特許6959325抵抗変化型メモリ（ＲＲＡＭ）セルフィラメントの電流形成

発明の名称　抵抗変化型メモリ（ＲＲＡＭ）セルフィラメントの電流形成

出願人　シリコン　ストーリッジ　テクノロージー　インコーポレイテッド　（識別番号 500147506）

　　　　特許公開件数ランキング 740 位（32件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 655 位（32件）（共同出願を含む）

出願人　エイジェンシー　フォア　サイエンス　テクノロジー　アンド　リサーチ　（識別番号 510101480）

　　　　特許公開件数ランキング 31345 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 25341 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6959325

公報発行日　2021年11月2

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6959325

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