特許 6959337 表示パネル及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6959337

(24)【登録日】2021年10月11日

(45)【発行日】2021年11月2日

(54)【発明の名称】表示パネル及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20211021BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20211021BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20211021BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20211021BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20211021BHJP

【ＦＩ】

   G09F9/30 338

   G09F9/30 348A

   G09F9/30 349C

   G09F9/00 338

   G09F9/30 365

   H05B33/14 A

   H01L27/32

   H05B33/10

【請求項の数】4

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2019-528120(P2019-528120)

(86)(22)【出願日】2018年11月1日

(65)【公表番号】特表2020-536262(P2020-536262A)

(43)【公表日】2020年12月10日

(86)【国際出願番号】CN2018113274

(87)【国際公開番号】WO2020047978

(87)【国際公開日】20200312

【審査請求日】2019年5月21日

(31)【優先権主張番号】201811019500.4

(32)【優先日】2018年9月3日

(33)【優先権主張国】CN

(73)【特許権者】

【識別番号】519182202

【氏名又は名称】深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】100188558

【弁理士】

【氏名又は名称】飯田 雅人

(74)【代理人】

【識別番号】100154922

【弁理士】

【氏名又は名称】崔 允辰

(72)【発明者】

【氏名】肖 ▲輝▼

(72)【発明者】

【氏名】任 章淳

【審査官】 小野 博之

(56)【参考文献】

【文献】 中国特許出願公開第１０８４２８７３０（ＣＮ，Ａ）

【文献】 中国特許出願公開第１０７８０８８９５（ＣＮ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１５／００９７１７２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１５／０１４４９１０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１６／０１４１３４９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１３／０３２０３１４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２０１３−２５８３５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１６／０００５８０２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 中国特許出願公開第１０８４６１５２９（ＣＮ，Ａ）

【文献】 中国特許出願公開第１０３４５６７６３（ＣＮ，Ａ）

【文献】 特開２０１５−１７６８００（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０９Ｆ ９／００−４６

Ｇ０２Ｆ １／１３−１／１４１

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

２９／７８６

５１／５０

Ｈ０５Ｂ ３３／００−３３／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、前記基板に位置する薄膜トランジスタユニットおよびストレージキャパシタと、を含むアレイ基板と、
前記アレイ基板に位置する発光素子層と、を含み、
前記ストレージキャパシタの前記発光素子層に位置する正投影は前記発光素子層に位置し、
前記ストレージキャパシタは、前記基板に位置する第１の電極と、前記第１の電極に位置する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層に位置する第２の電極と、を含み、
前記第１の電極および前記第２の電極は透明金属材料でできており、
前記薄膜トランジスタユニットは、前記基板に位置する遮光層と、前記遮光層に位置する緩衝層と、前記緩衝層に位置する活性層と、前記活性層に位置するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層に位置するゲート層と、前記ゲート層に位置する層間絶縁層、前記層間絶縁層に位置するソース・ドレイン層と、前記ソース・ドレイン層に位置するパッシベーション層と、前記パッシベーション層に位置する平坦化層と、前記平坦化層に位置するピクセル電極層と含み、
前記第１の電極は前記活性層と同じ層に設けられており、
前記第１の絶縁層は、前記層間絶縁層と同じ層に設けられており、
前記第２の電極は、ソース・ドレイン層または前記ピクセル電極層と同じフォトマスク工程（Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ ｐｒｏｃｅｓｓ）で形成され、
前記ストレージキャパシタは、第３の電極をさらに含み、前記第３の電極は透明材料でできており、
前記第２の電極が前記ソース・ドレイン層と同じ層に設けられる場合、前記第３の電極は前記ゲート層と同じ層に設けられ、
前記第２の電極が前記ピクセル電極層と同じ層に設けられる場合、前記第３の電極は前記ゲート層または前記ソース・ドレイン層と同じ層に設けられる、表示パネル。

【請求項2】

前記第１の絶縁層は、酸化アルミニウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。

【請求項3】

基板を用意するステップと、
前記基板に薄膜トランジスタユニットおよびストレージキャパシタを形成するステップと、
前記薄膜トランジスタユニット及び前記ストレージキャパシタに発光素子層を形成するステップと、を含み、
前記ストレージキャパシタの発光素子層に位置する正投影は、発光素子層内に位置し、
前記ストレージキャパシタは、前記基板に位置する第１の電極と、前記第１の電極に位置する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層に位置する第２の電極とを含み、
前記第１の電極および前記第２の電極は透明金属材料でできており、
前記薄膜トランジスタユニットは、前記基板に位置する遮光層と、前記遮光層に位置する緩衝層と、前記緩衝層に位置する活性層と、前記活性層に位置するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層に位置するゲート層と、前記ゲート層に位置する層間絶縁層、前記層間絶縁層に位置するソース・ドレイン層と、前記ソース・ドレイン層に位置するパッシベーション層と、前記パッシベーション層に位置する平坦化層と、前記平坦化層に位置するピクセル電極層と含み、
第１の電極は前記活性層と同じ層に設けられており、
第１の絶縁層は、前記層間絶縁層と同じ層に設けられており、
前記第２の電極は、ソース・ドレイン層または前記ピクセル電極層と同じフォトマスク工程（Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ ｐｒｏｃｅｓｓ）で形成され、
前記ストレージキャパシタは、第３の電極をさらに含み、前記第３の電極は透明材料でできており、
前記第２の電極が前記ソース・ドレイン層と同じ層に設けられる場合、前記第３の電極は前記ゲート層と同じ層に設けられ、
前記第２の電極が前記ピクセル電極層と同じ層に設けられる場合、前記第３の電極は前記ゲート層または前記ソース・ドレイン層と同じ層に設けられる、表示パネルの製造方法。

【請求項4】

第１の絶縁層は、酸化アルミニウムを含む、請求項３に記載の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は表示の分野に関し、特に液晶表示パネル及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

フラットパネルディスプレイ技術において、有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，ＯＬＥＤ）ディスプレイは薄型、自発光、応答速度が速く、視野角が大きく、色域が広く、輝度が高くかつ消費電力が低いなどの多くの利点を有し、液晶ディスプレイに続く第三世代の表示技術となる。

【0003】

ディスプレイパネルの開発とともに、ボトムエミッション型ＯＬＥＤ表示パネルに対して、アレイ基板におけるスイッチユニット、薄膜トランジスタユニット及びストレージキャパシタの存在は、ピクセルユニットにおける開口率の制限をもたらし、現在の高解像度表示パネルの需要を満たさない。

【0004】

したがって、現在では上記課題を解決するパネルが必要となる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の目的はパネル及びその製造方法を提供することにより、従来の技術における技術的課題を解決することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するために、本出願の提供する技術的解決手段は以下のとおりである：
本出願は表示パネルを提供し、該表示パネルは、
基板と基板に位置する薄膜トランジスタユニットおよびストレージキャパシタとを含むアレイ基板と、
アレイ基板に位置する発光素子層と、を含み、
ストレージキャパシタの発光素子層上の正投影は発光素子層に位置する。

【0007】

本出願の表示パネルにおいて、
ストレージキャパシタは、基板上の第１の電極と、第１の電極上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の第２の電極と、を含み、
第１の電極および第２の電極は透明金属材料でできている。

【0008】

本願の表示パネルにおいて、第１の絶縁層は、酸化アルミニウムを含む。

【0009】

本発明の表示パネルにおいて、薄膜トランジスタユニットは、基板上の遮光層と、遮光層上の緩衝層と、緩衝層上の活性層と、活性層上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート層と、ゲート層上の層間絶縁層と、層間絶縁層上のソース・ドレイン層と、ソース・ドレイン層上のパッシベーション層と、パッシベーション層上の平坦化層と、平坦化層上のピクセル電極層と含み、
第１の電極は活性層と同じ層に設けられており、
第１の絶縁層は、層間絶縁層と同じ層に設けられており、
第２の電極は、ソース・ドレイン層またはピクセル電極層と同じフォトマスク工程（Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ ｐｒｏｃｅｓｓ）で形成される。

【0010】

本発明の電子デバイスの製造方法において、ストレージキャパシタは、第３の電極をさらに含み、第３の電極は透明材料でできており、
第２の電極がソース・ドレイン層と同じ層に設けられる場合、第３の電極はゲート層と同じ層に設けられ、
第２の電極がピクセル電極層と同じ層に設けられる場合、第３の電極はゲート層またはソース・ドレイン層と同じ層に設けられる、

【0011】

本発明はパネルの製造方法をさらに提供する。該製造方法は、
基板を用意するステップと、
基板上薄膜トランジスタユニットおよびストレージキャパシタを形成するステップと、
薄膜トランジスタユニット及びストレージキャパシタに発光素子層を形成するステップと、を含み、
前記ストレージキャパシタの発光デバイス層上の正投影は、発光デバイス層内に位置する。

【0012】

本発明の製造方法において、 ストレージキャパシタは、基板上の第１の電極と、第１の電極上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の第２の電極とを含み、
第１の電極および第２の電極は透明金属材料でできている、

【0013】

本出願の製造方法において、第１の絶縁層は酸化アルミニウムを含む。

【0014】

本発明の製造方法において、薄膜トランジスタユニットは、基板上の遮光層と、遮光層上の緩衝層と、緩衝層上の活性層と、活性層上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート層と、ゲート層上の層間絶縁層と、層間絶縁層上のソース・ドレイン層と、ソース・ドレイン層上のパッシベーション層と、パッシベーション層上の平坦化層と、平坦化層上のピクセル電極層と含み、
第１の電極は活性層と同じ層に設けられており、
第１の絶縁層は、層間絶縁層と同じ層に設けられており、
第２の電極は、ソース・ドレイン層またはピクセル電極層と同じフォトマスク工程（Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ ｐｒｏｃｅｓｓ）で形成される、

【0015】

本発明の製造方法において、ストレージキャパシタは、第３の電極をさらに含み、第３の電極は透明材料でできており、
第２の電極がソース・ドレイン層と同じ層に設けられる場合、第３の電極はゲート層と同じ層に設けられ、
第２の電極がピクセル電極層と同じ層に設けられる場合、第３の電極はゲート層またはソース・ドレイン層と同じ層に設けられる、

【0016】

本発明は表示パネルをさらに提供し、該表示パネルは、
基板と、基板に位置する薄膜トランジスタユニットおよびストレージキャパシタと、を含むアレイ基板と、
アレイ基板に位置する発光素子層と、を含み、
発光素子層上のストレージキャパシタの正投影は発光素子層に位置し、
ストレージキャパシタは、基板上の第１の電極と、第１の電極上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の第２の電極と、を含む、
第１の電極および第２の電極は透明金属材料でできている。

【0017】

本願の表示パネルにおいて、第１の絶縁層は、酸化アルミニウムを含む。

【0018】

本願の表示パネルにおいて、薄膜トランジスタユニットは、基板上の遮光層と、遮光層上の緩衝層と、緩衝層上の活性層と、活性層上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート層と、ゲート層上の層間絶縁層と、層間絶縁層上のソース・ドレイン層と、ソース・ドレイン層上のパッシベーション層と、パッシベーション層上の平坦化層と、平坦化層上のピクセル電極層と含み、
第１の電極は活性層と同じ層に設けられており、
第１の絶縁層は、層間絶縁層と同じ層に設けられており、
第２の電極は、ソース・ドレイン層またはピクセル電極層と同じフォトマスク工程（Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ ｐｒｏｃｅｓｓ）で形成される。

【0019】

本願の表示パネルにおいて、
ストレージキャパシタは、第３の電極をさらに含み、第３の電極は透明材料でできており、
第２の電極がソース・ドレイン層と同じ層に設けられる場合、第３の電極はゲート層と同じ層に設けられ、
第２の電極がピクセル電極層と同じ層に設けられる場合、第３の電極はゲート層またはソース・ドレイン層と同じ層に設けられる、

【発明の効果】

【0020】

有利な効果：本発明は、透明金属材料を利用してアレイ基板のストレージキャパシタ領域を形成し、ストレージキャパシタに発光素子層を提供することによって表示パネルの開口率を増加させ、表示パネルの表示効果を向上させる。

【0021】

従来技術における実施例または技術的解決手段をより明確に説明するために、実施例または従来技術の説明において用いられる図面について以下に簡単に説明するが、以下の説明における図面は単なる発明のいくつかの例示にすぎない。当業者が創造的な努力を使わずにこれらの図面から他の図面を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】本願の表示パネルのフィルム層の構造図である。

【図2】本願の実施例１の表示パネルの膜層構造図である。

【図3】本願の実施例２の表示パネルの膜層構造図である。

【図4】本願の実施例３の表示パネルの膜層構造図である。

【図5】本願の表示パネルを製造する方法の工程を示す。

【図6】本願の表示パネルを製造する方法の別の工程を示す。

【図7】図７Ａ〜Ｄは表示パネルの製造方法の工程のフローチャートを示す。

【図8】本出願の表示パネルの別の膜層構造図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

以下の各実施例は図面を参考し、特定の実施例を例示するために提供される。本出願に用いられる用語「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「内」、「外」、「側面」などは、図面の方向を参照するものであるため、用いられる方向の用語は、例示および理解を目的としたものであり、限定的なものではない。図面において、構造的に類似の要素は同じ符号によって示される。

【0024】

図１は発明の提供する表示パネルの膜層構造図であり、表示パネルは基板を含み、前記アレイ基板は基板１０１、及び前記基板１０１に位置する薄膜トランジスタ層、及び前記薄膜トランジスタ層に位置する発光素子層４０を含む。ここで、前記薄膜トランジスタ層は薄膜トランジスタユニット１０、ストレージキャパシタ２０、及びスイッチユニット３０を含み、前記ストレージキャパシタ２０の前記発光素子層４０における正投影は前記発光素子層４０に位置する。

【0025】

本実施例において、図１中のスイッチユニット３０について具体的に説明しない。

【0026】

図２に示されるように、前記基板１０１の原材料はガラス基板、石英基板、樹脂基板等のうちの一つであってもよい。好ましくは、前記アレイ基板が可撓性基板である場合、有機ポリマーであってもよい。一実施例において、前記可撓性材料はポリイミド薄膜であってもよい。

【0027】

前記薄膜トランジスタユニット１０はＥＳＬ（エッチストップ層タイプ）、ＢＣＥ（バックチャネルエッチタイプ）またはトップゲート（トップゲート型薄膜トランジスタタイプ）の構造を含み、特に限定されない。 例えば、トップゲート型薄膜トランジスタタイプは、遮光層１０２、緩衝層１０３、活性層１０４、ゲート絶縁層１０５、ゲート層１０６、層間絶縁層１０７、ソース・ドレイン層１０８、パッシベーション層１０９、及び平坦化層１０９を含む。

【0028】

遮光層１０２は、基板１０１に形成され、主に薄膜トランジスタ部１０から光源を遮断して薄膜トランジスタの駆動効果に影響を及ぼすために用いられる。

【0029】

前緩衝層１０３は、遮光層１０２に形成され、主に緩衝膜のラメラ構造間の圧力を緩衝するために用いられるものであり。
活性層１０４は緩衝層１０３に形成され、活性層１０４はイオンドーピングによってドープされた領域（図示せず）を含む。活性層は、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）、すなわち導電性半導体であり、透明材料でもある。

【0030】

活性層１０４にはゲート絶縁層１０５が形成されている。一実施例において、層間絶縁層１０７は活性層１０４を覆い、層間絶縁層１０７は活性層１０４を他の金属層から分離するために用いられる。

【0031】

ゲート絶縁層１０５にはゲート層１０６が形成されている。ゲート層１０５の金属材料は、通常、モリブデン、アルミニウム、アルミニウム−ニッケル合金、モリブデン−タングステン合金、クロム、または銅からなる。上記の金属材料のいくつかの組成物であってもよい。 一実施例において、ゲート層１０６の金属材料はモリブデンとすることができる。

【0032】

ゲート層１０６には層間絶縁層１０７が形成されている。一実施例において、層間絶縁層１０７はゲート層１０６を覆い、ゲート絶縁層１０５は主にゲート層１０６とソース・ドレイン層１０８を分離するために用いられる。

【0033】

層間絶縁層１０７には、ソース・ドレイン層１０８が形成されている。ソース・ドレイン層１０８の金属材料は、通常、モリブデン、アルミニウム、アルミニウム−ニッケル合金、モリブデン−タングステン合金、クロム、銅、またはチタン−アルミニウム合金などの金属からなる。上述いくつかの金属材料の組成物も使用することができる。 ソース層・ドレイン層１０８は、ビアホールを介して活性層１０４上のドープ領域に電気的に接続されている。

【0034】

パッシベーション層１０９および平坦化層１１０はソース・ドレイン層１０８に形成され、パッシベーション層１０９は薄膜トランジスタプロセスの平坦性を保証するために使用される

【0035】

発光素子層は、アレイ基板に形成されたピクセル電極層１１１（すなわち陽極層１１１）、発光層１１２、およびカソード層１１３を含む。

【0036】

ピクセル電極層１１１は平坦化層１１０に形成され、ピクセル電極層１１１は主に電子を吸収するための正孔を提供するために使用される。

【0037】

一実施例において、発光素子（ＯＬＥＤ）はボトムエミッション型のＯＬＥＤ素子であり、したがってピクセル電極層１１１は透明金属電極である。

【0038】

一実施例において、陽極層１１１の材料は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）または酸化亜鉛アルミニウム（ＡＺＯ）から選択される少なくとも１つであり得る。

【0039】

発光層１１２は、陽極層１１１に形成されている。発光層１１２は、ピクセル定義層１１４によって複数の発光ユニットに分割されており、各発光ユニットは１つの陽極に対応している。陽極層１１１により発生した正孔は、陰極層１１３を吸収して電子を発生させ、発光層１１２において光源が発生する。

【0040】

陰極層１１３は発光層１１２に形成され、陰極層１１３はアレイ基板上の発光層１１２とピクセル定義層１１２を覆っている。一実施例においては、陰極層１１３は不透明材料であり、発光層１１２によって発生した光は陰極層１１３を通って基板１０１に向かって投射される。

【0041】

図２に示すように、ストレージキャパシタ２０は、基板１０１上の第１の電極１１５と、第１の電極１１５上の第１の絶縁層１１６と、第１の絶縁層１１６上の第１の絶縁層１１７とを含む。

【0042】

一実施例においては、第１の電極１１５は活性層１０４と同じ層に、すなわち活性層１０４と同じマスクプロセスで用いられる。第１の電極１１５と活性層１０４とは同じ材料からなるため、本実施例における第１の電極１１５は透明電極である。同様に、第１の絶縁層１１６は、層間絶縁層１０７と同じ層に設けられている。

【0043】

図２に示すように、第２の電極１１７はソース・ドレインシリコン層１０８と同じ層に設けられる。この実施例においてソース・ドレイン絶縁層１０８及び第２の電極１１７は透明金属材料を用いて製造される。又は、前記ソース・ドレインシリコン層１０８と前記第２の電極１１７は２つのプロセスにより製造され、それぞれ透明材料及び非透明材料である。

【0044】

図３に示すように、第２の電極１１７はさらにピクセル電極と同じ層に設けられてもよい。

【0045】

図２及び図３を参照すると、第１の絶縁層１１６は第１の電極１１５を覆い、第２の電極１１７が後続のエッチング工程によって破壊されることを防止するためのエッチングバリア層として作用する。一実施例においては、第１の絶縁層１１３は酸化アルミニウムを含む。

【0046】

一実施形態において、層間絶縁層１０７の材料は酸化アルミニウムであり得る。活性層１０４、ゲート絶縁層１０５、及びゲート層１０６をエッチングする際に高密度の酸化アルミニウムが破壊されないようにすることが好ましい。また、酸化アルミニウムは静電気力定数（Ｋ）が高く、２枚の電極板の面積および間隔が一定である場合、静電気力定数が大きくなり、ストレージキャパシタ２０の電気の総量が大きくなる。

【0047】

一実施例においては、ストレージキャパシタ２０はさらに第３の電極１１８を含む。

【0048】

第２の電極１１７がソース・ドレイン層１０８と同じ層に設けられている場合、第３の電極１１８はゲート層１０６と同じ層に設けられている。第２の電極１１７がピクセル電極層１１１と同じ層に設けられている場合、第３の電極１１８はゲート層１０６またはソース・ドレイン層１０８と同じ層に設けられている。

【0049】

図４に示すように、第２の電極１１７がソース・ドレイン層１０８と同じ層に設けられている場合、第３の電極１１８はゲート層１０６と同じ層に設けられている。図２または図３と比較して、３つの並列接続されたキャパシタはストレージキャパシタ２０の電気の総量を増加させる。

【0050】

一実施例においては、ストレージキャパシタ２０を形成する第１の電極１１５、第２の電極１１７、または第３の電極１１８はすべて透明電極である。発光素子層４０上の第１の電極１１５、第２の電極１１７、または第３の電極１１８の正投影は、発光素子層４０内に位置する。高容量のための高解像度パネルの要求の下で、ストレージキャパシタの透明な設定は表示パネルの開口率を増加させ、表示パネルの表示効果を改善する。

【0051】

図５は、本願に係る表示パネルの製造方法を示し、該方法は、
Ｓ１０、基板を用意するステップを含む。
本実施例において、基板２０１の材料は、ガラス基板、石英基板、樹脂基板などのいずれでもよい。アレイ基板が可撓性基板である場合、それは場合により有機ポリマーである。一実施例においては、可撓性材料はポリイミド薄膜とすることができる。

【0052】

Ｓ２０、基板に薄膜トランジスタユニット及びストレージキャパシタを形成するステップを含む。
この工程では、主に基板２０１に薄膜トランジスタ部、ストレージキャパシタ及びスイッチングユニットを同時に形成する。なお、スイッチングユニットについては、実施例において特に説明しない。

【0053】

図６に示すように、以下のステップを含む。
Ｓ２０１、基板に遮光層、緩衝層、活性層を形成する。
図７Ａに示すように、第１金属層を基板２０１に堆積し、パターニング化して薄膜トランジスタユニットの遮光層２０２とストレージキャパシタの第１の電極２１０を形成する。

【0054】

一実施形態では、第１の金属層の金属材料はモリブデンであり得る。

【0055】

緩衝層２０３は、遮光層２０２を覆っており、主に緩衝層構造間の圧力を緩衝するためのものであり、水および酸素を遮断する機能を有していてもよい。

【0056】

まず、緩衝層２０３に活性層薄膜を形成し、活性層膜をポリシリコンで形成する。活性層薄膜に第１のマスクプロセスを使用して、活性層薄膜に第１のフォトレジスト層（図示せず）を形成し、マスク板（図示せず）で露光し、現像し、および第１のエッチングのエッチングパターニング工程の後、活性層薄膜を図７Ａに示す活性層２０４と第１の電極２１５とに形成し、第１のフォトレジスト層を剥離する。

【0057】

第１の電極２１５は、活性層２０４と同じ層に設けられている。活性層２０４は、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）、すなわち導電性半導体であり、透明材料でもある。

【0058】

Ｓ２０２、前記活性層にゲート絶縁膜、ゲート膜及び層間絶縁膜を形成する。
この工程では、活性層２０４にゲート絶縁層２０５と第２金属層を順次形成する。第２の金属層の金属材料は、一般に、モリブデン、アルミニウム、アルミニウム−ニッケル合金、モリブデン−タングステン合金、クロム、もしくは銅などの金属、または上記の金属材料の組成物あり得る。一実施例においては、この実施例における第２の金属層の材料はモリブデンである。

【0059】

前記絶縁体層に第２のマスク製造プロセスを使用し、前記第２の金属層に第２のフォトレジスト層を形成し、マスクプレート（図示せず）を用いて露光し、現像し、および第２のエッチングのエッチングパターニング工程の後、ゲート層とゲート絶縁層を図７Ｂに示すパターンに形成し、第２のフォトレジスト層を剥離する。

【0060】

ゲート絶縁層２０５及びゲート層２０６は、フォトマスクプロセスで形成することができ、すなわち、図７Ｂに示すパターンを形成する；

【0061】

前記層間絶縁層２０７を堆積することにより、前記ゲート層２０６及びソース・ドレイン電極層２０８を遮断する。一実施例において、前記層間絶縁層２０７の材料は酸化アルミニウムである。

【0062】

第１の絶縁層２１６は層間絶縁層２０７と同じ層に設けられ、すなわち前記第１の絶縁層２１６の材料は酸化アルミニウムであってもよい。酸化アルミニウムの高緻密性が高いことは活性層２０４、ゲート絶縁層２０５及びゲート層２０６がエッチングするときに破壊されることを回避する。また、三酸化アルミニウムは高い静電力定数（Ｋ）を有し、２枚の電極板の面積と間隔が変化しない場合、静電力定数が増加し、ストレージキャパシタ２０の総電気量を増加させる。

【0063】

Ｓ２０３ 、前記ゲート層にソース・ドレイン電極層、第２の電極、パッシベーション層及び平坦化層を順に形成する。

【0064】

図７Ｃに示すように、ソース・ドレイン電極２０８は層間絶縁層２０７に形成される。ソース・ドレイン電極層２０８の金属材料は一般的にモリブデン、アルミニウム、アルミニウムニッケル合金、モリブデンタングステン合金、クロム、銅又はチタンアルミニウム合金等の金属を用いてもよく、上記複数の金属材料の組成物を用いてもよい。ソース・ドレイン電極層２０８はビアホールにより前記活性層２０４上のドープ領域と電気的に接続される

【0065】

ソース・ドレイン電極層２０８を形成するときに同時に前記ストレージキャパシタ２０の第２の電極２１７を形成する。一実施例において、第２の電極２１７と前記ソース・ドレイン電極層２０８は透明金属である。又は、前記ソース・ドレイン電極層２０８と第２の電極２１７は二つのプロセスにより製造され、それぞれ透明金属材料及び非透明金属材料である。

【0066】

パッシベーション層２０９及び平坦化層２１０はソース・ドレイン電極層２０８に形成され、パッシベーション層２０９及び平坦化層２１０は薄膜トランジスタプロセス上の平坦性を保証するために用いられる。

【0067】

Ｓ３０ 、薄膜トランジスタユニット及びストレージキャパシタに有機発光層を形成する。
発光素子層４０は基板に形成されたピクセル電極層２１１（すなわち陽極層２１１）、発光層２１２及び陰極層２１３を含む。

【0068】

ピクセル電極層２１１は平坦化層２１０に形成され、ピクセル電極層２１１は主に電子を吸収する正孔を提供することに用いられる。一実施例において、発光素子（ＯＬＥＤ）はボトムエミッション型ＯＬＥＤデバイスであるため、ピクセル電極層２１１は透明な金属電極である；

【0069】

一実施例において、前記陽極層２１１の材料はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）又は酸化亜鉛アルミニウム（ＡＺＯ）のうちの少なくとも一つである。

【0070】

発光層２１２は陽極層２１１に形成され、発光層２１２はピクセル定義層２１４により複数の発光ユニットに分けられ、各発光ユニットはそれぞれの陽極に対応する。陽極層２１１で生成された正孔は陰極層２１３を吸収して電子を生成し、前記発光層２１２に光源を生成する。

【0071】

陰極層２１３は、発光層２１２に形成されている。陰極層２１３は発光層２１２及びアレイ基板に位置するピクセル定義層２１２を覆う。一実施例において、陰極層２１３は非透明材料であり、発光層２１２で生成された光線を、陰極層２１３を介して基板２０１方向に向かって投射する。

【0072】

一実施例において、発光素子層１０はストレージキャパシタ２０を覆う。即ち前記ストレージキャパシタ２０における第１の電極２１５及び第２の電極２１７の発光素子層４０上の正投影は前記発光素子層４０内に位置する。

【0073】

図７Ｄに示すように、第２の電極２１７はさらにピクセル電極層２１１と同じプロセスで形成されてもよい。ストレージキャパシタ２０は発光素子層４０に覆われていないが、発光素子層４０が発した光線もストレージキャパシタ２０により出射され、表示パネルの開口率を増加させる。

【0074】

また、前記ストレージキャパシタ２０はさらに第三電極２１８を含むことができる。

【0075】

すなわち第２の電極２１７がソース・ドレイン電極層２０８と同じ層に設けられる場合、第三電極２１８はゲート層２０６と同じ層に設けられる。第２の電極２１７がピクセル電極層２１１と同じ層に設けられる場合、第三電極２１８はゲート層２０６又はソース・ドレイン電極層２０８と同じ層に設けられる。

【0076】

図８に示すように、第２の電極２１７がソース・ドレイン電極層２０８と同じ層に設けられる場合、第三電極２１８はゲート層２０６と同じ層に設けられる。図２又は図３に比べて、三つの並列接続された容量は、ストレージキャパシタ２０の総電力量を増加させる。

【0077】

本願は表示パネル及びその製造方法を提供し、表示パネルはアレイ基板を含み、基板、及び基板に位置する薄膜トランジスタユニット及びストレージキャパシタを含む；アレイ基板に位置する発光素子層；ここで、ストレージキャパシタの発光素子層上の正投影は発光素子層内に位置する。本出願は透明金属材料を利用してアレイ基板のストレージキャパシタ領域を製造し、ストレージキャパシタに発光素子層を設け、表示パネルの開口率を増加させ、表示パネルの表示効果を向上させる。

【0078】

上記のように、本出願は好ましい実施例に開示されたが、上記好ましい実施例は本出願を限定するものではなく、当業者は本出願の精神及び範囲から逸脱せず、様々な変更及び修正を行うことができる。したがって、本出願の保護範囲は特許請求の範囲を基準とする。

【符号の説明】

【0079】

１０ 光素子層
２０ ストレージキャパシタ
１０８ ソース・ドレイン層
２０９ パッシベーション層
２１０ 平坦化層
２１２ 発光層
２１１ 陽極層
２１３ 陰極層
２１５ 第１の電極
２１７ 第２の電極
２１４ ピクセル定義層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図8】