１Ａ…受光デバイス、２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ…導波路型光素子、２ａ，２ｂ…端縁、３Ａ，３Ｂ…信号増幅部、４ａ，４ｂ…入力ポート、５…光カプラ、６ａ〜６ｄ…受光素子、７ａ，７ｂ…バイアス配線、８ａ〜８ｆ…光導波路、９ａ〜９ｄ…容量素子部、１０…基板、１１…ｎ型バッファ層、１３…光吸収層、１４…ｐ型クラッド層、１５…ｐ型コンタクト層、１６，１７…絶縁膜、１８…埋込領域、１９…導波路型フォトダイオード構造、２０ａ〜２０ｄ…信号伝送用ボンディングワイヤ、２０ｅ〜２０ｈ…基準電位用ボンディングワイヤ、２０ｉ，２０ｊ…電圧供給用ボンディングワイヤ、２０ｐ〜２０ｓ…ボンディングワイヤ、２１ａ〜２１ｄ…信号出力用電極パッド、２２ａ〜２２ｄ…バイアス電圧側電極パッド、２３ａ，２３ｃ，２３ｄ，２３ｆ…基準電位用電極パッド、２３ｂ，２３ｅ…バイアス電圧入力用電極パッド、２４〜２７…溝、２４ａ，２５ａ，２６ａ，２７ａ…第１部分、２４ｂ，２５ｂ，２６ｂ，２７ｂ…第２部分、２４ｃ…部分、３１…ｐ型オーミック電極、３２…配線、４１〜４３…ｎ型オーミック電極、４４…バイアス配線、４５…絶縁膜、４６…上部金属層、５１…ビア、６１ａ〜６１ｄ…信号入力用電極パッド、６２ａ，６２ｃ，６２ｄ，６２ｆ…基準電位用電極パッド、６２ｂ，６２ｅ…バイアス電圧供給用電極パッド、８０…光導波路構造、８１…光導波コア層、８２…クラッド層、Ｌａ…光信号、Ｌｂ…局部発振光、Ｌｃ１〜Ｌｃ４…信号成分。