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特許 6955172出願番号 特願 2018-162959
窒化物半導体発光素子とその製造方法
出願人 日亜化学工業株式会社（識別番号 226057）
2026年 特許公開件数ランキング 98位 243件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 124位 166件（※）
公報発行日 2021年10月27
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6955172 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
窒化物半導体発光素子とその製造方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
特許文献１にも開示されているように、障壁層にｎ型不純物をドープすると順方向電圧Ｖｆを低くすることができるが発光効率が低下するという課題がある。 そこで、本発明は、順方向電圧Ｖｆが低くかつ発光効率の高い窒化物半導体発光素子とその製造方法を提供することを目的とする。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
以上の目的を達成するために、本発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法は、
基板上にｎ側窒化物半導体層を成長させるｎ側窒化物半導体層成長工程と、
前記ｎ側窒化物半導体層上に活性層を成長させる活性層成長工程と、
前記活性層の上にｐ側窒化物半導体層を成長させるｐ側窒化物半導体層成長工程と、
を含み、
前記活性層成長工程は、
最も前記ｎ側窒化物半導体層側に位置する井戸層を成・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
以上のように構成された本発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法によれば、順方向電圧Ｖｆが低くかつ発光効率の高い窒化物半導体発光素子を製造することができる。
また、以上のように構成された本発明に係る窒化物半導体発光素子によれば、順方向電圧Ｖｆが低くかつ発光効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】本発明の発光素子の断面図である。
【図2】発光素子の製造方法の工程の流れを示す工程フロー図である。
【図3】図２に示した第１障壁層成長工程における工程の流れを詳細に示す工程フロー図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
１ 基板
２ 下地層
３ ｎ型コンタクト層
４ ｎ側超格子層
５ 活性層
５ｂ１ 第１障壁層
５ｂ２ 第２障壁層
５ｂ１１ ＩｎＧａＮ障壁層（下部窒化物半導体層）
５ｂ１１ｕ 下部領域（第１の窒化物半導体層）
５ｂ１１ｍ 中央領域（第２の窒化物半導体層）
５ｂ１１ｔ 上部領域（第３の窒化物半導体層）
５ｂ１２ ＧａＮ障壁層（上部窒化物半導体層）
５ｗ 井戸層
６ 第１層
７ 第２層
８ ｐ型コンタクト層
１０ ｎ側窒化物半導体層
１１ ｎ電極
２０ ｐ側窒化物半導体層
２１ ｐ電極
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