ＢＭ》光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。
【0254】
《絶縁膜７７１》例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。
【0255】
《機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ》例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。
【0256】
具体的には、２色性色素を含む膜を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。または、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。
【0257】
また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【0258】
具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。
【0259】
《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）》例えば、発光素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子または発光ダイオードなどを、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【0260】
例えば、発光性の有機化合物を発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【0261】
例えば、量子ドットを発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。
【0262】
例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【0263】
例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【0264】
また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【0265】
例えば、配線等に用いることができる材料を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【0266】
例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を有する材料を、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【0267】
具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小共振器構造を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。
【0268】
例えば、配線等に用いることができる材料を第４の電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光について反射性を有する材料を、第４の電極５５２に用いることができる。
【0269】
《駆動回路ＧＤ》シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタまたはトランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。
【0270】
例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、導電膜５２４を有するトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図１０（Ｂ）参照）。
【0271】
なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。
【0272】
《トランジスタ》例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。
【0273】
例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを駆動回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。
【0274】
ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。
【0275】
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【0276】
なお、半導体にポリシリコンを用いるトランジスタの作製に要する温度は、半導体に単結晶シリコンを用いるトランジスタに比べて低い。
【0277】
また、ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの電界効果移動度は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて高い。これにより、画素の開口率を向上することができる。また、極めて高い精細度で設けられた画素と、ゲート駆動回路およびソース駆動回路を同一の基板上に形成することができる。その結果、電子機器を構成する部品数を低減することができる。
【0278】
ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの信頼性は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて優れる。
【0279】
また、化合物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ガリウムヒ素を含む半導体を半導体膜に用いることができる。
【0280】
また、有機半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。
【0281】
例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。なお、酸化物半導体については、実施の形態４にて一例を説明する。
【0282】
一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【0283】
これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
【0284】
例えば、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備えるトランジスタをスイッチＳＷ１に用いることができる（図１１（Ｂ）参照）。なお、絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。
【0285】
導電膜５０４は、半導体膜５０８と重なる領域を備える。導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。
【0286】
導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、半導体膜５０８と電気的に接続される。導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
【0287】
また、導電膜５２４を有するトランジスタを、駆動回路または画素回路のトランジスタに用いることができる（図１０（Ｂ）参照）。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。なお、絶縁膜５１６は、導電膜５２４および半導体膜５０８の間に挟まれる領域を備える。また、例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続する。
【0288】
例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【0289】
例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【0290】
例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。
【0291】
例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。
【0293】
検知領域２４１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する（図８参照）。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。
【0294】
一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、図８に矢印Ｒ２で示す方向は、図８に矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。
【0295】
また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。
【0296】
行方向に配設される一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される電極Ｃ（ｇ）を含む（図９（Ｂ−２）参照）。
【0297】
列方向に配設される他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される電極Ｍ（ｈ）を含む。
【0298】
制御線ＣＬ（ｇ）は、導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）を含む（図１０（Ａ）参照）。導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と重なる領域を備える。
【0299】
絶縁膜７０６は、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の間に挟まれる領域を備える。これにより、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の短絡を防止することができる。
【0300】
《検知素子７７５（ｇ，ｈ）》検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、制御線ＣＬ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される。
【0301】
検知素子７７５（ｇ，ｈ）は透光性を備える。検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、電極Ｃ（ｇ）と、電極Ｍ（ｈ）と、を備える。
【0302】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える導電膜を、電極Ｃ（ｇ）およびＭ（ｈ）に用いることができる。これにより、入出力パネル７００ＴＰの表示を遮ることなく、入出力パネル７００ＴＰと重なる領域に近接するものを検知することができる。その結果、入出力パネル７００ＴＰの視認性を高めることが可能であり、入出力パネル７００ＴＰの操作の信頼性を高めることができる。
【0303】
電極Ｃ（ｇ）は、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される。
【0304】
電極Ｍ（ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続され、電極Ｍ（ｈ）は、入出力パネル７００ＴＰと重なる領域に近接するものによって一部が遮られる電界を、電極Ｃ（ｇ）との間に形成するように配置される。
【0305】
制御線ＣＬ（ｇ）は、制御信号を供給する機能を備える。
【0306】
検知信号線ＭＬ（ｈ）は検知信号が供給される機能を備える。
【0307】
検知素子７７５（ｇ，ｈ）は入出力パネル７００ＴＰと重なる領域に近接するものとの距離および制御信号に基づいて変化する検知信号を供給する機能を備える。
【0308】
これにより、表示装置を用いて情報を表示しながら、表示装置と重なる領域に近接するものを検知することができる。その結果、情報処理装置は、実施の形態１に示すような表示情報の処理方法を行うことができる。よって、情報処理装置の操作性を高めると共に、操作の信頼性を高めることが可能である。また、情報処理装置の操作に多様性を持たせることができる。
【0309】
《発振回路ＯＳＣ》発振回路ＯＳＣは、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続され、制御信号を供給する機能を備える。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。
【0310】
《検知回路ＤＣ》検知回路ＤＣは、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続され、検知信号線ＭＬ（ｈ）の電位の変化に基づいて検知信号を供給する機能を備える。なお、検知信号は、例えば、位置情報Ｐ１を含む。
【0311】
《入力部２４０》入力部２４０は、機能層７２０を備える。
【0314】
なお、制御線ＣＬ（ｇ）および第２の電極７５２の間または検知信号線ＭＬ（ｈ）および第２の電極７５２の間に、０．２μｍ以上１６μｍ以下、好ましくは１μｍ以上８μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以上４μｍ以下の間隔を備える。
【0316】
なお、制御線ＣＬ（ｇ）および導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配設し、制御線ＣＬ（ｇ）と導電膜５１１Ｄを電気的に接続することができる。または、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜５１１Ｄの間に導電材料ＣＰ等を配設し、検知信号線ＭＬ（ｈ）と導電膜５１１Ｄを、電気的に接続することができる。例えば、配線等に用いることができる材料を導電膜５１１Ｄに用いることができる。
【0317】
例えば、配線等に用いることができる材料を端子５１９Ｄに用いることができる。具体的には、端子５１９Ｂまたは端子５１９Ｃと同じ構成を端子５１９Ｄに用いることができる（図１１（Ａ）参照）。
【0318】
なお、例えば、導電材料ＡＣＦ２を用いて、端子５１９Ｄとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２を電気的に接続することができる。これにより、例えば、端子５１９Ｄを用いて制御信号を制御線ＣＬ（ｇ）に供給することができる。または、端子５１９Ｄを用いて検知信号を、検知信号線ＭＬ（ｈ）から供給されることができる。
【0319】
《表示情報の処理方法》次に、本実施の形態に示す情報処理装置２００を用いた表示方法について、説明する。
【0320】
所定のモードまたは所定の表示方法を用いて情報を表示する場合、所定のモードは情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は情報を表示する方法を特定する。また、例えば、情報Ｖ１、情報Ｖ２を表示する場合に、所定のモードまたは所定の表示方法を用いることができる。
【0321】
例えば、情報Ｖ１を表示する方法を、第１のモードまたは第２のモードに関連付けることができる。また、情報Ｖ２を表示する方法を第１のモードまたは第２のモードに関連付けることができる。これにより、第１の表示素子及び第２の表示素子それぞれにおいて、選択されたモードに基づいて表示モードを選択することができる。
【0322】
例えば、情報Ｖ１を表示する異なる３つの方法を、第１の表示方法乃至第３の表示方法に関連付けることができる。また、情報Ｖ２を表示する異なる３つの方法を、第１の表示方法乃至第３の表示方法に関連付けることができる。これにより、第１の表示素子及び第２の表示素子それぞれにおいて、選択された表示方法に基づいて表示をすることができる。
【0323】
《第１のモード》具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付けることができる。
【0324】
例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像の動きを滑らかに表示することができる。
【0325】
例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表示することができる。
【0326】
《第２のモード》具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第２のモードに関連付けることができる。
【0327】
３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、消費電力を低減することができる。
【0328】
例えば、情報処理装置２００を時計に用いる場合、１秒に一回の頻度または１分に一回の頻度等で表示を更新することができる。
【0329】
ところで、例えば、発光素子を第２の表示素子に用いる場合、発光素子をパルス状に発光させて、情報を表示することができる。具体的には、パルス状に有機ＥＬ素子を発光させて、その残光を表示に用いることができる。有機ＥＬ素子は優れた周波数特性を備えるため、発光素子を駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる場合がある。または、発熱が抑制されるため、発光素子の劣化を軽減することができる場合がある。
【0330】
《第１の表示方法》具体的には、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を表示に用いる方法を、第１の表示方法に用いることができる。これにより、例えば、消費電力を低減することができる。または、明るい環境下において、高いコントラストで情報を良好に表示することができる。
【0331】
《第２の表示方法》具体的には、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いる方法を、第２の表示方法に用いることができる。これにより、例えば、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、良好な色再現性で写真等を表示することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。
【0332】
なお、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて情報Ｖ１を表示する場合、照度情報に基づいて情報Ｖ１を表示する明るさを決定することができる。例えば、照度が５千ルクス以上１０万ルクス未満の場合、照度が５千ルクス未満の場合より明るくなるように、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて情報Ｖ１を表示する。
【0333】
《第３の表示方法》具体的には、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いる方法を、第３の表示方法に用いることができる。これにより、消費電力を低減することができる。または、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、良好な色再現性で写真等を表示することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。
【0334】
また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いて、表示の明るさを調節する機能を、調光機能ということができる。例えば、反射型の表示素子の明るさを、光を射出する機能を備える表示素子を用いて補うことができる。
【0335】
第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いて、表示の色味を調節する機能を、調色機能ということができる。例えば、反射型の表示素子の色合いを、光を射出する機能を備える表示素子を用いて変えることができる。具体的には、反射型の液晶素子が表示する黄味を帯びた色合いを、青色の有機ＥＬ素子を用いて白色に近づけることができる。これにより、例えば、文字情報を普通紙に印刷された文字のように表示することができる。または、目にやさしい表示をすることができる。
【0336】
また、環境の照度に合わせて、情報処理装置２００の表示方法を変えることができる。検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する。環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。
【0337】
次に、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する。例えば、照度が所定の値以上の場合に、第１の表示方法に決定し、照度が所定の値未満の場合、第２の表示方法に決定する。または、照度が所定の範囲の場合、第３の表示方法に決定してもよい。
【0338】
具体的には、照度が１０万ルクス以上の場合、第１の表示方法に決定し、照度が５千ルクス未満の場合、第２の表示方法に決定し、照度が１０万ルクス未満５千ルクス以上の場合、第３の表示方法に決定してもよい。
【0339】
また、環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、第３の表示方法において第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて、表示の色味を調節してもよい。
【0340】
例えば、第１の表示方法を用いる場合は、第１のステータスの制御情報ＳＳを供給し、第２の表示方法を用いる場合は、第２のステータスの制御情報ＳＳを供給し、第３の表示方法を用いる場合は、第３のステータスの制御情報ＳＳを供給する。
【0341】
なお、実施の形態１に示す表示情報の処理方法１において、情報に合わせて表示に用いる表示素子を変えることができる。
【0342】
《情報Ｖ１を表示する方法》情報処理装置において、表示部の全面において表示する情報Ｖ１を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いて表示することができる。
【0343】
例えば、反射型液晶素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、例えば、上記第２のモードを用いて、低い頻度で選択信号を供給しながら、情報Ｖ１を表示することができる。これにより、消費電力を低減することができる。
【0344】
《情報Ｖ２を表示する方法》一方で、ポップアップウインドウを表示部に表示する場合、ポップアップウインドウの情報Ｖ２を、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて表示することができる。
【0345】
例えば、有機ＥＬ素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。有機ＥＬ素子は、選択的に輝度を高めることが可能であるため、有機ＥＬ素子を用いてポップアップウインドウの情報Ｖ２を表示することで、狭い領域のポップアップウインドウでも情報の視認性を高めることができる。また、図２（Ｂ）に示すようなマーカ表示１２０を有機ＥＬ素子を用いて表示し、文字情報を反射型液晶素子を用いて表示することで、選択領域を表示部において際立たせることが可能である。この結果、情報処理装置の視認性を高めることが可能であり、情報処理装置の操作の信頼性を高めることができる。
【0346】
また、本実施の形態に示す入出力パネルは、一つの機能層に含まれる複数のトランジスタを用いて、第１の表示素子と第２の表示素子のそれぞれを駆動する画素回路を作製することができる。また、機能層の一方の面に第１の表示素子を形成し、他方の面に第２の表示素子を有する。これらのため、入出力パネルの部材数を削減して、且つ厚さを薄くすることができる。この結果、可撓性を有する情報処理装置を作製することが可能である。
【0347】
また、該画素回路を用いて、第１の表示素子と、第１の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする第２の表示素子と、を駆動することができる。具体的には、反射型の表示素子を第１の表示素子に用いて、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。または、光を射出する第２の表示素子を用いて、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。この結果、情報処理装置の操作性、及び操作の信頼性を高めるとともに、視認性を高めることができる。また、情報処理装置の操作性、及び操作の信頼性を高めるとともに、消費電力を低減することが可能である。
【0348】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【0350】
図１５（Ａ）乃至図１５（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有することができる。
【0351】
図１５（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図１５（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１５（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３、等を有することができる。図１５（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１５（Ｅ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図１５（Ｆ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１５（Ｇ）は持ち運び型テレビ受像器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７、等を有することができる。
【0352】
図１５（Ａ）乃至図１５（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。
【0353】
図１５（Ｈ）は、スマートウオッチであり、筐体７３０２、表示パネル７３０４、操作ボタン７３１１、７３１２、接続端子７３１３、バンド７３２１、留め金７３２２、等を有する。
【0354】
ベゼル部分を兼ねる筐体７３０２に搭載された表示パネル７３０４は、非矩形状の表示領域を有している。なお、表示パネル７３０４としては、矩形状の表示領域としてもよい。表示パネル７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０６等を表示することができる。
【0355】
なお、図１５（Ｈ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。
【0356】
また、筐体７３０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光素子をその表示パネル７３０４に用いることにより作製することができる。
【0357】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【0358】
（実施の形態４）＜ＣＡＣ−ＯＳの構成＞
本実施の形態では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）−ＯＳの構成について説明する。
【0359】
ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、酸化物半導体を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。
【0360】
なお、酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
【0361】
例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯＸ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯＸ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、ＧａＸ４ＺｎＹ４ＯＺ４（Ｘ４、Ｙ４、およびＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯＸ１、またはＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２が、膜中に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。
【0362】
つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導体である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。
【0363】
なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ（１＋ｘ０）Ｇａ（１−ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。
【0364】
上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。
【0365】
一方、ＣＡＣ−ＯＳは、酸化物半導体の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。
【0366】
なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。
【0367】
なお、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
【0368】
なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。
【0369】
ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。
【0370】
ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、およびｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。
【0371】
またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。
【0372】
また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。
【0373】
ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
【0374】
ここで、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域は、ＧａＯＸ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。
【0375】
一方、ＧａＯＸ３などが主成分である領域は、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯＸ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。
【0376】
従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯＸ３などに起因する絶縁性と、ＩｎＸ２ＺｎＹ２ＯＺ２、またはＩｎＯＸ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉｏｎ）、および高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。
【0377】
また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
【0378】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【0379】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。
【0380】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【0381】
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【0382】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【0383】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【0384】
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【0385】
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
【0386】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【0387】
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【0388】
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【0389】
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【符号の説明】
【0390】
ＡＣＦ１ 導電材料ＡＣＦ２ 導電材料
ＡＦ１ 配向膜
ＡＦ２ 配向膜
Ｂ０ コピープロセス
Ｃ０ 切り取りプロセス
Ｃ１ 矢印
Ｃ２ 矢印
Ｃ１１ 容量素子
Ｃ１２ 容量素子
ＣＦ１ 着色膜
ＣＦ２ 着色膜
Ｄ０ 貼り付けプロセス
Ｇ１ 走査線
Ｇ２ 走査線
ＫＢ１ 構造体
Ｐ１ 位置情報
Ｒ１ 矢印
Ｒ２ 矢印
Ｓ２ 信号線
ＳＤ１ 駆動回路
ＳＤ２ 駆動回路
ＳＷ１ スイッチ
ＳＷ２ スイッチ
Ｖ１ 情報
Ｖ２ 情報
ＶＣＯＭ１ 配線
ＶＣＯＭ２ 導電膜
Ｘ１−Ｘ２ 切断線
Ｘ３−Ｘ４ 切断線
Ｘ５−Ｘ６ 切断線
Ｘ７−Ｘ８ 切断線
Ｘ９−Ｘ１０ 切断線
Ｘ１１−Ｘ１２ 切断線
１０２ 表示部
１１０ 人差し指
１１２ 中指
１２０ マーカ表示
１３０ 領域
２００ 情報処理装置
２１０ 演算装置
２１１ 演算部
２１２ 記憶部
２１４ 伝送路
２１５ 入出力インターフェース
２２０ 入出力装置
２３０ 表示部
２３１ 表示領域
２３８ 制御部
２４０ 入力部
２４１ 検知領域
２５０ 検知部
２９０ 通信部
５０１Ａ 絶縁膜
５０１Ｃ 絶縁膜
５０４ 導電膜
５０５ 接合層
５０６ 絶縁膜
５０８ 半導体膜
５１１Ｂ 導電膜
５１１Ｃ 導電膜
５１１Ｄ 導電膜
５１２Ａ 導電膜
５１２Ｂ 導電膜
５１６ 絶縁膜
５１８ 絶縁膜
５１９Ｂ 端子
５１９Ｃ 端子
５１９Ｄ 端子
５２０ 機能層
５２１ 絶縁膜
５２２ 接続部
５２４ 導電膜
５２８ 絶縁膜
５３０ 画素回路
５５０ 表示素子
５５１ 電極
５５２ 電極
５５３ 層
５７０ 基板
５９１Ａ 開口部
５９１Ｂ 開口部
５９１Ｄ 開口部
５９２Ａ 開口部
５９２Ｂ 開口部
５９２Ｄ 開口部
７００ＴＰ 入出力パネル
７０２ 画素
７０５ 封止材
７０６ 絶縁膜
７１９ 端子
７２０ 機能層
７５０ 表示素子
７５１ 電極
７５１Ｅ 領域
７５１Ｈ 開口部
７５２ 電極
７５３ 層
７５４Ａ 中間膜
７５４Ｂ 中間膜
７５４Ｃ 中間膜
７５４Ｄ 中間膜
７７０ 基板
７７０Ｄ 機能膜
７７０Ｐ 機能膜
７７１ 絶縁膜
７７５ 検知素子
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００５ 操作キー
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５００９ スイッチ
５０１０ 赤外線ポート
５０１１ 記録媒体読込部
５０１２ 支持部
５０１３ イヤホン
５０１４ アンテナ
５０１５ シャッターボタン
５０１６ 受像部
５０１７ 充電器
７３０２ 筐体
７３０４ 表示パネル
７３０５ アイコン
７３０６ アイコン
７３１１ 操作ボタン
７３１２ 操作ボタン
７３１３ 接続端子
７３２１ バンド
７３２２ 留め金