特許 6957306 弾性波デバイスおよびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6957306

(24)【登録日】2021年10月8日

(45)【発行日】2021年11月2日

(54)【発明の名称】弾性波デバイスおよびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/145 20060101AFI20211021BHJP

   H03H 3/08 20060101ALI20211021BHJP

   H01L 41/047 20060101ALI20211021BHJP

   H01L 41/29 20130101ALI20211021BHJP

   H01L 41/09 20060101ALI20211021BHJP

【ＦＩ】

   H03H9/145 C

   H03H3/08

   H01L41/047

   H01L41/29

   H01L41/09

【請求項の数】8

【全頁数】12

(21)【出願番号】特願2017-200752(P2017-200752)

(22)【出願日】2017年10月17日

(65)【公開番号】特開2019-75704(P2019-75704A)

(43)【公開日】2019年5月16日

【審査請求日】2020年10月13日

(73)【特許権者】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(72)【発明者】

【氏名】今須 誠士

(72)【発明者】

【氏名】松倉 史弥

(72)【発明者】

【氏名】中村 健太郎

(72)【発明者】

【氏名】松田 隆志

【審査官】 石田 昌敏

(56)【参考文献】

【文献】 特開平１１−１８６８６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１０／１００９６７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００５−１７６１５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−１７５８８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１５−０５６７１２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０３Ｈ ９／１４５−９／７６

Ｈ０３Ｈ ３／０８−３／１０

Ｈ０１Ｌ ４１／０４７

Ｈ０１Ｌ ４１／２９

Ｈ０１Ｌ ４１／０９

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられ、各々複数の電極指を有し、少なくとも一部において各々の電極指が互い違いに配列方向に配列する一対の櫛歯電極と、
隣接する電極指の間における前記圧電基板上に設けられ、膜厚が前記複数の電極指の少なくとも１つの膜厚の１／２以下であり、前記隣接する電極指から離間する付加膜と、
前記複数の電極指および前記付加膜を覆う絶縁体膜と、
を備え、
前記複数の電極指の配列方向における前記付加膜の幅は、前記配列方向における隣接する電極指間の幅の３／４以下である弾性波デバイス。

【請求項2】

前記一対の櫛歯電極は、各々対応する複数の電極指が接続されたバスバーを有し、
前記一対の櫛歯電極の一方の電極指の前記配列方向の両側に設けられた付加膜は、前記一対の櫛歯電極の一方の電極指と前記一対の櫛歯電極の他方のバスバーとの間を経由して接続する請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項3】

前記付加膜は前記一対の櫛歯電極を囲むように設けられている請求項２記載の弾性波デバイス。

【請求項4】

前記付加膜と前記一対の櫛歯電極との離間距離は略一定である請求項３記載の弾性波デバイス。

【請求項5】

前記絶縁体膜を覆うように設けられた誘電体膜を備え、
前記絶縁体膜は前記複数の電極指より薄く、前記誘電体膜は前記複数の電極指より厚い請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。

【請求項6】

前記付加膜は前記絶縁体膜と同じ材料からなる請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波デバイス。

【請求項7】

前記付加膜の音響インピーダンスは、前記複数の電極指の音響インピーダンスより前記絶縁体膜の音響インピーダンスに近い請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイス。

【請求項8】

圧電基板上に付加膜を形成する工程と、
前記付加膜上に第１開口を有するマスク層を形成する工程と、
前記付加膜が前記マスク層より小さくなるように、前記マスク層をマスクに付加膜を除去し前記第１開口に連通する前記付加膜の第２開口を形成する工程と、
前記第１開口および前記第２開口内の前記圧電基板上および前記マスク層上に前記付加膜の膜厚より大きい膜厚を有する金属膜を形成する工程と、
前記マスク層を除去することにより前記マスク層上の前記金属膜を除去し、前記圧電基板上の金属膜から、各々複数の電極指を有し、少なくとも一部において各々の電極指が互い違いに配列方向に配列する一対の櫛歯電極を形成する工程と、
前記圧電基板上に、前記複数の電極指および前記付加膜を覆うように、絶縁体膜を形成する工程と、
を含み、
前記付加膜の膜厚は前記複数の電極指の少なくとも１つの膜厚の１／２以下であり、
前記複数の電極指の配列方向における前記付加膜の幅は、前記配列方向における隣接する電極指間の幅の３／４以下である弾性波デバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、弾性波デバイスおよびその製造方法に関し、例えば櫛歯電極を有する弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

弾性波を利用した弾性波デバイスとして、圧電基板上に一対の櫛歯電極からなるＩＤＴ（Interdigital Transducer）を含む弾性表面波（ＳＡＷ：Surface acoustic wave）デバイスが知られている。弾性表面波デバイスは、例えば４５ＭＨｚから２ＧＨｚの周波数の無線信号を処理する各種回路におけるバンドパスフィルタとして用いられている（例えば特許文献１）。櫛歯電極をリフトオフ法を用い形成することが知られている（例えば特許文献２−４）。櫛歯電極の電極指の間の圧電基板上に付加膜を設けることが知られている（例えば特許文献５−７）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５−８９０６９号公報

【特許文献2】特開２００１−２６７８６８号公報

【特許文献3】特開２００９−１４７８１８号公報

【特許文献4】特開２００７−２６７１１７号公報

【特許文献5】特開２０１１−７８０７２号公報

【特許文献6】特開２０１１−１２４７４５号公報

【特許文献7】再表２０１０／１００９６７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

櫛歯電極をリフトオフ法を用い形成するため、圧電基板とマスク層との間に付加膜を設ける。櫛歯電極を形成した後に付加膜を除去すると圧電基板の表面にダメージが導入されることがある。付加膜を除去せずに、櫛歯電極および付加膜上に保護膜として絶縁膜を設けると、絶縁膜の被覆性が悪くなることがある。

【0005】

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、絶縁膜の被覆性を向上させることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、各々複数の電極指を有し、少なくとも一部において各々の電極指が互い違いに配列方向に配列する一対の櫛歯電極と、隣接する電極指の間における前記圧電基板上に設けられ、膜厚が前記複数の電極指の少なくとも１つの膜厚の１／２以下であり、前記隣接する電極指から離間する付加膜と、前記複数の電極指および前記付加膜を覆う絶縁体膜と、を備え、前記複数の電極指の配列方向における前記付加膜の幅は、前記配列方向における隣接する電極指間の幅の３／４以下である弾性波デバイスである。

【0007】

上記構成において、前記一対の櫛歯電極は、各々対応する複数の電極指が接続されたバスバーを有し、前記一対の櫛歯電極の一方の電極指の前記配列方向の両側に設けられた付加膜は、前記一対の櫛歯電極の一方の電極指と前記一対の櫛歯電極の他方のバスバーとの間を経由して接続する構成とすることができる。

【0008】

上記構成において、前記付加膜は前記一対の櫛歯電極を囲むように設けられている構成とすることができる。

【0009】

上記構成において、前記付加膜と前記一対の櫛歯電極との離間距離は略一定である構成とすることができる。

【0011】

上記構成において、前記絶縁体膜を覆うように設けられた誘電体膜を備え、前記絶縁体膜は前記複数の電極指より薄く、前記誘電体膜は前記複数の電極指より厚い構成とすることができる。

【0012】

上記構成において、前記付加膜は前記絶縁体膜と同じ材料からなる構成とすることができる。

【0013】

上記構成において、前記付加膜の音響インピーダンスは、前記複数の電極指の音響インピーダンスより前記絶縁体膜の音響インピーダンスに近い構成とすることができる。

【0014】

本発明は、圧電基板上に付加膜を形成する工程と、前記付加膜上に第１開口を有するマスク層を形成する工程と、前記付加膜が前記マスク層より小さくなるように、前記マスク層をマスクに付加膜を除去し前記第１開口に連通する前記付加膜の第２開口を形成する工程と、前記第１開口および前記第２開口内の前記圧電基板上および前記マスク層上に前記付加膜の膜厚より大きい膜厚を有する金属膜を形成する工程と、前記マスク層を除去することにより前記マスク層上の前記金属膜を除去し、前記圧電基板上の金属膜から、各々複数の電極指を有し、少なくとも一部において各々の電極指が互い違いに配列方向に配列する一対の櫛歯電極を形成する工程と、前記圧電基板上に、前記複数の電極指および前記付加膜を覆うように、絶縁体膜を形成する工程と、を含み、前記付加膜の膜厚は前記複数の電極指の少なくとも１つの膜厚の１／２以下であり、前記複数の電極指の配列方向における前記付加膜の幅は、前記配列方向における隣接する電極指間の幅の３／４以下である弾性波デバイスの製造方法である。

【発明の効果】

【0015】

本発明によれば、絶縁膜の被覆性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】図１（ａ）から図１（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。

【図2】図２（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。

【図3】図３は、図１（ｄ）に相当するＳＥＭ画像の模式図である。

【図4】図４は、実施例１に係る弾性波共振器の平面図である。

【図5】図５（ａ）は、図４のＡ−Ａ断面図、図５（ｂ）は、図４の拡大図である。

【図6】図６（ａ）および図６（ｂ）は、比較例１および比較例２における弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。

【図7】図７は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの断面図である。

【図8】図８（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図、図８（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下図面を参照し、本発明の実施例について説明する。

【実施例1】

【0018】

図１（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図１（ａ）に示すように、圧電基板１０上に付加膜１４を形成する。圧電基板１０は、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。圧電基板１０は支持基板に接合されていてもよい。付加膜１４は、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、炭化シリコン膜、酸化タンタル膜もしくは酸化ニオブ膜等の絶縁膜、アルミニウム膜等の金属膜またはシリコン膜等の導電体膜である。付加膜１４は、例えば真空蒸着法、スパッタリング法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用い形成する。

【0019】

図１（ｂ）に示すように、付加膜１４上に開口５２を有するマスク層５０を形成する。マスク層５０は、例えばフォトレジストであり、塗布、露光および現像を行うことにより形成する。

【0020】

図１（ｃ）に示すように、マスク層５０をマスクに付加膜１４を除去する。付加膜１４の除去は、例えばウェットエッチング法またはドライエッチング法を用いる。このとき、付加膜１４をサイドエッチングする。これにより、付加膜１４の開口５３は開口５２より大きくなる。付加膜１４の側面はマスク層５０の側面より内側に設けられる。マスク層５０の両端部には、マスク層５０と圧電基板１０との間に付加膜１４が設けられていないオーバーハング５４が形成される。

【0021】

図１（ｄ）に示すように、開口５２および５３内の圧電基板１０上およびマスク層５０上に金属膜１２および１３を形成する。金属膜１２および１３の形成は例えば真空蒸着法を用いる。金属膜１２および１３は、例えばアルミニウム膜または銅膜を含む膜であり、付加膜１４より厚い。オーバーハング５４が形成されているため、領域５６のように、開口５２および５３内の圧電基板１０上に形成された金属膜１２とマスク層５０上に形成された金属膜１３とは接続されずに分断される。

【0022】

実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法の一例について、図１（ｄ）に相当するＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）画像を取得した。図３は、図１（ｄ）に相当するＳＥＭ画像の模式図である。図３に示すように、マスク層５０の側面に形成された金属膜１３と金属膜１２とは領域５６において分断されている。金属膜１２は、ルテニウム膜１２ａおよび銅膜１２ｂを有している。

【0023】

図２（ａ）に示すように、マスク層５０を除去することにより、マスク層５０上に形成されていた金属膜１３がリフトオフされる。金属膜１２と１３とが分断されているため、金属膜１３は容易に除去できる。例えば金属膜１２と１３とが一部接続されていると、金属膜１２端にバリ等が形成される。

【0024】

図２（ｂ）に示すように、圧電基板１０上に金属膜１２および付加膜１４を覆うように絶縁体膜１６を形成する。絶縁体膜１６は、例えば窒化シリコン膜または酸化シリコン膜である。絶縁体膜１６は、例えば真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い形成する。絶縁体膜１６は例えば金属膜１２より薄い。

【0025】

図２（ｃ）に示すように、絶縁体膜１６上に誘電体膜１８を形成する。誘電体膜１８は、例えば酸化シリコン膜である。誘電体膜１８は、例えば真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い形成する。誘電体膜１８は例えば金属膜１２より厚い。誘電体膜１８の上面を例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用い平坦化する。

【0026】

図４は、実施例１に係る弾性波共振器の平面図である。図５（ａ）は、図４のＡ−Ａ断面図、図５（ｂ）は、図４の拡大図である。図４および図５（ｂ）では、金属膜１２および付加膜１４を図示している。弾性波の伝搬方向（すなわち電極指の配列方向）をＸ方向、電極指の延伸方向をＹ方向、圧電基板１０の上面の法線方向をＺ方向とする。Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向は、圧電基板１０の結晶方位のＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向とは必ずしも対応しない。

【0027】

図５（ａ）に示すように、圧電基板１０上に金属膜１２が設けられている。金属膜１２の間の圧電基板１０上に付加膜１４が設けられている。金属膜１２および付加膜１４を覆うように絶縁体膜１６が設けられている。絶縁体膜１６上に誘電体膜１８が設けられている。付加膜１４の膜厚Ｈ２は、金属膜１２の膜厚Ｈ１より小さい。すなわち、付加膜１４の上面の圧電基板１０からの高さは、金属膜１２の上面の圧電基板１０からの高さより低い。

【0028】

誘電体膜１８は、例えば圧電基板１０の弾性率の温度係数と逆符号の弾性率の温度係数を有する。これにより、弾性波デバイスの周波数温度係数を小さくできる。圧電基板１０がタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板の場合、絶縁体膜１６は、例えば酸化シリコン膜である。酸化シリコン膜に弗素を添加することで、弾性波デバイスの周波数温度係数をより小さくできる。絶縁体膜１６は、圧電基板１０の上面および金属膜１２を保護する保護膜である。例えば金属膜１２の原子の誘電体膜１８への拡散を抑制する。

【0029】

図４および図５（ｂ）に示すように、圧電基板１０上にＩＤＴ２４および反射器２６が設けられている。ＩＤＴ２４および反射器２６は、金属膜１２により形成される。ＩＤＴ２４は、対向する一対の櫛歯電極２０ａおよび２０ｂを備える。櫛歯電極２０ａは、複数の電極指２１ａ（櫛歯）と、複数の電極指２１ａが接続されたバスバー２２ａを備える。櫛歯電極２０ｂは、複数の電極指２１ｂ（櫛歯）と、複数の電極指２１ｂが接続されたバスバー２２ｂを備える。一対の櫛歯電極２０ａおよび２０ｂは、少なくとも一部において電極指２１ａおよび２１ｂがほぼ互い違いとなるように、対向して設けられている。

【0030】

一対の櫛歯電極２０ａおよび２０ｂの電極指２１ａおよび２１ｂが交差する領域が交差領域である。交差領域において電極指２１ａおよび２１ｂが励振する弾性波は、主にＸ方向に伝搬する。反射器２６は、弾性波を反射する。これにより、ＩＤＴ２４の交差領域内に弾性波が閉じ込められる。同じ櫛歯電極２０ａおよび２０ｂにおける電極指２１ａおよび２１ｂのピッチλがほぼ弾性波の波長となる。

【0031】

付加膜１４は、電極指２１ａと２１ｂとの間に設けられている。電極指２１ａのＸ方向の両側に設けられている付加膜１４は、電極指２１ａとバスバー２２ｂとの間において接続されている。電極指２１ｂのＸ方向の両側に設けられている付加膜１４は、電極指２１ｂとバスバー２２ａとの間において接続されている。反射器２６内の電極指間の付加膜１４は孤立している。付加膜１４はＩＤＴ２４および反射器２６を囲むように設けられている。隣接する電極指２１ａと２１ｂとの間における付加膜１４の幅Ｗ２は、隣接する電極指２１ａと２１ｂとの間の幅Ｗ１より小さい。

【0032】

圧電基板１０は、例えば回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板である。金属膜１２は、例えば圧電基板１０側から膜厚が２０ｎｍのルテニウム膜および膜厚が１２５ｎｍの銅膜である。絶縁体膜１６は、例えば膜厚が２０ｎｍの窒化シリコン膜である。

【0033】

［比較例］
図６（ａ）および図６（ｂ）は、比較例１および比較例２における弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図６（ａ）に示すように、比較例１では、付加膜１４の幅とマスク層５０の幅は同程度である。金属膜１２と付加膜１４とは離間しない。マスク層５０の側面の金属膜１３と圧電基板１０上の金属膜１２とが分断されない。よって、金属膜１３をリフトオフすることが難しくなる。さらに、金属膜１２（電極指２１ａおよび２１ｂ）と付加膜１４とが接触すると、弾性波の励振効率が悪くなる。

【0034】

図６（ｂ）に示すように、比較例２では、付加膜１４の膜厚Ｈ２は金属膜１２の膜厚Ｈ１より大きい。金属膜１２および付加膜１４を覆うように絶縁体膜１６を形成すると、絶縁体膜１６の被覆性が悪くなる。例えば、絶縁体膜１６は、金属膜１２の側面、付加膜１４の側面、および/または圧電基板１０上面の被覆性が悪くなる。よって、絶縁体膜１６の保護膜としての機能が低下する。

【0035】

［実施例１の効果］
実施例１によれば、図１（ａ）のように、圧電基板１０上に付加膜１４を形成する。図１（ｂ）のように、付加膜１４上に開口５２（第１開口）を有するマスク層５０を形成する。図１（ｃ）のように、付加膜１４がマスク層５０より小さくなるように、マスク層５０をマスクに付加膜１４を除去し開口５２に連通する付加膜１４の開口５３（第２開口）を形成する。図１（ｄ）のように、開口５２および５３内の圧電基板１０上およびマスク層５０上に付加膜１４の膜厚より大きい膜厚を有する金属膜１２および１３を形成する。図２（ａ）に示すように、マスク層５０を除去することによりマスク層５０上の金属膜１３を除去する。図４のように、圧電基板１０上の金属膜１２から、各々複数の電極指２１ａおよび２１ｂを有し、少なくとも一部において各々の電極指２１ａおよび２１ｂが互い違いに配列方向に配列する一対の櫛歯電極２０ａおよび２０ｂを形成する。図２（ｂ）のように、圧電基板１０上に、金属膜１２および付加膜１４を覆うように、絶縁体膜１６を形成する。

【0036】

付加膜１４を除去せずに絶縁体膜１６を形成するため、付加膜１４を除去する工程に起因した圧電基板１０および電極指２１ａおよび２１ｂのダメージを抑制できる。図１（ｂ）において付加膜１４がマスク層５０より小さいため、比較例１よりも図２（ａ）のリフトオフを容易に行うことができる。また、付加膜１４が電極指２１ａおよび２１ｂから離間するため、電極指２１ａおよび２１ｂの励振効率の低下を抑制できる。さらに、付加膜１４の体積（重量）を小さくできるため、付加膜１４が弾性波に影響することを抑制できる。さらに、付加膜１４の膜厚が複数の電極指２１ａおよび２１ｂの少なくとも１つの膜厚より小さいため、比較例２の図６（ｂ）のような絶縁体膜１６の被覆性の劣化を抑制できる。

【0037】

一対の櫛歯電極２０ａおよび２０ｂに大電力を加えると、電極指２１ａと２１ｂとの間の圧電基板１０と絶縁体膜１６との界面において電極指２１ａおよび２１ｂの原子がマイグレーションする。これにより、櫛歯電極２０ａおよび２０ｂが破壊されることがある。実施例１では、付加膜１４を設けることで、電極指２１ａと２１ｂとの間の原子のマイグレーションを抑制できる。

【0038】

実施例１のように櫛歯電極２０ａおよび２０ｂを形成すると、図４および図５（ｂ）のように、付加膜１４は、隣接する電極指２１ａおよび２１ｂの間における圧電基板１０上に設けられ、隣接する電極指２１ａおよび２１ｂから離間する。

【0039】

また、櫛歯電極２０ａの電極指２１ａのＸ方向の両側に設けられた付加膜１４は、電極指２１ａと櫛歯電極２０ｂのバスバー２２ｂとの間を経由して接続する。付加膜１４は、櫛歯電極２０ａおよび２０ｂを囲むように設けられる。付加膜１４と一対の櫛歯電極２０ａおよび２０ｂの離間距離は製造誤差程度に略一定となる。

【0040】

絶縁体膜１６の被覆性を高めるため、付加膜１４の膜厚Ｈ２は電極指２１ａおよび２１ｂの少なくとも１つの膜厚Ｈ１の５０％（１／２）以下が好ましく２５％（１／４）以下がより好ましい。マスク層５０と圧電基板１０との間に隙間を設けるため、膜厚Ｈ２はＨ１の１０％（１／１０）以上が好ましい。

【0041】

金属膜１２のリフトオフを容易に行うため、付加膜１４の幅Ｗ２は電極指２１ａと２１ｂとの間の幅Ｗ１の９０％（９／１０）以下が好ましく、７５％（３／４）以下がより好ましい。図１（ｂ）においてマスク層５０を機械的に補強するように、幅Ｗ２はＷ１の３０％以上が好ましい。

【0042】

付加膜１４の音響インピーダンスが絶縁体膜１６および／または誘電体膜１８と大きく異なると、弾性波に影響してしまう。よって、付加膜１４の音響インピーダンスは、複数の電極指２１ａおよび２１ｂの音響インピーダンスより絶縁体膜１６および／または誘電体膜１８の音響インピーダンスに近いことが好ましい。

【0043】

例えば、電極指２１ａおよび２１ｂが主に銅膜の場合、銅の音響インピーダンスは３４．１ＭＰａ・ｓ／ｍ^３である。絶縁体膜１６を窒化シリコン膜とすると、その音響インピーダンスは１５．２ＭＰａ・ｓ／ｍ^３である。誘電体膜１８を弗素を添加した酸化シリコン膜とすると、その音響インピーダンスは１０．９ＭＰａ・ｓ／ｍ^３である。この場合、電極指２１ａおよび２１ｂの音響インピーダンスより絶縁体膜１６および／または誘電体膜１８の音響インピーダンスに近い材料としては、窒化シリコン、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、シリコンおよびアルミニウムがある。酸化シリコン、シリコンおよびアルミニウムの音響インピーダンスは、それぞれ１２．５ＭＰａ・ｓ／ｍ^３、２０．８ＭＰａ・ｓ／ｍ^３および１３．８ＭＰａ・ｓ／ｍ^３である。

【0044】

［実施例１の変形例１］
図７は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの断面図である。図７に示すように、電極指２１ａと２１ｂとの間の圧電基板１０上に付加膜１４が設けられている。付加膜１４と絶縁体膜１６とは同じ材料からなり、例えば窒化シリコン膜である。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

【0045】

実施例１の変形例１では、付加膜１４は絶縁体膜１６と同じ材料からなるため、付加膜１４の音響インピーダンスは絶縁体膜１６の音響インピーダンスとほぼ同じである。これにより、付加膜１４が弾性波に影響することを抑制できる。

【0046】

実施例１の変形例１では、付加膜１４と絶縁体膜１６との界面が不明瞭となり、付加膜１４と絶縁体膜１６とが一体の膜として見える場合がある。電極指２１ａと２１ｂとの間においてはその中央部において付加膜１４と絶縁体膜１６とが一体となった膜の膜厚Ｈ４は、電極指２１ａと２１ｂとの間の両側部の絶縁体膜１６の膜厚Ｈ３より大きくなる。

【実施例2】

【0047】

実施例２は、実施例１およびその変形例の弾性波共振器を用いたフィルタおよびデュプレクサの例である。図８（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図である。図８（ａ）に示すように、入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続されている。入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ４が並列に接続されている。１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４および１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ４の少なくとも１つに実施例１およびその変形例の弾性波共振器を用いることができる。ラダー型フィルタの共振器の個数等は適宜設定できる。フィルタは、多重モードフィルタでもよい。

【0048】

［実施例２の変形例１］
図８（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。図８（ｂ）に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ４０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ４２が接続されている。送信フィルタ４０は、送信端子Ｔｘから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ４２は、共通端子Ａｎｔから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ４０および受信フィルタ４２の少なくとも一方を実施例２のフィルタとすることができる。マルチプレクサとしてデュプレクサを例に説明したがトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。

【0049】

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0050】

１０ 圧電基板
１２、１３ 金属膜
１４ 付加膜
１６ 絶縁体膜
１８ 誘電体膜
２０ａ、２０ｂ 櫛歯電極
２１ａ、２１ｂ 電極指
２２ａ、２２ｂ バスバー
２４ ＩＤＴ
２６ 反射器
４０ 送信フィルタ
４２ 受信フィルタ
５０ マスク層
５２、５３ 開口

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】