発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、特許文献１の製造方法では、直径が１０〜４０ ｍｍ である比較的大型の単結晶が育成されるところ、エネルギーハーベスティング用のデバイスとしてＦｅ−Ｇａ合金が用いられる場合は素子サイズ（具体的には、数ｍｍサイズ）の部材／部品があれば良いので大きなインゴットから数ｍｍサイズの部品／素子が切り出されて使用されるため、切断加工による材料のロス（具体的には、切りしろや廃棄分）が多量に発生してしまう。このため、最終的な製品の価格を高止まりさせてしまう可能性があるという問題がある。 また、特許文献１の製造方法では、直径が１０〜４０ ｍｍ である比較的大型の（言い換えると、断面積が比較的大きい）単結晶が育成されるところ、例えば数十 ｍｍ 程度の寸法の大きなインゴットでは材料（具体的には、結晶方位）の均質性を高いレベルで維持することが難しいため、均一で良好なレベルが維持された品質を備える部品／素子を安定的に供給することが困難であるという問題がある。 そこで、本発明は、部品や素子に仕上げるための加工に伴うロスを低減させることができると共に良好な結晶性及び磁歪性能を確保することができる磁歪材料の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の磁歪材料の製造方法によれば、製造対象の磁歪材料の完成品に近い形状（言い換えると、製品サイズ）の単結晶を作製することができるので、例えば部品／素子の切り出しなどの完成品にするための加工に伴う材料のロスを従来の製造方法と比べて大幅に低減させることが可能になり、延いては最終的な製品の価格を低廉にすることが可能になる。 本発明の磁歪材料の製造方法によれば、また、多結晶粒の生成が抑制された良質な且つ高い磁歪性能が確保された単結晶を作製することができるので、磁歪材料の製造手法としての有用性を向上させることが可能になる。 本発明の磁歪材料の製造方法は、孔近傍領域に於ける温度勾配が５０ ℃ 以上であるようにした場合には、原料融液とＦｅ−Ｇａ基合金単結晶との界面が孔の外側に出てきて表面張力によって丸まってしまうことを防止することができるので、育成される単結晶の形状の制御を確実に行うことが可能になり、延いては製造対象の磁歪材料の完成品に近い形状の単結晶を一層確実に作製して材料のロスを一層確実に低減させることが可能になる。 本発明の磁歪材料の製造方法は、０．５〜１０ ｍｍ／分 の範囲で引き出すようにした場合には、磁歪性能が一層高い単結晶を作製することができるので、磁歪材料の製造手法としての有用性を一層向上させることが可能になる。